JP2013254952A

JP2013254952A - 多層配線基板

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Publication number: JP2013254952A
Application number: JP2013100152A
Authority: JP
Inventors: Masahiro Kato; 雅広加藤; Yasuyuki Koshikawa; 康之越川; Masaru Wada; 大和田
Original assignee: Hitachi Chemical Co Ltd
Current assignee: Showa Denko Materials Co Ltd
Priority date: 2012-05-10
Filing date: 2013-05-10
Publication date: 2013-12-19
Also published as: WO2013168761A1; KR20150008090A; US10085336B2; KR102043733B1; US20150136447A1; TWI587758B; TW201352094A

Abstract

【課題】高周波特性や電食性を維持しつつ、比較的安価で、しかも層構成の自由度が大きい多層配線基板を提供する。
【課題を解決するための手段】絶縁層の一方にグランドパターンを、他方にストリップラインを配置したコア材と、このコア材の前記ストリップライン上に配置したプリプレグと、このプリプレグ上に配置したグランドパターンとを備えるストリップ構造を有し、前記コア材が高周波対応基材により形成され、前記プリプレグが汎用基材により形成される多層配線基板。また、上記において、ストリップ構造のストリップラインの底面が、高周波対応基材側に位置する多層配線基板。また、上記の何れかにおいて、ストリップラインが、プリプレグ側に凸形状である多層配線基板。
【選択図】図１

Description

本発明は、多層配線基板に関し、特に高周波（１ＧＨｚ以上）に適用できる多層配線基板に関する。

従来の多層配線基板は、１ＧＨｚよりも低い動作周波数で用いられるものがほとんどだった。しかし、近年電子機器は、情報量の増大に伴い、システムの小型化と集積化による情報処理能力の向上、更には情報処理速度の高速化（動作周波数の高周波化）が進んでいる。このような動向に伴い、電子機器で使用される多層配線基板には、小型化、高密度配線、高多層化、及び高周波対応（低電送損失）が望まれている。

特に高周波対応に関しては、１ＧＨｚ以上（特には１〜３ＧＨｚ程度）の動作周波数での伝送損失が小さいことが要求されており、このような要求に応えるため、多層配線基板の絶縁層用の材料として、高周波対応基材を用いているが、コスト等の課題がある。

そこで、特許文献１には、最外層に高周波対応基材のコア材を用い、内層に汎用基材を用いることにより、比較的安価に高周波対応を行なった多層配線基板が開示されている。

特開平６−００５９９８号公報

しかし、一般に、高周波対応基材は、汎用基材に比べ、コスト高であるだけなく、電食性が劣る傾向がある。このため、特許文献１のように、高周波対応基材と汎用基材を用いる多層配線基板では、コストアップを抑制できても、電食性が悪化する問題がある。また、特許文献１のように、高周波信号ラインを最外層のみに設ける場合だけではなく、内層にも設ける必要がある場合もある。

本発明は、高周波特性や電食性を維持しつつ、比較的安価で、しかも層構成の自由度が大きい多層配線基板を提供することを目的とする。

即ち本発明は、以下の特徴を有する。
１．絶縁層の一方にグランドパターンを、他方にストリップラインを配置したコア材と、このコア材の前記ストリップライン上に配置したプリプレグと、このプリプレグ上に配置したグランドパターンとを備えるストリップ構造を有し、前記コア材の絶縁層が高周波対応基材により形成され、前記プリプレグが汎用基材により形成される多層配線基板。
２．項１において、ストリップ構造のストリップラインの底面が、高周波対応基材側に位置する多層配線基板。
３．項１又は２において、ストリップラインが、プリプレグ側に凸形状である多層配線基板。
４．項１から３の何れかにおいて、ストリップラインの底面の表面粗さが、表面よりも大きい多層配線基板。
５．項１から４の何れかにおいて、ストリップラインの底面とコア材の絶縁層との接触面積が、前記ストリップラインの表面とプリプレグとの接触面積と同等以上である多層配線基板。
６．項１から５の何れかにおいて、コア材とプリプレグとの厚みの比が、１：４〜５：１である多層配線基板。
７．項１から６の何れかにおいて、ストリップラインのライン幅と厚みの比が、１：１〜１５：１である多層配線基板。

本発明によれば、高周波特性や電食性を維持しつつ、比較的安価で、しかも層構成の自由度が大きい多層配線基板を提供することができる。

本発明の多層配線基板の実施形態の一例を示す断面の模式図である。本発明の多層配線基板の実施形態の一例の製造方法を示す断面模式図である。本発明の多層配線基板の実施形態の一例の製造方法を示す断面模式図である。本発明の多層配線基板の実施形態の一例の製造方法を示す断面模式図である。本発明の多層配線基板の実施形態の他の例を示す断面の模式図である。比較例１の多層配線基板を示す断面の模式図である。比較例２の多層配線基板を示す断面の模式図である。

本発明の多層配線基板の実施形態の一例を図１に示す。本実施の形態の多層配線基板１は、絶縁層９の一方にグランドパターン２を、他方にストリップライン３を配置したコア材４と、このコア材４の前記ストリップライン３上に配置したプリプレグ５と、このプリプレグ上に配置したグランドパターン２とを備えるストリップ構造６を有し、前記コア材４の絶縁層９が高周波対応基材により形成され、前記プリプレグ５が汎用基材により形成される。

本実施の形態の多層配線基板は、高周波特性、低価格、電食性が要求される分野全般に用いることが可能であるが、特には、ＣＩＳ（ＣＭＯＳＩｍａｇｅＳｅｎｓｏｒ、ＣＭＯＳ：ＣｏｍｐｌｅｍｅｎｔａｒｙＭｅｔａｌ−ＯｘｉｄｅＳｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ）用ＰＲＢ（ＰｒｏｂｅＣａｒｄ：半導体検査冶具用の探針付き基板）、電子部品検査用のソケットボード等に用いられるとより効果を発揮するので好ましい。高周波とは、動作周波数が１ＧＨｚ以上、限定されないが、特には１〜３ＧＨｚ程度であることをいい、また、低周波とは、動作周波数が１ＧＨｚ未満であることをいう。また、高周波特性とは、１ＧＨｚ以上の動作周波数での伝送損失が低くなる特性のことをいい、限定されないが、特には１ＧＨｚ〜３ＧＨｚ程度の動作周波数での伝送損失が低くなる特性をいう。したがって、高周波特性が向上するとは、高周波での伝送損失が低下することをいう。

ストリップ構造とは、ストリップラインを、絶縁層を介して、グランドパターンで両面から挟んだ配線構造をいう。図１に示すように、本発明のストリップ構造６は、絶縁層９の表裏の一方にグランドパターン２を、他方にストリップライン３を配置し、ストリップライン３上にプリプレグ５を介して配置したグランドパターン２とを備える。なお、本実施形態では、図１に示すように、最も下方に位置するストリップ構造６のグランドパターン２の下には、絶縁層９を介して、導体パターンとして低周波信号ライン７が配置されており、マイクロストリップ構造１６を構成している。このマイクロストリップ構造１６の導体パターンとしては、低周波信号ライン７の替わりに、ストリップライン３又は高周波信号ライン３を配置してもよい。ここで、マイクロストリップ構造１６とは、ストリップライン３（図１においては、低周波信号ライン７）の片面のみに、絶縁層９を介して、グランドパターン２を配置した配線構造をいう。また、本実施形態では、図１に示すように、最も上方に位置するストリップ構造６のグランドパターン２の上には、絶縁層５であるプリプレグ５を介して、最外層の導体パターンとして低周波信号ライン７が配置されており、マイクロストリップ構造１６を構成している。この絶縁層５を形成するプリプレグ５として、高周波対応基材を用いれば、最外層の導体パターンとして、低周波信号ライン７の替わりに高周波信号ライン３を配置してもよい。したがって、内層だけでなく、最外層にも高周波信号ライン３を配置することができるので、層構成の自由度が拡大する。

コア材とは、絶縁層の両面に金属箔を張り合わせた金属箔張り積層板を出発材料として形成され、金属箔やめっき等をパターン形成することにより、絶縁層の一方にグランドパターンを、他方にストリップラインを形成したものをいう。コア材を形成する金属箔張り積層板の絶縁層には、高周波対応基材が用いられ、金属箔としては、絶縁層と接着するマット面の表面粗さを小さくしたもの等が用いられる。金属箔としては、一般的な多層配線基板の製造に用いられる銅箔、アルミニウム箔、ニッケル箔等を用いることができるが、入手や加工のし易さの点で、銅箔が好ましい。また、同様の理由で、金属箔張り積層板としては、銅箔張り積層板が好ましい。

基材とは、絶縁層を形成するための材料のことをいい、補強材に絶縁樹脂を含浸させ硬化させたものや補強材を有さない絶縁樹脂を硬化させたものが挙げられる。また、本発明において、高周波対応基材とは、比誘電率が４．００未満であって、誘電正接が０．０１００未満の基材をいうが、入手し易い点で、非誘電率が３．３０〜３．９０であって、誘電正接が０．００２０〜０．００７０の基材が望ましく、高周波特性がより優れる点で、非誘電率が３．３０〜３．５０であって、誘電正接が０．００２０〜０．００３０の基材がより望ましい。ここで、比誘電率及び誘電正接の値は、何れもトリプレートストリップライン共振器法（ＩＰＣ−ＴＭ−６５０２．５．５．５）により測定した１ＧＨｚでの値であり、以下、同様である。高周波対応基材としては、補強材であるガラス繊維に絶縁樹脂を含浸させ半硬化させたＧＦＡ−２、ＨＥ６７９Ｇ、ＦＸ−２、ＦＸ−３、ＬＸ−６７Ｙ、ＬＺ−７１Ｇ（何れも日立化成株式会社製、商品名）、ＭＥＧＴＲＯＮ４、ＭＥＧＴＲＯＮ６（何れもパナソニック株式会社製、商品名、「ＭＥＧＴＲＯＮ」は登録商標。）、Ｎ４０００−１３、Ｎ４０００−１３ＳＩ（何れもＰＡＲＫＥＬＥＣＴＲＯＣＨＥＭＩＣＡＬ社製、商品名）等を用いることができる。また、この高周波対応基材と金属箔とを用いた金属箔張り積層板としては、ＭＣＬ−ＦＸ−２、ＭＣＬ−ＬＸ−６７Ｙ、ＭＣＬ−ＬＺ−７１Ｇ（何れも日立化成株式会社製、商品名、「ＭＣＬ」は登録商標。）、ＭＥＧＴＲＯＮ４、ＭＥＧＴＲＯＮ６（何れもパナソニック株式会社製、商品名）、Ｎ４０００−１３、Ｎ４０００−１３ＳＩ（何れもＰＡＲＫＥＬＥＣＴＲＯＣＨＥＭＩＣＡＬ社製、商品名）等を用いることができる。グランドパターンやストリップラインのパターン形成は、サブトラクト法等により行なうことができる。

プリプレグとは、補強材に絶縁樹脂を含浸させ、半硬化状態としたシート状のもの、又はこの半硬化状態のシート状のものを用いて、加熱加圧による積層一体化等により硬化形成した絶縁層をいう。本実施の形態で用いるプリプレグは、高周波対応基材に比べて安価な汎用基材により主に形成される。汎用基材とは、硬化後の比誘電率が４．２０以上であって、誘電正接が０．０１３０以上となる基材をいう。汎用基材の補強材としては、紙又はガラス繊維やアラミド繊維等を用いた織布や不織布を用いることができる。また、絶縁樹脂としては、エポキシ樹脂、ポリイミド樹脂、フェノール樹脂等の熱硬化樹脂を用いることができる。このような汎用基材としては、例えば、エポキシ系としては、ＦＲ−４材（ＦｌａｍｅＲｅｔａｒｄａｎｔＴｙｐｅ４）、ＦＲ−５材（ＦｌａｍｅＲｅｔａｒｄａｎｔＴｙｐｅ５）が挙げられ、ポリイミド系としては、ＧＰＹ材が挙げられる。また、ガラスエポキシ多層材料（ＡＮＳＩＦＲ−４グレード品）として市販されるエポキシ系の汎用基材としては、ＧＥＡ−６７９、ＧＥＡ−６７、Ｅ−６７、Ｅ−６７９、Ｅ−６７９Ｆ、ＢＥ−６７Ｇ、Ｅ−７５Ｇ（何れも日立化成株式会社製、商品名）等が挙げられる。また、ポリイミド多層材料（ＡＮＳＩＧＰＹグレード品）として市販されるポリイミド系の汎用基材としては、Ｉ−６７１（日立化成株式会社製、商品名）等が挙げられる。

グランドパターンとは、ストリップラインを適性で安定した特性インピーダンス値を実現するようにし、また低ノイズ化する作用を有する導体パターンである。一般に、ベタ状のパターンに形成され、絶縁層を介して、ストリップラインを上下両側から挟むように配置される。本実施の形態においては、図１に示すように、グランドパターン２は、絶縁層５（又はプリプレグ５）及び絶縁層９（又は基材９）を介して、ストリップライン３を上下両側から挟むように配置される。

ストリップラインとは、高周波で動作する信号を伝える導体パターンであり、高周波信号ラインともいう。また、ストリップラインは、ストリップ構造において、グランドパターンに挟まれた絶縁層の内部に配置される。本実施の形態においては、図１に示すように、ストリップ構造６において、グランドパターン２に挟まれた絶縁層５（又はプリプレグ５）と絶縁層９（又は基材９）の間、つまり絶縁層の内部に配置される。

本実施の形態においては、上述したように、コア材が高周波対応基材により形成され、プリプレグが汎用基材により形成される。コア材を構成する金属箔は、マット面をコア材の絶縁層側に向けて積層されるため、金属箔やめっきをパターン形成して形成される断面が略四角形のストリップラインは、その底面、即ち金属箔のマット面が、コア材の絶縁層側に配置される。マット面とは、反対面となるシャイニー面よりも凹凸が大きい側の面をいう。このため、コア材が高周波対応基材により形成されることによって、より高周波特性に影響するストリップラインの底面、即ち凹凸が大きく、伝送路の長くなる面が、高周波対応基材であるコア材側に配置することになる。また、ストリップライン上に配置されるプリプレグが汎用基材により形成されることにより、高周波特性への影響が小さいストリップラインの表面側（金属箔のシャイニー面側）が高周波対応基材に比べて安価な汎用基材となる。なお、「表面」とは、コア材の絶縁層側に配置される底面に対向する側の面のことをいい、側面は含まない。さらに、汎用基材は、高周波対応基材に比べて、基材が薄くても、ストリップライン等の導体パターンに対する埋め込み性がよく、その結果、電食性も優れる。したがって、コア材が高周波対応基材により形成され、プリプレグが汎用基材により形成されることにより、高周波特性と電食性を維持し、かつコストを抑制可能な多層配線基板を提供することが可能になる。さらに、ストリップライン上には汎用基材のプリプレグを配置するので、高周波信号ラインを内層に設けることができる。したがって、多層配線基板としての層構成の自由度が拡大する。

本実施の形態においては、ストリップ構造のストリップラインの底面が、高周波対応基材側に位置する。ストリップラインの底面とは、ストリップラインの絶縁層側（コア材）の面のことをいう。コア材を構成する金属箔は、マット面を絶縁層側に向けて積層されるため、金属箔やめっきをパターン形成して形成されるストリップラインは、その底面、即ち金属箔のマット面が、コア材の絶縁層側に配置される。このため、より高周波特性に影響するストリップラインの底面、即ち凹凸（表面粗さ）が大きく、伝送路の長い面が、高周波対応基材であるコア材側に配置することになり、高周波特性が改善できる。

ストリップラインが、プリプレグ側に凸形状であるのが望ましい。これにより、コア材として高周波対応基材を用い、絶縁層の両面に積層された金属箔やめっきをサブトラクト法等によってパターン形成するだけで、高周波特性の優れたストリップラインを容易に形成できる。また、コア材の金属箔は、マット面を絶縁層側に向けて配置されるので、必然的に、ストリップラインの底面（金属箔のマット面）が、コア材の絶縁層側（高周波対応基材側）に位置するようになる。

ストリップラインの底面の表面粗さが、表面よりも大きいのが望ましい。これにより、ストリップラインの底面と高周波対応基材であるコア材の絶縁層との接触面積が、ストリップラインの表面と汎用基材であるプリプレグとの接触面積よりも大きくなるので、ストリップラインの高周波特性が、より高周波対応基材であるコア材の影響を受けるため、高周波特性が改善できる。なお、表面粗さとは、ＪＩＳＢ０６０１−１９９８で規定される十点平均粗さＲｚ等を用いて表される粗さである。コア材として高周波対応基材を用いた銅箔張り積層板の場合、一般に銅箔のマット面がコア材側に配置される。このため、銅箔を用いてパターン形成することにより、ストリップラインを形成した場合、ストリップラインの底面の表面粗さは、銅箔のマット面の表面粗さ（厚さ１２〜７０μｍの標準箔が、Ｒｚとして、６．５〜２３μｍ）であるのが一般的である。また、ストリップラインの表面の表面粗さは、銅箔のシャイニー面の表面粗さ（厚さ１２〜７０μｍの標準箔が、Ｒｚとして、１．０〜２．３μｍ）であるが、一般的には、プリプレグとの接着強度を増すために、酸化銅処理やエッチング等による表面粗化処理が施される。このため、ストリップラインの表面及び側面の表面粗さは、Ｒｚとして、２〜４μｍとなるのが一般的である。

ストリップラインの底面とコア材の絶縁層との接触面積が、ストリップラインの表面とプリプレグとの接触面積と同等以上であるのが望ましい。これにより、ストリップラインの高周波特性が、より高周波対応基材であるコア材の影響を受けるため、高周波特性が改善できる。

コア材とプリプレグとの厚みの比が、１：４〜５：１（１対４〜５対１）の間の何れかであるのが望ましい。多層配線基板においては、金属箔を除いたコア材の厚みが０．０６〜０．３ｍｍ、金属箔やめっきをパターン形成して形成したストリップラインの厚みが３〜３０μｍであることが多いため、積層一体化等により硬化形成した後のプリプレグの厚みが０．０６〜０．２４ｍｍであると、プリプレグによるストリップラインの埋め込みが十分となり、電食性を確保可能になる。

ストリップラインのライン幅と厚みの比が、１：１〜１５：１（１対１〜１５対１）の間の何れかであるのが望ましい。多層配線基板においては、プリプレグによる埋め込み性を考慮すると、ストリップラインの厚みが３〜３０μｍであることが多いため、幅が３０〜５００μｍであると、サブトラクト法等によるパターン形成が容易となる。これにより、ストリップラインの断面形状が、正方形よりも縦長となることがないので、プリプレグによるストリップラインの埋め込みが十分となり、電食性を確保可能になる。

次に、本発明の多層配線基板の実施形態の一例の製造方法を説明する。まず、図２（ａ）に示すように、絶縁層である高周波対応基材９の両面に金属箔８を積層した金属箔張り積層板１０を準備し、次に、図２（ｂ）に示すように、この金属箔張り積層板１０の金属箔８をパターン形成して、絶縁層９の一方にグランドパターン２を、他方にストリップライン３又は低周波信号ライン７を形成し、コア材４を作製する。コア材４には必要に応じてスルーホール（図示しない。）による層間接続を形成してもよく、その場合は、スルーホール内及び表面の金属箔８上にめっきが形成されるので、パターン形成はめっきと金属箔８に対して行なうことになる。

次に、図３に示すように、絶縁層が高周波対応基材９により形成されたコア材４を両側から挟むように、コア材４と汎用基材により形成されたプリプレグ５とを交互に配置し、プリプレグ５の外側には、銅箔８を配置する。このとき、銅箔８の替わりに、他のコア材４や多層配線基板１を配置してもよい。このように各部材を配置した後、加熱加圧プレス等により一体成形し、図４に示す積層体１１を得る。必要に応じて、貫通孔によるスルーホールや非貫通孔によるバイアホールによる層間接続を形成してもよく、その場合は、スルーホールやバイアホール内及び表面の金属箔８上にめっき（図示しない。）が形成される。また、必要に応じて、金属箔８やめっきに対して、サブトラクト法等によりパターン形成を行なう。さらに、必要に応じて、ソルダーレジスト、シンボルマーク、保護めっき（ニッケル−金めっき等）を形成する。

本発明の多層配線基板の実施形態の他の例を図５に示す。本実施の形態の多層配線基板１は、絶縁層９の一方にグランドパターン２を、他方にストリップライン３を配置したコア材４と、このコア材４の前記ストリップライン３上に配置したプリプレグ５と、このプリプレグ上に配置したグランドパターン２とを備えるストリップ構造６を有し、前記コア材４の絶縁層９が高周波対応基材により形成され、前記プリプレグ５が汎用基材により形成される。また、多層配線基板１を貫通する貫通孔１２内にスルーホールめっき１３が形成されることによりスルーホール１４が形成される。最外層には、スルーホール１４と接続するスルーホールランド１５及びこのスルーホールランド１５と接続するように、低周波信号ライン７やフットプリント７が配置される。内層にはストリップライン３や高周波信号ライン３、低周波信号ライン７が配置され、スルーホールランド１５とスルーホールめっき１３が接続することにより、スルーホール１４と電気的に接続される。なお、本実施形態においては、最も下方に位置するストリップ構造６のグランドパターン２の下には、絶縁層９を介して、導体パターンとして低周波信号ライン７が配置されており、マイクロストリップ構造１６を構成している。このマイクロストリップ構造１６の導体パターンとしては、低周波信号ライン７の替わりに、ストリップライン３又は高周波信号ライン３を配置してもよい。また、本実施形態では、図１に示すように、最も上方に位置するストリップ構造６のグランドパターン２の上には、絶縁層５であるプリプレグ５を介して、最外層の導体パターンとして低周波信号ライン７が配置されており、マイクロストリップ構造１６を構成している。この絶縁層５を形成するプリプレグ５として、高周波対応基材を用いれば、最外層の導体パターンとして、低周波信号ライン７の替わりに高周波信号ライン３を配置してもよい。したがって、内層だけでなく、最外層にも高周波信号ライン３を配置することができるので、層構成の自由度が拡大する。

このように、最外層には低周波信号ライン７を配置し、内層にはストリップライン３や高周波信号ライン３を配置することにより、インピーダンス制御が容易となり、より高周波特性の維持が容易となる。つまり、多層配線基板１を貫通するスルーホール１４を形成すると、最外層では銅箔８上にスルーホールめっき１３が形成されるので、エッチング等によりパターン形成する際の導体の厚みが、銅箔８のみの場合に比べて、厚いだけでなく、ばらつきも大きい。このため、インピーダンス制御にとって影響の大きいライン幅の精度が低下する傾向がある。一方、内層では、銅箔のみに対してパターン形成すればよいため、最外層に比べて導体の厚みが薄く、しかも厚みの精度がよい。このため、インピーダンス制御にとって重要なライン幅の精度を高めることができる。したがって、より高周波特性の維持が容易となる。

以下、実施例を挙げて本発明をより具体的に説明するが、本発明は以下の実施例に限定されるものではない。

図２（ａ）に示すように、高周波対応基材を用いた両面銅箔張り積層板１０として、ＭＣＬ−ＦＸ−２（日立化成株式会社製、商品名、板厚０．１ｍｍ、「ＭＣＬ」は登録商標。）を準備した。この両面銅箔張り積層板１０は、銅箔として、厚さ１８μｍの一般銅箔（マット面の表面粗さがＲｚとして７〜１１μｍ、シャイニー面がＲｚとして１．０〜２．３μｍ）を用いており、銅箔のマット面を絶縁層側に向けて積層されている。次に、図２（ｂ）に示すように、この両面銅箔張り積層板１０の銅箔（厚さ１８μｍ）を、サブトラクティブ法を用いてパターン形成し、一方の面にグランドパターン２を、他方の面にストリップライン３となる高周波信号ライン（ライン幅１００μｍ、ライン長１２５ｍｍ）及び電食性評価用の櫛形パターン（ライン幅９０μｍ、ライン間隙９０μｍ、図示しない。）を形成することでコア材４を作製した。次に、このコア材４のグランドパターン２、ストリップライン３及び電食性評価用の櫛形パターンの各パターンの表面（銅箔のシャイニー面）に、プリプレグとの接着強度を増すための粗化処理を行った。粗化処理は、ＭＢ１００（マクダーミッド社製、商品名）を用いて、エッチング量２μｍの条件で処理を行った。このときのストリップライン３を含むパターンの表面粗さは、Ｒｚとして、２〜４μｍであった。

次に、図３に示すように、汎用基材のプリプレグ５として、ＧＥＡ−６７９（日立化成株式会社製、商品名、厚み０．０６ｍｍ）を準備し、３枚の各コア材４の両側を挟むように、コア材４を１枚とプリプレグ５を１枚とを交互に配置し、さらに多層配線基板の最外層となる導体パターン形成用の銅箔８（厚さ１８μｍ）を配置する。その後、１９０℃、２時間で、加熱・加圧プレスにより一体成形し、図４に示す積層体１１を得た。

次に、図４の積層体１１に対して、図５に示すように、内層に配置されたコア材４のストリップライン３や櫛形パターン（図示しない。）と電気的に接続するように、スルーホール用の貫通孔１２を設け、その後、この貫通孔１２と銅箔８上にスルーホールめっき１３（厚さ３０μｍの電気銅めっき）を行なって、スルーホール１４を形成した。その後、銅箔８と銅めっき（スルーホールめっき１３）を備える導体を、サブトラクティブ法を用いてパターン形成し、図１及び図５に示すように、最外層に、高周波特性や電食性を測定するためのフットプリント７及びスルーホールランド１５を形成した多層配線基板１を得た。

（比較例１）
図６に示すように、基材９として汎用基材を用いた両面銅箔張り積層板１０として、ＭＣＬ−Ｅ６７９（日立化成株式会社製、商品名、板厚０．１ｍｍ、「ＭＣＬ」は登録商標。）を準備し、実施例と同様にして、コア材４を作製した。次に、高周波対応基材のプリプレグ５として、ＧＦＡ−２（日立化成株式会社製、商品名、厚み０．０６ｍｍ）を準備し、実施例と同様に、３枚の各コア材４の両側を挟むように、コア材４を１枚とプリプレグ５を１枚とを交互に配置し、さらに多層配線基板１の最外層となる導体パターン形成用の銅箔（厚さ１８μｍ）を配置し、実施例と同様にして、加熱・加圧プレスにより一体成形し、積層体（図示しない。）を得た。その後、実施例と同様にして、図６の多層配線基板１を得た。

（比較例２）
図７に示すように、基材９として高周波対応基材を用いた両面銅箔張り積層板１０として、ＭＣＬ−ＦＸ−２（日立化成株式会社製、商品名、板厚０．１ｍｍ、「ＭＣＬ」は登録商標。）を準備し、実施例と同様にして、コア材４を準備した。次に、高周波対応基材のプリプレグ５として、ＧＦＡ−２（日立化成株式会社製、商品名、厚み０．０６ｍｍ）を準備し、実施例と同様に、３枚の各コア材４の両側を挟むように、コア材４を１枚とプリプレグ５を１枚とを交互に配置し、さらに多層配線基板１の最外層となる導体パターン形成用の銅箔（厚さ１８μｍ）を配置し、実施例と同様にして、加熱・加圧プレスにより一体成形し、積層体（図示しない。）を得た。その後、実施例と同様にして、図７の多層配線基板１を得た。

実施例及び比較例１、２の多層配線基板のストリップラインに対して、ＮｅｔｗｏｒｋＡｎａｌｙｚｅｒ（ＡｇｉｌｅｎｔＴｅｃｈｎｏｌｏｇｉｅｓ製、商品名）を用い、各コア材のストリップラインの伝送損失を求めた。

さらに、実施例及び比較例１、２の多層配線基板の櫛形パターン（電食性評価パターン）に対して、温度８５℃、相対湿度８５％の恒温恒湿槽内にて、１００Ｖの直流電圧を印加し、５００時間後の絶縁抵抗を測定することで、電食性を評価した。

表１に、実施例及び比較例１、２の多層配線基板のストリップラインについて、１〜３ＧＨｚの周波数（Ｆｒｅｑｕｅｎｃｙ）での伝送損失を測定した結果を示す。実施例のストリップラインの伝送損失（Ｔｒａｎｓｍｉｓｓｏｎｌｏｓｓ）は、比較例１のストリップラインに比べて伝送損失が低く、良好な高周波特性を示した。また、実施例のストリップラインの伝送損失は、比較例２のストリップラインに比べて伝送損失は若干劣る程度であり、一方、実施例の多層配線基板の製造コストは、比較例２に比べて大幅に低減できており、コストパフォーマンスが優れる結果を得た。

表２に、実施例及び比較例１、２の多層配線基板の電食性評価パターンに対して、温度８５℃、相対湿度８５％の恒温恒湿槽内にて、直流１００Ｖの電圧を印加し、５００時間後の絶縁抵抗を測定した結果を示す。なお、絶縁抵抗測定は、ＵｌｔｒａＭｅｇｏｈｍｍｅｔｅｒＳＭ−８２２０（東亜ディーケーケー株式会社製、商品名）を用い、印加電圧１００Ｖ、印加時間６０秒とした。また、実施例、比較例１、２の何れも、測定した電食性評価パターンのＮ数は５であり、最大、最小、平均を示した。この結果、実施例における５００時間処理後の絶縁抵抗の変化率（低下率）は、比較例１、２よりも顕著に小さく、劣化が少ない傾向が示された。

１．多層配線基板
２．グランドパターン
３．ストリップライン又は高周波信号ライン
４．コア材
５．プリプレグ又は絶縁層
６．ストリップ構造
７．（低周波）信号ライン又はフットプリント
８．金属箔又は銅箔
９．基材又は絶縁層
１０．（両面）金属箔張り積層板又は（両面）銅箔張り積層板
１１．積層体
１２．（スルーホール用の）貫通孔
１３．スルーホールめっき
１４．スルーホール
１５．スルーホールランド
１６．マイクロストリップ構造

Claims

絶縁層の一方にグランドパターンを、他方にストリップラインを配置したコア材と、このコア材の前記ストリップライン上に配置したプリプレグと、このプリプレグ上に配置したグランドパターンとを備えるストリップ構造を有し、前記コア材の絶縁層が高周波対応基材により形成され、前記プリプレグが汎用基材により形成される多層配線基板。
請求項１において、ストリップ構造のストリップラインの底面が、高周波対応基材側に位置する多層配線基板。
請求項１又は２において、ストリップラインが、プリプレグ側に凸形状である多層配線基板。
請求項１から３の何れかにおいて、ストリップラインの底面の表面粗さが、表面よりも大きい多層配線基板。
請求項１から４の何れかにおいて、ストリップラインの底面とコア材の絶縁層との接触面積が、前記ストリップラインの表面とプリプレグとの接触面積と同等以上である多層配線基板。
請求項１から５の何れかにおいて、コア材とプリプレグとの厚みの比が、１：４〜５：１である多層配線基板。
請求項１から６の何れかにおいて、ストリップラインのライン幅と厚みの比が、１：１〜１５：１である多層配線基板。