JP2013239794A - Phase shifter - Google Patents
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Abstract
Description
本発明は、アンテナ素子から送信される高周波信号の位相を変化させる移相器に関する。 The present invention relates to a phase shifter that changes the phase of a high-frequency signal transmitted from an antenna element.
従来、アンテナ素子から送信される高周波信号の位相を変化させる移相器が知られている（例えば、特許文献１参照）。 Conventionally, a phase shifter that changes the phase of a high-frequency signal transmitted from an antenna element is known (see, for example, Patent Document 1).
特許文献１に記載の移相器は、誘電体基板と、誘電体基板に設けられた入力側線路と、同じく誘電体基板に設けられた円弧状の出力側線路と、誘電体基板に対して回転可能な可動誘電体基板と、可動誘電体基板に設けられた可動導体とを備えている。可動導体は、出力側導体に結合する円弧状結合部、及び入力側導体に結合する円形状結合部を有し、可動誘電体基板の回転に伴って円弧状結合部が出力側線路に沿って移動するように構成されている。そして、可動導体が出力側線路に沿って移動することにより入力ポートから出力ポートまでの線路長が変化し、これにより出力ポートから出力される信号の位相が変化する。 A phase shifter described in Patent Document 1 is provided for a dielectric substrate, an input side line provided on the dielectric substrate, an arc-shaped output side line provided on the dielectric substrate, and a dielectric substrate. A rotatable dielectric substrate and a movable conductor provided on the movable dielectric substrate are provided. The movable conductor has an arc-shaped coupling portion coupled to the output-side conductor and a circular coupling portion coupled to the input-side conductor, and the arc-shaped coupling portion along the output-side line as the movable dielectric substrate rotates. Is configured to move. Then, when the movable conductor moves along the output side line, the line length from the input port to the output port changes, and thereby the phase of the signal output from the output port changes.
上記のように構成された移相器は、可動誘電体基板の回転によって出力ポートから出力される信号の位相が変化しても、出力ポートに接続されるアンテナ素子から放射される電波の放射特性は変化しないことが望ましい。しかし、可動誘電体基板の回転によって可動導体と入力側線路との間隔が変化すること等に起因して、電圧定在波比（ＶＳＷＲ）が変化し、電力変換効率が低下してしまうことがある。 The phase shifter configured as described above has the radiation characteristics of the radio wave radiated from the antenna element connected to the output port even if the phase of the signal output from the output port changes due to the rotation of the movable dielectric substrate. Should not change. However, the voltage standing wave ratio (VSWR) changes due to the change in the distance between the movable conductor and the input side line due to the rotation of the movable dielectric substrate, and the power conversion efficiency may decrease. is there.
この電圧定在波比の変化は、例えば可動誘電体基板の回転角度を、円弧状結合部と入力側線路との間隔が十分に確保される角度範囲に制限することによって抑制することができるが、この場合には、所望の移相量を得るために出力側線路の円弧半径を大きくする必要があるため、移相器が大型化してしまう。 This change in the voltage standing wave ratio can be suppressed, for example, by limiting the rotation angle of the movable dielectric substrate to an angle range in which the distance between the arcuate coupling portion and the input side line is sufficiently secured. In this case, since it is necessary to increase the arc radius of the output side line in order to obtain a desired amount of phase shift, the phase shifter becomes large.
そこで、本発明は、大型化を抑制しながら、位相の変化に伴ってアンテナ素子から放射される電波の電圧定在波比が変化することを抑制できる移相器を提供することを目的とする。 Therefore, an object of the present invention is to provide a phase shifter capable of suppressing a change in voltage standing wave ratio of a radio wave radiated from an antenna element with a phase change while suppressing an increase in size. .
本発明は、上記課題を解決することを目的として、第１の誘電体基板と、前記第１の誘電体基板に設けられ、高周波信号が入力される第１の導体と、前記第１の誘電体基板に前記第１の導体と分離して設けられ、前記高周波信号をアンテナ素子に出力する第２の導体と、前記第１の誘電体基板に対して相対移動可能な第２の誘電体基板と、前記第２の誘電体基板に設けられ、前記第１の導体と前記第２の導体とを電気的に結合させる第３の導体と、前記第２の誘電体基板に前記第３の導体と分離して設けられた第４の導体とを備え、前記第４の導体は、前記第３の導体と容量結合し、かつ前記第１の誘電体基板と前記第２の誘電体基板との相対移動に伴う前記アンテナ素子の電圧定在波比の変動が抑制される位置に設けられた移相器を提供する。 In order to solve the above problems, the present invention provides a first dielectric substrate, a first conductor provided on the first dielectric substrate, to which a high-frequency signal is input, and the first dielectric substrate. A second conductor that is provided on the body substrate separately from the first conductor and that outputs the high-frequency signal to the antenna element; and a second dielectric substrate that is movable relative to the first dielectric substrate A third conductor provided on the second dielectric substrate for electrically coupling the first conductor and the second conductor; and the third conductor on the second dielectric substrate. A fourth conductor provided separately from the first conductor, wherein the fourth conductor is capacitively coupled to the third conductor, and the first dielectric substrate and the second dielectric substrate Provided is a phase shifter provided at a position where fluctuations in the voltage standing wave ratio of the antenna element due to relative movement are suppressed. .
また、前記第４の導体は、前記第１の誘電体基板と前記第２の誘電体基板との相対移動に伴って、前記第１の導体に誘電体を介して重なる面積が変化するとよい。 The area of the fourth conductor overlapping the first conductor via the dielectric may be changed in accordance with the relative movement between the first dielectric substrate and the second dielectric substrate.
また、前記第２の導体は、前記第１の誘電体基板に円弧状に設けられた円弧部を有し、前記第２の誘電体基板は、前記第２の導体の前記円弧部の円弧中心を中心として前記第１の誘電体基板と相対回転可能であり、前記第４の導体は、前記第２の誘電体基板の回転方向における前記第３の導体の一側に設けられているとよい。 Further, the second conductor has an arc portion provided in an arc shape on the first dielectric substrate, and the second dielectric substrate is an arc center of the arc portion of the second conductor. The fourth conductor may be provided on one side of the third conductor in the rotation direction of the second dielectric substrate. .
本発明に係る移相器によれば、位相の変化に伴ってアンテナ素子から放射される電波の電圧定在波比が変化することを抑制できる。 According to the phase shifter according to the present invention, it is possible to suppress a change in the voltage standing wave ratio of the radio wave radiated from the antenna element with a change in phase.
［実施の形態］
図１は、本発明の実施の形態に係る移相器を示す分解斜視図である。図２は、この移相器の平面図である。
[Embodiment]
FIG. 1 is an exploded perspective view showing a phase shifter according to an embodiment of the present invention. FIG. 2 is a plan view of this phase shifter.
移相器１は、第１の誘電体基板としての固定基板１０と、第２の誘電体基板としての可動基板２０と、固定基板１０と可動基板２０との間に配置された薄板状の誘電体シート３０とを有している。固定基板１０、可動基板２０、及び誘電体シート３０には、それぞれを厚さ方向に貫通し、中心軸Ｃを共有する貫通孔１００ａ，２００ａ，３００ａが形成されている。貫通孔１００ａ，２００ａ，３００ａには、ボルト４０が挿通され、このボルト４０にナット４１が螺合している。これにより、可動基板２０は、貫通孔２００ａを中心として固定基板１０に対して回転可能である。すなわち、可動基板２０は、固定基板１０に対して相対移動可能である。
The phase shifter 1 includes a
固定基板１０は、例えばガラスエポキシやＰＴＦＥ（ポリテトラフルオロエチレン）等の板状の誘電体からなる。本実施の形態では、固定基板１０が長方形状に形成されている。固定基板１０の第１及び第２の主面１０ａ，１０ｂのうち、第１の主面１０ａには、後述する入力導体１１及び第１〜第３の出力導体１２１〜１２３が形成されている。また、第２の主面１０ｂには、銅箔等の導電体からなる接地層１０１が形成されている。なお、図１では、説明のため、固定基板１０に対する接地層１０１等の厚みを誇張して表している。
The
固定基板１０の長手方向に対向する両端部には、コネクタ１３０〜１３７が配置されている。コネクタ１３０，１３２，１３４，１３６は、固定基板１０の一方の短辺に沿って配置され、コネクタ１３１，１３１，１３３，１３５は、固定基板１０の他方の短辺に沿って配置されている。コネクタ１３０〜１３７は、中心導体と、この中心導体を囲むように設けられた筒状導体とを有する同軸コネクタであり、筒状導体は接地層１０１に接続されている。
固定基板１０の第１の主面１０ａには、送信回路５０（図２に示す）から高周波信号が入力される入力導体１１と、入力導体１１と分離して設けられた第１〜第３の出力導体１２１〜１２３とが設けられている。入力導体１１及び第１〜第３の出力導体１２１〜１２３は、銅等の導電体からなり、例えば第１の主面１０ａに積層された銅箔をエッチングすることにより形成されている。入力導体１１は、本発明の第１の導体の一例であり、第１〜第３の出力導体１２１〜１２３は、本発明の第２の導体の一例である。
An
入力導体１１は、固定基板１０をその長手方向に沿って横断するように、直線状に形成されている。入力導体１１は、固定基板１０の貫通孔１００ａの周囲に形成された結合部１１ａと、結合部１１ａとコネクタ１３０との間に形成された第１直線部１１ｂと、結合部１１ａとコネクタ１３１との間に形成された第２直線部１１ｃとを一体に有している。第１直線部１１ｂは、コネクタ１３０の中心導体に、第２直線部１１ｃは、コネクタ１３１の中心導体に、それぞれ接続されている。
The
第１の出力導体１２１は、貫通孔１００ａの中心軸Ｃを中心として円弧状に形成された円弧部１２１ａと、円弧部１２１ａの一方の端部とコネクタ１３２との間に形成された第１直線部１２１ｂと、円弧部１２１ａの他方の端部とコネクタ１３３との間に形成された第２直線部１２１ｃとを一体に有している。第１直線部１２１ｂは、コネクタ１３２の中心導体に、第２直線部１２１ｃは、コネクタ１３３の中心導体に、それぞれ接続されている。
The
同様に、第２の出力導体１２２は、貫通孔１００ａの中心軸Ｃを中心として円弧状に形成された円弧部１２２ａと、円弧部１２２ａの一方の端部とコネクタ１３４との間に形成された第１直線部１２２ｂと、円弧部１２２ａの他方の端部とコネクタ１３５との間に形成された第２直線部１２２ｃとを一体に有している。第１直線部１２２ｂは、コネクタ１３４の中心導体に、第２直線部１２２ｃは、コネクタ１３５の中心導体に、それぞれ接続されている。
Similarly, the
また同様に、第３の出力導体１２３は、貫通孔１００ａの中心軸Ｃを中心として円弧状に形成された円弧部１２３ａと、円弧部１２３ａの一方の端部とコネクタ１３６との間に形成された第１直線部１２３ｂと、円弧部１２３ａの他方の端部とコネクタ１３７との間に形成された第２直線部１２３ｃとを一体に有している。第１直線部１２３ｂは、コネクタ１３６の中心導体に、第２直線部１２３ｃは、コネクタ１３７の中心導体に、それぞれ接続されている。
Similarly, the
第２の出力導体１２２の円弧部１２２ａの曲率半径は、第１の出力導体１２１の円弧部１２１ａの曲率半径よりも大きく形成されている。また、第３の出力導体１２３の円弧部１２３ａの曲率半径は、第２の出力導体１２２の円弧部１２２ａの曲率半径よりも大きく形成されている。つまり、第２の出力導体１２２の円弧部１２２ａは、第１の出力導体１２１の円弧部１２１ａの外周側に形成され、第３の出力導体１２３の円弧部１２３ａは、第２の出力導体１２２の円弧部１２２ａの外周側に形成されている。
The radius of curvature of the
コネクタ１３０には、送信回路５０から高周波信号が入力される。コネクタ１３１〜１３７には、そのそれぞれにアンテナ素子６０（図２に示す）が接続される。すなわち、入力導体１１の第１直線部１１ｂは入力線路として機能し、入力導体１１の第２直線部１１ｃ及び第１〜第３の出力導体１２１〜１２３は出力線路として機能する。コネクタ１３１〜１３７に接続される複数（７つ）のアンテナ素子６０は、アレイアンテナ６を構成する。
A high frequency signal is input to the
可動基板２０は、例えばガラスエポキシやＰＴＦＥ（ポリテトラフルオロエチレン）等の板状の誘電体からなる。可動基板２０には、入力導体１１と第１〜第３の出力導体１２１〜１２３とを電気的に結合させる結合導体２００が設けられている。結合導体２００は、第１及び第２の主面２０ａ，２０ｂのうち、固定基板１０の第１の主面１０ａに対向する第２の主面２０ｂに設けられている。結合導体２００は、本発明の第３の導体の一例である。
The
結合導体２００は、入力導体１１の結合部１１ａに対向して貫通孔２００ａの周囲に形成された結合部２１０と、第１〜第３の出力導体１２１〜１２３の円弧部１２１ａ，１２２ａ，１２３ａに対向する円弧状結合部２１１，２２１，２３１と、結合部２１０と円弧状結合部２１１，２２１，２３１とを連結する第１連結部２１２，２２２，２３２及び第２連結部２１３，２２３，２３３とを一体に有している。
The
円弧状結合部２１１は、貫通孔２００ａの中心軸Ｃを中心とする円弧状であり、第１の出力導体１２１の円弧部１２１ａに対応する曲率半径を有し、誘電体シート３０を介して第１の出力導体１２１の円弧部１２１ａに対向して第１の出力導体１２１に電気的に結合する。
The arc-shaped coupling portion 211 has an arc shape centered on the central axis C of the through-
同様に、円弧状結合部２２１は、貫通孔２００ａの中心軸Ｃを中心とする円弧状であり、第２の出力導体１２２の円弧部１２２ａに対応する曲率半径を有し、誘電体シート３０を介して第２の出力導体１２２の円弧部１２２ａに対向して第２の出力導体１２２に電気的に結合する。
Similarly, the arc-shaped
また同様に、円弧状結合部２３１は、貫通孔２００ａの中心軸Ｃを中心とする円弧状であり、第３の出力導体１２３の円弧部１２３ａに対応する曲率半径を有し、誘電体シート３０を介して第３の出力導体１２３の円弧部１２３ａに対向して第３の出力導体１２３に電気的に結合する。
Similarly, the arc-shaped
第１連結部２１２は、結合部２１０と円弧状結合部２１１の一端との間に形成され、第２連結部２１３は、結合部２１０と円弧状結合部２１１の他端との間に形成されている。
The first connecting
また、第１連結部２２２は、円弧状結合部２１１と円弧状結合部２２１の一端との間に形成され、第２連結部２２３は、円弧状結合部２１１と円弧状結合部２２１の他端との間に形成されている。同様に、第１連結部２３２は、円弧状結合部２２１と円弧状結合部２３１の一端との間に形成され、第２連結部２３３は、円弧状結合部２２１と円弧状結合部２３１の他端との間に形成されている。
The first connecting
第１連結部２１２，２２２，２３２の幅（貫通孔２００ａの中心軸Ｃに対する周方向の幅）は、第２連結部２１３，２２３，２３３の幅よりも太く形成されている。
The widths of the first connecting
また、可動基板２０には、浮遊スタブ２０１が第２の主面２０ｂに設けられている。浮遊スタブ２０１は、結合導体２００と分離して、可動基板２０の回転方向における結合導体２００の一側に設けられている。本実施の形態では、浮遊スタブ２０１が、結合導体２００の第２連結部２１３の一側（第１連結部２１２とは反対側）に、第２連結部２１３との間に所定の間隔をあけて形成されている。これにより、浮遊スタブ２０１は、入力導体１１に入力される高周波信号の周波数帯域において、可動基板２０と容量結合する。
The
結合導体２００及び浮遊スタブ２０１は、銅等の導電体からなり、例えば可動基板２０の第２の主面２０ｂに積層された銅箔をエッチングすることにより形成されている。
The
誘電体シート３０は、例えば超高分子量ポリエチレン、ＰＴＦＥ、ＦＥＰ（テトラフルオロエチレン・ヘキサフルオロプロピレン共重合体）、又はポリエステル等の誘電体からなり、少なくとも可動基板２０の可動範囲をカバーするように、固定基板１０の第１の主面１０ａ側に配置されている。本実施の形態では、誘電体シート３０が、固定基板１０の第１の主面１０ａのほぼ全体を覆うように配置されている。
The
上記のように構成された移相器１は、可動基板２０が固定基板１０に対して回転することにより、高周波信号が入力されるコネクタ１３０からコネクタ１３２〜１３７までの信号伝搬の経路長が変化する。つまり、可動基板２０が図２に示す位置（円弧状結合部２２１，２２１，２３１が円弧部１２１ａ，１２２ａ，１２３ａの中央部にある位置。以下、この位置を「中立位置」という。）から右側（時計回り）に回転すると、コネクタ１３０からコネクタ１３２，１３４，１３６までの経路長が短くなる一方、コネクタ１３０からコネクタ１３３，１３５，１３７までの経路長が長くなる。また、可動基板２０が中立位置から左側（反時計回り）に回転すると、コネクタ１３０からコネクタ１３２，１３４，１３６までの経路長が長くなる一方、コネクタ１３０からコネクタ１３３，１３５，１３７までの経路長が短くなる。
In the phase shifter 1 configured as described above, the path length of signal propagation from the
なお、可動基板２０は、貫通孔２００ａの中心軸Ｃを中心として、すなわち第１〜第３の出力導体１２１〜１２３の円弧部１２１ａ，１２２ａ，１２３ａの円弧中心を中心として固定基板１０と相対回転するので、可動基板２０が固定基板１０に対して回転しても、円弧状結合部２１１，２２１，２３１と円弧部１２１ａ，１２２ａ，１２３ａとの電気的な結合状態が維持される。
The
これにより、可動基板２０の回転に伴ってコネクタ１３１〜１３７に接続された各アンテナ素子６０から放射される電波の位相差が変化し、これらのアンテナ素子６０から構成されるアレイアンテナ６の指向性が変化する。つまり、可動基板２０を回転させることにより、アレイアンテナ６の指向性を調節することが可能となる。
Thereby, the phase difference of the radio wave radiated from each antenna element 60 connected to the
図３は、浮遊スタブ２０１及びその周辺部を示す拡大図であり、（ａ）は可動基板２０が中立位置にある状態を、（ｂ）は可動基板２０が中立位置から矢印Ａに示す方向（反時計回り）に３０°回転した状態を、（ｃ）は可動基板２０が中立位置から矢印Ｂに示す方向（時計回り）に３０°回転した状態を、それぞれ示す。
3A and 3B are enlarged views showing the floating
図３（ａ）及び（ｂ）に示す状態では、浮遊スタブ２０１と入力導体１１（第１直線部１１ｂ）との距離が離れており、浮遊スタブ２０１と入力導体１１とが容量結合しない。これにより、浮遊スタブ２０１は、実質的にアンテナ素子６０からの放射特性に影響を与えない。
In the state shown in FIGS. 3A and 3B, the distance between the floating
一方、図３（ｃ）に示す状態では、浮遊スタブ２０１が入力導体１１（第１直線部１１ｂ）に誘電体シート３０を介して重なり、浮遊スタブ２０１と入力導体１１とが容量結合する。これにより、浮遊スタブ２０１がアンテナ素子６０からの放射特性に影響を与えることとなる。浮遊スタブ２０１が入力導体１１と重なる面積は、可動基板２０の固定基板１０に対する回転（相対移動）に伴って変化する。つまり、可動基板２０の回転に伴って、浮遊スタブ２０１と入力導体１１との静電容量が変化する。
On the other hand, in the state shown in FIG. 3C, the floating
図４は、図１〜３に示す移相器１における浮遊スタブ２０１を有しない比較例としての移相器において、周波数帯域を１．８〜２．２ＧＨｚとした場合のＶＳＷＲ（Voltage Standing Wave Ratio：電圧定在波比）、及びスミスチャートを示す。この比較例に係る移相器は、浮遊スタブ２０１を有しない他は、本実施の形態に係る移相器１と同様に構成されている。
FIG. 4 shows a VSWR (Voltage Standing Wave Ratio) when the frequency band is 1.8 to 2.2 GHz in the phase shifter as a comparative example that does not have the floating
図５は、本実施の形態に係る移相器１において、周波数帯域を１．８〜２．２ＧＨｚとした場合のＶＳＷＲ（Voltage Standing Wave Ratio：電圧定在波比）、及びスミスチャートを示す。 FIG. 5 shows a VSWR (Voltage Standing Wave Ratio) and Smith chart when the frequency band is 1.8 to 2.2 GHz in the phase shifter 1 according to the present embodiment.
図４，５において、（ａ）及び（ｂ）は、可動基板２０が中立位置から図３に示す矢印Ａ方向に３０°回転したときのＶＳＷＲ特性を示すグラフ及びスミスチャートであり、（ｃ）及び（ｄ）は、可動基板２０の中立位置におけるＶＳＷＲ特性を示すグラフ及びスミスチャートである。また、図４，５において、（ｅ）及び（ｆ）は、可動基板２０が中立位置から図３に示す矢印Ｂ方向に２０°回転したときのＶＳＷＲ特性を示すグラフ及びスミスチャートであり、（ｇ）及び（ｈ）は、可動基板２０が中立位置から図３に示す矢印Ｂ方向に３０°回転したときのＶＳＷＲ特性を示すグラフ及びスミスチャートである。
4 and 5, (a) and (b) are a graph and a Smith chart showing the VSWR characteristics when the
図４に示すように、浮遊スタブ２０１がない場合には、可動基板２０が矢印Ｂ方向に２０°又は３０°回転したときに、特に２．２ＧＨｚ付近の周波数においてＶＳＷＲが高くなると共に、スミスチャートが実数軸（横軸）の左寄り（マイナス側）に偏ってしまう。このことは、アンテナ素子６０における電力変換効率の低下を示している。この傾向は、可動基板２０が矢印Ｂ方向に３０°回転したときに、特に顕著に表れている。
As shown in FIG. 4, in the absence of the floating
これに対し、本実施の形態に係る移相器１では、可動基板２０が矢印Ｂ方向に２０°又は３０°回転したときのＶＳＷＲの上昇及びスミスチャートの偏りが改善され、可動基板２０が中立位置にある場合との比較において、ＶＳＷＲの変動及びスミスチャートに示される特性の変化が抑制されている。つまり、本実施の形態では、固定基板１０と可動基板２０との相対回転に伴うＶＳＷＲの変動が抑制される位置に浮遊スタブ２０１が設けられている。
In contrast, in the phase shifter 1 according to the present embodiment, when the
より具体的には、比較例に係る移相器では、可動基板２０が中立位置から図３に示す矢印Ｂ方向に２０°回転したときの２．２ＧＨｚにおけるＶＳＷＲが１．２３、同じく３０°回転したときの２．２ＧＨｚにおけるＶＳＷＲが１．２８であるのに対し、本実施の形態に係る移相器１では、可動基板２０が中立位置から図３に示す矢印Ｂ方向に２０°及び３０°回転したときの２．２ＧＨｚにおけるＶＳＷＲが共に１．１９である。
More specifically, in the phase shifter according to the comparative example, the VSWR at 2.2 GHz is 1.23 when the
このように、本実施の形態によれば、位相の変化に伴ってアンテナ素子６０から放射される電波の電圧定在波比が変化することを抑制できる。また、浮遊スタブ２０１は、可動基板２０の回転方向における結合導体２００の一側に設けられるので、移相器１の大型化を招来することなく、浮遊スタブ２０１による特性改善効果を得ることができる。またさらに、浮遊スタブ２０１は、可動基板２０の回転に伴って入力導体１１と重なる面積が変化するので、浮遊スタブ２０１が入力導体１１と重ならない場合に比較して、より確実に浮遊スタブ２０１による特性改善効果を得ることができる。
Thus, according to the present embodiment, it is possible to suppress a change in the voltage standing wave ratio of the radio wave radiated from the antenna element 60 in accordance with the change in phase. In addition, since the floating
以上、本発明の実施の形態を説明したが、上記に記載した実施の形態は特許請求の範囲に係る発明を限定するものではない。また、実施の形態の中で説明した特徴の組合せの全てが発明の課題を解決するための手段に必須であるとは限らない点に留意すべきである。 While the embodiments of the present invention have been described above, the embodiments described above do not limit the invention according to the claims. In addition, it should be noted that not all the combinations of features described in the embodiments are essential to the means for solving the problems of the invention.
また、本発明は、上記実施の形態に限定されず、その趣旨を逸脱しない範囲で適宜変形して実施することが可能である。例えば、上記実施の形態では、固定基板１０に入力導体１１及び第１〜第３の出力導体１２１〜１２３が設けられた場合について説明したが、これに限らず、例えば入力導体１１及び第１の出力導体１２１のみが固定基板１０に設けられていてもよい。結合導体２００の形状も、図１〜図３に例示したものに限らない。
The present invention is not limited to the above-described embodiment, and can be implemented with appropriate modifications without departing from the spirit thereof. For example, in the above-described embodiment, the case where the
また、上記実施の形態では、可動基板２０と固定基板１０とが貫通孔１００ａ，２００ａの中心軸Ｃを中心として相対回転する場合について説明したが、これに限らず、可動基板と固定基板とが平行移動する構成の移相器に本発明を適用することも可能である。この場合、入力導体と出力導体とが固定基板上に並んで配置され、入力導体と出力導体とを電気的に結合する結合導体を有する可動基板が、入力導体及び出力導体の延伸方向に沿って移動することにより、出力導体の両端部からアンテナ素子に出力される信号の位相差が変化する。また、この場合、浮遊スタブは、可動基板の移動に伴って入力導体に誘電体を介して重なる面積が変化することにより、可動基板の移動に伴うＶＳＷＲの変動が抑制される可動基板上の位置に設けられる。
Moreover, although the said embodiment demonstrated the case where the
１…移相器、６…アレイアンテナ、１０…固定基板（第１の誘電体基板）、１０ａ…第１の主面、１０ｂ…第２の主面、１１…入力導体（第１の導体）、１１ａ…結合部、１１ｂ…第１直線部、１１ｃ…第２直線部、２０…可動基板（第２の誘電体基板）、２０ａ…第１の主面、２０ｂ…第２の主面、３０…誘電体シート、４０…ボルト、４１…ナット、５０…送信回路、６０…アンテナ素子、１００ａ…貫通孔、１０１…接地層、１２１〜１２３…第１〜第３の出力導体（第２の導体）、１２１ａ，１２２ａ，１２３ａ…円弧部、１２１ｂ，１２２ｂ，１２３ｂ…第１直線部、１２１ｃ，１２２ｃ，１２３ｃ…第２直線部、１３０〜１３７…コネクタ、２００…結合導体（第３の導体）、２００ａ…貫通孔、２０１…浮遊スタブ（第４の導体）、２１０…結合部、２１１，２２１，２３１…円弧状結合部、２１２，２２２，２３２…第１連結部、２１３，２２３，２３３…第２連結部 DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 ... Phase shifter, 6 ... Array antenna, 10 ... Fixed board | substrate (1st dielectric board | substrate), 10a ... 1st main surface, 10b ... 2nd main surface, 11 ... Input conductor (1st conductor) , 11a ... coupling portion, 11b ... first straight portion, 11c ... second straight portion, 20 ... movable substrate (second dielectric substrate), 20a ... first main surface, 20b ... second main surface, 30 ... Dielectric sheet, 40 ... bolt, 41 ... nut, 50 ... transmission circuit, 60 ... antenna element, 100a ... through hole, 101 ... ground layer, 121-123 ... first to third output conductors (second conductor) ), 121a, 122a, 123a ... arc portion, 121b, 122b, 123b ... first straight portion, 121c, 122c, 123c ... second straight portion, 130-137 ... connector, 200 ... coupling conductor (third conductor), 200a ... through hole, 201 ... floating stub (fourth guide ), 210 ... coupling portion, 211, 221, 231 ... arcuate coupling section, 212, 222, 232 ... first connecting portion, 213, 223 and 233 ... second connecting portion
Claims (3)
前記第１の誘電体基板に設けられ、高周波信号が入力される第１の導体と、
前記第１の誘電体基板に前記第１の導体と分離して設けられ、前記高周波信号をアンテナ素子に出力する第２の導体と、
前記第１の誘電体基板に対して相対移動可能な第２の誘電体基板と、
前記第２の誘電体基板に設けられ、前記第１の導体と前記第２の導体とを電気的に結合させる第３の導体と、
前記第２の誘電体基板に前記第３の導体と分離して設けられた第４の導体とを備え、
前記第４の導体は、前記第３の導体と容量結合し、かつ前記第１の誘電体基板と前記第２の誘電体基板との相対移動に伴う前記アンテナ素子の電圧定在波比の変動が抑制される位置に設けられた
移相器。 A first dielectric substrate;
A first conductor provided on the first dielectric substrate and receiving a high-frequency signal;
A second conductor provided separately from the first conductor on the first dielectric substrate and outputting the high-frequency signal to an antenna element;
A second dielectric substrate movable relative to the first dielectric substrate;
A third conductor provided on the second dielectric substrate and electrically coupling the first conductor and the second conductor;
A fourth conductor provided separately from the third conductor on the second dielectric substrate;
The fourth conductor is capacitively coupled with the third conductor, and the voltage standing wave ratio of the antenna element varies with relative movement between the first dielectric substrate and the second dielectric substrate. A phase shifter provided at a position where the pressure is suppressed.
請求項１に記載の移相器。 The area where the fourth conductor overlaps the first conductor via the dielectric changes with relative movement between the first dielectric substrate and the second dielectric substrate. The phase shifter described.
前記第２の誘電体基板は、前記第２の導体の前記円弧部の円弧中心を中心として前記第１の誘電体基板と相対回転可能であり、
前記第４の導体は、前記第２の誘電体基板の回転方向における前記第３の導体の一側に設けられている。
請求項１又は２に記載の移相器。
The second conductor has an arc portion provided in an arc shape on the first dielectric substrate,
The second dielectric substrate is rotatable relative to the first dielectric substrate around an arc center of the arc portion of the second conductor;
The fourth conductor is provided on one side of the third conductor in the rotation direction of the second dielectric substrate.
The phase shifter according to claim 1 or 2.
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