JP2013204074A - 透明導電膜及びその製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 透明導電膜が、全金属成分量に対してAl:0.1〜2.0wt%を含有し、残部がZnおよび不可避不純物からなる成分組成を有した酸化物膜からなり、m軸方向に配向している。この透明導電膜を作製するには、全金属成分量に対してAl:0.1〜2.0wt%を含有し、残部がZnおよび不可避不純物からなる成分組成を有した酸化物の焼結体からなるスパッタリングターゲットを用い、面方位がc面の六方晶のZnO単結晶基板又は同様の面方位のサファイア単結晶基板の上に200〜400℃の成膜温度でスパッタする。
【選択図】なし
Description
すなわち、従来のc軸配向のZnO系の膜では、フラットパネルディスプレイで標準的な100〜200nm程度の膜厚で、抵抗率がITO並みの2.5×10−4Ω・cm以下に低下しないという問題があった。したがって、ITO代替のためには、200nm以下の膜厚でITOと同程度に抵抗を低下させる必要がある。
また、Alの含有量を上記範囲内に設定した理由は、成膜した透明導電膜中のAl含有量を上述した設定範囲内とするためである。
すなわち、本発明に係る透明導電膜及びその製造方法によれば、m軸方向に配向した六方晶のAZO膜となるので、従来のAZO膜に比べて抵抗率が低下し、ITO並みの低抵抗が得られる。
この透明導電膜は、抵抗率が2.5×10−4Ω・cm以下であり、六方晶の結晶構造を有している。
なお、透明導電膜は、X線回折測定で、m面に対応する(10−10)等の回折ピーク以外の回折ピークが観測されない程度にm軸方向に配向していることが好ましい。
なお、これら実施例及び比較例において、膜の配向面の方位が各単結晶基板の表面の面方位と同じであることは、XRD測定(ブルカー社製のX線回折装置を使用)で、各単結晶基板の表面の面方位と同じ方位の回折ピークのみが膜において観測されたことにより確認した。
<ターゲット作製方法>
原料粉末として、平均粒径が0.5μm以下で純度が99.9%以上の酸化亜鉛粉末、酸化アルミニウム粉末を用意し、所望のAl含有量となるようそれぞれ配合し、乾式ボールミルにより混合して混合粉末を作製した。この混合粉末を金型に入れ、CIP(冷間静水圧プレス)による緻密化処理を行い、成形体に加工した。さらに、得られた成形体を大気中、1400℃で5時間焼成することにより、焼結体を作製した。得られた焼結体を研削して、直径101.6mm、厚さ6mmの寸法を有するタ−ゲットを作製した。
・スパッタリング装置:DCスパッタリングスパッタ装置(アルバック社製)
・磁界強度:1000Gauss(ターゲット直上、垂直成分)
・スパッタリングターゲット:AZO(ZnO+Al2O3)焼結ターゲット(焼結密度98.5%)
・到達真空度:5×10−5Pa未満
・スパッタリングガス:Ar
・スパッタリングガス圧:0.5Pa
・スパッタリングパワー:DC200W
なお、成膜温度を180℃及び420℃として同様に上記成膜を行った結果、ZnO単結晶又はサファイア単結晶のいずれの面方位を持つ基板を用いても、抵抗率が2.5×10−4Ω・cmを超えた値となることを確認した。
Claims (2)
- 全金属成分量に対してAl:0.1〜2.0wt%を含有し、残部がZnおよび不可避不純物からなる成分組成を有した六方晶のZnO系酸化物膜からなり、m軸方向に配向したことを特徴とする透明導電膜。
- 請求項1に記載の透明導電膜を製造する方法であって、
全金属成分量に対してAl:0.1〜2.0wt%を含有し、残部がZnおよび不可避不純物からなる成分組成を有した酸化物の焼結体からなるスパッタリングターゲットを用い、面方位がm面の六方晶のZnO単結晶基板又は同様の面方位のサファイア単結晶基板の上に200〜400℃の成膜温度でスパッタすることを特徴とする透明導電膜の製造方法。
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