JP2013220958A - 微小空洞形成方法 - Google Patents
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- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 56
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims abstract description 52
- 238000003754 machining Methods 0.000 claims abstract description 45
- 238000005498 polishing Methods 0.000 claims description 17
- 238000004891 communication Methods 0.000 claims description 13
- 238000000227 grinding Methods 0.000 claims description 12
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims description 11
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 claims description 9
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 abstract description 5
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 abstract 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- KWYUFKZDYYNOTN-UHFFFAOYSA-M Potassium hydroxide Chemical compound [OH-].[K+] KWYUFKZDYYNOTN-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 10
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 10
- 239000002344 surface layer Substances 0.000 description 8
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 6
- 238000007517 polishing process Methods 0.000 description 6
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 description 4
- 238000005553 drilling Methods 0.000 description 4
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 4
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 4
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 3
- 239000000463 material Substances 0.000 description 3
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N Hydrochloric acid Chemical compound Cl VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N Phosphoric acid Chemical compound OP(O)(O)=O NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N Sulfuric acid Chemical compound OS(O)(=O)=O QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 2
- WSMQKESQZFQMFW-UHFFFAOYSA-N 5-methyl-pyrazole-3-carboxylic acid Chemical compound CC1=CC(C(O)=O)=NN1 WSMQKESQZFQMFW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000000018 DNA microarray Methods 0.000 description 1
- GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N Nitric acid Chemical compound O[N+]([O-])=O GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000147 aluminium phosphate Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000005388 borosilicate glass Substances 0.000 description 1
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 1
- 229910003460 diamond Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010432 diamond Substances 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 230000001788 irregular Effects 0.000 description 1
- GQYHUHYESMUTHG-UHFFFAOYSA-N lithium niobate Chemical compound [Li+].[O-][Nb](=O)=O GQYHUHYESMUTHG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 238000003801 milling Methods 0.000 description 1
- 229910017604 nitric acid Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000003672 processing method Methods 0.000 description 1
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 description 1
- 239000005361 soda-lime glass Substances 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 239000012780 transparent material Substances 0.000 description 1
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Abstract
【解決手段】被加工物10にパルスレーザ光aの集光照射を行って、被加工物10内に外部に露出しない連続する改質領域11を形成するレーザ加工工程と、被加工物10の一部を機械加工により除去することで改質領域11に露出部分11aを形成する機械加工工程と、露出部分11aを始点にして改質領域11をエッチング除去し微小空洞12を形成するエッチング工程とを含む。
【選択図】図1
Description
また、前記開口と改質領域の径が一致しなかったり、ずれてしまった場合には、完成後の貫通孔に段差が生じたり、同軸度にばらつきを生じたり等するおそれもある。
この微小空洞形成方法によれば、レーザ加工工程では、被加工物の表面や裏面にパルスレーザ光を集光照射しないため、被加工物の内部にのみに、寸法精度の高い安定した形状の改質領域を形成することができる。
そして、機械加工工程では、エッチング保護膜を形成する工程や被加工物の改質領域以外の部分をエッチングする工程等を要することなく、機械加工のみによって、改質領域に露出部分を形成することができる。
次に、エッチング工程では、改質領域を、前記露出部分を始点にしてエッチング除去することで、その除去の跡として、寸法精度の高い安定した形状の微小空洞を得ることができる。
なお、前記機械加工とは、工具や工作機械を用いて被加工物の一部を外側から削る加工を意味し、この機械加工には、研削加工、研磨加工、切削加工を含むが、レーザ加工やエッチング処理は含まない。
ここで、前記研削加工には、ラッピング、平面研削、ホーニング、超音波研削加工等を含む。前記研磨加工には、機械研磨、化学機械研磨、バレル研磨、バフ研磨、ブラシ研磨等を含む。また、前記切削加工には、ドリル穿孔、超音波切削加工、ダイヤモンド切削加工、フライス加工、旋盤加工等を含む。
この手段は、特に、前記微小空洞として、ストレート孔を形成するのに適している。
この手段では、被加工物に対し、改質領域に連通する部分のみを孔加工するため、機械加工による削り代が少なく、歩留まりのよいスピーディな加工が可能である。
次に前記露出部分を始点にして前記改質領域を前記エッチング工程によりエッチング除去して前記微小空洞を形成し、
次に前記機械加工を前記被加工物のもう一方の面側に施して前記貫通孔を形成するようにしたことを特徴とする。
本実施の形態の微小空洞形成方法は、図1〜3に示すように、被加工物10にレーザ加工装置20から発せられるパルスレーザ光aの集光照射を行って、被加工物10内に外部に露出しない連続する改質領域11を形成するレーザ加工工程と、被加工物10の一部を機械加工により除去することで前記改質領域11に露出部分11aを形成する機械加工工程と、前記露出部分11aを始点にして前記改質領域11をエッチング除去し微小空洞12を形成するエッチング工程とを有する。
パルスレーザ光aは、加工閾値以上のレーザ強度を有している必要がある。具体的には、パルスレーザ光aのパルス幅は150fs〜1psで、繰返し周期1kHz〜300kHz、波長780nm〜800nm、平均出力1W前後のものが使用可能である。特に、微小空洞12の内面をより平滑にするためには、パルスレーザ光aの繰返し周期を大きくして、レーザ強度は小さく抑えることが好ましい。
被加工物10は、前記前工程の研磨の後、載置台30に載置される。
ここで、前記表層部13と裏層部14は、被加工物10の厚み方向において、改質領域11を挟むようにして両側に位置する部位である。前記表層部13には、改質領域11におけるレーザ走査方向の一端側(図示例によれば上端側)の一部分が含まれる。同様に、前記裏層部14には、改質領域11におけるレーザ走査方向の他端側の一部分が含まれる。
したがって、これら表層部13及び裏層部14が除去されると、改質領域11の両端側には、外部に露出した露出部分11aが形成される。
なお、前記研磨加工に換えて、研削加工により表層部13と裏層部14を削り取っても良いし、研削加工と前記研磨加工を組み合わせ、研削加工後に前記研磨加工を行って、表層部13と裏層部14を削り取っても良い。研削加工の好ましい具体例としては、平面研削、ホーニング、超音波研削加工等が挙げられる。
エッチング槽40の中に入れるエッチャント41としては、水酸化カリウム水溶液を用いる。水酸化カリウム水溶液の濃度は、50wt%のものから0.1wt%の希薄な水溶液まで適用可能である。この濃度範囲の水酸化カリウム水溶液を用いれば、被加工物10(シリカガラス)の未改質領域を適度にエッチングし易く、この未改質領域のエッチングによって、形成後の微小空洞12(貫通孔)の内面にテーパーが生じるのを防ぐことができる。
また、機械加工のみによって、改質領域11に露出部分11aを形成するようにしているため、従来技術のようにエッチング保護膜を形成する工程や被加工物の改質領域以外の部分をエッチングする工程等を要することなく、加工設備を簡素化できる上、加工スピードも比較的速い。
そして、エッチング工程では、従来技術のように被加工物の表層側の未改質領域から深層側の改質領域に跨る範囲でエッチングを行うことなく、改質領域11のみにエッチングを行うようにしているため、改質領域11を除去した後の微小空洞12の内面の連続性を良好にすることができる。
よって、微小空洞12周囲の品質低下が少ない上、寸法精度の高い、安定した形状の高品質な微小空洞12を得ることができ、しかも、簡素な生産設備でもって生産性を向上することができる。
なお、以下に示す微小空洞形成方法の他例は、上記微小空洞形成方法を一部変更したものであるため、主にその変更箇所について詳細に説明し、重複する詳細説明を省略する。
すなわち、この微小空洞形成方法の機械加工工程では、レーザ加工工程を経た被加工物10に対し、機械加工によって改質領域11に連通する連通孔15を穿設する。
各連通孔15の深さは、少なくとも改質領域11のレーザ走査方向の端部に届く深さとされる。したがって、前記機械加工によって被加工物10の表面と裏面に連通孔15が穿設されると、改質領域11の両端側には、外部に露出した露出部分11aが形成される。
また、上記形態では、略円筒状の微小空洞を例示したが、この微小空洞の形状は、例えば、角筒状や、溝状、凹部等、円筒状以外の任意の形状とすることが可能である。
11:改質領域
11a:露出部分
12,16,17,18:微小空洞
15:連通孔
a:パルスレーザ光
Claims (6)
- 被加工物にパルスレーザ光の集光照射を行って、前記被加工物内に外部に露出しない連続する改質領域を形成するレーザ加工工程と、前記被加工物の一部を機械加工により除去することで前記改質領域に露出部分を形成する機械加工工程と、前記露出部分を始点にして前記改質領域をエッチング除去し微小空洞を形成するエッチング工程と、を含むことを特徴とする微小空洞形成方法。
- 前記微小空洞として貫通孔を形成するようにしたことを特徴とする請求項1記載の微小空洞形成方法。
- 前記機械加工が、研削加工、研磨加工、又は切削加工であることを特徴とする請求項1又は2記載の微小空洞形成方法。
- 前記機械加工工程では、機械加工によって前記被加工物の少なくとも一面を、全面にわたって略同厚みに除去することを特徴とする請求項1乃至3何れか1項記載の微小空洞形成方法。
- 前記機械加工工程では、機械加工によって前記被加工物に前記改質領域に連通する連通孔を形成することを特徴とする請求項1乃至3何れか1項記載の微小空洞形成方法。
- 前記レーザ加工工程後に、前記機械加工を前記被加工物の一面側のみに施して前記改質領域に前記露出部分を形成し、
次に前記露出部分を始点にして前記改質領域を前記エッチング工程によりエッチング除去して前記微小空洞を形成し、
次に前記機械加工を前記被加工物のもう一方の面側に施して前記貫通孔を形成するようにしたことを特徴とする請求項2乃至5の何れか1項記載の微小空洞形成方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2012091948A JP5942558B2 (ja) | 2012-04-13 | 2012-04-13 | 微小空洞形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2012091948A JP5942558B2 (ja) | 2012-04-13 | 2012-04-13 | 微小空洞形成方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2013220958A true JP2013220958A (ja) | 2013-10-28 |
JP5942558B2 JP5942558B2 (ja) | 2016-06-29 |
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ID=49592204
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2012091948A Expired - Fee Related JP5942558B2 (ja) | 2012-04-13 | 2012-04-13 | 微小空洞形成方法 |
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Country | Link |
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JP (1) | JP5942558B2 (ja) |
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A621 | Written request for application examination |
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A131 | Notification of reasons for refusal |
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A977 | Report on retrieval |
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A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
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A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
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R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
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S533 | Written request for registration of change of name |
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R350 | Written notification of registration of transfer |
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R250 | Receipt of annual fees |
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