JP2013222497A - 真空バルブ用接点材料 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 接離自在の一対の接点5、6を真空絶縁容器1内に収納した真空バルブの真空バルブ用接点材料において、接点5、6は、導電成分とWCに代表される耐弧成分と必要により補助成分とを含有し、耐弧成分は、導電成分と混合する前に、メーカから購入した原料粉末に微量のカーボン粉末を添加して予備加熱を施し、カーボンと化合していない無炭化耐弧成分の量を抑制することを特徴とする。
【選択図】 図1
Description
比較例では、固相焼結法でAg−50mass%WC接点を製造した。メーカから購入した導電成分である平均粒径2.5μmの原料Ag粉末と、メーカから購入した耐弧成分である平均粒径1μmの原料WC粉末を質量比1:1で混合した。これを、φ50mmの金型で5t/cm2で加圧して圧粉体とし、真空雰囲気中で温度950℃×2時間の条件で焼結した。これは、従来方法による製造方法であり、後述する予備加熱は、無である。この結果、Cと化合物を形成していないWCは、0.10〜0.12mass%であり、この接点での遮断電流を基準値の1とした。
実施例1では、固相焼結法でAg−50mass%WC接点を製造した。先ず、メーカから購入した平均粒径1μmの原料WC粉末に0.01mass%のC粉末を添加し、真空雰囲気中のカーボン坩堝で温度1000℃×1時間加熱した。これを予備加熱有とした。以下の実施例で同様である。この原料WC粉末に、メーカから購入した平均粒径2.5μmの原料Ag粉末を質量比1:1で混合し、φ50mmの金型で5t/cm2で加圧して圧粉体を得た。これを、真空雰囲気中で温度950℃×2時間の条件で焼結した。この結果、Cと化合物を形成していないWCは、0.03mass%であり、遮断電流は、1.2倍であった。即ち、耐弧成分の99.97mass%が炭化物となっており、遮断特性を向上させることができる。なお、カーボン坩堝で温度1000℃×1時間の加熱を行っても、耐弧成分の炭化を促進させることができる。
実施例2では、液相焼結法でAg−60mass%WC接点を製造した。平均粒径1.5μmと平均粒径0.7μmの原料WC粉末の混合粉末を予備加熱した。この平均粒径1.5と0.7μmの原料WC粉末に、平均粒径2.5μmの原料Ag粉末を質量比4:1:5で混合し、圧粉体を得た。これを、水素雰囲気中で温度1100℃×1時間の条件で焼結した。この結果、Cと化合物を形成していないWCは、0.02mass%であり、遮断電流は、1.15倍であった。
実施例3では、導電成分がCuの事例であり、固相焼結法でCu−50mass%WC接点を製造した。平均粒径1μmの原料WC粉末を予備加熱し、平均粒径10μmのCu粉末を質量比1:1で混合し、圧粉体を得た。これを、水素雰囲気中で温度1050℃×1時間の条件で焼結した。この結果、Cと化合物を形成していないWCは、0.03mass%であり、遮断電流は、1.15倍であった。
実施例4では、耐弧成分がMo2Cの事例であり、液相焼結法でAg−40mass%Mo2C接点を製造した。平均粒径5μmの原料Mo2C粉末を予備加熱し、平均粒径4μmのAg粉末を質量比2:3で混合し、圧粉体を得た。これを、水素雰囲気中で温度1000℃×1時間の条件で焼結した。この結果、Cと化合物を形成していないMo2Cは、0.03mass%であり、遮断電流は、1.15倍であった。
実施例5では、耐弧成分がVCの事例であり、液相焼結法でAg−40mass%VC接点を製造した。平均粒径7μmの原料VC粉末を予備加熱し、平均粒径4μmのAg粉末を質量比2:3で混合し、圧粉体を得た。これを、水素雰囲気中で温度1000℃×1時間の条件で焼結した。この結果、Cと化合物を形成していないVCは、0.03mass%であり、遮断電流は、1.1倍であった。
実施例6では、補助成分を検討した。液相焼結法でAg−60mass%TiC−1mass%Cr接点を製造した。平均粒径3μmの原料TiC粉末を予備加熱し、平均粒径2.5μmの原料Ag粉末と平均粒径10μmのCr粉末を混合し、圧粉体を得た。これを、真空雰囲気中で温度1100℃×2時間の条件で焼結した。この結果、Cと化合物を形成していないTiCは、0.01mass%であり、遮断電流は、1.15倍であった。
Claims (5)
- 接離自在の一対の接点を有する真空バルブの真空バルブ用接点材料において、
前記接点は、導電成分と耐弧成分と必要により補助成分とを含有し、
前記耐弧成分は、原料粉末にカーボン粉末を添加し、予備加熱を施すことを特徴とする真空バルブ用接点材料。 - 前記耐弧成分のうち、無炭化耐弧成分が0.03mass%以下であることを特徴とする請求項1に記載の真空バルブ用接点材料。
- 前記耐弧成分は、WC、Mo2C、NbC、TaC、TiC、VC、ZrC、HfCのうち、少なくとも1種類を含有していることを特徴とする請求項1または請求項2に記載の真空バルブ用接点材料。
- 前記予備加熱は、前記耐弧成分の粉末に、0.01mass%のカーボン粉末を混合し、所定温度で加熱することを特徴とする請求項1乃至請求項3のいずれか1項に記載の真空バルブ用接点材料。
- 前記真空バルブは、Ag−WC系合金の低サージ型であることを特徴とする請求項1乃至請求項4のいずれか1項に記載の真空バルブ用接点材料。
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JP2012091238A JP2013222497A (ja) | 2012-04-12 | 2012-04-12 | 真空バルブ用接点材料 |
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Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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CN104319167A (zh) * | 2014-11-11 | 2015-01-28 | 厦门理工学院 | 环氧树脂固封双真空灭弧室 |
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JPH10140216A (ja) * | 1996-11-04 | 1998-05-26 | Plansee Ag | 炭化金属をベースとする微粒状超硬合金用粉末圧縮成分の製造方法 |
JPH10245652A (ja) * | 1997-03-07 | 1998-09-14 | Shibafu Eng Kk | 接点材料 |
JP2002208335A (ja) * | 2001-01-05 | 2002-07-26 | Mitsubishi Electric Corp | 真空バルブ用接点及びその製造方法 |
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2012
- 2012-04-12 JP JP2012091238A patent/JP2013222497A/ja active Pending
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