JP2013254807A - 半導体装置の製造装置および半導体装置の製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】半導体装置の超薄化に伴い環状補強部付ウエハが使用されているが、ウエハに形成されている複数の半導体チップを分割する前に環状補強部を除去して円板状ウエハとする際、発塵を少なくし、かつ工程を減少させた半導体装置の製造装置を提供する。
【解決手段】減圧下のチャンバ６に配置されたチャック兼ダイ５上に円筒状パンチ３および支持用粘着テープ１が設けられたリングフレーム２を設け、チャック兼ダイ５に配置された環状補強部付ウエハ４の環状補強部４ｂを円筒状パンチ３によって剪断加工して除去して、円板状ウエハ４ａとし、この円板状ウエハ４ａに支持用粘着テープ１を貼り付けてリングフレーム２に保持可能とした後、チャンバ６から次工程に搬送する。
【選択図】図１

Description

この発明は、半導体装置の製造装置およびその製造装置を用いた半導体装置の製造方法に関するものであり、特に半導体チップ等のデバイスが形成された領域の外周部に肉厚の環状補強部が形成されているウエハの前記環状補強部を除去し、次の工程に搬送することが可能な製造装置および半導体装置の製造方法に係るものである。

半導体装置の製造において、ロジックやメモリデバイス等の半導体装置では三次元実装等により、パッケージが高密度化されており、プロセス完了時点でのウエハ厚さを薄くする要求が高まっている。またＩＧＢＴ等のパワーデバイスにおいても、通電特性を改善するために薄ウエハ化が要求されている。
このような要求に対して、従来より半導体チップ等のデバイスが形成されている面に保護テープを貼り付け、表面保護と強度を確保した上でバックグラインドやポリッシュ・エッチングにより薄くすることで製造を行っていた。
しかしながら、最近要求されている数十μｍまで極薄化されたウエハは、上記方法で製造すると、反りや局所的な応力による割れや欠けが発生するため、バックグラインド処理にて円形ウエハ中央部のみを研削し、外周部に肉厚の環状補強部を形成して、ウエハ剛性をもたせることが行われている。この肉厚の環状補強部を有するウエハは、製造途上のハンドリングによる破損は発生しにくいが、ウエハから個々の半導体チップを分割する際には、環状補強部の除去を行う必要がある。

前記環状補強部を除去する方法として、例えば特許文献１に開示されたウエハの処理装置は、ウエハの凹部すなわち裏面側を上に向けて、ダイシングテープ貼着部のチャックテーブル上にウエハを載置し、チャックテーブルを研削位置に移動後、ウエハをチャックテーブルごとに回転させ、研削ユニットのカップホイールを高速回転させながら砥石を押圧して環状凸部を削り取って除去後、洗浄水シャワーノズルからウエハに洗浄水を噴射して研削屑等をウエハから洗い流して洗浄し、次いでエアーノズルから高圧エアーを噴射してウエハに付着する水分を除去する。
次に前記ダイシングテープ貼着部のダイシングフレームに装置されたダイシングテープの直下にウエハが移動し、次に押し付けローラが搬送クランプを介し、ダイシングテープを押圧することでダイシングテープがウエハの裏面に押し付けられ貼着される。このことにより薄くなって搬送しにくいウエハを、損傷させることなく搬送することができ、最終的にはダイシングテープが貼着されたままのウエハは分割予定ラインに沿って切断され、複数の半導体に個片化されることが示されている。

特許第４８０６２８２号公報

しかしながら、上記特許文献１に示されたものは、次のような問題点がある。
（１）研削位置にて、研削ユニットのカップホイールを高速回転させて環状凸部を削り取ることによる、半導体チップに悪影響を及ぼす研削屑が大量に発生する。
（２）上記研削屑を除去するために洗浄水の噴射および付着した水分を除去する高圧エアーの噴射と、それらの工程のための装置を具備する必要があるとともに、工程数が増加する。
（３）環状凸部を削り取った後、ダイシングテープ貼着部への搬送工程を必要とし、装置の複雑化、工程数の増加がある。

この発明は上記のような課題を解決するためになされたものであって、半導体チップに悪影響を及ぼす研削屑を発生させることなくウエハから環状補強部を除去することで、洗浄水の噴射や高圧エアーの噴射工程をなくし、また環状補強部を除去した後のリングフレームにウエハを固定する工程を、上記環状補強部除去を行うチャンバ内にて行うことによる搬送工程数を減少した半導体装置の製造装置および半導体装置の製造方法を提供することを目的としている。

第１の発明に係る半導体装置の製造装置は、大気圧以下に減圧された雰囲気を保持するチャンバと、該チャンバ内に配置されたチャック兼ダイと、該チャック兼ダイ上にチャンバの外部より搬送された円筒状パンチおよびリングフレームとが設けられており、搬送手段によってチャンバの外部より搬送される複数の半導体チップが形成された環状補強部付ウエハが、チャック兼ダイに環状補強部を上側とするよう保持されるとともに、円筒状パンチが下降することによって環状補強部が剪断加工で除去され環状補強部付ウエハを円板状ウエハとし、リングフレームに設けられた支持用粘着テープが押圧されて円板状ウエハに貼り付けられることによりリングフレームに支持される円板状ウエハと、円筒状パンチならびに除去された環状補強部とが、チャンバの外部に搬送されるものである。

第２の発明に係る半導体装置の製造方法は、第１の発明による半導体装置の製造装置を用いて、次のステップＳＴ１〜ＳＴ６を有するものである。
ＳＴ１．少なくとも大気圧以下に減圧された雰囲気を保持するチャンバ内に配置されたチャック兼ダイ上に、複数の半導体チップが形成された環状補強部付ウエハが、環状補強部を上向きとなるように保持されるステップ。
ＳＴ２．円筒状パンチがチャンバの外部より搬送されるとともに、環状補強部の内側に接するよう設置されるステップ。
ＳＴ３．円筒状パンチに下向きの荷重が印加されて環状補強部が剪断加工によって除去され、環状補強部付ウエハが円板状ウエハとされるステップ。
ＳＴ４．支持用粘着テープが設けられたリングフレームが搬送されるとともに、円板状ウエハ上に配置されるステップ。
ＳＴ５．チャンバに設けられているローラによって、支持用粘着テープが押圧されて円板状ウエハに貼り付けられ、リングフレームによって保持可能とされるステップ。
ＳＴ６．リングフレームに保持された円板状ウエハがチャンバの外部に搬送されるとともに、円筒状パンチおよび除去された環状補強部もチャンバの外部に搬送されるステップ。

第３の発明に係る半導体装置の製造方法は、次のステップＳＴ１〜ＳＴ８を有するものである。
ＳＴ１．第１のチャンバ内に配置されたチャック上に複数の半導体チップが形成された環状補強部付ウエハが環状補強部を上向きとなるよう保持されるステップ。
ＳＴ２．円筒状パンチが第１のチャンバの外部より搬送されるとともに、環状補強部の内側に接するよう設置されるステップ。
ＳＴ３．支持用粘着テープが設けられたリングフレームが搬送されるとともに、円筒状パンチ上に配置されるステップ。
ＳＴ４．チャンバ内が真空排気されることによって、支持用粘着テープが環状補強部付ウエハに貼り付けられてリングフレームによって環状補強部付ウエハとともに円筒状パンチが保持可能とされるステップ。
ＳＴ５．リングフレームによって保持された円筒状パンチおよび環状補強部付ウエハが第１のチャンバの外部に搬送されるとともに、ダイが配置され少なくとも大気圧以下に減圧された雰囲気を保持する第２のチャンバ内に移送され、ダイ上に配置されるステップ。
ＳＴ６．第２のチャンバに設けられているローラによって支持用粘着テープが押圧され、円筒状パンチに下向きの荷重を印加されて環状補強部が剪断加工によって除去され、環状補強部付ウエハが円板状ウエハとされるとともに、円筒状パンチが支持用粘着テープから離脱するステップ。
ＳＴ７．支持用粘着テープが加熱され、円板状ウエハとの貼り付け性が補正されるステップ。
ＳＴ８．リングフレームに保持された円板状ウエハが第２のチャンバの外部に搬送されるとともに、円筒状パンチおよび除去された環状補強部も第２のチャンバの外部に搬送されるステップ。

第１の発明に係る半導体装置の製造装置は、上記のような構成を採用しているので、環状補強部が剪断加工によって除去され、従来のような研削による研削屑の発生がない。また減圧されたチャンバ内で支持用粘着テープが円板状ウエハに貼り付けられるので、円板状ウエハと支持用粘着テープの間に残留する気泡の発生を防止でき、リングフレームを介する円板状ウエハの支持が確実化され、かつ支持力が向上する。
また環状補強部の除去と円板状ウエハに支持用粘着テープの貼着が同一チャンバ内に行うことができ、製造装置の簡素化、搬送手段の省略化、ひいては製造装置の小型化、低コスト化が可能となる。

第２の発明に係る半導体装置の製造方法は、上記第１の発明に係る半導体装置の製造装置を用いて上記のようなステップを有しているので、上記効果に加えて、洗浄水による洗浄、エアブロー等の工程の省略化した製造方法となるとともに半導体装置の品質がより向上し、かつ半導体装置をより短時間で製造可能となり、製造コストの低減化が行える。

第３の発明に係る半導体装置の製造方法は、環状補強部を除去する際の発塵をより低下させる必要性がありかつ先行技術文献で示したような既存の製造装置の全面的な更新を行うコストを低減するためことを目的として既存製造装置を一部分改造して用いる場合に有効であり、環状補強部除去時の発塵防止や支持用粘着テープ貼付時の異物混入を防止でき、かつ洗浄水による洗浄やエアプロ-等の工程を省略し、品質の向上、製造コストの低減化が図れる。

実施の形態１による製造装置の概略断面図である。 実施の形態１による環状補強部を除去した状態を示す図である。 実施の形態１による円板状ウエハ上にリングフレームを配置した図である。 実施の形態１による円板状ウエハに支持用粘着テープを貼り付けた状態を示す図である。 実施の形態１によるリングフレームで円板状ウエハを支持した状態を示す図である。 実施の形態２による製造装置の概略断面図である。 実施の形態２による円筒状パンチを示す図である。 実施の形態３による製造方法を示す図である。 実施の形態３による製造方法を示す図である。 実施の形態３による製造方法を示す図である。 実施の形態３によるガイド付パンチを示す図である。 実施の形態３によるガイド付パンチを用いた製造方法を示す図である。

実施の形態１．
以下、この発明を実施するための形態について、図面を参照して説明する。図１〜図５は、実施の形態１における半導体装置の製造装置５０を説明する概略断面図および製造方法を示す図である。
図１において、環状補強部４ｂと凹部４ｃを有する環状補強部付ウエハ４は、図示省略した複数の半導体チップが形成されている裏面４ｄを上向きとし、表面４ｅがチャック兼ダイ５上に、すなわち環状補強部４ｂを上側とするよう保持されている。
上記凹部４ｃは、半導体装置の極薄化のために前工程でバックグラインド処理にて研削されたものであり、この結果によって環状補強部４ｂが形成されている。チャック兼ダイ５は環状補強部付ウエハ４がチャック兼ダイ５上で移動しないよう保持するための機能を有し、図示省略した静電チャックや局所的な真空吸着の可能な真空ボーラスチャックを備えていることによりその機能を発揮している。尚、表面４ｅとチャック兼ダイ５の間には必要性のある場合、適宜傷防止用のシートが設けられている。チャック兼ダイ５はさらに環状補強部付ウエハ４から環状補強部４ｂを除去するためのプレス加工のダイとしての機能も備えている。
円筒状パンチ３はチャック兼ダイ５の上部であって、かつ環状補強部付ウエハ４の環状補強部４ｂに接するようセンタリング配置され、図１に示すように円筒状パンチ３が下降した状態でウエハエッジ部４ｆの外周部を剪断加工する。この円筒状パンチ３は工具鋼などが用いられてもよいが、汚染を防止する観点からセラミックス材や硬質プラスチック材を用いてもよい。
尚、円筒状パンチ３、環状補強部付ウエハ４、チャック兼ダイ５および後述する支持用粘着テープ１が設けられたリングフレーム２は、図１で模式的に示した真空もしくは減圧可能なチャンバ６内に設置されているものであり、真空引きまたは減圧のための諸構成部材や、上記円筒状パンチ３、環状補強部付ウエハ４、チャック兼ダイ５等を搬送するための自動搬送手段等の図示も省略している。
以上のようにこの実施の形態１による半導体装置の製造装置５０は、後述する円板状ウエハ４ａを支持搬送するための支持用粘着テープ１が設けられたリングフレーム２と、円筒状パンチ３、チャック兼ダイ５、およびチャンバ６とで構成されており、この製造装置５０によって環状補強部付ウエハ４の環状補強部４ｂが除去されて超薄の円板状ウエハ４ａとなり、この円板状ウエハ４ａに後述するリングフレーム２に設けられた支持用粘着テープ１が貼着され、リングフレーム２とともに一体的に円板状ウエハ４ａは次工程に搬送される。

支持用粘着テープ１が設けられたリングフレーム２は、環状補強部付ウエハ４の数に合わせて備えられており、図示省略した自動搬送手段によって、チャンバ６の外部よりチャンバ６内に搬送される。ここで支持用粘着テープ１は、いわゆるダイシングテープと称呼されるもので、塩化ビニールやポリオレフィン、ＥＶＡ、ポリエチレン、ＰＥＴなどのフィルムにアクリル系の粘着剤が付着しているものである。

次にこの製造装置５０によって環状補強部付ウエハ４の環状補強部４ｂが除去されて超薄の円板状ウエハ４ａとなり、この円板状ウエハ４ａをリングフレーム２で支持する工程と各部の動作を図１〜図５によって各製造工程順に説明する。尚、図２〜図５ではチャンバ６の図示は省略している。
工程１、図１に示すように製造装置５０に環状補強部付ウエハ４が搬送され、図示省略した真空排気系あるいは減圧装置によって真空あるいは減圧保持されているチャンバ６内に設けられたチャック兼ダイ５上に環状補強部付ウエハ４の表面４ｅがチャック兼ダイ５に接し、裏面４ｄが上向くよう、つまり環状補強部４ｂが上向くように載置し、図示省略したチャック兼ダイ５に設けられた静電チャックによって保持する。尚、この静電チャックに代替して真空ポーラスチャックによって保持する構成であってもよい。
次に工程２で、図１に示すようにプレス加工用の円筒状パンチ３を環状補強部４ｂの内側に接するように設置する。
工程３で、環状補強部付ウエハ４に剪断力が加わる方向に、すなわち円筒状パンチ３で環状補強部４ｂを除去するように下向きの荷重を印加することで図２に示すように環状補強部４ｂが除去されて超薄の円板状ウエハ４ａが形成される。荷重は例えば、円筒状パンチ３の図示省略した搬送アームや、後述する支持用粘着テープ１を円板状ウエハ４ａに押圧するためのローラ等によって印加される。このようにチャック兼ダイ５によって環状補強部付ウエハ４が保持され剪断加工されるので、反りなどを発生することがない。尚、剪断加工時に発生する加工屑の一部はチャンバ６を減圧、また真空にする排気系によってチャンバ６外に排出される。
引き続く工程４で、図３に示すように、円板状ウエハ４ａを支持するための支持用粘着テープ１が設けられたリングフレーム２が搬送され、前記円板状ウエハ４ａ上に配置される。
続いて工程５で、図４に示すように、円板状ウエハ４ａに支持用粘着テープ１を貼り付けるために設置されている図示省略のローラを用いて、支持用粘着テープ１を円板状ウエハ４ａに貼り付けることで、円板状ウエハ４ａは支持用粘着テープ１を介してリングフレーム２によって保持可能となる。
次に工程６で、図５に示すように、リングフレーム２に保持される円板状ウエハ４ａは図示省略した自動搬送手段によってチャンバ６から搬出されて、次工程に搬送されるとともに円筒状パンチ３および除去された環状補強部４ｂは、図示省略したチャック兼ダイ５の上部に設けられた自動搬送手段によって移送された後、チャンバ６の外部に搬送される。このことにより、不要物となった環状補強部４ｂ、および剪断加工によって発生した環状補強部４ｂや円筒状パンチ３に付着する剪断屑はチャンバ６外に移送され、次の工程である円板状ウエハ４ａから個々の半導体チップに分割する工程へ円板状ウエハ４ａに損傷を与えることなく搬送される。

以上説明した工程順によってチャンバ６内において、環状補強部付ウエハ４から環状補強部４ｂを除去されて形成された超薄の円板状ウエハ４ａに、リングフレーム２に設けられた支持用粘着テープ１が貼り付けられてチャンバ６外に搬送されるという１サイクルが完了する。その後再び上記工程順によって環状補強部４ｂの除去プロセスが実施される。

以上述べたような構成の製造装置であるので、環状補強部付ウエハ４の環状補強部４ｂを円筒状パンチ３による除去を行い、超薄の円板状ウエハ４ａとする工程と、この円板状ウエハ４ａに支持用粘着テープ１を貼り付けてリングフレーム２で保持可能とする工程までが一貫して同一のチャンバ６内で行うことができ、製造装置５０の簡素化、小型化、メンテナンス性の向上、さらには低価格化が達成可能となる。また環状補強部４ｂの除去が円筒状パンチ３によって行われるので、従来技術の如く研磨屑の発生がなくて、洗浄や高圧エアー噴射等を行う必要がなくなり、製造装置５０のより簡素化がはかれ、さらに支持用粘着テープ１と円板状ウエハ４ａとの間に気泡が入らなくなるので支持が確実になり、搬送時の割れ等の発生率が減少し歩留まりが向上し全体として品質が向上する。また円筒状パンチ３による剪断加工時に発生する微細な異物は真空排気系あるいは減圧装置によってチャンバ６外に排出され、支持用粘着テープ１と円板状ウエハ４ａとの間に異物混入を防止できるという効果がある。

実施の形態２．
次に、実施の形態２を説明する。
前述の実施の形態１では環状補強部４ｂを円筒状パンチ３による剪断除去工程（図２）と円板状ウエハ４ａに支持用粘着テープ１を貼り付ける工程（図４）とが別工程であったが、この実施の形態２では、先の実施の形態１で述べた工程１、工程２の後に工程４の支持用粘着テープ１が設けられたリングフレーム２が環状補強部付ウエハ４の上に配置される手順をもつ。この状態を図６に示す。図６の状態で図示省略したローラを用いて支持用粘着テープ１の上から円筒状パンチ３に荷重を印加することで環状補強部４ｂの剪断除去と円板状ウエハ４ａへの支持用粘着テープ１の貼着が連続的に行われ図４に示す実施の形態１と同様の状態となる。尚、図７に示すように円筒状パンチ３の上部に、例えばテフロン（登録商標）のような樹脂のコーティング層３ａを設けることで、支持用粘着テープ１が円筒状パンチ３に貼り付くことを防止できる。

実施の形態３．
次に、実施の形態３について述べる。
この実施の形態３の製造装置５０は、前述した先行技術文献１に示される汎用のウエハの処理装置等において、これらの装置を半導体製造工場において、既設設備として稼働の際、何らかの要因によって支持用粘着テープ貼り付け装置の改造が生じた場合の例に好適であり、環状補強部４ｂの除去工程を既設設備ライン内とは別個に行うことで除去に伴う発塵による品質劣化、例えば支持用粘着テープ１と円板状ウエハ４ａ間の異物混入を防止するものである。
前述の実施の形態１、２は環状補強部付ウエハ４はチャック兼ダイ５の上に配置されていたが、この実施の形態３は図８に示すように第１のチャンバ６ａ内のチャック７の上に配置される。このチャック７は静電チャックあるいは真空ポーラスチャックである。実施の形態２で説明した工程と同様にして図８にようにチャック７の上に環状補強部付ウエハ４が配置され、その上部に支持用粘着テープ１が設けられたリングフレーム２が配置される。この状態までは第１のチャンバ６ａの真空排気系あるいは減圧装置は動作を行っていない。
次に図示省略した真空排気系あるいは減圧装置を動作させると、図９に示す如く支持用粘着テープ１が円筒状パンチ３および環状補強部付ウエハ４の裏面４ｄに貼り付く。図示省略した自動搬送手段によってリングフレーム２と一体化された環状補強部付ウエハ４が第２のチャンバ６ｂに配置されているダイ８まで搬送される。その状態は上記図９で示したチャック７がダイ８に代替したものと同じである。
次に、前述した実施の形態２と同様にローラを用いて支持用粘着テープ１の上から円筒状パンチ３に荷重を印加して環状補強部４ｂの剪断除去を行う。尚、円筒状パンチ３の上部は図７で示しようにコーティング層３ａが設けてある。荷重の印加により円筒状パンチ３と支持用粘着テープ１とが分離すると、図１０に示すように、支持用粘着テープ１の円板状ウエハ４ａに貼り付けられた個所以外でほぼ水平の状態に復元するが、一部分にシワや伸びが発生し、また円板状ウエハ４ａの周辺部分（ウエハエッジ部）等に支持用粘着テープ１との間に空隙が発生する可能性がある。このような場合、例えば、ホットプレートやランプ等により６０℃１分程度の熱を加えることによって空隙を無くする。加熱する温度を時間は、使用する支持用粘着テープ１の種類により異なるので、適正な温度と時間を選択する。
また、円筒状パンチ３とダイ８とはセンタリングずれが生ずることがあるので、図１２に示すようにダイ８を外周部にフランジ状のガイド９ａが設けられたガイド付台座９上に配置するとともに、図１１に示すコの字型断面を有するガイド付円筒状パンチ３ｂを用いることで、ガイド９ａに沿った剪断加工が可能となる。
このような構成を備えているので、ガイド付円筒状パンチ３ｂとダイ８のセンタリングが容易となる。尚このガイド付台座９は前述した実施の形態１のチャック兼ダイ５に付加して設置するとともに、円筒状パンチ３をこの実施の形態３のガイド付円筒状パンチ３ｂとして用いてもよい。

上記実施の形態１〜３は製造装置５０が単体設置された状態で述べたが、半導体製造ラインにおいて、例えば先行技術文献１に示されるようなウエハの処理装置に搭載されるものにも適用可能である。

尚、本発明は、その発明の範囲内において、各実施の形態を自由に組み合わせたり、各実施の形態を適宜、変形、省略することが可能である。

１ 支持用粘着テープ、２ リングフレーム、３ 円筒状パンチ、
３ｂ ガイド付円筒状パンチ、４ 環状補強部付ウエハ、４ａ 円板状ウエハ、
４ｂ 環状補強部、４ｄ 裏面、４ｅ 表面、５ チャック兼ダイ、６ チャンバ、
６ａ 第１のチャンバ、６ｂ 第２のチャンバ、７ チャック、８ ダイ、
９ ガイド付台座、５０ 製造装置。

Claims (8)

1. 半導体装置の製造装置であって、大気圧以下に減圧された雰囲気を保持するチャンバと、該チャンバ内に配置されたチャック兼ダイと、該チャック兼ダイ上に前記チャンバの外部より搬送された円筒状パンチおよびリングフレームとが設けられており、搬送手段によって前記チャンバの外部より搬送される複数の半導体チップが形成された環状補強部付ウエハが、前記チャック兼ダイに前記環状補強部を上側とするよう保持されるとともに、前記円筒状パンチが下降することによって前記環状補強部が剪断加工で除去され前記環状補強部付ウエハを円板状ウエハとし、前記リングフレームに設けられた支持用粘着テープが押圧されて前記円板状ウエハに貼り付けられることにより前記リングフレームに支持される前記円板状ウエハと、前記円筒状パンチならびに前記除去された環状補強部とが、前記チャンバの外部に搬送されることを特徴とする半導体装置の製造装置。
2. 前記チャンバの減圧された雰囲気は、真空排気系もしくは減圧装置によって生成されていることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置の製造装置。
3. 前記チャック兼ダイに設けられた静電チャックによって前記環状補強部付ウエハが保持されることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置の製造装置。
4. 前記チャック兼ダイに設けられた局所真空ポーラスチャックによって前記環状補強部付ウエハが保持されることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置の製造装置。
5. 前記円筒状パンチは搬送手段に設けられた搬送アームからの、あるいは前記チャンバに設置されているローラからの荷重印加によって下降することを特徴とする請求項１に記載の半導体装置の製造装置。
6. 前記請求項１の半導体装置の製造装置を用いて、次のステップを有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
   ＳＴ１．少なくとも大気圧以下に減圧された雰囲気を保持するチャンバ内に配置されたチャック兼ダイ上に、複数の半導体チップが形成された環状補強部付ウエハが、前記環状補強部を上向きとなるように保持されるステップ。
   ＳＴ２．円筒状パンチが前記チャンバの外部より搬送されるとともに、前記環状補強部の内側に接するよう設置されるステップ。
   ＳＴ３．前記円筒状パンチに下向きの荷重が印加されて前記環状補強部が剪断加工によって除去され、前記環状補強部付ウエハが円板状ウエハとされるステップ。
   ＳＴ４．支持用粘着テープが設けられたリングフレームが搬送されるとともに、前記円板状ウエハ上に配置されるステップ。
   ＳＴ５．前記チャンバに設けられているローラによって、前記支持用粘着テープが押圧されて前記円板状ウエハに貼り付けられ、前記リングフレームによって保持可能とされるステップ。
   ＳＴ６．前記リングフレームに保持された前記円板状ウエハが前記チャンバの外部に搬送されるとともに、前記円筒状パンチおよび除去された前記環状補強部も前記チャンバの外部に搬送されるステップ。
7. 次のステップを有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
   ＳＴ１．第１のチャンバ内に配置されたチャック上に複数の半導体チップが形成された環状補強部付ウエハが前記環状補強部を上向きとなるよう保持されるステップ。
   ＳＴ２．円筒状パンチが前記第１のチャンバの外部より搬送されるとともに、前記環状補強部の内側に接するよう設置されるステップ。
   ＳＴ３．支持用粘着テープが設けられたリングフレームが搬送されるとともに、前記円筒状パンチ上に配置されるステップ。
   ＳＴ４．前記チャンバ内が真空排気されることによって、前記支持用粘着テープが前記環状補強部付ウエハに貼り付けられて前記リングフレームによって前記環状補強部付ウエハとともに前記円筒状パンチが保持可能とされるステップ。
   ＳＴ５．前記リングフレームによって保持された前記円筒状パンチおよび前記環状補強部付ウエハが前記第１のチャンバの外部に搬送されるとともに、ダイが配置され少なくとも大気圧以下に減圧された雰囲気を保持する第２のチャンバ内に移送され、前記ダイ上に配置されるステップ。
   ＳＴ６．前記第２のチャンバに設けられているローラによって前記支持用粘着テープが押圧され、前記円筒状パンチに下向きの荷重を印加されて前記環状補強部が剪断加工によって除去され、前記環状補強部付ウエハが円板状ウエハとされるとともに、前記円筒状パンチが前記支持用粘着テープから離脱するステップ。
   ＳＴ７．前記支持用粘着テープが加熱され、前記円板状ウエハとの貼り付け性が補正されるステップ。
   ＳＴ８．前記リングフレームに保持された前記円板状ウエハが前記第２のチャンバの外部に搬送されるとともに、前記円筒状パンチおよび除去された前記環状補強部も前記第２のチャンバの外部に搬送されるステップ。
8. 前記請求項７の半導体装置の製造方法において、ＳＴ２、ＳＴ３、ＳＴ４、ＳＴ６、ＳＴ８の前記円筒状パンチに代替してガイド付円筒状パンチを用いるとともに、ＳＴ５のダイの下部にガイド付台座が設けられていることを特徴とする半導体装置の製造方法。

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