JP2013254065A - Pulse train generation apparatus and pulse train generation method - Google Patents

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雅明 坪内
Atsushi Yokoyama
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  • Optical Modulation, Optical Deflection, Nonlinear Optics, Optical Demodulation, Optical Logic Elements (AREA)

Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a pulse train with substantial intensity by improving conversion efficiency of pulse light to a pulse train.SOLUTION: A pulse train generation apparatus 100 generates a terahertz pulse train 2 from terahertz pulse light 1 generated from a terahertz pulse light source 20 using an etalon element 10. The etalon element 10 comprises a semiconductor crystal plate 11 as an incident-side reflection plate, and a glass plate 12 as an exit-side reflection plate. The terahertz pulse light 1 transmits through the semiconductor crystal plate 11, is introduced in a cavity of the etalon element 10, and reflected by a transparent conductive thin film 121 on the exit-side glass plate 12. Before the terahertz pulse light is returned to the semiconductor crystal plate 11 again, a plasma thin film 111 is formed on the semiconductor crystal plate 11.

Description

本発明は、パルス光からパルス列を生成するパルス列生成装置及びパルス列生成方法に関し、特にエタロン素子を用いてパルス光からパルス列を生成するパルス列生成装置及びパルス列生成方法に関する。   The present invention relates to a pulse train generation device and a pulse train generation method for generating a pulse train from pulsed light, and more particularly to a pulse train generation device and a pulse train generation method for generating a pulse train from pulsed light using an etalon element.

テラヘルツ光は、周波数０．１〜１０ＴＨｚ、波長３ｍｍ〜３０μｍの帯域の光を指し、電波と光の中間領域の光として基礎科学及び応用科学的見地で近年大いに注目されている。例えば、疎水性高分子を透過し水溶液に吸収される性質から生体内の病巣診断への応用、また紙などの高分子を透過し金属に反射されるため非破壊危険物検査への応用等が考案され、実用化を目指した研究が多く進められている。   Terahertz light refers to light having a frequency of 0.1 to 10 THz and a wavelength of 3 mm to 30 μm, and has recently been attracting much attention from the viewpoint of basic science and applied science as light in an intermediate region between radio waves and light. For example, it can be applied to diagnosis of lesions in vivo due to its ability to permeate hydrophobic polymers and be absorbed by aqueous solutions, and to non-destructive hazardous materials inspection because it permeates polymers such as paper and is reflected by metals. Many studies have been devised and aimed at practical application.

現在、世界各地で、様々な観点からのテラヘルツ光の高度化を目指した研究が進められている。例えば、その光源の周波数帯域を拡げて短パルス化する技術、逆に周波数帯域を制限することによって周波数分解能を高める技術、さらには工業化に向けての高強度化のための技術等が開発されている。こうした光源の高度化が行われている一方、テラヘルツ周波数領域における基礎的光学素子は未発達であり、この事は上記光源の実用化へ向けた一つの障壁として憂慮されている。   Currently, studies aiming at the advancement of terahertz light from various points of view are underway around the world. For example, a technology for expanding the frequency band of the light source to shorten the pulse, a technology for increasing the frequency resolution by limiting the frequency band, and a technology for increasing the intensity for industrialization have been developed. Yes. While such light sources have been advanced, basic optical elements in the terahertz frequency region have not been developed, and this is a concern as a barrier to the practical use of the above light sources.

近年、テラヘルツパルス光源の波形を自在に整形できれば、光学活性分子の不斉合成、分子モーターの設計等に応用が可能であることが理論的に示唆されており、テラヘルツ周波数領域における波形整形デバイスの開発は急務である。さらに、例えば特許文献１に記載のように、原子力発電サイクルで生じた放射性同位体元素の分離法において、テラヘルツ光のパルス列化とその制御は基盤技術として非常に重要である。   In recent years, it has been theoretically suggested that if the waveform of a terahertz pulse light source can be freely shaped, it can be applied to asymmetric synthesis of optically active molecules, molecular motor design, etc. Development is urgent. Further, for example, as described in Patent Document 1, in a method for separating a radioisotope element generated in a nuclear power generation cycle, a pulse train of terahertz light and its control are very important as a basic technology.

これまでにテラヘルツ光のパルス列化については、数例しか報告されておらず（例えば、特許文献２、非特許文献１）、テラヘルツ光のパルス列化を実現するためには、テラヘルツ領域で動作するビームスプリッタを用いて多段干渉計を組む方法と、エタロン素子を用いる方法とが考えられている。   Until now, only a few examples of pulse trains of terahertz light have been reported (for example, Patent Document 2 and Non-Patent Document 1), and in order to realize pulse train of terahertz light, a beam that operates in the terahertz region. A method of assembling a multistage interferometer using a splitter and a method of using an etalon element are considered.

前者の多段干渉計を組む方法では、ワイヤーグリッドを用いた偏光分離型ビームスプリッタが用いられる。フーリエ変換型テラヘルツ分光光度計においては、ワイヤーグリッドを用いた干渉計が実用化されている。   In the former method of assembling a multistage interferometer, a polarization separation type beam splitter using a wire grid is used. In the Fourier transform type terahertz spectrophotometer, an interferometer using a wire grid has been put into practical use.

後者のエタロン素子は、高反射率を有する２枚の板で形成したキャビティからなる。そのキャビティ内を光が多重反射しながら一部抜ける抜け光を用いてパルス列化する素子である。従って、可視、近赤外光領域で使用されているエタロン素子をテラヘルツ領域でも用いることができれば、装置の大型化を避け、キャビティ一組でテラヘルツ光のパルス列を実現できる。   The latter etalon element is composed of a cavity formed by two plates having high reflectivity. It is an element that forms a pulse train by using the exiting light that partially passes through the cavity while multiple reflection of the light. Therefore, if the etalon element used in the visible and near-infrared light regions can be used in the terahertz region, it is possible to avoid the increase in size of the device and realize a pulse train of terahertz light with a set of cavities.

特開２０１１−６７７５４JP2011-67754 特開２０１１−１１２７７８JP2011-112778A

Ｊ．Ａｎｎ、Ａ．Ｖ．Ｅｆｉｍｏｖ、Ｒ．Ｄ．Ａｖｅｒｉｔｔ、 ａｎｄ Ａ．Ｊ．Ｔａｙｌｏｒ、Ｏｐｔｉｃｓ Ｅｘｐｒｅｓｓ、Ｖｏｌ．１１、ｐ２４８６（２００３年）J. et al. Ann, A.A. V. Efimov, R.M. D. Averitt, and A.A. J. et al. Taylor, Optics Express, Vol. 11, p2486 (2003)

しかしながら、多段干渉計を組む方法では、偏光方向によって光が分離されるという特性により、入射光の半分の強度しかパルス列として利用することができない。また、生成すべきパルス列の数だけ干渉計を作成する必要があるため、装置が大型化してしまう。従って、平行度の低いテラヘルツ光を長距離伝播させることが必要となるため、伝送効率が低下するという問題点があった。   However, in the method using a multistage interferometer, only half the intensity of incident light can be used as a pulse train due to the characteristic that light is separated according to the polarization direction. Further, since it is necessary to create as many interferometers as the number of pulse trains to be generated, the apparatus becomes large. Therefore, it is necessary to propagate terahertz light having a low parallelism for a long distance, which causes a problem that transmission efficiency is lowered.

さらに、エタロン素子を用いる方法では、エタロン素子が高反射率の板で形成されているため、キャビティへのテラヘルツ光入射の際、大部分は反射されキャビティ内に導入されず、パルス列への変換効率が非常に低くなる。しかも、テラヘルツ光を射出する光源の強度は、他の周波数領域（中赤外〜可視）に比べて１／１００程度であるため、パルス列変換効率の低さは、テラヘルツ光のパルス列化の実用化を考えた際に、重大な問題となった。   Furthermore, in the method using an etalon element, since the etalon element is formed of a highly reflective plate, when terahertz light is incident on the cavity, most of the light is reflected and not introduced into the cavity, and conversion efficiency to a pulse train is achieved. Is very low. Moreover, since the intensity of the light source that emits terahertz light is about 1/100 compared to other frequency regions (mid-infrared to visible), the low pulse train conversion efficiency is the practical application of the pulse train of terahertz light. When I thought about it, it became a serious problem.

すなわち、パルス光のパルス列への変換効率を高くして充分な強度のパルス列を得ることは困難であった。   That is, it has been difficult to obtain a pulse train with sufficient intensity by increasing the conversion efficiency of pulsed light into a pulse train.

本発明は、かかる問題点に鑑みてなされたものであり、上記問題点を解決する発明を提供することを目的とする。   The present invention has been made in view of such problems, and an object thereof is to provide an invention that solves the above problems.

本発明は、上記課題を解決すべく、以下に掲げる構成とした。
本発明のパルス列生成装置は、パルス光からパルス列を生成するパルス列生成装置であって、入射側反射板及び出射側反射板からなるエタロン素子と、前記入射側反射板に向けて前記パルス光を射出するパルス光射出手段と、前記入射側反射板の前記パルス光に対する反射率を変更させる反射率変更手段と、を具備することを特徴とする。
本発明のパルス列生成装置において、前記反射率変更手段は、前記パルス光射出手段から射出された前記パルス光が前記入射側反射板を透過した後、前記出射側反射板によって反射された前記パルス光が前記入射側反射板に到達する前に、前記入射側反射板の前記パルス光に対する反射率を高く変更させることを特徴とする。
本発明のパルス列生成装置において、前記入射側反射板は、半導体結晶板であるとともに、前記出射側反射板は、透明導電性薄膜が塗布されたガラス板であり、前記反射率変更手段は、前記半導体結晶板中に電子正孔対を生成することで前記入射側反射板の反射率を変更させることを特徴とする。
本発明のパルス列生成装置において、前記半導体結晶板はシリコンで構成されたことを特徴とする。
本発明のパルス列生成装置は、前記パルス光射出手段から射出された前記パルス光が前記入射側反射板に対して垂直に入射する構成とされたことを特徴とする。
本発明のパルス列生成方法は、パルス光からパルス列を生成するパルス列生成方法であって、入射側反射板及び出射側反射板からなるエタロン素子を用い、前記入射側反射板の側から前記パルス光を入射させ、前記パルス光が前記入射側反射板を透過した後、前記出射側反射板によって反射した前記パルス光が前記入射側反射板に到達する前に、前記入射側反射板の前記パルス光に対する反射率を高く変更することを特徴とする。 In order to solve the above problems, the present invention has the following configurations.
The pulse train generation device of the present invention is a pulse train generation device that generates a pulse train from pulsed light, and emits the pulsed light toward the incident side reflection plate and an etalon element including an incident side reflection plate and an emission side reflection plate. And a reflectivity changing means for changing the reflectivity of the incident-side reflecting plate with respect to the pulsed light.
In the pulse train generation device of the present invention, the reflectance changing unit may be configured such that the pulsed light emitted from the pulsed light emitting unit passes through the incident-side reflecting plate and is then reflected by the emitting-side reflecting plate. Before reaching the incident-side reflecting plate, the reflectance of the incident-side reflecting plate with respect to the pulsed light is changed to be high.
In the pulse train generation device of the present invention, the incident-side reflector is a semiconductor crystal plate, the emission-side reflector is a glass plate coated with a transparent conductive thin film, and the reflectance changing means includes the The reflectance of the incident-side reflecting plate is changed by generating electron-hole pairs in the semiconductor crystal plate.
In the pulse train generating device of the present invention, the semiconductor crystal plate is made of silicon.
The pulse train generation device of the present invention is characterized in that the pulsed light emitted from the pulsed light emitting means is configured to be perpendicularly incident on the incident-side reflecting plate.
The pulse train generation method of the present invention is a pulse train generation method that generates a pulse train from pulsed light, and uses an etalon element including an incident side reflection plate and an emission side reflection plate, and the pulse light is generated from the incident side reflection plate side. After the incident light is transmitted through the incident-side reflecting plate and before the pulsed light reflected by the emitting-side reflecting plate reaches the incident-side reflecting plate, the incident-side reflecting plate with respect to the pulsed light The reflectance is changed to be high.

本発明によれば、パルス光からパルス列への変換効率を高くして充分な強度のパルス列を得ることができる。   According to the present invention, it is possible to obtain a pulse train having a sufficient intensity by increasing the conversion efficiency from pulse light to a pulse train.

本発明の実施の形態に係るパルス列生成装置の構成を示す図である。It is a figure which shows the structure of the pulse train production | generation apparatus which concerns on embodiment of this invention. 本発明の実施の形態に係るパルス列生成装置におけるパルス列生成動作を説明するための説明図である。It is explanatory drawing for demonstrating the pulse train production | generation operation | movement in the pulse train production | generation apparatus which concerns on embodiment of this invention. 本発明の実施の形態に係るパルス列生成装置におけるパルス列生成動作を説明するための説明図（続き）である。It is explanatory drawing (continuation) for demonstrating the pulse train production | generation operation | movement in the pulse train production | generation apparatus which concerns on embodiment of this invention. 本発明に係るパルス列生成装置の実施例を示す図である。It is a figure which shows the Example of the pulse train production | generation apparatus which concerns on this invention.

次に、本発明の実施の形態を、図面を参照して具体的に説明する。本実施の形態となるパルス列生成装置は、テラヘルツ光の単発のパルスから時間的に等間隔に複数個のテラヘルツ光のパルスが同一軸上に並ぶテラヘルツ光のパルス列（テラヘルツパルス列）を生成する。図１は、このパルス列生成装置１００の構成を示す図である。このパルス列生成装置１００は、テラヘルツパルス光源（パルス光射出手段）２０から発せられたテラヘルツパルス光（パルス光）１から、エタロン素子１０を用いて、テラヘルツパルス列（パルス列）２を生成する。エタロン素子１０は、入射側反射板である半導体結晶板１１及び出射側反射板であるガラス板１２からなる。また、出射側のガラス板１２に対して垂直に紫外パルス光３を射出する紫外パルス光源（反射率変更手段）３０と、テラヘルツパルス光源２０及び紫外パルス光源３０のそれぞれにおける射出タイミングを制御する入射タイミング制御部４０と、ビームスプリッタ５０とを具備する。   Next, embodiments of the present invention will be specifically described with reference to the drawings. The pulse train generating apparatus according to the present embodiment generates a terahertz pulse train (terahertz pulse train) in which a plurality of terahertz light pulses are arranged on the same axis at equal time intervals from a single terahertz light pulse. FIG. 1 is a diagram showing a configuration of the pulse train generation device 100. The pulse train generation device 100 generates a terahertz pulse train (pulse train) 2 from a terahertz pulse light (pulse light) 1 emitted from a terahertz pulse light source (pulse light emitting means) 20 using an etalon element 10. The etalon element 10 includes a semiconductor crystal plate 11 that is an incident side reflection plate and a glass plate 12 that is an emission side reflection plate. In addition, an ultraviolet pulse light source (reflectance changing means) 30 that emits the ultraviolet pulse light 3 perpendicularly to the glass plate 12 on the emission side, and an incidence that controls the emission timing in each of the terahertz pulse light source 20 and the ultraviolet pulse light source 30. A timing control unit 40 and a beam splitter 50 are provided.

エタロン素子１０は、入射側の半導体結晶板１１と、出射側のガラス板１２とがキャビティを介して対向して平行に配置された構成とされる。ガラス板１２の半導体結晶板１１に対する対向面には、透明導電性薄膜１２１が形成されている。透明導電性薄膜１２１は、紫外光を透過させると共に、テラヘルツ光の大部分を反射させ、一部を透過させる。透明導電性薄膜１２１としては、例えばＩＴＯ（酸化インジウムスズ）薄膜を用いることができる。ＩＴＯ薄膜は、テラヘルツ光に対して膜の抵抗率に依存する高い反射率をもつ。従って、ＩＴＯ薄膜の抵抗率を調整することで、テラヘルツ光に対する反射率を制御することができる。   The etalon element 10 has a configuration in which a semiconductor crystal plate 11 on the incident side and a glass plate 12 on the emission side are arranged in parallel to face each other through a cavity. A transparent conductive thin film 121 is formed on the surface of the glass plate 12 facing the semiconductor crystal plate 11. The transparent conductive thin film 121 transmits ultraviolet light, reflects most of the terahertz light, and transmits part of it. As the transparent conductive thin film 121, for example, an ITO (indium tin oxide) thin film can be used. The ITO thin film has a high reflectance depending on the resistivity of the film with respect to terahertz light. Therefore, the reflectance with respect to the terahertz light can be controlled by adjusting the resistivity of the ITO thin film.

半導体結晶板１１としては、紫外光の照射によって電子正孔対を発生する半導体板として、例えば、２０Ω・ｃｍの抵抗率をもつシリコン単結晶板を用いることができる。このシリコン単結晶板は、テラヘルツ光に対する屈折率が３．４２程度であり、この場合には入射光の７割を透過し、残りの３割を反射する。このシリコン単結晶板で構成された半導体結晶板１１に対して紫外パルス光３を照射すると、光誘起により半導体結晶板１１に厚さ１００ｎｍ程度のプラズマ薄膜１１１が形成され、屈折率が変化する。この場合、テラヘルツ光の反射率は６割程度に高まる。ここで、プラズマ薄膜１１１とは、シリコンに光（紫外光）が吸収されて生ずる電子・正孔対が形成された層で、これによって屈折率が変化した層である。このように、紫外パルス光３によってプラズマ薄膜１１１のオン・オフ（形成・非形成）を制御することで、半導体結晶板１１は、テラヘルツ光に対する反射率が変更され、テラヘルツパルス光源２０から射出されたテラヘルツパルス光１をエタロン素子１０のキャビティ内に閉じ込める光シャッターとして機能する。   As the semiconductor crystal plate 11, for example, a silicon single crystal plate having a resistivity of 20 Ω · cm can be used as a semiconductor plate that generates electron-hole pairs when irradiated with ultraviolet light. This silicon single crystal plate has a refractive index of about 3.42 with respect to terahertz light. In this case, 70% of incident light is transmitted and the remaining 30% is reflected. When the semiconductor crystal plate 11 composed of this silicon single crystal plate is irradiated with the ultraviolet pulsed light 3, a plasma thin film 111 having a thickness of about 100 nm is formed on the semiconductor crystal plate 11 by light induction, and the refractive index changes. In this case, the reflectance of terahertz light is increased to about 60%. Here, the plasma thin film 111 is a layer in which electron / hole pairs generated by absorption of light (ultraviolet light) into silicon are formed, and the refractive index is changed thereby. In this way, by controlling on / off (formation / non-formation) of the plasma thin film 111 by the ultraviolet pulse light 3, the semiconductor crystal plate 11 is changed in reflectivity with respect to terahertz light and emitted from the terahertz pulse light source 20. The terahertz pulse light 1 functions as an optical shutter that confines the terahertz pulse light 1 in the cavity of the etalon element 10.

テラヘルツパルス光源２０は、周波数０．１〜１０ＴＨｚ、波長３ｍｍ〜３０μｍの帯域のテラヘルツ光の単発のパルス（テラヘルツパルス光１）を射出するテラヘルツ光パルス射出手段である。テラヘルツパルス光源２０としては、例えば、近赤外フェムト秒レーザーパルスのパルスレーザー光を励起光としたテラヘルツパルス光発生器を用いることができる。一般的に、テラヘルツ光のパルス幅は周波数帯域に依存するが、例えばテラヘルツパルス光１のパルス幅が数１００ｆｓ〜数ｐｓであれば、エタロン素子１０のキャビティ長Ｌが仮に０．５ｍｍの場合でも、十分にキャビティ内に閉じ込めることができるパルス幅となっている。   The terahertz pulse light source 20 is a terahertz light pulse emitting unit that emits a single pulse of terahertz light (terahertz pulse light 1) having a frequency of 0.1 to 10 THz and a wavelength of 3 mm to 30 μm. As the terahertz pulse light source 20, for example, a terahertz pulse light generator using a pulse laser beam of a near infrared femtosecond laser pulse as excitation light can be used. In general, the pulse width of the terahertz light depends on the frequency band. For example, if the pulse width of the terahertz pulse light 1 is several hundred fs to several ps, even if the cavity length L of the etalon element 10 is 0.5 mm. The pulse width can be sufficiently confined in the cavity.

紫外パルス光源３０は、半導体結晶板１１に電子正孔対（プラズマ薄膜１１１）を形成させるための紫外パルス光３を射出する。この紫外パルス光３としては、近赤外光の高調波を用いることもできる。例えば、近赤外パルス光源（波長７５０〜１０００ｎｍ）を紫外パルス光源３０として使用し、これによって発せられた近赤外パルス光の倍波である波長３７５〜５００ｎｍの光を紫外パルス光３とすることができる。また、テラヘルツパルス光源２０においても近赤外レーザー光を使用する場合がある。この場合には、紫外パルス光源３０に用いる近赤外レーザー光とテラヘルツパルス光源２０において使用される近赤外レーザー光として、同一の光源から発せられた光を分岐して使用することができる。この場合には、後述する入射タイミング制御部４０によるタイミング制御が特に容易となる。なお、半導体結晶板１１に形成されるプラズマ薄膜１１１の性質（厚さ、屈折率等）は、半導体結晶板１１に照射する紫外光パルスの波長、強度、パルス幅に依存する。従って、プラズマ薄膜１１１のテラヘルツ光に対する反射率が最大となるように紫外パルス光３を設定することが好ましい。   The ultraviolet pulse light source 30 emits ultraviolet pulse light 3 for forming electron-hole pairs (plasma thin film 111) on the semiconductor crystal plate 11. As the ultraviolet pulse light 3, harmonics of near infrared light can also be used. For example, a near-infrared pulse light source (wavelength 750 to 1000 nm) is used as the ultraviolet pulse light source 30, and light having a wavelength of 375 to 500 nm, which is a double of the near-infrared pulse light emitted thereby, is used as the ultraviolet pulse light 3. be able to. The terahertz pulse light source 20 may also use near infrared laser light. In this case, the light emitted from the same light source can be branched and used as the near infrared laser light used for the ultraviolet pulse light source 30 and the near infrared laser light used for the terahertz pulse light source 20. In this case, timing control by an incident timing control unit 40 described later is particularly easy. The properties (thickness, refractive index, etc.) of the plasma thin film 111 formed on the semiconductor crystal plate 11 depend on the wavelength, intensity, and pulse width of the ultraviolet light pulse applied to the semiconductor crystal plate 11. Therefore, it is preferable to set the ultraviolet pulse light 3 so that the reflectance of the plasma thin film 111 with respect to the terahertz light is maximized.

入射タイミング制御部４０は、テラヘルツパルス光１と紫外パルス光３の入射タイミングを制御する。具体的には、テラヘルツパルス光源２０から射出されたテラヘルツパルス光１が半導体結晶板１１を透過してエタロン素子１０のキャビティ内に導入され、出射側のガラス板１２上の透明導電性薄膜１２１によって反射され、再び半導体結晶板１１に戻ってくる前に、半導体結晶板１１にプラズマ薄膜１１１が形成されるような設定とされる。このタイミングでプラズマ薄膜１１１が形成されるように、テラヘルツパルス光１と紫外パルス光３は制御される。   The incident timing control unit 40 controls the incident timing of the terahertz pulse light 1 and the ultraviolet pulse light 3. Specifically, the terahertz pulse light 1 emitted from the terahertz pulse light source 20 passes through the semiconductor crystal plate 11 and is introduced into the cavity of the etalon element 10, and is transmitted by the transparent conductive thin film 121 on the glass plate 12 on the emission side. The plasma thin film 111 is set to be formed on the semiconductor crystal plate 11 before being reflected and returned to the semiconductor crystal plate 11 again. The terahertz pulse light 1 and the ultraviolet pulse light 3 are controlled so that the plasma thin film 111 is formed at this timing.

ビームスプリッタ５０は、紫外光を透過させ、テラヘルツ光を反射させる機能を有し、エタロン素子１０の出射側に４５°傾けて配置されている。これにより、紫外パルス光源３０からの紫外パルス光３は、ビームスプリッタ５０を透過し、図１中左側からエタロン素子１０のガラス板１２に垂直に入射して、半導体結晶板１１に到達する。また、ガラス板１２から出射されたテラヘルツパルス列２は、ビームスプリッタ５０によって反射され、紫外パルス光３から垂直の方向（図１中上側）に取り出される。ビームスプリッタ５０としては、例えば、透明導電性薄膜１２１と同様の膜が形成されたガラス板１２を用いることができる。なお、本実施の形態では、紫外パルス光源３０からの紫外パルス光３をビームスプリッタ５０経由でガラス板１２に垂直に入射するようにしたが、紫外パルス光源３０からの紫外パルス光３をガラス板１２に対して斜めに入射するように構成してもよい。この場合には、紫外パルス光３の光軸がエタロン素子１０から出射したテラヘルツパルス列２の光軸から外れるため、ビームスプリッタ５０を設けることなしに、テラヘルツパルス列２のみを取り出すことができる   The beam splitter 50 has a function of transmitting ultraviolet light and reflecting terahertz light, and is disposed at an angle of 45 ° to the emission side of the etalon element 10. Thereby, the ultraviolet pulse light 3 from the ultraviolet pulse light source 30 passes through the beam splitter 50, enters the glass plate 12 of the etalon element 10 perpendicularly from the left side in FIG. 1, and reaches the semiconductor crystal plate 11. Further, the terahertz pulse train 2 emitted from the glass plate 12 is reflected by the beam splitter 50 and extracted from the ultraviolet pulse light 3 in the vertical direction (upper side in FIG. 1). As the beam splitter 50, the glass plate 12 in which the film | membrane similar to the transparent conductive thin film 121 was formed can be used, for example. In the present embodiment, the ultraviolet pulse light 3 from the ultraviolet pulse light source 30 is vertically incident on the glass plate 12 via the beam splitter 50. However, the ultraviolet pulse light 3 from the ultraviolet pulse light source 30 is incident on the glass plate. You may comprise so that it may incline with respect to 12. As shown in FIG. In this case, since the optical axis of the ultraviolet pulse light 3 deviates from the optical axis of the terahertz pulse train 2 emitted from the etalon element 10, only the terahertz pulse train 2 can be extracted without providing the beam splitter 50.

次に、本実施の形態のパルス列生成装置１００におけるパルス列生成の動作を、図２〜４を参照して詳細に説明する。   Next, the operation of generating a pulse train in the pulse train generating apparatus 100 of the present embodiment will be described in detail with reference to FIGS.

図２（ａ）に示すように、入射タイミング制御部４０は、テラヘルツパルス光源２０の射出タイミングを制御して、テラヘルツパルス光１を図中右側からエタロン素子１０の入射側である半導体結晶板１１を透過させてキャビティ内に導入させる。一方、紫外パルス光源３０の射出タイミングを制御して、紫外パルス光３を図中左側からエタロン素子１０の出射側であるガラス板１２を透過させてキャビティ内に導入させる。ここで、テラヘルツパルス光１が半導体結晶板１１を透過するタイミングでは、入射タイミング制御部４０の制御によって、紫外パルス光３が半導体結晶板１１に到達しておらず、半導体結晶板１１にはプラズマ薄膜１１１が形成されていない。従って、半導体結晶板１１としてシリコン単結晶板を用いた場合には、入射されたテラヘルツパルス光１の約７割が半導体結晶板１１を透過し、残りの約３割が反射される。なお、図２（ａ）において、説明のため、テラヘルツパルス光１と紫外パルス光３とをずれた位置に記載しているが、実際にはテラヘルツパルス光１と紫外パルス光３とは同軸上にあり、紫外パルス光３のスポット径は、テラヘルツパルス光１のスポット径以上に設定されている。また、ガラス板１２に形成されている透明導電性薄膜１２１は、常に紫外光を透過させるため、紫外パルス光３はガラス板１２で反射されることなく、キャビティ内に導入される。   As shown in FIG. 2A, the incident timing control unit 40 controls the emission timing of the terahertz pulse light source 20, and emits the terahertz pulse light 1 from the right side in the drawing to the incident side of the etalon element 10. Is introduced into the cavity. On the other hand, the emission timing of the ultraviolet pulse light source 30 is controlled, and the ultraviolet pulse light 3 is transmitted from the left side of the figure through the glass plate 12 on the emission side of the etalon element 10 and introduced into the cavity. Here, at the timing at which the terahertz pulse light 1 passes through the semiconductor crystal plate 11, the ultraviolet pulse light 3 has not reached the semiconductor crystal plate 11 under the control of the incident timing control unit 40, and the semiconductor crystal plate 11 has no plasma. The thin film 111 is not formed. Therefore, when a silicon single crystal plate is used as the semiconductor crystal plate 11, about 70% of the incident terahertz pulse light 1 is transmitted through the semiconductor crystal plate 11, and the remaining about 30% is reflected. In FIG. 2A, the terahertz pulsed light 1 and the ultraviolet pulsed light 3 are shown at positions shifted for the sake of explanation, but actually the terahertz pulsed light 1 and the ultraviolet pulsed light 3 are coaxial. The spot diameter of the ultraviolet pulse light 3 is set to be equal to or larger than the spot diameter of the terahertz pulse light 1. Further, since the transparent conductive thin film 121 formed on the glass plate 12 always transmits ultraviolet light, the ultraviolet pulse light 3 is introduced into the cavity without being reflected by the glass plate 12.

キャビティ内に導入されたテラヘルツパルス光１は、図２（ｂ）に示すように、ガラス板１２に形成されている透明導電性薄膜１２１で大部分は反射され、一部が抜け光４としてガラス板１２を透過して図中左側に出射する。なお、透明導電性薄膜１２１として、シート抵抗１５ΩのＩＴＯ膜（厚さ１５０ｎｍ）を用いた場合には、テラヘルツ光の透過率は０．０５％と小さかった。また、透明導電性薄膜１２１で反射されたテラヘルツパルス光１が再び半導体結晶板１１に到達する前のタイミングで、入射タイミング制御部４０の制御によって、紫外パルス光３が半導体結晶板１１に到達し、紫外パルス光３が半導体結晶板１１表面で吸収されてプラズマ薄膜１１１が形成される。半導体結晶板１１としてシリコン単結晶板を用いた場合には、プラズマ薄膜１１１によるテラヘルツ光の反射率は約６割となり、プラズマ薄膜１１１が形成されていない場合の約２倍の反射率となる。なお、図２（ｂ）において、説明のため、導入されたテラヘルツパルス光１と、プラズマ薄膜１１１で反射されたテラヘルツパルス光１とを便宜上ずれた位置に記載しているが、実際にはテラヘルツパルス光１は同軸上で反射される。   The terahertz pulse light 1 introduced into the cavity is mostly reflected by the transparent conductive thin film 121 formed on the glass plate 12 as shown in FIG. The light passes through the plate 12 and exits to the left in the figure. When an ITO film having a sheet resistance of 15Ω (thickness 150 nm) was used as the transparent conductive thin film 121, the transmittance of terahertz light was as small as 0.05%. In addition, at the timing before the terahertz pulse light 1 reflected by the transparent conductive thin film 121 reaches the semiconductor crystal plate 11 again, the ultraviolet pulse light 3 reaches the semiconductor crystal plate 11 by the control of the incident timing control unit 40. The ultraviolet pulse light 3 is absorbed by the surface of the semiconductor crystal plate 11 to form a plasma thin film 111. When a silicon single crystal plate is used as the semiconductor crystal plate 11, the reflectance of the terahertz light by the plasma thin film 111 is about 60%, which is about twice that when the plasma thin film 111 is not formed. In FIG. 2B, for the purpose of explanation, the introduced terahertz pulse light 1 and the terahertz pulse light 1 reflected by the plasma thin film 111 are shown at positions shifted for convenience. The pulsed light 1 is reflected on the same axis.

その後、図３に示すように、一部がガラス板１２から抜け光４として出射するものの、キャビティ内で反射、すなわち透明導電性薄膜１２１及びプラズマ薄膜１１１で反射が繰り返され、ガラス板１２から出射する抜け光４がテラヘルツパルス列２となり、ビームスプリッタ５０で反射されて取り出される。なお、図３において、透明導電性薄膜１２１及びプラズマ薄膜１１１で反射を繰り返すテラヘルツパルス光１を便宜上ずれた位置に記載しているが、実際にはテラヘルツパルス光１は同軸上で反射が繰り返される。   Thereafter, as shown in FIG. 3, a part is emitted from the glass plate 12 as the exit light 4, but is reflected in the cavity, that is, reflected by the transparent conductive thin film 121 and the plasma thin film 111 and emitted from the glass plate 12. The transmitted light 4 becomes the terahertz pulse train 2 and is reflected by the beam splitter 50 and extracted. In FIG. 3, the terahertz pulse light 1 that is repeatedly reflected by the transparent conductive thin film 121 and the plasma thin film 111 is illustrated at a position shifted for convenience, but actually, the terahertz pulse light 1 is repeatedly reflected on the same axis. .

テラヘルツパルス列２のパルス間隔τは、エタロン素子１０のキャビティ長をＬとし、光速をｃとすると、τ＝２Ｌ／ｃで表すことができる。従って、テラヘルツパルス列２のパルス間隔τは、エタロン素子１０のキャビティ長Ｌ、すなわち半導体結晶板１１とガラス板１２との間隔Ｌによって定まり、エタロン素子１０のキャビティ長Ｌを調整することにより、テラヘルツパルス列２のパルス間隔τを精密に制御すること可能である。エタロン素子１０のキャビティ長Ｌの調整は、半導体結晶板１１とガラス板１２とのいずれかもしくは両方を移動させるピエゾ素子等の駆動手段を用いて行うことができる。また、キャビティ長Ｌが異なる複数のエタロン素子１０を設けて交換可能に構成するようにしてもよい。   The pulse interval τ of the terahertz pulse train 2 can be expressed by τ = 2L / c, where L is the cavity length of the etalon element 10 and c is the speed of light. Therefore, the pulse interval τ of the terahertz pulse train 2 is determined by the cavity length L of the etalon element 10, that is, the interval L between the semiconductor crystal plate 11 and the glass plate 12, and the terahertz pulse train 2 is adjusted by adjusting the cavity length L of the etalon element 10. It is possible to precisely control the two pulse intervals τ. Adjustment of the cavity length L of the etalon element 10 can be performed using a driving means such as a piezo element that moves either or both of the semiconductor crystal plate 11 and the glass plate 12. Further, a plurality of etalon elements 10 having different cavity lengths L may be provided so as to be replaceable.

ここで、プラズマ薄膜１１１が存在する場合における半導体結晶板１１、透明導電性薄膜１２１でテラヘルツパルス光１が反射する度にその強度は減衰し、この減衰の度合いによってテラヘルツパルス列２の持続時間は定まる。また、透明導電性薄膜１２１のテラヘルツパルス光１に対する反射率は、透明導電性薄膜１２１の抵抗率に依存し、抵抗率が高い場合にはその反射率は低い。このため、テラヘルツパルス列２の持続時間を、透明導電性薄膜１２１の抵抗率によって制御することができる。このため、異なる抵抗率をもつ透明導電性薄膜１２１を交換可能とする構成として持続時間を調整することもできる。   Here, each time the terahertz pulse light 1 is reflected by the semiconductor crystal plate 11 and the transparent conductive thin film 121 in the presence of the plasma thin film 111, the intensity is attenuated, and the duration of the terahertz pulse train 2 is determined by the degree of the attenuation. . Moreover, the reflectance with respect to the terahertz pulse light 1 of the transparent conductive thin film 121 depends on the resistivity of the transparent conductive thin film 121, and when the resistivity is high, the reflectance is low. For this reason, the duration of the terahertz pulse train 2 can be controlled by the resistivity of the transparent conductive thin film 121. For this reason, a duration can also be adjusted as a structure which can replace | exchange the transparent conductive thin film 121 which has a different resistivity.

図４は、実際にエタロン素子１０のキャビティ長Ｌを０．５ｍｍ、１．５ｍｍとして生成したテラヘルツパルス列２の実際の測定結果である。ここで、点線は、紫外パルス光３によるプラズマ薄膜１１１が形成されていない状態での測定結果を、実線は、紫外パルス光３によるプラズマ薄膜１１１が形成されている状態での測定結果をそれぞれ示す。   FIG. 4 shows actual measurement results of the terahertz pulse train 2 actually generated with the cavity length L of the etalon element 10 being 0.5 mm and 1.5 mm. Here, the dotted line indicates the measurement result when the plasma thin film 111 is not formed by the ultraviolet pulsed light 3, and the solid line indicates the measurement result when the plasma thin film 111 is formed by the ultraviolet pulsed light 3. .

この結果より、プラズマ薄膜１１１が形成されていない状態では、テラヘルツパルス列２のパルス数は、３個程度で消失するが、紫外パルス光３によるプラズマ薄膜１１１が形成されている状態では、テラヘルツパルス列２のパルス数は、１０個程度に増えることが確認できた。これは、半導体結晶板１１が紫外パルス光３をスイッチングした光シャッターとして機能し、テラヘルツパルス光１のキャビティ内への閉じ込めに成功したことを示唆している。また、テラヘルツパルス列２のパルス間隔τは、エタロン素子１０のキャビティ長Ｌに応じた値となり、テラヘルツパルス列２のパルス間隔τの制御が可能となることを示している。   From this result, in the state where the plasma thin film 111 is not formed, the number of pulses of the terahertz pulse train 2 disappears at about 3, but in the state where the plasma thin film 111 by the ultraviolet pulse light 3 is formed, the terahertz pulse train 2 It was confirmed that the number of pulses increased to about 10. This suggests that the semiconductor crystal plate 11 functions as an optical shutter in which the ultraviolet pulsed light 3 is switched and the terahertz pulsed light 1 is successfully confined in the cavity. Further, the pulse interval τ of the terahertz pulse train 2 has a value corresponding to the cavity length L of the etalon element 10, indicating that the pulse interval τ of the terahertz pulse train 2 can be controlled.

さらに、図示していないが、透明導電性薄膜１２１として用いたＩＴＯ膜の抵抗率を、そのシート抵抗値が１５Ωから３００Ωとなるように変化させた場合、テラヘルツパルス列２のパルス数が減少した。これはＩＴＯ膜の抵抗率が低い場合には、表面が高濃度プラズマ化しておりテラヘルツ光の反射率が高いのに対して、抵抗値が高い場合には、テラヘルツ光をより透過してしまい、キャビティ内を往復する回数が減少することによると考えられる。   Further, although not shown, when the resistivity of the ITO film used as the transparent conductive thin film 121 was changed so that the sheet resistance value was changed from 15Ω to 300Ω, the number of pulses of the terahertz pulse train 2 decreased. This is because when the resistivity of the ITO film is low, the surface is in a high concentration plasma and the reflectance of the terahertz light is high, whereas when the resistance value is high, the terahertz light is more transmitted, This is considered to be due to a decrease in the number of times of reciprocating in the cavity.

半導体結晶板１１上に形成するプラズマ薄膜１１１の状態の最適化や、材料の更なる最適化によって半導体結晶板１１、透明導電性薄膜１２１の反射率を更に高めることができれば、更に質の高いテラヘルツパルス列２が実現されると考えられる。 If the reflectivity of the semiconductor crystal plate 11 and the transparent conductive thin film 121 can be further improved by optimizing the state of the plasma thin film 111 formed on the semiconductor crystal plate 11 and further optimizing the material, higher quality terahertz It is considered that the pulse train 2 is realized.

以上説明したように、本実施の形態によれば、半導体結晶板１１、及び透明導電性薄膜１２１が塗布されたガラス板１２からなるエタロン素子１０、紫外パルス光源３０を用いて、テラヘルツパルス列２を生成することができる。この際、半導体結晶板１１におけるプラズマ薄膜１１１のオン・オフを光シャッターとして用いることによって、テラヘルツパルス光１のテラヘルツパルス列２への変換効率を向上させることができる。前記の通り、このエタロン素子１０の構成は単純であり小型であるため、装置全体を小型化することができる。更に、エタロン素子１０のキャビティ長Ｌを調整することで、簡単にテラヘルツパルス列２のパルス間隔τを制御することができる。   As described above, according to the present embodiment, the terahertz pulse train 2 is generated using the etalon element 10 and the ultraviolet pulse light source 30 that are made of the semiconductor crystal plate 11 and the glass plate 12 coated with the transparent conductive thin film 121. Can be generated. At this time, by using on / off of the plasma thin film 111 in the semiconductor crystal plate 11 as an optical shutter, the conversion efficiency of the terahertz pulse light 1 into the terahertz pulse train 2 can be improved. As described above, since the configuration of the etalon element 10 is simple and small, the entire apparatus can be downsized. Further, the pulse interval τ of the terahertz pulse train 2 can be easily controlled by adjusting the cavity length L of the etalon element 10.

また、上記の構成においては、テラヘルツパルス光源２０から射出したテラヘルツパルス光１が、半導体結晶板１１に対して垂直に入射するように構成されている。この構成により、出射側反射板であるガラス板１２から抜け光４をレンズ等で集約することなく、テラヘルツ光のパルスが同一軸上に並ぶテラヘルツパルス列２を得ることができる。こうした構成も、装置全体の小型化に寄与している。   In the above configuration, the terahertz pulse light 1 emitted from the terahertz pulse light source 20 is configured to enter the semiconductor crystal plate 11 perpendicularly. With this configuration, it is possible to obtain the terahertz pulse train 2 in which the pulses of terahertz light are arranged on the same axis without converging the light 4 from the glass plate 12 that is the output-side reflecting plate with a lens or the like. Such a configuration also contributes to downsizing of the entire apparatus.

なお、上記の例では、テラヘルツパルス光からテラヘルツパルス列を生成する例について説明した。しかしながら、プラズマ薄膜を形成するための励起光の波長帯域及び強度と出力するパルス光の波長帯域とを大きく異ならせて上記のエタロン素子を形成できる場合には、同様の構成を他の波長帯域のパルス光に対しても適用することができる。この場合、半導体結晶板、ガラス板及び透明導電性薄膜の構成を適宜設定することによって、他の様々な波長帯域に対応させることができる。   In the above example, the example in which the terahertz pulse train is generated from the terahertz pulse light has been described. However, if the above-mentioned etalon element can be formed by making the wavelength band and intensity of the excitation light for forming the plasma thin film greatly different from the wavelength band of the pulsed light to be output, the same configuration can be applied to other wavelength bands. It can also be applied to pulsed light. In this case, it is possible to cope with various other wavelength bands by appropriately setting the configurations of the semiconductor crystal plate, the glass plate, and the transparent conductive thin film.

また、上記の例では、入射側反射板の反射率を、紫外パルス光によって制御していた。しかしながら、出力となるパルス列に悪影響を与えずに同様に入射側反射板の反射率を正確なタイミングで制御できる方法であれば、他の方法も用いることもでき、同様の効果を奏することは明らかである。この場合、特に入射側反射板、反射率変更手段は、そのメカニズムに応じて適宜設定される。   In the above example, the reflectance of the incident side reflection plate is controlled by the ultraviolet pulse light. However, any other method can be used as long as it can control the reflectance of the incident-side reflector at an accurate timing without adversely affecting the output pulse train, and it is clear that the same effect can be obtained. It is. In this case, in particular, the incident side reflector and the reflectance changing means are appropriately set according to the mechanism.

上記の構成においては、テラヘルツパルス光をパルス列化し、そのパルス間隔τ、すなわち繰り返し周波数が精密に制御される。このように繰り返し周波数が精密に制御されたテラヘルツパルス光のパルス列（テラヘルツ周波数コム）は、精密分光、通信技術等、様々な分野で利用することが可能である。このようなテラヘルツ周波数コムは従来は大規模な装置で形成されていたのに対し、上記の構成においては、単純な構成で小型の装置を用いてこれを生成することができる。この装置は、移動させることも容易であるため、特に産業上の様々な分野で利用することが可能である。   In the above configuration, the terahertz pulse light is converted into a pulse train, and the pulse interval τ, that is, the repetition frequency is precisely controlled. The pulse train (terahertz frequency comb) of the terahertz pulse light whose repetition frequency is precisely controlled as described above can be used in various fields such as precision spectroscopy and communication technology. Such a terahertz frequency comb has been conventionally formed with a large-scale device, whereas in the above configuration, it can be generated by using a small device with a simple configuration. Since this apparatus can be easily moved, it can be used in various industrial fields.

１ テラヘルツパルス光（パルス光）
２ テラヘルツパルス列（パルス列）
３ 紫外パルス光
４ 抜け光
１０ エタロン素子
１１ 半導体結晶板（入射側反射板）
１２ ガラス板（出射側反射板）
２０ テラヘルツパルス光源
３０ 紫外パルス光源（反射率変更手段）
４０ 入射タイミング制御部
５０ ビームスプリッタ
１００ パルス列生成装置
１１１ プラズマ薄膜
１２１ 透明導電性薄膜（出射側反射板） 1 Terahertz pulsed light (pulsed light)
2 Terahertz pulse train (pulse train)
3 Ultraviolet pulse light 4 Omission light 10 Etalon element 11 Semiconductor crystal plate (incident side reflector)
12 Glass plate (outgoing side reflector)
20 Terahertz pulse light source 30 Ultraviolet pulse light source (reflectance changing means)
40 Incident Timing Control Unit 50 Beam Splitter 100 Pulse Train Generation Device 111 Plasma Thin Film 121 Transparent Conductive Thin Film (Exit-Side Reflector)

Claims (6)

パルス光からパルス列を生成するパルス列生成装置であって、
入射側反射板及び出射側反射板からなるエタロン素子と、
前記入射側反射板に向けて前記パルス光を射出するパルス光射出手段と、
前記入射側反射板の前記パルス光に対する反射率を変更させる反射率変更手段と、
を具備することを特徴とするパルス列生成装置。 A pulse train generation device that generates a pulse train from pulsed light,
An etalon element comprising an incident side reflector and an exit side reflector;
Pulsed light emitting means for emitting the pulsed light toward the incident-side reflecting plate;
Reflectivity changing means for changing the reflectivity of the incident side reflector with respect to the pulsed light;
A pulse train generation device comprising: 前記反射率変更手段は、前記パルス光射出手段から射出された前記パルス光が前記入射側反射板を透過した後、前記出射側反射板によって反射された前記パルス光が前記入射側反射板に到達する前に、前記入射側反射板の前記パルス光に対する反射率を高く変更させることを特徴とする請求項１に記載のパルス列生成装置。   The reflectivity changing means is configured such that after the pulsed light emitted from the pulsed light emitting means passes through the incident-side reflecting plate, the pulsed light reflected by the emitting-side reflecting plate reaches the incident-side reflecting plate. 2. The pulse train generation device according to claim 1, wherein a reflectance of the incident-side reflecting plate with respect to the pulsed light is changed to be high before performing. 前記入射側反射板は、半導体結晶板であるとともに、
前記出射側反射板は、透明導電性薄膜が塗布されたガラス板であり、
前記反射率変更手段は、前記半導体結晶板中に電子正孔対を生成することで前記入射側反射板の反射率を変更させることを特徴とする請求項２に記載のパルス列生成装置。 The incident side reflector is a semiconductor crystal plate,
The emission side reflection plate is a glass plate coated with a transparent conductive thin film,
3. The pulse train generation device according to claim 2, wherein the reflectance changing unit changes the reflectance of the incident-side reflecting plate by generating an electron-hole pair in the semiconductor crystal plate. 前記半導体結晶板はシリコンで構成されたことを特徴とする請求項３に記載のパルス列生成装置。   4. The pulse train generating device according to claim 3, wherein the semiconductor crystal plate is made of silicon. 前記パルス光射出手段から射出された前記パルス光が前記入射側反射板に対して垂直に入射する構成とされたことを特徴とする請求項１から請求項４までのいずれか１項に記載のパルス列生成装置。   5. The structure according to claim 1, wherein the pulsed light emitted from the pulsed light emitting unit is configured to be perpendicularly incident on the incident-side reflecting plate. 6. Pulse train generator. パルス光からパルス列を生成するパルス列生成方法であって、
入射側反射板及び出射側反射板からなるエタロン素子を用い、
前記入射側反射板の側から前記パルス光を入射させ、
前記パルス光が前記入射側反射板を透過した後、前記出射側反射板によって反射した前記パルス光が前記入射側反射板に到達する前に、前記入射側反射板の前記パルス光に対する反射率を高く変更することを特徴とするパルス列生成方法。 A pulse train generation method for generating a pulse train from pulsed light,
Using an etalon element consisting of an entrance-side reflector and an exit-side reflector,
The pulsed light is incident from the incident-side reflecting plate side,
After the pulsed light passes through the incident-side reflecting plate, the reflectance of the incident-side reflecting plate with respect to the pulsed light is reduced before the pulsed light reflected by the emitting-side reflecting plate reaches the incident-side reflecting plate. A pulse train generation method characterized in that the pulse train is highly changed.
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Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6467043A (en) * 1987-09-08 1989-03-13 Nippon Telegraph & Telephone Generating device for very high speed light pulse train
JPH03185429A (en) * 1989-12-15 1991-08-13 Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> Optical oscillator
JP2009058875A (en) * 2007-09-03 2009-03-19 National Institute Of Information & Communication Technology Optical filter
JP2010267897A (en) * 2009-05-18 2010-11-25 Institute Of Physical & Chemical Research Electromagnetic wave generating device, and electromagnetic wave generating method
JP2012033771A (en) * 2010-07-30 2012-02-16 Canon Inc Light source device and imaging apparatus using the same

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6467043A (en) * 1987-09-08 1989-03-13 Nippon Telegraph & Telephone Generating device for very high speed light pulse train
JPH03185429A (en) * 1989-12-15 1991-08-13 Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> Optical oscillator
JP2009058875A (en) * 2007-09-03 2009-03-19 National Institute Of Information & Communication Technology Optical filter
JP2010267897A (en) * 2009-05-18 2010-11-25 Institute Of Physical & Chemical Research Electromagnetic wave generating device, and electromagnetic wave generating method
JP2012033771A (en) * 2010-07-30 2012-02-16 Canon Inc Light source device and imaging apparatus using the same

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
JPN6016002409; Ｎｅｗ　Ｊｏｕｒｎａｌ　ｏｆ　Ｐｈｙｓｉｃｓ １０, 20080306, ０３３０１２-１　-　０３３０１２-６ *

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