JP2013230589A - 液体吐出ヘッドの製造方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】供給口形成時のエッチング加工形状を安定化できる液体吐出ヘッドの製造方法を提供する。
【解決手段】基板と、保護層と、配線層と、配線層上に設けられた絶縁層および電極パッドと、基板を貫通する供給口と、を備える液体吐出ヘッドの製造方法であって、基板の一方の面上に第1の保護層を形成する工程と、基板の他方の面上に配線層を形成する工程と、配線層上に絶縁層を形成した後絶縁層の一部を除去して配線層の一部を露出させる工程と、露出した配線層上に電極パッドを形成する工程と、基板の他方の面上に流路部材を形成する工程と、流路部材を形成した後基板の一方の面上に第2の保護層を形成する工程と、第1の保護層および/または第2の保護層の一部を除去した後基板の一方の面から基板の他方の面に通じる供給口を形成する工程と、を含む方法。
【選択図】図1
【解決手段】基板と、保護層と、配線層と、配線層上に設けられた絶縁層および電極パッドと、基板を貫通する供給口と、を備える液体吐出ヘッドの製造方法であって、基板の一方の面上に第1の保護層を形成する工程と、基板の他方の面上に配線層を形成する工程と、配線層上に絶縁層を形成した後絶縁層の一部を除去して配線層の一部を露出させる工程と、露出した配線層上に電極パッドを形成する工程と、基板の他方の面上に流路部材を形成する工程と、流路部材を形成した後基板の一方の面上に第2の保護層を形成する工程と、第1の保護層および/または第2の保護層の一部を除去した後基板の一方の面から基板の他方の面に通じる供給口を形成する工程と、を含む方法。
【選択図】図1
Description
本発明は、液体吐出ヘッドの製造方法に関する。
液体を吐出することで記録動作を行う記録装置として、インクを吐出するインクジェットプリンターが広く知られている。該記録装置に用いられる液体吐出ヘッドは、液体を吐出するためのエネルギーを発生するエネルギー発生素子等を備える液体吐出ヘッド用基板と、吐出口や液体の流路の一部を構成する流路部材とを備える。液体吐出ヘッド用基板には、該液体吐出ヘッド用基板とは別の部材から該液体吐出ヘッド用基板に電気信号を伝えるための電極パッドが設けられている。また、液体吐出ヘッド用基板には、エネルギー発生素子に液体を供給するための供給口が基板を貫通して設けられている。
前記液体吐出ヘッドの製造方法としては、例えば特許文献1に開示されている方法が挙げられる。すなわち、耐アルカリ性の保護層を設けた基板を用意し、該基板に流路部材を形成した後、前記保護層を貫通して基板を一定量彫り込んだレーザパターンを描画し、そのパターンを通じてアルカリ性液体で基板をエッチングする方法である。
しかしながら、特許文献1に記載の方法では、耐アルカリ性の保護層の形成後から流路部材の形成完了までの過程において、耐アルカリ性の保護層にキズが生じ、耐アルカリ性保護層の下層にある基板が露出する場合がある。この状態で供給口形成を行うと、耐アルカリ性の保護層のキズからアルカリ性液体が浸入して基板がエッチングされ、供給口の加工形状の拡大や、意図しない加工穴の形成が生じる場合がある。このため、液体吐出ヘッドの更なる品質の向上が求められている。
本発明は上記課題を鑑みてなされたものであり、供給口形成時のエッチング加工形状の安定化を目的とする。
本発明に係る液体吐出ヘッドの製造方法は、基板と、該基板の一方の面上に設けられた保護層と、該基板の他方の面上に設けられた配線層と、該配線層上に設けられた絶縁層および電極パッドと、該基板の一方の面と他方の面とを連通するように設けられた供給口と、を備える液体吐出ヘッドの製造方法であって、
(1)基板の一方の面上に、第1の保護層を形成する工程と、
(2)基板の他方の面上に、配線層を形成する工程と、
(3)前記配線層上に絶縁層を形成した後、該絶縁層の一部を除去して該配線層の一部を露出させる工程と、
(4)前記露出した配線層上に電極パッドを形成する工程と、
(5)前記基板の他方の面上に、流路部材を形成する工程と、
(6)前記流路部材を形成した後、前記基板の一方の面上に第2の保護層を形成する工程と、
(7)前記第1の保護層および/または前記第2の保護層の一部を除去した後、前記基板の一方の面から前記基板の他方の面に通じる供給口を形成する工程と、
を含む。
(1)基板の一方の面上に、第1の保護層を形成する工程と、
(2)基板の他方の面上に、配線層を形成する工程と、
(3)前記配線層上に絶縁層を形成した後、該絶縁層の一部を除去して該配線層の一部を露出させる工程と、
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(5)前記基板の他方の面上に、流路部材を形成する工程と、
(6)前記流路部材を形成した後、前記基板の一方の面上に第2の保護層を形成する工程と、
(7)前記第1の保護層および/または前記第2の保護層の一部を除去した後、前記基板の一方の面から前記基板の他方の面に通じる供給口を形成する工程と、
を含む。
本発明に係る方法によれば、供給口形成時のエッチング加工形状を安定化させることができる。
以下、図面を参照して本発明に係る実施形態について説明する。
本発明に係る液体吐出ヘッドの製造方法は、基板と、該基板の一方の面上に設けられた保護層と、該基板の他方の面上に設けられた配線層と、該配線層上に設けられた絶縁層および電極パッドと、該基板の一方の面と他方の面とを連通するように設けられた供給口と、を備える液体吐出ヘッドの製造方法であって、
(1)基板の一方の面上に、第1の保護層を形成する工程と、
(2)基板の他方の面上に、配線層を形成する工程と、
(3)前記配線層上に絶縁層を形成した後、該絶縁層の一部を除去して該配線層の一部を露出させる工程と、
(4)前記露出した配線層上に電極パッドを形成する工程と、
(5)前記基板の他方の面上に、流路部材を形成する工程と、
(6)前記流路部材を形成した後、前記基板の一方の面上に第2の保護層を形成する工程と、
(7)前記第1の保護層および/または前記第2の保護層の一部を除去した後、前記基板の一方の面から前記基板の他方の面に通じる供給口を形成する工程と、
を含む。
(1)基板の一方の面上に、第1の保護層を形成する工程と、
(2)基板の他方の面上に、配線層を形成する工程と、
(3)前記配線層上に絶縁層を形成した後、該絶縁層の一部を除去して該配線層の一部を露出させる工程と、
(4)前記露出した配線層上に電極パッドを形成する工程と、
(5)前記基板の他方の面上に、流路部材を形成する工程と、
(6)前記流路部材を形成した後、前記基板の一方の面上に第2の保護層を形成する工程と、
(7)前記第1の保護層および/または前記第2の保護層の一部を除去した後、前記基板の一方の面から前記基板の他方の面に通じる供給口を形成する工程と、
を含む。
本発明に係る方法によれば、第1の保護層の形成後から流路部材の形成完了までの工程において、第1の保護層にキズが発生して基板が露出した場合にも、その露出部が第2の保護層によって被覆保護される。これにより、供給口形成時のエッチング加工形状を安定化させることができ、品質の高い液体吐出ヘッドを提供することができる。なお、本発明に係る方法において、前記工程(1)から(7)の順序は特に限定されず、本発明に係る方法は前記工程(1)から(7)を少なくとも含めばよい。
本発明に係る方法により製造される液体吐出ヘッドは、プリンタ、複写機、通信システムを有するファクシミリ、プリンタ部を有するワードプロセッサなどの装置、さらには各種処理装置と複合的に組み合わせた産業記録装置に搭載可能である。本発明に係る方法により製造される液体吐出ヘッドを用いることによって、紙、糸、繊維、布帛、皮革、金属、プラスチック、ガラス、木材、セラミックスなど種々の被記録媒体に記録を行うことができる。
なお、本明細書内において「記録」とは、文字や図形などの意味を有する画像を被記録媒体に対して付与するだけでなく、パターンなどの意味を有さない画像を付与することも意味する。また、本明細書内において「液体」とは広く解釈されるべきであり、被記録媒体上に付与されることによって、画像、模様、パターン等の形成、被記録媒体の加工、或いはインクまたは被記録媒体の処理に供される液体を言うものとする。インクまたは被記録媒体の処理としては、例えば、被記録媒体に付与されるインク中の色材の凝固または不溶化による定着性の向上や、記録品位または発色性の向上、画像耐久性の向上などを言うものとする。
図1(a)は本発明に係る方法により製造される液体吐出ヘッドの一例を示す斜視図である。図1(b)は図1(a)に示す液体吐出ヘッドを下方から見た平面図である。図1(c−1)は図1(a)に示す液体吐出ヘッドのA−A’断面図である。図1(c−2)は図1(a)に示す液体吐出ヘッドのB−B’断面図である。
図1に示す液体吐出ヘッドは、エネルギー発生素子8を備える液体吐出ヘッド用基板13と、液体吐出ヘッド用基板13の上に設けられた流路部材7と備える。流路部材7は、エネルギー発生素子8により発生されるエネルギーを利用して液体を吐出する吐出口6を備える。また、流路部材7と液体吐出ヘッド用基板13との間隙には吐出口6および供給口5と連通する流路9が設けられている。さらに、液体吐出ヘッド用基板13は、流路9に液体を送るための、シリコンからなる基板4を貫通する供給口5と、外部との電気的接続を行う電極パッド3とを備える。また、該液体吐出ヘッドには、アルミナなどからなる液体吐出ユニット(不図示)の支持基板が、液体吐出ヘッド用基板13の流路部材7側と相対する側の面に接続される。この液体吐出ユニットの支持基板から供給口5を介して供給された液体が、流路9に運ばれ、エネルギー発生素子8の発生する熱エネルギーによって膜沸騰され、吐出口6から吐出されることで記録動作が行われる。
液体吐出ヘッド用基板13には、エネルギー発生素子8を駆動するために接続される配線層10が設けられている。また、エネルギー発生素子8および配線層10の下には、酸化シリコンを含む絶縁層21が設けられている。さらに、エネルギー発生素子8および配線層10の上には、窒化シリコンを含む絶縁層22が設けられている。なお、本発明において、絶縁層21および絶縁層22は2層以上設けられていてもよい。
また、液体吐出ヘッド用基板13の流路部材7側と相対する側の面には、図1(b)ならびに図1(c−1)および(c−2)に示すように、供給口5の空隙部と、第1の保護層1と、第2の保護層2とが設けられている。
(第一の実施形態)
以下、図2を参照して、本発明に係る第一の実施形態の液体吐出ヘッドの製造方法を示す。図2は、図1(a)に示す液体吐出ヘッドのA−A’断面図およびB−B’断面図により各工程を示す図である。図2(a−1)、(b−1)、・・・はA−A’断面図、図2(a−2)、(b−2)、・・・はB−B’断面図を示す。
以下、図2を参照して、本発明に係る第一の実施形態の液体吐出ヘッドの製造方法を示す。図2は、図1(a)に示す液体吐出ヘッドのA−A’断面図およびB−B’断面図により各工程を示す図である。図2(a−1)、(b−1)、・・・はA−A’断面図、図2(a−2)、(b−2)、・・・はB−B’断面図を示す。
まず、図2(a−1)および(a−2)に示すように、シリコン(100)面を有する基板4を用意し、基板4の一方の(100)面上に第1の保護層1を形成し、基板4の他方の(100)面上に絶縁層21を形成する。絶縁層21としては、熱酸化法または化学気相成長法により形成される酸化シリコン膜を用いることができる。第1の保護層1としては、後の工程でアルカリ性エッチャントにより基板4をウエットエッチングする際に保護層として機能するように、アルカリ性エッチャントに耐性を有する熱酸化法により形成される酸化シリコン膜を用いることができる。本実施形態では、第1の保護層1として該酸化シリコン膜を用いる。また、第1の保護層1としては、真空成膜法により形成される1層以上の絶縁層または金属層を用いることができる。絶縁層としては、酸化シリコン、窒化シリコン、炭化シリコンなどを含有する層が挙げられる。金属層としては、ニッケル、金、銅などを含有する層が挙げられる。第1の保護層1の材料としては、酸化シリコン、窒化シリコン、炭化シリコン、ニッケル、金、銅などを用いることができる。これらは一種のみを用いてもよく、二種以上を併用してもよい。
次に、図2(b−1)および(b−2)に示すように、絶縁層21を部分的に除去した構造を形成する。まず、絶縁層21上にポジ型の有機樹脂を含むレジストをスピンコート法により塗布し、露光、現像を行って露光部のレジストを部分的に除去する。その後、ドライエッチングにより絶縁層21を選択除去することにより前記構造を形成することができる。
次に、図2(c−1)および(c−2)に示すように、絶縁層21上にエネルギー発生素子8、配線層10および絶縁層22を含む積層構造を形成する。まず、タンタル−シリコン合金ターゲットを用意して、絶縁層21を含む最表層上に、エネルギー発生素子8の材料であるタンタル窒化シリコン膜をスパッタ法により成膜する。続いて、アルミニウムターゲットを用意して、該タンタル窒化シリコン膜上に配線層10の材料であるアルミニウム膜をスパッタ法により連続成膜する。次に、ポジ型の有機樹脂からなるレジストをスピンコート法により塗布した後、露光、現像を行って露光部のレジストを部分的に除去する。その後、ドライエッチング法を用いて、タンタル窒化シリコン膜およびアルミニウム膜を選択的にエッチングする。その後、レジストを除去する。これにより、エネルギー発生素子8および配線層10を形成する。次に、エネルギー発生素子8および配線層10上に窒化シリコンを主原料とする絶縁層22を化学気相成長法で成膜する。さらに、絶縁層22上に、ポジ型の有機樹脂からなるレジストをスピンコート法により塗布した後、露光、現像を行って露光部のレジストを部分的に除去する。その後、ドライエッチングすることで絶縁層22を選択除去する。これにより、図2(c−2)に示すように、絶縁層22の一部が除去されて配線層10の一部が露出した構造を設ける。なお、本発明においては、絶縁層22上にさらにタンタルを含む金属層を成膜し、フォトリソグラフィ法およびエッチング法により金属層を選択除去することで、流路形成部に耐キャビテーション層をさらに設けても良い。
次に、図2(d−1)および(d−2)に示すように、前記露出した配線層10上に電極パッド3を形成する。電極パッド3の形成方法としては、電解めっき法を用いることができる。まず、チタンタングステンおよび金をスパッタ法により成膜し、その上にポジ型の有機樹脂からなるレジストをスピンコート法で塗布する。フォトリソグラフィ法を用いてレジストを選択的に除去して金の層を露出させた後、金を含むめっき液中にて電解めっき処理を行う。その後、レジスト、金およびチタンタングステン層を除去することで、電極パッド3を形成することができる。なお、本発明においては、電極パッド3の形成方法として電解めっき法以外にも、無電解めっき法や、真空成膜法等を用いることができる。また、電極パッド3の材料としては、金以外にも、ニッケル、銅などを用いることができる。これらは一種のみを用いてもよく、二種以上を併用してもよい。
次に、図2(e−1)および(e−2)に示すように、基板4の他方の面上の、絶縁層22を含む最表層上に、型材12および流路部材7を含む積層構造体を形成する。まず、溶剤に溶解可能なポジ型感光性樹脂材料をスピンコート法により塗布し、露光、現像して、型材12を形成する。型材12の厚みとしては、例えば5〜30μmとすることができる。該ポジ型感光性樹脂材料としては、後の工程で塗布するネガ型感光性樹脂材料との相溶が少なく、その後の工程で容易に除去することができる材料が好ましい。ポジ型感光性樹脂材料としては、例えば熱可塑性樹脂を用いることができる。次に、ネガ型感光性樹脂材料をスピンコート法により塗布し、露光、現像することで、流路部材7を形成する。流路部材7の厚みとしては、型材12の上部において例えば10〜80μmとすることができる。該ネガ型感光性樹脂材料には、型材12の材料であるポジ型感光性樹脂材料との相溶が少ないことに加え、インクに対する耐腐食性、基板4との密着性、外部衝撃に対する強度、およびパターニングの高精度性が要求される。該ネガ型感光性樹脂材料としては、例えばエポキシ樹脂(市販品では、例えばEHPE−3150(商品名、ダイセル化学(株)製))、ポリエーテルアミド樹脂、ポリイミド樹脂、ポリカーボネート樹脂、ポリエステル樹脂等の熱可塑性樹脂を用いることができる。これらは一種のみを用いてもよく、二種以上を併用してもよい。続いて、フォトリソグラフィ法を用いて流路部材7を露光・現像することにより、流路部材7に吐出口6を形成する。
ここで、第1の保護層1の形成から型材12および流路部材7を含む積層構造体の形成までの間の各工程において、第1の保護層1の一部が欠落して基板4が露出した剥離領域11が生じる場合がある。剥離領域11の発生原因としては、第1の保護層1を成膜する際に付着した粒子や、第1の保護層1形成後の基板4の搬送などによる物理キズ等が挙げられる。剥離領域11が存在すると、後の工程でアルカリ性エッチャントにより供給口を形成する際に、剥離領域11の基板4露出部がアルカリ性エッチャントに接触して基板4のエッチングが進行する。このため、剥離領域11の基板4露出部から予期せぬ基板4の加工がなされる。これにより、基板4の体積が減少するため、基板4の剛性が低下する。さらに、剥離領域11によって形成された基板4の加工部と供給口とが合体して、供給口の体積が大きくなる場合がある。この場合、液体吐出ユニットとの接着面積が低下して、接着力が低下する。
前記課題を解決する観点から、本実施形態においては、図2(f−1)および(f−2)に示すように、基板4の一方の面上に、第1の保護層1の剥離領域11を少なくとも被覆するように、第2の保護層2を形成する。第2の保護層2は無電解めっき法により形成することが好ましい。無電解めっき法は、めっき液中に含まれる還元剤が酸化した時に発生する電子を用いて、金属を析出させる手法である。無電解めっき法では、下地材料と析出させる金属との組み合わせにより、選択的な金属膜形成が可能である。本実施形態において析出金属として金を用いた場合、第1の保護層1の剥離領域では、該剥離領域を被覆するように第2の保護層2が形成される。一方、該剥離領域以外の第1の保護層1上には、第2の保護層2は形成されない。無電解めっき法では、金以外にも、ニッケル、銅などの金属を用いることができる。これらは一種のみを用いてもよく、二種以上を併用してもよい。なお、本実施形態においては、第2の保護層2の形成と、電極パッド3の形成とは別々の工程として行っているが、後述する実施形態のように、第2の保護層2の形成と電極パッド3の形成とを同一工程として行ってもよい。この場合、電極パッド3および第2の保護層2の形成を、同一工程として無電解めっき法により行うことができる。また、第2の保護層2の形成として、無電解めっき法により1層以上の金属層を形成してもよい。
次に、図2(g−1)および(g−2)に示すように、第1の保護層1および/または第2の保護層2の一部を除去した後、基板4の一方の面から基板4の他方の面に通じる供給口5を形成する。まず、スピンコートによりレジストを塗布し、流路部材7や電極パッド3を被覆する(不図示)。該レジストは耐アルカリ性を有し、ウエット処理により容易に除去可能な材料であることが好ましい。該レジストとしては、例えば環化ゴムを用いることができる。次に、レーザアブレーションを用いて、第1の保護層1および/または第2の保護層2を貫通し、基板4内に留まるレーザ孔を形成する。また、該レーザ孔を形成した領域の周囲に、第1の保護層1および/または第2の保護層2を少なくとも貫通するレーザパターンをレーザアブレーションにより形成する。該レーザ孔および該レーザパターンの加工領域は、基材4の構成材料であるシリコンが露出している領域である。したがって、これらのレーザアブレーションによる加工の後に、基板4をアルカリ性エッチャントに浸漬すると、該レーザ孔および該レーザパターンにおいて露出したシリコンから異方性エッチングが進行する。これにより、シリコン(111)面を含む形状を有する供給口5が形成される。本発明においては、レーザアブレーションの代わりに、フォトリソグラフィ法およびエッチング法により、第1の保護層1および/または第2の保護層2を除去して基材4を露出させても良い。
次に、CF4、O2およびN2を含むガス雰囲気でドライエッチング処理を行うことにより、供給口5の上方を覆う絶縁層22を除去する。その後、前述の工程で設けたレジストをウエット処理により除去する。続いて、UV照射とウエット処理により型材12を除去することで、流路9を形成する。以上により、図2(h−1)および(h−2)に示す液体吐出ヘッドが完成する。
本実施形態に係る方法により製造される液体吐出ヘッドは、第1の保護層1および第2の保護層2の存在によって、基板4に供給口5以外の空隙は生じず、各保護層の欠落に由来する供給口5の形状拡大も生じない。これにより、基板4の剛性を確保でき、外部ユニットとの接着性を保持できるため、品質の安定した液体吐出ヘッドを供給することができる。
(第二の実施形態)
以下、図3を参照して、本発明に係る第二の実施形態の液体吐出ヘッドの製造方法を示す。図3は、図1(a)に示す液体吐出ヘッドのA−A’断面図およびB−B’断面図により各工程を示す図である。図3(a−1)、(b−1)、・・・はA−A’断面図、図3(a−2)、(b−2)、・・・はB−B’断面図を示す。
以下、図3を参照して、本発明に係る第二の実施形態の液体吐出ヘッドの製造方法を示す。図3は、図1(a)に示す液体吐出ヘッドのA−A’断面図およびB−B’断面図により各工程を示す図である。図3(a−1)、(b−1)、・・・はA−A’断面図、図3(a−2)、(b−2)、・・・はB−B’断面図を示す。
まず、図3(a−1)および(a−2)に示すように、第一の実施形態と同様にして、シリコン(100)面を有する基板4を用意し、基板4の一方の(100)面上に第1の保護層1を形成し、基板4の他方の(100)面上に絶縁層21を形成する。
次に、図3(b−1)および(b−2)に示すように、第一の実施形態と同様にして、絶縁層21を部分的に除去した構造を形成する。
次に、図3(c−1)および(c−2)に示すように、第一の実施形態と同様にして、絶縁層21上にエネルギー発生素子8、配線層10および絶縁層22を含む積層構造を形成する。
次に、図3(d−1)および(d−2)に示すように、第一の実施形態と同様にして、絶縁層22を含む最表層上に、型材12および流路部材7を含む積層構造体を形成する。
次に、図3(e−1)および(e−2)に示すように、前記露出した配線層10上に電極パッド3を形成すると共に、基板4の一方の面上に、第1の保護層1の剥離領域11を少なくとも被覆するように、第2の保護層2を形成する。本実施形態では、型材12および流路部材7を含む積層構造体の形成後に、電極パッド3の形成と第2の保護層2の形成とを同一工程として行う。電極パッド3および第2の保護層2の形成は、第一の実施形態と同様の無電解めっき法により行うことができる。本実施形態において析出金属として金を用いた場合、第1の保護層1の剥離領域では、該剥離領域を被覆するように第2の保護層2が形成される。一方、該剥離領域以外の第1の保護層1上には、第2の保護層2は形成されない。また、配線層10が露出した領域では配線層10を起点に金が成長し、配線層10上およびその周囲の絶縁層22を覆うように電極パッド3が形成される。一方、絶縁層22を起点とした金成長は生じない。なお、第2の保護層2および電極パッド3の材料としては、金に限らず、ニッケル、銅等を用いることができる。これらは一種のみを用いてもよく、二種以上を併用してもよい。
次に、図3(f−1)および(f−2)に示すように、第一の実施形態と同様にして、第1の保護層1および/または第2の保護層2の一部を除去した後、基板4の一方の面から基板4の他方の面に通じる供給口5を形成する。
その後、第一の実施形態と同様にして、図3(g−1)および(g−2)に示す液体吐出ヘッドを完成する。
本実施形態に係る方法により製造される液体吐出ヘッドは、第1の保護層1および第2の保護層2の存在によって、基板4に供給口5以外の空隙は生じず、各保護層の欠落に由来する供給口5の形状拡大も生じない。これにより、基板4の剛性を確保でき、外部ユニットとの接着性を保持できるため、品質の安定した液体吐出ヘッドを供給することができる。また、電極パッド3を形成する際に第2の保護層2を同時に形成するため、簡素な方法で液体吐出ヘッドを製造することができる。
(第三の実施形態)
以下、図4を参照して、本発明に係る第三の実施形態の液体吐出ヘッドの製造方法を示す。図4は、図1(a)に示す液体吐出ヘッドのA−A’断面図およびB−B’断面図により各工程を示す図である。図4(a−1)、(b−1)、・・・はA−A’断面図、図4(a−2)、(b−2)、・・・はB−B’断面図を示す。
以下、図4を参照して、本発明に係る第三の実施形態の液体吐出ヘッドの製造方法を示す。図4は、図1(a)に示す液体吐出ヘッドのA−A’断面図およびB−B’断面図により各工程を示す図である。図4(a−1)、(b−1)、・・・はA−A’断面図、図4(a−2)、(b−2)、・・・はB−B’断面図を示す。
まず、図4(a−1)および(a−2)に示すように、シリコン(100)面を有する基板4を用意し、基板4の一方の(100)面上に真空成膜法によりニッケルを含む第1の保護層1を形成する。また、第一の実施形態と同様にして、基板4の他方の(100)面上に絶縁層21を形成する。
次に、図4(b−1)および(b−2)に示すように、第一の実施形態と同様にして、絶縁層21上にエネルギー発生素子8、配線層10および絶縁層22を含む積層構造を形成する。
次に、図4(c−1)および(c−2)に示すように、第一の実施形態と同様にして、絶縁層22を含む最表層上に、型材12および流路部材7を含む積層構造体を形成する。
次に、図4(d−1)および(d−2)に示すように、前記露出した配線層10上に電極パッド3を形成すると共に、基板4の一方の面上に、第1の保護層1の剥離領域11を少なくとも被覆するように、第2の保護層2を形成する。本実施形態では、型材12および流路部材7を含む積層構造体の形成後に、電極パッド3の形成と第2の保護層2の形成とを同一工程として行う。電極パッド3および第2の保護層2の形成は、第一の実施形態と同様の無電解めっき法により行うことができる。本実施形態において析出金属として金を用いた場合、第1の保護層1の剥離領域では、該剥離領域を被覆するように第2の保護層2が形成される。それと同時に、該剥離領域以外の第1の保護層1上でも第2の保護層2が同様に形成される。また、配線層10が露出した領域では配線層10を起点に金が成長し、配線層10上およびその周囲の絶縁層22を覆うように電極パッド3が形成される。一方、絶縁層22を起点とした金成長は生じない。なお、第2の保護層2および電極パッド3の材料としては、第二の実施形態と同様のものを用いることができる。
次に、図4(e−1)および(e−2)に示すように、第一の実施形態と同様にして、第1の保護層1および/または第2の保護層2の一部を除去した後、基板4の一方の面から基板4の他方の面に通じる供給口5を形成する。
その後、第一の実施形態と同様にして、図4(f−1)および(f−2)に示す液体吐出ヘッドを完成する。
本実施形態に係る方法により製造される液体吐出ヘッドは、第1の保護層1および第2の保護層2の存在によって、基板4に供給口5以外の空隙は生じず、各保護層の欠落に由来する供給口5の形状拡大も生じない。これにより、基板4の剛性を確保でき、外部ユニットとの接着性を保持できるため、品質の安定した液体吐出ヘッドを供給することができる。また、電極パッド3を形成する際に第2の保護層2を同時に形成するため、簡素な方法で液体吐出ヘッドを製造することができる。
(実施例1)
以下、図2を参照して、本実施例の液体吐出ヘッドの製造方法を示す。
以下、図2を参照して、本実施例の液体吐出ヘッドの製造方法を示す。
まず、図2(a−1)および(a−2)に示すように、シリコン(100)面を有する基板4を用意した。基板4の一方の(100)面上に第1の保護層1として熱酸化法により酸化シリコン膜を形成した。また、基板4の他方の(100)面上に絶縁層21として熱酸化法により酸化シリコン膜を形成した。
次に、図2(b−1)および(b−2)に示すように、絶縁層21を部分的に除去した構造を形成した。まず、絶縁層21上にポジ型の有機樹脂(商品名:IP5700、東京応化工業(株)製)を含むレジストをスピンコート法により塗布し、露光、現像を行って露光部のレジストを部分的に除去した。その後、ドライエッチングにより絶縁層21を選択除去することにより前記構造を形成した。
次に、図2(c−1)および(c−2)に示すように、絶縁層21上にエネルギー発生素子8、配線層10および絶縁層22を含む積層構造を形成した。まず、タンタル−シリコン合金ターゲットを用意して、絶縁層21を含む最表層上に、エネルギー発生素子8の材料であるタンタル窒化シリコン膜をスパッタ法により成膜した。続いて、アルミニウムターゲットを用意して、該タンタル窒化シリコン膜上に配線層10の材料であるアルミニウム膜をスパッタ法により連続成膜した。次に、ポジ型の有機樹脂(商品名:IP5700、東京応化工業(株)製)からなるレジストをスピンコート法により塗布した後、露光、現像を行って露光部のレジストを部分的に除去した。その後、ドライエッチング法を用いて、タンタル窒化シリコン膜およびアルミニウム膜を選択的にエッチングした。その後、レジストを除去した。次に、エネルギー発生素子8および配線層10上に窒化シリコンを主原料とする絶縁層22を化学気相成長法で成膜した。さらに、絶縁層22上に、ポジ型の有機樹脂(商品名:IP5700、東京応化工業(株)製)からなるレジストをスピンコート法により塗布した後、露光、現像を行って露光部のレジストを部分的に除去した。その後、ドライエッチングすることで絶縁層22を選択除去した。これにより、図2(c−2)に示すように、絶縁層22の一部が除去されて配線層10の一部が露出した構造を設けた。
次に、図2(d−1)および(d−2)に示すように、前記露出した配線層10上に電極パッド3を形成した。まず、チタンタングステンおよび金をスパッタ法により成膜し、その上にポジ型の有機樹脂(商品名:IP5700、東京応化工業(株)製)からなるレジストをスピンコート法で塗布した。フォトリソグラフィ法を用いてレジストを選択的に除去して金の層を露出させた後、金を含むめっき液中にて電解めっき処理を行った。その後、レジスト、金およびチタンタングステン層を除去することで、電極パッド3を形成した。
次に、図2(e−1)および(e−2)に示すように、基板4の他方の面上の、絶縁層22を含む最表層上に、型材12および流路部材7を含む積層構造体を形成した。まず、ポジ型感光性樹脂材料(商品名:ODUR、東京応化工業(株)製)をスピンコート法により塗布し、露光、現像して、厚み14μmの型材12を形成した。次に、ネガ型感光性樹脂材料(EHPE−3150(商品名、ダイセル化学(株)製))をスピンコート法により塗布し、露光、現像することで、型材12の上部において厚み25μmの流路部材7を形成した。続いて、フォトリソグラフィ法を用いて流路部材7を露光・現像することにより、流路部材7に吐出口6を形成した。
次に、図2(f−1)および(f−2)に示すように、基板4の一方の面上に、第1の保護層1の剥離領域11を少なくとも被覆するように、金を析出金属とした無電解めっき法により第2の保護層2を形成した。この時、第1の保護層1の剥離領域では、該剥離領域を被覆するように第2の保護層2が形成された。一方、該剥離領域以外の第1の保護層1上には、第2の保護層2は形成されなかった。
次に、図2(g−1)および(g−2)に示すように、第1の保護層1および/または第2の保護層2の一部を除去した後、基板4の一方の面から基板4の他方の面に通じる供給口5を形成した。まず、スピンコートにより環化ゴムからなるレジストを塗布し、流路部材7や電極パッド3を被覆した(不図示)。次に、レーザアブレーションを用いて、第1の保護層1および/または第2の保護層2を貫通し、基板4内に留まるレーザ孔を形成した。また、該レーザ孔を形成した領域の周囲に、第1の保護層1および/または第2の保護層2を少なくとも貫通するレーザパターンをレーザアブレーションにより形成した。その後、基板4をアルカリ性エッチャントに浸漬し、該レーザ孔および該レーザパターンにおいて露出したシリコンから異方性エッチングを進行させた。これにより、シリコン(111)面を含む形状を有する供給口5を形成した。
次に、CF4、O2およびN2を含むガス雰囲気でドライエッチング処理を行うことにより、供給口5の上方を覆う絶縁層22を除去した。その後、前述の工程で設けたレジストをウエット処理により除去した。続いて、UV照射とウエット処理により型材12を除去することで、流路9を形成した。以上により、図2(h−1)および(h−2)に示す液体吐出ヘッドを完成させた。
本実施例に係る方法により製造された液体吐出ヘッドは、第1の保護層1および第2の保護層2の存在によって、基板4に供給口5以外の空隙は生じず、各保護層の欠落に由来する供給口5の形状拡大も生じなかった。これにより、基板4の剛性を確保でき、外部ユニットとの接着性を保持できるため、品質の安定した液体吐出ヘッドを供給することができた。
(実施例2)
以下、図3を参照して、本実施例の液体吐出ヘッドの製造方法を示す。
以下、図3を参照して、本実施例の液体吐出ヘッドの製造方法を示す。
まず、図3(a−1)および(a−2)に示すように、実施例1と同様にして、シリコン(100)面を有する基板4を用意し、基板4の一方の(100)面上に第1の保護層1を形成し、基板4の他方の(100)面上に絶縁層21を形成した。
次に、図3(b−1)および(b−2)に示すように、実施例1と同様にして、絶縁層21を部分的に除去した構造を形成した。
次に、図3(c−1)および(c−2)に示すように、実施例1と同様にして、絶縁層21上にエネルギー発生素子8、配線層10および絶縁層22を含む積層構造を形成した。
次に、図3(d−1)および(d−2)に示すように、第一の実施形態と同様にして、絶縁層22を含む最表層上に、型材12および流路部材7を含む積層構造体を形成した。
次に、図3(e−1)および(e−2)に示すように、金を析出金属とした無電解めっき法により、前記露出した配線層10上に電極パッド3を形成すると共に、基板4の一方の面上に、第1の保護層1の剥離領域11を少なくとも被覆するように、第2の保護層2を形成した。この時、第1の保護層1の剥離領域では、該剥離領域を被覆するように第2の保護層2が形成された。一方、該剥離領域以外の第1の保護層1上には、第2の保護層2は形成されなかった。また、配線層10が露出した領域では配線層10を起点に金が成長し、配線層10上およびその周囲の絶縁層22を覆うように電極パッド3が形成された。一方、絶縁層22を起点とした金成長は生じなかった。
次に、図3(f−1)および(f−2)に示すように、実施例1と同様にして、第1の保護層1および/または第2の保護層2の一部を除去した後、基板4の一方の面から基板4の他方の面に通じる供給口5を形成した。
その後、実施例1と同様にして、図3(g−1)および(g−2)に示す液体吐出ヘッドを完成させた。
本実施例に係る方法により製造された液体吐出ヘッドは、第1の保護層1および第2の保護層2の存在によって、基板4に供給口5以外の空隙は生じず、各保護層の欠落に由来する供給口5の形状拡大も生じなかった。これにより、基板4の剛性を確保でき、外部ユニットとの接着性を保持できるため、品質の安定した液体吐出ヘッドを供給することができた。また、電極パッド3を形成する際に第2の保護層2も同時に形成したため、簡素な方法で液体吐出ヘッドを製造することができた。
(実施例3)
第1の保護層1の形成において、真空成膜法によりニッケルを含む第1の保護層1を形成した以外は、実施例2と同様に液体吐出ヘッドを完成させた。なお、電極パッド3および第2の保護層2の形成において、第1の保護層1の剥離領域を被覆するように第2の保護層2が形成されると同時に、該剥離領域以外の第1の保護層1上でも第2の保護層2が同様に形成された。
第1の保護層1の形成において、真空成膜法によりニッケルを含む第1の保護層1を形成した以外は、実施例2と同様に液体吐出ヘッドを完成させた。なお、電極パッド3および第2の保護層2の形成において、第1の保護層1の剥離領域を被覆するように第2の保護層2が形成されると同時に、該剥離領域以外の第1の保護層1上でも第2の保護層2が同様に形成された。
本実施例に係る方法により製造された液体吐出ヘッドは、第1の保護層1および第2の保護層2の存在によって、基板4に供給口5以外の空隙は生じず、各保護層の欠落に由来する供給口5の形状拡大も生じなかった。これにより、基板4の剛性を確保でき、外部ユニットとの接着性を保持できるため、品質の安定した液体吐出ヘッドを供給することができた。また、電極パッド3を形成する際に第2の保護層2も同時に形成したため、簡素な方法で液体吐出ヘッドを製造することができた。
1 第1の保護層
2 第2の保護層
3 電極パッド
4 基板
5 供給口
6 吐出口
7 流路部材
8 エネルギー発生素子
9 流路
10 配線層
13 液体吐出ヘッド用基板
21 絶縁層
22 絶縁層
2 第2の保護層
3 電極パッド
4 基板
5 供給口
6 吐出口
7 流路部材
8 エネルギー発生素子
9 流路
10 配線層
13 液体吐出ヘッド用基板
21 絶縁層
22 絶縁層
Claims (10)
- 基板と、該基板の一方の面上に設けられた保護層と、該基板の他方の面上に設けられた配線層と、該配線層上に設けられた絶縁層および電極パッドと、該基板の一方の面と他方の面とを連通するように設けられた供給口と、を備える液体吐出ヘッドの製造方法であって、
(1)基板の一方の面上に、第1の保護層を形成する工程と、
(2)基板の他方の面上に、配線層を形成する工程と、
(3)前記配線層上に絶縁層を形成した後、該絶縁層の一部を除去して該配線層の一部を露出させる工程と、
(4)前記露出した配線層上に電極パッドを形成する工程と、
(5)前記基板の他方の面上に、流路部材を形成する工程と、
(6)前記流路部材を形成した後、前記基板の一方の面上に第2の保護層を形成する工程と、
(7)前記第1の保護層および/または前記第2の保護層の一部を除去した後、前記基板の一方の面から前記基板の他方の面に通じる供給口を形成する工程と、
を含む液体吐出ヘッドの製造方法。 - 前記第2の保護層の形成工程が、無電解めっき法による1層以上の金属層の形成を含む請求項1に記載の液体吐出ヘッドの製造方法。
- 前記第1の保護層の形成工程が、真空成膜法による1層以上の絶縁層または金属層の形成を含む請求項1または2に記載の液体吐出ヘッドの製造方法。
- 前記電極パッドの形成工程が、前記流路部材の形成後であって、前記第2の保護層の形成と同一工程として行われる請求項1に記載の液体吐出ヘッドの製造方法。
- 前記電極パッドおよび前記第2の保護層の形成が、無電解めっき法により行われる請求項4に記載の液体吐出ヘッドの製造方法。
- 前記第2の保護層が、ニッケルおよび金の少なくとも一方を含有する請求項1から5のいずれか1項に記載の液体吐出ヘッドの製造方法。
- 前記第1の保護層が、酸化シリコン、窒化シリコン、ニッケルおよび金からなる群から選択される少なくとも一種を含有する請求項1から6のいずれか1項に記載の液体吐出ヘッドの製造方法。
- 前記第2の保護層が、前記第1の保護層の形成から前記流路部材の形成までの間に生じた第1の保護層の剥離領域を、少なくとも被覆するように形成される請求項1から7のいずれか1項に記載の液体吐出ヘッドの製造方法。
- 前記第1の保護層および/または前記第2の保護層の一部の除去が、レーザアブレーションにより行われる請求項1から8のいずれか1項に記載の液体吐出ヘッドの製造方法。
- 前記第1の保護層および/または前記第2の保護層の一部の除去が、フォトリソグラフィ法およびエッチング法により行われる請求項1から8のいずれか1項に記載の液体吐出ヘッドの製造方法。
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