JP2013232593A - エッチング方法、エッチング装置および記憶媒体 - Google Patents
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- 238000005530 etching Methods 0.000 title claims abstract description 345
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 106
- 238000012545 processing Methods 0.000 claims abstract description 61
- 238000010828 elution Methods 0.000 claims abstract description 37
- 238000005259 measurement Methods 0.000 claims abstract description 20
- 238000007599 discharging Methods 0.000 claims abstract description 15
- 238000009529 body temperature measurement Methods 0.000 claims abstract description 8
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims description 12
- 238000004590 computer program Methods 0.000 claims description 2
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 131
- NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N Phosphoric acid Chemical compound OP(O)(O)=O NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 80
- 235000011007 phosphoric acid Nutrition 0.000 description 74
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 54
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 54
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 54
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 description 53
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 50
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 15
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 9
- 229910000147 aluminium phosphate Inorganic materials 0.000 description 6
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 5
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000009835 boiling Methods 0.000 description 4
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 2
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000013329 compounding Methods 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 1
- 239000013589 supplement Substances 0.000 description 1
- 208000024891 symptom Diseases 0.000 description 1
- 238000011144 upstream manufacturing Methods 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 description 1
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- H—ELECTRICITY
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- H01L21/67063—Apparatus for fluid treatment for etching
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- Engineering & Computer Science (AREA)
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- Manufacturing & Machinery (AREA)
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Abstract
【解決手段】エッチング方法は、エッチング処理後にエッチング処理に供されたエッチング液Eを第1設定量だけ排出部30から排出する工程と、新規のエッチング液Eを第2設定量だけ補充部11から補充する工程とを備えている。溶出成分測定部25からのエッチング液E中のウエハWの溶出成分濃度と、濃度測定部26からのエッチング液Eの濃度と、温度測定部27からのエッチング液の温度に基づいて、排出すべき第1設定量と、補充すべき第2設定量を求めてエッチング液の排出と新規エッチング液の補充が行われる。
【選択図】図1
Description
次に図1乃至図5により、本発明の第1の実施の形態について説明する。
次に図6により本発明の第2の実施の形態について説明する。
E エッチング液
10 処理槽
11 補充部
12 H3PO4水溶液供給系
13 DIW供給系
14 シリコン調整用タンク
15 調合タンク
15A 調合タンク
20 循環ライン
20A 循環ライン
21 循環ポンプ
22 温度コントローラ
23 フィルタ
25 溶出成分測定部
26 濃度測定部
27 温度測定部
30 排出部
31 排出ライン
33 連通ライン
40 エッチング処理部
41 保持部
42 ノズル
43 エッチング処理室
Claims (13)
- エッチング処理部内に収納された被処理体に対してエッチング液を用いてエッチング処理を施すエッチング方法において、
エッチング処理部内で被処理体に対してエッチング液を供給しエッチング処理を施す工程と、
エッチング処理に供されたエッチング液を第1設定量だけ排出する工程と、
第1設定量だけ排出されたエッチング液中に、新規エッチング液を第2設定量だけ補充する工程と、を備え、
エッチング処理に供された被処理体から溶出されるエッチング液中の溶出成分濃度、エッチング液の濃度、およびエッチング液の温度を測定するとともに、この測定された溶出成分濃度、エッチング液の濃度およびエッチング液の温度に基づいて、第1設定量および第2設定量を求めてエッチング液の排出と新規エッチング液の補充が行われることを特徴とするエッチング方法。 - エッチング液を排出する第1設定量は被処理体からの溶出成分濃度により決定され、
新規エッチング液を補充する第2設定量は決定された第1設定量、エッチング液の濃度およびエッチング液の温度により決定されることを特徴とする請求項1記載のエッチング方法。 - エッチング処理部はエッチング液が貯留される処理槽からなり、被処理体は、処理槽内のエッチング液中に浸漬されてエッチング処理が行われ、処理槽内のエッチング処理に供されたエッチング液が排出され、処理槽内へ新規エッチング液が補充されることを特徴とする請求項1記載のエッチング方法。
- エッチング処理部は被処理体を収納保持する保持部を有し、
保持部に保持された被処理体に対してエッチング液がエッチング液供給部から供給され、エッチング液供給部から被処理体に供給されたエッチング液は循環ラインを経て再びエッチング液供給部へ戻され、
循環ライン中のエッチング液が排出され、
循環ライン中へ新規エッチング液が補充されることを特徴とする請求項1記載のエッチング方法。 - 被処理体に対してエッチング処理を施す前に、エッチング液を予め第1予備量だけ排出する工程と、その後に新規エッチング液を予め第2予備量だけ補充する工程を更に備えたことを特徴とする請求項1記載のエッチング方法。
- エッチング液を排出する第1予備量と、新規のエッチング液を補充する第2予備量は、エッチング処理中の被処理体の枚数、処理時間を含むエッチング処理レシピに応じて予め定められていることを特徴とする請求項5記載のエッチング方法。
- 被処理体に対してエッチング液を用いてエッチング処理を施すエッチング装置において、
被処理体を収納するエッチング処理部と、
エッチング処理に供されたエッチング液を第1設定量だけ排出する排出部と、
第1所定量だけ排出されたエッチング液中に、新規エッチング液を第2設定量だけ補充する補充部と、
エッチング処理に供された被処理体から溶出されるエッチング液中の溶出成分濃度を測定する溶出成分測定部と、
エッチング液の濃度を測定する濃度測定部と、
エッチング液の温度を測定する温度測定部と、
排出部と補充部を制御する制御装置とを備え、制御装置は溶出成分測定部からの溶出成分濃度、濃度測定部からのエッチング液の濃度および温度測定部からのエッチング液の温度に基づいて、第1設定量および第2設定量を求めて排出部と補充部を制御することを特徴とするエッチング装置。 - 制御部はエッチング液を排出する第1設定量を被処理体からの溶出成分濃度により決定し、新規エッチング液を補充する第2設定量を決定された第1設定量、エッチング液の濃度およびエッチング液の温度により決定することを特徴とする請求項7記載のエッチング装置。
- エッチング処理部はエッチング液が貯留される処理槽からなり、被処理体は、処理槽内のエッチング液中に浸漬されてエッチング処理が行われ、処理槽内のエッチング処理に供されたエッチング液が排出部により排出され、処理槽内へ新規エッチング液が補充部により補充されることを特徴とする請求項7記載のエッチング装置。
- エッチング処理部は被処理体を収納保持する保持部を有し、
保持部に保持された被処理体に対してエッチング液を供給するエッチング液供給部が設けられ、
エッチング液供給部から被処理体に供給されたエッチング液を再びエッチング液供給部へ戻す循環ラインが設けられ、
循環ライン中のエッチング液が排出部により排出され、
循環ライン中へ新規エッチング液が補充部により補充されることを特徴とする請求項7記載のエッチング装置。 - 制御部は被処理体に対してエッチング処理を施す前に、エッチング液を予め第1予備量だけ排出部により排出するとともに、その後に新規エッチング液を予め第2予備量だけ補充部により補充する工程を更に備えたことを特徴とする請求項7記載のエッチング装置。
- 制御部はエッチング液を排出する第1予備量と、新規のエッチング液を補充する第2予備量を、エッチング処理中の被処理体の枚数、処理時間を含むエッチング処理レシピに応じて予め定めることを特徴とする請求項11記載のエッチング装置。
- コンピュータにエッチング方法を実行させるためのコンピュータプログラムを格納した記憶媒体において、
エッチング方法は、
エッチング処理部内で被処理体に対してエッチング液を供給しエッチング処理を施す工程と、
エッチング処理に供されたエッチング液を第1設定量だけ排出する工程と、
第1設定量だけ排出されたエッチング液中に、新規エッチング液を第2設定量だけ補充する工程と、を備え、
エッチング処理に供された被処理体から溶出されるエッチング液中の溶出成分濃度、エッチング液の濃度、およびエッチング液の温度を測定するとともに、この測定された溶出成分濃度、エッチング液の濃度およびエッチング液の温度に基づいて、第1設定量および第2設定量を求めてエッチング液の排出と新規エッチング液の補充が行われることを特徴とする記憶媒体。
Priority Applications (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2012104777A JP6087063B2 (ja) | 2012-05-01 | 2012-05-01 | エッチング方法、エッチング装置および記憶媒体 |
PCT/JP2013/060903 WO2013164942A1 (ja) | 2012-05-01 | 2013-04-11 | エッチング方法、エッチング装置および記憶媒体 |
TW102114906A TW201409558A (zh) | 2012-05-01 | 2013-04-25 | 蝕刻方法、蝕刻裝置及記憶媒體 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2012104777A JP6087063B2 (ja) | 2012-05-01 | 2012-05-01 | エッチング方法、エッチング装置および記憶媒体 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2013232593A true JP2013232593A (ja) | 2013-11-14 |
JP6087063B2 JP6087063B2 (ja) | 2017-03-01 |
Family
ID=49514343
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2012104777A Active JP6087063B2 (ja) | 2012-05-01 | 2012-05-01 | エッチング方法、エッチング装置および記憶媒体 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP6087063B2 (ja) |
TW (1) | TW201409558A (ja) |
WO (1) | WO2013164942A1 (ja) |
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KR20200072419A (ko) | 2018-12-12 | 2020-06-22 | 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 | 기판 처리 장치 및 처리액 농축 방법 |
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Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP6087063B2 (ja) | 2017-03-01 |
TW201409558A (zh) | 2014-03-01 |
WO2013164942A1 (ja) | 2013-11-07 |
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Legal Events
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