JP2013197294A - 照明装置 - Google Patents

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Abstract

【課題】実施形態は、所望の光特性を低コストで安定して得ることができる照明装置を提供する。
【解決手段】実施形態に係る照明装置は、基板上に実装された複数の半導体光源と、封止部と、を具備する。前記封止部は、前記半導体光源のそれぞれの上に設けられ、前記半導体光源から放射される一次光により励起される蛍光体を含有する波長変換部と、隣り合う任意の波長変換部の間に前記蛍光体を設けるか、又は、前記複数の半導体光源の上に設けられた前記波長変換部のうちの任意の波長変換部の形状又は特性を他の波長変換部とは異なるように設けることにより波長変換部から出射する光色を調整する光色調整部と、を含む。
【選択図】図１

Description

本発明の実施形態は、照明装置に関する。
半導体光源を用いた照明装置は、消費電力が低く、長寿命である。このため、蛍光灯や白熱電球に変わる照明装置として市場への導入が急速に拡大している。例えば、半導体光源である青色発光ダイオード（Light Emitting Diode：ＬＥＤ）を樹脂封止した形態の照明装置は、小型で扱い易く、樹脂に含有させる蛍光体を選択することにより所望の光色を得ることができる。
具体的な形態としては、複数のＬＥＤチップを基板上に集合実装するチップオンボ−ド（Chip on Board：ＣＯＢ）方式の照明装置が主流になりつつある。ＣＯＢ方式の照明装置の製造過程では、例えば、基板上にＬＥＤを囲むバンクを設け、その中に封止樹脂を流し込む方法や、個々のＬＥＤチップの上に封止樹脂をポッティングする方法が用いられる。しかしながら、バンクを用いる方法では、発光しないバンクが配光特性を制限し、光取り出し効率を低下させることがある。一方、封止樹脂をポッティングする方法では、発光色のバラツキを抑制することが難しい。そこで、所望の光特性を低コストで安定して得ることができる照明装置が必要とされている。
特開２００７−３１７６９０号公報
実施形態は、所望の光特性を低コストで安定して得ることができる照明装置を提供する。
実施形態に係る照明装置は、基板上に実装された複数の半導体光源と、封止部と、を具備する。前記封止部は、前記半導体光源のそれぞれの上に設けられ、前記半導体光源から放射される一次光により励起される蛍光体を含有する波長変換部と、隣り合う任意の波長変換部の間に前記蛍光体を設けるか、又は、前記複数の半導体光源の上に設けられた前記波長変換部のうちの任意の波長変換部の形状又は特性を他の波長変換部とは異なるように設けることにより波長変換部から出射する光色を調整する光色調整部と、を含む。
実施形態に係る照明装置は、所望の光特性を低コストで安定して得ることが期待される。
第１実施形態に係る照明装置を表す模式断面図である。 第１実施形態に係る照明装置の発光部を模式的に表す平面図である。 第１実施形態の変形例に係る発光部を模式的に表す平面図である。 第１実施形態の変形例に係る発光部を模式的に表す平面図である。 第１実施形態に係る照明装置の製造過程を示すフローチャートである。 第２実施形態に係る照明装置の発光部を表す模式断面図である。 第２実施形態に係る照明装置の発光部を模式的に表す平面図である。 第２実施形態の変形例に係る発光部を模式的に表す平面図である。
以下、本発明の実施の形態について図面を参照しながら説明する。なお、図面中の同一部分には同一番号を付してその詳しい説明は適宜省略し、異なる部分について説明する。
（第１実施形態）
図１（ａ）は、第１実施形態に係る照明装置１００を表す模式断面図である。同図に示すように、照明装置１００は、例えば、電球形ランプであり、発光部１１０と、筐体３と、発光部１１０を覆うカバー５と、を備える。
筐体３の内部には、発光部１１０に電力を供給する電力変換部７が設けられ、発光部１１０および口金９にリード線１５を介して電気的に接続される。また、電力変換部７は、筐体３の内部に設けられた絶縁ケース１３に収容される。
電力変換部７は、図示しない商用電源から口金９を介して交流電力の供給を受け、例えば、直流電力に変換して発光部１１０に供給する。
図１（ｂ）に示すように、発光部１１０は、基板２０の上に実装された複数の半導体光源３０と、半導体光源３０を封止する封止部４０と、を含む。封止部４０は、半導体光源３０から放射される一次光により励起される蛍光体を含み、複数の半導体光源３０のそれぞれの上に設けられた波長変換部部４５を有する。封止部４０としては、例えば、有機物や無機物のマトリクス中に蛍光体を分散させたものを用いることができる。有機物のマトリクスとしては、例えば、樹脂を挙げることができる。
ここで、波長変換部とは、半導体光源３０を封じた封止部４０（例えば、樹脂）の厚い部分であり、蛍光体により一次光の波長変換を行う部分である。ただし、蛍光体による一次光の波長変換は、波長変換部だけで行われる訳ではない。また、波長変換部を含む封止部は、本実施形態に示すように連続体として設けても良いし、後述するように、半導体光源３０を封じた封止部が離間して設けられ、それぞれが波長変換部であっても良い。
基板２０は、絶縁性の基材２１と、基材２１の上面に選択的に設けられた放熱層２３および導電層２５、２７と、絶縁性の反射層３５と、を有する。放熱層２３および２５、２７は、例えば、銅箔であり、その表面に銀メッキ層２９が形成される。銀メッキ層２９は、半導体光源３０からの一次光、および、封止部４０に含まれる蛍光体が発する蛍光を上方に反射する。反射層３５は、放熱層２３および導電層２５、２７の周りに設けられる。また、反射層３５は、例えば、白色レジストであり、半導体光源３０からの一次光、および、蛍光体が発する蛍光を上方に反射する。
半導体光源３０は、例えば、サファイア基板の上に形成されたＧａＮ系窒化物半導体を材料とする青色ＬＥＤチップであり、放熱層２３の上にマウントされる。半導体光源３０は、その上面に図示しないｐ電極およびｎ電極を有し、金属ワイヤ３９により電気的に接続される。
導電層２５および２７は、それぞれ正電極および負電極であり、金属ワイヤ３９を介して半導体光源３０に電気的に接続される。例えば、導電層２５および２７は、基材２１に設けられたスルーホール３３を介して、裏面電極３１および３２に接続される。そして、電極３１および３２は、リード線１５を介して電力変換部７に接続される。
半導体光源３０は、導電層２５および２７を介して、電力変換部７から直流電力の供給を受け、それぞれ青色光を放射する。封止部４０に含まれる蛍光体は、例えば、ＹＡＧ蛍光体（イットリウム・アルミニウム・ガーネット系蛍光体）であり、半導体光源３０が放射する青色光により励起され、黄色の蛍光を発する。
封止部４０は、例えば、シリコーンを主成分とする樹脂に蛍光体を混ぜたものであり、複数の半導体光源３０のそれぞれの上にポッティングされる。そして、封止部４０は、チクソ性を有し、硬化後のショア硬さがＤ４０以上であることが好ましい。これにより、封止部４０を一定の形状に設けることが可能となる。また、外力による変形を抑制し、金属ワイヤ３９の断線を防ぐことができる。
例えば、ポッティングされた封止部４０は、基板２０の上面に垂直な断面が三角形と半円との間のドーム型となる。本実施形態では、半導体光源３０は高密度に実装され、その配置間隔（配列ピッチ）Ｗ１が狭い。このため、半導体光源３０の上にポッティングされた樹脂が相互につながり、封止部４０は、半導体光源３０の位置に対応した波長変換部４５を有する連続した形状に設けられる。
例えば、波長変換部４５における基板２０の上面からの高さＨ１を、半導体光源３０の配列ピッチＷ１で除した比（すなわち、アスペクト比）が、０．２以上、１．０以下であることが望ましい。これにより、配光角を広げ、側面対正面の色差を低減することができる。
さらに、封止部４０は、放熱層２３および導電層２５、２７のそれぞれの周りに設けられた反射層３５に接する。例えば、封止部４０の銀メッキ層２９に対する接着力は、セラミックや樹脂などにより形成される反射層３５に比べて弱く剥がれ易い。このため、封止部４０の外周部において反射層３５に接着させることにより接着強度を高くすることが可能となり、基板２０からの剥離を抑制できる。
また、封止部４０には、ガス透過性が低い樹脂を用いることが好ましい。例えば、銀メッキ層２９は、外気中の硫黄や水分などと反応し黒化する場合がある。これにより、半導体光源からの一次光および蛍光に対する反射率が低下し、光出力（光束維持率）の低下を招く。したがって、銀メッキ層２９を覆う封止部４０が外気を遮断し、その黒化を抑制することが望ましい。
図２（ａ）〜図２（ｃ）は、第１実施形態に係る発光部１１０を模式的に表す平面図である。基板２０の上に設けられた封止部４０は、波長変換部４５と、光色調整部５５と、を含む。光色調整部５５は、半導体光源３０からの一次光および蛍光体が発する蛍光を合成した出射光の色を調整する。光色調整部５５は、例えば、波長変換部４５と同じ樹脂を主成分とする。
図２（ａ）は、波長変換部４５および光色調整部５５の基準となる配置を表す平面図である。同図に示すように、封止部４０は、放熱層２３、導電層２５および２７を覆い、その外縁が反射層３５に接する。波長変換部４５は、放熱層２３の上にマウントされた半導体光源３０の位置に対応し、例えば、マトリックス状に形成される。光色調整部５５は、波長変換部４５の配列の規則性から外れた位置に設ける。また、図２（ａ）に示すように、光色調整部５５は、封止部４０の中央部に設ける。
光色調整部５５は、隣り合う半導体光源３０の間に、蛍光体を含む樹脂をポッティングすることにより形成することができる。そして、光色調整部５５は、半導体光源３０が放射する青色光よりも長波長の蛍光を発する蛍光体を含む。また、図２（ａ）示す基準配置では、封止部４０の中央に４つの光色調整部５５が設けられるが、この例に限らず、任意の数および任意の配置の光色調整部５５を設けることができる。
図２（ｂ）および図２（ｃ）は、色調整を行った後の光色調整部５５の配置例を示す。例えば、基準配置における出射光の色温度が所定の値よりも低い場合、図２（ｂ）に示すように、封止部４０の中央に配置される光色調整部５５の数を減らすことにより、蛍光体の量を減らし色温度を上げる。例えば、図２（ｂ）に示すように、光色調整部５５を２つにする場合、好ましくは、半導体光源３０の平面配置における対角線上に設ける。
一方、基準配置における出射光の色温度が所定の値よりも高い場合、図２（ｃ）に示すように、封止部４０の中央に配置される光色調整部５５に加えて周辺部にも光色調整部５５を設ける。これにより、蛍光体の量を増やし色温度を下げることができる。この場合も、光色調整部５５は、半導体光源３０の平面配置における対角線上に設けることが好ましい。
光色調整部５５を封止部４０の中央に配置し、また、半導体光源３０の平面配置における対角線上に設けることにより、発光部１１０からの放射光が均一となり側面対正面の色差を小さくすることができる。
図３（ａ）〜図３（ｃ）は、第１実施形態の変形例に係る発光部１２０を模式的に表す平面図である。
図３（ａ）は、波長変換部４５の基準となる配置を表す平面図である。封止部４０は、放熱層２３、導電層２５および２７を覆い、その外縁が反射層３５に接する。波長変換部４５は、例えば、マトリックス状に形成される。また、図３（ａ）に示す基準配置は、光色調整部５５を含まない。
例えば、基準配置における出射光の色温度が所定の値よりも低い場合、図３（ｂ）に示すように、封止部４０の周辺に配置された波長変換部５７の樹脂量を減らすことにより、蛍光体の量を減らし色温度を上げる。
図３（ｂ）に示すように、波長変換部５７は、好ましくは、半導体光源３０の平面配置における対角線上に設ける。また、蛍光体の含有量が少ない波長変換部５７は、半導体光源の平面配置における周辺部に設けることが好ましい。これにより、発光部１２０からの放射光の均一性を維持し、側面対正面の色差を抑制することができる。
一方、基準配置における出射光の色温度が所定の値よりも高い場合、図３（ｃ）に示すように、封止部４０の中央に光色調整部５５を設けることにより、蛍光体の量を増やし色温度を下げる。この場合も、光色調整部５５は、半導体光源３０の平面配置における対角線上に設けることが好ましい。
上記のように、波長変換部５７に含まれる蛍光体の量を減らすことにより、発光部１２０の出射光の光色を調整することができる。したがって、波長変換部５７も光色調整部の１つである。波長変換部５７は、蛍光体の含有量を減らした樹脂をポッティングすることにより形成しても良い。また、波長変換部５７に含まれる蛍光体の組成が、波長変換部部４５に含まれる蛍光体と異なっても良い。
さらに、図４に示すように、光色調整部として波長変換部５９を設けても良い。波長変換部５９に含まれる蛍光体の量または組成は、波長変換部４５に含まれる蛍光体の量または組成と異なる。例えば、図３（ａ）に示す基準配置において、色温度が所定の値よりも低い場合、蛍光体の含有量が少ない波長変換部５９を、波長変換部４５に代えてポッティングする。また、波長変換部４５よりも短波長の蛍光を発する蛍光体を含む波長変換部５９を設けても良い。
一方、図３（ａ）に示す基準配置において、色温度が所定の値よりも高い場合には、蛍光体の含有量の多い波長変換部５９を設けても良いし、波長変換部部４５よりも長波長の蛍光を発する蛍光体を含む波長変換部５９を設ける。
このように、封止部４０において、光色調整部を含む部分は、凹凸の規則性、凹凸の形状、蛍光体の量、および、蛍光体の組成の少なくともいずれか１つにおいて、光色調整部を囲む部分とは異なる。すなわち、蛍光体を含む光色調整部５５を任意の波長変換部４５の間に設けても良いし、任意の波長変換部４５の形状または特性を他の波長変換部とは異なるように設けることもできる。これにより、発光部１１０および１２０の光色を調整し、そのバラツキを抑制することができる。
次に、図５を参照して、照明装置１００の製造方法を説明する。図５は、照明装置１００の製造過程を示すフローチャートである。
まず、基板２０の上に半導体光源３０を実装する（Ｓ０１）。具体的には、複数のＬＥＤチップを、例えば、銀ペーストにより放熱層２３の表面に固着する。そして、導電層２５と２７との間において、金属ワイヤ３９を介して４〜５個のＬＥＤチップを直列接続する。
次に、半導体光源３０か実装された先行ロットを封止する（Ｓ０２）。具体的には、図２（ａ）または図３（ａ）に示す基準配置にしたがった波長変換部４５および光色調整部５５を形成する。続いて、先行ロットの光特性（例えば、色温度）を検査する（Ｓ０３）。
次に、光特性検査の結果に基づいて、色調整の要否を判定する（Ｓ０４）。例えば、色温度が許容範囲を逸脱し、色調整が必要と判定された場合には、光色調整部の配置を決定する（Ｓ０５）。色温度が低い場合には、光色調整部５５を削り取り、色温度が高い場合には、光色調整部５５を付加して色温度の調整を行う。これにより、光色調整部の好適な配置を決定し、後続のロットの樹脂封止を行う（Ｓ０６）。
先行ロットの光特性検査において、色調整が不要と判定された場合には、基準配置にしたがって、後続ロットの樹脂封止を行う。続いて、樹脂封止を完了した発光部を筐体に組み込み、照明装置１００を完成する（Ｓ０７）。
上記の製造過程により、光色のバラツキおよび側面対正面色差を抑えた照明装置を製造することができる。また、先行して封止を行ったロットが所望の光色でない場合、光色調整部の樹脂を増減することにより光色調整を行うことができる。これにより、蛍光体および樹脂の無駄を無くし、製造コストを低減することが可能である。
（第２実施形態）
図６は、第２実施形態に係る照明装置の発光部１３０を表す模式断面図である。発光部１３０は、基板６０の上に実装された複数の半導体光源３０と、半導体光源３０を封止する封止部７０と、を含む。封止部７０は、個々の半導体光源３０の上にポッティングされ、半導体光源３０からの一次光により励起される蛍光体を含む。本実施形態では、隣り合う封止部７０は、相互に離間して設けられる。また、本実施形態における波長変換部は、封止部７０の全体である。
基板６０は、金属ベース６３と、金属ベース６３の上面を覆う絶縁層６５と、絶縁層６５の上に選択的に設けられた導電層６７、６９と、絶縁性の反射層８３、８５と、を有する。導電層６７および６９は、例えば、銅箔であり、その表面に銀メッキ層７１が形成される。銀メッキ層７１は、半導体光源３０からの一次光、および、封止部７０に含まれる蛍光体が発する蛍光を上方に反射する。反射層８３および８５は、導電層６７および６９の周りに設けられ、半導体光源３０からの一次光、および、蛍光体が発する蛍光を上方に反射する。
反射層８３（第１の層）は、例えば、白色レジストであり、半導体光源３０からの一次光、および、蛍光体が発する蛍光に対する反射率が高い。反射層８５（第２の層）は、例えば、シリカを含む白色セラミックであり、封止部７０に対する密着性が反射層８３よりも高い。これにより、封止部７０の基板６０に対する密着強度を向上させ剥離を抑制する。
半導体光源３０は、導電層６９の上にマウントされ、その上面のｐ電極およびｎ電極が、金属ワイヤ７５を介して導電層６７および６９に電気的に接続される。また、隣り合う導電層６９の上にマウントされた半導体光源３０は、図示しない配線により電気的に接続される。
封止部７０は、例えば、シリコーンを主成分とする樹脂であり、ＹＡＧ蛍光体（イットリウム・アルミニウム・ガーネット系蛍光体）を含む。また、封止部７０は、チクソ性を有し、硬化後のショア硬さがＤ４０以上であることが好ましい。これにより、封止部７０を一定の形状に設けることが可能となる。また、外力による変形を抑制し、金属ワイヤ７５の断線を防ぐことができる。
図６に示すように、封止部７０は、基板６０の上面に垂直な断面が三角形と半円との間のドーム型となる。例えば、封止部７０の基板２０の上面からの高さＨ２を、その底面の直径Ｗ２で除したアスペクト比が、０．２以上、１．０以下であることが望ましい。これにより、配光角を広げ、側面対正面色差を低減することができる。
さらに、封止部７０は、導電層６７および６９のそれぞれの周りに設けられた反射層８５に接する。これにより、封止部７０の外周部における接着強度を高くし、剥離を防ぐことが可能となる。また、封止部４０には、ガス透過性が低い樹脂を用いる。これにより、銀メッキ層７１の黒化を抑制する。
図７（ａ）〜図７（ｃ）は、第２実施形態に係る発光部１３０を模式的に表す平面図である。基板６０の上には、封止部７０と、光色調整部８０と、が設けられる。光色調整部８０は、半導体光源３０からの一次光および封止部７０に含まれる蛍光体が発する蛍光を合成した出射光の色を調整する。光色調整部８０は、例えば、封止部７０と同じ樹脂を含む。
図７（ａ）は、封止部７０および光色調整部８０の基準となる配置を表す平面図である。同図に示すように、封止部７０は、導電層６９の上にマウントされた半導体光源３０の位置に対応し、例えば、マトリックス状に形成される。光色調整部８０は、半導体光源３０が放射する青色光よりも長波長の蛍光を発する蛍光体を含む。そして、光色調整部８０は、例えば、封止部７０の配列の規則性から外れた位置に設ける。また、光色調整部８０は、半導体光源３０の平面配置の中央部に設ける。
図７（ａ）示す基準配置では、封止部７０の配列の中央に４つの光色調整部８０が設けられるが、この例に限らず、任意の数および任意の配置の光色調整部８０を設けることができる。
図７（ｂ）および図７（ｃ）は、色調整を行った後の光色調整部８０の配置例を示す。例えば、基準配置における出射光の色温度が所定の値よりも低い場合、図７（ｂ）に示すように、光色調整部８０の数を減らすことにより、蛍光体の量を減らし色温度を上げる。図７（ｂ）に示すように、光色調整部８０を２つにする場合、好ましくは、半導体光源３０の平面配置における対角線上に設ける。
一方、基準配置における出射光の色温度が所定の値よりも高い場合、図７（ｃ）に示すように、半導体光源３０の配列の中央に配置される光色調整部８０に加えて、周辺部にも光色調整部８０を設ける。これにより、蛍光体の量を増やし色温度を下げることができる。この場合も、光色調整部８０は、半導体光源３０の平面配置における対角線上に設けることが好ましい。これにより、発光部１３０からの放射光が均一となり側面対正面の色差を抑制することができる。
図８（ａ）〜図８（ｃ）は、第２実施形態の変形例に係る発光部１４０を模式的に表す平面図である。図８（ａ）は、封止部７０の基準となる配置を表す平面図である。図８（ｂ）および図８（ｃ）は、色調整を行った後の光色調整部８０の配置例を示す。
図８（ａ）に示す基準配置では、封止部７０はマトリックス状に形成され、光色調整部８０を含まない。
例えば、基準配置における出射光の色温度が所定の値よりも低い場合、図８（ｂ）に示すように、樹脂量を減らした封止部９０により外周に配置された半導体光源３０を封止する。これにより、蛍光体の量を減らし色温度を上げることができる。
図８（ｂ）に示すように、封止部９０は、好ましくは、半導体光源３０の平面配置における対角線上に設ける。また、封止部９０は、半導体光源３０の平面配置における周辺部に設けることが好ましい。これにより、発光部１２０からの放射光の均一性を維持し、側面対正面の色差を抑制することができる。
一方、基準配置における出射光の色温度が所定の値よりも高い場合、図８（ｃ）に示すように、半導体光源３０の配列の中央に光色調整部８０を設ける。これにより、蛍光体の量を増やし色温度を下げることができる。この場合も、光色調整部８０は、半導体光源３０の平面配置における対角線上に設けることが好ましい。
上記のように、樹脂量を減らした封止部９０を設けることにより、発光部１３０の出射光の光色を調整することができる。したがって、封止部９０も光色調整部の１つである。また、封止部９０における蛍光体の含有量を減らしても良いし、蛍光体の組成を変えても良い。このように、第２実施形態における光色調整部は、封止部７０（波長変換部）の配列の規則性、形状、蛍光体の量、および、蛍光体の組成の少なくともいずれか１つにおいて、不規則な部分を設けることにより構成される。
以上、第１実施形態および第２実施形態では、照明装置として電球形ランプを例に説明したが、これに限らず、スポットライトやベースライトなどであっても良い。また、第１実施形態および第２の実施形態に説明した各要素は、相互に組み合わせることにより別の形態として実施することも可能である。
本発明のいくつかの実施形態を説明したが、これらの実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これら新規な実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これら実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれるとともに、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれる。
３・・・筐体、 ５・・・カバー、 ７・・・電力変換部、 ９・・・口金、 １３・・・絶縁ケース、 １５・・・リード線、 ２０、６０・・・基板、 ２１・・・基材、 ２３・・・放熱層、 ２５、６７、６９・・・導電層、 ２９、７１・・・銀メッキ層、 ３０・・・半導体光源、 ３１、３２・・・裏面電極、 ３３・・・スルーホール、 ３５、８３、８５・・・反射層、 ３９、７５・・・金属ワイヤ、 ４０、７０、９０・・・封止部、 ４５、５７、５９・・・波長変換部、 ５５、８０・・・光色調整部、 ６３・・・金属ベース、 ６５・・・絶縁層、 １００・・・照明装置、 １１０、１２０、１３０、１４０・・・発光部

Claims (7)

  1. 基板上に実装された複数の半導体光源と；
    前記半導体光源のそれぞれの上に設けられ、前記半導体光源から放射される一次光により励起される蛍光体を含有する波長変換部と、隣り合う任意の波長変換部の間に前記蛍光体を設けるか、又は、前記複数の半導体光源の上に設けられた前記波長変換部のうちの任意の波長変換部の形状又は特性を他の波長変換部とは異なるように設けることにより波長変換部から出射する光色を調整する光色調整部と、を含む封止部と；
    を具備することを特徴とする照明装置。
  2. 前記波長変換部の高さを前記半導体光源の配列ピッチで除した比は、０．２以上、１．０以下であることを特徴とする請求項１記載の照明装置。
  3. 前記光色調整部は、前記波長変換部の配列、形状、蛍光体の量、および、蛍光体の組成の少なくともいずれか１つにおいて、不規則な部分を設けることによって構成されることを特徴とする請求項１または２記載の照明装置。
  4. 前記封止部における前記波長変換部の前記基板に対して垂直な断面は、ドーム形状であることを特徴とする請求項１〜３のいずれか１つに記載の照明装置。
  5. 前記光色調整部は、前記半導体光源の平面配置における対角線上に設けられたことを特徴とする請求項１〜４のいずれか１つに記載の照明装置。
  6. 前記光色調整部は、前記半導体光源の平面配置における中央部に設けられたことを特徴とする請求項１〜５のいずれか１つに記載の照明装置。
  7. 前記光色調整部は、前記蛍光体の含有量が少ない波長変換部で形成されており、この光色調整部が前記半導体光源の平面配置における周辺部に設けられたことを特徴とする請求項１〜６のいずれか１つに記載の照明装置。
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