JP2013225583A

JP2013225583A - Method of manufacturing solar battery

Info

Publication number: JP2013225583A
Application number: JP2012096853A
Authority: JP
Inventors: Masahiro Fujikawa; 正洋藤川
Original assignee: Mitsubishi Electric Corp
Current assignee: Mitsubishi Electric Corp
Priority date: 2012-04-20
Filing date: 2012-04-20
Publication date: 2013-10-31
Anticipated expiration: 2032-04-20
Also published as: JP5826103B2

Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a solar battery in which a formation region for a rear surface electrode is expanded for excellent light-electron conversion efficiency while preventing characteristic deterioration caused by protrusion of a rear surface electrode from a rear surface.SOLUTION: A step for forming a rear surface side electrode which is electrically connected to the other surface side of a first conductive type semiconductor substrate which contains, on one surface side, a second conductive type impurity diffusion layer, on the other surface side of the semiconductor substrate, includes a step for forming a recessed part that extends in the direction along extension direction of an outer peripheral part, in an outer edge region near the outer peripheral part of the other surface side of the semiconductor substrate, a step for applying an electrode material paste to a place inner than the recessed part on the other surface side of the semiconductor substrate, a step in which the electrode material paste applied on the other surface side of the semiconductor substrate is expanded to its periphery and the electrode material paste is dammed with the recessed part so that an application area of the electrode material paste is expanded to a range of the recessed part and the inside of it, and a step for baking the electrode material paste.

Description

本発明は、太陽電池の製造方法に関する。 The present invention relates to a method for manufacturing a solar cell.

従来の太陽電池は、多結晶シリコンもしくは単結晶シリコンのｐ型シリコン基板の受光面全体にｎ型の不純物拡散層が形成され、受光面側の表面に微小な凹凸が設けられている。微小凹凸上には反射防止膜が形成され、その上に櫛形状に表電極が設けられている。また、ｐ型シリコン基板の裏面側には、裏面全体に電極が設けられている。 In a conventional solar cell, an n-type impurity diffusion layer is formed on the entire light-receiving surface of a polycrystalline silicon or single-crystal silicon p-type silicon substrate, and minute unevenness is provided on the surface on the light-receiving surface side. An antireflection film is formed on the minute irregularities, and a surface electrode is provided in a comb shape thereon. Further, on the back side of the p-type silicon substrate, electrodes are provided on the entire back side.

このような従来の太陽電池は以下のようにして作製されている。たとえばアルカリ溶液とアルコールとの混合液やフッ酸と硝酸との混酸溶液を用いたウェットエッチングプロセスや、リアクティブイオンエッチング（Reactive Ion Etching：ＲＩＥ）法などのドライエッチングプロセスを用いて、ｐ型単結晶シリコン基板（以下、基板と呼ぶ）の表面に微小凹凸を形成する。この表面の微細凹凸は、外からの光の反射を抑えて光を基板内に閉じ込め、光を電気に変換する光−電子変換効率を上げるために形成される。 Such a conventional solar cell is manufactured as follows. For example, using a wet etching process using a mixed solution of an alkali solution and alcohol, a mixed acid solution of hydrofluoric acid and nitric acid, or a dry etching process such as a reactive ion etching (RIE) method, a p-type single layer is used. Micro unevenness is formed on the surface of a crystalline silicon substrate (hereinafter referred to as a substrate). The fine irregularities on the surface are formed in order to suppress light reflection from the outside, confine the light in the substrate, and increase the light-electron conversion efficiency for converting the light into electricity.

つぎに、オキシ塩化リン（ＰＯＣｌ_３）ガス中で気相拡散法により基板の表層にｎ型不純物拡散層を形成する。基板の表面に形成された酸化膜をフッ化水素に浸して除去した後に、基板の受光面側の表面に反射防止膜である窒化シリコンをプラズマＣＶＤ（化学的気層成長）法により形成する。つぎに、基板の受光面側の表面に、銀ペーストを用いて印刷法により櫛形状にパターン化した表電極形成を行う。基板の裏面側には、アルミニウムペーストを用いて裏面のほぼ全体にアルミニウム電極を形成し、一部には外部取り出し電極として銀電極を印刷法により形成する。そして、電極ペーストを２００℃の温度で乾燥した後に、７００℃〜８００℃の温度で電極ペーストを焼成し、太陽電池素子が完成する。 Next, an n-type impurity diffusion layer is formed on the surface layer of the substrate by a vapor phase diffusion method in phosphorus oxychloride (POCl ₃ ) gas. After the oxide film formed on the surface of the substrate is removed by immersion in hydrogen fluoride, silicon nitride as an antireflection film is formed on the surface on the light receiving surface side of the substrate by a plasma CVD (chemical vapor deposition) method. Next, a surface electrode is formed on the surface of the substrate on the light-receiving surface side, which is patterned into a comb shape by a printing method using a silver paste. On the back surface side of the substrate, an aluminum electrode is formed on almost the entire back surface using an aluminum paste, and a silver electrode is formed on a part of the substrate as an external extraction electrode by a printing method. And after drying an electrode paste at the temperature of 200 degreeC, an electrode paste is baked at the temperature of 700 to 800 degreeC, and a solar cell element is completed.

上述したように、一般的には、裏面のアルミニウム電極は印刷装置を用いた印刷法により、アルミニウムを含むアルミニウムペーストを基板の裏面に印刷することにより形成される（たとえば、特許文献１参照）。また、裏面のアルミニウム電極は、基板の裏面のほぼ全面に印刷されるが、基板の裏面の外周部（端部）まで印刷領域を拡張することにより、光−電子変換効率を向上させることができる。 As described above, generally, the aluminum electrode on the back surface is formed by printing an aluminum paste containing aluminum on the back surface of the substrate by a printing method using a printing apparatus (see, for example, Patent Document 1). Moreover, although the aluminum electrode on the back surface is printed on almost the entire back surface of the substrate, the photo-electron conversion efficiency can be improved by extending the printing area to the outer peripheral portion (end portion) of the back surface of the substrate. .

特開平６−２０９１１５号公報JP-A-6-209115

しかしながら、上記従来の技術によれば、裏面のアルミニウム電極の形成においては、アルミニウムペーストは基板の裏面外形よりも小さい領域に塗布されていた。すなわち、裏面のアルミニウム電極の形成においては、アルミニウムペーストは、基板の裏面からはみ出さないように、基板寸法精度、位置合わせ精度、印刷マスクの伸び量などを考慮して基板の外周部（端部）から１ｍｍ以上内側に離れた位置を最外形位置として印刷されていた。 However, according to the above-described conventional technique, in forming the aluminum electrode on the back surface, the aluminum paste is applied to an area smaller than the outer shape of the back surface of the substrate. That is, in the formation of the aluminum electrode on the back surface, the aluminum paste does not protrude from the back surface of the substrate, considering the substrate dimensional accuracy, alignment accuracy, print mask elongation, etc. ) Was printed as the outermost position at a position 1 mm or more away from the inside.

アルミニウムペーストが印刷時の位置ずれにより基板の側面（端部）や基板の受光面側に回り込んで付着し、その後焼成されると、アルミニウムペーストが基板の受光面側の拡散層にファイヤースルーし、裏面のアルミニウム電極と受光面側の拡散層とが短絡して光−電子変換効率が劣化する場合があった。すなわち、アルミニウムペーストの印刷領域において基板の外周部（端部）から１ｍｍ〜２ｍｍ程度、設計裕度を設けておかないと、印刷したアルミニウム電極が基板の裏面からはみ出た場合には光−電子変換効率が劣化する場合があった。このため、裏面のアルミニウム電極の印刷領域を拡張することによる光−電子変換効率の向上の実現は難しかった。 When the aluminum paste wraps around and adheres to the side surface (edge) of the substrate or the light-receiving surface of the substrate due to misalignment during printing, the aluminum paste fires through the diffusion layer on the light-receiving surface of the substrate. In some cases, the aluminum electrode on the back surface and the diffusion layer on the light receiving surface side are short-circuited to deteriorate the photo-electron conversion efficiency. That is, in the printing area of the aluminum paste, if the design tolerance is not provided about 1 mm to 2 mm from the outer peripheral portion (end) of the substrate, the printed aluminum electrode is photoelectrically converted when it protrudes from the back surface of the substrate. In some cases, the efficiency deteriorated. For this reason, it has been difficult to improve the photoelectric conversion efficiency by expanding the printing area of the aluminum electrode on the back surface.

本発明は、上記に鑑みてなされたものであって、裏面電極の裏面からのはみ出しに起因した特性劣化を防止しつつ裏面電極の形成領域を拡大し、光−電子変換効率に優れた太陽電池を製造可能な太陽電池の製造方法を得ることを目的とする。 The present invention has been made in view of the above, and expands the formation region of the back electrode while preventing characteristic deterioration due to protrusion of the back electrode from the back surface, and is excellent in photoelectric conversion efficiency. It aims at obtaining the manufacturing method of the solar cell which can manufacture.

上述した課題を解決し、目的を達成するために、本発明にかかる太陽電池の製造方法は、第１導電型の半導体基板の一面側に第２導電型の不純物元素を拡散して前記半導体基板の一面側に不純物拡散層を形成する第１工程と、前記不純物拡散層に電気的に接続する受光面側電極を前記半導体基板の一面側に形成する第２工程と、前記半導体基板の他面側に電気的に接続する裏面側電極を前記半導体基板の他面側に形成する第３工程とを含み、前記第３工程は、前記半導体基板の他面側の外周部の近傍の外縁領域に前記外周部の延在方向に沿った方向に延伸する凹部を形成する工程と、前記半導体基板の他面側における前記凹部よりも内側に電極材料ペーストを塗布する工程と、前記半導体基板の他面側に塗布された電極材料ペーストを周囲に広げるとともに前記凹部により前記電極材料ペーストをせき止めて前記凹部およびその内側の範囲に前記電極材料ペーストの塗布面積を拡張する工程と、前記電極材料ペーストを焼成する工程とを含むことを特徴とする。 In order to solve the above-described problems and achieve the object, a method for manufacturing a solar cell according to the present invention comprises diffusing a second conductivity type impurity element on one surface side of a first conductivity type semiconductor substrate, and thereby said semiconductor substrate. A first step of forming an impurity diffusion layer on one surface side, a second step of forming a light receiving surface side electrode electrically connected to the impurity diffusion layer on one surface side of the semiconductor substrate, and the other surface of the semiconductor substrate A third step of forming, on the other side of the semiconductor substrate, a back-side electrode that is electrically connected to the side, wherein the third step is performed in an outer edge region near the outer peripheral portion on the other side of the semiconductor substrate. Forming a recess extending in a direction along the extending direction of the outer peripheral portion, applying an electrode material paste inside the recess on the other surface side of the semiconductor substrate, and the other surface of the semiconductor substrate Around the electrode material paste applied to the side And the step of damaging the electrode material paste by the recesses to expand the application area of the electrode material paste to the recesses and the range inside the recesses, and the step of firing the electrode material paste. .

本発明によれば、裏面電極の裏面からのはみ出しに起因した特性劣化を防止しつつ裏面電極の形成領域を拡大し、光−電子変換効率に優れた太陽電池が得られる、という効果を奏する。 According to the present invention, there is an effect that a solar cell excellent in photo-electron conversion efficiency can be obtained by expanding the formation region of the back electrode while preventing characteristic deterioration due to protrusion of the back electrode from the back surface.

図１−１は、本発明の実施の形態１にかかる太陽電池の製造方法により作製された太陽電池セルの概略構成を示す要部断面図である。1-1 is principal part sectional drawing which shows schematic structure of the photovoltaic cell produced by the manufacturing method of the solar cell concerning Embodiment 1 of this invention. 図１−２は、本発明の実施の形態１にかかる太陽電池の製造方法により作製された太陽電池セルを受光面側から見た太陽電池セルの上面図である。1-2 is a top view of a solar battery cell when the solar battery cell manufactured by the method for manufacturing a solar battery according to the first embodiment of the present invention is viewed from the light-receiving surface side. 図１−３は、本発明の実施の形態１にかかる太陽電池の製造方法により作製された太陽電池セルを受光面と反対側（裏面側）から見た太陽電池の下面図である。1-3 is a bottom view of the solar battery when the solar battery cell produced by the method for manufacturing a solar battery according to Embodiment 1 of the present invention is viewed from the side opposite to the light receiving surface (back surface side). 図２−１は、本発明の実施の形態１にかかる太陽電池セルの製造工程の一例を説明するための断面図である。FIGS. 2-1 is sectional drawing for demonstrating an example of the manufacturing process of the photovoltaic cell concerning Embodiment 1 of this invention. FIGS. 図２−２は、本発明の実施の形態１にかかる太陽電池セルの製造工程の一例を説明するための断面図である。FIGS. 2-2 is sectional drawing for demonstrating an example of the manufacturing process of the photovoltaic cell concerning Embodiment 1 of this invention. FIGS. 図２−３は、本発明の実施の形態１にかかる太陽電池セルの製造工程の一例を説明するための断面図である。FIGS. 2-3 is sectional drawing for demonstrating an example of the manufacturing process of the photovoltaic cell concerning Embodiment 1 of this invention. FIGS. 図２−４は、本発明の実施の形態１にかかる太陽電池セルの製造工程の一例を説明するための断面図である。FIGS. 2-4 is sectional drawing for demonstrating an example of the manufacturing process of the photovoltaic cell concerning Embodiment 1 of this invention. FIGS. 図２−５は、本発明の実施の形態１にかかる太陽電池セルの製造工程の一例を説明するための断面図である。2-5 is sectional drawing for demonstrating an example of the manufacturing process of the photovoltaic cell concerning Embodiment 1 of this invention. 図２−６は、本発明の実施の形態１にかかる太陽電池セルの製造工程の一例を説明するための断面図である。FIGS. 2-6 is sectional drawing for demonstrating an example of the manufacturing process of the photovoltaic cell concerning Embodiment 1 of this invention. FIGS. 図２−７は、本発明の実施の形態１にかかる太陽電池セルの製造工程の一例を説明するための断面図である。2-7 is sectional drawing for demonstrating an example of the manufacturing process of the photovoltaic cell concerning Embodiment 1 of this invention. 図２−８は、本発明の実施の形態１にかかる太陽電池セルの製造工程の一例を説明するための断面図である。FIGS. 2-8 is sectional drawing for demonstrating an example of the manufacturing process of the photovoltaic cell concerning Embodiment 1 of this invention. FIGS. 図３は、本発明の実施の形態１にかかる太陽電池セルの製造工程の一例を説明するためのフローチャートである。FIG. 3 is a flowchart for explaining an example of the manufacturing process of the solar battery cell according to the first embodiment of the present invention. 図４は、凹部の形状の第１の変形例を示す断面図である。FIG. 4 is a cross-sectional view showing a first modification of the shape of the recess. 図５は、凹部の形状の第２の変形例を示す断面図である。FIG. 5 is a cross-sectional view showing a second modification of the shape of the recess. 図６−１は、凹部の形状の第２の変形例を示す断面図である。FIG. 6A is a cross-sectional view illustrating a second modification of the shape of the recess. 図６−２は、凹部の形状の第３の変形例を示す下面図である。FIG. 6B is a bottom view of the third modification of the shape of the recess.

以下に、本発明にかかる太陽電池の製造方法の実施の形態を図面に基づいて詳細に説明する。なお、本発明は以下の記述に限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲において適宜変更可能である。また、以下に示す図面においては、理解の容易のため、各部材の縮尺が実際とは異なる場合がある。各図面間においても同様である。また、平面図であっても、図面を見易くするためにハッチングを付す場合がある。 Embodiments of a method for manufacturing a solar cell according to the present invention will be described below in detail with reference to the drawings. In addition, this invention is not limited to the following description, In the range which does not deviate from the summary of this invention, it can change suitably. In the drawings shown below, the scale of each member may be different from the actual scale for easy understanding. The same applies between the drawings. Further, even a plan view may be hatched to make the drawing easy to see.

実施の形態１．
図１−１は、本発明の実施の形態１にかかる太陽電池の製造方法により作製された太陽電池セル１の概略構成を示す要部断面図である。図１−２は、本発明の実施の形態１にかかる太陽電池の製造方法により作製された太陽電池セル１を受光面側から見た太陽電池セル１の上面図である。図１−３は、本発明の実施の形態１にかかる太陽電池の製造方法により作製された太陽電池セル１を受光面と反対側（裏面側）から見た太陽電池セル１の下面図である。図１−１は、図１−２および図１−３の線分Ａ−Ａにおける要部断面図である。 Embodiment 1 FIG.
1-1 is principal part sectional drawing which shows schematic structure of the photovoltaic cell 1 produced by the manufacturing method of the solar cell concerning Embodiment 1 of this invention. FIG. 1-2 is a top view of the solar battery cell 1 as viewed from the light-receiving surface side of the solar battery cell 1 manufactured by the method for manufacturing the solar battery according to the first embodiment of the present invention. 1-3 is a bottom view of the solar battery cell 1 when the solar battery cell 1 manufactured by the method for manufacturing a solar battery according to the first embodiment of the present invention is viewed from the side opposite to the light receiving surface (back surface side). . FIG. 1-1 is a cross-sectional view of an essential part taken along line AA in FIGS. 1-2 and 1-3.

本実施の形態にかかる太陽電池セル１においては、第１の導電型の半導体基板２であるｐ型多結晶シリコン基板の受光面側にリン拡散によって第２の導電型のｎ型不純物拡散層３が厚み０．２μｍ程度で形成されて、ｐｎ接合を有する半導体基板１１が形成されている。ｎ型不純物拡散層３上には、シリコン窒化膜（ＳｉＮ膜）からなる反射防止膜４が形成されている。なお、第１の導電型の半導体基板２としてはｐ型多結晶のシリコン基板に限定されず、ｐ型単結晶のシリコン基板やｎ型の多結晶のシリコン基板、ｎ型の単結晶シリコン基板を用いてもよい。 In the solar cell 1 according to the present embodiment, the second conductivity type n-type impurity diffusion layer 3 is formed by phosphorous diffusion on the light-receiving surface side of the p-type polycrystalline silicon substrate which is the first conductivity type semiconductor substrate 2. Is formed with a thickness of about 0.2 μm, and a semiconductor substrate 11 having a pn junction is formed. An antireflection film 4 made of a silicon nitride film (SiN film) is formed on the n-type impurity diffusion layer 3. The first conductivity type semiconductor substrate 2 is not limited to a p-type polycrystalline silicon substrate, but may be a p-type single crystal silicon substrate, an n-type polycrystalline silicon substrate, or an n-type single crystal silicon substrate. It may be used.

また、半導体基板１１（ｎ型不純物拡散層３）の受光面側の表面には、光利用率を向上させるために、テクスチャー構造として微小凹凸２ａが１０μｍ程度の深さで形成されている。微小凹凸２ａは、受光面において外部からの光を吸収する面積を増加し、受光面における反射率を抑え、光を閉じ込める構造となっている。反射防止膜４は、シリコン窒化膜（ＳｉＮ膜）、シリコン酸化膜（ＳｉＯ_２膜）や酸化チタン膜（ＴｉＯ_２膜）などの絶縁膜からなる。 In addition, on the surface of the semiconductor substrate 11 (n-type impurity diffusion layer 3) on the light receiving surface side, minute unevenness 2a is formed as a texture structure with a depth of about 10 μm in order to improve the light utilization rate. The minute unevenness 2a has a structure that increases the area for absorbing light from the outside on the light receiving surface, suppresses the reflectance on the light receiving surface, and confines light. The antireflection film 4 is made of an insulating film such as a silicon nitride film (SiN film), a silicon oxide film (SiO ₂ film), or a titanium oxide film (TiO ₂ film).

また、半導体基板１１の受光面側には、長尺細長の表銀グリッド電極５が複数並べて設けられ、この表銀グリッド電極５と導通する太い表銀バス電極６が該表銀グリッド電極５と略直交するように設けられており、それぞれ底面部においてｎ型不純物拡散層３に電気的に接続している。表銀グリッド電極５および表銀バス電極６は銀材料により構成されている。表銀グリッド電極５および表銀バス電極６は、反射防止膜４に囲まれて形成されている。 Further, a plurality of long and narrow surface silver grid electrodes 5 are provided side by side on the light receiving surface side of the semiconductor substrate 11, and a thick surface silver bus electrode 6 electrically connected to the surface silver grid electrode 5 is connected to the surface silver grid electrode 5. They are provided so as to be substantially orthogonal to each other, and are electrically connected to the n-type impurity diffusion layer 3 at the bottom portions. The front silver grid electrode 5 and the front silver bus electrode 6 are made of a silver material. The front silver grid electrode 5 and the front silver bus electrode 6 are formed so as to be surrounded by the antireflection film 4.

表銀グリッド電極５は、所定の幅および間隔で略平行に配置され、半導体基板１１の内部で発電した電気を集電する。また、表銀バス電極６は、表銀グリッド電極５よりも太い所定の幅を有するとともに太陽電池セル１枚当たりに例えば２本〜３本配置され、表銀グリッド電極５で集電した電気を外部に取り出す。そして、表銀グリッド電極５と表銀バス電極６とにより第１電極である受光面側電極１２が構成される。受光面側電極１２は、半導体基板１１に入射する太陽光を遮ってしまうため、可能なかぎり面積を小さくすることが発電効率向上の観点では望ましい。 The front silver grid electrodes 5 are arranged substantially in parallel with a predetermined width and interval, and collect electricity generated inside the semiconductor substrate 11. Further, the front silver bus electrode 6 has a predetermined width larger than that of the front silver grid electrode 5 and is arranged, for example, two to three per solar cell, and collects electricity collected by the front silver grid electrode 5. Take it out. The front silver grid electrode 5 and the front silver bus electrode 6 constitute a light receiving surface side electrode 12 as a first electrode. Since the light receiving surface side electrode 12 blocks sunlight incident on the semiconductor substrate 11, it is desirable to reduce the area as much as possible from the viewpoint of improving the power generation efficiency.

一方、半導体基板１１の裏面（受光面と反対側の面）には、全体にわたってアルミニウム材料からなる裏アルミニウム電極７が設けられ、また表銀バス電極６と略同一方向に延在して銀材料からなる裏銀電極８が取り出し電極として設けられている。そして、裏アルミニウム電極７と裏銀電極８とにより第２電極である裏面側電極１３が構成される。 On the other hand, a back aluminum electrode 7 made of an aluminum material is provided on the entire back surface (surface opposite to the light receiving surface) of the semiconductor substrate 11 and extends in substantially the same direction as the front silver bus electrode 6. A back silver electrode 8 made of is provided as an extraction electrode. The back aluminum electrode 7 and the back silver electrode 8 constitute a back electrode 13 as a second electrode.

半導体基板１１の裏面における基板の外周部から内側に向かって一定距離内にある外縁領域、すなわち外縁部の近傍領域には凹部２ｂが形成されている。たとえば半導体基板１１の外形が略四角形状の場合には、凹部２ｂは半導体基板１１の外形の４辺に沿って４本形成され、それぞれの凹部２ｂは隣接する凹部２ｂと半導体基板１１の裏面の四つ角近傍で連結されて、半導体基板１１の裏面の内部側を囲っている。そして、裏アルミニウム電極７は、この４本の凹部２ｂ内および上部を含む、４本の凹部２ｂに囲まれた領域内に形成されている。したがって、裏アルミニウム電極７は、半導体基板１１の裏面から側面や受光面側にはみ出すことなく、形成されている。なお、凹部２ｂは半導体基板１１の外形形状に沿った形状に形成されればよい。 A recess 2b is formed in an outer edge region within a certain distance from the outer peripheral portion of the substrate on the back surface of the semiconductor substrate 11, that is, in the vicinity of the outer edge portion. For example, when the outer shape of the semiconductor substrate 11 is a substantially square shape, four recesses 2b are formed along the four sides of the outer shape of the semiconductor substrate 11, and each recess 2b is formed between the adjacent recess 2b and the back surface of the semiconductor substrate 11. They are connected in the vicinity of the four corners and surround the inner side of the back surface of the semiconductor substrate 11. The back aluminum electrode 7 is formed in the four recesses 2b and in the region surrounded by the four recesses 2b including the upper part. Accordingly, the back aluminum electrode 7 is formed without protruding from the back surface of the semiconductor substrate 11 to the side surface or the light receiving surface side. In addition, the recessed part 2b should just be formed in the shape along the external shape of the semiconductor substrate 11. FIG.

また、半導体基板１１の裏面（受光面と反対側の面）側の表層部であって裏アルミニウム電極７の下部には、焼成によるアルミニウム（Ａｌ）とシリコン（Ｓｉ）との合金層が形成され、その下にはアルミニウム拡散による高濃度不純物を含んだｐ＋層（ＢＳＦ（Back Surface Field））（図示せず）が形成されている。ｐ＋層（ＢＳＦ）は、ＢＳＦ効果を得るために設けられ、ｐ型層（半導体基板２）中の電子が消滅しないようにバンド構造の電界でｐ型層（半導体基板２）電子濃度を高めるようにする。 Further, an alloy layer of aluminum (Al) and silicon (Si) is formed by firing on the surface layer part on the back surface (surface opposite to the light receiving surface) side of the semiconductor substrate 11 and below the back aluminum electrode 7. Underneath, a p + layer (BSF (Back Surface Field)) (not shown) containing high concentration impurities by aluminum diffusion is formed. The p + layer (BSF) is provided to obtain the BSF effect, and the electron concentration in the p-type layer (semiconductor substrate 2) is increased by an electric field having a band structure so that electrons in the p-type layer (semiconductor substrate 2) do not disappear. To.

このように構成された太陽電池セル１では、太陽光が太陽電池セル１の受光面側から半導体基板１１のｐｎ接合面（半導体基板２とｎ型不純物拡散層３との接合面）に照射されると、ホールと電子が生成する。ｐｎ接合部の電界によって、生成した電子はｎ型不純物拡散層３に向かって移動し、ホールはｐ＋層に向かって移動する。これにより、ｎ型不純物拡散層３に電子が過剰となり、ｐ＋層にホールが過剰となる結果、光起電力が発生する。この光起電力はｐｎ接合を順方向にバイアスする向きに生じ、ｎ型不純物拡散層３に接続した受光面側電極１２がマイナス極となり、ｐ＋層に接続した裏アルミニウム電極７がプラス極となって、図示しない外部回路に電流が流れる。 In the solar cell 1 configured as described above, sunlight is applied to the pn junction surface (the junction surface between the semiconductor substrate 2 and the n-type impurity diffusion layer 3) of the semiconductor substrate 11 from the light receiving surface side of the solar cell 1. Then, holes and electrons are generated. Due to the electric field at the pn junction, the generated electrons move toward the n-type impurity diffusion layer 3 and the holes move toward the p + layer. As a result, electrons are excessive in the n-type impurity diffusion layer 3 and holes are excessive in the p + layer, resulting in generation of photovoltaic power. This photovoltaic power is generated in the direction in which the pn junction is forward-biased, the light receiving surface side electrode 12 connected to the n-type impurity diffusion layer 3 becomes a negative pole, and the back aluminum electrode 7 connected to the p + layer becomes a positive pole. Thus, a current flows through an external circuit (not shown).

以下、上記のように構成された本実施の形態にかかる太陽電池セル１の製造方法について図面に沿って説明する。図２−１〜図２−８は、本発明の実施の形態１にかかる太陽電池セル１の製造工程の一例を説明するための断面図である。図３は、本発明の実施の形態１にかかる太陽電池セル１の製造工程の一例を説明するためのフローチャートである。 Hereinafter, the manufacturing method of the photovoltaic cell 1 concerning this Embodiment comprised as mentioned above is demonstrated along drawing. FIGS. 2-1 to 2-8 are cross-sectional views for explaining an example of the manufacturing process of the solar battery cell 1 according to the first embodiment of the present invention. FIG. 3 is a flowchart for explaining an example of the manufacturing process of the solar battery cell 1 according to the first embodiment of the present invention.

まず、半導体基板２として例えば数百μｍ厚のｐ型多結晶シリコン基板を用意し、基板洗浄を行う。ｐ型多結晶シリコン基板は、溶融したシリコンを冷却固化してできたインゴットをワイヤーソーでスライスして製造するため、表面にスライス時のダメージが残っている。そこで、ｐ型多結晶シリコン基板をフッ酸などの酸または加熱したアルカリ溶液中、例えば水酸化ナトリウム水溶液に浸漬して表面をエッチングすることにより、シリコン基板の切り出し時に発生してｐ型多結晶シリコン基板の表面近くに存在するダメージ領域を取り除く。その後、純水で洗浄する（ステップＳ１０、図２−１）。なお、ｐ型多結晶シリコン基板の外形寸法は、基板１５６ｍｍ角である。 First, a p-type polycrystalline silicon substrate having a thickness of, for example, several hundred μm is prepared as the semiconductor substrate 2 and the substrate is cleaned. Since a p-type polycrystalline silicon substrate is manufactured by slicing an ingot formed by cooling and solidifying molten silicon with a wire saw, damage on the surface remains on the surface. Therefore, the p-type polycrystalline silicon substrate is generated when the silicon substrate is cut out by immersing the p-type polycrystalline silicon substrate in an acid such as hydrofluoric acid or a heated alkaline solution, for example, an aqueous sodium hydroxide solution and etching the surface. Remove damaged areas near the surface of the substrate. Then, it wash | cleans with a pure water (step S10, FIGS. 2-1). The external dimensions of the p-type polycrystalline silicon substrate are 156 mm square.

ダメージ除去に続いて、例えば水酸化ナトリウムとイソプロピルアルコール（ＩＰＡ）との混合溶液にｐ型多結晶シリコン基板を浸漬して該ｐ型多結晶シリコン基板の異方性エッチングを行ない、ｐ型多結晶シリコン基板の受光面側の表面に１０μｍ程度の深さで微小凹凸２ａを形成してテクスチャー構造を形成する（ステップＳ２０、図２−２）。このようなテクスチャー構造をｐ型多結晶シリコン基板の受光面側に設けることで、太陽電池セル１の表面側で光の多重反射を生じさせ、太陽電池セル１に入射する光を効率的に半導体基板１１の内部に吸収させることができ、実効的に反射率を低減して変換効率を向上させることができる。アルカリ溶液で、ダメージ層の除去およびテクスチャー構造の形成を行う場合は、アルカリ溶液の濃度をそれぞれの目的に応じた濃度に調整し、連続処理をする場合がある。また、反応性イオンエッチング(Reactive Ion Etching：ＲＩＥ)などドライエッチングプロセスでｐ型多結晶シリコン基板の表面に１μｍ〜３μｍ程度の深さの微小凹凸２ａを形成してもよい。 Following the removal of the damage, for example, the p-type polycrystalline silicon substrate is immersed in a mixed solution of sodium hydroxide and isopropyl alcohol (IPA), and anisotropic etching is performed on the p-type polycrystalline silicon substrate. A textured structure is formed by forming minute irregularities 2a with a depth of about 10 μm on the light receiving surface side surface of the silicon substrate (step S20, FIG. 2-2). By providing such a texture structure on the light-receiving surface side of the p-type polycrystalline silicon substrate, multiple reflection of light is generated on the surface side of the solar battery cell 1, and the light incident on the solar battery cell 1 is efficiently semiconductorized. The light can be absorbed in the substrate 11, and the conversion efficiency can be improved by effectively reducing the reflectance. When the damaged layer is removed and the texture structure is formed with an alkaline solution, the concentration of the alkaline solution may be adjusted to a concentration according to each purpose, and continuous treatment may be performed. Further, the fine unevenness 2a having a depth of about 1 μm to 3 μm may be formed on the surface of the p-type polycrystalline silicon substrate by a dry etching process such as reactive ion etching (RIE).

つぎに、拡散処理を行って半導体基板２にｐｎ接合を形成する（ステップＳ３０、図２−３）。すなわち、リン（Ｐ）等のＶ族元素を半導体基板２に拡散等させて数百ｎｍ厚のｎ型不純物拡散層３を形成する。ここでは、表面にテクスチャー構造を形成したｐ型多結晶シリコン基板に対して、オキシ塩化リン（ＰＯＣｌ_３）ガス中で気相拡散法により高温で熱拡散によりリンを拡散させてｐｎ接合を形成する。これにより、第１導電型層であるｐ型多結晶シリコンからなる半導体基板２と、該半導体基板２の受光面側に形成された第２導電型層であるｎ型不純物拡散層３と、によりｐｎ接合が構成された半導体基板１１が得られる。 Next, a diffusion process is performed to form a pn junction in the semiconductor substrate 2 (step S30, FIG. 2-3). That is, a group V element such as phosphorus (P) is diffused into the semiconductor substrate 2 to form the n-type impurity diffusion layer 3 having a thickness of several hundred nm. Here, a pn junction is formed by diffusing phosphorus by thermal diffusion at a high temperature in a phosphorus oxychloride (POCl ₃ ) gas at a high temperature by a vapor phase diffusion method on a p-type polycrystalline silicon substrate having a textured structure formed on the surface. . Thus, the semiconductor substrate 2 made of p-type polycrystalline silicon which is the first conductivity type layer, and the n-type impurity diffusion layer 3 which is the second conductivity type layer formed on the light receiving surface side of the semiconductor substrate 2. A semiconductor substrate 11 having a pn junction is obtained.

このときの拡散させるリン濃度は、オキシ塩化リン（ＰＯＣｌ_３）ガスの濃度および温度雰囲気、加熱時間により制御することが可能である。半導体基板２の表面に形成されたｎ型不純物拡散層３のシート抵抗は、例えば４０Ω／□〜６０Ω／□とする。 The concentration of phosphorus diffused at this time can be controlled by the concentration of phosphorus oxychloride (POCl ₃ ) gas, the temperature atmosphere, and the heating time. The sheet resistance of the n-type impurity diffusion layer 3 formed on the surface of the semiconductor substrate 2 is, for example, 40Ω / □ to 60Ω / □.

ここで、ｎ型不純物拡散層３の形成直後の表面には拡散処理中に表面に堆積したガラス質（燐珪酸ガラス、ＰＳＧ：Phospho-Silicate Glass）層が形成されているため、該リンガラス層をフッ酸溶液等を用いて除去する。 Here, a glassy (phosphosilicate glass, PSG: Phospho-Silicate Glass) layer deposited on the surface during the diffusion treatment is formed on the surface immediately after the formation of the n-type impurity diffusion layer 3. Is removed using a hydrofluoric acid solution or the like.

なお、図中における記載は省略しているが、ｎ型不純物拡散層３は半導体基板２の全面に形成される。そこで、半導体基板２の裏面等に形成されたｎ型不純物拡散層３の影響を取り除くために、半導体基板２の受光面側のみにｎ型不純物拡散層３を残して、それ以外の領域のｎ型不純物拡散層３を除去する。 Although not shown in the figure, the n-type impurity diffusion layer 3 is formed on the entire surface of the semiconductor substrate 2. Therefore, in order to remove the influence of the n-type impurity diffusion layer 3 formed on the back surface or the like of the semiconductor substrate 2, the n-type impurity diffusion layer 3 is left only on the light-receiving surface side of the semiconductor substrate 2, and n in other regions is left. The type impurity diffusion layer 3 is removed.

つぎに、光電変換効率改善のために、半導体基板１１の受光面側の一面、すなわちｎ型不純物拡散層３上に反射防止膜４を一様な厚みで形成する（ステップＳ４０、図２−３）。反射防止膜４の膜厚および屈折率は、光反射を最も抑制する値に設定する。反射防止膜４の形成は、例えばプラズマＣＶＤ法を使用し、シラン（ＳｉＨ_４）ガスとアンモニア（ＮＨ_３）ガスの混合ガスを原材料に用いて、例えば３００℃以上、減圧下の条件で反射防止膜４として窒化シリコン膜を成膜形成する。屈折率は例えば２．０〜２．２程度であり、膜厚は例えば６０ｎｍ〜８０ｎｍ程度である。なお、反射防止膜４として、屈折率の異なる２層以上の膜を積層してもよい。また、反射防止膜４の形成方法は、プラズマＣＶＤ法の他に蒸着法、熱ＣＶＤ法などを用いてもよい。なお、このようにして形成される反射防止膜４は絶縁体であることに注意すべきであり、受光面側電極１２をこの上に単に形成しただけでは、太陽電池として作用しない。 Next, in order to improve photoelectric conversion efficiency, the antireflection film 4 is formed with a uniform thickness on one surface of the light receiving surface of the semiconductor substrate 11, that is, on the n-type impurity diffusion layer 3 (step S40, FIG. 2-3). ). The film thickness and refractive index of the antireflection film 4 are set to values that most suppress light reflection. The antireflection film 4 is formed by using, for example, a plasma CVD method, using a mixed gas of silane (SiH ₄ ) gas and ammonia (NH ₃ ) gas as a raw material, for example, at 300 ° C. or higher and under reduced pressure. A silicon nitride film is formed as the film 4. The refractive index is, for example, about 2.0 to 2.2, and the film thickness is, for example, about 60 nm to 80 nm. Note that two or more films having different refractive indexes may be laminated as the antireflection film 4. In addition to the plasma CVD method, the antireflection film 4 may be formed by vapor deposition, thermal CVD, or the like. It should be noted that the antireflection film 4 formed in this way is an insulator, and simply forming the light receiving surface side electrode 12 thereon does not act as a solar cell.

つぎに、半導体基板１１における受光面側と反対側の一面、すなわちｎ型不純物拡散層３が形成された側と反対側の裏面において、基板の外周部から内側に向かって一定距離内にある外縁領域、すなわち外縁部の近傍領域に凹部２ｂを形成する（ステップＳ５０、図２−４）。凹部２ｂを形成する加工法としては、たとえばエッチング法、レーザー加工法、ブラスト法、ダイシング法などが挙げられる。ここでは、レーザー加工法による凹部２ｂの形成方法を説明する。 Next, on one surface of the semiconductor substrate 11 opposite to the light-receiving surface side, that is, on the back surface opposite to the side where the n-type impurity diffusion layer 3 is formed, the outer edge is within a certain distance from the outer periphery of the substrate to the inside. The recess 2b is formed in the region, that is, the region near the outer edge (step S50, FIG. 2-4). Examples of the processing method for forming the recess 2b include an etching method, a laser processing method, a blast method, a dicing method, and the like. Here, the formation method of the recessed part 2b by the laser processing method is demonstrated.

半導体基板１１をレーザー加工装置のＸＹステージ上に載置し、たとえば画像処理により半導体基板１１の中央を基準位置として、ＸＹステージに対して半導体基板１１の位置決めを行う。つぎに、レーザーによる加工端が、画像認識された半導体基板１１の外周部から５０μｍ（０．０５ｍｍ）内側の位置となるように例えばＹＡＧレーザーにより半導体基板１１の外形の辺と平行な方向にレーザーを照射してシリコンを飛ばし、幅２００μｍ、深さ５０μｍのライン状の凹部２ｂを半導体基板１１の４辺に沿って４本形成する。すなわち、凹部２ｂは、半導体基板１１の裏面の外周部の延在方向に沿った方向に延伸する。４本の凹部２ｂは、それぞれ隣接する凹部２ｂと半導体基板１１の裏面の四つ角近傍で連結される。そして、各凹部２ｂにおける半導体基板１１の外周側の位置は、半導体基板１１の外周の辺から５０μｍ（０．０５ｍｍ）となる。 The semiconductor substrate 11 is placed on an XY stage of a laser processing apparatus, and the semiconductor substrate 11 is positioned with respect to the XY stage by using, for example, image processing with the center of the semiconductor substrate 11 as a reference position. Next, a laser is processed in a direction parallel to the outer side of the semiconductor substrate 11 by, for example, a YAG laser so that the processing end by the laser is positioned 50 μm (0.05 mm) inside from the outer periphery of the semiconductor substrate 11 whose image has been recognized. The silicon is blown off to form four line-shaped recesses 2b having a width of 200 μm and a depth of 50 μm along the four sides of the semiconductor substrate 11. That is, the recess 2 b extends in a direction along the extending direction of the outer peripheral portion of the back surface of the semiconductor substrate 11. The four recesses 2b are connected in the vicinity of the four corners on the back surface of the semiconductor substrate 11 and the adjacent recesses 2b. The position on the outer peripheral side of the semiconductor substrate 11 in each recess 2b is 50 μm (0.05 mm) from the outer peripheral side of the semiconductor substrate 11.

凹部２ｂは、例えば幅１００μｍ〜５００μｍ、深さ５０μｍ〜１００μｍの寸法で形成されることが好ましい。ここで、凹部２ｂの形状については、半導体基板１１の裏面において、半導体基板１１の外形の辺と平行な方向を凹部２ｂの長手方向とし、凹部２ｂの長手方向と直角な方向を幅方向とする。 The recess 2b is preferably formed with a width of 100 μm to 500 μm and a depth of 50 μm to 100 μm, for example. Here, regarding the shape of the recess 2b, on the back surface of the semiconductor substrate 11, the direction parallel to the outer side of the semiconductor substrate 11 is defined as the longitudinal direction of the recess 2b, and the direction perpendicular to the longitudinal direction of the recess 2b is defined as the width direction. .

凹部２ｂの幅が広いほど、後述する裏面側電極１３の形成時にアルミニウムペーストを広げてアルミニウムペーストの塗布面積を拡張する際に、アルミニウムペーストが外周側に広がることを抑制、防止する効果がある。しかしながら、凹部２ｂの幅が広すぎると基板強度が低くなり割れ易くなる不具合が発生する。したがって、凹部２ｂの幅は、アルミニウムペーストが半導体基板１１の裏面の端部まで広がらないように１００μｍ以上が好ましく、半導体基板１１の破損が生じない５００μｍ以下が好ましい。 The wider the recess 2b, the more effective it is to suppress and prevent the aluminum paste from spreading to the outer peripheral side when the aluminum paste is expanded and the coating area of the aluminum paste is expanded during the formation of the back side electrode 13 described later. However, if the width of the concave portion 2b is too wide, the strength of the substrate is lowered, and a problem that it is easy to break occurs. Therefore, the width of the recess 2b is preferably 100 μm or more so that the aluminum paste does not spread to the end of the back surface of the semiconductor substrate 11, and is preferably 500 μm or less so that the semiconductor substrate 11 is not damaged.

また、使用する半導体基板１１の厚さ１８０〜２３０μｍに対し、凹部２ｂの深さが１００μｍより深くなると半導体基板１１における凹部２ｂ近傍の機械強度が低下し、半導体基板１１が装置搬送で割れやすくなる。また、凹部２ｂの深さが５０μｍ未満であると、後述する裏面側電極１３の形成時にアルミニウムペーストを広げてアルミニウムペーストの塗布面積を拡張する際に、アルミニウムペーストが外周側に広がることを抑制、防止する効果が小さくなる。 Further, when the depth of the recess 2b is deeper than 100 μm with respect to the thickness 180 to 230 μm of the semiconductor substrate 11 to be used, the mechanical strength in the vicinity of the recess 2b in the semiconductor substrate 11 is lowered, and the semiconductor substrate 11 is easily cracked by carrying the device. . Further, when the depth of the recess 2b is less than 50 μm, when the back surface side electrode 13 to be described later is formed, the aluminum paste is expanded to expand the coating area of the aluminum paste, thereby suppressing the aluminum paste from spreading to the outer peripheral side. The effect to prevent becomes small.

つぎに、表裏面の電極を形成する。電極の形成は、電極ペーストをスクリーン印刷法により電極のパターンに印刷し、乾燥、焼成することにより行う。スクリーン印刷は、電極パターンに対応した開口部を有する樹脂膜が金属メッシュ上に形成された印刷マスクに、銀粒子またはアルミニウム粒子を含む電極ペーストをスキイジで押し込み、電極ペーストをマスクの開口部から透過させて行う。 Next, front and back electrodes are formed. The electrode is formed by printing an electrode paste on the electrode pattern by screen printing, drying and baking. In screen printing, an electrode paste containing silver particles or aluminum particles is pressed with a squeegee into a printing mask in which a resin film having an opening corresponding to the electrode pattern is formed on a metal mesh, and the electrode paste is transmitted through the opening of the mask. To do.

まず、スクリーン印刷により裏面側電極１３（焼成前）を形成する。すなわち、銀粒子を含む電極材料ペーストである銀ペースト８ａを、外部との導通を取る外部取り出し電極である裏銀電極８のパターンに半導体基板１１の裏面に印刷、乾燥する（ステップＳ６０、図２−５）。ここでは、ライン状に所定の間隔で銀ペースト８ａを印刷する。 First, the back side electrode 13 (before firing) is formed by screen printing. That is, the silver paste 8a, which is an electrode material paste containing silver particles, is printed on the back surface of the semiconductor substrate 11 in a pattern of the back silver electrode 8 that is an external extraction electrode that is electrically connected to the outside, and dried (step S60, FIG. 2). -5). Here, the silver paste 8a is printed in a line at predetermined intervals.

つぎに、裏銀電極８のパターン部分を除いた半導体基板１１の裏面側の面に、アルミニウム粒子を含む電極材料ペーストであるアルミニウムペースト７ａを裏アルミニウム電極７の形状にスクリーン印刷によって塗布する（ステップＳ７０、図２−５）。ここで、アルミニウムペースト７ａは、半導体基板１１の外周部（基板端部）から凹部２ｂの幅方向に０．５ｍｍだけ内側の位置を外周位置とするパターンで印刷を行う。すなわち、アルミニウムペースト７ａは、半導体基板１１の裏面側の面において、凹部２ｂよりも内側に印刷される。 Next, an aluminum paste 7a, which is an electrode material paste containing aluminum particles, is applied to the shape of the back aluminum electrode 7 by screen printing on the back surface of the semiconductor substrate 11 excluding the pattern portion of the back silver electrode 8 (step). S70, FIG. 2-5). Here, the aluminum paste 7a is printed in a pattern in which the outer position is 0.5 mm from the outer peripheral portion (substrate end portion) of the semiconductor substrate 11 in the width direction of the concave portion 2b. That is, the aluminum paste 7a is printed on the back surface side of the semiconductor substrate 11 inside the recess 2b.

このとき使用するアルミニウムペースト７ａは、後の工程で周囲に広がり易いように、通常使用するペーストより粘度を低くする、またはチクソ性を低くすることが好ましい。例えば、通常は粘度が３５Ｐａ・ｓ〜５０Ｐａ・ｓのアルミニウムペーストを用いて裏アルミニウム電極７を形成していたのに対して、本実施の形態ではアルミニウムペースト７ａの粘度を２０Ｐａ・ｓ〜４０Ｐａ・ｓにすることで、アルミニウムペースト７ａが周囲へ広がり易くなる。アルミニウムペースト７ａの粘度が２０Ｐａ・ｓ未満では、粘度が低すぎてアルミニウムペースト７ａの周囲への広がりを制御しにくくなる。アルミニウムペースト７ａの粘度が４０Ｐａ・ｓよりも大であると、アルミニウムペースト７ａが周囲へ広がり難くなる。 The aluminum paste 7a used at this time preferably has a lower viscosity or a lower thixotropy than a normally used paste so that the aluminum paste 7a can easily spread in the subsequent process. For example, while the back aluminum electrode 7 is usually formed using an aluminum paste having a viscosity of 35 Pa · s to 50 Pa · s, in the present embodiment, the viscosity of the aluminum paste 7a is set to 20 Pa · s to 40 Pa · s. By using s, the aluminum paste 7a can easily spread to the surroundings. If the viscosity of the aluminum paste 7a is less than 20 Pa · s, the viscosity is too low to make it difficult to control the spread of the aluminum paste 7a around. When the viscosity of the aluminum paste 7a is greater than 40 Pa · s, the aluminum paste 7a is difficult to spread to the surroundings.

つぎに、アルミニウムペースト７ａの塗布後、該アルミニウムペースト７ａを半導体基板１１の外周部（基板端部）近傍まで周囲に広げてアルミニウムペースト７ａの塗布面積を拡張する塗布面積拡張処理を実施する（ステップＳ８０、図２−６）。アルミニウムペースト７ａを外周部（エッジ）近傍まで広げる方法としては、アルミニウムペースト７ａの塗布後の半導体基板１１に対してスピンコート、基板揺動、エアブロー、超音波振動など実施することが挙げられる。ここでは、アルミニウムペースト７ａの広がりを制御しやすい方法として、超音波振動を用いた方法を説明する。 Next, after the application of the aluminum paste 7a, a coating area expansion process is performed in which the aluminum paste 7a is spread to the vicinity of the outer peripheral portion (substrate end) of the semiconductor substrate 11 to expand the coating area of the aluminum paste 7a (step). S80, FIG. 2-6). Examples of a method of spreading the aluminum paste 7a to the vicinity of the outer peripheral portion (edge) include performing spin coating, substrate swinging, air blowing, ultrasonic vibration, etc. on the semiconductor substrate 11 after the application of the aluminum paste 7a. Here, a method using ultrasonic vibration will be described as a method for easily controlling the spread of the aluminum paste 7a.

まず、外周部（基板端部）から０．５ｍｍだけ内側の位置まで半導体基板１１の裏面にアルミニウムペースト７ａを塗布した半導体基板１１を載置したテーブルを、超音波発振機２１が配置されている別ポジションに移動する。そして、超音波発振機２１が発する超音波がアルミニウムペースト７ａの塗布部の外周縁部に当たる位置に、半導体基板１１を載置したテーブルを配置する。 First, the ultrasonic oscillator 21 is disposed on a table on which the semiconductor substrate 11 coated with the aluminum paste 7a is placed on the back surface of the semiconductor substrate 11 from the outer peripheral portion (substrate end portion) to a position 0.5 mm inside. Move to another position. Then, a table on which the semiconductor substrate 11 is placed is arranged at a position where the ultrasonic wave generated by the ultrasonic oscillator 21 hits the outer peripheral edge of the application part of the aluminum paste 7a.

つぎに、超音波発振機２１において超音波を発振する。これにより、アルミニウムペースト７ａの塗布部の外周縁部に超音波が当たり、その振動によってアルミニウムペースト７ａが周辺に広がる。アルミニウムペースト７ａは、超音波の振動によって周辺部に広がるが、外側（基板端部側）に広がったアルミニウムペースト７ａは半導体基板１１の裏面の外縁領域に形成された凹部２ｂに入ると、それ以上外側（基板端部側）には広がらない。すなわち、アルミニウムペースト７ａは、超音波の振動により周囲に広がるが、凹部２ｂによりせき止められ、半導体基板１１の裏面において４本の凹部２ｂ内およびその上部を含む、４本の凹部２ｂに囲まれた内側の領域内にのみに塗布面積が拡張される。これにより、アルミニウムペースト７ａが半導体基板１１の裏面から側面や受光面側にはみ出すことなく、裏アルミニウム電極７が半導体基板１１の裏面から側面や受光面側にはみ出して形成されることが抑制、防止される。その結果、アルミニウムペースト７ａは、半導体基板１１の外周の辺から５０μｍ（０．０５ｍｍ）の位置を外形とした略正方形状の領域内に塗布される。 Next, ultrasonic waves are oscillated in the ultrasonic oscillator 21. Thereby, an ultrasonic wave hits the outer peripheral edge part of the application part of the aluminum paste 7a, and the aluminum paste 7a spreads to the periphery by the vibration. The aluminum paste 7a spreads around the periphery due to the vibration of the ultrasonic waves, but when the aluminum paste 7a spread outside (substrate end side) enters the recess 2b formed in the outer edge region of the back surface of the semiconductor substrate 11, the aluminum paste 7a is more than that. It does not spread outside (board end side). That is, the aluminum paste 7a spreads around by the vibration of the ultrasonic wave, but is dammed by the recess 2b and surrounded by the four recesses 2b including the inside of the four recesses 2b and the upper part thereof on the back surface of the semiconductor substrate 11. The application area is expanded only in the inner region. This suppresses or prevents the back aluminum electrode 7 from protruding from the back surface of the semiconductor substrate 11 to the side surface or the light receiving surface side without the aluminum paste 7a protruding from the back surface of the semiconductor substrate 11 to the side surface or the light receiving surface side. Is done. As a result, the aluminum paste 7 a is applied in a substantially square region having an outer shape at a position of 50 μm (0.05 mm) from the outer peripheral side of the semiconductor substrate 11.

そこで、アルミニウムペースト７ａが超音波の振動によって周辺部に広がって、凹部２ｂに入り込む時間所定の時間だけ超音波を発振し、その時点で超音波発振機２１での超音波発振を停止するようにタイマを設定しておく。これにより、必要最低限の処理時間でアルミニウムペースト７ａを確実に広げることができる。その後、アルミニウムペースト７ａの乾燥を行う。 Therefore, the aluminum paste 7a spreads to the peripheral portion due to the vibration of the ultrasonic waves and oscillates ultrasonic waves for a predetermined time to enter the recess 2b, and at that time, the ultrasonic oscillation in the ultrasonic oscillator 21 is stopped. Set the timer. Thereby, the aluminum paste 7a can be reliably spread in the minimum necessary processing time. Thereafter, the aluminum paste 7a is dried.

つぎに、銀を含む電極材料ペースト（銀ペースト）６ａを用いたスクリーン印刷により、複数本の表銀グリッド電極５と数本の表銀バス電極６とからなる受光面側電極１２を形成する（焼成前（ステップＳ９０、図２−７））。受光面側電極１２は、太陽電池セル１の表面で発生した電子を集める機能を持つが、太陽光を遮断し、発電に寄与しない部分でもある。このため、できるだけ受光面側電極１２の幅を細くして面積を小さくすることが望ましい。つぎに、銀ペースト６ａの乾燥を行う。 Next, the light receiving surface side electrode 12 composed of a plurality of front silver grid electrodes 5 and several front silver bus electrodes 6 is formed by screen printing using an electrode material paste (silver paste) 6a containing silver ( Before firing (step S90, FIG. 2-7)). The light-receiving surface side electrode 12 has a function of collecting electrons generated on the surface of the solar battery cell 1, but is a part that blocks sunlight and does not contribute to power generation. For this reason, it is desirable to reduce the area by reducing the width of the light receiving surface side electrode 12 as much as possible. Next, the silver paste 6a is dried.

つぎに、印刷、乾燥させた電極材料ペーストを焼成する（ステップＳ１００、図２−８）。焼成処理は、例えば赤外線加熱炉を用いて７５０℃〜８００℃以上の温度で行う。これにより、半導体基板１１の受光面側では、半導体基板１１の受光面のｎ型不純物拡散層３上に受光面側電極１２が形成される。なお、この焼成工程により、銀ペースト６ａに含まれるガラスが溶融して、受光面に形成した反射防止膜４である絶縁膜を侵食し、半導体基板１１に達する。すなわち、ｎ型不純物拡散層３上に反射防止膜４が形成されている部分では、いわゆるファイヤースルーにより受光面側電極１２がｎ型不純物拡散層３に接続し、導通する。 Next, the printed and dried electrode material paste is fired (step S100, FIG. 2-8). The baking treatment is performed at a temperature of 750 ° C. to 800 ° C. or more using, for example, an infrared heating furnace. Thereby, on the light receiving surface side of the semiconductor substrate 11, the light receiving surface side electrode 12 is formed on the n-type impurity diffusion layer 3 on the light receiving surface of the semiconductor substrate 11. In this baking process, the glass contained in the silver paste 6 a is melted, erodes the insulating film that is the antireflection film 4 formed on the light receiving surface, and reaches the semiconductor substrate 11. That is, in the portion where the antireflection film 4 is formed on the n-type impurity diffusion layer 3, the light-receiving surface side electrode 12 is connected to the n-type impurity diffusion layer 3 by a so-called fire-through and is made conductive.

一方、半導体基板１１の裏面（受光面と反対側の面）では、銀ペースト８ａが焼成により裏銀電極８となり、アルミニウムペースト７ａが裏アルミニウム電極７となる。また、裏アルミニウム電極７の下部には、焼成により裏アルミニウム電極７のアルミニウム（Ａｌ）と半導体基板１１のシリコン（Ｓｉ）とが反応してアルミニウム合金層が形成され、その下にはアルミニウム拡散によりｐ＋層（ＢＳＦ）（図示せず）が形成される。 On the other hand, on the back surface (surface opposite to the light receiving surface) of the semiconductor substrate 11, the silver paste 8 a becomes the back silver electrode 8 by baking, and the aluminum paste 7 a becomes the back aluminum electrode 7. Further, the aluminum (Al) of the back aluminum electrode 7 and the silicon (Si) of the semiconductor substrate 11 react with each other by firing to form an aluminum alloy layer below the back aluminum electrode 7, and an aluminum diffusion layer is formed below the aluminum alloy layer. A p + layer (BSF) (not shown) is formed.

以上のような工程を実施することにより、図１−１〜図１−３に示す本実施の形態にかかる太陽電池セル１が完成する。 By performing the steps as described above, the solar battery cell 1 according to the present embodiment shown in FIGS. 1-1 to 1-3 is completed.

以上のような太陽電池の製造方法により、実施例の太陽電池セル１を作製した。また、従来の方法に従って、実施例と同じ外形寸法１５６ｍｍ角の半導体基板に対して、半導体基板の裏面の各辺において半導体基板の外周部（基板端部）から１．５ｍｍずつ内側の位置まで開口された（１５３ｍｍ角）印刷パターンを有する印刷マスク版を用いたスクリーン印刷により裏面側電極１３を形成して、比較例の太陽電池セルを作製した。比較例の太陽電池の作製工程は、裏面側電極１３の形成方法および裏アルミニウム電極７の面積以外は、実施例の場合と同様である。 The solar battery cell 1 of an Example was produced with the manufacturing method of the above solar cells. Further, according to a conventional method, an opening of 1.5 mm from the outer peripheral portion (substrate end portion) of the semiconductor substrate on each side of the back surface of the semiconductor substrate is opened to a position inside the semiconductor substrate having the same outer dimension of 156 mm square as in the embodiment. The back side electrode 13 was formed by screen printing using a printing mask plate having a printed pattern (153 mm square), and a solar cell of a comparative example was produced. The manufacturing process of the solar cell of the comparative example is the same as that of the example except for the formation method of the back surface side electrode 13 and the area of the back aluminum electrode 7.

実施例および比較例の太陽電池セルの特性を調べたところ、フィルファクター（ＦＦ）が０．００５向上し、光−電子変換効率が向上していることが確認された。これは、実施例の太陽電池セル１では、半導体基板１１の裏面において、外周部（基板端部）から０．５ｍｍ内側の位置までアルミニウムペースト７ａを印刷することにより、アルミニウムペースト７ａの印刷面積が比較例の太陽電池セルに比べて２．３％大きくなったことによるものである。 When the characteristics of the solar battery cells of the example and the comparative example were examined, it was confirmed that the fill factor (FF) was improved by 0.005 and the photoelectric conversion efficiency was improved. In the solar cell 1 of the example, the printing area of the aluminum paste 7a is increased by printing the aluminum paste 7a from the outer periphery (substrate end) to a position 0.5 mm inside on the back surface of the semiconductor substrate 11. This is because 2.3% larger than the solar cell of the comparative example.

以上のような実施の形態１においては、半導体基板１１の裏面の外周部から内側に向かって一定距離内にある外縁領域に凹部２ｂを形成し、該凹部２ｂよりも内側にアルミニウムペースト７ａを印刷する。その後、該アルミニウムペースト７ａを半導体基板１１の外周部（基板端部）近傍まで広げてアルミニウムペースト７ａの塗布面積を拡張する塗布面積拡張処理を実施する。このため、アルミニウムペースト７ａが半導体基板１１の裏面から側面や受光面側にはみ出すことなく、裏アルミニウム電極７が半導体基板１１の裏面から側面や受光面側にはみ出して形成されることが抑制、防止される。これにより、裏アルミニウム電極７の半導体基板１１の裏面からのはみ出しに起因した特性劣化を防止しつつ裏アルミニウム電極７の形成領域を拡大して、光−電子変換効率を向上させることができる。 In the first embodiment as described above, the recess 2b is formed in the outer edge region within a certain distance from the outer periphery of the back surface of the semiconductor substrate 11 toward the inside, and the aluminum paste 7a is printed inside the recess 2b. To do. Thereafter, the aluminum paste 7a is spread to the vicinity of the outer peripheral portion (substrate end) of the semiconductor substrate 11 to perform a coating area expansion process for expanding the coating area of the aluminum paste 7a. For this reason, the aluminum paste 7a does not protrude from the back surface of the semiconductor substrate 11 to the side surface or the light receiving surface side, and the back aluminum electrode 7 is suppressed or prevented from protruding from the back surface of the semiconductor substrate 11 to the side surface or the light receiving surface side. Is done. Thereby, the formation area of the back aluminum electrode 7 can be expanded and the photo-electron conversion efficiency can be improved while preventing deterioration of characteristics due to the back aluminum electrode 7 protruding from the back surface of the semiconductor substrate 11.

また、裏アルミニウム電極７の半導体基板１１の裏面からのはみ出しに起因した不良の発生率を低減することができ、製造歩留まりの低下を防止することができる。 In addition, it is possible to reduce the rate of occurrence of defects due to the back aluminum electrode 7 protruding from the back surface of the semiconductor substrate 11 and to prevent a decrease in manufacturing yield.

したがって、実施の形態１によれば、裏面電極の裏面からのはみ出しに起因した特性劣化を防止しつつ裏面電極の形成領域を拡大して、製造歩留まりおよび光−電子変換効率に優れた太陽電池が得られる、という効果を奏する。 Therefore, according to the first embodiment, a solar cell excellent in manufacturing yield and photoelectric conversion efficiency can be obtained by expanding the formation region of the back electrode while preventing characteristic deterioration due to the protrusion of the back electrode from the back surface. The effect is obtained.

実施の形態２．
実施の形態２では、上述した凹部２ｂの形状についての変形例について示す。図４は、凹部２ｂの形状の第１の変形例を示す断面図であり、図２−４に対応する図である。凹部２ｂについて、アルミニウムペースト７ａが裏面からはみ出して周囲に広がるのを防ぐための有効な形状の第１の変形例として、図４に示すように半導体基板１１の裏面の表面近傍よりも穴内部（深さ方向）の開口を広くした形状が挙げられる。凹部２ｂの形状をこのような形状とすることにより、凹部２ｂまで広がったアルミニウムペースト７ａが凹部２ｂよりも外側に広がることを抑制、防止できる。 Embodiment 2. FIG.
In the second embodiment, a modified example of the shape of the recess 2b described above will be described. FIG. 4 is a cross-sectional view showing a first modification of the shape of the recess 2b, and corresponds to FIG. 2-4. As for the concave portion 2b, as a first modified example of an effective shape for preventing the aluminum paste 7a from protruding from the back surface and spreading to the periphery, as shown in FIG. A shape in which the opening in the depth direction) is widened. By setting the shape of the recess 2b to such a shape, it is possible to suppress and prevent the aluminum paste 7a that has spread to the recess 2b from spreading outside the recess 2b.

このような凹部２ｂの形成方法としては、半導体基板１１の外縁領域において凹部２ｂを形成する領域以外に耐酸性のマスキング剤を塗布し、その後フッ硝酸液などで半導体基板１１の裏面の等方性エッチングを実施する。これにより、半導体基板１１の裏面の表面近傍よりも穴内部の開口が広くされた、幅方向に沿った断面形状が半円形とされた凹部２ｂを形成することができる。 As a method for forming such a recess 2b, an acid-resistant masking agent is applied to the outer edge region of the semiconductor substrate 11 in addition to the region where the recess 2b is to be formed, and then the back surface of the semiconductor substrate 11 isotropic with a hydrofluoric acid solution or the like. Etching is performed. Thereby, the recessed part 2b by which the opening inside the hole was made wider than the surface vicinity of the back surface of the semiconductor substrate 11, and the cross-sectional shape along the width direction was made into the semicircle can be formed.

図５は、凹部２ｂの形状の第２の変形例を示す断面図であり、図２−４に対応する図である。凹部２ｂについて、アルミニウムペースト７ａが裏面からはみ出して周囲に広がるのを防ぐための有効な形状の第２の変形例として、図５に示すように半導体基板１１の厚み方向に対して外側に向かって斜め方向に開口した形状が挙げられる。すなわち、半導体基板１１の裏面表面から凹部の底部に向かうにしたがって外側に傾斜する斜め方向に開口した形状が挙げられる。凹部２ｂの形状をこのような形状とすることにより、凹部２ｂまで広がったアルミニウムペースト７ａが凹部２ｂよりも外側に広がることを抑制、防止できる。 FIG. 5 is a cross-sectional view showing a second modification of the shape of the recess 2b and corresponds to FIG. 2-4. As for the concave portion 2b, as a second modification example of an effective shape for preventing the aluminum paste 7a from protruding from the back surface and spreading to the periphery, as shown in FIG. The shape opened in the diagonal direction is mentioned. That is, the shape opened in the diagonal direction which inclines outside as it goes to the bottom part of a recessed part from the back surface of the semiconductor substrate 11 is mentioned. By setting the shape of the recess 2b to such a shape, it is possible to suppress and prevent the aluminum paste 7a that has spread to the recess 2b from spreading outside the recess 2b.

このような凹部２ｂの形成方法としては、第１の変形例の場合と同様に、半導体基板１１の外縁領域において凹部２ｂを形成する領域以外に耐酸性のマスキング剤を塗布し、その後、半導体基板１１を斜めに傾いた状態で配置してリアクティブイオンエッチングなどのドライエッチングにより、半導体基板１１の厚み方向に対して外側に向かって斜め方向に半導体基板１１の裏面をエッチングして形成する。これにより、半導体基板１１の厚み方向に対して外側に向かって斜め方向に開口された凹部２ｂを形成することができる。 As a method of forming such a recess 2b, as in the case of the first modification, an acid-resistant masking agent is applied to the outer edge region of the semiconductor substrate 11 other than the region where the recess 2b is formed, and then the semiconductor substrate The semiconductor substrate 11 is formed so as to be inclined obliquely, and the back surface of the semiconductor substrate 11 is etched obliquely outward with respect to the thickness direction of the semiconductor substrate 11 by dry etching such as reactive ion etching. Thereby, the recessed part 2b opened in the diagonal direction toward the outer side with respect to the thickness direction of the semiconductor substrate 11 can be formed.

図６−１は、凹部２ｂの形状の第３の変形例を示す断面図であり、図２−４に対応する図である。図６−２は、凹部２ｂの形状の第３の変形例を示す下面図である。凹部２ｂについて、アルミニウムペースト７ａが裏面からはみ出して周囲に広がるのを防ぐための有効な形状の第３の変形例として、図６−１および図６−２に示すように半導体基板１１の外縁領域において略平行な３本の凹部２ｂ−１、凹部２ｂ−２、凹部２ｂ−３が半導体基板１１の内側領域を囲って形成された形状が挙げられる。凹部２ｂの形状をこのような形状とすることにより、凹部２ｂまで広がったアルミニウムペースト７ａが凹部２ｂよりも外側に広がることを抑制、防止できる。 FIG. 6A is a cross-sectional view illustrating a third modification of the shape of the recess 2b, and corresponds to FIG. FIG. 6B is a bottom view of the third modification of the shape of the recess 2b. As a third modification example of the effective shape for preventing the aluminum paste 7a from protruding from the back surface and spreading to the periphery of the recess 2b, as shown in FIGS. 6A and 6B, the outer edge region of the semiconductor substrate 11 In FIG. 3, a shape in which three substantially parallel recesses 2 b-1, recesses 2 b-2, and recesses 2 b-3 are formed surrounding the inner region of the semiconductor substrate 11 is mentioned. By setting the shape of the recess 2b to such a shape, it is possible to suppress and prevent the aluminum paste 7a that has spread to the recess 2b from spreading outside the recess 2b.

たとえば、幅１００μｍの凹部２ｂを所定の間隔で略平行に３本形成することにより、幅３００μｍ幅の凹部２ｂを１本形成した場合よりもアルミニウムペースト７ａの外側への広がりをより効果的に抑制、防止できる。このような凹部２ｂは、実施の形態１において示した方法で形成できる。なお、凹部２ｂの本数は３本に限定されず、複数本であればよい。 For example, by forming three recesses 2b having a width of 100 μm substantially in parallel at a predetermined interval, the spread of the aluminum paste 7a to the outside is more effectively suppressed than when one recess 2b having a width of 300 μm is formed. Can be prevented. Such a recess 2b can be formed by the method shown in the first embodiment. In addition, the number of the recessed parts 2b is not limited to three, What is necessary is just two or more.

また、上記の変形例は、限り互いに組み合わせて使用することができる。 In addition, the above-described modifications can be used in combination with each other as far as possible.

また、上記の実施の形態で説明した構成を有する太陽電池セルを複数形成し、隣接する太陽電池セル同士を電気的に接続することにより、光−電子変換効率に優れた太陽電池モジュールが実現できる。この場合は、隣接する太陽電池セルの一方の受光面側電極１２と他方の裏面側電極１３とを電気的に接続すればよい。 Moreover, the solar cell module excellent in photo-electron conversion efficiency is realizable by forming several photovoltaic cells which have the structure demonstrated in said embodiment, and electrically connecting adjacent photovoltaic cells. . In this case, what is necessary is just to electrically connect one light-receiving surface side electrode 12 and the other back surface side electrode 13 of an adjacent photovoltaic cell.

以上のように、本発明にかかる太陽電池の製造方法は、裏面電極の裏面からのはみ出しに起因した特性劣化が防止された、光−電子変換効率に優れた太陽電池の実現に有用である。 As described above, the method for manufacturing a solar cell according to the present invention is useful for realizing a solar cell excellent in photo-electron conversion efficiency in which deterioration of characteristics due to protrusion of the back electrode from the back surface is prevented.

１太陽電池セル
２半導体基板
２ａ微小凹凸
２ｂ凹部
３ｎ型不純物拡散層
４反射防止膜
５表銀グリッド電極
６表銀バス電極
６ａ銀ペースト
７裏アルミニウム電極
７ａアルミニウムペースト
８裏銀電極
８ａ銀ペースト
１１半導体基板
１２受光面側電極
１３裏面側電極
２１超音波発振機 DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Solar cell 2 Semiconductor substrate 2a Minute unevenness 2b Recessed part 3 N-type impurity diffusion layer 4 Antireflection film 5 Front silver grid electrode 6 Front silver bus electrode 6a Silver paste 7 Back aluminum electrode 7a Aluminum paste 8 Back silver electrode 8a Silver paste 11 Semiconductor substrate 12 Light receiving surface side electrode 13 Back surface side electrode 21 Ultrasonic oscillator

Claims

第１導電型の半導体基板の一面側に第２導電型の不純物元素を拡散して前記半導体基板の一面側に不純物拡散層を形成する第１工程と、
前記不純物拡散層に電気的に接続する受光面側電極を前記半導体基板の一面側に形成する第２工程と、
前記半導体基板の他面側に電気的に接続する裏面側電極を前記半導体基板の他面側に形成する第３工程と、
を含み、
前記第３工程は、
前記半導体基板の他面側の外周部の近傍の外縁領域に前記外周部の延在方向に沿った方向に延伸する凹部を形成する工程と、
前記半導体基板の他面側における前記凹部よりも内側に電極材料ペーストを塗布する工程と、
前記半導体基板の他面側に塗布された電極材料ペーストを周囲に広げるとともに前記凹部により前記電極材料ペーストをせき止めて前記凹部およびその内側の範囲に前記電極材料ペーストの塗布面積を拡張する工程と、
前記電極材料ペーストを焼成する工程と、
を含むことを特徴とする太陽電池の製造方法。 A first step of diffusing a second conductivity type impurity element on one surface side of the first conductivity type semiconductor substrate to form an impurity diffusion layer on the one surface side of the semiconductor substrate;
A second step of forming a light receiving surface side electrode electrically connected to the impurity diffusion layer on one surface side of the semiconductor substrate;
A third step of forming, on the other surface side of the semiconductor substrate, a back surface side electrode electrically connected to the other surface side of the semiconductor substrate;
Including
The third step includes
Forming a recess extending in a direction along the extending direction of the outer peripheral portion in an outer edge region in the vicinity of the outer peripheral portion on the other surface side of the semiconductor substrate;
Applying an electrode material paste on the inner side of the recess on the other side of the semiconductor substrate;
Spreading the electrode material paste applied to the other surface side of the semiconductor substrate around and expanding the application area of the electrode material paste to the recess and the area inside the recess by blocking the electrode material paste by the recess; and
Firing the electrode material paste;
The manufacturing method of the solar cell characterized by including.

前記半導体基板の他面側に塗布された電極材料ペーストに超音波を当てることにより、電極材料ペーストを振動させて前記電極材料ペーストを周囲に広げること、
を特徴とする請求項１に記載の太陽電池の製造方法。 By applying ultrasonic waves to the electrode material paste applied to the other surface side of the semiconductor substrate, to vibrate the electrode material paste and to spread the electrode material paste around,
The manufacturing method of the solar cell of Claim 1 characterized by these.

前記電極材料ペーストの粘度が２０Ｐａ・ｓ〜４０Ｐａ・ｓの範囲であること、
を特徴とする請求項１または２に記載の太陽電池の製造方法。 The viscosity of the electrode material paste is in the range of 20 Pa · s to 40 Pa · s,
The method for producing a solar cell according to claim 1 or 2.

前記凹部は、前記半導体基板の他面の表面における開口寸法よりも前記凹部の内部の開口寸法が大きいこと、
を特徴とする請求項１〜３のいずれか１つに記載の太陽電池の製造方法。 The concave portion has an opening size inside the concave portion larger than an opening size on a surface of the other surface of the semiconductor substrate;
The manufacturing method of the solar cell as described in any one of Claims 1-3 characterized by these.

前記凹部は、前記半導体基板の他面の表面から前記凹部の底部に向かうにしたがって前記半導体基板の外周側に向かって傾斜して形成されること、
を特徴とする請求項１〜４のいずれか１つに記載の太陽電池の製造方法。 The recess is formed to be inclined toward the outer peripheral side of the semiconductor substrate from the surface of the other surface of the semiconductor substrate toward the bottom of the recess;
The manufacturing method of the solar cell as described in any one of Claims 1-4 characterized by these.

前記凹部は、複数本が並列形成されること、
を特徴とする請求項１〜５のいずれか１つに記載の太陽電池の製造方法。 A plurality of the recesses are formed in parallel;
The manufacturing method of the solar cell as described in any one of Claims 1-5 characterized by these.

前記凹部は、前記半導体基板の他面の内部側を囲って形成されること、
を特徴とする請求項１〜６のいずれか１つに記載の太陽電池の製造方法。 The recess is formed so as to surround an inner side of the other surface of the semiconductor substrate;
The method for manufacturing a solar cell according to claim 1, wherein:

前記電極材料ペーストが、アルミニウム粒子を含むアルミニウムペーストであること、
を特徴とする請求項１〜７のいずれか１つに記載の太陽電池の製造方法。 The electrode material paste is an aluminum paste containing aluminum particles;
The manufacturing method of the solar cell as described in any one of Claims 1-7 characterized by these.