JP2013229450A - Method for processing wafer laser - Google Patents
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Abstract
Description
本発明は、ウエーハの内部に改質層を形成するウエーハのレーザー加工方法に関する。 The present invention relates to a wafer laser processing method for forming a modified layer inside a wafer.
半導体ウエーハや光デバイスウエーハ等は、ウエーハに対して透過性を有する波長のレーザー光線をウエーハ内部に集光点を合わせて照射することで形成される改質層を利用して破断され、個々のデバイスチップに分割する加工方法が近年用いられ始めている（例えば、特許文献１参照）。この加工方法では、レーザー光線のエネルギーを減衰させるもの（例えば、デバイスを構成する各種パターンを形成する材料）がレーザー光線の入射面側に形成されていない事が条件となる。そのため、表面にそうしたデバイスが形成されたウエーハに対しては、デバイスが無い裏面側からレーザー光線を照射し、内部に改質層を形成する。 Semiconductor wafers and optical device wafers are ruptured by using a modified layer formed by irradiating a wafer with a laser beam having a wavelength that is transmissive to the wafer while aligning the focal point inside the wafer. In recent years, a processing method of dividing into chips has started to be used (see, for example, Patent Document 1). In this processing method, it is necessary that a material that attenuates the energy of the laser beam (for example, a material that forms various patterns constituting the device) is not formed on the incident surface side of the laser beam. For this reason, a wafer having such a device formed on the front surface is irradiated with a laser beam from the back side where no device is present to form a modified layer inside.
こうしたことから、デバイスが形成された表面側からレーザー光線を照射できない場合にも、通常の加工で用いられるのと同様に、粘着テープにウエーハの裏面を貼着して、環状のフレームにウエーハを固定するウエーハユニットを形成する。その後、チャックテーブルの保持面にウエーハの表面を載置して、粘着テープ越しにレーザー光線を照射する方法がとられている場合がある。しかしながら、この方法では、粘着テープの粘着層がチャックテーブルに重なるため、ウエーハの外周で露出している粘着テープがチャックテーブルの外周部分に貼り付き、加工後の搬送エラーを引き起こしてしまうという問題があった。 For this reason, even when the laser beam cannot be irradiated from the front side where the device is formed, the wafer back is fixed to the annular frame by sticking the back side of the wafer to the adhesive tape, just as in normal processing. Forming a wafer unit. Thereafter, there is a case in which a wafer surface is placed on the holding surface of the chuck table and a laser beam is irradiated through an adhesive tape. However, in this method, since the adhesive layer of the adhesive tape overlaps the chuck table, the adhesive tape exposed on the outer periphery of the wafer sticks to the outer peripheral portion of the chuck table, causing a conveyance error after processing. there were.
本発明は、上記に鑑みてなされたものであって、ウエーハの内部に改質層を形成して個々のデバイスチップに分割するレーザー加工方法であっても、粘着テープがチャックテーブルに貼り付いてしまうことを抑制できるウエーハのレーザー加工方法を提供することを目的とする。 The present invention has been made in view of the above, and an adhesive tape is attached to a chuck table even in a laser processing method in which a modified layer is formed inside a wafer and divided into individual device chips. It is an object of the present invention to provide a wafer laser processing method that can suppress the occurrence of the wafer.
上述した課題を解決し、目的を達成するために、本発明のウエーハのレーザー加工方法は、表面に格子状に設けられた分割予定ラインによって区画された各領域にデバイスがそれぞれ形成されたウエーハにレーザー光線を照射して内部に改質層を形成するウエーハのレーザー加工方法であって、環状のフレームに装着され紫外線の照射によって粘着力が低下する粘着テープにウエーハの裏面が貼着されたウエーハユニットを形成するウエーハユニット準備ステップと、該ウエーハユニットに該ウエーハの表面側から該紫外線を照射し、該ウエーハを囲繞して露出した領域の該粘着テープの粘着力を低下させる紫外線照射ステップと、紫外線照射ステップの後に、該ウエーハユニットの該ウエーハの表面をチャックテーブルの保持面で保持する保持ステップと、該保持ステップの後に、該ウエーハの裏面側から該粘着テープを介して該ウエーハに対して透過性を有する波長の該レーザー光線を該分割予定ラインに沿って照射し、該改質層を形成するレーザー光線照射ステップと、を含むことを特徴とする。 In order to solve the above-mentioned problems and achieve the object, the wafer laser processing method of the present invention is a wafer in which devices are respectively formed in each region partitioned by division lines provided in a lattice pattern on the surface. A wafer laser processing method for forming a modified layer inside by irradiating a laser beam, wherein a wafer unit is attached to an adhesive tape that is attached to an annular frame and whose adhesive strength is reduced by irradiation of ultraviolet rays. Forming a wafer unit; irradiating the wafer unit with the ultraviolet light from the surface side of the wafer; and irradiating the wafer with ultraviolet light to reduce the adhesive strength of the adhesive tape in an area surrounding and exposing the wafer; After the irradiation step, the wafer surface of the wafer unit is held by the holding surface of the chuck table. After the holding step and the holding step, the modified layer is irradiated with the laser beam having a wavelength having transparency to the wafer from the back side of the wafer through the adhesive tape along the division line. Forming a laser beam.
本発明のウエーハのレーザー加工方法は、レーザー光線の照射前に、紫外線照射ステップにおいて、ウエーハユニットにウエーハの表面側から紫外線を照射する。このために、ウエーハの外周に露出した粘着テープの粘着層の少なくとも一部を硬化させて、粘着層の粘着力をレーザー加工前に低下させることができる。したがって、レーザー光線照射ステップで、粘着テープがチャックテーブルに貼り付くという問題を回避することが容易に可能になる。 The wafer laser processing method of the present invention irradiates the wafer unit with ultraviolet rays from the surface side of the wafer in the ultraviolet irradiation step before the laser beam irradiation. For this reason, at least a part of the adhesive layer of the adhesive tape exposed on the outer periphery of the wafer can be cured to reduce the adhesive force of the adhesive layer before laser processing. Therefore, it is possible to easily avoid the problem that the adhesive tape sticks to the chuck table in the laser beam irradiation step.
また、通常、粘着テープとして用いられるのは、紫外線硬化タイプの粘着テープであり、紫外線照射手段も、通常のレーザー加工方法においても必須な手段であるために、紫外線照射ステップを加えるだけで、専用の部材や手段を追加する必要が全くなく、効果が得られる。したがって、ウエーハの内部に改質層を形成して個々のデバイスチップに分割するレーザー加工方法であっても、粘着テープがチャックテーブルに貼り付いてしまうことを安価に抑制することができる。 In general, UV curable adhesive tapes are used as adhesive tapes, and UV irradiation means are also indispensable means for ordinary laser processing methods. There is no need to add any member or means, and the effect can be obtained. Therefore, even with a laser processing method in which a modified layer is formed inside a wafer and divided into individual device chips, it is possible to suppress the adhesive tape from sticking to the chuck table at a low cost.
本発明を実施するための形態（実施形態）につき、図面を参照しつつ詳細に説明する。以下の実施形態に記載した内容により本発明が限定されるものではない。また、以下に記載した構成要素には、当業者が容易に想定できるもの、実質的に同一のものが含まれる。さらに、以下に記載した構成は適宜組み合わせることが可能である。また、本発明の要旨を逸脱しない範囲で構成の種々の省略、置換又は変更を行うことができる。 DESCRIPTION OF EMBODIMENTS Embodiments (embodiments) for carrying out the present invention will be described in detail with reference to the drawings. The present invention is not limited by the contents described in the following embodiments. The constituent elements described below include those that can be easily assumed by those skilled in the art and those that are substantially the same. Furthermore, the structures described below can be combined as appropriate. Various omissions, substitutions, or changes in the configuration can be made without departing from the scope of the present invention.
〔実施形態〕
図１は、実施形態に係るウエーハのレーザー加工方法のウエーハユニット準備ステップの概要を示す斜視図である。図２は、実施形態に係るウエーハのレーザー加工方法の紫外線照射ステップの概要を示す側断面図である。図３は、実施形態に係るウエーハのレーザー加工方法の保持ステップの概要を示す側断面図である。図４は、実施形態に係るウエーハのレーザー加工方法のレーザー光線照射ステップの概要を示す側断面図である。
Embodiment
FIG. 1 is a perspective view showing an outline of a wafer unit preparation step of a wafer laser processing method according to an embodiment. FIG. 2 is a side sectional view showing an outline of the ultraviolet irradiation step of the wafer laser processing method according to the embodiment. FIG. 3 is a side sectional view showing an outline of the holding step of the wafer laser processing method according to the embodiment. FIG. 4 is a side sectional view showing an outline of a laser beam irradiation step of the wafer laser processing method according to the embodiment.
本実施形態に係るウエーハのレーザー加工方法（以下、単にレーザー加工方法と呼ぶ）は、図１に示すウエーハＷＡにレーザー光線Ｌ（図４に示す）を照射して内部に改質層Ｋ（図４に示す）を形成する方法である。なお、レーザー加工方法によりデバイスチップＤＴに分割される加工対象としてのウエーハＷＡは、本実施形態ではシリコン、サファイア、ガリウムなどを母材とする円板状の半導体ウエーハや光デバイスウエーハである。ウエーハＷＡは、図１に示すように、表面ＷＳに格子状に設けられた分割予定ラインＳによって区画された各領域にデバイスＤがそれぞれ形成されている。ウエーハＷＡは、図２に示すように、デバイスＤが複数形成されている表面ＷＳの反対側の裏面ＷＲに粘着テープＴが貼着され、粘着テープＴに環状のフレームＦが貼着されることで、環状のフレームＦに固定される。なお、ウエーハＷＡの表面ＷＳには、図示しないエピ層が形成されている。このエピ層は、レーザー光線Ｌを減衰又は遮断する材料で構成されている。 The wafer laser processing method according to the present embodiment (hereinafter simply referred to as a laser processing method) irradiates the wafer WA shown in FIG. 1 with a laser beam L (shown in FIG. 4) to internally modify the modified layer K (FIG. 4). Are shown in FIG. Note that the wafer WA as a processing target to be divided into the device chips DT by the laser processing method is a disk-shaped semiconductor wafer or optical device wafer having a base material of silicon, sapphire, gallium, or the like in this embodiment. As shown in FIG. 1, the wafer WA is formed with devices D in respective regions defined by division planned lines S provided in a lattice shape on the surface WS. As shown in FIG. 2, the wafer WA has an adhesive tape T attached to the back surface WR opposite to the front surface WS on which a plurality of devices D are formed, and an annular frame F attached to the adhesive tape T. Thus, it is fixed to the annular frame F. Note that an epi layer (not shown) is formed on the surface WS of the wafer WA. The epi layer is made of a material that attenuates or blocks the laser beam L.
本実施形態では、ウエーハＷＡが粘着テープＴを介して環状のフレームＦに固定されると、これらのウエーハＷＡ、粘着テープＴ及び環状のフレームＦは、ウエーハユニットＷを構成する。また、粘着テープＴは、図２などに示すように、透明又は半透明であり光を透過する合成樹脂で構成されたテープ層Ｔａと、テープ層Ｔａに積層されてウエーハＷＡの裏面ＷＲ及び環状のフレームＦに貼着する粘着層Ｔｂとを備えて、ウエーハＷＡよりも大きな面積を有するシート状に形成されている。テープ層Ｔａと粘着層Ｔｂとが共にレーザー光線Ｌを透過し、テープ層Ｔａが後述する紫外線Ｖ（図２中に点線で示す）を透過する材料で構成されている。さらに、テープ層Ｔａと粘着層Ｔｂとが共に引っ張った際に拡張するように変形する材料で構成され、粘着層Ｔｂが紫外線Ｖの照射により粘着力が低下する紫外線硬化型の材料で構成されている。 In the present embodiment, when the wafer WA is fixed to the annular frame F via the adhesive tape T, the wafer WA, the adhesive tape T, and the annular frame F constitute a wafer unit W. Further, as shown in FIG. 2 and the like, the adhesive tape T includes a tape layer Ta made of a synthetic resin that is transparent or translucent and transmits light, and a back surface WR and an annular shape of the wafer WA laminated on the tape layer Ta. And an adhesive layer Tb adhered to the frame F, and is formed in a sheet shape having an area larger than that of the wafer WA. Both the tape layer Ta and the adhesive layer Tb are made of a material that transmits the laser beam L, and the tape layer Ta transmits an ultraviolet ray V (shown by a dotted line in FIG. 2) described later. Further, the tape layer Ta and the adhesive layer Tb are made of a material that deforms so as to expand when pulled together, and the adhesive layer Tb is made of an ultraviolet curable material whose adhesive force is reduced by irradiation with ultraviolet rays V. Yes.
本実施形態に係るレーザー加工方法は、ウエーハユニットＷを保持するチャックテーブル１０（図３に示す）と、チャックテーブル１０に保持されたウエーハユニットＷのウエーハＷＡに該ウエーハＷＡを透過する例えば波長が１０６４ｎｍのレーザー光線Ｌを照射するレーザー光線照射手段２０（図４に示す）と、チャックテーブル１０に保持されたウエーハユニットＷを撮像する撮像手段（図示しない）と、チャックテーブル１０とレーザー光線照射手段２０とを互いに直交するＸ、Ｙ及びＺ軸方向に相対的に移動させるＸ、Ｙ及びＺ軸移動手段（図示しない）と、を少なくとも含んで構成されたレーザー加工装置などにより実行される。 In the laser processing method according to the present embodiment, the wafer table W (shown in FIG. 3) that holds the wafer unit W, and the wavelength of the wafer WA that passes through the wafer WA of the wafer unit W held on the chuck table 10 is, for example, Laser beam irradiation means 20 (shown in FIG. 4) for irradiating a 1064 nm laser beam L, imaging means (not shown) for imaging the wafer unit W held on the chuck table 10, and the chuck table 10 and the laser beam irradiation means 20 This is performed by a laser processing apparatus configured to include at least X, Y, and Z axis moving means (not shown) that move relative to each other in the X, Y, and Z axis directions orthogonal to each other.
また、本実施形態では、レーザー加工装置は、レーザー加工前後のウエーハユニットＷに紫外線Ｖを照射する紫外線照射手段３０（図２及び図６に示す）と、レーザー加工後のウエーハユニットＷの粘着テープＴを引っ張って拡張してウエーハＷＡを個々のデバイスチップＤＴに分割する分割手段（図示しない）と、を少なくとも含んで構成されている。さらに、レーザー加工装置は、紫外線照射手段３０、チャックテーブル１０、分割手段の間でウエーハユニットＷを搬送する搬送手段（図示しない）や、分割手段により個々に分割されたデバイスチップＤＴを粘着テープＴから剥がす分離手段（図示しない）などを含んで構成されても良い。 In this embodiment, the laser processing apparatus includes an ultraviolet irradiation means 30 (shown in FIGS. 2 and 6) for irradiating the wafer unit W before and after laser processing with ultraviolet V, and an adhesive tape for the wafer unit W after laser processing. A dividing means (not shown) for dividing the wafer WA into individual device chips DT by extending T by pulling T is configured to be included. Further, the laser processing apparatus can transfer the wafer unit W between the ultraviolet irradiation means 30, the chuck table 10, and the dividing means (not shown), or the device chips DT individually divided by the dividing means by the adhesive tape T. It may be configured to include a separating means (not shown) to be peeled off.
本実施形態に係るレーザー加工方法は、まず、ウエーハユニット準備ステップにおいて、図１に示すように、環状のフレームＦに装着され紫外線Ｖの照射によって粘着力が低下する粘着テープＴにウエーハＷＡの裏面ＷＲを貼着し、粘着テープＴにウエーハＷＡの裏面ＷＲが貼着されたウエーハユニットＷを形成する。そして、紫外線照射ステップに進む。 In the laser processing method according to the present embodiment, first, in the wafer unit preparation step, as shown in FIG. 1, the back surface of the wafer WA is attached to the adhesive tape T which is attached to the annular frame F and whose adhesive strength is reduced by the irradiation of ultraviolet rays V. WR is stuck and the wafer unit W in which the back surface WR of the wafer WA is stuck to the adhesive tape T is formed. Then, the process proceeds to the ultraviolet irradiation step.
紫外線照射ステップでは、レーザー加工前のウエーハユニットＷを紫外線照射手段３０まで搬送し、図２に示すように、紫外線照射手段３０の複数の紫外線ランプ３１と、ウエーハユニットＷのウエーハＷＡの表面ＷＳとを相対させる。そして、紫外線照射手段３０の複数の紫外線ランプ３１から紫外線Ｖを発光させて、ウエーハユニットＷにウエーハＷＡの表面ＷＳ側から紫外線Ｖを照射する。ウエーハＷＡを囲繞して紫外線照射手段３０側に露出した領域の粘着テープＴの粘着層Ｔｂの粘着力を低下させる。そして、保持ステップに進む。なお、ウエーハＷＡの裏面ＷＲに貼着した領域の粘着テープＴの粘着層Ｔｂは、紫外線ＶがウエーハＷＡにより遮られるために、粘着力が低下しない。
In the ultraviolet irradiation step, the wafer unit W before laser processing is transported to the ultraviolet irradiation means 30, and a plurality of
保持ステップでは、紫外線照射ステップの後に、図３に示すように、ウエーハユニットＷのウエーハＷＡの表面ＷＳをチャックテーブル１０の表面１０ａ（保持面に相当）上に載置する。そして、レーザー加工装置がウエーハユニットＷのウエーハＷＡの表面ＷＳをチャックテーブル１０の表面１０ａで吸引保持する。なお、チャックテーブル１０は、表面１０ａを構成する部分がポーラスセラミック等から形成された円盤形状であり、図示しない真空吸引経路を介して図示しない真空吸引源と接続され、表面１０ａに載置されたウエーハＷＡを吸引することで保持するものである。そして、レーザー光線照射ステップに進む。
In the holding step, after the ultraviolet irradiation step, the surface WS of the wafer WA of the wafer unit W is placed on the
レーザー光線照射ステップでは、保持ステップの後に、まず、レーザー加工装置がＸ軸移動手段などによりチャックテーブル１０を撮像手段まで移動して、撮像手段がアライメントのための画像を取得する。レーザー加工装置が、撮像手段の取得した画像に基いて、Ｘ、Ｙ及びＺ軸移動手段などによりレーザー光線照射手段２０のアライメントを遂行する。その後、レーザー加工装置が、図４に示すように、チャックテーブル１０に保持されたウエーハユニットＷのウエーハＷＡの裏面ＷＲ側から粘着テープＴを介して、ウエーハＷＡに対して透過性を有する波長が１０６４ｎｍのレーザー光線Ｌを、ウエーハＷＡの内部に集光点を合わせて分割予定ラインＳに沿って照射する。さらに、レーザー加工装置が、レーザー光線Ｌを分割予定ラインＳに沿って照射しつつ、チャックテーブル１０をＸ軸移動手段などにより分割予定ラインＳに沿って所定の加工速度で移動させる。なお、レーザー光線Ｌを、裏面ＷＲ側から粘着テープＴを介してウエーハＷＡに照射するのは、ウエーハＷＡの表面ＷＳに形成されたエピ層がレーザー光線Ｌを減衰又は遮断する材料で構成されているからである。 In the laser beam irradiation step, after the holding step, first, the laser processing apparatus moves the chuck table 10 to the imaging unit by the X-axis moving unit or the like, and the imaging unit acquires an image for alignment. The laser processing apparatus performs alignment of the laser beam irradiation means 20 by the X, Y, and Z axis moving means based on the image acquired by the imaging means. After that, as shown in FIG. 4, the laser processing apparatus has a wavelength having transparency to the wafer WA from the back surface WR side of the wafer WA of the wafer unit W held on the chuck table 10 via the adhesive tape T. The laser beam L of 1064 nm is irradiated along the planned division line S with the condensing point inside the wafer WA. Further, the laser processing apparatus moves the chuck table 10 at a predetermined processing speed along the planned division line S by the X-axis moving means or the like while irradiating the laser beam L along the planned division line S. The reason for irradiating the wafer WA with the laser beam L from the back surface WR side through the adhesive tape T is that the epi layer formed on the surface WS of the wafer WA is made of a material that attenuates or blocks the laser beam L. It is.
すると、レーザー光線照射ステップでは、ウエーハＷＡの内部にレーザー光線Ｌが照射された分割予定ラインＳに沿って改質層Ｋ（図４に示す）を形成する。なお、改質層Ｋとは、密度、屈折率、機械的強度やその他の物理的特性が周囲のそれとは異なる状態になった領域のことを意味し、溶融処理領域、クラック領域、絶縁破壊領域、屈折率変化領域、及びこれらの領域が混在した領域等を例示できる。全ての分割予定ラインＳに沿って改質層Ｋを形成すると、レーザー光線照射手段２０からのレーザー光線Ｌの照射を停止し、分離用紫外線照射ステップに進む。 Then, in the laser beam irradiation step, a modified layer K (shown in FIG. 4) is formed along the planned division line S where the laser beam L is irradiated inside the wafer WA. The modified layer K means a region where the density, refractive index, mechanical strength and other physical characteristics are different from those of the surroundings, and includes a melt-treated region, a crack region, and a dielectric breakdown region. , A refractive index change region, a region where these regions are mixed, and the like. When the modified layer K is formed along all the division lines S, the irradiation of the laser beam L from the laser beam irradiation means 20 is stopped, and the process proceeds to the separating ultraviolet irradiation step.
分離用紫外線照射ステップでは、ウエーハユニットＷを紫外線照射手段３０まで搬送し、紫外線照射手段３０の複数の紫外線ランプ３１から紫外線Ｖを発光させて、ウエーハユニットＷにウエーハＷＡの裏面ＷＲ側から紫外線Ｖを照射する。すると、ウエーハＷＡの裏面ＷＲが貼着された領域の粘着テープＴの粘着層Ｔｂの粘着力は、低下する。そして、分割ステップに進む。
In the separation ultraviolet irradiation step, the wafer unit W is transported to the ultraviolet irradiation means 30, and ultraviolet V is emitted from the plurality of
分割ステップでは、ウエーハユニットＷを紫外線照射手段３０から分割手段に搬送し、ウエーハＷＡの裏面ＷＲに貼着された粘着テープＴを、その面積が拡大するように拡張する。すると、改質層Ｋに外力が加わり、分割予定ラインＳに沿って、ウエーハＷＡを個々のデバイスチップＤＴ（デバイスＤを含む）に分割する。そして、分離ステップに進む。 In the dividing step, the wafer unit W is conveyed from the ultraviolet irradiation means 30 to the dividing means, and the adhesive tape T attached to the back surface WR of the wafer WA is expanded so that the area thereof is enlarged. Then, an external force is applied to the modified layer K, and the wafer WA is divided into individual device chips DT (including the device D) along the planned division line S. Then, the process proceeds to the separation step.
分離ステップでは、粘着テープＴを拡張したまま、分離手段が個々に分割されたデバイスチップＤＴを粘着テープＴからピックアップする。こうして、レーザー加工方法は、ウエーハユニット準備ステップと紫外線照射ステップと保持ステップとレーザー光線照射ステップと分離用紫外線照射ステップと分割ステップと分離ステップとを含んで、ウエーハＷＡを個々のデバイスチップＤＴに分割する。 In the separation step, the separation chip picks up the individually divided device chips DT from the adhesive tape T while the adhesive tape T is expanded. Thus, the laser processing method includes the wafer unit preparation step, the ultraviolet irradiation step, the holding step, the laser beam irradiation step, the separation ultraviolet irradiation step, the division step, and the separation step, and divides the wafer WA into individual device chips DT. .
以上のように、本実施形態に係るレーザー加工方法によれば、レーザー光線Ｌの照射前に、紫外線照射ステップにおいて、ウエーハユニットＷにウエーハＷＡの表面ＷＳ側から紫外線Ｖを照射する。このために、ウエーハＷＡの外周に露出した粘着テープＴの粘着層Ｔｂの少なくとも一部を硬化させて、粘着層Ｔｂの粘着力をレーザー加工前に低下させることができる。したがって、レーザー光線照射ステップで粘着テープＴがチャックテーブル１０に貼り付くという問題を回避することが容易に可能になる。 As described above, according to the laser processing method according to the present embodiment, before irradiation with the laser beam L, in the ultraviolet irradiation step, the wafer unit W is irradiated with the ultraviolet V from the surface WS side of the wafer WA. For this reason, at least a part of the adhesive layer Tb of the adhesive tape T exposed on the outer periphery of the wafer WA can be cured to reduce the adhesive force of the adhesive layer Tb before laser processing. Therefore, the problem that the adhesive tape T sticks to the chuck table 10 in the laser beam irradiation step can be easily avoided.
また、通常、粘着テープＴとして用いられるのは、紫外線硬化タイプの粘着テープＴであり、紫外線照射手段３０も、通常のレーザー加工方法においても必須な手段であるために、紫外線照射ステップを加えるだけで、専用の部材や手段を追加する必要が全くなく、効果が得られる。したがって、ウエーハＷＡの内部に改質層Ｋを形成して個々のデバイスチップＤＴに分割するレーザー加工方法であっても、粘着テープＴがチャックテーブル１０に貼り付いてしまうことを安価に抑制することができる。 Further, the adhesive tape T that is usually used is an ultraviolet curing adhesive tape T, and the ultraviolet irradiation means 30 is also an essential means in a normal laser processing method, so only an ultraviolet irradiation step is added. Thus, there is no need to add a dedicated member or means, and an effect can be obtained. Therefore, even in the laser processing method in which the modified layer K is formed inside the wafer WA and divided into the individual device chips DT, it is possible to suppress the adhesive tape T from sticking to the chuck table 10 at a low cost. Can do.
さらに、紫外線照射ステップでは、ウエーハユニットＷにウエーハＷＡの表面ＷＳ側に紫外線Ｖを照射するので、ウエーハＷＡにより紫外線Ｖがさえぎられて、粘着層ＴｂのウエーハＷＡの裏面ＷＲに貼着した部分に紫外線Ｖが照射されることを防止できる。このために、粘着層ＴｂのウエーハＷＡの裏面ＷＲに貼着した部分の粘着力が低下することを防止できる。したがって、レーザー加工方法において、紫外線照射ステップから分離ステップの間で、ウエーハＷＡが粘着テープＴからはがれたり、ウエーハＷＡが環状のフレームＦに対して位置ずれすることを防止できる。 Further, in the ultraviolet irradiation step, since the wafer unit W is irradiated with the ultraviolet ray V on the front surface WS side of the wafer WA, the ultraviolet ray V is blocked by the wafer WA and applied to the portion of the adhesive layer Tb attached to the back surface WR of the wafer WA. Irradiation with ultraviolet rays V can be prevented. For this reason, it can prevent that the adhesive force of the part stuck on the back surface WR of wafer WA of the adhesion layer Tb falls. Therefore, in the laser processing method, it is possible to prevent the wafer WA from being peeled off from the adhesive tape T and the wafer WA from being displaced with respect to the annular frame F between the ultraviolet irradiation step and the separation step.
また、本実施形態のレーザー加工装置は、紫外線照射手段３０を備えているので、レーザー加工方法の略全体の工程を行なうことができる。 Moreover, since the laser processing apparatus of this embodiment is provided with the ultraviolet irradiation means 30, substantially the whole process of the laser processing method can be performed.
前述した実施形態では、レーザー加工装置が紫外線照射手段３０、分割手段や分離手段を含んで構成されているが、本発明では、レーザー加工装置が紫外線照射手段３０、分割手段や分離手段を含んでいなくても良い。要するに、本発明では、レーザー加工方法は、一つの装置のみで実行されても良く、複数の装置間でウエーハユニットＷを搬送しながら実行されても良い。 In the embodiment described above, the laser processing apparatus is configured to include the ultraviolet irradiation means 30, the dividing means, and the separating means. However, in the present invention, the laser processing apparatus includes the ultraviolet irradiation means 30, the dividing means, and the separating means. It does not have to be. In short, in the present invention, the laser processing method may be executed by only one apparatus, or may be executed while conveying the wafer unit W between a plurality of apparatuses.
なお、本発明は上記実施形態に限定されるものではない。即ち、本発明の骨子を逸脱しない範囲で種々変形して実施することができる。 The present invention is not limited to the above embodiment. That is, various modifications can be made without departing from the scope of the present invention.
１０ チャックテーブル
１０ａ 表面（保持面）
Ｄ デバイス
Ｆ 環状のフレーム
Ｋ 改質層
Ｌ レーザー光線
Ｓ 分割予定ライン
Ｔ 粘着テープ
Ｖ 紫外線
Ｗ ウエーハユニット
ＷＡ ウエーハ
ＷＳ 表面
ＷＲ 裏面
10 Chuck table 10a Surface (holding surface)
D Device F Annular frame K Modified layer L Laser beam S Split line T Adhesive tape V UV W Wafer unit WA Wafer WS Front WR Back
Claims (1)
環状のフレームに装着され紫外線の照射によって粘着力が低下する粘着テープにウエーハの裏面が貼着されたウエーハユニットを形成するウエーハユニット準備ステップと、
該ウエーハユニットに該ウエーハの表面側から該紫外線を照射し、該ウエーハを囲繞して露出した領域の該粘着テープの粘着力を低下させる紫外線照射ステップと、
紫外線照射ステップの後に、該ウエーハユニットの該ウエーハの表面をチャックテーブルの保持面で保持する保持ステップと、
該保持ステップの後に、該ウエーハの裏面側から該粘着テープを介して該ウエーハに対して透過性を有する波長の該レーザー光線を該分割予定ラインに沿って照射し、該改質層を形成するレーザー光線照射ステップと、
を含むウエーハのレーザー加工方法。 A wafer laser processing method in which a modified layer is formed inside by irradiating a wafer in which a device is formed in each region defined by division lines provided in a lattice pattern on the surface,
A wafer unit preparation step for forming a wafer unit in which the back surface of the wafer is attached to an adhesive tape which is attached to an annular frame and whose adhesive strength is reduced by irradiation with ultraviolet rays;
Irradiating the wafer unit with the ultraviolet light from the surface side of the wafer, and irradiating the wafer with ultraviolet light to reduce the adhesive strength of the adhesive tape in an area surrounding and exposing the wafer;
A holding step of holding the wafer surface of the wafer unit with a holding surface of the chuck table after the ultraviolet irradiation step;
After the holding step, the laser beam having a wavelength that is transmissive to the wafer from the back surface side of the wafer through the adhesive tape is applied along the division line to form the modified layer. An irradiation step;
Laser processing method for wafers including
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