JP2013527527A - Q値を調節することのできるオンチップ低電圧キャパシタレス低ドロップアウト調整器 - Google Patents
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Abstract
Description
本特許出願は、本出願の譲受人に譲渡され、参照により本明細書に明確に組み込まれる、2010年4月29日に出願された「On-Chip Low Voltage Capacitor-Less Low Dropout Regulator with Q-Control」と題する米国仮出願第61329141号の優先権を主張する。
200 LDO電圧調整器
202 誤差増幅器
204 パストランジスタ
206 Miller増幅器
208 Millerキャパシタ
302 バイアス回路
304 電流ミラー
306 電流源(CS)増幅器
308 電流フォロア
410、412 キャパシタ
600 ワイヤレス通信システム
620、630、650 遠隔ユニット
M1、M2、M3、M4、M7、M8、M11 トランジスタ
RL 抵抗
CL キャパシタ
Claims (32)
- キャパシタレス低ドロップアウト(LDO)電圧調整器であって、
基準電圧と調整されたLDO電圧との差分を増幅するように構成された誤差増幅器と、
前記誤差増幅器の出力に結合されたMiller増幅器とを備え、前記Miller増幅器は、前記Miller増幅器の入力ノードに形成されるMillerキャパシタンスを増幅するように構成されるキャパシタレスLDO電圧調整器。 - パストランジスタをさらに備え、前記誤差増幅器の前記出力は、前記パストランジスタのゲートノードに結合され、前記調整されたLDO電圧は、前記パストランジスタの出力ノードに導かれる、請求項1に記載のキャパシタレスLDO電圧調整器。
- 前記誤差増幅器は、前記調整されたLDO電圧用のプルアップパスを生成し、Millerキャパシタンスは、前記調整されたLDO電圧用のプルダウンパスを生成するように構成される、請求項1に記載のキャパシタレスLDO電圧調整器。
- 前記誤差増幅器の前記出力に結合された第1のキャパシタをさらに含み、それによって、前記第1のキャパシタが、Q値を小さくするための正のフィードバックループを生成し、前記Q値は、キャパシタレスLDO電圧調整器の電圧利得に正比例する、請求項1に記載のキャパシタレスLDO電圧調整器。
- Miller増幅器内に形成された第2のキャパシタをさらに備え、前記第2のキャパシタは、前記調整されたLDO電圧用のプルアップパスとプルダウンパスのバランスをとるように構成される、請求項4に記載のキャパシタレスLDO電圧調整器。
- 前記Miller増幅器は電流フォロアと、電流源増幅器と、電流ミラーとを備える、請求項1に記載のキャパシタレスLDO電圧調整器。
- 前記誤差増幅器は一対の交差結合インバータを備える、請求項1に記載のキャパシタレスLDO電圧調整器。
- 前記パストランジスタの前記出力ノードに結合された出力負荷をさらに備える、請求項1に記載のキャパシタレスLDO電圧調整器。
- 少なくとも1つの半導体ダイに組み込まれる、請求項1に記載のキャパシタレスLDO電圧調整器。
- セットトップボックス、音楽プレーヤ、ビデオプレーヤ、エンターテインメントユニット、ナビゲーションデバイス、通信デバイス、携帯情報端末(PDA)、固定位置のデータユニット、およびコンピュータからなるグループから選択されたデバイスに組み込まれる、請求項1に記載のキャパシタレスLDO電圧調整器。
- キャパシタレス低ドロップアウト(LDO)電圧調整器を形成するための方法であって、
基準電圧と調整されたLDO電圧との差分を増幅するように誤差増幅器を構成するステップと、
Miller増幅器を前記誤差増幅器の出力に結合するステップと、
前記Miller増幅器の入力ノードに形成されるMillerキャパシタンスを増幅するように前記Miller増幅器を構成するステップとを含む方法。 - 前記誤差増幅器の前記出力をパストランジスタのゲートノードに結合するステップと、前記調整されたLDO電圧を前記パストランジスタの出力ノードに導くステップとをさらに含む、請求項11に記載の方法。
- 前記調整されたLDO電圧用のプルアップパスを生成するように前記誤差増幅器を構成するステップと、前記調整されたLDO電圧用のプルダウンパスを生成するように前記Millerキャパシタンスを構成するステップとを含む、請求項11に記載の方法。
- 前記誤差増幅器の前記出力に第1のキャパシタを結合し、それによって、前記第1のキャパシタに、Q値を小さくするための正のフィードバックループを生成させるステップをさらに備え、前記Q値は、前記キャパシタレスLDO電圧調整器の電圧利得に正比例する、請求項11に記載の方法。
- 前記調整されたLDO電圧が得られるようにプルアップパスとプルダウンパスのバランスがとられるように、前記Miller増幅器内の第2のキャパシタを構成するステップをさらに含む、請求項14に記載の方法。
- 電流フォロア、電流源増幅器、および電流ミラーから前記Miller増幅器を形成するステップを含む、請求項11に記載の方法。
- 前記パストランジスタの前記出力ノードにおいて出力負荷を形成するステップをさらに含む、請求項11に記載の方法。
- キャパシタレス低ドロップアウト(LDO)電圧調整器を形成するための方法であって、
基準電圧と調整されたLDO電圧との差分を増幅するように誤差増幅器を構成するステップと、
Miller増幅器を前記誤差増幅器の出力に結合するステップと、
前記Miller増幅器の入力ノードに形成されるMillerキャパシタンスを増幅するように前記Miller増幅器を構成するステップとを含む方法。 - 前記誤差増幅器の前記出力をパストランジスタのゲートノードに結合するステップと、前記調整されたLDO電圧を前記パストランジスタの出力ノードに導くステップとをさらに含む、請求項18に記載の方法。
- 前記調整されたLDO電圧用のプルアップパスを生成するように前記誤差増幅器を構成するステップと、前記調整されたLDO電圧用のプルダウンパスを生成するように前記Millerキャパシタンスを構成するステップとを含む、請求項18に記載の方法。
- 前記誤差増幅器の前記出力に第1のキャパシタを結合し、それによって、前記第1のキャパシタが、Q値を小さくするための正のフィードバックループを生成するステップをさらに備え、前記Q値は、前記キャパシタレスLDO電圧調整器の電圧利得に正比例する、請求項18に記載の方法。
- 前記調整されたLDO電圧が得られるようにプルアップパスとプルダウンパスのバランスがとられるように、前記Miller増幅器内の第2のキャパシタを構成するステップをさらに含む、請求項21に記載の方法。
- 電流フォロア、電流源増幅器、および電流ミラーから前記Miller増幅器を形成するステップを含む、請求項18に記載の方法。
- 前記パストランジスタの前記出力ノードにおいて出力負荷を形成するステップをさらに含む、請求項18に記載の方法。
- キャパシタレス低ドロップアウト(LDO)電圧調整器であって、
基準電圧と調整されたLDO電圧との差分を増幅するための増幅器手段と、
前記増幅器手段の出力に結合されたMiller増幅器とを備え、前記Miller増幅器が、前記Miller増幅器の入力ノードに形成されるMillerキャパシタンスを増幅するように構成されるキャパシタレスLDO電圧調整器を備えるシステム。 - 前記増幅器手段の前記出力をスイッチング手段の入力ノードに結合するための手段と、前記調整されたLDO電圧を前記スイッチング手段の出力ノードに導くための手段とをさらに含む、請求項25に記載のシステム。
- 前記調整されたLDO電圧用のプルアップパスを生成するように前記増幅器手段を構成するための手段と、前記調整されたLDO電圧用のプルダウンパスを生成するように前記Millerキャパシタンスを構成するための手段とを備える、請求項25に記載のシステム。
- Q値を小さくするための手段をさらに備え、前記Q値は、前記キャパシタレスLDO電圧調整器の電圧利得に正比例する、請求項25に記載のシステム。
- 前記調整されたLDO電圧が得られるようにプルアップパスとプルダウンパスのバランスをとる手段をさらに備える、請求項28に記載のシステム。
- 前記スイッチング手段の前記出力ノードにおいて出力負荷を形成するための手段をさらに備える、請求項25に記載のシステム。
- 少なくとも1つの半導体ダイに組み込まれる、請求項25に記載のシステム。
- セットトップボックス、音楽プレーヤ、ビデオプレーヤ、エンターテインメントユニット、ナビゲーションデバイス、通信デバイス、携帯情報端末(PDA)、固定位置のデータユニット、およびコンピュータからなるグループから選択されたデバイスに組み込まれる、請求項25に記載のシステム。
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---|---|
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---|---|---|---|
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Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2019071143A (ja) * | 2019-02-12 | 2019-05-09 | 邦男 中山 | 装置 |
JP2019071141A (ja) * | 2014-10-21 | 2019-05-09 | 邦男 中山 | 装置 |
JP2019518282A (ja) * | 2016-06-17 | 2019-06-27 | クアルコム,インコーポレイテッド | 高電源電圧変動除去比および短絡回路保護による低ドロップアウト補償 |
Families Citing this family (35)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US8547077B1 (en) * | 2012-03-16 | 2013-10-01 | Skymedi Corporation | Voltage regulator with adaptive miller compensation |
CN103729003B (zh) * | 2012-10-15 | 2016-03-09 | 上海聚纳科电子有限公司 | 无片外电容的低压差线性稳压源 |
US9395730B2 (en) * | 2013-06-27 | 2016-07-19 | Stmicroelectronics International N.V. | Voltage regulator |
US9229462B2 (en) * | 2013-06-27 | 2016-01-05 | Stmicroelectronics International N.V. | Capless on chip voltage regulator using adaptive bulk bias |
KR102188059B1 (ko) * | 2013-12-23 | 2020-12-07 | 삼성전자 주식회사 | Ldo 레귤레이터, 전원 관리 시스템 및 ldo 전압 제어 방법 |
US9983607B2 (en) * | 2014-11-04 | 2018-05-29 | Microchip Technology Incorporated | Capacitor-less low drop-out (LDO) regulator |
ITUB20151005A1 (it) * | 2015-05-27 | 2016-11-27 | St Microelectronics Srl | Regolatore di tensione con migliorate caratteristiche elettriche e corrispondente metodo di controllo |
US9552004B1 (en) * | 2015-07-26 | 2017-01-24 | Freescale Semiconductor, Inc. | Linear voltage regulator |
US9927828B2 (en) | 2015-08-31 | 2018-03-27 | Stmicroelectronics International N.V. | System and method for a linear voltage regulator |
KR102409919B1 (ko) | 2015-09-02 | 2022-06-16 | 삼성전자주식회사 | 레귤레이터 회로 및 이를 포함하는 전력 시스템 |
US10133287B2 (en) * | 2015-12-07 | 2018-11-20 | Macronix International Co., Ltd. | Semiconductor device having output compensation |
CN105468082B (zh) * | 2015-12-29 | 2017-05-10 | 天津大学 | 适用于电源管理的低静态电流和驱动大负载的ldo电路 |
CN105425888A (zh) * | 2015-12-29 | 2016-03-23 | 天津大学 | 适用于电源管理的q值调节的低输出电流ldo电路 |
KR102562313B1 (ko) | 2016-02-19 | 2023-08-01 | 삼성전자주식회사 | 디스플레이 드라이버 ic와 이를 포함하는 디스플레이 시스템 |
US9893618B2 (en) * | 2016-05-04 | 2018-02-13 | Infineon Technologies Ag | Voltage regulator with fast feedback |
US10534385B2 (en) * | 2016-12-19 | 2020-01-14 | Qorvo Us, Inc. | Voltage regulator with fast transient response |
CN109634344A (zh) * | 2017-03-08 | 2019-04-16 | 长江存储科技有限责任公司 | 一种高带宽低压差线性稳压器 |
CN107124143B (zh) * | 2017-03-30 | 2020-08-25 | 江苏理工学院 | 双向高电压输出线性放大电路 |
JP6740169B2 (ja) * | 2017-04-25 | 2020-08-12 | 株式会社東芝 | 電源装置 |
CN106886242B (zh) * | 2017-04-26 | 2018-01-19 | 电子科技大学 | 一种低压差线性稳压电路 |
CN107168432B (zh) * | 2017-05-31 | 2019-06-25 | 成都锐成芯微科技股份有限公司 | 低功耗电源供电电路 |
CN107168453B (zh) * | 2017-07-03 | 2018-07-13 | 电子科技大学 | 一种基于纹波预放大的全集成低压差线性稳压器 |
US10382030B2 (en) * | 2017-07-12 | 2019-08-13 | Texas Instruments Incorporated | Apparatus having process, voltage and temperature-independent line transient management |
US11009901B2 (en) * | 2017-11-15 | 2021-05-18 | Qualcomm Incorporated | Methods and apparatus for voltage regulation using output sense current |
KR102543063B1 (ko) * | 2017-11-28 | 2023-06-14 | 삼성전자주식회사 | 외장 커패시터를 사용하지 않는 전압 레귤레이터 및 이를 포함하는 반도체 장치 |
CN112166547B (zh) | 2018-01-05 | 2021-11-16 | 阿特拉佐有限公司 | 功率管理*** |
US10614184B2 (en) | 2018-01-08 | 2020-04-07 | Atlazo, Inc. | Semiconductor process and performance sensor |
US10635130B2 (en) | 2018-02-01 | 2020-04-28 | Atlazo, Inc. | Process, voltage and temperature tolerant clock generator |
US10571945B2 (en) * | 2018-02-21 | 2020-02-25 | Atlazo, Inc. | Low power regulator circuits, systems and methods regarding the same |
US10700604B2 (en) | 2018-03-07 | 2020-06-30 | Atlazo, Inc. | High performance switch devices and methods for operating the same |
JP7042658B2 (ja) * | 2018-03-15 | 2022-03-28 | エイブリック株式会社 | ボルテージレギュレータ |
US11522363B2 (en) * | 2018-09-03 | 2022-12-06 | Stmicroelectronics S.R.L. | Supply protection circuit that protects power transistor from a supply signal of an incorrect polarity |
CN109782838A (zh) * | 2018-12-15 | 2019-05-21 | 华南理工大学 | 一种基于反相器的快速瞬态响应ldo稳压器电路 |
CN110320956B (zh) * | 2019-08-02 | 2021-01-05 | 深圳贝特莱电子科技股份有限公司 | 一种芯片内无片外电容的ldo调节电路 |
KR20220168257A (ko) | 2021-06-16 | 2022-12-23 | 삼성전자주식회사 | 전압 레귤레이터 및 이를 포함하는 반도체 메모리 장치 |
Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5563501A (en) * | 1995-01-20 | 1996-10-08 | Linfinity Microelectronics | Low voltage dropout circuit with compensating capacitance circuitry |
Family Cites Families (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6130569A (en) | 1997-03-31 | 2000-10-10 | Texas Instruments Incorporated | Method and apparatus for a controlled transition rate driver |
US6246221B1 (en) | 2000-09-20 | 2001-06-12 | Texas Instruments Incorporated | PMOS low drop-out voltage regulator using non-inverting variable gain stage |
US6600299B2 (en) | 2001-12-19 | 2003-07-29 | Texas Instruments Incorporated | Miller compensated NMOS low drop-out voltage regulator using variable gain stage |
EP1378808B1 (en) * | 2002-07-05 | 2008-02-20 | Dialog Semiconductor GmbH | LDO regulator with wide output load range and fast internal loop |
US6977490B1 (en) | 2002-12-23 | 2005-12-20 | Marvell International Ltd. | Compensation for low drop out voltage regulator |
US7521909B2 (en) | 2006-04-14 | 2009-04-21 | Semiconductor Components Industries, L.L.C. | Linear regulator and method therefor |
TWI330308B (en) | 2006-12-13 | 2010-09-11 | System General Corp | Low dropout (ldo) regulator and regulating method thereof |
TWI332134B (en) | 2006-12-28 | 2010-10-21 | Ind Tech Res Inst | Adaptive pole and zero & pole zero cancellation control low drop-out voltage regulator |
US7710091B2 (en) | 2007-06-27 | 2010-05-04 | Sitronix Technology Corp. | Low dropout linear voltage regulator with an active resistance for frequency compensation to improve stability |
US8154263B1 (en) * | 2007-11-06 | 2012-04-10 | Marvell International Ltd. | Constant GM circuits and methods for regulating voltage |
CN101464699B (zh) | 2007-12-21 | 2011-06-01 | 辉芒微电子(深圳)有限公司 | 具有高电源抑制比的低压差线性稳压器 |
US8080983B2 (en) | 2008-11-03 | 2011-12-20 | Microchip Technology Incorporated | Low drop out (LDO) bypass voltage regulator |
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Patent Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5563501A (en) * | 1995-01-20 | 1996-10-08 | Linfinity Microelectronics | Low voltage dropout circuit with compensating capacitance circuitry |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2019071141A (ja) * | 2014-10-21 | 2019-05-09 | 邦男 中山 | 装置 |
JP2019518282A (ja) * | 2016-06-17 | 2019-06-27 | クアルコム,インコーポレイテッド | 高電源電圧変動除去比および短絡回路保護による低ドロップアウト補償 |
JP2019071143A (ja) * | 2019-02-12 | 2019-05-09 | 邦男 中山 | 装置 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
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