JP2013183047A - Light-emitting element material and light-emitting element - Google Patents

Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide an organic thin-film light-emitting element improved in compatibility among luminous efficiency, driving voltage, and durable life.SOLUTION: The light-emitting element has at least a hole injection layer, a hole transport layer, and a light-emitting layer sequentially laminated between an anode and a cathode and emits light by electrical energy. The hole injection layer and the hole transport layer of the light-emitting element contain a compound represented by the following general formula.

Description

本発明は、電気エネルギーを光に変換できる発光素子およびそれに用いられる発光素子材料に関する。より詳しくは、表示素子、フラットパネルディスプレイ、バックライト、照明、インテリア、標識、看板、電子写真機および光信号発生器などの分野に利用可能な発光素子およびそれに用いられる発光素子材料に関するものである。   The present invention relates to a light emitting element capable of converting electric energy into light and a light emitting element material used therefor. More specifically, the present invention relates to a light-emitting element that can be used in the fields of display elements, flat panel displays, backlights, lighting, interiors, signs, signboards, electrophotographic machines, optical signal generators, and light-emitting element materials used therefor. .

陰極から注入された電子と陽極から注入された正孔が両極に挟まれた有機蛍光体内で再結合する際に発光するという有機薄膜発光素子の研究が、近年活発に行われている。この発光素子は、薄型でかつ低駆動電圧下での高輝度発光と、蛍光材料を選ぶことによる多色発光が特徴であり、注目を集めている。 In recent years, research on organic thin-film light emitting devices that emit light when electrons injected from a cathode and holes injected from an anode are recombined in an organic phosphor sandwiched between both electrodes has been actively conducted. This light emitting element is characterized by thin light emission with high luminance under a low driving voltage and multicolor light emission by selecting a fluorescent material.

この研究は、コダック社のＣ．Ｗ．Ｔａｎｇらによって有機薄膜素子が高輝度に発光することを示して以来、多くの研究機関が検討を行っている。コダック社の研究グループが提示した有機薄膜発光素子の代表的な構成は、ＩＴＯガラス基板上に正孔輸送性のジアミン化合物、発光層である８−ヒドロキシキノリンアルミニウム、そして陰極としてＭｇ：Ａｇを順次設けたものであり、１０Ｖ程度の駆動電圧で１,０００ｃｄ／ｍ^２の緑色発光が可能であった（例えば、非特許文献１参照）。 This study was conducted by C.D. W. Since Tang et al. Have shown that organic thin film devices emit light with high brightness, many research institutions have studied. The representative structure of the organic thin film light emitting device presented by the Kodak research group is a hole transporting diamine compound on the ITO glass substrate, 8-hydroxyquinoline aluminum as the light emitting layer, and Mg: Ag as the cathode in sequence. The green light emission of 1,000 cd / m ² was possible with a driving voltage of about 10V (see, for example, Non-Patent Document 1).

その後、多数の実用化検討がなされた結果、有機薄膜発光素子は、携帯電話のメインディスプレイなどに採用されるなど着実に実用化が進んでいる。しかし、まだ技術的な課題も多く、中でも素子の低電圧化と長寿命化の両立は大きな課題のひとつである。
素子の駆動電圧は、正孔や電子といったキャリアを発光層まで輸送するキャリア輸送材料に大きく左右される。このうち正孔を輸送する材料（正孔輸送材料）としてカルバゾール骨格を有する材料が知られている。（特許文献１〜６） Thereafter, as a result of many practical application studies, organic thin-film light-emitting elements have been steadily put into practical use, such as being employed in mobile phone main displays. However, there are still many technical issues. Above all, it is one of the big issues to achieve both low voltage and long life.
The driving voltage of the element greatly depends on a carrier transport material that transports carriers such as holes and electrons to the light emitting layer. Among these, materials having a carbazole skeleton are known as materials that transport holes (hole transport materials). (Patent Documents 1 to 6)

特開平８−３５４７号公報JP-A-8-3547 特開平９−２４９８７６号公報Japanese Patent Laid-Open No. 9-249876 特開平１１−１４４８７６号公報Japanese Patent Laid-Open No. 11-144876 特開２００８−２９４１６１号公報JP 2008-294161 A 特開２００３−１３３０７５号公報JP 2003-133075 A 韓国特許公開２００９−２８９４３号公報Korean Patent Publication No. 2009-28943

アプライド フィジクス レターズ（Ａｐｐｌｉｅｄ Ｐｈｙｓｉｃｓ Ｌｅｔｔｅｒｓ）（米国），１９８７年，５１巻，１２号，９１３頁Applied Physics Letters (USA), 1987, 51, 12, 913

しかしながら、特許文献１〜６の様な材料を用いただけでは、陽極からの正孔注入が十分でなく、駆動電圧、耐久寿命等が不十分であった。本発明は、かかる従来技術の問題を解決し、発光効率と駆動電圧、耐久寿命の両立を改善した有機薄膜発光素子を提供することを目的とするものである。   However, if only the materials as in Patent Documents 1 to 6 are used, hole injection from the anode is not sufficient, and driving voltage, durability life, and the like are insufficient. An object of the present invention is to provide an organic thin film light emitting device that solves the problems of the prior art and improves both the light emission efficiency, the driving voltage, and the durability life.

陽極と陰極の間に少なくとも正孔注入層と、正孔輸送層と発光層が順に積層され電気エネルギーにより発光する発光素子であって、該発光素子の正孔注入層と正孔輸送層に下記一般式（１）で表される化合物を含有することを特徴とする発光素子である。 A light emitting device in which at least a hole injection layer, a hole transport layer, and a light emitting layer are sequentially laminated between an anode and a cathode and emits light by electric energy, and the hole injection layer and the hole transport layer of the light emitting device have the following It is a light emitting element characterized by containing the compound represented by General formula (1).

（Ｒ^１〜Ｒ^４は、それぞれ同じでも異なっていてもよく、水素、アルキル基、シクロアルキル基、複素環基、アルケニル基、シクロアルケニル基、アルキニル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アリールエーテル基、アリールチオエーテル基、アリール基、ヘテロアリール基、ハロゲン、カルボニル基、カルボキシル基、オキシカルボニル基、カルバモイル基、アミノ基、シリル基、−Ｐ（＝Ｏ）Ｒ^５Ｒ^６からなる群より選ばれる。Ｒ^５およびＲ^６はアリール基またはヘテロアリール基である。Lは単結合または二価の連結基である。） (R ^{1 to} R ⁴ may be the same or different from each other, and may be hydrogen, an alkyl group, a cycloalkyl group, a heterocyclic group, an alkenyl group, a cycloalkenyl group, an alkynyl group, an alkoxy group, an alkylthio group, an aryl ether group, It is selected from the group consisting of an aryl thioether group, an aryl group, a heteroaryl group, a halogen, a carbonyl group, a carboxyl group, an oxycarbonyl group, a carbamoyl group, an amino group, a silyl group, and —P (═O) R ⁵ R ^{6. 5} and R ⁶ are an aryl group or a heteroaryl group, and L is a single bond or a divalent linking group.)

本発明により、低電圧駆動し、高い発光効率を有し、さらに十分な耐久寿命も兼ね備えた有機電界発光素子を提供することができる   According to the present invention, it is possible to provide an organic electroluminescent device that is driven at a low voltage, has high luminous efficiency, and also has a sufficient durability life.

一般式（１）で表される化合物について詳細に説明する。   The compound represented by the general formula (1) will be described in detail.

Ｒ^１〜Ｒ^４は、それぞれ同じでも異なっていてもよく、水素、アルキル基、シクロアルキル基、複素環基、アルケニル基、シクロアルケニル基、アルキニル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アリールエーテル基、アリールチオエーテル基、アリール基、ヘテロアリール基、ハロゲン、カルボニル基、カルボキシル基、オキシカルボニル基、カルバモイル基、アミノ基、シリル基、−Ｐ（＝Ｏ）Ｒ^５Ｒ^６からなる群より選ばれる。Ｒ^５およびＲ^６はアリール基またはヘテロアリール基である。Lは単結合または二価の連結基である。 R ^{1 to} R ⁴ may be the same or different and are each hydrogen, alkyl group, cycloalkyl group, heterocyclic group, alkenyl group, cycloalkenyl group, alkynyl group, alkoxy group, alkylthio group, aryl ether group, aryl It is selected from the group consisting of a thioether group, an aryl group, a heteroaryl group, a halogen, a carbonyl group, a carboxyl group, an oxycarbonyl group, a carbamoyl group, an amino group, a silyl group, and —P (═O) R ⁵ R ⁶ . R ⁵ and R ⁶ are an aryl group or a heteroaryl group. L is a single bond or a divalent linking group.

これらの置換基のうち、アルキル基とは、例えばメチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基などの飽和脂肪族炭化水素基を示し、これは置換基を有していても有していなくてもよい。置換されている場合の追加の置換基には特に制限は無く、例えば、アルキル基、アリール基、ヘテロアリール基等を挙げることができ、この点は、以下の記載にも共通する。また、アルキル基の炭素数は特に限定されないが、入手の容易性やコストの点から、通常１以上２０以下、より好ましくは１以上８以下の範囲である。   Among these substituents, the alkyl group is, for example, a saturated aliphatic hydrocarbon group such as a methyl group, an ethyl group, an n-propyl group, an isopropyl group, an n-butyl group, a sec-butyl group, or a tert-butyl group. This may or may not have a substituent. There is no restriction | limiting in particular in the additional substituent in the case of being substituted, For example, an alkyl group, an aryl group, heteroaryl group etc. can be mentioned, This point is common also in the following description. The number of carbon atoms of the alkyl group is not particularly limited, but is usually in the range of 1 to 20 and more preferably 1 to 8 from the viewpoint of availability and cost.

シクロアルキル基とは、例えば、シクロプロピル、シクロヘキシル、ノルボルニル、アダマンチルなどの飽和脂環式炭化水素基を示し、これは置換基を有していても有していなくてもよい。アルキル基部分の炭素数は特に限定されないが、通常、３以上２０以下の範囲である。   The cycloalkyl group represents a saturated alicyclic hydrocarbon group such as cyclopropyl, cyclohexyl, norbornyl, adamantyl, etc., which may or may not have a substituent. Although carbon number of an alkyl group part is not specifically limited, Usually, it is the range of 3-20.

複素環基とは、例えば、ピラン環、ピペリジン環、環状アミドなどの炭素以外の原子を環内に有する脂肪族環を示し、これは置換基を有していても有していなくてもよい。複素環基の炭素数は特に限定されないが、通常、２以上２０以下の範囲である。   The heterocyclic group refers to an aliphatic ring having atoms other than carbon, such as a pyran ring, a piperidine ring, and a cyclic amide, in the ring, which may or may not have a substituent. . Although carbon number of a heterocyclic group is not specifically limited, Usually, it is the range of 2-20.

アルケニル基とは、例えば、ビニル基、アリル基、ブタジエニル基などの二重結合を含む不飽和脂肪族炭化水素基を示し、これは置換基を有していても有していなくてもよい。アルケニル基の炭素数は特に限定されないが、通常、２以上２０以下の範囲である。   An alkenyl group shows the unsaturated aliphatic hydrocarbon group containing double bonds, such as a vinyl group, an allyl group, and a butadienyl group, and this may or may not have a substituent. Although carbon number of an alkenyl group is not specifically limited, Usually, it is the range of 2-20.

シクロアルケニル基とは、例えば、シクロペンテニル基、シクロペンタジエニル基、シクロヘキセニル基などの二重結合を含む不飽和脂環式炭化水素基を示し、これは置換基を有していても有していなくてもよい。シクロアルケニル基の炭素数は特に限定されないが、通常、２以上２０以下の範囲である。   The cycloalkenyl group refers to an unsaturated alicyclic hydrocarbon group containing a double bond such as a cyclopentenyl group, a cyclopentadienyl group, or a cyclohexenyl group, which may have a substituent. You don't have to. Although carbon number of a cycloalkenyl group is not specifically limited, Usually, it is the range of 2-20.

アルキニル基とは、例えば、エチニル基などの三重結合を含む不飽和脂肪族炭化水素基を示し、これは置換基を有していても有していなくてもよい。アルキニル基の炭素数は特に限定されないが、通常、２以上２０以下の範囲である。   An alkynyl group shows the unsaturated aliphatic hydrocarbon group containing triple bonds, such as an ethynyl group, for example, and may or may not have a substituent. Although carbon number of an alkynyl group is not specifically limited, Usually, it is the range of 2-20.

アルコキシ基とは、例えば、メトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基などのエーテル結合を介して脂肪族炭化水素基が結合した官能基を示し、この脂肪族炭化水素基は置換基を有していても有していなくてもよい。アルコキシ基の炭素数は特に限定されないが、通常、１以上２０以下の範囲である。   The alkoxy group refers to, for example, a functional group having an aliphatic hydrocarbon group bonded through an ether bond such as a methoxy group, an ethoxy group, or a propoxy group, and the aliphatic hydrocarbon group may have a substituent. It may not have. Although carbon number of an alkoxy group is not specifically limited, Usually, it is the range of 1-20.

アルキルチオ基とは、アルコキシ基のエーテル結合の酸素原子が硫黄原子に置換されたものである。アルキルチオ基の炭化水素基は置換基を有していても有していなくてもよい。アルキルチオ基の炭素数は特に限定されないが、通常、１以上２０以下の範囲である。   The alkylthio group is a group in which an oxygen atom of an ether bond of an alkoxy group is substituted with a sulfur atom. The hydrocarbon group of the alkylthio group may or may not have a substituent. Although carbon number of an alkylthio group is not specifically limited, Usually, it is the range of 1-20.

アリールエーテル基とは、例えば、フェノキシ基など、エーテル結合を介した芳香族炭化水素基が結合した官能基を示し、芳香族炭化水素基は置換基を有していても有していなくてもよい。アリールエーテル基の炭素数は特に限定されないが、通常、６以上４０以下の範囲である。   An aryl ether group refers to a functional group to which an aromatic hydrocarbon group is bonded via an ether bond, such as a phenoxy group, and the aromatic hydrocarbon group may or may not have a substituent. Good. Although carbon number of an aryl ether group is not specifically limited, Usually, it is the range of 6-40.

アリールチオエーテル基とは、アリールエーテル基のエーテル結合の酸素原子が硫黄原子に置換されたものである。アリールエーテル基における芳香族炭化水素基は置換基を有していても有していなくてもよい。アリールエーテル基の炭素数は特に限定されないが、通常、６以上４０以下の範囲である。   An aryl thioether group is one in which the oxygen atom of the ether bond of the aryl ether group is substituted with a sulfur atom. The aromatic hydrocarbon group in the aryl ether group may or may not have a substituent. Although carbon number of an aryl ether group is not specifically limited, Usually, it is the range of 6-40.

アリール基とは、例えば、フェニル基、ナフチル基、ビフェニル基、フルオレニル基、フェナントリル基、アントラセニル基、トリフェニレニル基、ターフェニル基、ピレニル基などの芳香族炭化水素基を示す。アリール基は、置換基を有していても有していなくてもよい。アリール基の炭素数は特に限定されないが、通常、６以上４０以下の範囲である。   The aryl group refers to an aromatic hydrocarbon group such as a phenyl group, a naphthyl group, a biphenyl group, a fluorenyl group, a phenanthryl group, an anthracenyl group, a triphenylenyl group, a terphenyl group, and a pyrenyl group. The aryl group may or may not have a substituent. Although carbon number of an aryl group is not specifically limited, Usually, it is the range of 6-40.

ヘテロアリール基とは、フラニル基、チオフェニル基、ピリジル基、キノリニル基、ピラジニル基、ナフチリジル基、ベンゾフラニル基、ベンゾチオフェニル基、インドリル基、ジベンゾフラニル基、ジベンゾチオフェニル基、カルバゾリル基などの炭素以外の原子を一個または複数個環内に有する環状芳香族基を示し、これは無置換でも置換されていてもかまわない。ヘテロアリール基の炭素数は特に限定されないが、通常、２以上３０以下の範囲である。   A heteroaryl group is a carbon such as a furanyl group, a thiophenyl group, a pyridyl group, a quinolinyl group, a pyrazinyl group, a naphthyridyl group, a benzofuranyl group, a benzothiophenyl group, an indolyl group, a dibenzofuranyl group, a dibenzothiophenyl group, or a carbazolyl group. A cyclic aromatic group having one or more atoms in the ring, which may be unsubstituted or substituted. Although carbon number of heteroaryl group is not specifically limited, Usually, it is the range of 2-30.

ハロゲンとは、フッ素、塩素、臭素、ヨウ素を示す。   Halogen is fluorine, chlorine, bromine or iodine.

カルボニル基、カルボキシル基、オキシカルボニル基、カルバモイル基は、置換基を有していても有していなくてもよく、置換基としては例えばアルキル基、シクロアルキル基、アリール基などが挙げられ、これら置換基はさらに置換されてもよい。   The carbonyl group, carboxyl group, oxycarbonyl group, and carbamoyl group may or may not have a substituent. Examples of the substituent include an alkyl group, a cycloalkyl group, and an aryl group. The substituent may be further substituted.

アミノ基は置換基を有していても有していなくてもよく、置換基としては例えばアリール基、ヘテロアリール基などが挙げられ、これらの置換基はさらに置換されていてもよい。   The amino group may or may not have a substituent. Examples of the substituent include an aryl group and a heteroaryl group, and these substituents may be further substituted.

シリル基とは、例えば、トリメチルシリル基などのケイ素原子への結合を有する官能基を示し、これは置換基を有していても有していなくてもよい。シリル基の炭素数は特に限定されないが、通常、３以上２０以下の範囲である。また、ケイ素数は、通常、１以上６以下の範囲である。 Lは単結合または二価の連結基であり、二価の連結基としては、例えば、フェニレン基、ナフチレン基、ビフェニレン基、フルオレニレン基、フェナントリレン基、ターフェニレン基、アントラセニレン基、ピレニレン基などのアリーレン基、フラニレン基、チオフェニレン基、ピリジレン基、キノリニレン基、イソキノリニレン基、ピラジニレン基、ピリミジレン基、ナフチリジレン基、ベンゾフラニレン基、ベンゾチオフェニレン基、インドリレン基、ジベンゾフラニレン基、ジベンゾチオフェニレン基、カルバゾリレン基などのヘテロアリーレン基が例示される。これらは置換基を有していても有していなくてもよい。   A silyl group refers to, for example, a functional group having a bond to a silicon atom, such as a trimethylsilyl group, which may or may not have a substituent. Although carbon number of a silyl group is not specifically limited, Usually, it is the range of 3-20. The number of silicon is usually in the range of 1 to 6. L is a single bond or a divalent linking group. Examples of the divalent linking group include arylenes such as a phenylene group, a naphthylene group, a biphenylene group, a fluorenylene group, a phenanthrylene group, a terphenylene group, an anthracenylene group, and a pyrenylene group. Group, furanylene group, thiophenylene group, pyridylene group, quinolinylene group, isoquinolinylene group, pyrazinylene group, pyrimidylene group, naphthyridylene group, benzofuranylene group, benzothiophenylene group, indoylene group, dibenzofuranylene group, dibenzothiophenylene group, carbazolylene group Heteroarylene groups such as are exemplified. These may or may not have a substituent.

一般式（１）で表される化合物は、合成の容易さ、正孔輸送性の観点から下記一般式（２）で表されるようにカルバゾール同士が連結されることが好ましい。   In the compound represented by the general formula (1), carbazoles are preferably linked to each other as represented by the following general formula (2) from the viewpoint of ease of synthesis and hole transportability.

さらに、素子の耐久性向上の観点から、非対称のカルバゾール２量体であることが好ましい。特許文献４に記載されているような対称構造においては、結晶性が高く薄膜の安定性に欠け、素子の耐久性が低下するためである。   Furthermore, from the viewpoint of improving the durability of the device, an asymmetric carbazole dimer is preferable. This is because the symmetrical structure as described in Patent Document 4 has high crystallinity and lacks the stability of the thin film, thereby reducing the durability of the device.

また、耐熱性の観点から、一般式（１）におけるＲ^１、Ｒ^２は置換もしくは無置換のアリール基であることが、より好ましい。 Further, from the viewpoint of heat resistance, R ¹ and R ² in the general formula (1) are more preferably a substituted or unsubstituted aryl group.

このような一般式（１）または（２）で表される化合物として、特許文献１〜５記載のカルバゾール骨格を有する化合物、国際公開第２０１１／１２２１３２号パンフレット、国際公開第２０１１／１２５６８０号パンフレット、国際公開第２０１１／４８８２１号パンフレット、国際公開第２０１１／４８８２２号パンフレット、国際公開第２０１１／２４４５１号パンフレット、国際公開第２０１２／１９８６号パンフレット、韓国特許公開２０１０−７９４５８号公報に記載のカルバゾール骨格を有する化合物が挙げられるが、具体的には以下のような化合物が挙げられる。   As a compound represented by such general formula (1) or (2), a compound having a carbazole skeleton described in Patent Documents 1 to 5, International Publication No. 2011/122132, International Publication No. 2011/125680, The carbazole skeleton described in WO 2011/48821 pamphlet, WO 2011/48822 pamphlet, WO 2011/24451 pamphlet, WO 2012/1986 pamphlet, and Korean Patent Publication 2010-79458. Specific examples of the compound include the following compounds.

一般式（１）または（２）で表される化合物は公知の方法で製造できる。すなわち９位が置換されたカルバゾールのブロモ体と、９位が置換されたカルバゾールのモノボロン酸との鈴木カップリング反応で容易に合成できるが、製造方法はこれに限定されない。   The compound represented by the general formula (1) or (2) can be produced by a known method. That is, although it can be easily synthesized by a Suzuki coupling reaction between a bromo carbazole substituted at the 9-position and a monoboronic acid of carbazole substituted at the 9-position, the production method is not limited thereto.

次に、本発明の発光素子の実施の形態について詳細に説明する。本発明の発光素子は、陽極と陰極、およびそれら陽極と陰極との間に少なくとも正孔注入層、正孔輸送層および発光層が順に積層され、電気エネルギーにより発光する。   Next, embodiments of the light emitting device of the present invention will be described in detail. In the light-emitting element of the present invention, an anode and a cathode, and at least a hole injection layer, a hole transport layer, and a light-emitting layer are sequentially laminated between the anode and the cathode, and light is emitted by electric energy.

このような発光素子における陽極と陰極の間の層構成は、正孔注入層／正孔輸送層／発光層の構成の他に、１）正孔注入層／正孔輸送層／発光層／電子輸送層、２）正孔注入層／正孔輸送層／発光層／電子輸送層／電子注入層といった積層構成が挙げられる。また、上記各層は、それぞれ単一層、複数層のいずれでもよい。   The layer structure between the anode and the cathode in such a light-emitting device includes, in addition to the structure of the hole injection layer / hole transport layer / light emitting layer, 1) hole injection layer / hole transport layer / light emitting layer / electron. Examples include a transport layer, 2) a stacked structure of a hole injection layer / a hole transport layer / a light emitting layer / an electron transport layer / an electron injection layer. Each of the layers may be a single layer or a plurality of layers.

本発明の発光素子において、陽極と陰極は素子の発光のために十分な電流を供給するための役割を有するものであり、光を取り出すために少なくとも一方は透明または半透明であることが望ましい。通常、基板上に形成される陽極を透明電極とする。   In the light emitting device of the present invention, the anode and the cathode have a role for supplying a sufficient current for light emission of the device, and at least one of them is preferably transparent or translucent in order to extract light. Usually, the anode formed on the substrate is a transparent electrode.

陽極に用いる材料は、正孔を有機層に効率よく注入できる材料、かつ光を取り出すために透明または半透明であれば、酸化亜鉛、酸化錫、酸化インジウム、酸化錫インジウム（ＩＴＯ）、酸化亜鉛インジウム（ＩＺＯ）などの導電性金属酸化物、あるいは、金、銀、クロムなどの金属、ヨウ化銅、硫化銅などの無機導電性物質、ポリチオフェン、ポリピロール、ポリアニリンなどの導電性ポリマーなど特に限定されるものでないが、ＩＴＯガラスやネサガラスを用いることが特に望ましい。これらの電極材料は、単独で用いてもよいが、複数の材料を積層または混合して用いてもよい。透明電極の抵抗は素子の発光に十分な電流が供給できればよいので限定されないが、素子の消費電力の観点からは低抵抗であることが望ましい。例えば３００Ω／□以下のＩＴＯ基板であれば素子電極として機能するが、現在では１０Ω／□程度の基板の供給も可能になっていることから、２０Ω／□以下の低抵抗の基板を使用することが特に望ましい。ＩＴＯの厚みは抵抗値に合わせて任意に選ぶ事ができるが、通常５０〜３００ｎｍの間で用いられることが多い。   If the material used for the anode is a material that can efficiently inject holes into the organic layer and is transparent or translucent to extract light, zinc oxide, tin oxide, indium oxide, indium tin oxide (ITO), zinc oxide In particular, conductive metal oxides such as indium (IZO), metals such as gold, silver and chromium, inorganic conductive materials such as copper iodide and copper sulfide, and conductive polymers such as polythiophene, polypyrrole and polyaniline are particularly limited. Although not intended, it is particularly desirable to use ITO glass or Nesa glass. These electrode materials may be used alone, or a plurality of materials may be laminated or mixed. The resistance of the transparent electrode is not limited as long as a current sufficient for light emission of the element can be supplied, but it is desirable that the resistance be low from the viewpoint of power consumption of the element. For example, an ITO substrate with a resistance of 300Ω / □ or less will function as a device electrode, but since it is now possible to supply a substrate with a resistance of approximately 10Ω / □, use a substrate with a low resistance of 20Ω / □ or less. Is particularly desirable. The thickness of ITO can be arbitrarily selected according to the resistance value, but is usually used in a range of 50 to 300 nm.

また、発光素子の機械的強度を保つために、発光素子を基板上に形成することが好ましい。基板は、ソーダガラスや無アルカリガラスなどのガラス基板が好適に用いられる。ガラス基板の厚みは、機械的強度を保つのに十分な厚みがあればよいので、０．５ｍｍ以上あれば十分である。ガラスの材質については、ガラスからの溶出イオンが少ない方がよいので無アルカリガラスの方が好ましい。または、ＳｉＯ_２などのバリアコートを施したソーダライムガラスも市販されているのでこれを使用することもできる。さらに、第一電極が安定に機能するのであれば、基板はガラスである必要はなく、例えば、プラスチック基板上に陽極を形成しても良い。ＩＴＯ膜形成方法は、電子線ビーム法、スパッタリング法および化学反応法など特に制限を受けるものではない。 In order to maintain the mechanical strength of the light emitting element, the light emitting element is preferably formed over a substrate. As the substrate, a glass substrate such as soda glass or non-alkali glass is preferably used. As the thickness of the glass substrate, it is sufficient that the thickness is sufficient to maintain the mechanical strength. As for the glass material, alkali-free glass is preferred because it is better that there are fewer ions eluted from the glass. Alternatively, soda lime glass provided with a barrier coat such as SiO ₂ is also commercially available and can be used. Furthermore, if the first electrode functions stably, the substrate need not be glass, and for example, an anode may be formed on a plastic substrate. The ITO film forming method is not particularly limited, such as an electron beam method, a sputtering method, and a chemical reaction method.

陰極に用いる材料は、電子を効率よく発光層に注入できる物質であれば特に限定されない。一般的には白金、金、銀、銅、鉄、錫、アルミニウム、インジウムなどの金属、またはこれらの金属とリチウム、ナトリウム、カリウム、カルシウム、マグネシウムなどの低仕事関数金属との合金や多層積層などが好ましい。中でも、主成分としてはアルミニウム、銀、マグネシウムが電気抵抗値や製膜しやすさ、膜の安定性、発光効率などの面から好ましい。特にマグネシウムと銀で構成されると、本発明における電子輸送層および電子注入層への電子注入が容易になり、低電圧駆動が可能になるため好ましい。   The material used for the cathode is not particularly limited as long as it can efficiently inject electrons into the light emitting layer. Generally, metals such as platinum, gold, silver, copper, iron, tin, aluminum, and indium, or alloys and multilayer stacks of these metals with low work function metals such as lithium, sodium, potassium, calcium, and magnesium Is preferred. Among these, aluminum, silver, and magnesium are preferable as the main component from the viewpoints of electrical resistance, ease of film formation, film stability, luminous efficiency, and the like. In particular, magnesium and silver are preferable because electron injection into the electron transport layer and the electron injection layer in the present invention is facilitated and low voltage driving is possible.

さらに、陰極保護のために白金、金、銀、銅、鉄、錫、アルミニウムおよびインジウムなどの金属、またはこれら金属を用いた合金、シリカ、チタニアおよび窒化ケイ素などの無機物、ポリビニルアルコール、ポリ塩化ビニル、炭化水素系高分子化合物などの有機高分子化合物を、保護膜層として陰極上に積層することが好ましい例として挙げられる。ただし、陰極側から光を取り出す素子構造（トップエミッション構造）の場合は、保護膜層は可視光領域で光透過性のある材料から選択される。これらの電極の作製法は、抵抗加熱、電子線ビーム、スパッタリング、イオンプレーティングおよびコーティングなど特に制限されない。   Furthermore, for cathode protection, metals such as platinum, gold, silver, copper, iron, tin, aluminum and indium, or alloys using these metals, inorganic materials such as silica, titania and silicon nitride, polyvinyl alcohol, polyvinyl chloride As a preferred example, an organic polymer compound such as a hydrocarbon polymer compound is laminated on the cathode as a protective film layer. However, in the case of an element structure (top emission structure) that extracts light from the cathode side, the protective film layer is selected from materials that are light transmissive in the visible light region. The production method of these electrodes is not particularly limited, such as resistance heating, electron beam, sputtering, ion plating and coating.

一般式（１）またはで表される化合物は、正孔注入層および正孔輸送層に含まれる。   The compound represented by the general formula (1) or is included in the hole injection layer and the hole transport layer.

正孔注入層は陽極と正孔輸送層の間に挿入される層である。正孔輸送層と陽極の間に正孔注入層が存在すると、より低電圧駆動し、耐久寿命も向上するだけでなく、さらに素子のキャリアバランスが向上して発光効率も向上するため好ましい。   The hole injection layer is a layer inserted between the anode and the hole transport layer. The presence of a hole injection layer between the hole transport layer and the anode is preferable because it not only drives at a lower voltage and improves the durability life, but also improves the carrier balance of the device and the light emission efficiency.

正孔注入層としては一般式（１）または（２）で表される化合物に、アクセプター性化合物を混合して層を形成するのがより好ましい。アクセプター性化合物との混合層を形成することにより、正孔注入層の導電性が向上し、より素子の駆動電圧低下に寄与し、発光効率の向上、耐久寿命向上といった効果が得られる。   As the hole injection layer, it is more preferable to form a layer by mixing an acceptor compound with the compound represented by the general formula (1) or (2). By forming the mixed layer with the acceptor compound, the conductivity of the hole injection layer is improved, contributing to lowering the driving voltage of the device, and improving the light emission efficiency and the durability life.

アクセプター性化合物の例としては、塩化鉄（III）、塩化アルミニウム、塩化ガリウム、塩化インジウム、塩化アンチモンのような金属塩化物、酸化モリブデン、酸化バナジウム、酸化タングステン、酸化ルテニウムのような金属酸化物、トリス（４−ブロモフェニル）アミニウムヘキサクロロアンチモネート（ＴＢＰＡＨ）のような電荷移動錯体が挙げられる。また分子内にニトロ基、シアノ基、ハロゲンまたはトリフルオロメチル基を有する有機化合物や、キノン系化合物、酸無水物系化合物、フラーレンなども好適に用いられる。これらの化合物の具体的な例としては、ヘキサシアノブタジエン、ヘキサシアノベンゼン、テトラシアノエチレン、テトラシアノキノジメタン（ＴＣＮＱ）、テトラフルオロテトラシアノキノジメタン（Ｆ４−ＴＣＮＱ）、ｐ−フルオラニル、ｐ−クロラニル、ｐ−ブロマニル、ｐ−ベンゾキノン、２，６−ジクロロベンゾキノン、２，５−ジクロロベンゾキノン、テトラメチルベンゾキノン、１，２，４，５−テトラシアノベンゼン、ｏ−ジシアノベンゼン、ｐ−ジシアノベンゼン、１，４−ジシアノテトラフルオロベンゼン、２，３−ジクロロ−５，６−ジシアノベンゾキノン、ｐ−ジニトロベンゼン、ｍ−ジニトロベンゼン、ｏ−ジニトロベンゼン、ｐ−シアノニトロベンゼン、ｍ−シアノニトロベンゼン、ｏ−シアノニトロベンゼン、１，４−ナフトキノン、２，３−ジクロロナフトキノン、１−ニトロナフタレン、２−ニトロナフタレン、１，３−ジニトロナフタレン、１，５−ジニトロナフタレン、９−シアノアントラセン、９−ニトロアントラセン、９，１０−アントラキノン、１，３，６，８−テトラニトロカルバゾール、２，４，７−トリニトロ−９−フルオレノン、２，３，５，６−テトラシアノピリジン、マレイン酸無水物、フタル酸無水物、Ｃ６０、Ｃ７０および以下の化合物群などが挙げられる。   Examples of acceptor compounds include metal chlorides such as iron (III) chloride, aluminum chloride, gallium chloride, indium chloride, antimony chloride, metal oxides such as molybdenum oxide, vanadium oxide, tungsten oxide, ruthenium oxide, A charge transfer complex such as tris (4-bromophenyl) aminium hexachloroantimonate (TBPAH). In addition, organic compounds having a nitro group, cyano group, halogen or trifluoromethyl group in the molecule, quinone compounds, acid anhydride compounds, fullerenes, and the like are also preferably used. Specific examples of these compounds include hexacyanobutadiene, hexacyanobenzene, tetracyanoethylene, tetracyanoquinodimethane (TCNQ), tetrafluorotetracyanoquinodimethane (F4-TCNQ), p-fluoranyl, p-chloranil. P-bromonyl, p-benzoquinone, 2,6-dichlorobenzoquinone, 2,5-dichlorobenzoquinone, tetramethylbenzoquinone, 1,2,4,5-tetracyanobenzene, o-dicyanobenzene, p-dicyanobenzene, 1 , 4-dicyanotetrafluorobenzene, 2,3-dichloro-5,6-dicyanobenzoquinone, p-dinitrobenzene, m-dinitrobenzene, o-dinitrobenzene, p-cyanonitrobenzene, m-cyanonitrobenzene, o-cyanonitrobenzene 1,4-naphthoquinone, 2,3-dichloronaphthoquinone, 1-nitronaphthalene, 2-nitronaphthalene, 1,3-dinitronaphthalene, 1,5-dinitronaphthalene, 9-cyanoanthracene, 9-nitroanthracene, 9,10 Anthraquinone, 1,3,6,8-tetranitrocarbazole, 2,4,7-trinitro-9-fluorenone, 2,3,5,6-tetracyanopyridine, maleic anhydride, phthalic anhydride, C60 , C70 and the following compound groups.

これらの中でも、金属酸化物や金属塩化物、シアノ基含有化合物が取り扱いやすく、混合層の形成を行いやすいことから、容易に上述した効果が得られるので好ましい。   Among these, metal oxides, metal chlorides, and cyano group-containing compounds are preferable because the effects described above can be easily obtained because they are easy to handle and can easily form a mixed layer.

アクセプター性化合物は、特に限定されるものではないが、一般式（１）または（２）で表される化合物に対して０．１〜５０重量部、さらに好ましくは０．５〜２０重量部の範囲で用いられるのが好ましい。正孔輸送層は、陽極から注入された正孔を発光層まで輸送する層である。一般式（１）または（２）で表される化合物は、高い三重項準位、高い正孔輸送特性および薄膜安定性を有しているため、発光素子の正孔輸送層に好適に用いられる。   The acceptor compound is not particularly limited, but is 0.1 to 50 parts by weight, more preferably 0.5 to 20 parts by weight with respect to the compound represented by the general formula (1) or (2). It is preferably used in a range. The hole transport layer is a layer that transports holes injected from the anode to the light emitting layer. Since the compound represented by the general formula (1) or (2) has a high triplet level, high hole transport properties, and thin film stability, the compound is preferably used for a hole transport layer of a light-emitting element. .

正孔注入層および正孔輸送層は１層であっても複数の層が積層されていてもどちらでもよいが、発光素子の製造プロセスの観点から、各々1層であることが好ましい。正孔輸送層が複数層からなる場合、一般式（１）または（２）で表される化合物は発光層に直接接していることが好ましい。一般式（１）または（２）で表される化合物は高い電子ブロック性を有しており、発光層から流れ出る電子の侵入を防止することができるからである。さらに、一般式（１）または（２）で表される化合物は、高い三重項準位を有しているため、三重項発光材料の励起エネルギーの正孔輸送層への移動が抑制され、正孔輸送層でのリン光エネルギーの熱失活を防止することができる。このため発光効率低下を防ぐことができ、なおかつ低電圧駆動、長寿命の発光素子が得ることができる。   The hole injection layer and the hole transport layer may be either a single layer or a plurality of layers stacked, but each is preferably a single layer from the viewpoint of the manufacturing process of the light emitting element. When the hole transport layer is composed of a plurality of layers, the compound represented by the general formula (1) or (2) is preferably in direct contact with the light emitting layer. This is because the compound represented by the general formula (1) or (2) has a high electron blocking property and can prevent intrusion of electrons flowing out from the light emitting layer. Furthermore, since the compound represented by the general formula (1) or (2) has a high triplet level, the transfer of the excitation energy of the triplet light-emitting material to the hole transport layer is suppressed, and the compound is positive. Thermal deactivation of phosphorescence energy in the hole transport layer can be prevented. For this reason, it is possible to prevent a decrease in light emission efficiency, and to obtain a light emitting element with low voltage drive and long life.

更に、各層では、本発明の効果を損なわない範囲で他の材料が混合されていてもよい。混合される他の材料としては、既知の正孔注入材または正孔輸送材が好ましく、例えば、４，４’−ビス（Ｎ−（３−メチルフェニル）−Ｎ−フェニルアミノ）ビフェニル（ＴＰＤ）、４，４’−ビス（Ｎ−（１−ナフチル）−Ｎ−フェニルアミノ）ビフェニル（ＮＰＤ）、４，４’−ビス（Ｎ，Ｎ−ビス（４−ビフェニリル）アミノ）ビフェニル（ＴＢＤＢ），ビス（Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−４−アミノフェニル）−Ｎ，Ｎ−ジフェニル−４，４’−ジアミノ−１，１’−ビフェニル（ＴＰＤ２３２）、４，４’，４”−トリス（３−メチルフェニル（フェニル）アミノ）トリフェニルアミン（ｍ−ＭＴＤＡＴＡ）、４，４’，４”−トリス（１−ナフチル（フェニル）アミノ）トリフェニルアミン（１−ＴＮＡＴＡ）といったアリールアミン誘導体、カルバゾール誘導体、インドール誘導体、ジベンゾフラン誘導体、チオフェン誘導体、ベンゾチオフェン誘導体、ジベンゾチオフェン誘導体、フタロシアニン誘導体、ポルフィリン誘導体などが挙げられる。   Furthermore, in each layer, other materials may be mixed as long as the effects of the present invention are not impaired. As other materials to be mixed, known hole injection materials or hole transport materials are preferable. For example, 4,4′-bis (N- (3-methylphenyl) -N-phenylamino) biphenyl (TPD) 4,4′-bis (N- (1-naphthyl) -N-phenylamino) biphenyl (NPD), 4,4′-bis (N, N-bis (4-biphenylyl) amino) biphenyl (TBDB), Bis (N, N′-diphenyl-4-aminophenyl) -N, N-diphenyl-4,4′-diamino-1,1′-biphenyl (TPD232), 4,4 ′, 4 ″ -tris (3- Aryl aryls such as methylphenyl (phenyl) amino) triphenylamine (m-MTDATA), 4,4 ′, 4 ″ -tris (1-naphthyl (phenyl) amino) triphenylamine (1-TNATA) Emissions derivatives, carbazole derivatives, indole derivatives, dibenzofuran derivatives, thiophene derivatives, benzothiophene derivatives, dibenzothiophene derivatives, phthalocyanine derivatives, and porphyrin derivatives.

また、正孔注入層と正孔輸送層に含まれる一般式（１）または（２）で表される化合物は、両層において異なる種類の化合物を用いてもよいが、同一化合物であることが好ましい。同一化合物を用いることで正孔注入層と正孔輸送層の界面での正孔の注入を円滑に行うことができ、安定な発光素子を得ることが出来る。   In addition, the compound represented by the general formula (1) or (2) contained in the hole injection layer and the hole transport layer may be different types of compounds in both layers, but may be the same compound. preferable. By using the same compound, holes can be smoothly injected at the interface between the hole injection layer and the hole transport layer, and a stable light-emitting element can be obtained.

本発明における正孔輸送層の膜厚は、特に限定されるものではないが、正孔注入層にアクセプター性化合物が混合されている場合、正孔注入層より薄いことが好ましい。この場合、薄い方が好ましいものの、十分な電子ブロックまたはリン光エネルギーブロック性を得るためには、少なくとも５ｎｍ以上、より好ましくは１０ｎｍ以上の膜厚が好ましい。   The film thickness of the hole transport layer in the present invention is not particularly limited, but when the acceptor compound is mixed in the hole injection layer, it is preferably thinner than the hole injection layer. In this case, although a thinner one is preferable, in order to obtain a sufficient electron block or phosphorescence energy block property, a film thickness of at least 5 nm or more, more preferably 10 nm or more is preferable.

発光層は実際に発光を司る層であり、単一層、複数層のどちらでもよく、それぞれ発光材料（ホスト材料、ドーパント材料）により形成され、これはホスト材料とドーパント材料との混合物であっても、ホスト材料単独であっても、いずれでもよい。すなわち、本発明の発光素子では、各発光層において、ホスト材料もしくはドーパント材料のみが発光してもよいし、ホスト材料とドーパント材料がともに発光してもよい。電気エネルギーを効率よく利用し、高色純度の発光を得るという観点からは、発光層はホスト材料とドーパント材料の混合からなることが好ましい。また、ホスト材料とドーパント材料は、それぞれ一種類であっても、複数の組み合わせであっても、いずれでもよい。ドーパント材料はホスト材料の全体に含まれていても、部分的に含まれていても、いずれでもよい。ドーパント材料は積層されていても、分散されていても、いずれでもよい。ドーパント材料は発光色の制御ができる。ドーパント材料の量は、多すぎると濃度消光現象が起きるため、ホスト材料に対して２０重量％以下で用いることが好ましく、さらに好ましくは１０重量％以下である。ドーピング方法は、ホスト材料との共蒸着法によって形成することができるが、ホスト材料と予め混合してから同時に蒸着してもよい。   The light emitting layer is a layer that actually controls light emission, and may be either a single layer or a plurality of layers, each formed of a light emitting material (host material, dopant material), which may be a mixture of a host material and a dopant material. Either the host material alone or the host material may be used. That is, in the light emitting element of the present invention, only the host material or the dopant material may emit light in each light emitting layer, or both the host material and the dopant material may emit light. From the viewpoint of efficiently using electric energy and obtaining light emission with high color purity, the light emitting layer is preferably composed of a mixture of a host material and a dopant material. Further, the host material and the dopant material may be either one kind or a plurality of combinations, respectively. The dopant material may be included in the entire host material or may be partially included. The dopant material may be laminated or dispersed. The dopant material can control the emission color. If the amount of the dopant material is too large, a concentration quenching phenomenon occurs, so that it is preferably used at 20% by weight or less, more preferably 10% by weight or less with respect to the host material. The doping method can be formed by a co-evaporation method with a host material, but may be simultaneously deposited after being previously mixed with the host material.

発光材料は、以前から発光体として知られていたアントラセンやピレンなどの縮合環誘導体、トリス（８−キノリノラート）アルミニウムを始めとする金属キレート化オキシノイド化合物、ビススチリルアントラセン誘導体やジスチリルベンゼン誘導体などのビススチリル誘導体、テトラフェニルブタジエン誘導体、インデン誘導体、クマリン誘導体、オキサジアゾール誘導体、ピロロピリジン誘導体、ペリノン誘導体、シクロペンタジエン誘導体、オキサジアゾール誘導体、チアジアゾロピリジン誘導体、ジベンゾフラン誘導体、カルバゾール誘導体、インドロカルバゾール誘導体、ポリマー系では、ポリフェニレンビニレン誘導体、ポリパラフェニレン誘導体、そして、ポリチオフェン誘導体などが使用できるが特に限定されるものではない。   Luminescent materials include fused ring derivatives such as anthracene and pyrene that have been known as phosphors, metal chelated oxinoid compounds such as tris (8-quinolinolato) aluminum, bisstyrylanthracene derivatives and distyrylbenzene derivatives. Bisstyryl derivative, tetraphenylbutadiene derivative, indene derivative, coumarin derivative, oxadiazole derivative, pyrrolopyridine derivative, perinone derivative, cyclopentadiene derivative, oxadiazole derivative, thiadiazolopyridine derivative, dibenzofuran derivative, carbazole derivative, indolocarbazole In derivatives and polymer systems, polyphenylene vinylene derivatives, polyparaphenylene derivatives, and polythiophene derivatives can be used, but are not particularly limited. There.

発光材料に含有されるホスト材料は、化合物一種のみに限る必要はなく、複数の材料を混合して用いてもよい。好ましいホスト材料としては、特に限定されないが、ナフタレン、アントラセン、フェナンスレン、ピレン、クリセン、ナフタセン、トリフェニレン、ペリレン、フルオランテン、フルオレン、インデンなどの縮合アリール環を有する化合物やその誘導体、Ｎ，Ｎ’−ジナフチル−Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−４，４’−ジフェニル−１，１’−ジアミンなどの芳香族アミン誘導体、トリス（８−キノリナート）アルミニウム（III）をはじめとする金属キレート化オキシノイド化合物、ジスチリルベンゼン誘導体などのビススチリル誘導体、テトラフェニルブタジエン誘導体、インデン誘導体、クマリン誘導体、オキサジアゾール誘導体、ピロロピリジン誘導体、ペリノン誘導体、シクロペンタジエン誘導体、ピロロピロール誘導体、チアジアゾロピリジン誘導体、ジベンゾフラン誘導体、カルバゾール誘導体、インドロカルバゾール誘導体、トリアジン誘導体、ポリマー系では、ポリフェニレンビニレン誘導体、ポリパラフェニレン誘導体、ポリフルオレン誘導体、ポリビニルカルバゾール誘導体、ポリチオフェン誘導体などが使用できるが特に限定されるものではない。中でも、ドーパント材料が後述する三りん光発光材料の場合には、好適な例として、インドール誘導体、カルバゾール誘導体、インドロカルバゾール誘導体、ピリジン、ピリミジン、トリアジン骨格を有する含窒素芳香族化合物誘導体、ポリアリールベンゼン誘導体、スピロフルオレン誘導体、トルキセン誘導体といった芳香族炭化水素化合物誘導体、ジベンゾフラン誘導体、ジベンゾチオフェン誘導体といったカルコゲン元素を含有する化合物、ベリリウムキノリノール錯体といった有機金属錯体などを挙げることができる。   The host material contained in the light-emitting material is not limited to a single compound, and a plurality of materials may be mixed and used. Preferred host materials include, but are not limited to, compounds having a condensed aryl ring such as naphthalene, anthracene, phenanthrene, pyrene, chrysene, naphthacene, triphenylene, perylene, fluoranthene, fluorene, indene, and derivatives thereof, N, N′-dinaphthyl -N, N'-diphenyl-4,4'-diphenyl-1,1'-diamine and other aromatic amine derivatives, tris (8-quinolinato) aluminum (III) and other metal chelated oxinoid compounds, distyryl Bisstyryl derivatives such as benzene derivatives, tetraphenylbutadiene derivatives, indene derivatives, coumarin derivatives, oxadiazole derivatives, pyrrolopyridine derivatives, perinone derivatives, cyclopentadiene derivatives, pyrrolopyrrole derivatives, thiadiazoites In the case of pyridine derivatives, dibenzofuran derivatives, carbazole derivatives, indolocarbazole derivatives, triazine derivatives, polymer systems, polyphenylene vinylene derivatives, polyparaphenylene derivatives, polyfluorene derivatives, polyvinyl carbazole derivatives, polythiophene derivatives, etc. can be used, but those are particularly limited is not. In particular, when the dopant material is a triphosphorescent material described later, preferred examples include indole derivatives, carbazole derivatives, indolocarbazole derivatives, pyridine, pyrimidine, nitrogen-containing aromatic compound derivatives having a triazine skeleton, and polyaryl. Examples thereof include aromatic hydrocarbon compound derivatives such as benzene derivatives, spirofluorene derivatives, and truxene derivatives, compounds containing chalcogen elements such as dibenzofuran derivatives and dibenzothiophene derivatives, and organometallic complexes such as beryllium quinolinol complexes.

また、ドーパント材料としては、特に限定されないが、ナフタレン、アントラセン、フェナンスレン、ピレン、クリセン、トリフェニレン、ペリレン、フルオランテン、フルオレン、インデンなどの縮合アリール環を有する化合物やその誘導体（例えば２−（ベンゾチアゾール−２−イル）−９，１０−ジフェニルアントラセンや５，６，１１，１２−テトラフェニルナフタセンなど）、フラン、ピロール、チオフェン、シロール、９−シラフルオレン、９，９’−スピロビシラフルオレン、ベンゾチオフェン、ベンゾフラン、インドール、ジベンゾチオフェン、ジベンゾフラン、イミダゾピリジン、フェナントロリン、ピリジン、ピラジン、ナフチリジン、キノキサリン、ピロロピリジン、チオキサンテンなどのヘテロアリール環を有する化合物やその誘導体、ボラン誘導体、ジスチリルベンゼン誘導体、４，４’−ビス（２−（４−ジフェニルアミノフェニル）エテニル）ビフェニル、４，４’−ビス（Ｎ−（スチルベン−４−イル）−Ｎ−フェニルアミノ）スチルベンなどのアミノスチリル誘導体、芳香族アセチレン誘導体、テトラフェニルブタジエン誘導体、スチルベン誘導体、アルダジン誘導体、ピロメテン誘導体、ジケトピロロ［３，４−ｃ］ピロール誘導体、２，３，５，６−１Ｈ，４Ｈ−テトラヒドロ−９−（２’−ベンゾチアゾリル）キノリジノ［９，９ａ，１−ｇｈ］クマリンなどのクマリン誘導体、イミダゾール、チアゾール、チアジアゾール、カルバゾール、オキサゾール、オキサジアゾール、トリアゾールなどのアゾール誘導体およびその金属錯体およびＮ，Ｎ’−ジフェニル−Ｎ，Ｎ’−ジ（３−メチルフェニル）−４，４’−ジフェニル−１，１’−ジアミンに代表される芳香族アミン誘導体などを用いることができる。   The dopant material is not particularly limited, but is a compound having a condensed aryl ring such as naphthalene, anthracene, phenanthrene, pyrene, chrysene, triphenylene, perylene, fluoranthene, fluorene, indene or a derivative thereof (for example, 2- (benzothiazole- 2-yl) -9,10-diphenylanthracene and 5,6,11,12-tetraphenylnaphthacene), furan, pyrrole, thiophene, silole, 9-silafluorene, 9,9'-spirobisilafluorene, Has a heteroaryl ring such as benzothiophene, benzofuran, indole, dibenzothiophene, dibenzofuran, imidazopyridine, phenanthroline, pyridine, pyrazine, naphthyridine, quinoxaline, pyrrolopyridine, thioxanthene Compounds and derivatives thereof, borane derivatives, distyrylbenzene derivatives, 4,4′-bis (2- (4-diphenylaminophenyl) ethenyl) biphenyl, 4,4′-bis (N- (stilben-4-yl) Aminostyryl derivatives such as -N-phenylamino) stilbene, aromatic acetylene derivatives, tetraphenylbutadiene derivatives, stilbene derivatives, aldazine derivatives, pyromethene derivatives, diketopyrrolo [3,4-c] pyrrole derivatives, 2,3,5,6 -1H, 4H-tetrahydro-9- (2'-benzothiazolyl) quinolidino [9,9a, 1-gh] coumarin derivatives such as coumarin, azole derivatives such as imidazole, thiazole, thiadiazole, carbazole, oxazole, oxadiazole, triazole And its metal complexes and N, N'- diphenyl -N, etc. N'- di (3-methylphenyl) -4,4'-aromatic amine derivative typified by diphenyl-1,1'-diamine can be used.

更に、ドーパント材料として、リン光発光材料も好ましい例として挙げることができる。リン光発光材料とは、室温でもリン光発光を示す材料である。ドーパントしては基本的に室温でもリン光発光が得られる必要があるが、特に限定されるものではなく、イリジウム（Ｉｒ）、ルテニウム（Ｒｕ）、ロジウム（Ｒｈ）、パラジウム（Ｐｄ）、白金（Ｐｔ）、オスミウム（Ｏｓ）、及びレニウム（Ｒｅ）からなる群から選択される少なくとも一つの金属を含む有機金属錯体化合物であることが好ましい。中でも室温でも高いリン光発光収率を有するという観点から、イリジウム、もしくは白金を有する有機金属錯体がより好ましい。具体的には、トリス（２−フェニルピリジル）イリジウム錯体、トリス｛２−（２−チオフェニル）ピリジル｝イリジウム錯体、トリス｛２−（２−ベンゾチオフェニル）ピリジル｝イリジウム錯体、トリス（２−フェニルベンゾチアゾール）イリジウム錯体、トリス（２−フェニルベンゾオキサゾール）イリジウム錯体、トリスベンゾキノリンイリジウム錯体、ビス（２−フェニルピリジル）（アセチルアセトナート）イリジウム錯体、ビス｛２−（２−チオフェニル）ピリジル｝イリジウム錯体、ビス｛２−（２−ベンゾチオフェニル）ピリジル｝（アセチルアセトナート）イリジウム錯体、ビス（２−フェニルベンゾチアゾール）（アセチルアセトナート）イリジウム錯体、ビス（２−フェニルベンゾオキサゾール）（アセチルアセトナート）イリジウム錯体、ビスベンゾキノリン（アセチルアセトナート）イリジウム錯体、ビス｛２−（２，４−ジフルオロフェニル）ピリジル｝（アセチルアセトナート）イリジウム錯体、テトラエチルポルフィリン白金錯体、｛トリス（セノイルトリフルオロアセトン）モノ（１，１０−フェナントロリン）｝ユーロピウム錯体、｛トリス（セノイルトリフルオロアセトン）モノ（４，７−ジフェニル−１，１０−フェナントロリン）｝ユーロピウム錯体、｛トリス（１，３−ジフェニル−１，３−プロパンジオン）モノ（１，１０−フェナントロリン）｝ユーロピウム錯体、トリスアセチルアセトンテルビウム錯体などが挙げられる。また、特開２００９−１３０１４１号に記載されているリン光ドーパントも好適に用いられる。   Furthermore, a phosphorescent material can also be mentioned as a preferable example as a dopant material. A phosphorescent material is a material that exhibits phosphorescence even at room temperature. As a dopant, it is basically necessary to obtain phosphorescence even at room temperature, but it is not particularly limited, and iridium (Ir), ruthenium (Ru), rhodium (Rh), palladium (Pd), platinum ( An organometallic complex compound containing at least one metal selected from the group consisting of Pt), osmium (Os), and rhenium (Re) is preferable. Among these, from the viewpoint of having a high phosphorescence emission yield even at room temperature, an organometallic complex having iridium or platinum is more preferable. Specifically, tris (2-phenylpyridyl) iridium complex, tris {2- (2-thiophenyl) pyridyl} iridium complex, tris {2- (2-benzothiophenyl) pyridyl} iridium complex, tris (2-phenyl) Benzothiazole) iridium complex, tris (2-phenylbenzoxazole) iridium complex, trisbenzoquinoline iridium complex, bis (2-phenylpyridyl) (acetylacetonato) iridium complex, bis {2- (2-thiophenyl) pyridyl} iridium Complex, bis {2- (2-benzothiophenyl) pyridyl} (acetylacetonato) iridium complex, bis (2-phenylbenzothiazole) (acetylacetonato) iridium complex, bis (2-phenylbenzoxazole) (acetylacetate) ) Iridium complex, bisbenzoquinoline (acetylacetonato) iridium complex, bis {2- (2,4-difluorophenyl) pyridyl} (acetylacetonato) iridium complex, tetraethylporphyrin platinum complex, {tris (cenoyltrifluoro) Acetone) mono (1,10-phenanthroline)} europium complex, {tris (cenoyltrifluoroacetone) mono (4,7-diphenyl-1,10-phenanthroline)} europium complex, {tris (1,3-diphenyl-1) , 3-propanedione) mono (1,10-phenanthroline)} europium complex, trisacetylacetone terbium complex, and the like. Moreover, the phosphorescence dopant described in Unexamined-Japanese-Patent No. 2009-130141 is also used suitably.

本発明において、電子輸送層とは、陰極から電子が注入され、さらに電子を輸送する層である。電子輸送層には、電子注入効率が高く、注入された電子を効率良く輸送することが望まれる。そのため電子輸送層は、電子親和力が大きく、しかも電子移動度が大きく、さらに安定性に優れ、トラップとなる不純物が製造時および使用時に発生しにくい物質であることが要求される。特に膜厚を厚く積層する場合には、低分子量の化合物は結晶化するなどして膜質が劣化しやすいため、安定な膜質を保つ分子量４００以上の化合物が好ましい。しかしながら、正孔と電子の輸送バランスを考えた場合に、電子輸送層が陽極からの正孔が再結合せずに陰極側へ流れるのを効率よく阻止できる役割を主に果たすならば、電子輸送能力がそれ程高くない材料で構成されていても、発光効率を向上させる効果は電子輸送能力が高い材料で構成されている場合と同等となる。したがって、本発明における電子輸送層には、正孔の移動を効率よく阻止できる正孔阻止層も同義のものとして含まれる。   In the present invention, the electron transport layer is a layer in which electrons are injected from the cathode and further transports electrons. The electron transport layer has high electron injection efficiency, and it is desired to efficiently transport injected electrons. For this reason, the electron transport layer is required to be a substance having a high electron affinity, a high electron mobility, excellent stability, and a trapping impurity that is unlikely to be generated during manufacture and use. In particular, in the case of stacking a thick film, a compound having a molecular weight of 400 or more that maintains a stable film quality is preferable because a low molecular weight compound is likely to be crystallized to deteriorate the film quality. However, considering the transport balance between holes and electrons, if the electron transport layer mainly plays a role of effectively preventing the holes from the anode from recombining and flowing to the cathode side, the electron transport Even if it is made of a material that does not have a high capability, the effect of improving the luminous efficiency is equivalent to that of a material that has a high electron transport capability. Therefore, the electron transport layer in the present invention includes a hole blocking layer that can efficiently block the movement of holes as the same meaning.

電子輸送層に用いられる電子輸送材料としては、ナフタレン、アントラセンなどの縮合多環芳香族誘導体、４，４’−ビス（ジフェニルエテニル）ビフェニルに代表されるスチリル系芳香環誘導体、アントラキノンやジフェノキノンなどのキノン誘導体、リンオキサイド誘導体、トリス（８−キノリノラート）アルミニウム（III）などのキノリノール錯体、ベンゾキノリノール錯体、ヒドロキシアゾール錯体、アゾメチン錯体、トロポロン金属錯体およびフラボノール金属錯体などの各種金属錯体が挙げられるが、駆動電圧を低減し、高効率発光が得られることから、炭素、水素、窒素、酸素、ケイ素、リンの中から選ばれる元素で構成され、電子受容性窒素を含むヘテロアリール環構造を有する化合物を用いることが好ましい。   Examples of the electron transport material used in the electron transport layer include condensed polycyclic aromatic derivatives such as naphthalene and anthracene, styryl aromatic ring derivatives represented by 4,4′-bis (diphenylethenyl) biphenyl, anthraquinone, diphenoquinone, and the like. Quinoline derivatives, phosphorus oxide derivatives, quinolinol complexes such as tris (8-quinolinolato) aluminum (III), benzoquinolinol complexes, hydroxyazole complexes, azomethine complexes, tropolone metal complexes, and flavonol metal complexes. A compound having a heteroaryl ring structure composed of an element selected from carbon, hydrogen, nitrogen, oxygen, silicon, and phosphorus and containing electron-accepting nitrogen, because driving voltage is reduced and high-efficiency light emission is obtained. Is preferably used.

ここで言う電子受容性窒素とは、隣接原子との間に多重結合を形成している窒素原子を表す。窒素原子が高い電子陰性度を有することから、該多重結合は電子受容的な性質を有する。それゆえ、電子受容性窒素を含む芳香族複素環は、高い電子親和性を有する。電子受容性窒素を有する電子輸送材料は、高い電子親和力を有する陰極からの電子を受け取りやすくし、より低電圧駆動が可能となる。また、発光層への電子の供給が多くなり、再結合確率が高くなるので発光効率が向上する。   The electron-accepting nitrogen mentioned here represents a nitrogen atom forming a multiple bond with an adjacent atom. Since the nitrogen atom has a high electronegativity, the multiple bond has an electron accepting property. Therefore, an aromatic heterocycle containing electron-accepting nitrogen has a high electron affinity. An electron transport material having electron-accepting nitrogen makes it easier to receive electrons from a cathode having a high electron affinity, and can be driven at a lower voltage. In addition, since the number of electrons supplied to the light emitting layer increases and the recombination probability increases, the light emission efficiency is improved.

電子受容性窒素を含むヘテロアリール環としては、例えば、ピリジン環、ピラジン環、ピリミジン環、キノリン環、キノキサリン環、ナフチリジン環、ピリミドピリミジン環、ベンゾキノリン環、フェナントロリン環、イミダゾール環、オキサゾール環、オキサジアゾール環、トリアゾール環、チアゾール環、チアジアゾール環、ベンゾオキサゾール環、ベンゾチアゾール環、ベンズイミダゾール環、フェナンスロイミダゾール環などが挙げられる。   Examples of the heteroaryl ring containing an electron-accepting nitrogen include, for example, a pyridine ring, pyrazine ring, pyrimidine ring, quinoline ring, quinoxaline ring, naphthyridine ring, pyrimidopyrimidine ring, benzoquinoline ring, phenanthroline ring, imidazole ring, oxazole ring, Examples thereof include an oxadiazole ring, a triazole ring, a thiazole ring, a thiadiazole ring, a benzoxazole ring, a benzothiazole ring, a benzimidazole ring, and a phenanthrimidazole ring.

これらのヘテロアリール環構造を有する化合物としては、例えば、ベンズイミダゾール誘導体、ベンズオキサゾール誘導体、ベンズチアゾール誘導体、オキサジアゾール誘導体、チアジアゾール誘導体、トリアゾール誘導体、ピラジン誘導体、フェナントロリン誘導体、キノキサリン誘導体、キノリン誘導体、ベンゾキノリン誘導体、ビピリジンやターピリジンなどのオリゴピリジン誘導体、キノキサリン誘導体およびナフチリジン誘導体などが好ましい化合物として挙げられる。中でも、トリス（Ｎ−フェニルベンズイミダゾール−２−イル）ベンゼンなどのイミダゾール誘導体、１，３−ビス［（４−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）１，３，４−オキサジアゾリル］フェニレンなどのオキサジアゾール誘導体、Ｎ−ナフチル−２，５−ジフェニル−１，３，４−トリアゾールなどのトリアゾール誘導体、バソクプロインや１，３−ビス（１，１０−フェナントロリン−９−イル）ベンゼンなどのフェナントロリン誘導体、２，２’−ビス（ベンゾ［ｈ］キノリン−２−イル）−９，９’−スピロビフルオレンなどのベンゾキノリン誘導体、２，５−ビス（６’−（２’，２”−ビピリジル））−１，１−ジメチル−３，４−ジフェニルシロールなどのビピリジン誘導体、１，３−ビス（４’−（２，２’：６’２”−ターピリジニル））ベンゼンなどのターピリジン誘導体、ビス（１−ナフチル）−４−（１，８−ナフチリジン−２−イル）フェニルホスフィンオキサイドなどのナフチリジン誘導体が、電子輸送能の観点から好ましく用いられる。また、これらの誘導体が、縮合多環芳香族骨格を有していると、ガラス転移温度が向上すると共に、電子移動度も大きくなり発光素子の低電圧化の効果が大きいのでより好ましい。さらに、素子耐久寿命が向上し、合成のし易さ、原料入手が容易であることを考慮すると、縮合多環芳香族骨格はアントラセン骨格、ピレン骨格またはフェナントロリン骨格であることが特に好ましい。上記電子輸送材料は単独でも用いられるが、上記電子輸送材料の２種以上を混合して用いたり、その他の電子輸送材料の一種以上を上記の電子輸送材料に混合して用いても構わない。   Examples of these compounds having a heteroaryl ring structure include benzimidazole derivatives, benzoxazole derivatives, benzthiazole derivatives, oxadiazole derivatives, thiadiazole derivatives, triazole derivatives, pyrazine derivatives, phenanthroline derivatives, quinoxaline derivatives, quinoline derivatives, benzoins. Preferred compounds include quinoline derivatives, oligopyridine derivatives such as bipyridine and terpyridine, quinoxaline derivatives and naphthyridine derivatives. Among them, imidazole derivatives such as tris (N-phenylbenzimidazol-2-yl) benzene, oxadiazole derivatives such as 1,3-bis [(4-tert-butylphenyl) 1,3,4-oxadiazolyl] phenylene, Triazole derivatives such as N-naphthyl-2,5-diphenyl-1,3,4-triazole, phenanthroline derivatives such as bathocuproine and 1,3-bis (1,10-phenanthroline-9-yl) benzene, 2,2 ′ A benzoquinoline derivative such as bis (benzo [h] quinolin-2-yl) -9,9′-spirobifluorene, 2,5-bis (6 ′-(2 ′, 2 ″ -bipyridyl))-1, Bipyridine derivatives such as 1-dimethyl-3,4-diphenylsilole, 1,3-bis (4 ′-(2,2 ′: 6′2 ″ -ta Terpyridine derivatives such as pyridinyl)) benzene, naphthyridine derivatives such as bis (1-naphthyl) -4- (1,8-naphthyridin-2-yl) phenylphosphine oxide are preferably used from the viewpoint of electron transporting capability. In addition, it is more preferable that these derivatives have a condensed polycyclic aromatic skeleton because the glass transition temperature is improved, the electron mobility is increased, and the effect of lowering the voltage of the light-emitting element is increased. Furthermore, considering that the device durability life is improved, the synthesis is easy, and the availability of raw materials is easy, the condensed polycyclic aromatic skeleton is particularly preferably an anthracene skeleton, a pyrene skeleton or a phenanthroline skeleton. The electron transport material may be used alone, but two or more of the electron transport materials may be mixed and used, or one or more of the other electron transport materials may be mixed with the electron transport material.

好ましい電子輸送材料としては、特に限定されるものではないが、具体的には以下のような例が挙げられる。   Although it does not specifically limit as a preferable electron transport material, The following examples are specifically mentioned.

上記電子輸送材料は単独でも用いられるが、上記電子輸送材料の２種以上を混合して用いたり、その他の電子輸送材料の一種以上を上記の電子輸送材料に混合して用いても構わない。また、ドナー性化合物を含有してもよい。ここで、ドナー性化合物とは電子注入障壁の改善により、陰極または電子注入層からの電子輸送層への電子注入を容易にし、さらに電子輸送層の電気伝導性を向上させる化合物である。   The electron transport material may be used alone, but two or more of the electron transport materials may be mixed and used, or one or more of the other electron transport materials may be mixed with the electron transport material. Moreover, you may contain a donor compound. Here, the donor compound is a compound that facilitates electron injection from the cathode or the electron injection layer to the electron transport layer by improving the electron injection barrier and further improves the electrical conductivity of the electron transport layer.

ドナー性化合物の好ましい例としては、アルカリ金属、アルカリ金属を含有する無機塩、アルカリ金属と有機物との錯体、アルカリ土類金属、アルカリ土類金属を含有する無機塩またはアルカリ土類金属と有機物との錯体などが挙げられる。アルカリ金属、アルカリ土類金属の好ましい種類としては、低仕事関数で電子輸送能向上の効果が大きいリチウム、ナトリウム、カリウム、ルビジウム、セシウムといったアルカリ金属や、マグネシウム、カルシウム、セリウム、バリウムといったアルカリ土類金属が挙げられる。   Preferred examples of the donor compound include an alkali metal, an inorganic salt containing an alkali metal, a complex of an alkali metal and an organic substance, an alkaline earth metal, an inorganic salt containing an alkaline earth metal, or an alkaline earth metal and an organic substance. And the like. Preferred types of alkali metals and alkaline earth metals include alkaline metals such as lithium, sodium, potassium, rubidium, and cesium that have a large effect of improving the electron transport ability with a low work function, and alkaline earths such as magnesium, calcium, cerium, and barium. A metal is mentioned.

また、真空中での蒸着が容易で取り扱いに優れることから、金属単体よりも無機塩、あるいは有機物との錯体の状態であることが好ましい。さらに、大気中での取扱を容易にし、添加濃度の制御のし易さの点で、有機物との錯体の状態にあることがより好ましい。無機塩の例としては、LiO、Li₂O等の酸化物、窒化物、LiF、NaF、KF等のフッ化物、Li₂CO₃、Na₂CO₃、K₂CO₃、Rb₂CO₃、Cs₂CO₃等の炭酸塩などが挙げられる。また、アルカリ金属またはアルカリ土類金属の好ましい例としては、大きな低電圧駆動効果が得られるという観点ではリチウム、セシウムが挙げられる。また、有機物との錯体における有機物の好ましい例としては、キノリノール、ベンゾキノリノール、ピリジルフェノール、フラボノール、ヒドロキシイミダゾピリジン、ヒドロキシベンズアゾール、ヒドロキシトリアゾールなどが挙げられる。中でも、より発光素子の低電圧化の効果が大きいという観点ではアルカリ金属と有機物との錯体が好ましく、さらに合成のしやすさ、熱安定性という観点からリチウムと有機物との錯体がより好ましく、比較的安価で入手できるリチウムキノリノールが特に好ましい。 In addition, since it is easy to deposit in vacuum and is excellent in handling, it is preferably in the form of a complex with an inorganic salt or an organic substance rather than a single metal. Furthermore, it is more preferable that it is in the state of a complex with an organic substance in terms of facilitating handling in the air and easy control of the addition concentration. Examples of inorganic salts include oxides such as LiO and Li ₂ O, nitrides, fluorides such as LiF, NaF, and KF, Li ₂ CO ₃ , Na ₂ CO ₃ , K ₂ CO ₃ , Rb ₂ CO ₃ , Examples thereof include carbonates such as Cs ₂ CO ₃ . Further, preferred examples of the alkali metal or alkaline earth metal include lithium and cesium from the viewpoint that a large low-voltage driving effect can be obtained. In addition, preferable examples of the organic substance in the complex with the organic substance include quinolinol, benzoquinolinol, pyridylphenol, flavonol, hydroxyimidazopyridine, hydroxybenzazole, and hydroxytriazole. Among them, a complex of an alkali metal and an organic substance is preferable from the viewpoint that the effect of lowering the voltage of the light emitting device is larger, and a complex of lithium and an organic substance is more preferable from the viewpoint of ease of synthesis and thermal stability, Lithium quinolinol, which can be obtained at a low cost, is particularly preferred.

電子輸送層のイオン化ポテンシャルは、特に限定されないが、好ましくは５．８ｅＶ以上８．０ｅＶ以下であり、より好ましくは６．０ｅＶ以上７．５ｅＶ以下である。
発光素子を構成する上記各層の形成方法は、抵抗加熱蒸着、電子ビーム蒸着、スパッタリング、分子積層法、コーティング法など特に限定されないが、通常は、素子特性の点から抵抗加熱蒸着または電子ビーム蒸着が好ましい。 The ionization potential of the electron transport layer is not particularly limited, but is preferably 5.8 eV or more and 8.0 eV or less, and more preferably 6.0 eV or more and 7.5 eV or less.
The method of forming each layer constituting the light emitting element is not particularly limited, such as resistance heating vapor deposition, electron beam vapor deposition, sputtering, molecular lamination method, coating method, etc., but resistance heating vapor deposition or electron beam vapor deposition is usually used in terms of element characteristics. preferable.

有機層の厚みは、発光物質の抵抗値にもよるので限定することはできないが、１〜１０００ｎｍであることが好ましい。発光層、電子輸送層、正孔輸送層の膜厚はそれぞれ、好ましくは１ｎｍ以上２００ｎｍ以下であり、さらに好ましくは５ｎｍ以上１００ｎｍ以下である。   The thickness of the organic layer is not limited because it depends on the resistance value of the luminescent material, but is preferably 1 to 1000 nm. The film thicknesses of the light emitting layer, the electron transport layer, and the hole transport layer are each preferably 1 nm to 200 nm, and more preferably 5 nm to 100 nm.

本発明の発光素子は、電気エネルギーを光に変換できる機能を有する。ここで電気エネルギーとしては主に直流電流が使用されるが、パルス電流や交流電流を用いることも可能である。電流値および電圧値は特に制限はないが、素子の消費電力や寿命を考慮すると、できるだけ低いエネルギーで最大の輝度が得られるよう選ばれるべきである。   The light-emitting element of the present invention has a function of converting electrical energy into light. Here, a direct current is mainly used as the electric energy, but a pulse current or an alternating current can also be used. The current value and voltage value are not particularly limited, but should be selected so that the maximum luminance can be obtained with as low energy as possible in consideration of the power consumption and lifetime of the device.

本発明の発光素子は、例えば、マトリクスおよび／またはセグメント方式で表示するディスプレイとして好適に用いられる。   The light emitting device of the present invention is suitably used as a display for displaying in a matrix and / or segment system, for example.

マトリクス方式とは、表示のための画素が格子状やモザイク状など二次元的に配置され、画素の集合で文字や画像を表示する。画素の形状やサイズは用途によって決まる。例えば、パソコン、モニター、テレビの画像および文字表示には、通常一辺が３００μｍ以下の四角形の画素が用いられ、また、表示パネルのような大型ディスプレイの場合は、一辺がｍｍオーダーの画素を用いることになる。モノクロ表示の場合は、同じ色の画素を配列すればよいが、カラー表示の場合には、赤、緑、青の画素を並べて表示させる。この場合、典型的にはデルタタイプとストライプタイプがある。そして、このマトリクスの駆動方法は、線順次駆動方法やアクティブマトリクスのどちらでもよい。線順次駆動はその構造が簡単であるが、動作特性を考慮した場合、アクティブマトリクスの方が優れる場合があるので、これも用途によって使い分けることが必要である。   In the matrix method, pixels for display are two-dimensionally arranged such as a lattice shape or a mosaic shape, and a character or an image is displayed by a set of pixels. The shape and size of the pixel are determined by the application. For example, a square pixel with a side of 300 μm or less is usually used for displaying images and characters on a personal computer, monitor, TV, and a pixel with a side of mm order for a large display such as a display panel. become. In monochrome display, pixels of the same color may be arranged. However, in color display, red, green, and blue pixels are displayed side by side. In this case, there are typically a delta type and a stripe type. The matrix driving method may be either a line sequential driving method or an active matrix. Although the structure of the line sequential drive is simple, the active matrix may be superior in consideration of the operation characteristics, and it is necessary to use it depending on the application.

本発明におけるセグメント方式とは、予め決められた情報を表示するようにパターンを形成し、このパターンの配置によって決められた領域を発光させる方式である。例えば、デジタル時計や温度計における時刻や温度表示、オーディオ機器や電磁調理器などの動作状態表示および自動車のパネル表示などが挙げられる。そして、前記マトリクス表示とセグメント表示は同じパネルの中に共存していてもよい。   The segment system in the present invention is a system in which a pattern is formed so as to display predetermined information and an area determined by the arrangement of the pattern is caused to emit light. For example, the time and temperature display in a digital clock or a thermometer, the operation state display of an audio device or an electromagnetic cooker, the panel display of an automobile, etc. The matrix display and the segment display may coexist in the same panel.

本発明の発光素子は、各種機器等のバックライトとしても好ましく用いられる。バックライトは、主に自発光しない表示装置の視認性を向上させる目的に使用され、液晶表示装置、時計、オーディオ装置、自動車パネル、表示板および標識などに使用される。特に、液晶表示装置、中でも薄型化が検討されているパソコン用途のバックライトに本発明の発光素子は好ましく用いられ、従来のものより薄型で軽量なバックライトを提供できる。   The light emitting device of the present invention is also preferably used as a backlight for various devices. The backlight is used mainly for the purpose of improving the visibility of a display device that does not emit light, and is used for a liquid crystal display device, a clock, an audio device, an automobile panel, a display panel, a sign, and the like. In particular, the light-emitting element of the present invention is preferably used for a backlight for a liquid crystal display device, particularly a personal computer for which a reduction in thickness is being considered, and a backlight that is thinner and lighter than conventional ones can be provided.

以下、実施例をあげて本発明を説明するが、本発明はこれらの実施例によって限定されるものではない。   EXAMPLES Hereinafter, although an Example is given and this invention is demonstrated, this invention is not limited by these Examples.

実施例１
ＩＴＯ透明導電膜を１６５ｎｍ堆積させたガラス基板（ジオマテック（株）製、１１Ω／□、スパッタ品）を３８×４６ｍｍに切断し、エッチングを行った。得られた基板を“セミコクリーン５６”（商品名、フルウチ化学（株）製）で１５分間超音波洗浄してから、超純水で洗浄した。この基板を素子を作製する直前に１時間ＵＶ−オゾン処理し、真空蒸着装置内に設置して、装置内の真空度が５×１０^−４Ｐａ以下になるまで排気した。抵抗加熱法によって、正孔注入層として、化合物ＨＴ−１を５０ｎｍ蒸着した。次に、正孔輸送層として化合物ＨＴ−１を１０ｎｍ蒸着し、次いで発光層として、ホスト材料に化合物Ｈ−１を、ドーパント材料に化合物Ｄ−１を用い、ドーパント材料のドープ濃度が１０重量％になるようにして４０ｎｍの厚さに蒸着した。次に、電子輸送層として、化合物Ｅ−１を２０ｎｍの厚さに積層した。 Example 1
A glass substrate (manufactured by Geomat Co., Ltd., 11Ω / □, sputtered product) on which ITO transparent conductive film was deposited at 165 nm was cut into 38 × 46 mm and etched. The obtained substrate was ultrasonically cleaned with “Semico Clean 56” (trade name, manufactured by Furuuchi Chemical Co., Ltd.) for 15 minutes and then with ultrapure water. This substrate was subjected to UV-ozone treatment for 1 hour immediately before producing the device, placed in a vacuum deposition apparatus, and evacuated until the degree of vacuum in the apparatus became 5 × 10 ⁻⁴ Pa or less. Compound HT-1 was vapor-deposited by 50 nm as a hole injection layer by the resistance heating method. Next, Compound HT-1 is deposited to a thickness of 10 nm as the hole transport layer, then Compound H-1 is used as the host material and Compound D-1 is used as the dopant material as the light emitting layer, and the dopant concentration of the dopant material is 10% by weight. The film was deposited to a thickness of 40 nm. Next, Compound E-1 was laminated to a thickness of 20 nm as an electron transport layer.

次に、電子注入層としてＬｉｑを０．５ｎｍ蒸着した後、マグネシウムと銀を重量比１：１となるように１０００ｎｍ蒸着して陰極とし、５×５ｍｍ角の素子を作製した。ここでいう膜厚は、水晶発振式膜厚モニター表示値である。この発光素子を１０ｍＡ／ｃｍ^２で直流駆動したところ、駆動電圧５．８Ｖ、外部量子効率１４．４％の緑色発光が得られた。この素子を初期輝度２０００ｃｄ／ｍ^２に設定し、耐久寿命を測定したところ、初期輝度から２０％減の時間（Ｔ８０耐久性）は３９０時間であった。なお化合物ＨＴ−１、Ｈ−１、Ｄ−１、Ｅ−１、Ｌｉｑは以下に示す化合物である。 Next, Liq was deposited as an electron injection layer by 0.5 nm, and then magnesium and silver were deposited by 1000 nm so as to have a weight ratio of 1: 1 to form a cathode, thereby producing a 5 × 5 mm square device. The film thickness here is a display value of a crystal oscillation type film thickness monitor. When this light emitting device was DC driven at 10 mA / cm ² , green light emission with a driving voltage of 5.8 V and an external quantum efficiency of 14.4% was obtained. When this element was set to an initial luminance of 2000 cd / m ² and the endurance life was measured, the time of 20% reduction from the initial luminance (T80 endurance) was 390 hours. Compounds HT-1, H-1, D-1, E-1, and Liq are the compounds shown below.

比較例１
正孔輸送材料としてα−ＮＰＤを用いた以外は実施例１と同様に素子を作製し、発光素子を１０ｍＡ／ｃｍ^２で直流駆動したところ、駆動電圧６．１Ｖ、外部量子効率１０．８％の緑色発光が得られた。この素子を初期輝度２０００ｃｄ／ｍ^２に設定し、耐久寿命を測定したところ、初期輝度から２０％減の時間は２２０時間であった。なおα−ＮＰＤは以下に示す化合物である。 Comparative Example 1
A device was fabricated in the same manner as in Example 1 except that α-NPD was used as the hole transport material, and the light emitting device was DC-driven at 10 mA / cm ^{2. As} a result, the driving voltage was 6.1 V and the external quantum efficiency was 10.8%. Green light emission was obtained. When this element was set to an initial luminance of 2000 cd / m ² and the endurance life was measured, the time of 20% reduction from the initial luminance was 220 hours. Α-NPD is a compound shown below.

比較例２
正孔注入材料としてＭＴＤＡＴＡを用いた以外は実施例１と同様に素子を作製し、発光素子を１０ｍＡ／ｃｍ^２で直流駆動したところ、駆動電圧７．５Ｖ、外部量子効率１４．０％の緑色発光が得られた。この素子を初期輝度２０００ｃｄ／ｍ^２に設定し、耐久寿命を測定したところ、初期輝度から２０％減の時間は２７５時間であった。なおＭＴＤＡＴＡは以下に示す化合物である。 Comparative Example 2
A device was fabricated in the same manner as in Example 1 except that MTDATA was used as the hole injection material, and the light emitting device was DC-driven at 10 mA / cm ^{2. As a result} , a green voltage with a driving voltage of 7.5 V and an external quantum efficiency of 14.0% was obtained. Luminescence was obtained. When this element was set to an initial luminance of 2000 cd / m ² and the endurance life was measured, the time of 20% reduction from the initial luminance was 275 hours. MTDATA is a compound shown below.

実施例２
ＩＴＯ透明導電膜を１６５ｎｍ堆積させたガラス基板（ジオマテック（株）製、１１Ω／□、スパッタ品）を３８×４６ｍｍに切断し、エッチングを行った。得られた基板を“セミコクリーン５６”（商品名、フルウチ化学（株）製）で１５分間超音波洗浄してから、超純水で洗浄した。この基板を素子を作製する直前に１時間ＵＶ−オゾン処理し、真空蒸着装置内に設置して、装置内の真空度が５×１０^−４Ｐａ以下になるまで排気した。抵抗加熱法によって、正孔注入層としてＨＴ−１に対しＰ−１をドープ濃度が１重量％になるように５０ｎｍ共蒸着した次に、正孔輸送層として化合物ＨＴ−１を１０ｎｍ蒸着し、次いで発光層として、ホスト材料に化合物Ｈ−１を、ドーパント材料に化合物Ｄ−１を用い、ドーパント材料のドープ濃度が１０重量％になるようにして４０ｎｍの厚さに蒸着した。次に、電子輸送層として、化合物Ｅ−２を２０ｎｍの厚さに積層した。 Example 2
A glass substrate (manufactured by Geomat Co., Ltd., 11Ω / □, sputtered product) on which ITO transparent conductive film was deposited at 165 nm was cut into 38 × 46 mm and etched. The obtained substrate was ultrasonically cleaned with “Semico Clean 56” (trade name, manufactured by Furuuchi Chemical Co., Ltd.) for 15 minutes and then with ultrapure water. This substrate was subjected to UV-ozone treatment for 1 hour immediately before producing the device, placed in a vacuum deposition apparatus, and evacuated until the degree of vacuum in the apparatus became 5 × 10 ⁻⁴ Pa or less. By resistance heating, 50 nm of P-1 was co-deposited with respect to HT-1 as a hole injection layer so that the doping concentration was 1 wt%, and then compound HT-1 was deposited as a hole transport layer with a thickness of 10 nm, Next, as a light emitting layer, the compound H-1 was used as the host material, the compound D-1 was used as the dopant material, and the dopant material was deposited to a thickness of 40 nm so that the doping concentration was 10 wt%. Next, Compound E-2 was laminated to a thickness of 20 nm as an electron transport layer.

次に、電子注入層としてＬｉｑを０．５ｎｍ蒸着した後、マグネシウムと銀を重量比１：１となるように１０００ｎｍ蒸着して陰極とし、５×５ｍｍ角の素子を作製した。ここでいう膜厚は、水晶発振式膜厚モニター表示値である。この発光素子を１０ｍＡ／ｃｍ^２で直流駆動したところ、駆動電圧４．３Ｖ、外部量子効率１６．５％の緑色発光が得られた。この素子を初期輝度２０００ｃｄ／ｍ^２に設定し、耐久寿命を測定したところ、初期輝度から２０％減の時間は４８０時間であった。なお化合物Ｐ−１、Ｅ−２は以下に示す化合物である。 Next, Liq was deposited as an electron injection layer by 0.5 nm, and then magnesium and silver were deposited by 1000 nm so as to have a weight ratio of 1: 1 to form a cathode, thereby producing a 5 × 5 mm square device. The film thickness here is a display value of a crystal oscillation type film thickness monitor. When this light emitting device was DC driven at 10 mA / cm ² , green light emission with a driving voltage of 4.3 V and an external quantum efficiency of 16.5% was obtained. When this element was set to an initial luminance of 2000 cd / m ² and the endurance life was measured, the time of 20% reduction from the initial luminance was 480 hours. Compounds P-1 and E-2 are the compounds shown below.

比較例３
正孔輸送材料としてα−ＮＰＤを用いた以外は実施例２と同様に素子を作製し、発光素子を１０ｍＡ／ｃｍ^２で直流駆動したところ、駆動電圧５．２Ｖ、外部量子効率１１．３％の緑色発光が得られた。この素子を初期輝度２０００ｃｄ／ｍ^２に設定し、耐久寿命を測定したところ、初期輝度から２０％減の時間は２４５時間であった。 Comparative Example 3
A device was fabricated in the same manner as in Example 2 except that α-NPD was used as the hole transport material, and the light emitting device was DC-driven at 10 mA / cm ^{2. The} driving voltage was 5.2 V and the external quantum efficiency was 11.3%. Green light emission was obtained. When this element was set to an initial luminance of 2000 cd / m ² and the endurance life was measured, the time required for a 20% decrease from the initial luminance was 245 hours.

実施例３〜４
正孔注入材料および正孔輸送材料としてＨＴ−２およびＨＴ−３を用いた以外は実施例２と同様に発光素子を作製し、評価を行った。実施例２〜３の結果を表１に示す。なお、ＨＴ−２、ＨＴ−３は以下に示す化合物である。 Examples 3-4
A light emitting device was produced and evaluated in the same manner as in Example 2 except that HT-2 and HT-3 were used as the hole injection material and the hole transport material. The results of Examples 2-3 are shown in Table 1. HT-2 and HT-3 are the compounds shown below.

実施例５
ＩＴＯ透明導電膜を１６５ｎｍ堆積させたガラス基板（ジオマテック（株）製、１１Ω／□、スパッタ品）を３８×４６ｍｍに切断し、エッチングを行った。得られた基板を“セミコクリーン５６”（商品名、フルウチ化学（株）製）で１５分間超音波洗浄してから、超純水で洗浄した。この基板を素子を作製する直前に１時間ＵＶ−オゾン処理し、真空蒸着装置内に設置して、装置内の真空度が５×１０^−４Ｐａ以下になるまで排気した。抵抗加熱法によって、正孔注入材層としてＨＴ−１に対しＰ−１をドープ濃度が１重量％になるように５０ｎｍ共蒸着した次に、正孔輸送層として化合物ＨＴ−１を１０ｎｍ蒸着し、次いで発光層として、ホスト材料に化合物Ｈ−２を、ドーパント材料に化合物Ｄ−２を用い、ドーパント材料のドープ濃度が５重量％になるようにして４０ｎｍの厚さに蒸着した。次に、電子輸送層として、化合物Ｅ−３とＬｉｑをドープ濃度５０重量％になるよう共蒸着し、２０ｎｍの厚さに積層した。 Example 5
A glass substrate (manufactured by Geomat Co., Ltd., 11Ω / □, sputtered product) on which ITO transparent conductive film was deposited at 165 nm was cut into 38 × 46 mm and etched. The obtained substrate was ultrasonically cleaned with “Semico Clean 56” (trade name, manufactured by Furuuchi Chemical Co., Ltd.) for 15 minutes and then with ultrapure water. This substrate was subjected to UV-ozone treatment for 1 hour immediately before producing the device, placed in a vacuum deposition apparatus, and evacuated until the degree of vacuum in the apparatus became 5 × 10 ⁻⁴ Pa or less. By resistance heating, 50 nm of P-1 was co-deposited with respect to HT-1 as a hole injecting material layer so that the doping concentration was 1 wt%, and then compound HT-1 was evaporated as a hole transporting layer with a thickness of 10 nm. Then, as a light emitting layer, the compound H-2 was used as the host material, the compound D-2 was used as the dopant material, and the dopant material was deposited to a thickness of 40 nm so that the doping concentration was 5 wt%. Next, as an electron transport layer, Compound E-3 and Liq were co-deposited so as to have a doping concentration of 50% by weight, and laminated to a thickness of 20 nm.

次に、電子注入層としてＬｉｑを０．５ｎｍ蒸着した後、マグネシウムと銀を重量比１：１となるように１０００ｎｍ蒸着して陰極とし、５×５ｍｍ角の素子を作製した。ここでいう膜厚は、水晶発振式膜厚モニター表示値である。この発光素子を１０ｍＡ／ｃｍ^２で直流駆動したところ、駆動電圧４．８Ｖ、外部量子効率１２．３％の赤色発光が得られた。この素子を初期輝度２０００ｃｄ／ｍ^２に設定し、耐久寿命を測定したところ、初期輝度から２０％減の時間は３５０時間であった。なお化合物Ｈ−２、Ｄ−２、Ｅ−３は以下に示す化合物である。 Next, Liq was deposited as an electron injection layer by 0.5 nm, and then magnesium and silver were deposited by 1000 nm so as to have a weight ratio of 1: 1 to form a cathode, thereby producing a 5 × 5 mm square device. The film thickness here is a display value of a crystal oscillation type film thickness monitor. When this light emitting device was DC-driven at 10 mA / cm ² , red light emission with a driving voltage of 4.8 V and an external quantum efficiency of 12.3% was obtained. When this element was set to an initial luminance of 2000 cd / m ² and the endurance life was measured, the time of 20% reduction from the initial luminance was 350 hours. Compounds H-2, D-2, and E-3 are the compounds shown below.

比較例４
正孔注入材料としてＴＢＤＢを用いた以外は実施例５と同様に素子を作製し、評価を行った。の発光素子を１０ｍＡ／ｃｍ^２で直流駆動したところ、駆動電圧５．９Ｖ、外部量子効率１１．８％の緑色発光が得られた。この素子を初期輝度２０００ｃｄ／ｍ^２に設定し、耐久寿命を測定したところ、初期輝度から２０％減の時間は２２０時間であった。なおＴＢＤＢは以下に示す化合物である。 Comparative Example 4
A device was prepared and evaluated in the same manner as in Example 5 except that TBDB was used as the hole injection material. When the direct current drive of the light emitting element of 10 mA / cm ² was performed, green light emission with a driving voltage of 5.9 V and an external quantum efficiency of 11.8% was obtained. When this element was set to an initial luminance of 2000 cd / m ² and the endurance life was measured, the time of 20% reduction from the initial luminance was 220 hours. TBDB is a compound shown below.

実施例６〜７
正孔注入材料および正孔輸送材料としてＨＴ−２およびＨＴ−３を用いた以外は実施例５と同様に発光素子を作製し、評価を行った。実施例６〜７の結果を表１に示す。 Examples 6-7
A light emitting device was prepared and evaluated in the same manner as in Example 5 except that HT-2 and HT-3 were used as the hole injection material and the hole transport material. The results of Examples 6 to 7 are shown in Table 1.

実施例８
ＩＴＯ透明導電膜を１６５ｎｍ堆積させたガラス基板（ジオマテック（株）製、１１Ω／□、スパッタ品）を３８×４６ｍｍに切断し、エッチングを行った。得られた基板を“セミコクリーン５６”（商品名、フルウチ化学（株）製）で１５分間超音波洗浄してから、超純水で洗浄した。この基板を素子を作製する直前に１時間ＵＶ−オゾン処理し、真空蒸着装置内に設置して、装置内の真空度が５×１０^−４Ｐａ以下になるまで排気した。抵抗加熱法によって、正孔注入材層としてＨＴ−１に対しＰ−１をドープ濃度が１重量％になるように５０ｎｍ共蒸着した次に、正孔輸送層として化合物ＨＴ−１を１０ｎｍ蒸着し、次いで発光層として、ホスト材料に化合物Ｈ−３を、ドーパント材料に化合物Ｄ−３を用い、ドーパント材料のドープ濃度が３重量％になるようにして４０ｎｍの厚さに蒸着した。次に、電子輸送層として、化合物Ｅ−２を２０ｎｍの厚さに積層した。 Example 8
A glass substrate (manufactured by Geomat Co., Ltd., 11Ω / □, sputtered product) on which ITO transparent conductive film was deposited at 165 nm was cut into 38 × 46 mm and etched. The obtained substrate was ultrasonically cleaned with “Semico Clean 56” (trade name, manufactured by Furuuchi Chemical Co., Ltd.) for 15 minutes and then with ultrapure water. This substrate was subjected to UV-ozone treatment for 1 hour immediately before producing the device, placed in a vacuum deposition apparatus, and evacuated until the degree of vacuum in the apparatus became 5 × 10 ⁻⁴ Pa or less. By resistance heating, 50 nm of P-1 was co-deposited with respect to HT-1 as a hole injecting material layer so that the doping concentration was 1 wt%, and then compound HT-1 was evaporated as a hole transporting layer with a thickness of 10 nm. Then, as a light emitting layer, Compound H-3 was used as a host material, Compound D-3 was used as a dopant material, and the dopant material was deposited to a thickness of 40 nm with a doping concentration of 3% by weight. Next, Compound E-2 was laminated to a thickness of 20 nm as an electron transport layer.

次に、電子注入層としてＬｉｑを０．５ｎｍ蒸着した後、マグネシウムと銀を重量比１：１となるように１０００ｎｍ蒸着して陰極とし、５×５ｍｍ角の素子を作製した。ここでいう膜厚は、水晶発振式膜厚モニター表示値である。この発光素子を１０ｍＡ／ｃｍ^２で直流駆動したところ、駆動電圧４．６Ｖ、外部量子効率５．５％の青色発光が得られた。この素子を初期輝度１０００ｃｄ／ｍ^２に設定し、耐久寿命を測定したところ、初期輝度から２０％減の時間は３３０時間であった。なお、Ｈ−３、Ｄ−３は以下に示す化合物である。 Next, Liq was deposited as an electron injection layer by 0.5 nm, and then magnesium and silver were deposited by 1000 nm so as to have a weight ratio of 1: 1 to form a cathode, thereby producing a 5 × 5 mm square device. The film thickness here is a display value of a crystal oscillation type film thickness monitor. When this light emitting device was DC-driven at 10 mA / cm ² , blue light emission with a driving voltage of 4.6 V and an external quantum efficiency of 5.5% was obtained. When this element was set to an initial luminance of 1000 cd / m ² and the endurance life was measured, the 20% decrease in time from the initial luminance was 330 hours. H-3 and D-3 are the compounds shown below.

Claims (6)

陽極と陰極の間に少なくとも正孔注入層と、正孔輸送層と発光層が順に積層され電気エネルギーにより発光する発光素子であって、該発光素子の正孔注入層と正孔輸送層に下記一般式（１）で表される化合物を含有することを特徴とする発光素子。

（Ｒ^１〜Ｒ^４は、それぞれ同じでも異なっていてもよく、水素、アルキル基、シクロアルキル基、複素環基、アルケニル基、シクロアルケニル基、アルキニル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アリールエーテル基、アリールチオエーテル基、アリール基、ヘテロアリール基、ハロゲン、カルボニル基、カルボキシル基、オキシカルボニル基、カルバモイル基、アミノ基、シリル基、−Ｐ（＝Ｏ）Ｒ^５Ｒ^６からなる群より選ばれる。Ｒ^５およびＲ^６はアリール基またはヘテロアリール基である。Lは単結合または二価の連結基である。） A light emitting device in which at least a hole injection layer, a hole transport layer, and a light emitting layer are sequentially laminated between an anode and a cathode and emits light by electric energy, and the hole injection layer and the hole transport layer of the light emitting device have the following A light-emitting element containing the compound represented by the general formula (1).

(R ^{1 to} R ⁴ may be the same or different from each other, and may be hydrogen, an alkyl group, a cycloalkyl group, a heterocyclic group, an alkenyl group, a cycloalkenyl group, an alkynyl group, an alkoxy group, an alkylthio group, an aryl ether group, It is selected from the group consisting of an aryl thioether group, an aryl group, a heteroaryl group, a halogen, a carbonyl group, a carboxyl group, an oxycarbonyl group, a carbamoyl group, an amino group, a silyl group, and —P (═O) R ⁵ R ^{6. 5} and R ⁶ are an aryl group or a heteroaryl group, and L is a single bond or a divalent linking group.) 正孔輸送層が下記一般式（２）で表される化合物を含む請求項１記載の発光素子。

（Ｒ^１〜Ｒ^４は、それぞれ同じでも異なっていてもよく、水素、アルキル基、シクロアルキル基、複素環基、アルケニル基、シクロアルケニル基、アルキニル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アリールエーテル基、アリールチオエーテル基、アリール基、ヘテロアリール基、ハロゲン、カルボニル基、カルボキシル基、オキシカルボニル基、カルバモイル基、アミノ基、シリル基、−Ｐ（＝Ｏ）Ｒ^５Ｒ^６からなる群より選ばれる。Ｒ^５およびＲ^６はアリール基またはヘテロアリール基である。Lは単結合または二価の連結基である。） The light emitting element of Claim 1 in which a positive hole transport layer contains the compound represented by following General formula (2).

(R ^{1 to} R ⁴ may be the same or different from each other, and may be hydrogen, an alkyl group, a cycloalkyl group, a heterocyclic group, an alkenyl group, a cycloalkenyl group, an alkynyl group, an alkoxy group, an alkylthio group, an aryl ether group, It is selected from the group consisting of an aryl thioether group, an aryl group, a heteroaryl group, a halogen, a carbonyl group, a carboxyl group, an oxycarbonyl group, a carbamoyl group, an amino group, a silyl group, and —P (═O) R ⁵ R ^{6. 5} and R ⁶ are an aryl group or a heteroaryl group, and L is a single bond or a divalent linking group.) 前記一般式（１）において、Ｒ^１とＲ^２が異なる基であることを特徴とする請求項１または２記載の発光素子材料。 The light emitting device material according to claim 1, wherein in the general formula (1), R ¹ and R ² are different groups. 前記一般式（１）において、Ｒ^１とＲ^２が共に置換もしくは無置換のアリール基であることを特徴とする請求項１〜３のいずれか記載の発光素子材料。 In the said General formula (1), R < ¹ > and R < ² > are both substituted or unsubstituted aryl groups, The light emitting element material in any one of Claims 1-3 characterized by the above-mentioned. 該正孔注入層が、一般式（１）または（２）であらわされる化合物とアクセプター性化合物の混合層からなることを特徴とする請求項１〜４いずれか記載の発光素子。 The light emitting device according to any one of claims 1 to 4, wherein the hole injection layer comprises a mixed layer of a compound represented by the general formula (1) or (2) and an acceptor compound. 該アクセプター性化合物が、金属酸化物、金属塩化物、シアノ基含有化合物のような化合物であることを特徴とする請求項５記載の発光素子 6. The light emitting device according to claim 5, wherein the acceptor compound is a compound such as a metal oxide, a metal chloride, or a cyano group-containing compound.