JP2013228473A - 光変調導波路 - Google Patents
光変調導波路 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2013228473A JP2013228473A JP2012098975A JP2012098975A JP2013228473A JP 2013228473 A JP2013228473 A JP 2013228473A JP 2012098975 A JP2012098975 A JP 2012098975A JP 2012098975 A JP2012098975 A JP 2012098975A JP 2013228473 A JP2013228473 A JP 2013228473A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- nitride
- layer
- based semiconductor
- electrode
- waveguide
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 115
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 claims abstract description 109
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 9
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims description 76
- 238000005253 cladding Methods 0.000 claims description 24
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 claims description 23
- 230000005684 electric field Effects 0.000 abstract description 16
- 239000012159 carrier gas Substances 0.000 abstract description 13
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 abstract 3
- 238000002347 injection Methods 0.000 abstract 2
- 239000007924 injection Substances 0.000 abstract 2
- 239000000243 solution Substances 0.000 abstract 1
- 229910002704 AlGaN Inorganic materials 0.000 description 12
- 229910013641 LiNbO 3 Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000000463 material Substances 0.000 description 4
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 230000010287 polarization Effects 0.000 description 3
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 2
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 2
- 230000005533 two-dimensional electron gas Effects 0.000 description 2
- 229910002601 GaN Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000010365 information processing Effects 0.000 description 1
- 238000003475 lamination Methods 0.000 description 1
- 230000031700 light absorption Effects 0.000 description 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 230000002269 spontaneous effect Effects 0.000 description 1
Images
Landscapes
- Optical Modulation, Optical Deflection, Nonlinear Optics, Optical Demodulation, Optical Logic Elements (AREA)
Abstract
【解決手段】本発明の光変調導波路は、基板、窒化物系半導体バッファ層、下部窒化物系半導体クラッド層、窒化物系半導体光導波層及び上部窒化物系半導体クラッド層がC軸方向に順次積層され、第1の電極部及び第2の電極部が、窒化物系半導体光導波層の両側面を挟み込むように形成され、第1の電極部及び第2の電極部は、上部窒化物系半導体クラッド層にイオン注入することにより形成されたn型イオン注入領域と、n型イオン注入領域上に形成された電極とで構成され、上部窒化物系半導体クラッド層にp型ドープすることによって窒化物系半導体光導波層と接するようにp型ドープ領域が形成されている。
【選択図】図3
Description
図2は、参考実施例に係る窒化物系半導体光導波路を有する光変調導波路200を例示する。図2には、基板201、窒化物系半導体バッファ層202、下部窒化物系半導体クラッド層203、窒化物系半導体光導波層204及び上部窒化物系半導体クラッド層205がC軸方向に順次積層され、窒化物系半導体光導波層204のa面又はm面の両側面に窒化物系半導体光導波層204を挟み込むように電極部210及び211が形成された、リッジ型の光変調導波路200が示されている。電極部210は電極206及びn型イオン注入領域208で構成され、電極部211は電極207及びn型イオン注入領域209で構成される。ここで、窒化物系半導体光導波層204の側面とは、窒化物系半導体光導波層204において光が入射する面と垂直な面である。
図3は、本発明の実施例1に係る窒化物系半導体光導波路を有する光変調導波路300を示す。図3には、基板301、窒化物系半導体バッファ層302、下部窒化物系半導体クラッド層303、窒化物系半導体光導波層304及び上部窒化物系半導体クラッド層305がC軸方向に順次積層され、窒化物系半導体光導波層304のa面又はm面の両側面に窒化物系半導体光導波層304を挟み込むように電極部310及び311が形成され、上部窒化物系半導体クラッド層305の上面から少なくとも上部界面までの領域にp型ドープ領域320が形成されたリッジ型の光変調導波路300が示されている。電極部310は電極306及びn型イオン注入領域308で構成され、電極部311は電極307及びn型イオン注入領域309で構成される。実施例1に係る光変調導波路300は、p型ドープ領域320が設けられていること以外は参考実施例に係る光変調導波路200と同様である。
図4は、本発明の実施例2に係る窒化物系半導体光導波路を有する光変調導波路400を示す。図4には、基板401、窒化物系半導体バッファ層402、下部窒化物系半導体クラッド層403、窒化物系半導体光導波層404及び上部窒化物系半導体クラッド層405がC軸方向に順次積層され、窒化物系半導体光導波層404のa面又はm面の両側面に窒化物系半導体光導波層404を挟み込むように電極部410及び411が形成され、上部窒化物系半導体クラッド層405の上面から少なくとも上部界面までの領域にp型ドープ領域420が形成され、上部窒化物系半導体クラッド層405のリッジ導波路の上部に電極415がp型ドープ領域420と接するように形成されたリッジ型の光変調導波路400が示されている。電極部410は電極406及びn型イオン注入領域408で構成され、電極部411は電極407及びn型イオン注入領域409で構成される。実施例2に係る光変調導波路400は、電極415が設けられていること以外は実施例1に係る光変調導波路300と同様である。
101、201、301、401 基板
102、106 n−GaN電極層
202、302、402 窒化物系半導体バッファ層
103 下部i−AlGaNクラッド層
203、303、403 下部窒化物系半導体クラッド層
104 i−GaN光導波層
204、304、404 窒化物系半導体光導波層
105 上部i−AlGaNクラッド層
205、305、405 上部窒化物系半導体クラッド層
106、107、206、207、306、307、406、407、415 電極
208、209、308、309、408、409 n型イオン注入領域
320、420 p型ドープ領域
Claims (4)
- 基板、窒化物系半導体バッファ層、下部窒化物系半導体クラッド層、窒化物系半導体光導波層及び上部窒化物系半導体クラッド層がC軸方向に順次積層された光変調導波路であって、
第1の電極部及び第2の電極部が、前記窒化物系半導体光導波層の両側面を挟み込むように形成され、
前記第1の電極部は、前記上部窒化物系半導体クラッド層にイオン注入することにより前記上部窒化物系半導体クラッド層から少なくとも前記窒化物系半導体光導波層までをn型化することにより形成された第1のn型イオン注入領域と、前記第1のn型イオン注入領域上に形成された第1の電極とで構成され、
前記第2の電極部は、前記上部窒化物系半導体クラッド層にイオン注入することにより前記上部窒化物系半導体クラッド層から少なくとも前記下部窒化物系半導体光導波層までをn型化することにより形成された第2のn型イオン注入領域と、前記第2のn型イオン注入領域上に形成された第2の電極とで構成され、
前記第1の電極と前記第2の電極との間における前記上部窒化物系半導体クラッド層にp型ドープすることによって、前記窒化物系半導体光導波層と接するようにp型ドープ領域が形成されていることを特徴とする光変調導波路。 - 前記p型ドープ領域上に第3の電極が形成されていることを特徴とする請求項1に記載の光変調導波路。
- 導波路構造がリッジ導波路構造であり、前記第3の電極は、リッジ部分における前記p型ドープ領域上に形成されていることを特徴とする請求項2に記載の光変調導波路。
- 前記窒化物系半導体光導波層と前記第1の電極部及び前記第2の電極部とのそれぞれの界面は、a面又はm面であることを特徴とする請求項1から3のいずれかに記載の光変調導波路。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2012098975A JP5475826B2 (ja) | 2012-04-24 | 2012-04-24 | 光変調導波路 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2012098975A JP5475826B2 (ja) | 2012-04-24 | 2012-04-24 | 光変調導波路 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2013228473A true JP2013228473A (ja) | 2013-11-07 |
JP5475826B2 JP5475826B2 (ja) | 2014-04-16 |
Family
ID=49676184
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2012098975A Expired - Fee Related JP5475826B2 (ja) | 2012-04-24 | 2012-04-24 | 光変調導波路 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP5475826B2 (ja) |
Citations (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH05142503A (ja) * | 1991-11-19 | 1993-06-11 | Nec Corp | 半導体光導波路 |
JPH0792517A (ja) * | 1993-09-28 | 1995-04-07 | Hitachi Ltd | 光周波数変換素子 |
JPH07325328A (ja) * | 1994-05-31 | 1995-12-12 | Oki Electric Ind Co Ltd | 半導体光変調器 |
JPH09102629A (ja) * | 1995-04-26 | 1997-04-15 | Toshiba Corp | 光学変調器及びその動作方法、半導体装置、光学素子並びに光学双安定方法 |
JP2001345516A (ja) * | 2000-06-02 | 2001-12-14 | Mitsubishi Chemicals Corp | 半導体光デバイス装置 |
JP2003152264A (ja) * | 2001-11-15 | 2003-05-23 | Fujitsu Ltd | ナイトライド系半導体レーザを備えた光集積装置 |
JP2003241152A (ja) * | 2002-02-18 | 2003-08-27 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体光変調器 |
JP2004133437A (ja) * | 2002-09-17 | 2004-04-30 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 半導体光変調器及び光変調器付きレーザ |
JP2011186169A (ja) * | 2010-03-08 | 2011-09-22 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 光変調器 |
-
2012
- 2012-04-24 JP JP2012098975A patent/JP5475826B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH05142503A (ja) * | 1991-11-19 | 1993-06-11 | Nec Corp | 半導体光導波路 |
JPH0792517A (ja) * | 1993-09-28 | 1995-04-07 | Hitachi Ltd | 光周波数変換素子 |
JPH07325328A (ja) * | 1994-05-31 | 1995-12-12 | Oki Electric Ind Co Ltd | 半導体光変調器 |
JPH09102629A (ja) * | 1995-04-26 | 1997-04-15 | Toshiba Corp | 光学変調器及びその動作方法、半導体装置、光学素子並びに光学双安定方法 |
JP2001345516A (ja) * | 2000-06-02 | 2001-12-14 | Mitsubishi Chemicals Corp | 半導体光デバイス装置 |
JP2003152264A (ja) * | 2001-11-15 | 2003-05-23 | Fujitsu Ltd | ナイトライド系半導体レーザを備えた光集積装置 |
JP2003241152A (ja) * | 2002-02-18 | 2003-08-27 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体光変調器 |
JP2004133437A (ja) * | 2002-09-17 | 2004-04-30 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 半導体光変調器及び光変調器付きレーザ |
JP2011186169A (ja) * | 2010-03-08 | 2011-09-22 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 光変調器 |
Non-Patent Citations (1)
Title |
---|
JPN7014000390; Journal of Applied Physics Vol.87,No1, 20000101, p.334-344 * |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP5475826B2 (ja) | 2014-04-16 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US9437775B2 (en) | Nitride semiconductor light-emitting device | |
US7872269B2 (en) | Gallium nitride semiconductor light emitting element | |
JP5414709B2 (ja) | トランジスタ | |
US7606278B2 (en) | Semiconductor laser, method of manufacturing semiconductor device, optical pickup, and optical disk apparatus | |
JP5534661B2 (ja) | 半導体装置 | |
JPWO2015125471A1 (ja) | 電界効果トランジスタ | |
JP4917319B2 (ja) | トランジスタ | |
WO2010064706A1 (ja) | 半導体装置 | |
US20160079410A1 (en) | Semiconductor device | |
JP2009054623A (ja) | 半導体装置 | |
JP2011009493A (ja) | 半導体装置およびその製造方法 | |
Zhang et al. | A charge inverter for III-nitride light-emitting diodes | |
TW201318292A (zh) | 氮化物半導體發光元件 | |
JP2015530753A (ja) | メサ形の電流伝導が改善されたalgainn半導体レーザ | |
JP2015065453A (ja) | 半導体装置、電界効果トランジスタおよび電子装置 | |
JP5341345B2 (ja) | 窒化物半導体ヘテロ構造電界効果トランジスタ | |
CN110310981B (zh) | 氮面增强型复合势垒层氮化镓基异质结场效应管 | |
JP2008226914A (ja) | GaN系半導体素子 | |
JP5536822B2 (ja) | 光変調導波路 | |
JP5475826B2 (ja) | 光変調導波路 | |
WO2015001692A1 (ja) | 半導体発光素子 | |
JP2017017282A (ja) | 半導体光素子及びその製造方法 | |
JP5536823B2 (ja) | 光変調導波路 | |
CN111384663A (zh) | 氮化镓基半导体激光器及其制作方法 | |
JP5731455B2 (ja) | 光変調器およびその製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20140122 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20140204 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20140206 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5475826 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |