JP2013219227A - Electronic device - Google Patents
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Abstract
Description
本発明は、プリント基板の一面に設けられた発熱部品の熱を、プリント基板を貫通する熱伝導経路を介してプリント基板の他面側にて放熱するようにした電子装置に関する。 The present invention relates to an electronic apparatus in which heat of a heat generating component provided on one surface of a printed circuit board is radiated on the other surface side of the printed circuit board through a heat conduction path passing through the printed circuit board.
一般に、この種の電子装置としては、一面と他面とが表裏の関係にある樹脂をベースとするプリント基板と、プリント基板の一面側に搭載された発熱部品と、発熱部品にて発生する熱をプリント基板の一面側から他面側へ伝導する熱伝導経路と、を備えたものが、提案されている(たとえば、特許文献1参照)。ここで、熱伝導経路は、プリント基板の一面から他面まで貫通するようにプリント基板に設けられたものであり、たとえば放熱ビア等よりなる。
In general, this type of electronic device includes a printed circuit board based on a resin whose one side and the other side are front and back, a heat generating component mounted on one side of the printed circuit board, and heat generated by the heat generating component. Has been proposed (see
これは、プリント基板を構成するエポキシ樹脂等の樹脂は熱伝導性が不十分であるため、プリント基板の構成樹脂よりも熱伝導性に優れたCu等の材料よりなる熱伝導経路を、プリント基板内に設けたものである。 This is because the resin such as epoxy resin that constitutes the printed circuit board has insufficient thermal conductivity, so that the heat conduction path made of a material such as Cu that has better thermal conductivity than the constituent resin of the printed circuit board It is provided inside.
この場合、従来では、プリント基板の他面側に露出する熱伝導経路の端部に対して、ヒートシンクや金属製筺体等の放熱部材を接触させることにより、発熱部品の熱を、熱伝導経路を介してプリント基板の他面側にて放熱するようにしている。 In this case, conventionally, the heat conduction path is used to heat the heat generating component by bringing a heat radiation member such as a heat sink or a metal casing into contact with the end of the heat conduction path exposed on the other side of the printed circuit board. The heat is radiated on the other side of the printed circuit board.
ここで、熱伝導経路は、通常Cu等の金属よりなる導電性のものであるため、発熱部品の電位が、熱伝導経路を介してプリント基板の他面側に露出するのを防止しつつ、熱伝導経路による放熱を行う必要がある。つまり、熱伝導経路を介して、発熱部品と放熱部材とが電気的に接続されることを防止する必要がある。 Here, since the heat conduction path is usually a conductive material made of a metal such as Cu, the potential of the heat-generating component is prevented from being exposed to the other surface side of the printed circuit board through the heat conduction path. It is necessary to dissipate heat through the heat conduction path. That is, it is necessary to prevent the heat generating component and the heat radiating member from being electrically connected via the heat conduction path.
そのため、従来では、プリント基板の他面側に露出する熱伝導経路の端部と上記放熱部材との間に、熱伝導性且つ電気絶縁性を有する厚いシートを介在させた状態で、当該熱伝導経路の端部と上記放熱部材とを接触させるようにしている。 Therefore, conventionally, a heat conductive and electrically insulating thick sheet is interposed between the end of the heat conductive path exposed on the other side of the printed circuit board and the heat radiating member. The end of the path is brought into contact with the heat dissipation member.
しかしながら、上記従来の場合、熱伝導性且つ電気絶縁性を有する厚いシートを用いるため、当該シートの厚さ分、電子装置の体格の増大化を招いたり、当該シートを組み付けるための手間がかかったりする等の問題が生じる。 However, in the conventional case, since a thick sheet having thermal conductivity and electrical insulation is used, the thickness of the sheet causes an increase in the size of the electronic device, and it takes time and effort to assemble the sheet. Problems occur.
また、当該シートを用いずに、プリント基板を構成する樹脂によって、プリント基板の他面側に露出しようとする熱伝導経路の端部を封止することも考えられるが、このプリント基板のベースとなる樹脂では、熱伝導性が不十分であり、放熱性の低下を招く恐れがある。 In addition, it is conceivable to seal the end of the heat conduction path that is to be exposed to the other surface side of the printed board with the resin constituting the printed board without using the sheet. The resulting resin has insufficient thermal conductivity and may cause a decrease in heat dissipation.
本発明は、上記事情に鑑みてなされたものであり、プリント基板の一面に設けた発熱部品の熱を、プリント基板を貫通する熱伝導経路を介してプリント基板の他面側にて放熱するようにした電子装置において、厚いシートを介在させることなく、プリント基板の他面側にて熱伝導経路と放熱部材とを接触させ、プリント基板の一面側の発熱部品の熱を、熱伝導経路を介して他面側から適切に放熱できるようにすることを目的とする。 The present invention has been made in view of the above circumstances, and radiates the heat of the heat-generating component provided on one surface of the printed circuit board on the other surface side of the printed circuit board through a heat conduction path that penetrates the printed circuit board. In the electronic device, the heat conduction path and the heat dissipation member are brought into contact with each other on the other surface side of the printed circuit board without interposing a thick sheet, and the heat of the heat generating component on the one surface side of the printed circuit board is transmitted through the heat conduction path. The purpose is to allow proper heat dissipation from the other side.
上記目的を達成するため、請求項1に記載の発明では、一面(10a)と他面(10b)とが表裏の関係にある樹脂をベースとするプリント基板(10)と、プリント基板の一面側に搭載された発熱部品(20)と、プリント基板の一面から他面まで貫通するようにプリント基板に設けられ、発熱部品にて発生する熱をプリント基板の一面側から他面側へ伝導する熱伝導経路(30)と、を備え、
熱伝導経路の一部は、プリント基板のベースである樹脂よりも電気絶縁性且つ熱伝導性に優れた層であって、熱伝導経路を介した発熱部品の電位のプリント基板の他面側への露出を防止する絶縁層(36)として構成されていることを特徴とする。
In order to achieve the above object, according to the first aspect of the present invention, there is provided a printed circuit board (10) based on a resin in which one surface (10a) and the other surface (10b) are in a front / back relationship, and one surface side of the printed circuit board. The heat generating component (20) mounted on the printed circuit board is provided on the printed circuit board so as to penetrate from one surface of the printed circuit board to the other surface, and heat that conducts heat generated in the heat generating component from the one surface side of the printed circuit board to the other surface side. A conduction path (30),
Part of the heat conduction path is a layer that is more electrically insulating and heat conductive than the resin that is the base of the printed circuit board, and the potential of the heat-generating component through the heat conduction path to the other side of the printed circuit board It is characterized by being configured as an insulating layer (36) for preventing the exposure of.
それによれば、絶縁層の電気絶縁性によって、発熱部品の電位が熱伝導経路を介してプリント基板の他面側に露出するのを防止することができ、また、絶縁層の熱伝導性によって、発熱部品の熱はプリント基板の他面側に適切に伝導される。 According to this, due to the electrical insulation of the insulating layer, the potential of the heat generating component can be prevented from being exposed to the other surface side of the printed circuit board through the heat conduction path, and the thermal conductivity of the insulating layer The heat of the heat generating component is appropriately conducted to the other side of the printed circuit board.
このように、本発明によれば、厚いシートを介在させることなく、プリント基板の他面側にて熱伝導経路と放熱部材とを接触させ、プリント基板の一面側の発熱部品の熱を、熱伝導経路を介して他面側から適切に放熱することができる。 Thus, according to the present invention, the heat conduction path and the heat radiating member are brought into contact with each other on the other surface side of the printed circuit board without interposing a thick sheet, and the heat of the heat generating component on the one surface side of the printed circuit board is heated. Heat can be appropriately radiated from the other side through the conduction path.
ここで、請求項2に記載の発明のように、プリント基板は、当該プリント基板の一面側から他面側に渡って複数の樹脂層(11〜15)が積層されてなる積層基板であり、熱伝導経路は、複数の樹脂層の全体を貫通しており、絶縁層は、熱伝導経路におけるプリント基板の一面側の端部(31)と他面側の端部(33)との間に介在設定されるように複数の樹脂層の層間に位置することにより、前記プリント基板の内部に設けられたものとされていることが好ましい。 Here, as in the invention described in claim 2, the printed board is a laminated board in which a plurality of resin layers (11 to 15) are laminated from one side of the printed board to the other side. The heat conduction path passes through the entirety of the plurality of resin layers, and the insulating layer is between the end (31) on one side of the printed circuit board and the end (33) on the other side of the heat conduction path. It is preferable that it is provided inside the printed circuit board by being positioned between a plurality of resin layers so as to be interposed.
このようにプリント基板を積層基板として、絶縁層を層間に位置させることで、絶縁層をプリント基板に内蔵させれば、絶縁層をプリント基板の一面および他面に露出させない構成とすることができる。 As described above, if the printed board is a laminated board and the insulating layer is positioned between the layers, the insulating layer can be configured not to be exposed on one side and the other side of the printed board if the insulating layer is built in the printed board. .
そのため、絶縁層が、プリント基板の一面側にて発熱部品に当接したり、プリント基板の他面側にて外部の放熱部材に当接したりすることがなくなり、当該当接による絶縁層へのダメージの発生を防止することができる。 Therefore, the insulating layer does not come into contact with the heat generating component on one side of the printed circuit board, or comes into contact with an external heat dissipation member on the other side of the printed circuit board, and damage to the insulating layer due to the contact. Can be prevented.
なお、特許請求の範囲およびこの欄で記載した各手段の括弧内の符号は、後述する実施形態に記載の具体的手段との対応関係を示す一例である。 In addition, the code | symbol in the bracket | parenthesis of each means described in the claim and this column is an example which shows a corresponding relationship with the specific means as described in embodiment mentioned later.
以下、本発明の実施形態について図に基づいて説明する。なお、以下の各実施形態相互において、互いに同一もしくは均等である部分には、説明の簡略化を図るべく、図中、同一符号を付してある。 Hereinafter, embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings. In the following embodiments, parts that are the same or equivalent to each other are given the same reference numerals in the drawings in order to simplify the description.
(第1実施形態)
本発明の第1実施形態にかかる電子装置S1について、図1を参照して述べる。この図1では、電子装置S1を、放熱部材K1に接触させた状態を示してある。このような電子装置S1は、たとえば自動車に搭載されるECU(電子制御装置)の構成要素などに適用される。
(First embodiment)
The electronic device S1 according to the first embodiment of the present invention will be described with reference to FIG. In FIG. 1, the electronic device S1 is shown in contact with the heat radiating member K1. Such an electronic device S1 is applied to, for example, a component of an ECU (Electronic Control Device) mounted on an automobile.
本実施形態の電子装置S1は、大きくは、一面10aと他面10bとが表裏の関係にある樹脂をベースとするプリント基板10と、プリント基板10の一面10a側に搭載された発熱部品20と、プリント基板10の一面10aから他面10bまで貫通するようにプリント基板10に設けられた熱伝導経路30と、を備えて構成されている。
The electronic device S1 of the present embodiment is roughly composed of a printed
プリント基板10は、当該プリント基板10の一面10a側から他面10b側に渡って複数の層11〜15が積層されてなる積層基板である。ここでは、これら複数の樹脂層11〜15は、エポキシ樹脂等の熱硬化性樹脂よりなる層である。
The printed
本実施形態では、図1に示されるように、複数の樹脂層11〜15は、基板10内部に位置するコア層11と、このコア層11の両面に積層されたビルドアップ層12〜15よりなる。
In the present embodiment, as shown in FIG. 1, the plurality of
なお、ここでは、ビルドアップ層12〜15は、コア層11の各面に2枚ずつ積層されているが、このビルドアップ層12〜15の数は特に限定されるものではない。また、典型的には、ビルドアップ層12〜15の個々の層厚はコア層11よりも薄いものとされている。
Here, two build-up
ここでは、4枚のビルドアップ層11〜15は、プリント基板10の一面10a側から他面10b側に向かって、第1のビルドアップ層12、第2のビルドアップ層13、第3のビルドアップ層14、第4のビルドアップ層15としている。そして、第1のビルドアップ層12の外面、第4のビルドアップ層15の外面がそれぞれ、プリント基板10の一面10a、他面10bに相当する。
Here, the four
熱伝導経路30は、プリント基板10のうち発熱部品20に対応する部位、具体的にはプリント基板10における発熱部品20の搭載領域に設けられている。
The
この熱伝導経路30は、プリント基板10の一面10a、他面10bおよび各樹脂層11〜15の層間に設けられた熱伝導性の各層31、32、33、36と、各樹脂層11〜15を貫通し当該熱伝導性の各層31〜33、36を熱伝導可能に接続する各ビアホール34、35と、により構成されている。
The
まず、熱伝導経路30を構成する熱伝導性の各層31〜33、36について、プリント基板10の一面10a側から具体的に述べる。プリント基板10の一面10aすなわち第1のビルドアップ層12の外面には、一面側金属層31が設けられている。この一面側金属層31は、熱伝導経路30における当該一面10a側の端部に相当する。
First, the heat
そして、第1のビルドアップ層12と第2のビルドアップ層13との層間、第2のビルドアップ層13とコア層11との層間、コア層11と第3のビルドアップ層14との層間、第3のビルドアップ層14と第4のビルドアップ層15との層間には、それぞれ、層間金属層32、層間金属層32、層間金属層32、絶縁層36が設けられている。つまり、これら層間金属層32、絶縁層36はプリント基板10に内蔵されている。
Then, an interlayer between the
そして、プリント基板10の他面10bすなわち第4のビルドアップ層15の外面には、他面側金属層33が設けられている。この他面側金属層33は、熱伝導経路30における当該他面10b側の端部に相当する。
The other surface
ここで、各金属層31〜33は、この種のプリント基板に通常用いられるCuなどの熱伝導性および電気伝導性に優れた金属箔よりなる。具体的には、各金属層31〜33は、当該金属箔を樹脂層11〜15に貼り付け、これをエッチング等でパターニングすることにより形成されたものである。 Here, each metal layer 31-33 consists of metal foil excellent in thermal conductivity and electrical conductivity, such as Cu normally used for this kind of printed circuit board. Specifically, each of the metal layers 31 to 33 is formed by attaching the metal foil to the resin layers 11 to 15 and patterning the metal foil by etching or the like.
また、熱伝導経路30の一部である上記絶縁層34は、プリント基板10のベースである樹脂よりも電気絶縁性且つ熱伝導性に優れた層である。本実施形態では、絶縁層36は、アルミナや窒化アルミ等のセラミック板よりなる。
The insulating
このような絶縁層36は、予め所定形状に区画されたセラミック板を、ビルドアップ層14または15貼り付けて、両ビルドアップ層14、15に挟み込むことで形成される。そして、これら金属層31〜33、絶縁層36は、樹脂層11〜15における樹脂の接着力により固定されている。
Such an insulating
次に、熱伝導経路30を構成する熱伝導性の各ビアホール34、35について、具体的に述べる。
Next, the heat conductive via
第1のビルドアップ層12、第2のビルドアップ層13、コア層11、第3のビルドアップ層14、第4のビルドアップ層15にはそれぞれ、層厚方向に貫通するレーザビアホール35、レーザビアホール35、ブラインドビアホール34、レーザビアホール35、レーザビアホール35が設けられている。
The
これら各ビアホール34、35は、各樹脂層11〜15の両面に位置する導電性の層31〜33、36同士を熱伝導可能に接続するものである。逆に言えば、各樹脂層11〜15のビアホール34、35は、上記熱伝導性の各層31〜33、36を介して熱伝導可能に接続されている。
These via
各レーザビアホール35は、各ビルドアップ層12〜15にレーザで貫通孔を開け、そこにCuメッキ等を充填することにより形成されたものである。また、ブラインドビアホール34は、コア層11の層厚方向を貫通する貫通孔の内壁に設けられたCuメッキ34aと、当該貫通孔に充填されたCuペースト、Agペースト、アルミナ等の熱伝導性材料34bとよりなる。
Each laser via
ここで、各ビアホール34、35の孔形状や数については、通常の孔開け方法で形成されるものであるならば、特に限定されない。また、金属層31〜33、絶縁層36については、これらに隣り合う各ビアホール34、35に熱伝導可能に接する平面サイズであればよく、平面形状は特に限定されない。
Here, the shape and number of the via holes 34 and 35 are not particularly limited as long as they are formed by a normal drilling method. Moreover, about the metal layers 31-33 and the insulating
こうして、上記した熱伝導性の各層31〜33、36および各ビアホール34、35により、熱伝導経路30は、プリント基板10の一面10aと他面10bとの間にて複数の樹脂層11〜15全体を貫通する連続した経路として構成されている。そして、熱伝導経路30の端部である一面側金属層31、他面側金属層33は、それぞれプリント基板10の一面10a、他面10bにてプリント基板10より露出している。
In this way, the heat
そして、図1に示されるように、プリント基板10の一面10aにて、発熱部品20は、熱伝導経路30の一面側金属層31に対して、はんだ40を介して接合されている。この発熱部品20は、本実施形態では、たとえばMOSトランジスタやIGBT(絶縁ゲート型バイポーラトランジスタ)等の図示しないパワー素子がモールド樹脂で封止されたパッケージである。
As shown in FIG. 1, the
そして、発熱部品20は、当該パッケージの表面に露出する電極21を有し、この電極21にて、熱伝導経路30の一面側金属層31に対して、はんだ付けされている。これによって、発熱部品20と熱伝導経路30とは、熱的にも電気的にも接続された状態とされている。
The
また、図1に示されるように、プリント基板10の一面10aには、各搭載部品と電気的に接続される表面電極50が設けられている。また、プリント基板10の内部には、内部配線としての層間配線51が設けられ、この層間配線51はレーザビアホール52を介して表面電極50と電気的に接続されている。
Further, as shown in FIG. 1, a
この表面電極50および層間配線51は、上記した金属層31〜33と同様、Cu箔等の金属箔をエッチングによりパターニングすることによって形成されるものである。また、レーザビアホール52は、上記した熱伝導経路30のレーザビアホール35と同様のものである。
The
そして、発熱部品20は、この表面電極50に対しても、はんだ40を介して接合され電気的に接続されている。また、図1に示されるように、プリント基板10の一面10aには、発熱部品20以外の部品、ここでは制御素子60が搭載され、表面電極50に対し、はんだ40を介して接合されている。
The
この制御素子60は、たとえばマイコンなどの図示しないICチップをモールド樹脂で封止してなるパッケージであり、当該パッケージより突出するリード61を有する。そして、このリード61と表面電極50とをはんだ付けすることにより、制御素子60と表面電極50とが電気的に接続されている。
The
また、プリント基板10の表面や内部には、図1に示されるもの以外にも基板10における回路を構成する図示しない配線が設けられている。そして、熱伝導経路30の金属層31〜33は、これら図示しない配線と電気的に接続され、基板10における回路の一部として構成されている。
Further, on the surface and inside of the printed
また、図1に示されるように、プリント基板10の他面10bにおいては、放熱部材K1が、熱伝導経路30の他面側金属層33に対して、直接あるいは放熱グリス等を介して間接的に接触するようになっている。このような放熱部材K1は、たとえばアルミニウム等よりなるケースや、ヒートシンクなどである。
Further, as shown in FIG. 1, on the
こうして、本実施形態では、発熱部品20にて発生する熱が、熱伝導経路30を介して、プリント基板10の一面10a側から他面10b側へ伝導されるようになっている。そして、放熱部材K1を組み付けた構成においては、当該熱は、他面側金属層33から更に放熱部材K1に逃がされるようになっている。
Thus, in the present embodiment, the heat generated in the
ここで、本実施形態では、上記電気絶縁性且つ熱伝導性に優れた絶縁層36によって、発熱部品20の電位が熱伝導経路30を介してプリント基板10の他面10b側へ露出するのを防止している。
Here, in the present embodiment, the insulating
つまり、本実施形態では、第3のビルドアップ層14のレーザビアホール35と第4のビルドアップ層15のレーザビアホール35との間は、当該間に介在する絶縁層36によって電気的に絶縁されている。そのため、熱伝導経路30の他面側金属層33が当該他面10bにて放熱部材K1に接した状態においては、発熱部品20と放熱部材K1とは熱伝導可能ではあるが、電気的には接続されていない。
That is, in the present embodiment, the laser via
次に、本電子装置S1の製造方法について述べる。まず、プリント基板10の製造方法について述べるが、このプリント基板10は、典型的なビルドアップ積層基板の製造方法により形成されるものである。
Next, a method for manufacturing the electronic device S1 will be described. First, a method for manufacturing the printed
まず、プレスやエッチングによって、コア層11の層厚方向に貫通する貫通孔を開け、この貫通孔の内壁にCuメッキ34aを形成する。次に、コア層11の両面にCu箔等よりなる金属箔を熱圧着等により貼り付け、当該貫通孔の両端の開口部を当該金属箔で塞ぐ。そして、この金属箔を層間金属層32の形状となるように、エッチングによってパターニングする。
First, a through-hole penetrating in the layer thickness direction of the
このパターニングにより、コア層11の上記貫通孔に位置する上記金属箔を除去して、上記貫通孔の両端を開口させる。その後、ペースト印刷や粉末充填等の方法により、上記貫通孔に熱伝導材料34bを充填する。こうして、コア層11における層間金属層32およびブラインドビアホール34ができあがる。
By this patterning, the metal foil located in the through hole of the
次に、このコア層11の各面において、ビルドアップ層12〜15を1層ずつ積層していく。たとえば、まず、コア層11の一方の面上に、第2のビルドアップ層13を熱圧着等にて貼りつける。
Next, build-up
次に、第2のビルドアップ層13の所望位置にレーザにより貫通孔を開け、その貫通孔にCuメッキによりCuを充填する。これにより、第2のビルドアップ層13のレーザビアホール32ができあがる。次に、第2のビルドアップ層13の外面にレーザビアホール32と接続される金属箔を貼り付け、この金属箔をエッチングでパターニングして層間金属層32とする。
Next, a through hole is opened by a laser at a desired position of the
次に、この第2のビルドアップ層13の外面に第1のビルドアップ層12を貼り付ける。そして、この貼り付けられた第1のビルドアップ層12に対しても、同様にしてレーザビアホール35、および、一面側金属層31を形成する。また、このビルドアップ層12、13の積層形成を、コア層11の他方の面側においても行うことにより、第3、第4のビルドアップ層14、15を積層する。
Next, the
ここで、第3のビルドアップ層14については、レーザビアホール35の形成は上記同様であるが、絶縁層36の配置については、上述したようなセラミック板の挟み込みにより行う。こうして、コア層11の両面に、ビルドアップ層11〜15を1層ずつ積層していくことにより、プリント基板10ができあがる。
Here, in the
なお、プリント基板10における上記した回路を構成する図示しない配線については、樹脂層11〜15の積層過程において、上記の各金属層31〜33や各ビアホール34、35と同様に形成していけばよい。
In addition, about the wiring which is not shown in figure which comprises the above-mentioned circuit in the printed
その後は、プリント基板10の一面10a上に、上記発熱部品20および制御素子60をはんだ実装することにより、本実施形態の電子装置S1ができあがる。そして、この電子装置S1は、放熱部材K1としてのケースやヒートシンク等に組み付けられる。これにより、当該放熱部材K1と他面側金属層31とが接触した状態となり、放熱機能が適切に発揮されるようになっている。
Thereafter, the
ところで、本実施形態によれば、熱伝導経路30の一部を、プリント基板10のベースであるエポキシ等の樹脂よりも電気絶縁性且つ熱伝導性に優れたセラミック層よりなる絶縁層36として構成している。
By the way, according to the present embodiment, a part of the
そのため、本実施形態によれば、絶縁層36の電気絶縁性によって、発熱部品30の電位が熱伝導経路30を介してプリント基板10の他面10b側に露出するのを防止することができ、また、絶縁層36の熱伝導性によって、発熱部品20の熱はプリント基板10の他面10b側に適切に伝導される。
Therefore, according to this embodiment, the electrical insulation of the insulating
よって、本実施形態によれば、従来のような厚いシートを介在させることなく、プリント基板10の他面10b側にて熱伝導経路30と放熱部材K1とを接触させ、プリント基板10の一面10a側の発熱部品20の熱を、熱伝導経路30を介して他面10b側から適切に放熱することができる。
Therefore, according to the present embodiment, the
また、本実施形態では、プリント基板10は、当該プリント基板10の一面10a側から他面10b側に渡って複数の樹脂層11〜15が積層されてなる積層基板であり、熱伝導経路30は、複数の樹脂層11〜15の全体を貫通している。
Moreover, in this embodiment, the printed
そして、絶縁層36は、熱伝導経路30におけるプリント基板10の一面10a側の端部(ここでは一面側金属層31)と他面10b側の端部(ここでは他面側金属層33)との間に介在設定されるように複数の樹脂層11〜15の層間に位置している。これにより、絶縁層36は、プリント基板10より露出することなくプリント基板10の内部に設けられたものとされている。
The insulating
このように本実施形態では、プリント基板10を積層基板として、絶縁層36を基板内部の層間に位置させることで、絶縁層36をプリント基板10に内蔵させたものとし、絶縁層36をプリント基板10の一面10aおよび他面10bに露出させない構成を実現している。そして、熱伝導経路30と放熱部材K1との接触は、他面側金属層33により行われている。
As described above, in the present embodiment, the printed
そのため、本実施形態によれば、絶縁層36が、プリント基板10の一面10a側にて発熱部品20に当接したり、プリント基板10の他面10b側にて外部の放熱部材K1に当接したりすることがなくなる。そして、当該当接による絶縁層36へのダメージの発生を防止できるという利点がある。
Therefore, according to the present embodiment, the insulating
また、本実施形態では、熱伝導性材料34bが充填されてなるブラインドビアホール34が、複数の樹脂層11〜15のうちの基板内部に位置するコア層11に形成されている。そして、熱伝導経路30は、このブラインドビアホール34を含む構成とされている。そして、絶縁層36は、プリント基板10においてブラインドビアホール34よりもプリント基板の一面10a側または他面10b側に位置している。
Moreover, in this embodiment, the blind via
それによれば、ブラインドビアホール34は熱伝導材料34bが充填されたものであるから、熱伝導経路30における熱伝導性の確保の点で好ましい。つまり、ブラインドビアホール34において、たとえば熱伝導材料34bを省略して貫通孔の内面のCuメッキ34aのみとした中空のホールとした場合でも、当該Cuメッキ34aによって、熱伝導は可能である。
According to this, since the blind via
しかしながら、本実施形態のように、熱伝導材料34bで充填されたブラインドビアホール34を用いた熱伝導経路30の方が、上記した中空のホールを用いた熱伝導経路に比べて、熱伝導性に優れることは明らかである。
However, as in this embodiment, the
また、本実施形態では、絶縁層36は、セラミックよりなる層であり、この絶縁層36は当該絶縁層36を構成するセラミックに対して、これに隣り合うレーザビアホール32が直接接触することにより、熱伝導可能な接続を実現している。
In this embodiment, the insulating
ここで、このセラミックよりなる絶縁層36においてレーザビアホール32と接触する面、ここでは、絶縁層36の両面には、更に図示しない電極を設けてもよい。この電極としては、たとえばCuペーストやAgペーストを焼成してなるものが採用される。そして、このような電極を介してレーザビアホール32と接触させることにより、レーザビアホール32とのCuメッキとの接合性を確保しやすいという利点がある。
Here, an electrode (not shown) may be further provided on the surface of the insulating
(第2実施形態)
本発明の第2実施形態に係る電子装置S2について、図2、図3を参照して述べる。本実施形態は、上記第1実施形態に比べて、絶縁層36の構成が相違するものであり、ここでは、その相違点を中心に述べることとする。
(Second Embodiment)
An electronic device S2 according to a second embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS. This embodiment differs from the first embodiment in the configuration of the insulating
図2、3に示されるように、本実施形態では、絶縁層36は、電気絶縁性の無機材料よりなる無機材料層36cと、半導体よりなる半導体層36dとが積層されてなる多層構造のものとされている。
As shown in FIGS. 2 and 3, in this embodiment, the insulating
具体的には、図3に示されるように、絶縁層36は、酸化シリコンよりなる無機材料層36cの両面にシリコン半導体よりなる半導体層36dが積層されてなる。このような絶縁層36は、SOI(シリコン−オン−インシュレータ)基板のように各層を貼り合わせることにより形成される。
Specifically, as shown in FIG. 3, the insulating
さらに、図3に示されるように、本実施形態の絶縁層36においては、各半導体層36dの外面に電極36eが設けられている。なお、図2では、この電極36eは省略してある。この電極36eは、半導体プロセスよりなるものでスパッタや蒸着によるアルミニウム膜やAuメッキ膜等より構成されている。
Further, as shown in FIG. 3, in the insulating
そして、この電極36eを介して、絶縁層36とレーザビアホール32とを接触させることにより、レーザビアホール32とのCuメッキとの接合性を確保しやくなるという利点がある。なお、本実施形態の絶縁層36においては、無機材料層36cと半導体層36dとは必要であるが、上記接合性が確保できるならば、この電極36eは省略された構成であってもよい。
Then, by bringing the insulating
そして、このような構成により、本実施形態の絶縁層36も全体として、上記第1実施形態のセラミックよりなる絶縁層36と同様、プリント基板10のベースである樹脂よりも電気絶縁性且つ熱伝導性に優れた層とされている。そして、この絶縁層36によって、熱伝導経路30を介した発熱部品20の電位のプリント基板10の他面10b側への露出が防止されるようになっている。
With this configuration, the insulating
また、本実施形態の絶縁層36としては、図4に示されるものであってもよい。この図4に示される絶縁層36では、上記図3のものとは逆に、半導体層36dの両面に無機材料層36cが積層された多層構成とされている。このような構成は、シリコンよりなる半導体層36dの両面に、スパッタ等の成膜法、あるいは熱酸化等により、無機材料層36cを形成することにより、形成される。
Moreover, as the insulating
また、この図4の例においても、絶縁層36の両側の最表面には、上記同様の電極36eが設けられており、レーザビアホール32とのCuメッキとの接合性を確保しやすいものとしている。なお、この場合も、上記接合性が確保できるならば、この電極36eは省略された構成であってもよい。
In the example of FIG. 4 as well, the
また、本第2実施形態の絶縁層36は、絶縁層36の単体構成が上記第1実施形態と相違するだけであるから、本第2実施形態の電子装置S2は、上記第1実施形態と同様の製造方法により製造できることはもちろんである。
In addition, the insulating
(第3実施形態)
本発明の第3実施形態にかかる第1の例としての電子装置S3について、上記第1実施形態の電子装置S1との相違点を中心に、図5を参照して述べる。
(Third embodiment)
An electronic device S3 as a first example according to the third embodiment of the present invention will be described with reference to FIG. 5, focusing on differences from the electronic device S1 of the first embodiment.
上記第1実施形態の電子装置S1(上記図1参照)では、ブラインドビアホール34がコア層11に形成されており、絶縁層36は、プリント基板10においてブラインドビアホール34よりもプリント基板の一面10a側のみに位置していた。
In the electronic device S1 of the first embodiment (see FIG. 1), the blind via
これに対して、本実施形態の電子装置S3においては、図5に示されるように、絶縁層36は、プリント基板10におけるブラインドビアホール34よりもプリント基板の一面10a側だけでなく、さらにブラインドビアホール34よりもプリント基板10の他面10b側にも設けられている。
On the other hand, in the electronic device S3 of the present embodiment, as shown in FIG. 5, the insulating
図5の例では、セラミックよりなる絶縁層36が、第3のビルドアップ層14と第4のビルドアップ層15との層間、および、第1のビルドアップ層12と第2のビルドアップ層13との層間にそれぞれ設けられている。つまり、これら2個の絶縁層36は、ともにプリント基板10に内蔵されており、プリント基板10の一面10aおよび他面10bに露出しない構成とされている。
In the example of FIG. 5, the insulating
本実施形態によれば、1個の熱伝導経路30について2個の絶縁層36を設けているから、絶縁層36が1個のみの場合に比べて、電気絶縁性に優れたものとなることが期待される。また、2個の絶縁層36がともにプリント基板10に内蔵されているので、上記した当接による絶縁層36へのダメージの発生防止が期待できる。
According to the present embodiment, since two insulating
このような電子装置S3は、上記第1実施形態の電子装置S1における第1のビルドアップ層12と第2のビルドアップ層13との層間の層間金属層32を、絶縁層36に置き換えたものである。それゆえ、本電子装置S3は、上記第1実施形態の製造方法に準じて製造できることは、言うまでもない。
Such an electronic device S3 is obtained by replacing the
また、図6に示される本実施形態の第2の例としての電子装置S4では、図5の第1の例におけるセラミックよりなる絶縁層36を、上記図3に示される絶縁層36に代えたものである。
Further, in the electronic device S4 as the second example of the present embodiment shown in FIG. 6, the insulating
つまり、本第3実施形態においても、絶縁層36は、上記第2実施形態と同様、無機材料層36cと半導体層36dとが積層されたものであってもよい。なお、この図6の第2の例においても、絶縁層36として、上記図4に示される絶縁層36を用いてもよいことはもちろんである。
That is, also in the third embodiment, the insulating
(第4実施形態)
本発明の第4実施形態にかかる電子装置S5について、上記第1実施形態の電子装置S1との相違点を中心に、図7を参照して述べる。
(Fourth embodiment)
An electronic device S5 according to a fourth embodiment of the present invention will be described with reference to FIG. 7, focusing on differences from the electronic device S1 of the first embodiment.
上記第1実施形態の電子装置S1(上記図1参照)では、積層基板としてのプリント基板10内部の層間に絶縁層36を位置させることで、絶縁層36をプリント基板10に内蔵させ、絶縁層36をプリント基板10の一面10aおよび他面10bに露出させない構成を実現していた。
In the electronic device S1 of the first embodiment (see FIG. 1 above), the insulating
この場合、外部の部材との当接による絶縁層36へのダメージの発生を防止できるという利点があったが、これに限定するものではなく、絶縁層36をプリント基板10の一面10aまたは他面10bに露出させた構成を採用してもよい。
In this case, there is an advantage that the occurrence of damage to the insulating
図7に示される例では、セラミックよりなる絶縁層36をプリント基板10の他面10bに露出させている。このような構成を形成する場合、上記図1に示される構成において、第3のビルドアップ層14と第4のビルドアップ層15との間の絶縁層36、第4のビルドアップ層15の外面の他面側金属層33を、それぞれ層間金属層32、絶縁層36に置き換えてやればよい。
In the example shown in FIG. 7, the insulating
これにより、図7の例では、熱伝導経路30におけるプリント基板10の他面10b側の端部が絶縁層36として構成される。そして、この絶縁層36を放熱部材K1に接触させる構成となるため、熱伝導経路30を介した発熱部品20の電位のプリント基板10の他面10b側への露出が防止される。
As a result, in the example of FIG. 7, the end of the
なお、本第4実施形態においても、絶縁層36としては、上記第2実施形態と同様の無機材料層36cと半導体層36dとが積層されてなるものを採用できることは言うまでもない。
In the fourth embodiment, it is needless to say that the insulating
また、発熱部品20とプリント基板10との電気的接続が確保されるならば、絶縁層36をプリント基板10の一面10aにて露出させてもよい。この場合、当該一面10aに露出する絶縁層36と発熱部品20とを接触させるようにすればよい。さらには、絶縁層36を、プリント基板の一面10aと他面10bの両方にて露出させるように設けてもよいことは、もちろんである。
If the electrical connection between the
(第5実施形態)
本発明の第5実施形態にかかる第1の例としての電子装置S6ついて、上記第1実施形態の電子装置S1との相違点を中心に、図8を参照して述べる。
(Fifth embodiment)
An electronic device S6 as a first example according to the fifth embodiment of the present invention will be described with reference to FIG. 8, focusing on differences from the electronic device S1 of the first embodiment.
上記第1実施形態では、発熱部品20はモールドパッケージであったが、本第5実施形態のように、発熱部品20としてはパワー素子等のベアチップであってもよい。この場合、発熱部品20は表面電極50に対して、AlやAu等よりなるボンディングワイヤ22を介して電気的に接続されている。
In the first embodiment, the
また、図8の例では、絶縁層36はセラミックよりなるものであったが、図9に示される本第5実施形態にかかる第2の例としての電子装置S7のように、絶縁層36として上記第2実施形態のものを採用してもよい。
In the example of FIG. 8, the insulating
なお、上記図8、図9に示される本第5実施形態は、発熱部品20としてベアチップを採用しただけのものであるから、上記第1実施形態および第2実施形態以外の上記各実施形態とも組み合わせが可能であることはもちろんである。
In addition, since the fifth embodiment shown in FIGS. 8 and 9 uses only a bare chip as the
(第6実施形態)
本発明の第6実施形態にかかる電子装置S8ついて、図10を参照して述べる。本電子装置S8は、プリント基板10の一面10aに、パワー素子等のベアチップよりなる発熱部品20、制御IC等よりなる制御素子60、チップ抵抗70といった各種の部品が搭載された混載タイプの電子装置である。
(Sixth embodiment)
An electronic device S8 according to a sixth embodiment of the present invention will be described with reference to FIG. The electronic device S8 is a mixed-type electronic device in which various parts such as a
ここで、発熱部品20は、はんだ40を介して熱伝導経路30に接続されるとともに、Alよりなるボンディングワイヤ22を介して表面電極50と電気的に接続されている。また、制御素子60およびチップ抵抗70は、はんだ40やAuよりなるボンディングワイヤ22を介して表面電極50と電気的に接続されている。
Here, the
そして、これら各搭載部品20、60、70およびボンディングワイヤ22は、プリント基板10の一面10aにて、モールド樹脂80により封止され、保護されている。このモールド樹脂80としては、たとえばエポキシ樹脂等のモールド材料が適用される。
The mounted
このような混載タイプの電子装置S8においても、発熱部品20に対して、上記絶縁層36を含む熱伝導経路30を接続することにより、当該絶縁層36によって上記同様の効果が得られる。
Also in such a mixed-type electronic device S8, the same effect as described above can be obtained by connecting the
(第7実施形態)
本発明の第7実施形態にかかる電子装置S9ついて、図11を参照して述べる。本電子装置S9は、上記図10に示される混載タイプの電子装置S8に対して、絶縁層36をプリント基板10の一面10a寄りの内部に位置させてプリント基板10に内蔵させたものである。
(Seventh embodiment)
An electronic device S9 according to a seventh embodiment of the present invention will be described with reference to FIG. In the electronic device S9, the insulating
この場合、プリント基板10の一面10a寄りに内蔵された絶縁層36は、第1のビルドアップ層12と第2のビルドアップ層13との間に介在している。この絶縁層36は、第1実施形態のものでも、第2実施形態のものでもよいが、ここでは、第1実施形態と同様、セラミック板よりなる。
In this case, the insulating
そして、この絶縁層36は、熱伝導経路30の外側(図11中の左方)まで延長されており、その延長部分におけるプリント基板10の一面10a側の面には、印刷等によって厚膜抵抗71が形成されている。この厚膜抵抗71は、上記図10におけるチップ抵抗70の代わりとなるものであり、プリント基板10の一面10aのうち厚膜抵抗71に対応する部位には、表面電極50が設けられている。
The insulating
そして、この表面電極50と厚膜抵抗71とは、第1のビルドアップ層15に設けられたレーザビアホール52を介して、電気的に接続されている。また、厚膜抵抗71と接続されている表面電極50には、制御素子60からボンディングワイヤ22が接続されている。そして、これらレーザビアホール52、表面電極50およびワイヤ22により、厚膜抵抗71と制御素子60とは電気的に接続されている。
The
本第7実施形態の電子装置S9によれば、上記第6実施形態の電子装置S8におけるチップ抵抗70の搭載スペースが不要となるから、その分、プリント基板10の一面10aの面積を小さくすることができ、装置の小型化が期待できる。
According to the electronic device S9 of the seventh embodiment, since the mounting space for the
(他の実施形態)
なお、上記各実施形態では、プリント基板10は、熱硬化性樹脂をベースとする積層基板、つまり熱硬化性樹脂よりなる複数の樹脂層11〜15が積層された積層基板であったが、プリント基板10としては、たとえば熱可塑性樹脂よりなる複数の樹脂層を積層してなる積層基板であってもよい。
(Other embodiments)
In each of the above embodiments, the printed
このような熱可塑性樹脂の積層基板の場合には、たとえば、全樹脂層を貫通するように、Cu等よりなる柱状の金属ポストを、基板に埋め込み、この金属ポストを熱伝導経路30として構成する。
In the case of such a laminated substrate of thermoplastic resin, for example, a columnar metal post made of Cu or the like is embedded in the substrate so as to penetrate the entire resin layer, and this metal post is configured as the
そして、プリント基板10の一面10a側に露出する金属ポストの端部に発熱部品20を接続し、一方、プリント基板10の他面10b側に露出する金属ポストの端部に上記絶縁層36を貼り付け、当該端部を絶縁層36で被覆すればよい。このようにすれば、上記同様、発熱部品20の電位のプリント基板の他面側への露出が、絶縁層36によって防止される。
Then, the
また、プリント基板10としては、樹脂をベースとするものであるならば、単層基板であってもよい。この場合には、たとえば熱伝導経路30は、基板厚さ方向に貫通する貫通孔であって、内面にCuメッキ等が施された中空のスルーホールビアを採用すればよい。また、上記同様、このスルーホールビアの中空部に、更に熱伝導材料を充填し、このものを熱伝導経路30としてもよい。
Further, the printed
また、上記図5および図6に示される第3実施形態の構成においては、1個の熱伝導経路30中に2個の絶縁層36を設けたが、プリント基板10における樹脂層11〜15の積層数等に応じて、3個以上の絶縁層36を設けてもよい。
Further, in the configuration of the third embodiment shown in FIGS. 5 and 6, two insulating
また、上記図5および図6に示される構成においては、ブラインドビアホール34よりもプリント基板10の他面10b側の絶縁層36を層間金属層32に代えて、一面10a側の絶縁層36のみとしてもよい。
5 and 6, the insulating
つまり、1個の熱伝導経路30について絶縁層36を1個のみ設ける場合には、ブラインドビアホール34よりもプリント基板10の一面10a側のみでもよいし、上記第1実施形態のようにブラインドビアホール34よりもプリント基板10の他面10b側のみでもよい。これについては、たとえばプリント基板10内部の配線の配置等を考慮して、1個の絶縁層36の位置を適宜選択すればよい。
That is, when only one insulating
また、1個の熱伝導経路30中に複数個の絶縁層36を設ける場合には、すべての絶縁層36が同じ構成である必要はなく、たとえば上記図1、上記図3、上記図4に示される各構成の絶縁層36が混在していてもよい。
Further, in the case where a plurality of insulating
また、このように複数個の絶縁層36を設ける場合、すべての絶縁層36がプリント基板10に内蔵された構成や、あるいは、すべての絶縁層36がプリント基板10の外面10a、10bにて露出する構成に限定するものではない。たとえば、複数個の絶縁層36のうち、或るものはプリント基板10に内蔵され、残りのものはプリント基板10の一面10aまたは他面10bに露出するようにしてもよい。
Further, when a plurality of insulating
また、絶縁層36を無機材料層36cと半導体層36dとが積層されたものとする場合、上記第2実施形態に示した絶縁層36(上記図3および図4参照)に限定するものではなく、無機材料層36cと半導体層36dとの積層順や、積層数等は適宜変更が可能である。
Further, when the insulating
また、上記した各実施形態同士の組み合わせ以外にも、上記各実施形態は、可能な範囲で適宜組み合わせてもよく、また、上記各実施形態は、上記の図示例に限定されるものではない。 In addition to the combination of the above-described embodiments, the above-described embodiments may be appropriately combined within the possible range, and the above-described embodiments are not limited to the illustrated examples.
10 プリント基板
10a プリント基板の一面
10b プリント基板の他面
11〜15 樹脂層
20 発熱部品
30 熱伝導経路
36 絶縁層
DESCRIPTION OF
Claims (3)
前記プリント基板の一面側に搭載された発熱部品(20)と、
前記プリント基板の一面から他面まで貫通するように前記プリント基板に設けられ、前記発熱部品にて発生する熱を前記プリント基板の一面側から他面側へ伝導する熱伝導経路(30)と、を備え、
前記熱伝導経路の一部は、前記プリント基板のベースである前記樹脂よりも電気絶縁性且つ熱伝導性に優れた層であって、前記熱伝導経路を介した前記発熱部品の電位の前記プリント基板の他面側への露出を防止する絶縁層(36)として構成されていることを特徴とする電子装置。 A printed circuit board (10) based on a resin in which one side (10a) and the other side (10b) are in a front-back relationship;
A heat generating component (20) mounted on one side of the printed circuit board;
A heat conduction path (30) that is provided in the printed circuit board so as to penetrate from one surface of the printed circuit board to the other surface, and conducts heat generated by the heat-generating component from the one surface side to the other surface side of the printed circuit board; With
A portion of the heat conduction path is a layer that is more electrically insulating and heat conductive than the resin that is the base of the printed circuit board, and the print of the potential of the heat-generating component through the heat conduction path An electronic device configured as an insulating layer (36) for preventing exposure to the other side of the substrate.
前記熱伝導経路は、前記複数の樹脂層の全体を貫通しており、
前記絶縁層は、前記熱伝導経路における前記プリント基板の一面側の端部(31)と他面側の端部(33)との間に介在設定されるように前記複数の樹脂層の層間に位置することにより、前記プリント基板の内部に設けられたものとされていることを特徴とする請求項1に記載の電子装置。 The printed board is a laminated board in which a plurality of resin layers (11 to 15) are laminated from one side of the printed board to the other side.
The heat conduction path passes through the entirety of the plurality of resin layers,
The insulating layer is interposed between the plurality of resin layers so as to be interposed between an end portion (31) on one surface side of the printed circuit board and an end portion (33) on the other surface side in the heat conduction path. The electronic apparatus according to claim 1, wherein the electronic apparatus is provided inside the printed board by being positioned.
前記絶縁層は、前記プリント基板において前記ブラインドビアホールよりも前記プリント基板の一面側または他面側に位置していることを特徴とする請求項2に記載の電子装置。 The heat conduction path includes a blind via hole (34) formed in a layer (11) located inside the substrate among the plurality of resin layers and filled with a heat conductive material (34b).
The electronic device according to claim 2, wherein the insulating layer is located on one surface side or the other surface side of the printed board with respect to the blind via hole in the printed board.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2012089232A JP5884611B2 (en) | 2012-04-10 | 2012-04-10 | Electronic equipment |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2012089232A JP5884611B2 (en) | 2012-04-10 | 2012-04-10 | Electronic equipment |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2013219227A true JP2013219227A (en) | 2013-10-24 |
JP5884611B2 JP5884611B2 (en) | 2016-03-15 |
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Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2012089232A Expired - Fee Related JP5884611B2 (en) | 2012-04-10 | 2012-04-10 | Electronic equipment |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP5884611B2 (en) |
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---|---|
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A977 | Report on retrieval |
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