JP2013234385A - 銅およびモリブデンを含む多層膜のエッチングに使用される液体組成物、およびそれを用いたエッチング方法 - Google Patents
銅およびモリブデンを含む多層膜のエッチングに使用される液体組成物、およびそれを用いたエッチング方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2013234385A JP2013234385A JP2013076295A JP2013076295A JP2013234385A JP 2013234385 A JP2013234385 A JP 2013234385A JP 2013076295 A JP2013076295 A JP 2013076295A JP 2013076295 A JP2013076295 A JP 2013076295A JP 2013234385 A JP2013234385 A JP 2013234385A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- liquid composition
- copper
- molybdenum
- etching
- multilayer film
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
- C09K13/00—Etching, surface-brightening or pickling compositions
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23F—NON-MECHANICAL REMOVAL OF METALLIC MATERIAL FROM SURFACE; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL; MULTI-STEP PROCESSES FOR SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL INVOLVING AT LEAST ONE PROCESS PROVIDED FOR IN CLASS C23 AND AT LEAST ONE PROCESS COVERED BY SUBCLASS C21D OR C22F OR CLASS C25
- C23F1/00—Etching metallic material by chemical means
- C23F1/10—Etching compositions
- C23F1/14—Aqueous compositions
- C23F1/16—Acidic compositions
- C23F1/18—Acidic compositions for etching copper or alloys thereof
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23F—NON-MECHANICAL REMOVAL OF METALLIC MATERIAL FROM SURFACE; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL; MULTI-STEP PROCESSES FOR SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL INVOLVING AT LEAST ONE PROCESS PROVIDED FOR IN CLASS C23 AND AT LEAST ONE PROCESS COVERED BY SUBCLASS C21D OR C22F OR CLASS C25
- C23F1/00—Etching metallic material by chemical means
- C23F1/10—Etching compositions
- C23F1/14—Aqueous compositions
- C23F1/16—Acidic compositions
- C23F1/26—Acidic compositions for etching refractory metals
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23F—NON-MECHANICAL REMOVAL OF METALLIC MATERIAL FROM SURFACE; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL; MULTI-STEP PROCESSES FOR SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL INVOLVING AT LEAST ONE PROCESS PROVIDED FOR IN CLASS C23 AND AT LEAST ONE PROCESS COVERED BY SUBCLASS C21D OR C22F OR CLASS C25
- C23F1/00—Etching metallic material by chemical means
- C23F1/10—Etching compositions
- C23F1/14—Aqueous compositions
- C23F1/32—Alkaline compositions
- C23F1/34—Alkaline compositions for etching copper or alloys thereof
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23F—NON-MECHANICAL REMOVAL OF METALLIC MATERIAL FROM SURFACE; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL; MULTI-STEP PROCESSES FOR SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL INVOLVING AT LEAST ONE PROCESS PROVIDED FOR IN CLASS C23 AND AT LEAST ONE PROCESS COVERED BY SUBCLASS C21D OR C22F OR CLASS C25
- C23F1/00—Etching metallic material by chemical means
- C23F1/10—Etching compositions
- C23F1/14—Aqueous compositions
- C23F1/32—Alkaline compositions
- C23F1/38—Alkaline compositions for etching refractory metals
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/20—Exposure; Apparatus therefor
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/26—Processing photosensitive materials; Apparatus therefor
- G03F7/30—Imagewise removal using liquid means
- G03F7/32—Liquid compositions therefor, e.g. developers
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/02—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which the conductive material is applied to the surface of the insulating support and is thereafter removed from such areas of the surface which are not intended for current conducting or shielding
- H05K3/06—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which the conductive material is applied to the surface of the insulating support and is thereafter removed from such areas of the surface which are not intended for current conducting or shielding the conductive material being removed chemically or electrolytically, e.g. by photo-etch process
- H05K3/067—Etchants
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K2201/00—Indexing scheme relating to printed circuits covered by H05K1/00
- H05K2201/03—Conductive materials
- H05K2201/0332—Structure of the conductor
- H05K2201/0335—Layered conductors or foils
- H05K2201/0338—Layered conductor, e.g. layered metal substrate, layered finish layer, layered thin film adhesion layer
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- ing And Chemical Polishing (AREA)
- Weting (AREA)
- Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
Abstract
【解決手段】(A)ペルオキソ硫酸イオン供給源、(B)銅イオン供給源、並びに(C)アンモニア、アンモニウムイオン、アミンおよびアルキルアンモニウムイオンからなる群より選ばれる少なくとも一種の窒素化合物供給源を含んでなり、pHが3.5〜9である液体組成物とする。
【選択図】図2
Description
・高い加工精度、
・エッチング残渣を生じないこと、
・成分の安定性や安全性が高く、取り扱いが容易なこと、
・エッチング性能が安定していること、
・エッチング後に良好な配線形状が得られること、および
・大面積の基板に対するエッチング速度およびエッチング量が基板内の場所によらず均一であること、
等が求められている。
(A)ペルオキソ硫酸イオン供給源、
(B)銅イオン供給源、並びに
(C)アンモニア、アンモニウムイオン、アミンおよびアルキルアンモニウムイオンからなる群より選ばれる少なくとも一種の窒素化合物供給源、
を含んでなり、
pHが3.5〜9であることに特徴を有するものである。
前記多層膜に、上記の液体組成物を接触させることを含むものである。
基板上に、モリブデンからなる層および銅からなる層を順に設けて多層膜を形成し、
前記多層膜上にレジストを被覆して、レジスト膜を形成し、
前記レジスト膜を露光・現像して所定のレジストパターンを形成することにより、エッチング対象物を形成し、
前記エッチング対象物に、請求項1〜10のいずれか一項に記載の液体組成物を接触させることにより、前記多層膜をエッチングして多層膜配線を形成する、
ことを含んでなるものである。
本発明による液体組成物は、銅およびモリブデンを含む多層膜のエッチングに使用されるものであり、(A)ペルオキソ硫酸イオン供給源、(B)銅イオン供給源、および(C)窒素化合物供給源を少なくとも含み、pHが3.5〜9の範囲である。このような特定の成分を含有する液体組成物において、そのpHを3.5〜9の範囲とすることにより、銅およびモリブデンを含む多層膜構造からなる配線を、一括でエッチングを行うことができる。また、良好なエッチング速度(0.1〜1μm/分程度)とすることができるとともに、エッチングの工程において液体組成物の流動が変動した際のエッチング速度の変化が少ないため、スプレー方式にて大面積の基板をエッチングする際に、液体組成物のスプレーの当たり方(流量分布)が基板内の場所によってムラになった場合であっても、エッチングむらが発生することがなく、生産性と基板の品質の向上を図ることができる。そのため、ディスプレイの大型化および高解像度化に対応し得るエッチング用液体組成物を実現できる。さらに、液体組成物のpHが3.5〜9であるためアンモニアの揮発が少なく、取扱いが容易である。また、ペルオキソ硫酸イオンの分解反応によるガスや熱の発生も顕著に生じないため、安全かつ安定的にエッチングを実施することができる。
本発明による液体組成物に含まれるペルオキソ硫酸イオン供給源(以下、単に(A)成分ということがある。)は酸化剤として機能するものであり、銅およびモリブデンを含む多層膜のエッチングに直接的あるいは間接的に作用する。ペルオキソ硫酸イオン供給源としては、ペルオキソ硫酸イオンを供給できるものであれば特に制限はなく、例えば、ペルオキソ二硫酸アンモニウム、ペルオキソ二硫酸カリウム、ペルオキソ二硫酸ナトリウムなどのペルオキソ二硫酸塩;ペルオキソ一硫酸水素カリウムなどのペルオキソ一硫酸塩;ペルオキソ一硫酸(別名:カロ酸)などが好ましく挙げられる。これらのペルオキソ硫酸イオン供給源は、単独で使用してもよく、又、複数を混合して使用してもよい。これらのなかでも、水への溶解性や液体組成物中での安定性に優れ、かつエッチング性能を良好にする観点からは、ペルオキソ二硫酸アンモニウム、ペルオキソ二硫酸カリウム、ペルオキソ二硫酸ナトリウム、およびペルオキソ一硫酸水素カリウムが好ましく、特にペルオキソ二硫酸アンモニウム、ペルオキソ二硫酸カリウム、ペルオキソ二硫酸ナトリウムが好ましい。
本発明による液体組成物に含まれる銅イオン供給源(以下、単に(B)成分ということがある。)としては、銅(II)イオンを供給できるものであれば特に制限はなく、例えば、銅のほか、硫酸銅、硝酸銅、酢酸銅、塩化第二銅、臭化第二銅、フッ化第二銅、およびヨウ化第二銅、硫酸アンモニウム銅などの銅塩が好ましく挙げられる。これら銅イオン供給源は、単独で使用してもよく、又、複数を組み合わせて使用してもよい。これらのなかでも、銅、硫酸銅、硝酸銅、および酢酸銅がより好ましく、特に硫酸銅、および硝酸銅が好ましい。
本発明による液体組成物に含まれる窒素化合物供給源(以下、単に(C)成分ということがある。)は、アンモニア、アンモニウムイオン、アミン、およびアルキルアンモニウムイオンからなる群より選択されるものである。これらの窒素化合物供給源としては、窒素化合物を供給できるものであれば特に制限はなく、例えば、アンモニア;硫酸アンモニウム、硝酸アンモニウム、炭酸アンモニウム、塩化アンモニウム、酢酸アンモニウム、プロピオン酸アンモニウム、マロン酸アンモニウム、コハク酸アンモニウム、ペルオキソ二硫酸アンモニウム、硫酸アンモニウム銅などのアンモニウム塩;イソプロピルアミン、ターシャリーブチルアミンなどのアミン:テトラメチルアンモニウムヒドロキシド、テトラメチルアンモニウムクロリド、イソプロピルアンモニウムクロリド、イソプロピルアミン・硫酸塩、イソプロピルアミン・コハク酸塩、ターシャリーブチルアンモニウムクロリドなどのアルキルアンモニウム化合物が好ましく挙げられる。これら窒素化合物供給源は、単独で使用してもよく、又、複数を組み合わせて使用してもよい。これらのなかでも、アンモニア、硫酸アンモニウム、硝酸アンモニウム、酢酸アンモニウム、プロピオン酸アンモニウム、マロン酸アンモニウム、コハク酸アンモニウム、ペルオキソ二硫酸アンモニウム、テトラメチルアンモニウムヒドロキシド、イソプロピルアミン、ターシャリーブチルアミンがより好ましい。特に、アンモニア、硫酸アンモニウム、硝酸アンモニウム、酢酸アンモニウム、ペルオキソ二硫酸アンモニウム、テトラメチルアンモニウムヒドロキシドが好ましい。
本発明による液体組成物は、必要に応じて、カルボン酸イオン供給源(以下、単に(D)成分ということがある。)を含んでいてもよい。カルボン酸イオン供給源は、銅イオンに対する配位子としての役割を持ち、銅およびモリブデンを含む多層膜をエッチングする液体組成物の安定性を向上させ、且つ、エッチング速度の安定化を図る機能を有する。また、エッチング後の水リンス工程の際に、液体組成物が水で希釈された際に析出する残渣の発生を抑制する効果もある。
本発明による液体組成物は、必要に応じて、モリブデン酸イオン供給源(以下、単に(E)成分ということがある。)を含んでいてもよい。モリブデン酸イオン供給源は、銅およびモリブデンを含む多層膜のエッチング速度やエッチングを制御して配線断面形状を調節する働きを有する。エッチング工程に使用した液体組成物は、モリブデンの溶解によってモリブデン酸イオンの濃度が上昇してしまう。そのため、液体組成物にあらかじめ(E)成分を含有させておくことにより、モリブデン酸イオンの濃度が上昇した際のエッチング特性(エッチング速度、エッチング形状および液体組成物の安定性等)の変動を小さくすることができる。本発明による液体組成物に(E)モリブデン酸イオン供給源を配合しても、ペルオキソ硫酸イオンの分解による気泡の発生等は生じない。
本発明による液体組成物は、pH調整のために、必要に応じてpH調整剤(以下、単に(F)成分ということがある。)が含まれていてもよい。pH調整剤(F成分)としては、上記した液体組成物の効果を阻害しないものであれば特に制限はなく、例えば、アンモニア、水酸化ナトリウムや水酸化カリウムなどの金属水酸化物;イソプロピルアミン、ターシャリーブチルアミンなどのアミン類;ヒドロキシルアミンなどのヒドロキシルアミン類;モノエタノールアミン、ジエタノールアミン、およびトリエタノールアミンなどのアルカノールアミン類;テトラメチルアンモニウムヒドロキシドなどのアルキルアンモニウム化合物、塩酸、硫酸、および硝酸などの無機酸、酢酸、プロピオン酸、マロン酸、コハク酸、乳酸などの有機酸などが好ましく挙げられる。これらpH調整剤は、単独で使用してもよく、又、複数を組み合わせて使用してもよい。これらのなかでも、アンモニア、水酸化カリウム、イソプロピルアミン、ターシャリーブチルアミン、テトラメチルアンモニウムヒドロキシド、硫酸、酢酸、プロピオン酸、マロン酸、コハク酸、乳酸がより好ましい。
本発明によるエッチング方法は、銅およびモリブデンを含む多層膜をエッチングする方法であって、前記多層膜に上記の液体組成物を接触させる工程を含むものである。本発明の方法によれば、銅およびモリブデンを含む多層膜を一括でエッチングを行うことができ、かつエッチング残渣や析出物の発生を防止できる。また、本発明によれば、上記したように、テーパー角が15〜75度であり、且つボトムCDロスが2.5μm以下であるような多層膜配線断面形状を得ることができる。また、液体組成物の流量分布によらずエッチング速度がほぼ一定であるため、基板内のいずれの場所においても均一にエッチングすることができる。
実施例および比較例で得られたエッチングを行った後の銅層およびモリブデン層を含む多層薄膜試料の配線断面について、走査型電子顕微鏡(「S5000H形(型番)」;日立製)を用いて観察倍率3万倍(加速電圧2kV、エミッション電流10μA)で観察した。得られたSEM画像をもとに、配線断面のテーパー角が15〜75度の順テーパー形状、およびボトムCDロスが2.5μm以下であるものを合格品とした。
ガラス基板(寸法:150mm×150mm)上にモリブデンをスパッタしてモリブデン(金属)からなる層(モリブデン膜厚:200Å)を成膜し、次いで銅をスパッタして銅(金属)からなる層(銅膜厚:5000Å)を成膜し、再びモリブデンをスパッタしてモリブデン(金属)からなる層(モリブデン膜厚:200Å)を成膜し、モリブデン/銅/モリブデンの三層膜構造とした。さらにレジストを塗布し、ライン状パターンマスク(ライン幅:20μm)を露光転写後、現像することで、レジストパターンを形成したモリブデン/銅/モリブデン/ガラス基板を作製した。
ガラス基板(寸法:150mm×150mm)上にモリブデンをスパッタしてモリブデン(金属)からなる層(モリブデン膜厚:200Å)を成膜し、次いで銅をスパッタして銅(金属)からなる層(銅膜厚:5000Å)を成膜し、銅/モリブデンの二層膜構造とした。さらにレジストを塗布し、ライン状パターンマスク(ライン幅:20μm)を露光転写後、現像することで、レジストパターンを形成した銅/モリブデン/ガラス基板を作製した。
容量10Lのポリプロピレン容器に、純水8.69kgと、(A)ペルオキソ硫酸イオン供給源でありかつ(C)成分の一つでもあるペルオキソ二硫酸アンモニウム(三菱瓦斯化学株式会社製、分子量228.2)を0.20kgと、(B)銅イオン供給源として硫酸銅五水和物(和光純薬工業株式会社製、特級グレード、分子量249.7)を0.31kgと、(C)窒素化合物供給源の一つとして硫酸アンモニウム(和光純薬工業株式会社製、特級グレード、分子量132.1)を0.50kgとを、投入した。攪拌して各成分の溶解を確認した後、(F)pH調整剤でありかつ(C)成分の一つでもあるアンモニア水溶液(濃度:28質量%,三菱瓦斯化学株式会社製)を0.30kg加えて再び攪拌し、液体組成物を調製した。
実施例1において、(C)窒素化合物供給源の一つとして硫酸アンモニウムの配合量を1.00kgに変更し、(F)pH調整剤でありかつ(C)成分の一つでもあるアンモニア水溶液(濃度:28質量%)の配合量を0.03kgに変更し、液体組成物を下記の表1に示される組成とした以外は、実施例1と同様にして液体組成物を調製した。液体組成物1kgあたりの(C)成分の含有量は、ペルオキソ二硫酸アンモニウムの含有量(0.09モル)の二倍量と、硫酸アンモニウムの含有量(0.76モル)の二倍量と、アンモニア水溶液の含有量(0.04モル)との合計で1.73モルであった。また、得られた液体組成物のpHは5.0であった。
実施例1において、ペルオキソ硫酸イオンの安定化剤としてメタンスルホン酸を、液体組成物1kgに対して0.01モルの割合で添加するとともに、(A)ペルオキソ硫酸イオン供給源でありかつ(C)成分の一つでもあるペルオキソ二硫酸アンモニウム(三菱瓦斯化学株式会社製、分子量228.2)の含有量を、0.20kg(実施例3)、0.50kg(実施例4)、0.01kg(実施例5)と変更し、液体組成物を下記の表1に示される組成とした以外は、実施例1と同様にして液体組成物を調製した。また、得られた液体組成物を用いて、実施例1と同様にしてスプレー処理(50%オーバーエッチング条件)を行った。いずれも、エッチング残渣や析出物は確認されなかった。基板の断面を走査型二次電子顕微鏡を用いて観察した結果、テーパー角やボトムCDロスも良好であった。得られた評価結果は下記の表1に示される通りであった。
実施例1において、ペルオキソ硫酸イオンの安定化剤としてメタンスルホン酸を、液体組成物1kgに対して0.01モルの割合で添加するとともに、(C)窒素化合物供給源の一つである硫酸アンモニウムの含有量を、0.30kg(実施例6)、1.00kg(実施例7)と変更し、液体組成物を下記の表1に示される組成とした以外は、実施例1と同様にして液体組成物を調製した。また、得られた液体組成物を用いて、実施例1と同様にしてスプレー処理(50%オーバーエッチング条件)を行った。いずれも、エッチング残渣や析出物は確認されなかった。基板の断面を走査型二次電子顕微鏡を用いて観察した結果、テーパー角やボトムCDロスも良好であった。得られた評価結果は下記の表1に示される通りであった。
実施例1において、(A)成分としてペルオキソ二硫酸アンモニウムの代わりにペルオキソ二硫酸ナトリウム(三菱瓦斯化学株式会社製、分子量238.1)を0.20kg用い、ペルオキソ硫酸イオンの安定化剤としてメタンスルホン酸を、液体組成物1kgに対して0.01モルの割合で添加し、液体組成物を下記の表1に示される組成とした以外は、実施例1と同様にして液体組成物を調製した。また、得られた液体組成物を用いて、実施例1と同様にしてスプレー処理(50%オーバーエッチング条件)を行った。エッチング残渣や析出物は確認されず、テーパー角やボトムCDロスも良好であった。得られた評価結果は下記の表1に示される通りであった。
実施例1において、その他の成分として(E)モリブデン酸イオン供給源である七モリブデン酸六アンモニウム四水和物を、オルトモリブデン酸イオン換算で、液体組成物1kgに対して0.003モルの割合で添加し、液体組成物を下記の表1に示される組成とした以外は、実施例1と同様にして液体組成物を調製した。また、得られた液体組成物を用いて、実施例1と同様にしてスプレー処理(50%オーバーエッチング条件)を行った。エッチング残渣や析出物は確認されず、テーパー角やボトムCDロスも良好であった。実施例9の二次電子顕微鏡像を図3に示す。得られた評価結果は下記の表1に示される通りであった。なお、表1中のモリブデン酸イオン供給源の含有量は、オルトモリブデン酸イオン換算で、液体組成物1kgあたりの七モリブデン酸六アンモニウムの含有量(4×10−4モル)の7倍量として計算したものである。
実施例9において調製した液体組成物を用いて、参考例2で得られたレジストパターンを形成した銅/モリブデン/ガラス基板に対し、実施例1と同様にしてスプレー処理を行った。透明なガラス基板が露出するまで時間(ジャストエッチング時間)は50秒であり、基板内の全ての場所で透明なガラス基板が露出するまでの時間は55秒であった。75秒エッチング(50%オーバーエッチング条件)後の銅/モリブデン/ガラス基板を、クエン酸水溶液(濃度:1重量%)を用いてリンス処理(室温,1分間)した後、ブロワーで乾燥し、光学顕微鏡を用いて観察した結果、パターニングされたレジストで覆われた以外のむき出しの銅/モリブデン積層膜が完全に消失していることが確認され、ガラス基板上にエッチング残渣や析出物は確認されなかった。エッチング処理後の銅/モリブデン/ガラス基板を破断し、基板の断面を走査型二次電子顕微鏡を用いて観察した結果、テーパー角は60度の順テーパー形状であり、ボトムCDロスは0.6μmであった。得られた評価結果は下記の表1に示される通りであった。
実施例1において、(A)ペルオキソ硫酸イオン供給源を添加せず、液体組成物を下記の表2に示される組成とした以外は、実施例1と同様にして液体組成物を調製した。また、得られた液体組成物を用いて、実施例1と同様にしてスプレー処理(50%オーバーエッチング条件)を行った。(A)ペルオキソ硫酸イオン供給源を含まない比較例1では、ジャストエッチング時間は25秒であり、基板内の全ての場所で透明なガラス基板が露出するまでの時間は33秒であったが、テーパー角は90度以上となった。得られた評価結果は下記の表2に示される通りであった。比較例1の二次電子顕微鏡像を図4に示す。
実施例1において、(B)銅イオン供給源を添加せず、液体組成物を下記の表2に示される組成とした以外は、実施例1と同様にして液体組成物を調製した。また、得られた液体組成物を用いて、実施例1と同様にしてスプレー処理(50%オーバーエッチング条件)を行った。(B)銅イオン供給源を含まない比較例2では、ジャストエッチング時間は57秒であり、基板内の全ての場所で同時に透明なガラス基板が露出したが、テーパー角は90度、ボトムCDロスは2.1μmとなった。得られた評価結果は下記の表2に示される通りであった。
実施例1において、(F)pH調整剤でありかつ(C)成分の一つでもあるアンモニア水溶液を添加せず、液体組成物を下記の表2に示される組成とした以外は、実施例1と同様にして液体組成物を調製した。得られた液体組成物のpHは3.3であった。また、得られた液体組成物を用いて、実施例1と同様にしてスプレー処理(50%オーバーエッチング条件)を行った。pHを低くした比較例3の液体組成物においては、ジャストエッチング時間は62秒であり、基板内の全ての場所で同時に透明なガラス基板が露出したが、ボトムCDロスは3.0μm以上となった。得られた評価結果は下記の表2に示される通りであった。
容量10Lのポリプロピレン容器に、純水8.89kgと、(A)ペルオキソ硫酸イオン供給源でありかつ(C)成分の一つでもあるペルオキソ二硫酸アンモニウム(三菱瓦斯化学株式会社製、分子量228.2)を0.20kgと、(B)銅イオン供給源として硫酸銅五水和物(和光純薬工業株式会社製、特級グレード、分子量249.7)を0.31kgと、(C)成分の一つでありかつ(D)カルボン酸イオン供給源でもある酢酸アンモニウム(和光純薬工業株式会社製、特級グレード、分子量77.1)を0.30kgとを、投入した。攪拌して各成分の溶解を確認した後、(F)pH調整剤でありかつ(C)成分の一つでもあるアンモニア水溶液(濃度:28質量%,三菱瓦斯化学株式会社製)を0.30kg加えて再び攪拌し、液体組成物を調製した。
実施例11において、(A)ペルオキソ硫酸イオン供給源を添加せず、液体組成物を下記の表3に示される組成とした以外は、実施例11と同様にして液体組成物を調製した。また、得られた液体組成物を用いて、実施例11と同様にしてスプレー処理を行った。(A)ペルオキソ硫酸イオン供給源を含まない比較例4の液体組成物では、ジャストエッチング時間は315秒と遅く、475秒エッチング(50%オーバーエッチング条件)後も基板の周縁部において、パターニングされたレジストで覆われた以外のむき出しのモリブデン/銅/モリブデン積層膜が完全に消失しておらず、エッチングを均一に行うことができなかった。またエッチングが進行した基板の中心部において、破断した基板の断面を走査型二次電子顕微鏡を用いて観察した結果、テーパー角は80度であった。評価結果は下記の表3に示される通りであった。
実施例11において、液体組成物の組成を下記の表3に示される組成とした以外は実施例11と同様にして液体組成物を調製した。また、得られた液体組成物を用いて、実施例11と同様にしてスプレー処理(50%オーバーエッチング条件)を行った。いずれの液体組成物を用いた場合にも、基板内の全ての場所で同時に透明なガラス基板が露出した。エッチング残渣や析出物は確認されず、テーパー角やボトムCDロスも良好であった。一例として、実施例13の二次電子顕微鏡像を図5に示す。評価結果は下記の表3に示される通りであった。
実施例11において、(A)成分としてペルオキソ二硫酸アンモニウムの代わりにペルオキソ二硫酸ナトリウムを用い、液体組成物の組成を下記の表3に示される組成とした以外は実施例11と同様にして液体組成物を調製した。また、得られた液体組成物を用いて、実施例11と同様にしてスプレー処理(50%オーバーエッチング条件)を行った。エッチング残渣や析出物は確認されず、テーパー角やボトムCDロスも良好であった。得られた評価結果は下記の表3に示される通りであった。
実施例11において、液体組成物の組成を下記の表3に示される組成とした以外は実施例11と同様にして液体組成物を調製した。また、得られた液体組成物を用いて、実施例11と同様にしてスプレー処理(50%オーバーエッチング条件)を行った。その結果、基板内の全ての場所で同時に透明なガラス基板が露出した。エッチング残渣や析出物は確認されず、テーパー角やボトムCDロスも良好であった。なお、表3中のモリブデン酸イオン供給源の含有量は、オルトモリブデン酸イオン換算で、液体組成物1kgあたりの七モリブデン酸六アンモニウムの含有量(4×10−4モル)の7倍量として計算したものである。
実施例11において、液体組成物の組成を下記の表3に示される組成とした以外は、実施例11と同様にして液体組成物を調製した。得られた液体組成物のpHは10.0であった。また、得られた液体組成物を用いて、実施例11と同様にしてスプレー処理(50%オーバーエッチング条件)を行った。pHを高くした比較例5の液体組成物では、ジャストエッチング時間は4秒と速く、基板内の全ての場所で同時に透明なガラス基板が露出したが、テーパー角は90度以上、ボトムCDロスは3.0μm以上となった。またエッチング時にはアンモニアの臭気が発生した。評価結果は下記の表3に示される通りであった。
実施例11において、(D)成分として酢酸アンモニウムの代わりに、酢酸、酢酸ナトリウム、無水酢酸、又はプロピオン酸を用い、液体組成物の組成を下記の表4に示される組成とした以外は実施例11と同様にして液体組成物を調製した。また、得られた液体組成物を用いて、実施例11と同様にしてスプレー処理(50%オーバーエッチング条件)を行った。いずれの液体組成物を用いた場合にも、基板内の全ての場所で同時に透明なガラス基板が露出した。エッチング残渣や析出物は確認されず、テーパー角やボトムCDロスも良好であった。得られた評価結果は下記の表4に示される通りであった。一例として、実施例17の二次電子顕微鏡像を図6に示す。なお、表4中の無水酢酸の含有量は、酢酸イオン換算で、液体組成物1kgあたりの無水酢酸の含有量(0.39モル)の2倍量として計算したものである。また、モリブデン酸イオン供給源の含有量は、オルトモリブデン酸イオン換算で、液体組成物1kgあたりの七モリブデン酸六アンモニウムの含有量の7倍量として計算したものである。
実施例11において、液体組成物の組成を下記の表4に示される組成とした以外は実施例11と同様にして液体組成物を調製した。また、得られた液体組成物を用いて、実施例11と同様にしてスプレー処理(50%オーバーエッチング条件)を行った。ジャストエッチング時間は26秒であり、基板内の全ての場所で透明なガラス基板が露出するまでの時間は30秒であった。39秒エッチング(50%オーバーエッチング条件)後のモリブデン/銅/モリブデン/ガラス基板を水でリンス処理したところ、エッチング残渣や析出物は確認されず、テーパー角やボトムCDロスも良好であった。評価結果は下記の表4に示される通りであった。
実施例11において、(D)成分の一つとしてコハク酸、乳酸、マロン酸を添加し、液体組成物の組成を下記の表4に示される組成とした以外は実施例11と同様にして液体組成物を調製した。また、得られた液体組成物を用いて、実施例11と同様にしてスプレー処理(50%オーバーエッチング条件)を行った。いずれの液体組成物を用いた場合にも、エッチング残渣や析出物は確認されず、テーパー角やボトムCDロスも良好であった。評価結果は下記の表4に示される通りであった。一例として、実施例22の二次電子顕微鏡像を図7に示す。
実施例11において、(D)成分の一つとして2−ヒドロキシイソ酪酸を添加し、液体組成物の組成を下記の表4に示される組成とした以外は実施例11と同様にして液体組成物を調製した。次いで、得られた液体組成物を用いて、参考例2で得られたレジストパターンを形成した銅/モリブデン/ガラス基板に対し、実施例1と同様にしてスプレー処理を行った。透明なガラス基板が露出するまで時間(ジャストエッチング時間)は40秒であり、基板内の全ての場所で透明なガラス基板が露出するまでの時間は43秒であった。60秒エッチング(50%オーバーエッチング条件)後の銅/モリブデン/ガラス基板を、水でリンス処理した後、ブロワーで乾燥し、光学顕微鏡を用いて観察した結果、パターニングされたレジストで覆われた以外のむき出しの銅/モリブデン積層膜が完全に消失していることが確認され、ガラス基板上にエッチング残渣や析出物は確認されなかった。エッチング処理後の銅/モリブデン/ガラス基板を破断し、基板の断面を走査型二次電子顕微鏡を用いて観察した結果、テーパー角は60度の順テーパー形状であり、ボトムCDロスは0.5μmであった。評価結果は下記の表4に示される通りであった。また、実施例25の二次電子顕微鏡像を図8に示す。
実施例24において、(A)成分としてペルオキソ二硫酸アンモニウムの代わりにペルオキソ一硫酸水素カリウム・硫酸水素カリウム・硫酸カリウムの複塩(デュポン社製、商品名オキソン(登録商標))を用い、液体組成物を下記の表5に示される組成とした以外は、実施例24と同様にして液体組成物を調製した。また、得られた液体組成物を用いて、参考例1で得られたレジストパターンを形成したモリブデン/銅/モリブデン/ガラス基板に対し、スプレー処理(50%オーバーエッチング条件)を行った。エッチング残渣や析出物は確認されず、テーパー角やボトムCDロスも良好であった。評価結果は下記の表5に示される通りであった。なお、表5中のモリブデン酸イオン供給源の含有量は、オルトモリブデン酸イオン換算で、液体組成物1kgあたりの七モリブデン酸六アンモニウムの含有量の7倍量として計算したものである。
実施例24において、(C)成分の一つとしてターシャリーブチルアミン、テトラメチルアンモニウムヒドロキシドをそれぞれ添加し、液体組成物を下記の表5に示される組成とした以外は、実施例24と同様にして液体組成物を調製した。また、得られた液体組成物を用いて、実施例26と同様にしてスプレー処理(50%オーバーエッチング条件)を行った。エッチング残渣や析出物は確認されず、テーパー角やボトムCDロスも良好であった。評価結果は下記の表5に示される通りであった。
実施例24において、(C)成分の一つとしてイソプロピルアミンを添加し、(A)成分としてペルオキソ二硫酸アンモニウムの代わりにペルオキソ二硫酸ナトリウムを用い、液体組成物を下記の表5に示される組成とした以外は、実施例24と同様にして液体組成物を調製した。また、得られた液体組成物を用いて、実施例26と同様にしてスプレー処理(50%オーバーエッチング条件)を行った。エッチング残渣や析出物は確認されず、テーパー角やボトムCDロスも良好であった。評価結果は下記の表5に示される通りであった。
実施例24において、(D)成分の一つとして無水マレイン酸を添加し、その他成分の一つとしてリン酸を液体組成物1kgに対して0.005モルの割合で添加し、液体組成物を下記の表6に示される組成とした以外は、実施例24と同様にして液体組成物を調製した。また、得られた液体組成物を用いて、実施例26と同様にしてスプレー処理(50%オーバーエッチング条件)を行った。エッチング残渣や析出物は確認されず、テーパー角やボトムCDロスも良好であった。評価結果は下記の表6に示される通りであった。
実施例24において、その他成分の一つとしてリン酸を添加し、液体組成物を下記の表6に示される組成とした以外は、実施例24と同様にして液体組成物を調製した。また、得られた液体組成物を用いて、実施例26と同様にしてスプレー処理(50%オーバーエッチング条件)を行った。エッチング残渣や析出物は確認されず、テーパー角やボトムCDロスも良好であった。評価結果は下記の表6に示される通りであった。
実施例31において調製した液体組成物を用いて、参考例2で得られたレジストパターンを形成した銅/モリブデン/ガラス基板に対し、実施例25と同様にスプレー処理を行った。透明なガラス基板が露出するまで時間(ジャストエッチング時間)は42秒であり、基板内の全ての場所で透明なガラス基板が露出するまでの時間は43秒であった。63秒エッチング(50%オーバーエッチング条件)後の銅/モリブデン/ガラス基板を、水リンス処理(室温,1分間)した後、ブロワーで乾燥し、光学顕微鏡を用いて観察した結果、パターニングされたレジストで覆われた以外のむき出しの銅/モリブデン積層膜が完全に消失していることが確認され、ガラス基板上にエッチング残渣や析出物は確認されなかった。エッチング処理後の銅/モリブデン/ガラス基板を破断し、基板の断面を走査型二次電子顕微鏡を用いて観察した結果、テーパー角は60度の順テーパー形状であり、ボトムCDロスは0.4μmであった。評価結果は下記の表6に示される通りであった。また、実施例33の二次電子顕微鏡像を図9に示す。
実施例24において、(B)銅イオン供給源を添加せず、その他成分の一つとしてリン酸を添加し、液体組成物を下記の表6に示される組成とした以外は、実施例24と同様にして液体組成物を調製した。また、得られた液体組成物を用いて、実施例26と同様にしてスプレー処理(50%オーバーエッチング条件)を行った。(B)銅イオン供給源を含まない比較例6の液体組成物では、400秒エッチング後も基板の全面において、パターニングされたレジストで覆われた以外のむき出しのモリブデン/銅/モリブデン積層膜が完全に消失しておらず、エッチングを行うことができなかった。評価結果は下記の表6に示される通りであった。
Claims (14)
- 銅およびモリブデンを含む多層膜のエッチングに使用される液体組成物であって、
(A)ペルオキソ硫酸イオン供給源、
(B)銅イオン供給源、並びに
(C)アンモニア、アンモニウムイオン、アミンおよびアルキルアンモニウムイオンからなる群より選ばれる少なくとも一種の窒素化合物供給源、
を含んでなり、
pHが3.5〜9である、液体組成物。 - 前記ペルオキソ硫酸イオン供給源(A)が、ペルオキソ二硫酸アンモニウム、ペルオキソ二硫酸カリウム、ペルオキソ二硫酸ナトリウム、およびペルオキソ一硫酸水素カリウムからなる群より選ばれる少なくとも一種である、請求項1に記載の液体組成物。
- 前記ペルオキソ硫酸イオン供給源(A)の、前記銅イオン供給源(B)に対する配合比が、モル基準で0.01〜20である、請求項1に記載の液体組成物。
- 前記銅イオン供給源(B)が、銅、硫酸銅、硝酸銅、および酢酸銅からなる群より選ばれる少なくとも一種である、請求項1に記載の液体組成物。
- 前記窒素化合物供給源(C)が、アンモニア、硫酸アンモニウム、硝酸アンモニウム、酢酸アンモニウム、ペルオキソ二硫酸アンモニウム、およびテトラメチルアンモニウムヒドロキシドからなる群より選ばれる少なくとも一種である、請求項1に記載の液体組成物。
- 前記窒素化合物供給源(C)の、前記銅イオン供給源(B)に対する配合比が、モル基準で4〜100である、請求項1に記載の液体組成物。
- (D)カルボン酸イオン供給源をさらに含んでなる、請求項1〜6のいずれか一項に記載の液体組成物。
- 前記カルボン酸イオン供給源(D)が、酢酸、プロピオン酸、マロン酸、コハク酸、乳酸およびこれらのカルボン酸の塩、並びに無水酢酸からなる群より選ばれる少なくとも一種である、請求項7に記載の液体組成物。
- 前記カルボン酸イオン供給源(D)の、前記銅イオン供給源(B)に対する配合比が、モル基準で0.1〜50である、請求項7に記載の液体組成物。
- モリブデン酸イオン供給源(E)をさらに含んでなる、請求項1〜9のいずれか一項に記載の液体組成物。
- 銅およびモリブデンを含む多層膜をエッチングする方法であって、
前記多層膜に、請求項1〜10のいずれか一項に記載の液体組成物を接触させることを含む、エッチング方法。 - 前記多層膜が、モリブデンまたはモリブデンを主成分として含む化合物からなる層と、銅または銅を主成分として含む化合物からなる層とを積層した二層膜である、請求項11に記載のエッチング方法。
- 前記多層膜が、モリブデンまたはモリブデンを主成分として含む化合物からなる層、銅または銅を主成分として含む化合物からなる層、およびモリブデンまたはモリブデンを主成分として含む化合物からなる層をこの順で積層した三層膜である、請求項11に記載のエッチング方法。
- 基板上に、少なくともモリブデンを含んでなる層と銅を含んでなる層とを含む多層膜が設けられた多層膜配線を製造する方法であって、
基板上に、モリブデンからなる層および銅からなる層を順に設けて多層膜を形成し、
前記多層膜上にレジストを被覆して、レジスト膜を形成し、
前記レジスト膜を露光・現像して所定のレジストパターンを形成することにより、エッチング対象物を形成し、
前記エッチング対象物に、請求項1〜10のいずれか一項に記載の液体組成物を接触させることにより、前記多層膜をエッチングして多層膜配線を形成する、
ことを含んでなる、方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2013076295A JP6135999B2 (ja) | 2012-04-10 | 2013-04-01 | 銅およびモリブデンを含む多層膜のエッチングに使用される液体組成物、およびそれを用いたエッチング方法 |
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2012089469 | 2012-04-10 | ||
JP2012089469 | 2012-04-10 | ||
JP2013076295A JP6135999B2 (ja) | 2012-04-10 | 2013-04-01 | 銅およびモリブデンを含む多層膜のエッチングに使用される液体組成物、およびそれを用いたエッチング方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2013234385A true JP2013234385A (ja) | 2013-11-21 |
JP6135999B2 JP6135999B2 (ja) | 2017-05-31 |
Family
ID=49363876
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2013076295A Active JP6135999B2 (ja) | 2012-04-10 | 2013-04-01 | 銅およびモリブデンを含む多層膜のエッチングに使用される液体組成物、およびそれを用いたエッチング方法 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (2) | US20140014615A1 (ja) |
JP (1) | JP6135999B2 (ja) |
CN (1) | CN103361644B (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2016104896A (ja) * | 2014-12-01 | 2016-06-09 | メック株式会社 | エッチング剤およびその補給液、マグネシウム部品の表面粗化方法、ならびにマグネシウム−樹脂複合体の製造方法 |
WO2019151141A1 (ja) * | 2018-02-05 | 2019-08-08 | 富士フイルム株式会社 | 処理液、及び、処理方法 |
JP7449129B2 (ja) | 2020-03-13 | 2024-03-13 | 株式会社Adeka | 銅系層用エッチング液組成物及びエッチング方法 |
Families Citing this family (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN104862703A (zh) * | 2014-06-16 | 2015-08-26 | 叶涛 | 一种高质高效且安全的印刷线路板碱性氯化铜蚀刻液 |
KR102255577B1 (ko) * | 2014-08-25 | 2021-05-25 | 엘지디스플레이 주식회사 | 식각액 조성물 |
KR101963179B1 (ko) * | 2015-07-30 | 2019-03-29 | 삼성디스플레이 주식회사 | 식각액 조성물 및 이를 이용한 박막 트랜지스터 기판의 제조방법 |
KR102070323B1 (ko) * | 2016-10-14 | 2020-01-29 | 주식회사 이엔에프테크놀로지 | 식각액 조성물 |
CN107217263A (zh) * | 2017-06-19 | 2017-09-29 | 江阴润玛电子材料股份有限公司 | 一种半导体行业凸块制程用铜钛腐蚀液 |
JP6333455B1 (ja) * | 2017-08-23 | 2018-05-30 | メック株式会社 | 銅のマイクロエッチング剤および配線基板の製造方法 |
CN109423647B (zh) * | 2017-08-28 | 2021-01-15 | 东友精细化工有限公司 | 金属膜蚀刻液组合物及利用其的导电图案形成方法 |
CN107833827B (zh) * | 2017-10-25 | 2020-07-31 | 武汉华星光电技术有限公司 | 一种阵列基板的刻蚀方法 |
KR101926274B1 (ko) * | 2017-11-17 | 2018-12-06 | 동우 화인켐 주식회사 | 은 박막 식각액 조성물 및 이를 이용한 식각 방법 및 금속 패턴의 형성 방법 |
TWI789741B (zh) * | 2020-04-14 | 2023-01-11 | 美商恩特葛瑞斯股份有限公司 | 蝕刻鉬之方法及組合物 |
CN112930038A (zh) * | 2021-02-08 | 2021-06-08 | 隽美经纬电路有限公司 | 一种柔性线路板制作工艺 |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2007012638A (ja) * | 2003-10-01 | 2007-01-18 | Asahi Kasei Chemicals Corp | 金属用研磨組成物 |
WO2010115075A1 (en) * | 2009-04-03 | 2010-10-07 | E. I. Du Pont De Nemours And Company | Etchant composition and method |
WO2011158634A1 (ja) * | 2010-06-18 | 2011-12-22 | 三菱瓦斯化学株式会社 | 銅層及びモリブデン層を含む多層構造膜用エッチング液 |
Family Cites Families (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP1049167A3 (en) * | 1999-04-30 | 2007-10-24 | Sel Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and manufacturing method thereof |
CN1333444C (zh) * | 2002-11-12 | 2007-08-22 | 阿科玛股份有限公司 | 使用磺化两性试剂的铜化学机械抛光溶液 |
WO2006086265A2 (en) * | 2005-02-07 | 2006-08-17 | Applied Materials, Inc. | Method and composition for polishing a substrate |
US8372305B2 (en) * | 2007-05-24 | 2013-02-12 | Basf Se | Chemical-mechanical polishing composition comprising metal-organic framework materials |
JP5193542B2 (ja) * | 2007-09-20 | 2013-05-08 | パナソニック株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
KR101531688B1 (ko) * | 2008-11-12 | 2015-06-26 | 솔브레인 주식회사 | 투명도전막 식각용액 |
US8252688B2 (en) * | 2008-12-31 | 2012-08-28 | Air Products And Chemicals, Inc. | Method and composition for chemical mechanical planarization of a metal or a metal alloy |
US20100252530A1 (en) * | 2009-04-03 | 2010-10-07 | E. I. Du Pont De Nemours And Company | Etchant composition and method |
CN102102206A (zh) * | 2009-12-18 | 2011-06-22 | 鑫林科技股份有限公司 | 金属蚀刻液组合物及其蚀刻方法 |
US8394685B2 (en) * | 2010-12-06 | 2013-03-12 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Etching method and manufacturing method of thin film transistor |
-
2013
- 2013-04-01 JP JP2013076295A patent/JP6135999B2/ja active Active
- 2013-04-08 US US13/858,413 patent/US20140014615A1/en not_active Abandoned
- 2013-04-10 CN CN201310123603.6A patent/CN103361644B/zh active Active
-
2016
- 2016-03-10 US US15/066,138 patent/US20160186057A1/en not_active Abandoned
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2007012638A (ja) * | 2003-10-01 | 2007-01-18 | Asahi Kasei Chemicals Corp | 金属用研磨組成物 |
WO2010115075A1 (en) * | 2009-04-03 | 2010-10-07 | E. I. Du Pont De Nemours And Company | Etchant composition and method |
WO2011158634A1 (ja) * | 2010-06-18 | 2011-12-22 | 三菱瓦斯化学株式会社 | 銅層及びモリブデン層を含む多層構造膜用エッチング液 |
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2016104896A (ja) * | 2014-12-01 | 2016-06-09 | メック株式会社 | エッチング剤およびその補給液、マグネシウム部品の表面粗化方法、ならびにマグネシウム−樹脂複合体の製造方法 |
WO2016088432A1 (ja) * | 2014-12-01 | 2016-06-09 | メック株式会社 | エッチング剤およびその補給液、マグネシウム部品の表面粗化方法、ならびにマグネシウム-樹脂複合体の製造方法 |
CN107018669A (zh) * | 2014-12-01 | 2017-08-04 | Mec股份有限公司 | 蚀刻剂及其补给液、镁构件的表面粗化方法以及镁-树脂复合体的制造方法 |
WO2019151141A1 (ja) * | 2018-02-05 | 2019-08-08 | 富士フイルム株式会社 | 処理液、及び、処理方法 |
JP7449129B2 (ja) | 2020-03-13 | 2024-03-13 | 株式会社Adeka | 銅系層用エッチング液組成物及びエッチング方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN103361644B (zh) | 2017-08-04 |
CN103361644A (zh) | 2013-10-23 |
US20160186057A1 (en) | 2016-06-30 |
JP6135999B2 (ja) | 2017-05-31 |
US20140014615A1 (en) | 2014-01-16 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP6135999B2 (ja) | 銅およびモリブデンを含む多層膜のエッチングに使用される液体組成物、およびそれを用いたエッチング方法 | |
JP5692472B1 (ja) | 銅およびチタンを含む多層膜のエッチングに使用される液体組成物、および該組成物を用いたエッチング方法、多層膜配線の製造方法、基板 | |
JP5030403B2 (ja) | 酸化インジウム系透明導電膜用エッチング液組成物及びそれを用いたエッチング方法 | |
JP5682624B2 (ja) | 銅層及びモリブデン層を含む多層構造膜用エッチング液 | |
JP5687685B2 (ja) | エッチャント組成物および方法 | |
JP6420903B2 (ja) | エッチング液組成物、多層膜のエッチング方法、並びに表示装置の製造方法 | |
JP5971246B2 (ja) | 銅または銅を主成分とする化合物のエッチング液 | |
JP6176321B2 (ja) | 銅およびモリブデンを含む多層膜のエッチングに使用される液体組成物、およびその液体組成物を用いた基板の製造方法、並びにその製造方法により製造される基板 | |
JP6078394B2 (ja) | エッチング液組成物及びエッチング方法 | |
JP5874308B2 (ja) | 銅及びモリブデンを含む多層膜用エッチング液 | |
JP5799791B2 (ja) | 銅及びモリブデンを含む多層膜用エッチング液 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20160209 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20160923 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20160930 |
|
A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20161115 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20170120 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20170203 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20170313 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20170331 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20170413 |
|
R151 | Written notification of patent or utility model registration |
Ref document number: 6135999 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R151 |