JP2013190362A - Aeセンサの製造方法およびこれによって製造されたaeセンサ - Google Patents
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Abstract
【課題】目的とするカンチレバーあるいは両端固定梁形状(断面形状)を精度よく作製し得るAEセンサの製造方法を提供する。
【解決手段】このAEセンサ10の製造方法は、SOI(Silicon on Insulator)基板4を使って複数のカンチレバー1をシリコン基板4上にアレイにて作製するので、デバイス層のシリコン厚さがそのまま一様なカンチレバー1の厚さになり、また、ドライエッチング技術の転写精度を使っているので、相対的に精度良くカンチレバーあるいは両端固定梁形状(断面形状)を作製することができる。
【選択図】図1
【解決手段】このAEセンサ10の製造方法は、SOI(Silicon on Insulator)基板4を使って複数のカンチレバー1をシリコン基板4上にアレイにて作製するので、デバイス層のシリコン厚さがそのまま一様なカンチレバー1の厚さになり、また、ドライエッチング技術の転写精度を使っているので、相対的に精度良くカンチレバーあるいは両端固定梁形状(断面形状)を作製することができる。
【選択図】図1
Description
本発明は、AEセンサの製造方法およびこれによって製造されたAEセンサに係り、特に、MEMS(Microelectromechanical systems)技術を用いて、材料内部で発生するアコースティック・エミッション(音響放射、以下、単に「AE」ともいう)を非破壊で周波数特性の分解・検出を可能とする構造を有したAEセンサの製造方法およびこれにより製造されたAEセンサに関する。
アコースティック・エミッション(AE)とは、材料が外力によって変形あるいは破壊に至る際に発生する音であり、モノづくりの現場で使われるCNC工作機械における軸受の初期破損や余寿命の推定や、各種金属材料の塑性変形中の材料モニタリングをInSitu(イン・サイチュ)かつ非破壊で実現することを可能とするものである。
AEの検出は、材料中を伝搬してきたAEを材料表面に張り付けたAEセンサを用いることで行う。しかし、従来のAEセンサは、PZTのような圧電材料を用いたものが主であり、計測したデータに対して周波数解析を行なう必要があることから、信号処理装置を含め大がかりな装置構成を必要とする。そのため、InSituモニタリングには不向きである。
AEの検出は、材料中を伝搬してきたAEを材料表面に張り付けたAEセンサを用いることで行う。しかし、従来のAEセンサは、PZTのような圧電材料を用いたものが主であり、計測したデータに対して周波数解析を行なう必要があることから、信号処理装置を含め大がかりな装置構成を必要とする。そのため、InSituモニタリングには不向きである。
これに対し、例えば特許文献1には、互いに異なる共振周波数を有する複数のカンチレバーがシリコン基板上にアレイにて配置されるとともに、各カンチレバーの根元部にピエゾ抵抗素子がそれぞれ形成され、振動の周波数に応じて共振するカンチレバーの変位からアコースティック・エミッションを検出するAEセンサが開示されている。なお、同文献には、半導体製造技術を使ったAEセンサの製造方法も開示されるところ、カンチレバーの作製に、不純物(ボロン)拡散という手法をとっている。
同文献に記載のAEセンサによれば、振動の周波数に応じて共振するカンチレバーの変位からセンサ自体によってAEをデジタル的に検出可能なので、信号処理装置を含めた装置構成を簡素なものとすることができる。よって、この種のデジタル式AEセンサであれば、InSituモニタリングに好適である。
しかしながら、同文献に記載のボロン拡散を使ったデジタル式AEセンサの製造方法は、高濃度の不純物を熱拡散することで、エッチングの際のエッチレート(材料の除去率)が異なる特性を生かしてカンチレバーを作製している。つまり、熱拡散を用いた方法では、シリコン基板中を不純物が等方的に拡散する。そのため、その拡散を厳密にコントロールすることが困難であり、カンチレバー形状を所望に制御するのが難しい。このため、共振型AEセンサの設計で重要となる、目的とするカンチレバー形状(断面形状)を精度良く作製するには未だ検討の余地がある。さらに、カンチレバー形状は、横方向の振動に対して捩れが発生する懸念も存在している。
そこで、本発明は、上述のような点に鑑みてなされたものであり、デジタル式AEセンサを製造するに際し、目的とするカンチレバーあるいは両端固定梁形状(断面形状)を精度良く作製し得るAEセンサの製造方法を提供するとともに、これによって製造されたAEセンサを提供することを課題とする。
上記課題を解決するために、本発明の一態様に係るAEセンサの製造方法は、互いに異なる共振周波数を有する複数の梁をシリコン基板上にアレイにて配置するとともに、各梁の根元部にピエゾ抵抗素子をそれぞれ形成することで振動の周波数に応じて共振する梁の変位からアコースティック・エミッションを検出するAEセンサを製造する方法であって、SOI基板を用いてそのデバイス層側の面にピエゾ抵抗素子となる領域を形成するピエゾ抵抗素子形成工程と、前記梁となる部分を前記ピエゾ抵抗素子となる領域を含みデバイス層側からエッチングにより形成する梁構造形成工程と、前記SOI基板をハンドル層側からBOX層までエッチングして前記梁となる部分を自立させる梁構造自立工程とを含むことを特徴とする。
ここで、本発明の一態様に係るAEセンサの製造方法において、前記梁構造形成工程は、DRIEを施すことによってデバイス層にカンチレバーとなる部分を形成し、前記カンチレバー構造自立工程は、ハンドル層側からカンチレバーを自立させて支持部の形成を行うためのパターニングを、フォトリソグラフィおよびRIEによって行い、その後、DRIEによってハンドル層のエッチングを行い、最後にBHFを用いてBOX層のSiO2層を選択的にエッチングすることによってカンチレバーとなる部分を自立させることは好ましい。
また、上記課題を解決するために、本発明の一態様に係るAEセンサは、互いに異なる共振周波数を有する複数の梁がシリコン基板上にアレイにて配置されるとともに、各梁の根元部にピエゾ抵抗素子がそれぞれ形成されており、振動の周波数に応じて共振する梁の変位からアコースティック・エミッションを検出するAEセンサであって、前記AEセンサが、本発明の一態様に係るAEセンサの製造方法によって製造されたものであることを特徴とする。
ここで、本発明の一態様に係るAEセンサにおいて、前記複数のカンチレバーは、応答周波数が100kHz〜1MHzの範囲内のものであることが好ましい。
ここで、本発明の一態様に係るAEセンサにおいて、前記複数のカンチレバーは、応答周波数が100kHz〜1MHzの範囲内のものであることが好ましい。
本発明によれば、SOI(Silicon on Insulator)基板を使って複数の梁をデバイス層に作製するので、デバイス層のシリコン厚さをそのままカンチレバー厚さとすることができ、一様な厚さを有した梁形状を作製し得る。また、ドライエッチングあるいは結晶異方性ウェットエッチング技術の転写精度を使ってカンチレバーを作製しているので、相対的に精度良く梁形状(断面形状)を作製することができる。
なお、後述の式(1)は、カンチレバーの共振周波数を算出する関係式であるが、式(1)でパラメータとなるのは「I」:断面二次モーメント,「A」:断面積であり、精度よく梁形状を作製することで、このような関係式を用いてのデバイス設計が行えることを意味する。また、両端固定梁についても同様である。
本発明の製造方法であれば、周波数帯に依存せず、一つの作製プロセスにてカンチレバーあるいは両端固定梁を有したワイドバンドなAEセンサを形成可能である。そして、これにより製造されたAEセンサは、梁形状の精度が良いので、高精度な検出を行なうことができる。
本発明の製造方法であれば、周波数帯に依存せず、一つの作製プロセスにてカンチレバーあるいは両端固定梁を有したワイドバンドなAEセンサを形成可能である。そして、これにより製造されたAEセンサは、梁形状の精度が良いので、高精度な検出を行なうことができる。
以下、本発明の一実施形態について、図面を適宜参照しつつ説明する。
[デジタル式AEセンサ]
本実施形態のAEセンサは、異なる共振周波数(長さにより制御)を有した複数の梁をシリコン基板上にアレイにて配置し、各梁の根元部にピエゾ抵抗素子を形成する。これにより、振動の周波数に応じて共振する梁の変位を検知するものである。
[デジタル式AEセンサ]
本実施形態のAEセンサは、異なる共振周波数(長さにより制御)を有した複数の梁をシリコン基板上にアレイにて配置し、各梁の根元部にピエゾ抵抗素子を形成する。これにより、振動の周波数に応じて共振する梁の変位を検知するものである。
図1に作製するAEセンサ(複数のSi製カンチレバーを有する)の概略斜視図を示す。同図に示すAEセンサ10は、互いに異なる共振周波数を有する複数のカンチレバー1と、各カンチレバー1の基端部にそれぞれ形成されたピエゾ抵抗素子2と、各ピエゾ抵抗素子2の端部に配線されたメタル配線3とを有する。これらは、SOI基板4にアレイにて配置される。カンチレバー1基端部のピエゾ抵抗素子2は、略U字状をなすことで2つの脚を有する構造になっており、ピエゾ抵抗値の測定電流は一方の脚部のメタル配線3から他方の脚部のメタル配線3へと流れる。抵抗値の変化は、例えば不図示のホイーストン・ブリッジ回路の出力から電気信号として得られる。これにより、各カンチレバー1のたわみ量は、当該カンチレバー1の基端部のピエゾ抵抗素子2の抵抗値の変化から直接測定することができる。
ここで、このAEセンサ10では、目標とする周波数分解能を、応答周波数を100kHz〜500MHzとし、50kHzステップで周波数分解可能とする設計を、FEM(有限要素法)解析および理論式を用いて行った。FEM解析には、ANSYS Workbenchを用い、Siの物性値はE=190GPa,ρ=2331kg/m3とした。なお、本発明に係るAEセンサは、複数のカンチレバーによる応答周波数が100kHz〜1MHzの範囲内のものであることが好ましい。
図2にFEM解析結果の一例を示す。これは、長さ204μm(共振周波数の理論値:700kHz)のSi製カンチレバー1Aに対して、モーダル解析を行なったものである。ここで、各カンチレバー1の厚さは20μm,幅は30μmとした。シミュレーションの結果、カンチレバー1Aの共振周波数は700kHzであり理論値と一致した。一方、隣り合う長さ197μm(共振周波数の理論値:750kHz)のカンチレバー1Bと212μm(共振周波数の理論値:650kHz)のカンチレバー1Cは共振していない。このことから、本実施形態の構造により、共振周波数を50kHz刻みで周波数分解可能であることがわかった。
カンチレバーの共振周波数の理論式を下記(1)式に示す。
ここで、lはカンチレバー1の長さ,Eはヤング率,Iは断面2次モーメント,ρは密度,Aは断面積である。
この理論式をもとに、所望する共振周波数におけるカンチレバー1の長さを決定するため理論計算を行った。
この理論式をもとに、所望する共振周波数におけるカンチレバー1の長さを決定するため理論計算を行った。
図3に共振周波数とカンチレバーの長さの関係を示す。同図中の●印はFEM解析の結果であり、理論式をもとに描いた理論曲線(実線)Tにほぼ一致している。これらの結果より、目標とする周波数分解を可能とするために必要となるSi製カンチレバー1の長さを算出し、デジタル式AEセンサの基本構造となるSi製カンチレバーアレイの作製を行った。
[デバイス作製]
図4(a)〜(f)に本実施形態のAEセンサ10におけるSi製カンチレバーアレイの作製プロセスを示す。
まず、SOI(Silicon−on−insulator)基板(デバイス層(SOI層)5:20μm/BOX層6:2μm/ハンドル層7:250μm)を用いて、このSOI基板4を熱酸化することにより、基板表面にSiO2膜(膜厚:1μm)を形成する。次いで、フォトリソグラフィおよび反応性イオンエッチング(RIE)により、オーミックコンタクト用拡散層を形成する際のマスクとなる基板表面のSiO2膜のパターニングをデバイス層側の面に行う(図4(a)参照)。
図4(a)〜(f)に本実施形態のAEセンサ10におけるSi製カンチレバーアレイの作製プロセスを示す。
まず、SOI(Silicon−on−insulator)基板(デバイス層(SOI層)5:20μm/BOX層6:2μm/ハンドル層7:250μm)を用いて、このSOI基板4を熱酸化することにより、基板表面にSiO2膜(膜厚:1μm)を形成する。次いで、フォトリソグラフィおよび反応性イオンエッチング(RIE)により、オーミックコンタクト用拡散層を形成する際のマスクとなる基板表面のSiO2膜のパターニングをデバイス層側の面に行う(図4(a)参照)。
次いで、レジストパターンを除去した後、SiO2膜をマスクに用いてp型不純物をSOI基板のうちのSOI層の表層部分に向けてイオン注入して、オーミックコンタクト用拡散層となるp+領域を形成する(図4(b)参照)。
次に、レジストパターンをSOI基板の上面に形成し、ピエゾ抵抗素子となる領域を開口する。次に、このレジストパターンをマスクにしてSOI基板のうちのSOI層(n領域)の表層部分に向けて、ピエゾ抵抗素子となるp型不純物拡散層(例えばボロン)をイオン注入する。ここで、p型不純物の注入量は、p+領域を形成したときのp型不純物の注入量よりも少なくする。これにより、p+拡散層よりも低濃度のp領域をp+拡散層と接続するようにn領域に形成することができる。その後、イオン注入の際に使用したレジストパターンを除去することでピエゾ抵抗素子を形成することができる(図4(c)参照)。
次に、レジストパターンをSOI基板の上面に形成し、ピエゾ抵抗素子となる領域を開口する。次に、このレジストパターンをマスクにしてSOI基板のうちのSOI層(n領域)の表層部分に向けて、ピエゾ抵抗素子となるp型不純物拡散層(例えばボロン)をイオン注入する。ここで、p型不純物の注入量は、p+領域を形成したときのp型不純物の注入量よりも少なくする。これにより、p+拡散層よりも低濃度のp領域をp+拡散層と接続するようにn領域に形成することができる。その後、イオン注入の際に使用したレジストパターンを除去することでピエゾ抵抗素子を形成することができる(図4(c)参照)。
次に、SOI基板の上にピエゾ抵抗素子を形成後、使用したレジストパターンおよび基板表面のSiO2膜を除去し、再び酸化膜(SiO2)をSOI基板の上面全体に形成する。この酸化膜は例えばCVD法で形成する。なお、イオン注入後には、基板の結晶欠陥を回復するためのアニール処理を行う。次に、レジストパターンをSOI基板の上面に形成、このCVD法で形成した酸化膜をパターニングして、Al配線を施す領域を開口する。次に、レジストを除去し、Alをスパッタリング等で堆積させた後、フォトリソグラフィおよびエッチングでAl配線を形成する(図4(d)参照)。なお、リフトオフ法であれば、開口後のレジストを残す方法もあり、いずれでも実施可能である。
次いで、フォトリソグラフィおよび反応性イオンエッチング(RIE)により、カンチレバーを形成する際のマスクとなる基板表面のSiO2膜のパターニングをデバイス層側の面に行う。これに、Siに深堀りエッチング(DRIE:Deepreactive-ion etching)を施すことによってデバイス層にカンチレバー構造を形成した(図4(e)参照)。
次いで、ハンドル層側からSi製カンチレバーを自立させて支持部の形成を行うためのパターニングをフォトリソグラフィおよびRIEによって行った。本実施形態では、DRIEによってハンドル層のエッチングを行い、最後にBHFを用いてBOX層のSiO2層を選択的にエッチングすることによってSi製カンチレバー構造を、片持ち梁状態に自立させたカンチレバーとした(図4(f)参照)。なお、ハンドル層側は、DRIEでなく異方性ウェットエッチングでも実施は可能である。
図5(a)〜(c)に作製したカンチレバーアレイのカンチレバー部分の一例を示す。図5(a)は、その光学顕微鏡画像を示す図、図5(b)はSEM画像を示す図、図5(c)はカンチレバー部の拡大画像を示す図である。
この結果より、カンチレバー支持部に一部SiO2が残っており、作製したカンチレバーの長さが目標とする長さよりも4.2μm長い結果となったが、共振周波数の異なるSi製カンチレバーを、機械的構造物として等間隔にアレイ化したデバイスを作製することができたことが確認された。
この結果より、カンチレバー支持部に一部SiO2が残っており、作製したカンチレバーの長さが目標とする長さよりも4.2μm長い結果となったが、共振周波数の異なるSi製カンチレバーを、機械的構造物として等間隔にアレイ化したデバイスを作製することができたことが確認された。
[共振周波数特性の評価]
作製したカンチレバーの共振周波数の測定方法を図6に示す。
変位の測定は、同図に示すように、測定用ピエゾ素子21を用いてカンチレバー1を振動させ、そのカンチレバー1の先端の平坦部にレーザー照射装置22でレーザー光Lを照射し、反射光を遠方に設けた位置検出光センサ23で検出して変位を計測する「光てこ方式」を用いた。
作製したカンチレバー1の共振周波数は、計測したカンチレバー1の変位に対してFFT解析を行うことにより算出した。図7に共振周波数の測定結果の一例を示す。これはカンチレバーの長さが293μmの場合の結果であり、216kHz付近にカンチレバーの共振周波数のピークを確認できた。作製したデバイスの共振周波数を測定した結果、Si製カンチレバーの共振周波数が、その長さに応じて変化することを確認し、これにより、本発明のデジタル式AEセンサの実現が可能であることを確認した。
作製したカンチレバーの共振周波数の測定方法を図6に示す。
変位の測定は、同図に示すように、測定用ピエゾ素子21を用いてカンチレバー1を振動させ、そのカンチレバー1の先端の平坦部にレーザー照射装置22でレーザー光Lを照射し、反射光を遠方に設けた位置検出光センサ23で検出して変位を計測する「光てこ方式」を用いた。
作製したカンチレバー1の共振周波数は、計測したカンチレバー1の変位に対してFFT解析を行うことにより算出した。図7に共振周波数の測定結果の一例を示す。これはカンチレバーの長さが293μmの場合の結果であり、216kHz付近にカンチレバーの共振周波数のピークを確認できた。作製したデバイスの共振周波数を測定した結果、Si製カンチレバーの共振周波数が、その長さに応じて変化することを確認し、これにより、本発明のデジタル式AEセンサの実現が可能であることを確認した。
以上説明したように、本実施形態のAEセンサの製造方法によれば、MEMS技術を用いることで、デジタル式AEセンサの検出部となるSi製カンチレバー1をアレイにて作製することができる。また、カンチレバー1に入力されたAE信号は、共振によって振動するカンチレバー1の基端部に形成したピエゾ抵抗素子2によって電気的抵抗変化としてメタル配線3から検出することで、小型かつInSituモニタリングを実現する集積化AEセンサを実現可能である。
そして、本実施形態によれば、SOI基板を使って複数のカンチレバーをデバイス層に作製するので、デバイス層のシリコン厚さがそのまま一様なカンチレバー1の厚さとすることができる。また、ドライエッチング技術の転写精度を使ってカンチレバーを作製しているので、相対的に精度良くカンチレバー形状(断面形状)を作製することができる。そして、これにより製造されたAEセンサ10は、カンチレバー形状の精度が良いので、高精度な検出を行なうことができる。
なお、本発明に係るAEセンサの製造方法およびこれによって製造されたAEセンサは、上述の実施形態に限定されず、本発明の趣旨を逸脱しなければ種々の変形が可能なことは勿論である。
1 カンチレバー
2 ピエゾ抵抗素子
3 メタル配線
4 SOI基板
5 デバイス層(SOI層)
6 BOX層
7 ハンドル層
10 AEセンサ
21 測定用ピエゾ素子
22 レーザー照射装置
23 位置検出光センサ
2 ピエゾ抵抗素子
3 メタル配線
4 SOI基板
5 デバイス層(SOI層)
6 BOX層
7 ハンドル層
10 AEセンサ
21 測定用ピエゾ素子
22 レーザー照射装置
23 位置検出光センサ
Claims (4)
- 互いに異なる共振周波数を有する複数のカンチレバー(片持ち梁)あるいは両端支持梁をシリコン基板上にアレイにて配置するとともに、各梁の根元部にピエゾ抵抗素子をそれぞれ形成することで振動の周波数に応じて共振する梁の変位からアコースティック・エミッションを検出するAEセンサを製造する方法であって、
SOI基板を用いてそのデバイス層側の面にピエゾ抵抗素子となる領域を形成するピエゾ抵抗素子形成工程と、前記梁となる部分を前記ピエゾ抵抗素子となる領域を含みデバイス層側からドライエッチング(DRIE)あるいは結晶異方性を利用したウェットエッチングにより形成する梁構造形成工程と、前記SOI基板をハンドル層側からBOX層まで前記エッチングをして前記梁となる部分を自立させる梁構造自立工程とを含むことを特徴とするAEセンサの製造方法。 - 前記梁構造形成工程は、前記エッチングを施すことによってデバイス層に梁となる部分を形成し、
前記梁構造自立工程は、ハンドル層側から梁を自立させて支持部の形成を行うためのパターニングを、フォトリソグラフィおよびRIEによって行い、その後、前記エッチングによってハンドル層のエッチングを行い、最後に緩衝フッ酸(BHF)を用いてBOX層のSiO2層を選択的にエッチングすることによって梁となる部分を自立させることを特徴とする請求項1に記載のAEセンサの製造方法。 - 互いに異なる共振周波数を有する複数の梁がシリコン基板上にアレイにて配置されるとともに、各梁の根元部にピエゾ抵抗素子がそれぞれ形成されており、振動の周波数に応じて共振する梁の変位からアコースティック・エミッションを検出するAEセンサであって、
前記AEセンサが、請求項1または2に記載のAEセンサの製造方法によって製造されたものであることを特徴とするAEセンサ。 - 前記複数の梁は、応答周波数が100kHz〜1MHzの範囲内のものであることを特徴とする請求項3に記載のAEセンサ。
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