JP2013232656A - 発光装置及びその製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】発光装置1は、実装基板20の上面20aより下側に位置するように設けられた封止部材30の底面30aの平坦部30cによって、発光素子10から下方に出射される光を反射する。また、発光装置1は、封止部材30の底面30aにおいて、平坦部30cから連続して実装基板20の側面20bに沿って有する平坦部30cよりも下側に垂れた下垂部30bを有する場合において、下垂部30bが実装基板20の陰になるように、封止部材30の底面30aの位置を実装基板20の上面20aよりも下側に位置するように構成して、発光素子10から出射される光が下垂部30bに入射しないようにする。
【選択図】図1A
Description
また、特許文献2(段落0025、図2)には、LEDチップを基板に実装し、LEDチップ及び基板の上面から基板の縁の一部までを光学素子で封止したLEDモジュールが記載されている。
更にまた、特許文献3(段落0021〜段落0028、図1)には、LEDチップを実装したリードフレームを、モールド樹脂で封止したLEDが記載されている。
発光素子以外の部分において、装置全体を小型化することで低価格化が可能であるが、発光素子の大きさと封止部材の大きさとが相対的に近づくと、発光素子から出射した光の内で、封止部材の内面における全反射の臨界角を超える成分が増加し、外部へ取り出される光が減少することとなる。
一方、封止部材の大きさをそのままとして、実装基体のみを小さくすることで、発光素子よりも十分に大きな封止部材を形成すれば、前記した問題の一部を解決することはできる。しかし、実装基体の下方(裏面)側への光漏れを生じるため、発光素子から出射した光を有効に利用することができないという問題がある。
また、発光素子から直接に、又は封止部材の内面での反射を経て実装基体面に入射した光の一部は、実装基体の構成部材によって吸収されるため、光取り出しの効率が低下する。
封止部材の底面にこのような下垂部が形成されると、発光素子から出射して下垂部に入射した光は下垂部から漏出し、発光装置としての光の利用効率を低下させることとなる。
また、特許文献1の発光ダイオードのように、封止部を母型へのキャスティング(流し込み)によって成形する場合は、封止部の底面は平坦性が低くなる。そのため、封止部の底面に入射した光は、見かけ上は全反射の臨界角を超える入射角であっても、封止部の底面から下方に漏出する成分が少なくない。
これによって、発光装置は、発光素子から下方に出射された光を、下垂部からの漏出を防止しつつ、上方に偏向して外部に取り出す。
HOFF≧(b/a)×HEM
を満たす構成とした。
これによって、発光装置は、下垂部からの光の漏出を防止する。
a≧HEM×tan{(sin-1(1/n))}
を満たす構成とした。
これによって、発光装置は、発光素子から下方に出射された光を効率的に上方に偏向して外部に取り出す。
このため、例えば、キャスティング法に比べて、光の反射性が優れた封止部材の底面の平坦部が形成される。また、封止部材の底面の平坦部が実装基板の上面よりも下側に形成されるため、発光素子から出射された光が、下垂部に直接入射することを抑制する発光装置が製造される。
請求項2に記載の発明によれば、封止部材の底面に形成された下垂部からの光の漏出や下垂部が接合する実装基板の側面への光の吸収を防止できるため、発光装置の外部への光取り出し効率を更に向上することができる。
請求項3に記載の発明によれば、発光素子から出射して封止部材の底面に直接入射した光は、封止部材の底面で全反射して効率よく上方に偏向されるため、発光装置の外部への取り出し効率が更に向上する。
請求項4に記載の発明によれば、発光装置の光取り出し面を半球面としたため、光取り出し面の内面に入射する光の入射角を小さくできる。このため、光取り出し面の内面での光の全反射が低減され、発光装置の外部への光取り出し効率を向上することができる。
請求項5に記載の発明によれば、発光素子から出射した光の封止部材の底面による反射面積を減らすことなく、実装基板の放熱性を向上することができる。このため、発光装置の外部への光取り出し効率を低減することなく、安定した発光をすることができる。
請求項6に記載の発明によれば、実装基板の上面に入射した光は、配線パターンを兼ねた金属膜によって反射されるため、実装基板の上面の反射率を向上させることができる。また、外部の駆動回路と電気的接続を行う外部接続用電極端子を実装基板の上面に設けたため、実装基板の裏面側の全面を熱的な接続面として用いることができ、放熱性の向上を容易に図ることができる。
請求項7に記載の発明によれば、正負の外部接続用電極端子の間隔を離すことができるため、実装基板を小型化しつつ、外部の駆動回路との電気的接続に際して、短絡などの不良の発生を防止し、良好な電気的接続を容易に行うことができる。
請求項8に記載の発明によれば、封止部材の底面を、平坦で実装基板の上面よりも下側に位置するように形成できるため、外部への光取り出し効率のよい発光装置を製造することができる。
<構成>
図1A乃至図4を参照して、本発明の実施形態の発光装置1の構成について説明する。なお、図1Aは、図1Bにおける線A−Aにおける断面図である。
図1A乃至図1Cに示すように、実施形態の発光装置1は、上面20aが平坦な実装基板20上に、発光素子10が実装され、発光素子10、実装基板20の上面20a及び実装基板20の側面20bの一部が、半球状の封止部材30で覆われている。
なお、発光素子10は、これらの構成に限定されるものではなく、他の半導体材料を用いて構成するようにしてもよく、適宜保護層や反射層などを備えるように構成してもよい。
更に、発光素子10は、複数の半導体発光素子構造11を互いに離間して、例えば2×2個のマトリクス状に配置し、これらの複数の半導体発光素子構造11を、蛍光体層12で覆うように構成してもよい。
このように、半導体発光素子構造11を蛍光体層12により被覆する構成であれば、半導体発光素子構造11の近傍で白色光に変換することにより、蛍光体による散乱に起因した封止部材30内面での反射を抑制して、高い光取り出し効率を実現することができる。なお、このほか蛍光体を封止部材30内に混合させて設けることもできる。
また、実装基板20は、上面20aに実装された発光素子10とともに上面20aが封止部材30によって覆われ、実装基板20の短手方向の側面(長辺を構成する側面)20bの一部まで封止部材30が延在している。そして、封止部材30の底面30aは、実装基板20の上面20aよりも低い位置に設けられている。
発光素子10と、実装基板20と、封止部材30との間の詳細な位置関係については後記する。
金属膜22としては、導電性がよく、発光素子10が発光する波長の光の反射率が高い材料が好ましい。例えば、導電性を確保するためにTi/Pt/Auなどを用いて配線パターンを形成し、反射率を向上させるために、更に表層にAg、Al、Rhなどを有する、単層膜又は多層膜を設けるようにしてもよい。
一対の外部接続用電極端子22aは、それぞれ実装基板20の長手方向(長辺に沿う方向)の両端部において、封止部材30から露出した上面20aの露出部20c上に設けられている。一対の外部接続用電極端子22aは、配線パターンである金属膜22を介して、それぞれ実装部22bにおいて発光素子10の正電極及び負電極と電気的に接続されている。
このように、正電極及び負電極からなる一対の外部接続用電極端子22aを、実装基板20の長手方向の両端部に間を離して設けることにより、発光装置1を外部の駆動回路に接続する際に、実装基板20の小型化に関わらず、短絡などの不良の発生を防止し、良好な電気的接続を容易に行うことができる。また、後記する図2B及び図2Cに示すように、実装基板20の長手方向の片方の端部に一対の外部接続用電極20aを設ける場合に比べ、一対の配線パターン同士が隣接する領域が少なく、配線パターン同士が短絡することを防止することができる。
絶縁保護膜23としては、SiO2/Nb2O5などの透光性誘電体からなる誘電体多層膜などからなる絶縁性の反射膜を用いることができる。
本発明の発光装置1は、このような実装基板20の長手方向の端部の側面20b2に形成される下垂部30bに対しても、発光素子10から出射される光が入射しないように、発光素子10と実装基板20と封止部材30の底面30aとの位置関係が決められる。
なお、このような構成の場合は、外部接続用電極端子22aは、実装基板20の裏面側に設け、発光素子10の実装部22bとは、例えばビアを介して電気的に接続するようにすることができる。
なお、このほか封止部材30の光取り出し面30eは、半球面、球面から扁形された凸曲面、砲弾型、凹曲面などの所望の形状とし、光を集光、拡散させるレンズとして機能させることもできる。以下、本明細書において、封止部材30をレンズとして記載する場合がある。
封止部材30は、透明な樹脂、ガラスなどからなる。樹脂としては、例えば、硬質シリコーン樹脂、エポキシ樹脂などを用いることができる。
下垂部30bは、実装基板20の側面20bと封止部材30との接合部において、例えば、図3Aに示すような樹脂の垂れ(這い上がり)や、図3Bに示すような樹脂の層などのフィレットとして形成されている。
図3A及び図3Bに示した下垂部30bの幅をbとすると、幅bは、実装基板20の側面20bから封止部材30の底面30aにおける平坦部30cの端部30dまでの水平方向の距離である。本発明では、発光素子10から下方に出射される光が、この幅bの下垂部30bに入射しないように、発光素子10と実装基板20と封止部材30の底面30aとの位置関係が定められている。
図4に示すように、実装基板20の上面20aの位置から、発光素子10の上面10aの位置までの高さをHEMとする。また、上面20aの位置から封止部材30の底面30aの平坦部の位置までの深さをHOFFとする。
前記したように下垂部30bの幅をbとし、発光素子10の上面10aの端部の点P1から実装基板20の上面20aの端部の点P2までの水平方向の距離をaとする。また、点P1から出射した光が点P2を通り、封止部材30の底面30aの平坦部30cに入射する位置を点P3としたときに、点P3の実装基板20の側面20bからの水平方向の距離をcとする。
ここで、cは式(1)のように表すことができる。
c = (HOFF/HEM)×a …(1)
c ≧ b …(2)
HOFF ≧ (b/a)×HEM …(3)
引き続き図4を参照して、発光素子10から下方に出射され、封止部材30の底面30aに直接入射する光が、底面30a(平坦部30c)で全反射する条件について説明する。
θm = sin-1(1/n) …(4)
θ = tan-1(a/HEM) …(5)
θ ≧ θm …(6)
a ≧ HEM×tan{sin-1(1/n)} …(7)
発光素子10の外形寸法を1.1mm×1.1mm、高さ(HEM)を0.5mmとし、封止部材30の屈折率(n)を1.5とした場合には、式(7)より、a≧0.45mmである。すなわち発光素子10の端部から実装基板20の端部までの距離を0.45mm以上設けることによって、封止部材30の底面30aに入射する光を全反射することができる。従って、実装基板20の幅は、0.45+1.1+0.45=2.0mm以上に設計することが望ましい。
次に、図1A乃至図1Cを参照して、本発明に係る実施形態における発光装置1の動作について説明する。
発光装置1は、外部接続用電極端子22aにおいて外部の駆動回路(不図示)に接続し、実装基板20の上面20a側に配設された配線パターンである金属膜22を介して実装部22bで電気的に接続された発光素子10に電力を供給する。発光素子10は電力の供給を受けて発光し、発光素子10の外部に光を出射する。
なお、発光素子10が、図2Aに示したように蛍光体層12を有する場合は、半導体発光素子構造11から出射した光の全部又は一部は、蛍光体層12によってその波長が変換され、発光素子10の外部に出射される。
発光素子10から下方に出射された光は、一部は実装基板20の上面20a側に設けられた絶縁保護膜23及び金属膜22で反射され、上方に偏向される。
発光素子10から下方に出射され、封止部材30の底面30aに入射した光は、封止部材30の底面30aで全反射され、上方に偏向される。このとき、発光素子10から下方に出射された光は、封止部材30の下垂部30bには入射しない。
実装基板20の上面20a又は封止部材30の底面30aで反射されて上方に偏向した光は、封止部材30の光取り出し面30eから発光装置1の外部に取り出される。
次に、図5A乃至図5Fを参照(適宜図1A、図1C及び図2A参照)して、本発明に係る実施形態における発光装置1の製造方法について説明する。
本実施形態における発光装置1の製造方法には、実装基板20に発光素子10を実装する発光素子実装工程と、発光素子10を実装した実装基板20上に封止部材30を圧縮成形法によって成形する封止部材成形工程とが含まれる。
発光素子実装工程は、実装基板20に発光素子10を実装する工程であって、半導体発光素子構造のダイボンディング工程と、蛍光体層の形成工程と、実装基板の分割工程と、を含む。
なお、本発明における発光素子実装工程は、少なくとも個片化された実装基板20に、蛍光体層12の有無に関わらず発光素子10をダイボンドする工程を含めばよい。以下に説明する蛍光体層の形成工程と実装基板の分割工程とを更に含む工程は、発光素子実装工程の好ましい工程例の一つを示したものである。
図5Aに示すように、蛍光体層12の形成までは、複数の実装基板20が集積した集積基板60を用いることとする。
この集積基板60は、大面積のシート状の実装基板61上に半導体発光素子構造(LEDチップ)11の実装部22bがマトリクス状に配置されている。また、各半導体発光素子構造11の実装部22bには、半導体発光素子構造11の電極の構成パターンに一致するように、負電極と正電極とからなる電極パターンが設けられている。そして、例えば、共晶接合を用いたフリップチップ実装によって電気的及び機械的に半導体発光素子構造11と実装基板20とが接合されている。実装基板20は、例えば、厚さが0.4〜2.0mmの窒化アルミニウムセラミックスからなり、上面20a側に半導体発光素子構造11との接合部である実装部22bへの電気的な配線パターンと、高反射率の金属又は誘電体多層膜などからなる反射層とが設けられている。
集積基板60上に実装された各半導体発光素子構造11の表面に、蛍光体層12を形成する。例えば、スクリーン印刷法を用いる場合には、所望の厚みの蛍光体層12が得られるように設計したスクリーン印刷用のマスクを用いて、熱硬化性のシリコーン樹脂などをバインダとして蛍光体と均一に混練したものを、半導体発光素子構造11の表面に適量塗布し、スキージによって半導体発光素子構造11を覆うように形成する。このとき、半導体発光素子構造11の上面及び側面を覆う蛍光体層12の厚みは同じであることが望ましい。
なお、蛍光体層12は、蛍光体を含有したセラミックス板(板状焼結体)を所望の大きさに切り出し、シリコーン樹脂などの熱硬化樹脂を用いて半導体発光素子構造11の表面に貼付し、その後必要な温度にて熱硬化樹脂を加熱硬化して接着することによって形成するようにしてもよい。
次に、集積基板60を、実装基板20の長手方向の分割予定線(ダイシングライン)62aに沿ってダイシングして、バー状の集積基板60を切り出す。その後、切り出された各バー状の集積基板60を、更に、実装基板20の短手方向の分割予定線62bに沿ってダイシングして、個々の実装基板20を切り出す。
封止部材成形工程は、発光素子10が実装された実装基板20上に封止部材30を圧縮成形する工程であって、封止部材のポッティング工程と、封止部材の1次硬化工程と、封止部材の2次硬化工程とを含む。
ここで、封止部材30の平坦な底面30aを形成するとともに、金型から取り出しやすくするために、金型治具52の上面52aには離型剤を塗布しておく。また、実装基板20の外部接続用電極端子22a(図1B参照)上には、封止部材30を成形後に、封止部材30の材料として用いた封止樹脂31による被膜を除去できるように、熱剥離シートを貼付してマスキングしておいてもよい。
なお、実装基板20の側面20bと金型治具52との間に隙間に侵入した封止樹脂31が下垂部30bとなる。
次に、図5E及び図5Fに示すように、ポッティングした封止樹脂31の上から上側金型53を閉じ、所定の圧力を加えて封止樹脂31を圧縮する。上側金型53には、半球状のレンズ型が形成されている。そして、上側金型53によって圧縮した状態で所定時間保持し、封止樹脂31を1次硬化させる。
次に、所望の形状となった封止樹脂31が成形された実装基板20を、下側金型51及び上側金型53から取り出し、所定の条件で加熱して封止樹脂31を2次硬化させる。2次硬化の条件は、封止樹脂31が十分に硬化するように、例えば、2次硬化温度を1次硬化温度と同等以上とし、2次硬化時間を1次硬化時間よりも長時間に設定することが好ましい。硬質シリコーン樹脂、エポキシ樹脂の場合、2次硬化時間は3〜5時間程度とすることができる。2次硬化をこのように十分に行うことにより、封止樹脂31内に未反応の樹脂成分が残り、発光素子10の信頼性に悪影響を与えることを防止することができる。また、下側金型51及び上側金型53内での短時間の1次硬化の後に、下側金型51及び上側金型53から発光装置1を取り出して、封止樹脂31の長時間の2次硬化を行うことにより、工程のスループットを高めることができる。
以上の工程により、発光素子10、実装基板20及び封止部材30からなる発光装置1が完成する。
以上説明したような貫通穴又は凹部を設けた金型治具52又は下側金型51を用いて、前記した製造方法によって発光装置1を製造することができる。
(実施例)
本実施例では、図1A乃至図1C及び図2Aに示した構造の発光装置を以下の方法で作製する。
このようにして、図1A乃至図1C及び図2Aに示したような直径約8mmの半球状の封止部材30を有する発光装置1が得られる。
発光装置1の比較例として、実施例における実装基板の短手方向(短辺側)の長さを約10mmとして、図6A及び図6Bに示すような、短手方向においても基板(実装基板120)の幅が封止部材(レンズ)130の径よりも大きくした形態の発光装置101を作製する。なお、図6Aは、図6Bの線D−Dにおける断面図である。
図6A及び図6Bに示すように、比較例における発光装置101は、封止部材130が、すべて実装基板120の上面120a上に設けられる。
比較例の製造方法は、個片化した実装基板120を挟み込む金型治具52を用いない点を除いては、前記した実施例の製造方法と同様である。
実施例の発光装置は、順電流350mAにおいて光出力504mW、順電流700mAにおいて光出力941mW、順電流1000mAにおいて光出力1273mWで発光する。
また、比較例の発光装置は、順電流350mAにおいて光出力498mW、順電流700mAにおいて光出力918mW、順電流1000mAにおいて光出力1228mWで発光する。
10 発光素子
10a 上面
11 半導体発光素子構造
12 蛍光体層
20 実装基板
20a 上面
20b、20b1、20b2 側面
20c 露出部
22 金属膜
22a 外部接続用電極端子
22b 実装部
23 絶縁保護膜
30 封止部材
30a 底面
30b 下垂部
30c 平坦部
30d 端部
30e 光取り出し面
31 封止樹脂
51 下側金型
52 金型治具(治具)
52a 上面
53 上側金型
54 ディスペンサ
60 集積基板
61 シート状の実装基板
62a、62b 分割予定線
Claims (6)
- 上面と、当該上面から連続する側面とを有する実装基板の前記上面に、発光素子を実装する発光素子実装工程と、
前記発光素子実装工程の後、前記発光素子を内包する封止部材を圧縮成形する封止部材成形工程と、を含み、
前記封止部材成形工程において、前記実装基板の側面が平滑な上面を有する治具で挟まれ、かつ前記治具の前記上面が前記実装基板の前記上面より下側に位置するように前記実装基板と前記治具とを配置して、前記封止部材を圧縮成形することにより、前記封止部材の底面を前記治具の前記上面で成形することを特徴とする発光装置の製造方法。 - 前記封止部材成形工程において、前記実装基板の側面を複数の前記治具で両側から挟み込んで、前記封止部材を圧縮成形することを特徴とする請求項1に記載の発光装置の製造方法。
- 前記実装基板は、一方向に長い矩形状の複数の実装基板が長手方向に連なったバー状の状態であり、各実装基板に対応する封止部材の圧縮成形を同時に行うことを特徴とする請求項1に記載の発光装置の製造方法。
- 前記治具は、深さが前記実装基板の厚さより所定の高さだけ浅く、平面視で前記実装基板の形状の貫通穴又は凹部が設けられた板状の治具であって、
前記封止部材成形工程において、前記実装基板を前記治具の貫通穴又は凹部に嵌め込むように設置して、前記封止部材を圧縮成形することを特徴とする請求項1に記載の発光装置の製造方法。 - 前記貫通穴又は凹部が複数設けられた前記治具を用いて、各貫通穴又は凹部に前記実装基板を各々設置し、各実装基板に対応する封止部材の圧縮成形を同時に行うことを特徴とする請求項4に記載の発光装置の製造方法。
- 前記実装基板の上面は、一方向に長い矩形状であり、
前記封止部材を、前記実装基板の長手方向の少なくとも一方の端部の上面が該封止部材から露出するように、圧縮成形することを特徴とする請求項1乃至5のいずれか一項に記載の発光装置の製造方法。
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