JPWO2014024750A1 - Light emitting device material and light emitting device - Google Patents

Abstract

特定のカルバゾール骨格を有する化合物を含有する発光素子材料により、高発光効率と耐久性を両立した有機薄膜発光素子を提供する。Provided is an organic thin-film light-emitting element that achieves both high luminous efficiency and durability by using a light-emitting element material containing a compound having a specific carbazole skeleton.

Description

本発明は、電気エネルギーを光に変換できる発光素子およびそれに用いられる発光素子材料に関する。より詳しくは、表示素子、フラットパネルディスプレイ、バックライト、照明、インテリア、標識、看板、電子写真機および光信号発生器などの分野に利用可能な発光素子およびそれに用いられる発光素子材料に関するものである。   The present invention relates to a light emitting element capable of converting electric energy into light and a light emitting element material used therefor. More specifically, the present invention relates to a light-emitting element that can be used in the fields of display elements, flat panel displays, backlights, lighting, interiors, signs, signboards, electrophotographic machines, optical signal generators, and light-emitting element materials used therefor. .

陰極から注入された電子と陽極から注入された正孔が両極に挟まれた有機蛍光体内で再結合する際に発光するという有機薄膜発光素子の研究が、近年活発に行われている。この発光素子は、薄型でかつ低駆動電圧下での高輝度発光と、蛍光材料を選ぶことによる多色発光が特徴であり、注目を集めている。   In recent years, research on organic thin-film light emitting devices that emit light when electrons injected from a cathode and holes injected from an anode are recombined in an organic phosphor sandwiched between both electrodes has been actively conducted. This light emitting element is characterized by thin light emission with high luminance under a low driving voltage and multicolor light emission by selecting a fluorescent material.

この研究は、コダック社のＣ．Ｗ．Ｔａｎｇらによって有機薄膜素子が高輝度に発光することが示されて以来、多数の実用化検討がなされており、有機薄膜発光素子は、携帯電話のメインディスプレイなどに採用されるなど着実に実用化が進んでいる。しかし、まだ技術的な課題も多く、中でも素子の高効率化と長寿命化の両立は大きな課題のひとつである。   This study was conducted by C.D. W. Since Tang et al. Showed that organic thin film devices emit light with high brightness, many practical studies have been made, and organic thin film light emitting devices have been steadily put into practical use, such as being used in mobile phone main displays. Is progressing. However, there are still many technical issues. Above all, it is one of the major issues to achieve both high efficiency and long life of the device.

素子の駆動電圧は、正孔や電子といったキャリアを発光層まで輸送するキャリア輸送材料に大きく左右される。このうち正孔を輸送する材料（正孔輸送材料）としてカルバゾール骨格を有する材料が知られている（例えば、特許文献１〜２参照）。また、上記カルバゾール骨格を有する材料は高い三重項準位を有することが知られており（例えば、特許文献３参照）、特にリン光発光層からの三重項励起子を閉じ込める材料として用いられることが提案されている（例えば、特許文献４参照）。   The driving voltage of the element greatly depends on a carrier transport material that transports carriers such as holes and electrons to the light emitting layer. Among these, materials having a carbazole skeleton are known as materials that transport holes (hole transport materials) (see, for example, Patent Documents 1 and 2). Moreover, it is known that the material having the carbazole skeleton has a high triplet level (see, for example, Patent Document 3), and is particularly used as a material for confining triplet excitons from a phosphorescent light emitting layer. It has been proposed (see, for example, Patent Document 4).

特開平８−３５４７号公報JP-A-8-3547 大韓民国特許出願公開第２０１０−００７９４５８号公報Korean Patent Application Publication No. 2010-0079458 国際公開第２０１１／０２４４５１号International Publication No. 2011/024451 国際公開第２０１２／００１９８６号International Publication No. 2012/001986

しかしながら、従来の技術では素子の駆動電圧を十分に下げることは困難であり、また駆動電圧を下げることができたとしても、素子の発光効率、耐久寿命の両立が不十分であった。このように、高い発光効率と耐久寿命を両立させる技術は未だ見出されていない。   However, it is difficult for the conventional technology to sufficiently reduce the drive voltage of the element, and even if the drive voltage can be reduced, the light emission efficiency and durability life of the element are insufficient. Thus, no technology has yet been found to achieve both high luminous efficiency and durable life.

本発明は、かかる従来技術の問題を解決し、発光効率および耐久寿命を改善した有機薄膜発光素子を提供することを目的とするものである。   An object of the present invention is to provide an organic thin film light emitting device that solves the problems of the prior art and has improved luminous efficiency and durability.

本発明は、下記一般式（１）で表される化合物を含有することを特徴とする発光素子材料である。   The present invention is a light emitting device material containing a compound represented by the following general formula (1).

式中、Ｒ^１〜Ｒ^１６はそれぞれ同じでも異なっていてもよく、水素、アルキル基、シクロアルキル基、複素環基、アルケニル基、シクロアルケニル基、アルキニル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アリールエーテル基、アリールチオエーテル基、アリール基、ヘテロアリール基、ハロゲン、カルボニル基、カルボキシル基、オキシカルボニル基およびカルバモイル基、シリル基、および−Ｐ（＝Ｏ）Ｒ^１７Ｒ^１８からなる群より選ばれる。Ｒ^１７およびＲ^１８はアリール基またはヘテロアリール基である。ただしＲ^１〜Ｒ^８のいずれかの位置およびＲ^９〜Ｒ^１６のいずれかの位置で２つのカルバゾール骨格が連結する。Ｌは単結合、置換もしくは無置換のアリーレン基、または置換もしくは無置換のヘテロアリーレン基である。Ａｒ^１は置換もしくは無置換のフェニル基を表す。Ａｒ^２は下記一般式（２）で表される基である。In the formula, each of R ^{1 to} R ¹⁶ may be the same or different, and is hydrogen, alkyl group, cycloalkyl group, heterocyclic group, alkenyl group, cycloalkenyl group, alkynyl group, alkoxy group, alkylthio group, aryl ether group. , An arylthioether group, an aryl group, a heteroaryl group, a halogen, a carbonyl group, a carboxyl group, an oxycarbonyl group and a carbamoyl group, a silyl group, and —P (═O) R ¹⁷ R ¹⁸ . R ¹⁷ and R ¹⁸ are an aryl group or a heteroaryl group. However, two carbazole skeletons are linked at any position of R ^{1 to} R ⁸ and any position of R ^{9 to} R ¹⁶ . L is a single bond, a substituted or unsubstituted arylene group, or a substituted or unsubstituted heteroarylene group. Ar ¹ represents a substituted or unsubstituted phenyl group. Ar ² is a group represented by the following general formula (2).

式中、環Ａおよび環Ｂは、置換もしくは無置換のベンゼン環、置換もしくは無置換の単環芳香族複素環、置換もしくは無置換の縮合芳香族炭化水素環、または置換もしくは無置換の縮合芳香族複素環を表す。ただし、環Ａと環Ｂのうち少なくとも１つは縮合芳香族炭化水素基もしくは縮合芳香族複素環基を表す。Ｘは酸素原子、硫黄原子またはＮ−Ａｒ^５のいずれかである。Ａｒ^５はアリール基またはヘテロアリール基である。環Ａ、環ＢおよびＡｒ^５が置換されている場合の置換基はそれぞれ、水素、アルキル基、シクロアルキル基、複素環基、アルケニル基、シクロアルケニル基、アルキニル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アリールエーテル基、アリールチオエーテル基、アリール基、ヘテロアリール基、ハロゲン、カルボニル基、カルボキシル基、オキシカルボニル基、カルバモイル基および−Ｐ（＝Ｏ）Ｒ^１９Ｒ^２０からなる群より選ばれる。Ｒ^１９およびＲ^２０はアリール基またはヘテロアリール基である。Ｒ^１９およびＲ^２０は縮合して環を形成していてもよい。但し、Ａｒ^５、環Ａおよび環Ｂのうちいずれかの位置でＬと連結する。In the formula, ring A and ring B are a substituted or unsubstituted benzene ring, a substituted or unsubstituted monocyclic aromatic heterocyclic ring, a substituted or unsubstituted condensed aromatic hydrocarbon ring, or a substituted or unsubstituted condensed aromatic. Represents a family heterocycle. However, at least one of ring A and ring B represents a condensed aromatic hydrocarbon group or a condensed aromatic heterocyclic group. X is either an oxygen atom, a sulfur atom or N—Ar ⁵ . Ar ⁵ is an aryl group or a heteroaryl group. When ring A, ring B and Ar ⁵ are substituted, the substituents are hydrogen, alkyl group, cycloalkyl group, heterocyclic group, alkenyl group, cycloalkenyl group, alkynyl group, alkoxy group, alkylthio group, aryl, respectively. It is selected from the group consisting of an ether group, an arylthioether group, an aryl group, a heteroaryl group, a halogen, a carbonyl group, a carboxyl group, an oxycarbonyl group, a carbamoyl group, and —P (═O) R ¹⁹ R ²⁰ . R ¹⁹ and R ²⁰ are an aryl group or a heteroaryl group. R ¹⁹ and R ²⁰ may be condensed to form a ring. However, it is connected to L at any position among Ar ⁵ , ring A and ring B.

本発明により、高い発光効率を有し、さらに十分な耐久寿命も兼ね備えた有機電界発光素子を提供することができる。   According to the present invention, it is possible to provide an organic electroluminescence device having high luminous efficiency and further having a sufficient durability life.

本発明における一般式（１）で表される化合物について詳細に説明する。   The compound represented by formula (1) in the present invention will be described in detail.

式中、Ｒ^１〜Ｒ^１６はそれぞれ同じでも異なっていてもよく、水素、アルキル基、シクロアルキル基、複素環基、アルケニル基、シクロアルケニル基、アルキニル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アリールエーテル基、アリールチオエーテル基、アリール基、ヘテロアリール基、ハロゲン、カルボニル基、カルボキシル基、オキシカルボニル基およびカルバモイル基、シリル基、および−Ｐ（＝Ｏ）Ｒ^１７Ｒ^１８からなる群より選ばれる。Ｒ^１７およびＲ^１８はアリール基またはヘテロアリール基である。ただしＲ^１〜Ｒ^８のいずれかの位置およびＲ^９〜Ｒ^１６のいずれかの位置で２つのカルバゾール骨格が連結する。Ｌは単結合、置換もしくは無置換のアリーレン基、または置換もしくは無置換のヘテロアリーレン基である。Ａｒ^１は置換もしくは無置換のフェニル基を表す。Ａｒ^２は下記一般式（２）で表される基である。In the formula, each of R ^{1 to} R ¹⁶ may be the same or different, and is hydrogen, alkyl group, cycloalkyl group, heterocyclic group, alkenyl group, cycloalkenyl group, alkynyl group, alkoxy group, alkylthio group, aryl ether group. , An arylthioether group, an aryl group, a heteroaryl group, a halogen, a carbonyl group, a carboxyl group, an oxycarbonyl group and a carbamoyl group, a silyl group, and —P (═O) R ¹⁷ R ¹⁸ . R ¹⁷ and R ¹⁸ are an aryl group or a heteroaryl group. However, two carbazole skeletons are linked at any position of R ^{1 to} R ⁸ and any position of R ^{9 to} R ¹⁶ . L is a single bond, a substituted or unsubstituted arylene group, or a substituted or unsubstituted heteroarylene group. Ar ¹ represents a substituted or unsubstituted phenyl group. Ar ² is a group represented by the following general formula (2).

式中、環Ａおよび環Ｂは、置換もしくは無置換のベンゼン環、置換もしくは無置換の単環芳香族複素環、置換もしくは無置換の縮合芳香族炭化水素環、または置換もしくは無置換の縮合芳香族複素環を表す。ただし、環Ａと環Ｂのうち少なくとも１つは縮合芳香族炭化水素基もしくは縮合芳香族複素環基を表す。Ｘは酸素原子、硫黄原子またはＮ−Ａｒ^５のいずれかである。Ａｒ^５はアリール基またはヘテロアリール基である。環Ａ、環ＢおよびＡｒ^５が置換されている場合の置換基はそれぞれ、水素、アルキル基、シクロアルキル基、複素環基、アルケニル基、シクロアルケニル基、アルキニル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アリールエーテル基、アリールチオエーテル基、アリール基、ヘテロアリール基、ハロゲン、カルボニル基、カルボキシル基、オキシカルボニル基、カルバモイル基および−Ｐ（＝Ｏ）Ｒ^１９Ｒ^２０からなる群より選ばれる。Ｒ^１９およびＲ^２０はアリール基またはヘテロアリール基である。Ｒ^１９およびＲ^２０は縮合して環を形成していてもよい。但し、Ａｒ^５、環Ａおよび環Ｂのうちいずれかの位置でＬと連結する。In the formula, ring A and ring B are a substituted or unsubstituted benzene ring, a substituted or unsubstituted monocyclic aromatic heterocyclic ring, a substituted or unsubstituted condensed aromatic hydrocarbon ring, or a substituted or unsubstituted condensed aromatic. Represents a family heterocycle. However, at least one of ring A and ring B represents a condensed aromatic hydrocarbon group or a condensed aromatic heterocyclic group. X is either an oxygen atom, a sulfur atom or N—Ar ⁵ . Ar ⁵ is an aryl group or a heteroaryl group. When ring A, ring B and Ar ⁵ are substituted, the substituents are hydrogen, alkyl group, cycloalkyl group, heterocyclic group, alkenyl group, cycloalkenyl group, alkynyl group, alkoxy group, alkylthio group, aryl, respectively. It is selected from the group consisting of an ether group, an arylthioether group, an aryl group, a heteroaryl group, a halogen, a carbonyl group, a carboxyl group, an oxycarbonyl group, a carbamoyl group, and —P (═O) R ¹⁹ R ²⁰ . R ¹⁹ and R ²⁰ are an aryl group or a heteroaryl group. R ¹⁹ and R ²⁰ may be condensed to form a ring. However, it is connected to L at any position among Ar ⁵ , ring A and ring B.

これらの置換基のうち、水素は重水素であってもよい。また、アルキル基とは、例えば、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基などの飽和脂肪族炭化水素基を示し、これは置換基を有していても有していなくてもよい。アルキル基の炭素数は特に限定されないが、入手の容易性やコストの点から、通常１以上２０以下、より好ましくは１以上８以下の範囲である。   Of these substituents, hydrogen may be deuterium. The alkyl group represents, for example, a saturated aliphatic hydrocarbon group such as a methyl group, an ethyl group, an n-propyl group, an isopropyl group, an n-butyl group, a sec-butyl group, or a tert-butyl group. It may or may not have a substituent. The number of carbon atoms of the alkyl group is not particularly limited, but is usually in the range of 1 to 20 and more preferably 1 to 8 in terms of availability and cost.

シクロアルキル基とは、例えば、シクロプロピル、シクロヘキシル、ノルボルニル、アダマンチルなどの飽和脂環式炭化水素基を示し、これは置換基を有していても有していなくてもよい。アルキル基部分の炭素数は特に限定されないが、通常、３以上２０以下の範囲である。   The cycloalkyl group represents a saturated alicyclic hydrocarbon group such as cyclopropyl, cyclohexyl, norbornyl, adamantyl, etc., which may or may not have a substituent. Although carbon number of an alkyl group part is not specifically limited, Usually, it is the range of 3-20.

複素環基とは、例えば、ピラン環、ピペリジン環、環状アミドなどの炭素以外の原子を環内に有する脂肪族環を示し、これは置換基を有していても有していなくてもよい。複素環基の炭素数は特に限定されないが、通常、２以上２０以下の範囲である。   The heterocyclic group refers to an aliphatic ring having atoms other than carbon, such as a pyran ring, a piperidine ring, and a cyclic amide, in the ring, which may or may not have a substituent. . Although carbon number of a heterocyclic group is not specifically limited, Usually, it is the range of 2-20.

アルケニル基とは、例えば、ビニル基、アリル基、ブタジエニル基などの二重結合を含む不飽和脂肪族炭化水素基を示し、これは置換基を有していても有していなくてもよい。アルケニル基の炭素数は特に限定されないが、通常、２以上２０以下の範囲である。   An alkenyl group shows the unsaturated aliphatic hydrocarbon group containing double bonds, such as a vinyl group, an allyl group, and a butadienyl group, and this may or may not have a substituent. Although carbon number of an alkenyl group is not specifically limited, Usually, it is the range of 2-20.

シクロアルケニル基とは、例えば、シクロペンテニル基、シクロペンタジエニル基、シクロヘキセニル基などの二重結合を含む不飽和脂環式炭化水素基を示し、これは置換基を有していても有していなくてもよい。シクロアルケニル基の炭素数は特に限定されないが、通常、２以上２０以下の範囲である。   The cycloalkenyl group refers to an unsaturated alicyclic hydrocarbon group containing a double bond such as a cyclopentenyl group, a cyclopentadienyl group, or a cyclohexenyl group, which may have a substituent. You don't have to. Although carbon number of a cycloalkenyl group is not specifically limited, Usually, it is the range of 2-20.

アルキニル基とは、例えば、エチニル基などの三重結合を含む不飽和脂肪族炭化水素基を示し、これは置換基を有していても有していなくてもよい。アルキニル基の炭素数は特に限定されないが、通常、２以上２０以下の範囲である。   An alkynyl group shows the unsaturated aliphatic hydrocarbon group containing triple bonds, such as an ethynyl group, for example, and may or may not have a substituent. Although carbon number of an alkynyl group is not specifically limited, Usually, it is the range of 2-20.

ハロゲンとは、フッ素、塩素、臭素、ヨウ素を示す。   Halogen is fluorine, chlorine, bromine or iodine.

カルボニル基、カルボキシル基、オキシカルボニル基、カルバモイル基は、置換基を有していても有していなくてもよい。   The carbonyl group, carboxyl group, oxycarbonyl group, and carbamoyl group may or may not have a substituent.

シリル基とは、例えば、トリメチルシリル基などのケイ素原子への結合を有する官能基を示し、これは置換基を有していても有していなくてもよい。シリル基の炭素数は特に限定されないが、通常、３以上２０以下の範囲である。また、ケイ素数は、通常、１以上６以下の範囲である。   A silyl group refers to, for example, a functional group having a bond to a silicon atom, such as a trimethylsilyl group, which may or may not have a substituent. Although carbon number of a silyl group is not specifically limited, Usually, it is the range of 3-20. The number of silicon is usually in the range of 1 to 6.

−Ｐ（＝Ｏ）Ｒ^１７Ｒ^１８は置換基を有していても有していなくてもよい。—P (═O) R ¹⁷ R ¹⁸ may or may not have a substituent.

アリール基とは、例えば、フェニル基、ビフェニル基、フルオレニル基、フェナントリル基、トリフェニレニル基、ターフェニル基などの芳香族炭化水素基を示す。アリール基は、置換基を有していても有していなくてもよい。アリール基の炭素数は特に限定されないが、通常、６以上４０以下の範囲である。   The aryl group represents an aromatic hydrocarbon group such as a phenyl group, a biphenyl group, a fluorenyl group, a phenanthryl group, a triphenylenyl group, or a terphenyl group. The aryl group may or may not have a substituent. Although carbon number of an aryl group is not specifically limited, Usually, it is the range of 6-40.

ヘテロアリール基とは、フラニル基、チオフェニル基、ピリジル基、ピラジニル基、ピリミジニル基、トリアジニル基、ベンゾフラニル基、ベンゾチオフェニル基、インドリル基などの炭素以外の原子を一個または複数個環内に有する環状芳香族基を示し、これは無置換でも置換されていてもかまわない。ヘテロアリール基の炭素数は特に限定されないが、通常、２以上３０以下の範囲である。   A heteroaryl group is a ring having one or more atoms other than carbon such as furanyl group, thiophenyl group, pyridyl group, pyrazinyl group, pyrimidinyl group, triazinyl group, benzofuranyl group, benzothiophenyl group, indolyl group in the ring. Represents an aromatic group, which may be unsubstituted or substituted. Although carbon number of heteroaryl group is not specifically limited, Usually, it is the range of 2-30.

アリーレン基とはアリール基から導かれる２価の基を示し、例えば、フェニレン基、ナフチレン基、ビフェニレン基、フルオレニレン基、フェナントリレン基、ターフェニレン基、アントラセニレン基、ピレニレン基などが例示される。これらは置換基を有していても有していなくてもよい。アリーレン基の炭素数は特に限定されないが、通常、６以上４０以下の範囲である。また、アリーレン基が置換基を有する場合は、置換基も含めて炭素数は６以上６０以下の範囲であることが好ましい。   An arylene group refers to a divalent group derived from an aryl group, and examples thereof include a phenylene group, a naphthylene group, a biphenylene group, a fluorenylene group, a phenanthrylene group, a terphenylene group, an anthracenylene group, and a pyrenylene group. These may or may not have a substituent. The carbon number of the arylene group is not particularly limited, but is usually in the range of 6 or more and 40 or less. Moreover, when an arylene group has a substituent, it is preferable that carbon number is 6 or more and 60 or less including a substituent.

ヘテロアリーレン基とは、ピリジル基、キノリニル基、ピリミジニル基、ピラジニル基、ナフチリジル基、ジベンゾフラニル基、ジベンゾチオフェニル基、カルバゾリル基などの炭素以外の原子を一個または複数個環内に有する芳香族基から導かれる２価もしくは３価の基を示し、これは置換基を有していても有していなくてもよい。ヘテロアリーレン基の炭素数は特に限定されないが、好ましくは、２〜３０の範囲である。   A heteroarylene group is an aromatic group having one or more atoms other than carbon, such as a pyridyl group, a quinolinyl group, a pyrimidinyl group, a pyrazinyl group, a naphthyridyl group, a dibenzofuranyl group, a dibenzothiophenyl group, and a carbazolyl group. A divalent or trivalent group derived from a group is shown, which may or may not have a substituent. Although carbon number of heteroarylene group is not specifically limited, Preferably, it is the range of 2-30.

縮合芳香族炭化水素環とは、例えば、ナフタレン環、アズレン環、アントラセン環、フェナントレン環、ピレン環、クリセン環、ナフタセン環、トリフェニレン環、アセナフテン環、コロネン環、フルオレン環、フルオランテン環、ナフタセン環、ペンタセン環、ペリレン環、ペンタフェン環、ピセン環、ピラントレン環、アンスラアントレン環等が挙げられる。更に、前記縮合芳香族炭化水素環は置換基を有していてもよい。縮合芳香族炭化水素環の炭素数は特に限定されないが、好ましくは１０〜１８の範囲である。   The condensed aromatic hydrocarbon ring is, for example, naphthalene ring, azulene ring, anthracene ring, phenanthrene ring, pyrene ring, chrysene ring, naphthacene ring, triphenylene ring, acenaphthene ring, coronene ring, fluorene ring, fluoranthene ring, naphthacene ring, Examples include a pentacene ring, a perylene ring, a pentaphen ring, a picene ring, a pyranthrene ring, and an anthraanthrene ring. Furthermore, the condensed aromatic hydrocarbon ring may have a substituent. The number of carbon atoms in the condensed aromatic hydrocarbon ring is not particularly limited, but is preferably in the range of 10-18.

単環芳香族複素環とは、フラン環、チオフェン環、ピリジン環、ピリダジン環、ピリミジン環、ピラジン環、オキサジアゾール環、トリアゾール環、イミダゾール環、ピラゾール環、チアゾール環等が挙げられる。更に、前記単環芳香族複素環は置換基を有していてもよい。   Examples of the monocyclic aromatic heterocycle include a furan ring, a thiophene ring, a pyridine ring, a pyridazine ring, a pyrimidine ring, a pyrazine ring, an oxadiazole ring, a triazole ring, an imidazole ring, a pyrazole ring, and a thiazole ring. Furthermore, the monocyclic aromatic heterocycle may have a substituent.

縮合芳香族複素環とは、例えば、キノリン環、イソキノリン環、キノキサリン環、ベンゾイミダゾール環、インドール環、ベンゾイミダゾール環、ベンゾチアゾール環、ベンゾオキサゾール環、キノキサリン環、キナゾリン環、フタラジン環、カルバゾール環、カルボリン環、ジアザカルバゾール環（カルボリン環を構成する炭化水素環の炭素原子の一つが更に窒素原子で置換されている環を示す）等が挙げられる。更に、前記縮合芳香族複素環は置換基を有していてもよい。縮合芳香族複素環の炭素数は特に限定されないが、好ましくは９〜１８の範囲である。   The condensed aromatic heterocycle includes, for example, a quinoline ring, isoquinoline ring, quinoxaline ring, benzimidazole ring, indole ring, benzimidazole ring, benzothiazole ring, benzoxazole ring, quinoxaline ring, quinazoline ring, phthalazine ring, carbazole ring, And a carboline ring, a diazacarbazole ring (indicating a ring in which one of the carbon atoms of the hydrocarbon ring constituting the carboline ring is further substituted with a nitrogen atom). Furthermore, the fused aromatic heterocycle may have a substituent. The number of carbon atoms of the fused aromatic heterocycle is not particularly limited, but is preferably in the range of 9-18.

Ｒ^１〜Ｒ^８のいずれかの位置およびＲ^９〜Ｒ^１６のいずれかの位置で２つのカルバゾール骨格が連結するとは、例えばＲ^６の位置とＲ^１０の位置で連結する場合を例に挙げると、Ｒ^６が結合している部分の炭素原子とＲ^１０が結合している部分の炭素原子とが直接結合することをいう。When two carbazole skeletons are linked at any position of R ^{1 to} R ⁸ and any position of R ^{9 to} R ¹⁶ , for example, the case where they are linked at the position of R ^{6 and} the position of R ¹⁰ is exemplified. , R ⁶ is directly bonded to the carbon atom of the portion to which R ¹⁰ is bonded.

Ａｒ^５、環Ａおよび環Ｂのうちいずれかの位置でＬと連結するとは次のようなことをいう。まず、Ａｒ^５の位置でＬと連結するとは、Ａｒ^５を構成する炭素原子のいずれかとＬが直接結合することをいう。また、環Ａおよび環Ｂのうちいずれかの位置でＬと連結するとは、たとえば環Ａがベンゼン環であるとするとそのベンゼン環を構成する炭素原子のいずれかとＬが直接結合することをいう。Connecting to L at any position of Ar ⁵ , ring A and ring B means the following. First, the coupling with L at a position of the Ar ⁵ refers to the L binds directly with any of the carbon atoms constituting the Ar ^5. Further, linking to L at any position of ring A and ring B means that when ring A is a benzene ring, for example, L is directly bonded to any of the carbon atoms constituting the benzene ring.

従来のカルバゾール骨格を有する化合物は、発光素子材料として必ずしも十分な性能を有するものではなかった。例えば、9,9’-diphenyl-9H,9’H-3,3’-bicarbazoleや1,3-di(9H-carbazol-9-yl)benzene（略名：mCP）は三重項準位が高く、励起子ブロック材料として汎用の材料であるが、イオン化ポテンシャルが大きく、正孔注入・輸送性に乏しく、駆動電圧が高くなるという問題があった。また、素子の耐久性に影響を及ぼすガラス転移温度も低いという問題もあった。   Conventional compounds having a carbazole skeleton do not necessarily have sufficient performance as a light emitting device material. For example, 9,9'-diphenyl-9H, 9'H-3,3'-bicarbazole and 1,3-di (9H-carbazol-9-yl) benzene (abbreviation: mCP) have high triplet levels. Although it is a general-purpose material as an exciton block material, there is a problem that the ionization potential is large, the hole injection / transport property is poor, and the driving voltage is increased. There is also a problem that the glass transition temperature which affects the durability of the device is low.

本発明者らは、その改良の検討において、カルバゾール骨格を有する化合物の正孔輸送性の強さおよび耐久性の向上について着目した。一般に、カルバゾール骨格を有する化合物は、正孔と電子の両電荷を輸送する特性を有する。本発明者らは、従来のカルバゾール骨格を有する化合物はその正孔輸送性が小さいために、発光層に入る正孔の割合が電子輸送層から入る電子に比べて小さく、発光層中の電荷のバランスが崩れることが素子性能の低下につながるのではないかと考えた。   In the study of the improvement, the present inventors paid attention to the enhancement of the hole transportability and durability of the compound having a carbazole skeleton. In general, a compound having a carbazole skeleton has a property of transporting both charges of holes and electrons. Since the present compound having a carbazole skeleton has a small hole transporting property, the proportion of holes entering the light emitting layer is small compared to electrons entering from the electron transporting layer, and the charge in the light emitting layer is reduced. I thought that the loss of the balance might lead to a decrease in device performance.

そこで本発明の化合物のようにカルバゾールを二量化することで共役が拡がり、正孔輸送性が向上する。しかし、窒素原子上の置換基によっては正孔輸送性を阻害する懸念もあり、全てのカルバゾール二量体の正孔輸送性が高いとは限らない。   Thus, dimerization of carbazole as in the compound of the present invention expands conjugation and improves hole transportability. However, depending on the substituent on the nitrogen atom, there is a concern that the hole transportability may be hindered, and not all carbazole dimers have high hole transportability.

たとえば、国際公開第２０１１／０５５９３４号の化合物のように、窒素原子上にカルバゾール基が置換した化合物は、上記のようにカルバゾール自体の正孔輸送性が乏しく、正孔輸送性が高いとはいえない。そのため、窒素原子上に置換する化合物の骨格自体の正孔輸送性を高めるためには、共役を拡げた置換基を導入する必要がある。   For example, a compound in which a carbazole group is substituted on a nitrogen atom, such as the compound of International Publication No. 2011/055934, has a poor hole transport property of carbazole itself and a high hole transport property as described above. Absent. Therefore, in order to increase the hole transport property of the skeleton itself of the compound to be substituted on the nitrogen atom, it is necessary to introduce a substituent having an expanded conjugation.

一方、国際公開第２００６／０３７４２９号記載の化合物のように、ベンゾカルバゾールを置換基として有する化合物は、カルバゾールよりも共役が拡がっていることで正孔輸送性が高いが、共役が必要以上に拡がっていることで、三重項準位が低下する。三重項準位が低い化合物を励起子ブロック材として用い、素子を作成すると、発光層から漏れてくる励起子によって発光効率は低下してしまうので、より高い三重項準位を有していることが好ましい。   On the other hand, a compound having benzocarbazole as a substituent, such as a compound described in International Publication No. 2006/037429, has higher hole transportability due to its conjugation spreading than carbazole, but conjugation spreads more than necessary. As a result, the triplet level is lowered. When a compound with a low triplet level is used as an exciton blocking material and the device is fabricated, the emission efficiency decreases due to excitons leaking from the light-emitting layer, so that it has a higher triplet level. Is preferred.

以上のように、高い三重項準位を維持することと、高い正孔輸送性を発揮することはトレードオフの関係にあり、実用化段階で両立できる材料は見出されていなかった。本発明者らは、鋭意検討の結果、窒素原子上の骨格として、一般式（２）で表される基を有する化合物が、高い三重項準位を維持しつつ、高い正孔輸送性を有することを見出し、本発明に至った。   As described above, maintaining a high triplet level and exhibiting high hole transportability are in a trade-off relationship, and no material that can be compatible at the stage of practical use has been found. As a result of intensive studies, the present inventors have, as a skeleton on the nitrogen atom, a compound having a group represented by the general formula (2) has high hole transportability while maintaining a high triplet level. As a result, they have reached the present invention.

一般式（２）で表される基は、カルバゾール、ジベンゾフラン、ジベンゾチオフェン等を構成する２つのベンゼン環のうち、少なくとも一つが縮合芳香族炭化水素環もしくは縮合芳香族複素環である。このような基を有することで、共役が拡大してキャリアの授受が容易になり、正孔輸送性が向上する。そのなかでもＸがＮ−Ａｒ^５であるものがイオン化ポテンシャルを小さくする効果が大きいため、好ましい。In the group represented by the general formula (2), at least one of two benzene rings constituting carbazole, dibenzofuran, dibenzothiophene and the like is a condensed aromatic hydrocarbon ring or a condensed aromatic heterocyclic ring. By having such a group, conjugation expands and carrier transfer is facilitated, and hole transportability is improved. Among these, those in which X is N—Ar ⁵ are preferable because they have a large effect of reducing the ionization potential.

一般式（１）で表される化合物は、分子中にカルバゾール骨格が２個含まれることが好ましく、これにより、高い薄膜安定性と優れた耐熱性を有する。   The compound represented by the general formula (1) preferably contains two carbazole skeletons in the molecule, thereby having high thin film stability and excellent heat resistance.

一般式（１）において、Ｒ^１〜Ｒ^１６のうち２つのカルバゾールが連結する部分以外のものは、上記の中でも水素であることがより好ましい。In the general formula (1), it is more preferable among the above that R ^{1 to} R ¹⁶ other than the portion where two carbazoles are linked are hydrogen.

一般式（１）におけるＡｒ^１は置換もしくは無置換のフェニル基であるが、置換する場合の置換基としては、共役にほとんど影響を与えず、高い三重項準位を維持することができるという観点から、アルキル基またはハロゲンが好ましい。Ar ¹ in the general formula (1) is a substituted or unsubstituted phenyl group. In the case of substitution, the substituent can hardly maintain conjugation and can maintain a high triplet level. Therefore, an alkyl group or a halogen is preferable.

一般式（１）におけるＬは単結合、置換もしくは無置換のアリーレン基、または置換もしくは無置換のヘテロアリーレン基であるが、置換する場合の置換基としては、共役にほとんど影響を与えず、高い三重項準位を維持することができるという観点から、アルキル基またはハロゲンが好ましい。   L in the general formula (1) is a single bond, a substituted or unsubstituted arylene group, or a substituted or unsubstituted heteroarylene group, but the substituent in the case of substitution has little effect on conjugation and is high. From the viewpoint that the triplet level can be maintained, an alkyl group or a halogen is preferable.

一般式（１）において、一般式（２）で表される基はＬと連結するが、合成上の観点から、ＸがＮ−Ａｒ^５であり、Ａｒ^５の位置でＬと連結することがより好ましい。Ａｒ^５としてはフェニル基が好ましく、Ｌとの連結位置はメタ位もしくはパラ位であることがより好ましい。In the general formula (1), the group represented by the general formula (2) is linked to L. From the viewpoint of synthesis, X is N-Ar ⁵ and may be linked to L at the position of Ar ^5. More preferred. Ar ⁵ is preferably a phenyl group, and the connecting position to L is more preferably a meta position or a para position.

また、Ｘが酸素原子であり、環Ａおよび環Ｂのうちいずれかの位置でＬと連結することもより好ましい。   More preferably, X is an oxygen atom and is linked to L at any position of ring A and ring B.

一般式（１）で表される化合物のカルバゾール二量体骨格は、一般式（３）で表される化合物のように窒素原子がパラ位にあると、ベンジジン骨格と同様の部位を有するのでイオン化ポテンシャルを小さくすることができ、正孔注入性および正孔輸送性がさらに向上して発光効率及び素子の耐久性がより向上するため好ましい。   Since the carbazole dimer skeleton of the compound represented by the general formula (1) has the same site as the benzidine skeleton when the nitrogen atom is in the para position as in the compound represented by the general formula (3), it is ionized. This is preferable because the potential can be reduced, the hole injection property and the hole transport property are further improved, and the light emission efficiency and the durability of the device are further improved.

式中、Ｒ^２１〜Ｒ^３４はそれぞれ同じでも異なっていてもよく、水素、アルキル基、シクロアルキル基、複素環基、アルケニル基、シクロアルケニル基、アルキニル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アリールエーテル基、アリールチオエーテル基、アリール基、ヘテロアリール基、ハロゲン、カルボニル基、カルボキシル基、オキシカルボニル基およびカルバモイル基、シリル基、および−Ｐ（＝Ｏ）Ｒ^３５Ｒ^３６からなる群より選ばれる。Ｒ^３５およびＲ^３６はアリール基またはヘテロアリール基である。またＲ^３５およびＲ^３６が縮合して環を形成していてもよい。Ａｒ^６は置換もしくは無置換のフェニル基を表す。Ａｒ^７は前記一般式（２）で表される基であり、式中環Ａ、環Ｂ、およびＡｒ^５のうちいずれかの位置でＬと連結する。In the formula, each of R ^{21 to} R ³⁴ may be the same or different and is hydrogen, alkyl group, cycloalkyl group, heterocyclic group, alkenyl group, cycloalkenyl group, alkynyl group, alkoxy group, alkylthio group, aryl ether group. , An arylthioether group, an aryl group, a heteroaryl group, a halogen, a carbonyl group, a carboxyl group, an oxycarbonyl group and a carbamoyl group, a silyl group, and —P (═O) R ³⁵ R ³⁶ . R ³⁵ and R ³⁶ are an aryl group or a heteroaryl group. R ³⁵ and R ³⁶ may be condensed to form a ring. Ar ⁶ represents a substituted or unsubstituted phenyl group. Ar ⁷ is a group represented by the general formula (2), and is connected to L at any position among ring A, ring B, and Ar ⁵ .

さらに、一般式（２）で表される基が一般式（４）で表される基であることにより、イオン化ポテンシャルを浅くし、正孔注入性がさらに向上して発光効率及び素子の耐久性がより向上するためより好ましい。   Furthermore, since the group represented by the general formula (2) is a group represented by the general formula (4), the ionization potential is made shallower, the hole injection property is further improved, and the light emission efficiency and the durability of the device. Is more preferable because it is further improved.

式中、環Ｂは置換もしくは無置換の縮合芳香族炭化水素環、置換もしくは無置換の単環芳香族複素環、または置換もしくは無置換の縮合芳香族複素環を表す。Ｒ^３９〜Ｒ^４２はそれぞれ同じでも異なっていてもよく、水素、アルキル基、シクロアルキル基、複素環基、アルケニル基、シクロアルケニル基、アルキニル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アリールエーテル基、アリールチオエーテル基、アリール基、ヘテロアリール基、ハロゲン、カルボニル基、カルボキシル基、オキシカルボニル基およびカルバモイル基、シリル基、および−Ｐ（＝Ｏ）Ｒ^４３Ｒ^４４からなる群より選ばれる。Ｒ^４３およびＲ^４４はアリール基またはヘテロアリール基である。またＲ^４３およびＲ^４４が縮合して環を形成していてもよい。Ａｒ^８はアリール基もしくはヘテロアリール基を表す。但し、Ｒ^３９〜Ｒ^４２、Ａｒ^８および環Ｂのうちいずれかの位置でＬと連結する。In the formula, ring B represents a substituted or unsubstituted condensed aromatic hydrocarbon ring, a substituted or unsubstituted monocyclic aromatic heterocyclic ring, or a substituted or unsubstituted condensed aromatic heterocyclic ring. R ^{39 to} R ⁴² may be the same as or different from each other, and hydrogen, alkyl group, cycloalkyl group, heterocyclic group, alkenyl group, cycloalkenyl group, alkynyl group, alkoxy group, alkylthio group, aryl ether group, aryl thioether Selected from the group consisting of a group, an aryl group, a heteroaryl group, a halogen, a carbonyl group, a carboxyl group, an oxycarbonyl group and a carbamoyl group, a silyl group, and —P (═O) R ⁴³ R ⁴⁴ . R ⁴³ and R ⁴⁴ are an aryl group or a heteroaryl group. R ⁴³ and R ⁴⁴ may be condensed to form a ring. Ar ⁸ represents an aryl group or a heteroaryl group. However, it is connected to L at any position among R ^{39 to} R ⁴² , Ar ⁸ and ring B.

環Ｂは下記一般式（５）〜（８）のいずれかで表される構造であることが好ましい。環Ｂが下記一般式（５）〜（８）のいずれかで表される構造であると、高いキャリア移動度を発現する。その結果、発光素子のさらなる低駆動電圧化が可能となり、発光効率をより向上させることができる。また、昇華性、蒸着安定性及び結晶性の低下や高いガラス転移温度による膜の安定性が向上する。   Ring B preferably has a structure represented by any of the following general formulas (5) to (8). When the ring B has a structure represented by any one of the following general formulas (5) to (8), high carrier mobility is expressed. As a result, the driving voltage of the light emitting element can be further reduced, and the light emission efficiency can be further improved. In addition, the sublimation property, deposition stability, crystallinity deterioration, and film stability due to high glass transition temperature are improved.

式中、Ｒ^４５〜Ｒ^７０はそれぞれ同じでも異なっていてもよく、水素、アルキル基、シクロアルキル基、複素環基、アルケニル基、シクロアルケニル基、アルキニル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アリールエーテル基、アリールチオエーテル基、アリール基、ヘテロアリール基、ハロゲン、カルボニル基、カルボキシル基、オキシカルボニル基およびカルバモイル基、シリル基、および−Ｐ（＝Ｏ）Ｒ^７１Ｒ^７２からなる群より選ばれる。Ｒ^７１およびＲ^７２はアリール基またはヘテロアリール基である。またＲ^７１およびＲ^７２が縮合して環を形成していてもよい。但し、一般式（５）の場合はＲ^３９〜Ｒ^４２、Ｒ^４５〜Ｒ^５０およびＡｒ^８のうちいずれかの位置で、一般式（６）の場合はＲ^３９〜Ｒ^４２、Ｒ^５１〜Ｒ^５６およびＡｒ^８のうちいずれかの位置で、一般式（７）の場合はＲ^３９〜Ｒ^４２、Ｒ^４７〜Ｒ^６２およびＡｒ^８のうちいずれかの位置で、一般式（８）の場合はＲ^３９〜Ｒ^４２、Ｒ^６３〜Ｒ^７０およびＡｒ^８のうちいずれかの位置で、Ｌと連結する。In the formula, each of R ^{45 to} R ⁷⁰ may be the same or different, and is hydrogen, alkyl group, cycloalkyl group, heterocyclic group, alkenyl group, cycloalkenyl group, alkynyl group, alkoxy group, alkylthio group, aryl ether group. , An arylthioether group, an aryl group, a heteroaryl group, a halogen, a carbonyl group, a carboxyl group, an oxycarbonyl group and a carbamoyl group, a silyl group, and —P (═O) R ⁷¹ R ⁷² . R ⁷¹ and R ⁷² are an aryl group or a heteroaryl group. R ⁷¹ and R ⁷² may be condensed to form a ring. However, in the case of general formula (5), at any position among R ^{39 to} R ⁴² , R ^{45 to} R ⁵⁰ and Ar ⁸ , in the case of general formula (6), R ^{39 to} R ⁴² , R ^{51 to} R ⁵⁶ and Ar ⁸ , in the case of general formula (7), at any position among R ^{39 to} R ⁴² , R ^{47 to} R ⁶² and Ar ⁸ , and in the case of general formula (8) L is linked to L at any position among R ^{39 to} R ⁴² , R ^{63 to} R ⁷⁰ and Ar ⁸ .

上記のうち例えばＲ^３９〜Ｒ^４２、Ｒ^４５〜Ｒ^５０およびＡｒ^８のうちいずれかの位置でＬと連結するとは次のようなことをいう。まず、Ｒ^３９〜Ｒ^４２、Ｒ^４５〜Ｒ^５０の位置でＬと連結するとは、例えばＲ^４８と結合している炭素原子とＬが直接結合することをいう。また、Ａｒ^８の位置でＬと連結するとは、Ａｒ^８を構成する炭素原子のいずれかとＬが直接結合することをいう。For example, connecting to L at any position among R ^{39 to} R ⁴² , R ^{45 to} R ⁵⁰ and Ar ⁸ among the above refers to the following. First, linking to L at the positions of R ^{39 to} R ⁴² and R ^{45 to} R ⁵⁰ means that L is directly bonded to, for example, a carbon atom bonded to R ⁴⁸ . Further, the coupling with L at a position of the Ar ⁸ refers to the L binds directly with any of the carbon atoms constituting the Ar ^8.

連結する位置としては、合成上の観点からＡｒ^８の位置で連結することがより好ましい。また、Ｘが酸素原子であり、Ｒ^３９〜Ｒ^４２のうちいずれかの位置でＬと連結することもより好ましい。As a connecting position, it is more preferable to connect at the position of Ar ⁸ from the viewpoint of synthesis. Moreover, it is more preferable that X is an oxygen atom and is connected to L at any position among R ^{39 to} R ⁴² .

一般式（４）において、Ｒ^３９〜Ｒ^７０のうちＬと連結する部分以外のものは、上記の中でも水素であることがより好ましい。In the general formula (4), among R ^{39 to} R ⁷⁰ , those other than the portion linked to L are more preferably hydrogen among the above.

一般式（２）で表される基としては、特に限定されるものではないが、具体的には以下のような例が挙げられる。   Although it does not specifically limit as group represented by General formula (2), The following examples are specifically mentioned.

Ｒ^１〜Ｒ^７０は原料入手の容易さや、合成コストを考慮すると、その全てが水素であることが最も好ましい。Ｒ^１〜Ｒ^７０が水素以外の基である場合、三重項準位を低下せず、イオン化ポテンシャルを大きくする効果の少ない基として、アルキル基、シクロアルキル基、アルコキシ基であることが好ましい。これらの基はさらに置換されていてもよい。R ^{1 to} R ⁷⁰ are most preferably hydrogen in consideration of the availability of raw materials and the cost of synthesis. When R ^{1 to} R ⁷⁰ are a group other than hydrogen, an alkyl group, a cycloalkyl group, or an alkoxy group is preferable as a group that does not lower the triplet level and has little effect of increasing the ionization potential. These groups may be further substituted.

上記一般式（１）で表される化合物としては、特に限定されるものではないが、具体的には以下のような例が挙げられる。なお、以下は例示であり、ここに明記された化合物以外であっても一般式（１）で表されるものであれば同様に好ましく用いられる。   Although it does not specifically limit as a compound represented by the said General formula (1), Specifically, the following examples are given. In addition, the following is an illustration, and even if it is other than the compound specified here, if it is represented by General formula (1), it is preferably used similarly.

上記のようなカルバゾール骨格を有する化合物の合成には、公知の方法を使用することができる。カルバゾール二量体を合成する方法としては、例えば、パラジウムや銅触媒を用いたカルバゾール誘導体とハロゲン化物またはトリフラート化体とのカップリング反応を用いる方法が挙げられるが、これに限定されるものではない。一例として、９−フェニルカルバゾール−３−ボロン酸を用いた例を以下に示す。   A known method can be used for the synthesis of the compound having a carbazole skeleton as described above. Examples of the method for synthesizing the carbazole dimer include a method using a coupling reaction between a carbazole derivative using a palladium or copper catalyst and a halide or triflate, but is not limited thereto. . As an example, an example using 9-phenylcarbazole-3-boronic acid is shown below.

なお、上記の反応において、９−フェニルカルバゾール−３−ボロン酸の代わりに９−フェニルカルバゾール−２−ボロン酸エステルを用いても同様に反応は進行する。この場合は、カルバゾール二量体の位置異性体を合成することが出来る。   In the above reaction, the reaction proceeds similarly even when 9-phenylcarbazole-2-boronic acid ester is used instead of 9-phenylcarbazole-3-boronic acid. In this case, a positional isomer of a carbazole dimer can be synthesized.

また、カルバゾールのＮ上に置換基を導入する方法としては、例えば、パラジウムや銅触媒を用いたカルバゾール誘導体とハロゲン化物とのカップリング反応を用いる方法が挙げられるが、これ限定されるものではない。一例として、８−クロロ−１１−フェニル−１１Ｈ−ベンゾ［ａ］カルバゾール（中間体Ｃ）または１１−（３−クロロフェニル）−１１Ｈ−ベンゾ［ａ］カルバゾール（中間体Ｅ）を用いた例を以下に示す。   Examples of a method for introducing a substituent onto N of carbazole include a method using a coupling reaction between a carbazole derivative and a halide using a palladium or copper catalyst, but is not limited thereto. . As an example, an example using 8-chloro-11-phenyl-11H-benzo [a] carbazole (intermediate C) or 11- (3-chlorophenyl) -11H-benzo [a] carbazole (intermediate E) is as follows. Shown in

一般式（１）で表される化合物は発光素子材料として用いられる。ここで本発明における発光素子材料とは、発光素子のいずれかの層に使用される材料を表し、後述するように、正孔注入層、正孔輸送層、発光層および／または電子輸送層に使用される材料であるほか、陰極の保護膜に使用される材料も含む。本発明における一般式（１）で表される化合物を発光素子のいずれかの層に使用することにより、高い発光効率が得られ、かつ耐久性に優れた発光素子が得られる。   The compound represented by the general formula (1) is used as a light emitting device material. Here, the light emitting device material in the present invention represents a material used for any layer of the light emitting device, and as described later, in the hole injection layer, the hole transport layer, the light emitting layer and / or the electron transport layer. In addition to the materials used, the materials used for the cathode protective film are also included. By using the compound represented by the general formula (1) in the present invention in any layer of the light-emitting element, a light-emitting element having high luminous efficiency and excellent durability can be obtained.

次に、本発明の発光素子の実施の形態について詳細に説明する。本発明の発光素子は、陽極と陰極、およびそれら陽極と陰極との間に介在する有機層を有し、該有機層が電気エネルギーにより発光する。   Next, embodiments of the light emitting device of the present invention will be described in detail. The light emitting device of the present invention has an anode and a cathode and an organic layer interposed between the anode and the cathode, and the organic layer emits light by electric energy.

このような発光素子における陽極と陰極の間の層構成は、発光層のみからなる構成の他に、１）発光層／電子輸送層、２）正孔輸送層／発光層、３）正孔輸送層／発光層／電子輸送層、４）正孔注入層／正孔輸送層／発光層／電子輸送層、５）正孔輸送層／発光層／電子輸送層／電子注入層、６）正孔注入層／正孔輸送層／発光層／電子輸送層／電子注入層といった積層構成が挙げられる。また、上記各層は、それぞれ単一層、複数層のいずれでもよく、ドーピングされていてもよい。   In such a light emitting device, the layer structure between the anode and the cathode is composed of only the light emitting layer, 1) light emitting layer / electron transport layer, 2) hole transport layer / light emitting layer, and 3) hole transport. Layer / light emitting layer / electron transport layer, 4) hole injection layer / hole transport layer / light emitting layer / electron transport layer, 5) hole transport layer / light emitting layer / electron transport layer / electron injection layer, 6) hole A laminated structure such as injection layer / hole transport layer / light emitting layer / electron transport layer / electron injection layer can be mentioned. Each of the layers may be either a single layer or a plurality of layers, and may be doped.

一般式（１）で表される化合物は、発光素子において上記のいずれの層に用いられてもよいが、正孔輸送層に特に好適に用いられる。   The compound represented by the general formula (1) may be used in any of the above layers in the light emitting device, but is particularly preferably used in the hole transport layer.

本発明の発光素子において、陽極と陰極は素子の発光のために十分な電流を供給するための役割を有するものであり、光を取り出すために少なくとも一方は透明または半透明であることが望ましい。通常、基板上に形成される陽極を透明電極とする。   In the light emitting device of the present invention, the anode and the cathode have a role for supplying a sufficient current for light emission of the device, and at least one of them is preferably transparent or translucent in order to extract light. Usually, the anode formed on the substrate is a transparent electrode.

陽極に用いる材料は、正孔を有機層に効率よく注入できる材料、かつ光を取り出すために透明または半透明であれば、酸化亜鉛、酸化錫、酸化インジウム、酸化錫インジウム（ＩＴＯ）、酸化亜鉛インジウム（ＩＺＯ）などの導電性金属酸化物、あるいは、金、銀、クロムなどの金属、ヨウ化銅、硫化銅などの無機導電性物質、ポリチオフェン、ポリピロール、ポリアニリンなどの導電性ポリマーなど特に限定されるものでないが、ＩＴＯガラスやネサガラスを用いることが特に望ましい。これらの電極材料は、単独で用いてもよいが、複数の材料を積層または混合して用いてもよい。透明電極の抵抗は素子の発光に十分な電流が供給できればよいので限定されないが、素子の消費電力の観点からは低抵抗であることが望ましい。例えば３００Ω／□以下のＩＴＯ基板であれば素子電極として機能するが、現在では１０Ω／□程度の基板の供給も可能になっていることから、２０Ω／□以下の低抵抗の基板を使用することが特に望ましい。ＩＴＯの厚みは抵抗値に合わせて任意に選ぶ事ができるが、通常４５〜３００ｎｍの間で用いられることが多い。   If the material used for the anode is a material that can efficiently inject holes into the organic layer and is transparent or translucent to extract light, zinc oxide, tin oxide, indium oxide, indium tin oxide (ITO), zinc oxide In particular, conductive metal oxides such as indium (IZO), metals such as gold, silver and chromium, inorganic conductive materials such as copper iodide and copper sulfide, and conductive polymers such as polythiophene, polypyrrole and polyaniline are particularly limited. Although not intended, it is particularly desirable to use ITO glass or Nesa glass. These electrode materials may be used alone, or a plurality of materials may be laminated or mixed. The resistance of the transparent electrode is not limited as long as a current sufficient for light emission of the element can be supplied, but it is desirable that the resistance be low from the viewpoint of power consumption of the element. For example, an ITO substrate with a resistance of 300Ω / □ or less will function as a device electrode, but since it is now possible to supply a substrate with a resistance of approximately 10Ω / □, use a substrate with a low resistance of 20Ω / □ or less. Is particularly desirable. The thickness of ITO can be arbitrarily selected according to the resistance value, but is usually used in a range of 45 to 300 nm.

また、発光素子の機械的強度を保つために、発光素子を基板上に形成することが好ましい。基板は、ソーダガラスや無アルカリガラスなどのガラス基板が好適に用いられる。ガラス基板の厚みは、機械的強度を保つのに十分な厚みがあればよいので、０．５ｍｍ以上あれば十分である。ガラスの材質については、ガラスからの溶出イオンが少ない方がよいので無アルカリガラスの方が好ましい。または、ＳｉＯ_２などのバリアコートを施したソーダライムガラスも市販されているのでこれを使用することもできる。さらに、第一電極が安定に機能するのであれば、基板はガラスである必要はなく、例えば、プラスチック基板上に陽極を形成しても良い。ＩＴＯ膜形成方法は、電子線ビーム法、スパッタリング法および化学反応法など特に制限を受けるものではない。In order to maintain the mechanical strength of the light emitting element, the light emitting element is preferably formed over a substrate. As the substrate, a glass substrate such as soda glass or non-alkali glass is preferably used. As the thickness of the glass substrate, it is sufficient that the thickness is sufficient to maintain the mechanical strength. As for the glass material, alkali-free glass is preferred because it is better that there are fewer ions eluted from the glass. Alternatively, soda lime glass provided with a barrier coat such as SiO ₂ is also commercially available and can be used. Furthermore, if the first electrode functions stably, the substrate need not be glass, and for example, an anode may be formed on a plastic substrate. The ITO film forming method is not particularly limited, such as an electron beam method, a sputtering method, and a chemical reaction method.

陰極に用いる材料は、電子を効率よく発光層に注入できる物質であれば特に限定されない。一般的には白金、金、銀、銅、鉄、錫、アルミニウム、インジウムなどの金属、またはこれらの金属とリチウム、ナトリウム、カリウム、カルシウム、マグネシウムなどの低仕事関数金属との合金や多層積層などが好ましい。中でも、主成分としてはアルミニウム、銀、マグネシウムが電気抵抗値や製膜しやすさ、膜の安定性、発光効率などの面から好ましい。特にマグネシウムと銀で構成されると、本発明における電子輸送層および電子注入層への電子注入が容易になり、低電圧駆動が可能になるため好ましい。   The material used for the cathode is not particularly limited as long as it can efficiently inject electrons into the light emitting layer. Generally, metals such as platinum, gold, silver, copper, iron, tin, aluminum, and indium, or alloys and multilayer stacks of these metals with low work function metals such as lithium, sodium, potassium, calcium, and magnesium Is preferred. Among these, aluminum, silver, and magnesium are preferable as the main component from the viewpoints of electrical resistance, ease of film formation, film stability, luminous efficiency, and the like. In particular, magnesium and silver are preferable because electron injection into the electron transport layer and the electron injection layer in the present invention is facilitated and low voltage driving is possible.

さらに、陰極保護のために白金、金、銀、銅、鉄、錫、アルミニウムおよびインジウムなどの金属、またはこれら金属を用いた合金、シリカ、チタニアおよび窒化ケイ素などの無機物、ポリビニルアルコール、ポリ塩化ビニル、炭化水素系高分子化合物などの有機高分子化合物を、保護膜層として陰極上に積層することが好ましい例として挙げられる。ただし、陰極側から光を取り出す素子構造（トップエミッション構造）の場合は、保護膜層は可視光領域で光透過性のある材料から選択される。これらの電極の作製法は、抵抗加熱、電子線ビーム、スパッタリング、イオンプレーティングおよびコーティングなど特に制限されない。   Furthermore, for cathode protection, metals such as platinum, gold, silver, copper, iron, tin, aluminum and indium, or alloys using these metals, inorganic materials such as silica, titania and silicon nitride, polyvinyl alcohol, polyvinyl chloride As a preferred example, an organic polymer compound such as a hydrocarbon polymer compound is laminated on the cathode as a protective film layer. However, in the case of an element structure (top emission structure) that extracts light from the cathode side, the protective film layer is selected from materials that are light transmissive in the visible light region. The production method of these electrodes is not particularly limited, such as resistance heating, electron beam, sputtering, ion plating and coating.

正孔注入層は陽極と正孔輸送層の間に挿入される層である。正孔注入層は１層であっても複数の層が積層されていてもどちらでもよい。正孔輸送層と陽極の間に正孔注入層が存在すると、より低電圧駆動し、耐久寿命も向上するだけでなく、さらに素子のキャリアバランスが向上して発光効率も向上するため好ましい。   The hole injection layer is a layer inserted between the anode and the hole transport layer. The hole injection layer may be either a single layer or a plurality of layers stacked. The presence of a hole injection layer between the hole transport layer and the anode is preferable because it not only drives at a lower voltage and improves the durability life, but also improves the carrier balance of the device and the light emission efficiency.

正孔注入層に用いられる材料は特に限定されないが、例えば、４，４’−ビス（Ｎ−（３−メチルフェニル）−Ｎ−フェニルアミノ）ビフェニル（ＴＰＤ）、４，４’−ビス（Ｎ−（１−ナフチル）−Ｎ−フェニルアミノ）ビフェニル（ＮＰＤ）、４，４’−ビス（Ｎ，Ｎ−ビス（４−ビフェニリル）アミノ）ビフェニル（ＴＢＤＢ），ビス（Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−４−アミノフェニル）−Ｎ，Ｎ−ジフェニル−４，４’ −ジアミノ−１，１’−ビフェニル（ＴＰＤ２３２）といったベンジジン誘導体、４，４’，４”−トリス（３−メチルフェニル（フェニル）アミノ）トリフェニルアミン（ｍ−ＭＴＤＡＴＡ）、４，４’，４”−トリス（１−ナフチル（フェニル）アミノ）トリフェニルアミン（１−ＴＮＡＴＡ）などのスターバーストアリールアミンと呼ばれる材料群、ビス（Ｎ−アリールカルバゾール）またはビス（Ｎ−アルキルカルバゾール）などのビスカルバゾール誘導体、ピラゾリン誘導体、スチルベン系化合物、ヒドラゾン系化合物、ベンゾフラン誘導体、チオフェン誘導体、オキサジアゾール誘導体、フタロシアニン誘導体、ポルフィリン誘導体などの複素環化合物、ポリマー系では前記単量体を側鎖に有するポリカーボネートやスチレン誘導体、ポリチオフェン、ポリアニリン、ポリフルオレン、ポリビニルカルバゾールおよびポリシランなどが用いられる。また、一般式（１）で表される化合物を用いることもできる。中でも一般式（１）で表される化合物より浅いＨＯＭＯ準位を有し、陽極から正孔輸送層へ円滑に正孔を注入輸送するという観点からベンジジン誘導体、スターバーストアリールアミン系材料群がより好ましく用いられる。   The material used for the hole injection layer is not particularly limited. For example, 4,4′-bis (N- (3-methylphenyl) -N-phenylamino) biphenyl (TPD), 4,4′-bis (N -(1-naphthyl) -N-phenylamino) biphenyl (NPD), 4,4'-bis (N, N-bis (4-biphenylyl) amino) biphenyl (TBDB), bis (N, N'-diphenyl- Benzidine derivatives such as 4-aminophenyl) -N, N-diphenyl-4,4′-diamino-1,1′-biphenyl (TPD232), 4,4 ′, 4 ″ -tris (3-methylphenyl (phenyl) amino ) Starvers such as triphenylamine (m-MTDATA), 4,4 ′, 4 ″ -tris (1-naphthyl (phenyl) amino) triphenylamine (1-TNATA) Material group called triarylamine, biscarbazole derivatives such as bis (N-arylcarbazole) or bis (N-alkylcarbazole), pyrazoline derivatives, stilbene compounds, hydrazone compounds, benzofuran derivatives, thiophene derivatives, oxadiazole derivatives , Phthalocyanine derivatives, heterocyclic compounds such as porphyrin derivatives, and polymer systems such as polycarbonates and styrene derivatives, polythiophene, polyaniline, polyfluorene, polyvinylcarbazole, and polysilane having the above monomers in the side chain are used. Moreover, the compound represented by General formula (1) can also be used. Among them, there are more benzidine derivatives and starburst arylamine group materials from the viewpoint of having a shallower HOMO level than the compound represented by the general formula (1) and smoothly injecting and transporting holes from the anode to the hole transport layer. Preferably used.

これらの材料は単独で用いてもよいし、２種以上の材料を混合して用いてもよい。また、複数の材料を積層して正孔注入層としてもよい。さらにこの正孔注入層が、アクセプター性化合物単独で構成されているか、または上記のような正孔注入材料にアクセプター性化合物をドープして用いると、上述した効果がより顕著に得られるのでより好ましい。アクセプター性化合物とは、単層膜として用いる場合は接している正孔輸送層と、ドープして用いる場合は正孔注入層を構成する材料と電荷移動錯体を形成する材料である。このような材料を用いると正孔注入層の導電性が向上し、より素子の駆動電圧低下に寄与し、発光効率の向上、耐久寿命向上といった効果が得られる。   These materials may be used alone or as a mixture of two or more materials. A plurality of materials may be stacked to form a hole injection layer. Further, it is more preferable that the hole injection layer is composed of an acceptor compound alone or that the hole injection material is doped with an acceptor compound so that the above-described effects can be obtained more remarkably. . An acceptor compound is a material that forms a charge transfer complex with a material that forms a hole-injecting layer in contact with a hole-transporting layer when used as a single-layer film and a material that forms a hole-injecting layer when used as a doped layer. When such a material is used, the conductivity of the hole injection layer is improved, which contributes to lowering of the driving voltage of the device, and the effects of improving the light emission efficiency and improving the durability life can be obtained.

アクセプター性化合物の例としては、塩化鉄（III）、塩化アルミニウム、塩化ガリウム、塩化インジウム、塩化アンチモンのような金属塩化物、酸化モリブデン、酸化バナジウム、酸化タングステン、酸化ルテニウムのような金属酸化物、トリス（４−ブロモフェニル）アミニウムヘキサクロロアンチモネート（ＴＢＰＡＨ）のような電荷移動錯体が挙げられる。また分子内にニトロ基、シアノ基、ハロゲンまたはトリフルオロメチル基を有する有機化合物や、キノン系化合物、酸無水物系化合物、フラーレンなども好適に用いられる。これらの化合物の具体的な例としては、ヘキサシアノブタジエン、ヘキサシアノベンゼン、テトラシアノエチレン、テトラシアノキノジメタン（ＴＣＮＱ）、テトラフルオロテトラシアノキノジメタン（Ｆ４−ＴＣＮＱ）、ラジアレーン誘導体、ｐ−フルオラニル、ｐ−クロラニル、ｐ−ブロマニル、ｐ−ベンゾキノン、２，６−ジクロロベンゾキノン、２，５−ジクロロベンゾキノン、テトラメチルベンゾキノン、１，２，４，５−テトラシアノベンゼン、ｏ−ジシアノベンゼン、ｐ−ジシアノベンゼン、１，４−ジシアノテトラフルオロベンゼン、２，３−ジクロロ−５，６−ジシアノベンゾキノン、ｐ−ジニトロベンゼン、ｍ−ジニトロベンゼン、ｏ−ジニトロベンゼン、ｐ−シアノニトロベンゼン、ｍ−シアノニトロベンゼン、ｏ−シアノニトロベンゼン、１，４−ナフトキノン、２，３−ジクロロナフトキノン、１−ニトロナフタレン、２−ニトロナフタレン、１，３−ジニトロナフタレン、１，５−ジニトロナフタレン、９−シアノアントラセン、９−ニトロアントラセン、９，１０−アントラキノン、１，３，６，８−テトラニトロカルバゾール、２，４，７−トリニトロ−９−フルオレノン、２，３，５，６−テトラシアノピリジン、マレイン酸無水物、フタル酸無水物、Ｃ６０、およびＣ７０などが挙げられる。   Examples of acceptor compounds include metal chlorides such as iron (III) chloride, aluminum chloride, gallium chloride, indium chloride, antimony chloride, metal oxides such as molybdenum oxide, vanadium oxide, tungsten oxide, ruthenium oxide, A charge transfer complex such as tris (4-bromophenyl) aminium hexachloroantimonate (TBPAH). In addition, organic compounds having a nitro group, cyano group, halogen or trifluoromethyl group in the molecule, quinone compounds, acid anhydride compounds, fullerenes, and the like are also preferably used. Specific examples of these compounds include hexacyanobutadiene, hexacyanobenzene, tetracyanoethylene, tetracyanoquinodimethane (TCNQ), tetrafluorotetracyanoquinodimethane (F4-TCNQ), a radiane derivative, p-fluoranyl, p-chloranil, p-bromilyl, p-benzoquinone, 2,6-dichlorobenzoquinone, 2,5-dichlorobenzoquinone, tetramethylbenzoquinone, 1,2,4,5-tetracyanobenzene, o-dicyanobenzene, p-dicyano Benzene, 1,4-dicyanotetrafluorobenzene, 2,3-dichloro-5,6-dicyanobenzoquinone, p-dinitrobenzene, m-dinitrobenzene, o-dinitrobenzene, p-cyanonitrobenzene, m-cyanonitrobenzene, o − Anonitrobenzene, 1,4-naphthoquinone, 2,3-dichloronaphthoquinone, 1-nitronaphthalene, 2-nitronaphthalene, 1,3-dinitronaphthalene, 1,5-dinitronaphthalene, 9-cyanoanthracene, 9-nitroanthracene, 9,10-anthraquinone, 1,3,6,8-tetranitrocarbazole, 2,4,7-trinitro-9-fluorenone, 2,3,5,6-tetracyanopyridine, maleic anhydride, phthalic anhydride Product, C60, and C70.

これらの中でも、金属酸化物やシアノ基含有化合物が取り扱いやすく、蒸着もしやすいことから、容易に上述した効果が得られるので好ましい。正孔注入層がアクセプター性化合物単独で構成される場合、または正孔注入層にアクセプター性化合物がドープされている場合のいずれの場合も、正孔注入層は１層であってもよいし、複数の層が積層されて構成されていてもよい。   Among these, metal oxides and cyano group-containing compounds are preferable because they are easy to handle and easy to deposit, so that the above-described effects can be easily obtained. In any case where the hole injection layer is composed of an acceptor compound alone or when the hole injection layer is doped with an acceptor compound, the hole injection layer may be a single layer, A plurality of layers may be laminated.

正孔輸送層は、陽極から注入された正孔を発光層まで輸送する層である。正孔輸送層は単層であっても複数の層が積層されて構成されていてもどちらでもよい。   The hole transport layer is a layer that transports holes injected from the anode to the light emitting layer. The hole transport layer may be a single layer or may be configured by laminating a plurality of layers.

一般式（１）で表される化合物は、５．１〜６．０ｅＶのイオン化ポテンシャル（蒸着膜のAC-2（理研計器）測定値）、高い三重項エネルギー準位、高い正孔輸送性および薄膜安定性を有しているため、発光素子の正孔注入層および正孔輸送層に用いることが好ましい。また、一般式（１）で表される化合物は、従来のベンジジン骨格を有する正孔輸送材料に対してエネルギーギャップが大きいため、ＬＵＭＯ準位が高く、電子ブロック性に優れる。さらに、一般式（１）で表される化合物は三重項発光材料を使用した素子の正孔輸送材料として用いることが好ましい。従来のベンジジン骨格を有する正孔輸送材料は三重項準位が低く、三重項発光材料を含有する発光層に直接接していると三重項エネルギーの漏れが発生し、発光効率が低下するが、一般式（１）で表される化合物は高い三重項エネルギーを有しており、そのような問題が生じないからである。   The compound represented by the general formula (1) has an ionization potential of 5.1 to 6.0 eV (measured value of deposited film AC-2 (RIKEN meter)), a high triplet energy level, a high hole transport property and Since it has thin film stability, it is preferably used for the hole injection layer and the hole transport layer of the light-emitting element. In addition, the compound represented by the general formula (1) has a large energy gap with respect to a conventional hole transport material having a benzidine skeleton, and thus has a high LUMO level and an excellent electron blocking property. Furthermore, the compound represented by the general formula (1) is preferably used as a hole transport material of an element using a triplet light emitting material. A conventional hole transport material having a benzidine skeleton has a low triplet level, and if it is in direct contact with a light-emitting layer containing a triplet light-emitting material, leakage of triplet energy occurs and the light emission efficiency decreases. This is because the compound represented by the formula (1) has a high triplet energy and does not cause such a problem.

複数層の正孔輸送層から構成される場合は、一般式（１）で表される化合物を含む正孔輸送層は発光層に直接接していることが好ましい。一般式（１）で表される化合物は高い電子ブロック性を有しており、発光層から流れ出る電子の侵入を防止することができるからである。さらに、一般式（１）で表される化合物は、高い三重項準位を有しているため、三重項発光材料の励起エネルギーを閉じ込める効果も有している。そのため、発光層に三重項発光材料が含まれる場合も、一般式（１）で表される化合物を含む正孔輸送層は、発光層に直接接していることが好ましい。   In the case of being composed of a plurality of hole transport layers, the hole transport layer containing the compound represented by the general formula (1) is preferably in direct contact with the light emitting layer. This is because the compound represented by the general formula (1) has a high electron blocking property and can prevent intrusion of electrons flowing out from the light emitting layer. Furthermore, since the compound represented by the general formula (1) has a high triplet level, it also has an effect of confining the excitation energy of the triplet light-emitting material. Therefore, even when a triplet light emitting material is included in the light emitting layer, the hole transport layer containing the compound represented by the general formula (1) is preferably in direct contact with the light emitting layer.

正孔輸送層は一般式（１）で表される化合物のみから構成されていてもよいし、本発明の効果を損なわない範囲で他の材料が混合されていてもよい。この場合、用いられる他の材料としては、例えば、４，４’−ビス（Ｎ−（３−メチルフェニル）−Ｎ−フェニルアミノ）ビフェニル（ＴＰＤ）、４，４’−ビス（Ｎ−（１−ナフチル）−Ｎ−フェニルアミノ）ビフェニル（ＮＰＤ）、４，４’−ビス（Ｎ，Ｎ−ビス（４−ビフェニリル）アミノ）ビフェニル（ＴＢＤＢ），ビス（Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−４−アミノフェニル）−Ｎ，Ｎ−ジフェニル−４，４’−ジアミノ−１，１’−ビフェニル（ＴＰＤ２３２）といったベンジジン誘導体、４，４’，４”−トリス（３−メチルフェニル（フェニル）アミノ）トリフェニルアミン（ｍ−ＭＴＤＡＴＡ）、４，４’，４”−トリス（１−ナフチル（フェニル）アミノ）トリフェニルアミン（１−ＴＮＡＴＡ）などのスターバーストアリールアミンと呼ばれる材料群、ビス（Ｎ−アリールカルバゾール）またはビス（Ｎ−アルキルカルバゾール）などのビスカルバゾール誘導体、ピラゾリン誘導体、スチルベン系化合物、ヒドラゾン系化合物、ベンゾフラン誘導体、チオフェン誘導体、オキサジアゾール誘導体、フタロシアニン誘導体、ポルフィリン誘導体などの複素環化合物、ポリマー系では前記単量体を側鎖に有するポリカーボネートやスチレン誘導体、ポリチオフェン、ポリアニリン、ポリフルオレン、ポリビニルカルバゾールおよびポリシランなどが挙げられる。   The hole transport layer may be composed only of the compound represented by the general formula (1), or may be mixed with other materials as long as the effects of the present invention are not impaired. In this case, examples of other materials used include 4,4′-bis (N- (3-methylphenyl) -N-phenylamino) biphenyl (TPD), 4,4′-bis (N- (1 -Naphtyl) -N-phenylamino) biphenyl (NPD), 4,4'-bis (N, N-bis (4-biphenylyl) amino) biphenyl (TBDB), bis (N, N'-diphenyl-4-amino) Benzidine derivatives such as phenyl) -N, N-diphenyl-4,4′-diamino-1,1′-biphenyl (TPD232), 4,4 ′, 4 ″ -tris (3-methylphenyl (phenyl) amino) triphenyl Starburst aryl such as amine (m-MTDATA), 4,4 ′, 4 ″ -tris (1-naphthyl (phenyl) amino) triphenylamine (1-TNATA) A group of materials called min, biscarbazole derivatives such as bis (N-arylcarbazole) or bis (N-alkylcarbazole), pyrazoline derivatives, stilbene compounds, hydrazone compounds, benzofuran derivatives, thiophene derivatives, oxadiazole derivatives, phthalocyanines Derivatives, heterocyclic compounds such as porphyrin derivatives, in the case of polymer systems, polycarbonates and styrene derivatives, polythiophene, polyaniline, polyfluorene, polyvinylcarbazole, polysilane and the like having the above-mentioned monomer in the side chain are exemplified.

発光層は単一層、複数層のどちらでもよく、それぞれ発光材料（ホスト材料、ドーパント材料）により形成され、これはホスト材料とドーパント材料との混合物であっても、ホスト材料単独であっても、2種類のホスト材料と１種類のドーパント材料との混合物であっても、いずれでもよい。すなわち、本発明の発光素子では、各発光層において、ホスト材料もしくはドーパント材料のみが発光してもよいし、ホスト材料とドーパント材料がともに発光してもよい。電気エネルギーを効率よく利用し、高色純度の発光を得るという観点からは、発光層はホスト材料とドーパント材料の混合からなることが好ましい。また、ホスト材料とドーパント材料は、それぞれ一種類であっても、複数の組み合わせであっても、いずれでもよい。ドーパント材料はホスト材料の全体に含まれていても、部分的に含まれていても、いずれでもよい。ドーパント材料は積層されていても、分散されていても、いずれでもよい。ドーパント材料は発光色の制御ができる。ドーパント材料の量は、多すぎると濃度消光現象が起きるため、ホスト材料に対して３０重量％以下で用いることが好ましく、さらに好ましくは２０重量％以下である。ドーピング方法は、ホスト材料との共蒸着法によって形成することができるが、ホスト材料と予め混合してから同時に蒸着してもよい。一般式（１）で表される化合物は高い三重項エネルギーを有するため、発光素子のホスト材料として用いられることが好ましく、特に三重項発光材料を使用した発光素子のホスト材料として用いられることが好ましい。   The light emitting layer may be either a single layer or a plurality of layers, each formed by a light emitting material (host material, dopant material), which may be a mixture of a host material and a dopant material or a host material alone, It may be either a mixture of two types of host materials and one type of dopant material. That is, in the light emitting element of the present invention, only the host material or the dopant material may emit light in each light emitting layer, or both the host material and the dopant material may emit light. From the viewpoint of efficiently using electric energy and obtaining light emission with high color purity, the light emitting layer is preferably composed of a mixture of a host material and a dopant material. Further, the host material and the dopant material may be either one kind or a plurality of combinations, respectively. The dopant material may be included in the entire host material or may be partially included. The dopant material may be laminated or dispersed. The dopant material can control the emission color. When the amount of the dopant material is too large, a concentration quenching phenomenon occurs, so that it is preferably used at 30% by weight or less, more preferably 20% by weight or less based on the host material. The doping method can be formed by a co-evaporation method with a host material, but may be simultaneously deposited after being previously mixed with the host material. Since the compound represented by the general formula (1) has high triplet energy, it is preferably used as a host material of a light-emitting element, and particularly preferably used as a host material of a light-emitting element using a triplet light-emitting material. .

発光材料は、一般式（１）で表される化合物の他に、以前から発光体として知られていたアントラセンやピレンなどの縮合環誘導体、トリス（８−キノリノラート）アルミニウムを始めとする金属キレート化オキシノイド化合物、ビススチリルアントラセン誘導体やジスチリルベンゼン誘導体などのビススチリル誘導体、テトラフェニルブタジエン誘導体、インデン誘導体、クマリン誘導体、オキサジアゾール誘導体、ピロロピリジン誘導体、ペリノン誘導体、シクロペンタジエン誘導体、オキサジアゾール誘導体、チアジアゾロピリジン誘導体、ジベンゾフラン誘導体、カルバゾール誘導体、インドロカルバゾール誘導体、ポリマー系では、ポリフェニレンビニレン誘導体、ポリパラフェニレン誘導体、そして、ポリチオフェン誘導体などが使用できるが特に限定されるものではない。   In addition to the compound represented by the general formula (1), the luminescent material is a metal chelation such as a condensed ring derivative such as anthracene or pyrene, tris (8-quinolinolato) aluminum, which has been known as a luminescent material. Oxinoid compounds, bisstyryl derivatives such as bisstyrylanthracene derivatives and distyrylbenzene derivatives, tetraphenylbutadiene derivatives, indene derivatives, coumarin derivatives, oxadiazole derivatives, pyrrolopyridine derivatives, perinone derivatives, cyclopentadiene derivatives, oxadiazole derivatives, thiols Asiazolopyridine derivatives, dibenzofuran derivatives, carbazole derivatives, indolocarbazole derivatives, in polymer systems, polyphenylene vinylene derivatives, polyparaphenylene derivatives, polythiophene derivatives, etc. Do not can be used particularly limited.

発光材料に含有されるホスト材料は、化合物一種のみに限る必要はなく、本発明の複数の化合物を混合して用いたり、その他のホスト材料の一種類以上を混合して用いたりしてもよい。また、積層して用いてもよい。ホスト材料としては、特に限定されないが、ナフタレン、アントラセン、フェナンスレン、ピレン、クリセン、ナフタセン、トリフェニレン、ペリレン、フルオランテン、フルオレン、インデンなどの縮合アリール環を有する化合物やその誘導体、Ｎ，Ｎ’−ジナフチル−Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−４，４’−ジフェニル−１，１’−ジアミンなどの芳香族アミン誘導体、トリス（８−キノリナート）アルミニウム（III）をはじめとする金属キレート化オキシノイド化合物、ジスチリルベンゼン誘導体などのビススチリル誘導体、テトラフェニルブタジエン誘導体、インデン誘導体、クマリン誘導体、オキサジアゾール誘導体、ピロロピリジン誘導体、ペリノン誘導体、シクロペンタジエン誘導体、ピロロピロール誘導体、チアジアゾロピリジン誘導体、ジベンゾフラン誘導体、カルバゾール誘導体、インドロカルバゾール誘導体、トリアジン誘導体、ポリマー系では、ポリフェニレンビニレン誘導体、ポリパラフェニレン誘導体、ポリフルオレン誘導体、ポリビニルカルバゾール誘導体、ポリチオフェン誘導体などが使用できるが特に限定されるものではない。中でも、発光層が三重項発光（りん光発光）を行う際に用いられるホストとしては、金属キレート化オキシノイド化合物、ジベンゾフラン誘導体、ジベンゾチオフェン誘導体、カルバゾール誘導体、インドロカルバゾール誘導体、トリアジン誘導体、トリフェニレン誘導体などが好適に用いられる。   The host material contained in the light-emitting material is not limited to a single compound, and a plurality of compounds of the present invention may be mixed and used, or one or more other host materials may be mixed and used. . Further, they may be used in a stacked manner. The host material is not particularly limited, but is a compound having a condensed aryl ring such as naphthalene, anthracene, phenanthrene, pyrene, chrysene, naphthacene, triphenylene, perylene, fluoranthene, fluorene, indene, or a derivative thereof, N, N′-dinaphthyl- Aromatic amine derivatives such as N, N′-diphenyl-4,4′-diphenyl-1,1′-diamine, metal chelated oxinoid compounds such as tris (8-quinolinato) aluminum (III), distyrylbenzene Bisstyryl derivatives such as derivatives, tetraphenylbutadiene derivatives, indene derivatives, coumarin derivatives, oxadiazole derivatives, pyrrolopyridine derivatives, perinone derivatives, cyclopentadiene derivatives, pyrrolopyrrole derivatives, thiadiazolopyridines In derivatives, dibenzofuran derivatives, carbazole derivatives, indolocarbazole derivatives, triazine derivatives, polymer systems, polyphenylene vinylene derivatives, polyparaphenylene derivatives, polyfluorene derivatives, polyvinyl carbazole derivatives, polythiophene derivatives, etc. can be used but are not particularly limited. Absent. Among them, as a host used when the light emitting layer performs triplet light emission (phosphorescence light emission), metal chelated oxinoid compounds, dibenzofuran derivatives, dibenzothiophene derivatives, carbazole derivatives, indolocarbazole derivatives, triazine derivatives, triphenylene derivatives, etc. Are preferably used.

発光材料に含有されるドーパント材料は、特に限定されないが、ナフタレン、アントラセン、フェナンスレン、ピレン、トリフェニレン、ペリレン、フルオレン、インデンなどのアリール環を有する化合物やその誘導体（例えば２−（ベンゾチアゾール−２−イル）−９，１０−ジフェニルアントラセンや５，６，１１，１２−テトラフェニルナフタセンなど）、フラン、ピロール、チオフェン、シロール、９−シラフルオレン、９，９’−スピロビシラフルオレン、ベンゾチオフェン、ベンゾフラン、インドール、ジベンゾチオフェン、ジベンゾフラン、イミダゾピリジン、フェナントロリン、ピラジン、ナフチリジン、キノキサリン、ピロロピリジン、チオキサンテンなどのヘテロアリール環を有する化合物やその誘導体、ジスチリルベンゼン誘導体、４，４’−ビス（２−（４−ジフェニルアミノフェニル）エテニル）ビフェニル、４，４’−ビス（Ｎ−（スチルベン−４−イル）−Ｎ−フェニルアミノ）スチルベンなどのアミノスチリル誘導体、芳香族アセチレン誘導体、テトラフェニルブタジエン誘導体、スチルベン誘導体、アルダジン誘導体、ピロメテン誘導体、ジケトピロロ［３，４−ｃ］ピロール誘導体、２，３，５，６−１Ｈ，４Ｈ−テトラヒドロ−９−（２’−ベンゾチアゾリル）キノリジノ［９，９ａ，１−ｇｈ］クマリンなどのクマリン誘導体、イミダゾール、チアゾール、チアジアゾール、カルバゾール、オキサゾール、オキサジアゾール、トリアゾールなどのアゾール誘導体およびその金属錯体およびＮ，Ｎ’−ジフェニル−Ｎ，Ｎ’−ジ（３−メチルフェニル）−４，４’−ジフェニル−１，１’−ジアミンに代表される芳香族アミン誘導体などが挙げられる。   The dopant material contained in the light-emitting material is not particularly limited, but a compound having an aryl ring such as naphthalene, anthracene, phenanthrene, pyrene, triphenylene, perylene, fluorene, indene, or a derivative thereof (for example, 2- (benzothiazole-2- Yl) -9,10-diphenylanthracene and 5,6,11,12-tetraphenylnaphthacene), furan, pyrrole, thiophene, silole, 9-silafluorene, 9,9'-spirobisilafluorene, benzothiophene , Benzofuran, indole, dibenzothiophene, dibenzofuran, imidazopyridine, phenanthroline, pyrazine, naphthyridine, quinoxaline, pyrrolopyridine, thioxanthene, etc. Aminostyryl such as zen derivatives, 4,4′-bis (2- (4-diphenylaminophenyl) ethenyl) biphenyl, 4,4′-bis (N- (stilben-4-yl) -N-phenylamino) stilbene Derivatives, aromatic acetylene derivatives, tetraphenylbutadiene derivatives, stilbene derivatives, aldazine derivatives, pyromethene derivatives, diketopyrrolo [3,4-c] pyrrole derivatives, 2,3,5,6-1H, 4H-tetrahydro-9- (2 Coumarin derivatives such as' -benzothiazolyl) quinolidino [9,9a, 1-gh] coumarin, azole derivatives such as imidazole, thiazole, thiadiazole, carbazole, oxazole, oxadiazole, triazole and metal complexes thereof, and N, N'-diphenyl -N, N'-di (3-methyl And aromatic amine derivatives typified by phenyl) -4,4'-diphenyl-1,1'-diamine.

中でも、発光層が三重項発光（りん光発光）を行う際に用いられるドーパントとしては、イリジウム（Ir）、ルテニウム（Ru）、パラジウム（Pd）、白金（Pt）、オスミウム（Os）、及びレニウム（Re）からなる群から選択される少なくとも一つの金属を含む金属錯体化合物であることが好ましい。配位子は、フェニルピリジン骨格またはフェニルキノリン骨格またはカルベン骨格などの含窒素芳香族複素環を有することが好ましい。しかしながら、これらに限定されるものではなく、要求される発光色、素子性能、ホスト化合物との関係から適切な錯体が選ばれる。具体的には、トリス（２−フェニルピリジル）イリジウム錯体、トリス｛２−（２−チオフェニル）ピリジル｝イリジウム錯体、トリス｛２−（２−ベンゾチオフェニル）ピリジル｝イリジウム錯体、トリス（２−フェニルベンゾチアゾール）イリジウム錯体、トリス（２−フェニルベンゾオキサゾール）イリジウム錯体、トリスベンゾキノリンイリジウム錯体、ビス（２−フェニルピリジル）（アセチルアセトナート）イリジウム錯体、ビス｛２−（２−チオフェニル）ピリジル｝イリジウム錯体、ビス｛２−（２−ベンゾチオフェニル）ピリジル｝（アセチルアセトナート）イリジウム錯体、ビス（２−フェニルベンゾチアゾール）（アセチルアセトナート）イリジウム錯体、ビス（２−フェニルベンゾオキサゾール）（アセチルアセトナート）イリジウム錯体、ビスベンゾキノリン（アセチルアセトナート）イリジウム錯体、ビス｛２−（２，４−ジフルオロフェニル）ピリジル｝（アセチルアセトナート）イリジウム錯体、テトラエチルポルフィリン白金錯体、｛トリス（セノイルトリフルオロアセトン）モノ（１，１０−フェナントロリン）｝ユーロピウム錯体、｛トリス（セノイルトリフルオロアセトン）モノ（４，７−ジフェニル−１，１０−フェナントロリン）｝ユーロピウム錯体、｛トリス（１，３−ジフェニル−１，３−プロパンジオン）モノ（１，１０−フェナントロリン）｝ユーロピウム錯体、トリスアセチルアセトンテルビウム錯体などが挙げられる。また、特開２００９−１３０１４１号に記載されているリン光ドーパントも好適に用いられる。これらに限定されるものではないが、高効率発光が得られやすいことから、イリジウム錯体または白金錯体が好ましく用いられる。   Among them, dopants used when the light emitting layer emits triplet light emission (phosphorescence emission) include iridium (Ir), ruthenium (Ru), palladium (Pd), platinum (Pt), osmium (Os), and rhenium. A metal complex compound containing at least one metal selected from the group consisting of (Re) is preferable. The ligand preferably has a nitrogen-containing aromatic heterocycle such as a phenylpyridine skeleton, a phenylquinoline skeleton, or a carbene skeleton. However, it is not limited to these, and an appropriate complex is selected from the relationship with the required emission color, device performance, and host compound. Specifically, tris (2-phenylpyridyl) iridium complex, tris {2- (2-thiophenyl) pyridyl} iridium complex, tris {2- (2-benzothiophenyl) pyridyl} iridium complex, tris (2-phenyl) Benzothiazole) iridium complex, tris (2-phenylbenzoxazole) iridium complex, trisbenzoquinoline iridium complex, bis (2-phenylpyridyl) (acetylacetonato) iridium complex, bis {2- (2-thiophenyl) pyridyl} iridium Complex, bis {2- (2-benzothiophenyl) pyridyl} (acetylacetonato) iridium complex, bis (2-phenylbenzothiazole) (acetylacetonato) iridium complex, bis (2-phenylbenzoxazole) (acetylacetate) ) Iridium complex, bisbenzoquinoline (acetylacetonato) iridium complex, bis {2- (2,4-difluorophenyl) pyridyl} (acetylacetonato) iridium complex, tetraethylporphyrin platinum complex, {tris (cenoyltrifluoro) Acetone) mono (1,10-phenanthroline)} europium complex, {tris (cenoyltrifluoroacetone) mono (4,7-diphenyl-1,10-phenanthroline)} europium complex, {tris (1,3-diphenyl-1) , 3-propanedione) mono (1,10-phenanthroline)} europium complex, trisacetylacetone terbium complex, and the like. Moreover, the phosphorescence dopant described in Unexamined-Japanese-Patent No. 2009-130141 is also used suitably. Although not limited thereto, an iridium complex or a platinum complex is preferably used because high-efficiency light emission is easily obtained.

ドーパント材料として用いられる上記三重項発光材料は、発光層中に各々一種類のみが含まれていてもよいし、二種以上を混合して用いてもよい。三重項発光材料を二種以上用いる際には、ドーパント材料の総重量がホスト材料に対して３０重量％以下であることが好ましく、さらに好ましくは２０重量％以下である。   As for the said triplet light emitting material used as a dopant material, only 1 type may be contained in the light emitting layer, respectively, and 2 or more types may be mixed and used for it. When two or more triplet light emitting materials are used, the total weight of the dopant material is preferably 30% by weight or less, more preferably 20% by weight or less, based on the host material.

また、発光層には上記ホスト材料および三重項発光材料の他に、発光層内のキャリアバランスを調整するためや発光層の層構造を安定化させるための第３成分を更に含んでいてもよい。但し、第３成分としては、ホスト材料および三重項発光材料からなるドーパント材料との間で相互作用を起こさないような材料を選択する。   In addition to the host material and the triplet light emitting material, the light emitting layer may further include a third component for adjusting the carrier balance in the light emitting layer or stabilizing the layer structure of the light emitting layer. . However, as the third component, a material that does not cause an interaction between the host material and the dopant material including the triplet light emitting material is selected.

三重項発光系における好ましいホストおよびドーパントとしては、特に限定されるものではないが、具体的には以下のような例が挙げられる。   Preferable host and dopant in the triplet light emitting system are not particularly limited, but specific examples include the following.

本発明において、電子輸送層とは、陰極から電子が注入され、さらに電子を輸送する層である。電子輸送層には、電子注入効率が高く、注入された電子を効率良く輸送することが望まれる。そのため電子輸送層は、電子親和力が大きく、しかも電子移動度が大きく、さらに安定性に優れ、トラップとなる不純物が製造時および使用時に発生しにくい物質であることが要求される。特に膜厚を厚く積層する場合には、低分子量の化合物は結晶化するなどして膜質が劣化しやすいため、安定な膜質を保つ分子量４００以上の化合物が好ましい。しかしながら、正孔と電子の輸送バランスを考えた場合に、電子輸送層が陽極からの正孔が再結合せずに陰極側へ流れるのを効率よく阻止できる役割を主に果たすならば、電子輸送能力がそれ程高くない材料で構成されていても、発光効率を向上させる効果は電子輸送能力が高い材料で構成されている場合と同等となる。したがって、本発明における電子輸送層には、正孔の移動を効率よく阻止できる正孔阻止層も同義のものとして含まれる。   In the present invention, the electron transport layer is a layer in which electrons are injected from the cathode and further transports electrons. The electron transport layer has high electron injection efficiency, and it is desired to efficiently transport injected electrons. For this reason, the electron transport layer is required to be a substance having a high electron affinity, a high electron mobility, excellent stability, and a trapping impurity that is unlikely to be generated during manufacture and use. In particular, in the case of stacking a thick film, a compound having a molecular weight of 400 or more that maintains a stable film quality is preferable because a low molecular weight compound is likely to be crystallized to deteriorate the film quality. However, considering the transport balance between holes and electrons, if the electron transport layer mainly plays a role of effectively preventing the holes from the anode from recombining and flowing to the cathode side, the electron transport Even if it is made of a material that does not have a high capability, the effect of improving the luminous efficiency is equivalent to that of a material that has a high electron transport capability. Therefore, the electron transport layer in the present invention includes a hole blocking layer that can efficiently block the movement of holes as the same meaning.

電子輸送層に用いられる電子輸送材料としては、ナフタレン、アントラセンなどの縮合多環芳香族誘導体、４，４’−ビス（ジフェニルエテニル）ビフェニルに代表されるスチリル系芳香環誘導体、アントラキノンやジフェノキノンなどのキノン誘導体、リンオキサイド誘導体、トリス（８−キノリノラート）アルミニウム（III）などのキノリノール錯体、ベンゾキノリノール錯体、ヒドロキシアゾール錯体、アゾメチン錯体、トロポロン金属錯体およびフラボノール金属錯体などの各種金属錯体が挙げられるが、駆動電圧を低減し、高効率発光が得られることから、炭素、水素、窒素、酸素、ケイ素、リンの中から選ばれる元素で構成され、電子受容性窒素を含むヘテロアリール環構造を有する化合物を用いることが好ましい。   Examples of the electron transport material used in the electron transport layer include condensed polycyclic aromatic derivatives such as naphthalene and anthracene, styryl aromatic ring derivatives represented by 4,4′-bis (diphenylethenyl) biphenyl, anthraquinone, diphenoquinone, and the like. Quinoline derivatives, phosphorus oxide derivatives, quinolinol complexes such as tris (8-quinolinolato) aluminum (III), benzoquinolinol complexes, hydroxyazole complexes, azomethine complexes, tropolone metal complexes, and flavonol metal complexes. A compound having a heteroaryl ring structure composed of an element selected from carbon, hydrogen, nitrogen, oxygen, silicon, and phosphorus and containing electron-accepting nitrogen, because driving voltage is reduced and high-efficiency light emission is obtained. Is preferably used.

ここで言う電子受容性窒素とは、隣接原子との間に多重結合を形成している窒素原子を表す。窒素原子が高い電子陰性度を有することから、該多重結合は電子受容的な性質を有する。それゆえ、電子受容性窒素を含む芳香族複素環は、高い電子親和性を有する。電子受容性窒素を有する電子輸送材料は、高い電子親和力を有する陰極からの電子を受け取りやすくし、より低電圧駆動が可能となる。また、発光層への電子の供給が多くなり、再結合確率が高くなるので発光効率が向上する。   The electron-accepting nitrogen mentioned here represents a nitrogen atom forming a multiple bond with an adjacent atom. Since the nitrogen atom has a high electronegativity, the multiple bond has an electron accepting property. Therefore, an aromatic heterocycle containing electron-accepting nitrogen has a high electron affinity. An electron transport material having electron-accepting nitrogen makes it easier to receive electrons from a cathode having a high electron affinity, and can be driven at a lower voltage. In addition, since the number of electrons supplied to the light emitting layer is increased and the recombination probability is increased, the light emission efficiency is improved.

電子受容性窒素を含むヘテロアリール環としては、例えば、ピリジン環、ピラジン環、ピリミジン環、キノリン環、キノキサリン環、ナフチリジン環、ピリミドピリミジン環、ベンゾキノリン環、フェナントロリン環、イミダゾール環、オキサゾール環、オキサジアゾール環、トリアゾール環、チアゾール環、チアジアゾール環、ベンゾオキサゾール環、ベンゾチアゾール環、ベンズイミダゾール環、フェナンスロイミダゾール環などが挙げられる。   Examples of the heteroaryl ring containing an electron-accepting nitrogen include, for example, a pyridine ring, pyrazine ring, pyrimidine ring, quinoline ring, quinoxaline ring, naphthyridine ring, pyrimidopyrimidine ring, benzoquinoline ring, phenanthroline ring, imidazole ring, oxazole ring, Examples thereof include an oxadiazole ring, a triazole ring, a thiazole ring, a thiadiazole ring, a benzoxazole ring, a benzothiazole ring, a benzimidazole ring, and a phenanthrimidazole ring.

これらのヘテロアリール環構造を有する化合物としては、例えば、ベンズイミダゾール誘導体、ベンズオキサゾール誘導体、ベンズチアゾール誘導体、オキサジアゾール誘導体、チアジアゾール誘導体、トリアゾール誘導体、ピラジン誘導体、フェナントロリン誘導体、キノキサリン誘導体、キノリン誘導体、ベンゾキノリン誘導体、ビピリジンやターピリジンなどのオリゴピリジン誘導体、キノキサリン誘導体およびナフチリジン誘導体などが好ましい化合物として挙げられる。中でも、トリス（Ｎ−フェニルベンズイミダゾール−２−イル）ベンゼンなどのイミダゾール誘導体、１，３−ビス［（４−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）１，３，４−オキサジアゾリル］フェニレンなどのオキサジアゾール誘導体、Ｎ−ナフチル−２，５−ジフェニル−１，３，４−トリアゾールなどのトリアゾール誘導体、バソクプロインや１，３−ビス（１，１０−フェナントロリン−９−イル）ベンゼンなどのフェナントロリン誘導体、２，２’−ビス（ベンゾ［ｈ］キノリン−２−イル）−９，９’−スピロビフルオレンなどのベンゾキノリン誘導体、２，５−ビス（６’−（２’，２”−ビピリジル））−１，１−ジメチル−３，４−ジフェニルシロールなどのビピリジン誘導体、１，３−ビス（４’−（２，２’：６’２”−ターピリジニル））ベンゼンなどのターピリジン誘導体、ビス（１−ナフチル）−４−（１，８−ナフチリジン−２−イル）フェニルホスフィンオキサイドなどのナフチリジン誘導体が、電子輸送能の観点から好ましく用いられる。また、これらの誘導体が、縮合多環芳香族骨格を有していると、ガラス転移温度が向上すると共に、電子移動度も大きくなり発光素子の低電圧化の効果が大きいのでより好ましい。さらに、素子耐久寿命が向上し、合成のし易さ、原料入手が容易であることを考慮すると、縮合多環芳香族骨格はアントラセン骨格、ピレン骨格またはフェナントロリン骨格であることが特に好ましい。上記電子輸送材料は単独でも用いられるが、上記電子輸送材料の２種以上を混合して用いたり、その他の電子輸送材料の一種以上を上記の電子輸送材料に混合して用いたりしても構わない。   Examples of these compounds having a heteroaryl ring structure include benzimidazole derivatives, benzoxazole derivatives, benzthiazole derivatives, oxadiazole derivatives, thiadiazole derivatives, triazole derivatives, pyrazine derivatives, phenanthroline derivatives, quinoxaline derivatives, quinoline derivatives, benzoins. Preferred compounds include quinoline derivatives, oligopyridine derivatives such as bipyridine and terpyridine, quinoxaline derivatives and naphthyridine derivatives. Among them, imidazole derivatives such as tris (N-phenylbenzimidazol-2-yl) benzene, oxadiazole derivatives such as 1,3-bis [(4-tert-butylphenyl) 1,3,4-oxadiazolyl] phenylene, Triazole derivatives such as N-naphthyl-2,5-diphenyl-1,3,4-triazole, phenanthroline derivatives such as bathocuproine and 1,3-bis (1,10-phenanthroline-9-yl) benzene, 2,2 ′ A benzoquinoline derivative such as bis (benzo [h] quinolin-2-yl) -9,9′-spirobifluorene, 2,5-bis (6 ′-(2 ′, 2 ″ -bipyridyl))-1, Bipyridine derivatives such as 1-dimethyl-3,4-diphenylsilole, 1,3-bis (4 ′-(2,2 ′: 6′2 ″ -ta Terpyridine derivatives such as pyridinyl)) benzene, naphthyridine derivatives such as bis (1-naphthyl) -4- (1,8-naphthyridin-2-yl) phenylphosphine oxide are preferably used from the viewpoint of electron transporting capability. In addition, it is more preferable that these derivatives have a condensed polycyclic aromatic skeleton because the glass transition temperature is improved, the electron mobility is increased, and the effect of lowering the voltage of the light-emitting element is increased. Furthermore, considering that the device durability life is improved, the synthesis is easy, and the availability of raw materials is easy, the condensed polycyclic aromatic skeleton is particularly preferably an anthracene skeleton, a pyrene skeleton or a phenanthroline skeleton. The electron transport material may be used alone, but two or more of the electron transport materials may be mixed and used, or one or more of the other electron transport materials may be mixed and used in the electron transport material. Absent.

好ましい電子輸送材料としては、特に限定されるものではないが、具体的には以下のような例が挙げられる。   Although it does not specifically limit as a preferable electron transport material, The following examples are specifically mentioned.

上記電子輸送材料は単独でも用いられるが、上記電子輸送材料の２種以上を混合して用いたり、その他の電子輸送材料の一種以上を上記の電子輸送材料に混合して用いたりしても構わない。また、ドナー性化合物を含有してもよい。ここで、ドナー性化合物とは電子注入障壁の改善により、陰極または電子注入層からの電子輸送層への電子注入を容易にし、さらに電子輸送層の電気伝導性を向上させる化合物である。   The electron transport material may be used alone, but two or more of the electron transport materials may be mixed and used, or one or more of the other electron transport materials may be mixed and used in the electron transport material. Absent. Moreover, you may contain a donor compound. Here, the donor compound is a compound that facilitates electron injection from the cathode or the electron injection layer to the electron transport layer by improving the electron injection barrier and further improves the electrical conductivity of the electron transport layer.

ドナー性化合物の好ましい例としては、アルカリ金属、アルカリ金属を含有する無機塩、アルカリ金属と有機物との錯体、アルカリ土類金属、アルカリ土類金属を含有する無機塩またはアルカリ土類金属と有機物との錯体などが挙げられる。アルカリ金属、アルカリ土類金属の好ましい種類としては、低仕事関数で電子輸送能向上の効果が大きいリチウム、ナトリウム、カリウム、ルビジウム、セシウムといったアルカリ金属や、マグネシウム、カルシウム、セリウム、バリウムといったアルカリ土類金属が挙げられる。   Preferred examples of the donor compound include an alkali metal, an inorganic salt containing an alkali metal, a complex of an alkali metal and an organic substance, an alkaline earth metal, an inorganic salt containing an alkaline earth metal, or an alkaline earth metal and an organic substance. And the like. Preferred types of alkali metals and alkaline earth metals include alkaline metals such as lithium, sodium, potassium, rubidium, and cesium that have a large effect of improving the electron transport ability with a low work function, and alkaline earths such as magnesium, calcium, cerium, and barium. A metal is mentioned.

また、真空中での蒸着が容易で取り扱いに優れることから、金属単体よりも無機塩、あるいは有機物との錯体の状態であることが好ましい。さらに、大気中での取扱を容易にし、添加濃度の制御のし易さの点で、有機物との錯体の状態にあることがより好ましい。無機塩の例としては、LiO、Li₂O等の酸化物、窒化物、LiF、NaF、KF等のフッ化物、Li₂CO₃、Na₂CO₃、K₂CO₃、Rb₂CO₃、Cs₂CO₃等の炭酸塩などが挙げられる。また、アルカリ金属またはアルカリ土類金属の好ましい例としては、大きな低電圧駆動効果が得られるという観点ではリチウム、セシウムが挙げられる。また、有機物との錯体における有機物の好ましい例としては、キノリノール、ベンゾキノリノール、ピリジルフェノール、フラボノール、ヒドロキシイミダゾピリジン、ヒドロキシベンズアゾール、ヒドロキシトリアゾールなどが挙げられる。中でも、より発光素子の低電圧化の効果が大きいという観点ではアルカリ金属と有機物との錯体が好ましく、さらに合成のしやすさ、熱安定性という観点からリチウムと有機物との錯体がより好ましく、比較的安価で入手できるリチウムキノリノールが特に好ましい。In addition, since it is easy to deposit in vacuum and is excellent in handling, it is preferably in the form of a complex with an inorganic salt or an organic substance rather than a single metal. Furthermore, it is more preferable that it is in the state of a complex with an organic substance in terms of facilitating handling in the air and easy control of the addition concentration. Examples of inorganic salts include oxides such as LiO and Li ₂ O, nitrides, fluorides such as LiF, NaF, and KF, Li ₂ CO ₃ , Na ₂ CO ₃ , K ₂ CO ₃ , Rb ₂ CO ₃ , Examples thereof include carbonates such as Cs ₂ CO ₃ . Further, preferred examples of the alkali metal or alkaline earth metal include lithium and cesium from the viewpoint that a large low-voltage driving effect can be obtained. In addition, preferable examples of the organic substance in the complex with the organic substance include quinolinol, benzoquinolinol, pyridylphenol, flavonol, hydroxyimidazopyridine, hydroxybenzazole, and hydroxytriazole. Among them, a complex of an alkali metal and an organic substance is preferable from the viewpoint that the effect of lowering the voltage of the light emitting device is larger, and a complex of lithium and an organic substance is more preferable from the viewpoint of ease of synthesis and thermal stability, Particularly preferred is lithium quinolinol, which can be obtained at a low cost.

電子輸送層のイオン化ポテンシャルは、特に限定されないが、好ましくは５．６ｅＶ以上８．０ｅＶ以下であり、より好ましくは５．６ｅＶ以上７．０ｅＶ以下である。   The ionization potential of the electron transport layer is not particularly limited, but is preferably 5.6 eV or more and 8.0 eV or less, and more preferably 5.6 eV or more and 7.0 eV or less.

発光素子を構成する上記各層の形成方法は、抵抗加熱蒸着、電子ビーム蒸着、スパッタリング、分子積層法、コーティング法など特に限定されないが、通常は、素子特性の点から抵抗加熱蒸着または電子ビーム蒸着が好ましい。   The method of forming each layer constituting the light emitting element is not particularly limited, such as resistance heating vapor deposition, electron beam vapor deposition, sputtering, molecular lamination method, coating method, etc., but resistance heating vapor deposition or electron beam vapor deposition is usually used in terms of element characteristics. preferable.

有機層の厚みは、発光物質の抵抗値にもよるので限定することはできないが、１〜１０００ｎｍであることが好ましい。発光層、電子輸送層、正孔輸送層の膜厚はそれぞれ、好ましくは１ｎｍ以上２００ｎｍ以下であり、さらに好ましくは５ｎｍ以上１００ｎｍ以下である。   The thickness of the organic layer is not limited because it depends on the resistance value of the luminescent material, but is preferably 1 to 1000 nm. The film thicknesses of the light emitting layer, the electron transport layer, and the hole transport layer are each preferably 1 nm to 200 nm, and more preferably 5 nm to 100 nm.

本発明の発光素子は、電気エネルギーを光に変換できる機能を有する。ここで電気エネルギーとしては主に直流電流が使用されるが、パルス電流や交流電流を用いることも可能である。電流値および電圧値は特に制限はないが、素子の消費電力や寿命を考慮すると、できるだけ低いエネルギーで最大の輝度が得られるよう選ばれるべきである。   The light-emitting element of the present invention has a function of converting electrical energy into light. Here, a direct current is mainly used as the electric energy, but a pulse current or an alternating current can also be used. The current value and voltage value are not particularly limited, but should be selected so that the maximum luminance can be obtained with as low energy as possible in consideration of the power consumption and lifetime of the device.

本発明の発光素子は、例えば、マトリクスおよび／またはセグメント方式で表示するディスプレイとして好適に用いられる。   The light emitting device of the present invention is suitably used as a display for displaying in a matrix and / or segment system, for example.

マトリクス方式とは、表示のための画素が格子状やモザイク状など二次元的に配置され、画素の集合で文字や画像を表示する。画素の形状やサイズは用途によって決まる。例えば、パソコン、モニター、テレビの画像および文字表示には、通常一辺が３００μｍ以下の四角形の画素が用いられ、また、表示パネルのような大型ディスプレイの場合は、一辺がｍｍオーダーの画素を用いることになる。モノクロ表示の場合は、同じ色の画素を配列すればよいが、カラー表示の場合には、赤、緑、青の画素を並べて表示させる。この場合、典型的にはデルタタイプとストライプタイプがある。そして、このマトリクスの駆動方法は、線順次駆動方法やアクティブマトリクスのどちらでもよい。線順次駆動はその構造が簡単であるが、動作特性を考慮した場合、アクティブマトリクスの方が優れる場合があるので、これも用途によって使い分けることが必要である。   In the matrix method, pixels for display are two-dimensionally arranged such as a lattice shape or a mosaic shape, and a character or an image is displayed by a set of pixels. The shape and size of the pixel are determined by the application. For example, a square pixel with a side of 300 μm or less is usually used for displaying images and characters on a personal computer, monitor, TV, and a pixel with a side of mm order for a large display such as a display panel. become. In monochrome display, pixels of the same color may be arranged. However, in color display, red, green, and blue pixels are displayed side by side. In this case, there are typically a delta type and a stripe type. The matrix driving method may be either a line sequential driving method or an active matrix. Although the structure of the line sequential drive is simple, the active matrix may be superior in consideration of the operation characteristics, and it is necessary to use it depending on the application.

本発明におけるセグメント方式とは、予め決められた情報を表示するようにパターンを形成し、このパターンの配置によって決められた領域を発光させる方式である。例えば、デジタル時計や温度計における時刻や温度表示、オーディオ機器や電磁調理器などの動作状態表示および自動車のパネル表示などが挙げられる。そして、前記マトリクス表示とセグメント表示は同じパネルの中に共存していてもよい。   The segment system in the present invention is a system in which a pattern is formed so as to display predetermined information and an area determined by the arrangement of the pattern is caused to emit light. For example, the time and temperature display in a digital clock or a thermometer, the operation state display of an audio device or an electromagnetic cooker, the panel display of an automobile, and the like can be mentioned. The matrix display and the segment display may coexist in the same panel.

本発明の発光素子は、各種機器等のバックライトとしても好ましく用いられる。バックライトは、主に自発光しない表示装置の視認性を向上させる目的に使用され、液晶表示装置、時計、オーディオ装置、自動車パネル、表示板および標識などに使用される。特に、液晶表示装置、中でも薄型化が検討されているパソコン用途のバックライトに本発明の発光素子は好ましく用いられ、従来のものより薄型で軽量なバックライトを提供できる。   The light emitting device of the present invention is also preferably used as a backlight for various devices. The backlight is used mainly for the purpose of improving the visibility of a display device that does not emit light, and is used for a liquid crystal display device, a clock, an audio device, an automobile panel, a display panel, a sign, and the like. In particular, the light-emitting element of the present invention is preferably used for a backlight for a liquid crystal display device, particularly a personal computer for which a reduction in thickness is being considered, and a backlight that is thinner and lighter than conventional ones can be provided.

以下、実施例をあげて本発明を説明するが、本発明はこれらの実施例によって限定されるものではない。なお、下記の各実施例にある化合物の番号は上記に記載した化合物の番号を指すものである。   EXAMPLES Hereinafter, although an Example is given and this invention is demonstrated, this invention is not limited by these Examples. In addition, the number of the compound in each following Example points out the number of the compound described above.

また、各化合物の最低励起三重項エネルギーの測定については、本発明の化合物を１．０×１０^−５mol/lの２−メチルテトラヒドロフラン溶液を調整した。調整した溶液を専用の石英チューブに入れ、窒素バブリングを行うことで溶存酸素を除き、さらに酸素の混入を防ぐためにセプタム栓でキャップをした。このサンプルを液体窒素にて７７Ｋ付近まで冷却した後、蛍光リン光分光光度計（堀場製作所製、ＦｌｕｏｒｏＭａｘ−４Ｐ）を用い、リン光スペクトルを測定した。リン光スペクトルの短波長の立ち上がり位置の波長を読み取り、該波長値を光のエネルギーに換算して、三重項エネルギー（Ｔ１）を算出した。Moreover, about the measurement of the lowest excitation triplet energy of each compound, the compound of this invention prepared 1.0x10 < ^-5 > mol / l 2-methyltetrahydrofuran solution. The prepared solution was put into a dedicated quartz tube, and nitrogen bubbling was performed to remove dissolved oxygen. Further, in order to prevent oxygen contamination, the cap was capped with a septum stopper. After cooling this sample to about 77K with liquid nitrogen, a phosphorescence spectrum was measured using a fluorescence phosphorescence spectrophotometer (manufactured by Horiba, Ltd., FluoroMax-4P). The triplet energy (T1) was calculated by reading the wavelength at the rising position of the short wavelength of the phosphorescence spectrum and converting the wavelength value into light energy.

化合物［１］の合成
３−ブロモカルバゾール２０．９ｇ、９−フェニルカルバゾール−３−ボロン酸１５．０ｇ、酢酸パラジウム３６６ｍｇ、トリス（２−メチルフェニル）ホスフィン３００ｍｇ、２Ｍ炭酸カリウム水溶液１０５ｍｌ、ジメトキシエタン２６０ｍｌの混合溶液を窒素気流下、６時間還流した。室温に冷却した後、テトラヒドロフラン５００ｍｌで抽出した。有機層を飽和食塩水１００ｍｌで２回洗浄し、硫酸マグネシウムで乾燥後、エバポレートした。得られた濃縮物をｏ−キシレン再結晶により精製し、真空乾燥した後、９−フェニル−９H，９’H−３，３’−ビカルバゾール（中間体Ａ）１３．５ｇを得た。Synthesis of Compound [1] 3-Bromocarbazole 20.9 g, 9-phenylcarbazole-3-boronic acid 15.0 g, palladium acetate 366 mg, tris (2-methylphenyl) phosphine 300 mg, 2M aqueous potassium carbonate solution 105 ml, dimethoxyethane 260 ml The mixed solution was refluxed for 6 hours under a nitrogen stream. After cooling to room temperature, extraction was performed with 500 ml of tetrahydrofuran. The organic layer was washed twice with 100 ml of saturated brine, dried over magnesium sulfate and evaporated. The obtained concentrate was purified by o-xylene recrystallization and vacuum-dried to obtain 13.5 g of 9-phenyl-9H, 9′H-3,3′-bicarbazole (intermediate A).

次に、α−テトラロン８０．８８ｇ、ｐ−クロロヒドラジン塩酸塩５０．０ｇ、酢酸２０．７６ｇ、エタノール１１５３ｍｌの混合溶液を窒素気流下、還流下で３時間加熱攪拌した。室温に冷却した後、ろ過を行い、得られた固体をメタノール洗浄してから乾燥後、淡黄色固体４６．６７ｇを得た。この固体およびクロラニル６２．８６ｇ、オルトキシレン６１３ｍｌの混合溶液を窒素気流下、３時間還流した。室温に冷却した後、１０％水酸化ナトリウム水溶液１０００ｍｌを加えて１時間攪拌後、ろ過を行った。得られた固体を蒸留水３００ｍｌで５回洗浄し、ろ過を行い真空乾燥した後、８−クロロ−１１H−ベンゾ［ａ］カルバゾール（中間体Ｂ）４１．０３ｇを得た。   Next, a mixed solution of 80.88 g of α-tetralone, 50.0 g of p-chlorohydrazine hydrochloride, 20.76 g of acetic acid, and 1153 ml of ethanol was heated and stirred for 3 hours under reflux in a nitrogen stream. After cooling to room temperature, filtration was performed, and the obtained solid was washed with methanol and dried to obtain 46.67 g of a pale yellow solid. A mixed solution of this solid, 62.86 g of chloranil, and 613 ml of orthoxylene was refluxed for 3 hours under a nitrogen stream. After cooling to room temperature, 1000 ml of 10% aqueous sodium hydroxide solution was added and stirred for 1 hour, followed by filtration. The obtained solid was washed 5 times with 300 ml of distilled water, filtered and vacuum-dried to obtain 41.03 g of 8-chloro-11H-benzo [a] carbazole (intermediate B).

次に、中間体Ｂ３０．０ｇ、ヨードベンゼン７２．９４ｇ、酢酸パラジウム５３５ｍｇ、トリｔ−ブチルホスフィンテトラフルオロほう酸塩１．３８ｇ、ナトリウムｔｅｒｔ−ブトキシド１６．０ｇとｏ−キシレン３９７ｍｌの混合溶液を窒素気流下、還流下で２．５時間加熱攪拌した。室温に冷却した後、水１５０ｍｌ、トルエン５０ｍｌを加えた。抽出により得られた有機層を硫酸マグネシウムで乾燥後、エバポレートした。得られた濃縮物をシリカゲルカラムクロマトグラフィーにより精製し、エバポレートして得られた固体を真空乾燥した後、８−クロロ−１１−フェニル−１１Ｈ−ベンゾ［a］カルバゾール（中間体Ｃ）２６．７９ｇを得た。   Next, a mixed solution of Intermediate B 30.0 g, iodobenzene 72.94 g, palladium acetate 535 mg, tri-t-butylphosphine tetrafluoroborate 1.38 g, sodium tert-butoxide 16.0 g and o-xylene 397 ml was streamed with nitrogen. The mixture was heated and stirred for 2.5 hours under reflux. After cooling to room temperature, 150 ml of water and 50 ml of toluene were added. The organic layer obtained by extraction was dried over magnesium sulfate and evaporated. The obtained concentrate was purified by silica gel column chromatography, and the solid obtained by evaporation was vacuum-dried, and then 26.79 g of 8-chloro-11-phenyl-11H-benzo [a] carbazole (intermediate C). Got.

次に、中間体A５．６７ｇ、中間体C５．０ｇ、ビス（ジベンジリデンアセトン）パラジウム１５９ｍｇ、トリｔ−ブチルホスフィンテトラフルオロほう酸塩１６１ｍｇ、ナトリウムｔｅｒｔ−ブトキシド１．８７ｇとｏ−キシレン６９ｍｌの混合溶液を窒素気流下、還流下で５時間加熱攪拌した。室温に冷却した後、トルエン５０ｍｌで抽出した。有機層を水３０ｍｌで３回洗浄し、硫酸マグネシウムで乾燥後、エバポレートした。得られた濃縮物をシリカゲルカラムクロマトグラフィーにより精製し、エバポレートして得られた固体を真空乾燥した後、化合物［１］９．２６ｇを得た。   Next, 5.67 g of intermediate A, 5.0 g of intermediate C, 159 mg of bis (dibenzylideneacetone) palladium, 161 mg of tri-t-butylphosphine tetrafluoroborate, 1.87 g of sodium tert-butoxide and 69 ml of o-xylene Was stirred under heating for 5 hours under reflux under a nitrogen stream. After cooling to room temperature, extraction was performed with 50 ml of toluene. The organic layer was washed 3 times with 30 ml of water, dried over magnesium sulfate and evaporated. The obtained concentrate was purified by silica gel column chromatography, and the solid obtained after evaporation was vacuum-dried to obtain 9.26 g of compound [1].

得られた粉末の^１Ｈ−ＮＭＲ分析結果は次の通りであり、上記で得られた白色固体が化合物［１］であることが確認された。
^１Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣl_３（d=ppm））：７．２３−７．８１（ｍ，２６Ｈ），７．９９−８．０２（ｍ，１Ｈ），８．１８−８．２９（ｍ，３Ｈ），８．３７−８．３８（ｓ，１H，Ｊ＝１．８９），８．４７−８．５０（ｍ，２H）。The results of ¹ H-NMR analysis of the obtained powder are as follows, and it was confirmed that the white solid obtained above was Compound [1].
¹ H-NMR (CDCl ₃ (d = ppm)): 7.23-7.81 (m, 26H), 7.99-8.02 (m, 1H), 8.18-8.29 (m, 3H), 8.37-8.38 (s, 1H, J = 1.89), 8.47-8.50 (m, 2H).

なお、この化合物［１］は、油拡散ポンプを用いて１×１０^−３Ｐａの圧力下、約３４０℃で昇華精製を行ってから発光素子材料として使用した。ＨＰＬＣ純度（測定波長２５４ｎｍにおける面積％）は昇華精製前が９９．９％、昇華精製後が９９．９％であった。
また、化合物［１］の最低励起三重項エネルギー準位Ｔ１は２．６３ｅＶであった。This compound [1] was used as a light emitting device material after sublimation purification at about 340 ° C. under a pressure of 1 × 10 ⁻³ Pa using an oil diffusion pump. The HPLC purity (area% at a measurement wavelength of 254 nm) was 99.9% before sublimation purification and 99.9% after sublimation purification.
Further, the lowest excited triplet energy level T1 of the compound [1] was 2.63 eV.

合成例２
化合物［２］の合成
３−ブロモカルバゾール２０．９ｇ、９−フェニルカルバゾール−３−ボロン酸１５．０ｇ、酢酸パラジウム３６６ｍｇ、トリス（２−メチルフェニル）ホスフィン３００ｍｇ、２Ｍ炭酸カリウム水溶液１０５ｍｌ、ジメトキシエタン２６０ｍｌの混合溶液を窒素気流下、６時間還流した。室温に冷却した後、テトラヒドロフラン５００ｍｌで抽出した。有機層を飽和食塩水１００ｍｌで２回洗浄し、硫酸マグネシウムで乾燥後、エバポレートした。得られた濃縮物をｏ−キシレン再結晶により精製し、真空乾燥した後、９−フェニル−９H，９’H−３，３’−ビカルバゾール（中間体Ａ）１３．５ｇを得た。Synthesis example 2
Synthesis of Compound [2] 2-Bromocarbazole 20.9 g, 9-phenylcarbazole-3-boronic acid 15.0 g, palladium acetate 366 mg, tris (2-methylphenyl) phosphine 300 mg, 2M aqueous potassium carbonate solution 105 ml, dimethoxyethane 260 ml The mixed solution was refluxed for 6 hours under a nitrogen stream. After cooling to room temperature, extraction was performed with 500 ml of tetrahydrofuran. The organic layer was washed twice with 100 ml of saturated brine, dried over magnesium sulfate and evaporated. The obtained concentrate was purified by o-xylene recrystallization and vacuum-dried to obtain 13.5 g of 9-phenyl-9H, 9′H-3,3′-bicarbazole (intermediate A).

次に、α−テトラロン３５．０９ｇ、フェニルヒドラジン塩酸塩２１．６９ｇ、酢酸９０ｇ、エタノール５００ｍｌの混合溶液を窒素気流下、還流下で７時間加熱攪拌した。室温に冷却した後、ろ過を行い、ろ液をエバポレートした。得られた固体を精製水２００ｍｌで２回洗浄し、真空乾燥後、淡黄色固体３１．３ｇを得た。この固体およびクロラニル３８．６ｇ、オルトキシレン３７７ｍｌの混合溶液を窒素気流下、還流下で１時間還流した。室温に冷却した後、１０％水酸化ナトリウム水溶液３００ｍｌを加え、１時間攪拌した。ろ過を行い、得られた固体をさらに精製水２００ｍｌで５回洗浄した。ろ過を行い真空乾燥した後、１１H−ベンゾ［a］カルバゾール１８．９７ｇを得た。次に、１１H−ベンゾ［a］カルバゾール８．０ｇ、ｍ−ブロモクロロベンゼン７．７５ｇ、酢酸パラジウム１６５ｍｇ、トリｔ−ブチルホスフィンテトラフルオロほう酸塩４２７ｍｇ、ナトリウムｔｅｒｔ−ブトキシド４．９６ｇとｏ−キシレン１８４ｍｌの混合溶液を窒素気流下、還流下で１．５時間加熱攪拌した。室温に冷却した後、トルエン５０ｍｌで抽出した。有機層を水３０ｍｌで３回洗浄し、硫酸マグネシウムで乾燥後、エバポレートした。得られた濃縮物をシリカゲルカラムクロマトグラフィーにより精製し、エバポレートして得られた固体を真空乾燥した後、１１−（３−クロロフェニル）−１１Ｈ−ベンゾ[ａ]カルバゾール１１．３ｇを得た。   Next, a mixed solution of 35.09 g of α-tetralone, 21.69 g of phenylhydrazine hydrochloride, 90 g of acetic acid, and 500 ml of ethanol was heated and stirred for 7 hours under reflux in a nitrogen stream. After cooling to room temperature, filtration was performed and the filtrate was evaporated. The obtained solid was washed twice with 200 ml of purified water, and after vacuum drying, 31.3 g of a pale yellow solid was obtained. A mixed solution of this solid, 38.6 g of chloranil, and 377 ml of orthoxylene was refluxed under reflux for 1 hour under a nitrogen stream. After cooling to room temperature, 300 ml of 10% aqueous sodium hydroxide solution was added and stirred for 1 hour. Filtration was performed, and the obtained solid was further washed 5 times with 200 ml of purified water. After filtration and vacuum drying, 18.97 g of 11H-benzo [a] carbazole was obtained. Next, 11H-benzo [a] carbazole 8.0 g, m-bromochlorobenzene 7.75 g, palladium acetate 165 mg, tri-t-butylphosphine tetrafluoroborate 427 mg, sodium tert-butoxide 4.96 g and o-xylene 184 ml The mixed solution was heated and stirred for 1.5 hours under reflux under a nitrogen stream. After cooling to room temperature, extraction was performed with 50 ml of toluene. The organic layer was washed 3 times with 30 ml of water, dried over magnesium sulfate and evaporated. The obtained concentrate was purified by silica gel column chromatography, and the solid obtained by evaporation was vacuum-dried to obtain 11.3 g of 11- (3-chlorophenyl) -11H-benzo [a] carbazole.

次に、中間体Ａ４．０ｇ、１１−（３−クロロフェニル）−１１Ｈ−ベンゾ[ａ]カルバゾール３．５３ｇ、ビス（ジベンジリデンアセトン）パラジウム１１３ｍｇ、ジ−ｔ−ブチル（２，２−ジフェニル−１−メチル−１−シクロプロピル）ホスフィン１３８ｍｇ、ナトリウムｔｅｒｔ−ブトキシド１．３２ｇとｏ−キシレン４９ｍｌの混合溶液を窒素気流下、還流下で１時間加熱攪拌した。室温に冷却した後、トルエン５０ｍｌで抽出した。有機層を水３０ｍｌで３回洗浄し、硫酸マグネシウムで乾燥後、エバポレートした。得られた濃縮物をシリカゲルカラムクロマトグラフィーにより精製し、エバポレートして得られた固体を真空乾燥した後、化合物［２］５．２ｇを得た。   Next, 4.0 g of intermediate A, 11- (3-chlorophenyl) -11H-benzo [a] carbazole 3.53 g, bis (dibenzylideneacetone) palladium 113 mg, di-t-butyl (2,2-diphenyl-1 -A mixed solution of 138 mg of methyl-1-cyclopropyl) phosphine, 1.32 g of sodium tert-butoxide and 49 ml of o-xylene was heated and stirred for 1 hour under reflux in a nitrogen stream. After cooling to room temperature, extraction was performed with 50 ml of toluene. The organic layer was washed 3 times with 30 ml of water, dried over magnesium sulfate and evaporated. The obtained concentrate was purified by silica gel column chromatography, and the solid obtained by evaporation was dried under vacuum to obtain 5.2 g of compound [2].

得られた粉末の^１Ｈ−ＮＭＲ分析結果は次の通りであり、上記で得られた白色固体が化合物［２］であることが確認された。
^１Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣl_３（d=ppm））：７．２４−７．８１（ｍ，２４Ｈ），７．９０−８．０４（ｍ，３Ｈ），８．１９−８．２５（ｍ，４Ｈ），８．４１−８．４２（ｓ，２Ｈ）。
なお、この化合物［２］は、油拡散ポンプを用いて１×１０^−３Ｐａの圧力下、約３４０℃で昇華精製を行ってから発光素子材料として使用した。ＨＰＬＣ純度（測定波長２５４ｎｍにおける面積％）は昇華精製前が９９．８％、昇華精製後が９９．９％であった。また、化合物［２］の最低励起三重項エネルギー準位Ｔ１は２．６３ｅＶであった。The results of ¹ H-NMR analysis of the obtained powder are as follows, and it was confirmed that the white solid obtained above was Compound [2].
¹ H-NMR (CDCl ₃ (d = ppm)): 7.24-7.81 (m, 24H), 7.90-8.04 (m, 3H), 8.19-8.25 (m, 4H), 8.41-8.42 (s, 2H).
This compound [2] was used as a light emitting device material after sublimation purification at about 340 ° C. under a pressure of 1 × 10 ⁻³ Pa using an oil diffusion pump. The HPLC purity (area% at a measurement wavelength of 254 nm) was 99.8% before sublimation purification and 99.9% after sublimation purification. Further, the lowest excited triplet energy level T1 of the compound [2] was 2.63 eV.

実施例１
ＩＴＯ透明導電膜を５０ｎｍ堆積させたガラス基板（ジオマテック（株）製、１１Ω／□、スパッタ品）を３８×４６ｍｍに切断し、エッチングを行った。得られた基板を“セミコクリーン５６”（商品名、フルウチ化学（株）製）で１５分間超音波洗浄してから、超純水で洗浄した。この基板を素子を作製する直前に１時間ＵＶ−オゾン処理し、真空蒸着装置内に設置して、装置内の真空度が５×１０^−４Ｐａ以下になるまで排気した。抵抗加熱法によって、正孔注入層として化合物ＨＩ−１を１０ｎｍ蒸着した。次に、第一正孔輸送層として、化合物ＨＴ−６を８０ｎｍ蒸着した。次に、第二正孔輸送層として、化合物［１］を１０ｎｍ蒸着した。次に、発光層として、ホスト材料に化合物Ｈ−１を、ドーパント材料に化合物Ｄ−１を用い、ドーパント材料のドープ濃度が１０重量％になるようにして３０ｎｍの厚さに蒸着した。次に、電子輸送層として、化合物Ｅ−１を３５ｎｍの厚さに積層した。Example 1
A glass substrate (manufactured by Geomat Co., Ltd., 11Ω / □, sputtered product) on which an ITO transparent conductive film was deposited to 50 nm was cut into 38 × 46 mm and etched. The obtained substrate was ultrasonically cleaned with “Semico Clean 56” (trade name, manufactured by Furuuchi Chemical Co., Ltd.) for 15 minutes and then with ultrapure water. This substrate was subjected to UV-ozone treatment for 1 hour immediately before producing the device, placed in a vacuum deposition apparatus, and evacuated until the degree of vacuum in the apparatus became 5 × 10 ⁻⁴ Pa or less. Compound HI-1 was deposited as a hole injection layer by 10 nm by a resistance heating method. Next, 80 nm of compound HT-6 was vapor-deposited as a 1st positive hole transport layer. Next, 10 nm of compound [1] was vapor-deposited as a 2nd positive hole transport layer. Next, as a light-emitting layer, Compound H-1 was used as the host material, Compound D-1 was used as the dopant material, and the dopant material was deposited to a thickness of 30 nm so that the doping concentration of the dopant material was 10% by weight. Next, Compound E-1 was laminated to a thickness of 35 nm as an electron transport layer.

次に、リチウムキノリノールを１ｎｍ蒸着した後、マグネシウムと銀の共蒸着膜を蒸着速度比がマグネシウム：銀＝１０：１(＝０．５ｎｍ／ｓ：０．０５ｎｍ／ｓ)で１００ｎｍ蒸着して陰極とし、５×５ｍｍ角の素子を作製した。ここで言う膜厚は、水晶発振式膜厚モニター表示値である。この発光素子を１０ｍＡ／ｃｍ^２で直流駆動したところ、発光効率４８．０ｌｍ／Ｗの高効率緑色発光が得られた。この発光素子を１０ｍＡ／ｃｍ^２の直流で連続駆動したところ、３３００時間で輝度半減した。なお化合物ＨＩ−１、ＨＴ−６、Ｈ−１、Ｄ−１、Ｅ−１は以下に示す化合物である。Next, after depositing 1 nm of lithium quinolinol, a co-deposited film of magnesium and silver was deposited at a deposition rate ratio of magnesium: silver = 10: 1 (= 0.5 nm / s: 0.05 nm / s) to 100 nm to form a cathode. Then, a 5 × 5 mm square element was produced. The film thickness referred to here is a crystal oscillation type film thickness monitor display value. When this light emitting device was DC-driven at 10 mA / cm ² , high efficiency green light emission with a light emission efficiency of 48.0 lm / W was obtained. When this light emitting device was continuously driven with a direct current of 10 mA / cm ² , the luminance was reduced by half in 3300 hours. Compounds HI-1, HT-6, H-1, D-1, and E-1 are the compounds shown below.

実施例２〜４、比較例１〜８
第二正孔輸送層として表１に記載した材料を用いたこと以外は実施例１と同様にして発光素子を作製した。結果を表１に示す。なお、ＨＴ−１〜ＨＴ−８は以下に示す化合物である。Examples 2-4, Comparative Examples 1-8
A light emitting device was produced in the same manner as in Example 1 except that the materials described in Table 1 were used as the second hole transport layer. The results are shown in Table 1. HT-1 to HT-8 are compounds shown below.

実施例５〜８
ホスト材料に化合物Ｈ−１の代わりに化合物Ｈ−１と化合物Ｈ−２の混合ホストを蒸着速度比１：１の割合で用いたこと以外は実施例１と同様にして発光素子を作製した。結果を表１に示す。なお、Ｈ−２は以下に示す化合物である。Examples 5-8
A light emitting device was fabricated in the same manner as in Example 1 except that a mixed host of Compound H-1 and Compound H-2 was used as the host material at a deposition rate ratio of 1: 1 instead of Compound H-1. The results are shown in Table 1. H-2 is a compound shown below.

実施例９
ＩＴＯ透明導電膜を５０ｎｍ堆積させたガラス基板（ジオマテック（株）製、１１Ω／□、スパッタ品）を３８×４６ｍｍに切断し、エッチングを行った。得られた基板を“セミコクリーン５６”（商品名、フルウチ化学（株）製）で１５分間超音波洗浄してから、超純水で洗浄した。この基板を素子作製する直前に１時間ＵＶ−オゾン処理し、真空蒸着装置内に設置して、装置内の真空度が５×１０^−４Ｐａ以下になるまで排気した。抵抗加熱法によって、正孔注入層として化合物ＨＩ−１を１０ｎｍ蒸着した。次に、第一正孔輸送層として、化合物ＨＴ−６を５０ｎｍ蒸着した。次に、第二正孔輸送層として、化合物［１］を４０ｎｍ蒸着した。次に、発光層として、ホスト材料に化合物Ｈ−３を、ドーパント材料に化合物Ｄ−２を用い、ドーパント材料のドープ濃度が５重量％になるようにして３０ｎｍの厚さに蒸着した。次に、電子輸送層として、化合物Ｅ−１を３５ｎｍの厚さに積層した。Example 9
A glass substrate (manufactured by Geomat Co., Ltd., 11Ω / □, sputtered product) on which an ITO transparent conductive film was deposited to 50 nm was cut into 38 × 46 mm and etched. The obtained substrate was ultrasonically cleaned with “Semico Clean 56” (trade name, manufactured by Furuuchi Chemical Co., Ltd.) for 15 minutes and then with ultrapure water. This substrate was subjected to UV-ozone treatment for 1 hour immediately before device fabrication, placed in a vacuum deposition apparatus, and evacuated until the degree of vacuum in the apparatus became 5 × 10 ⁻⁴ Pa or less. Compound HI-1 was deposited as a hole injection layer by 10 nm by a resistance heating method. Next, 50 nm of compound HT-6 was vapor-deposited as a 1st positive hole transport layer. Next, 40 nm of compound [1] was deposited as a second hole transport layer. Next, as a light emitting layer, the compound H-3 was used as the host material, the compound D-2 was used as the dopant material, and the dopant material was vapor-deposited to a thickness of 30 nm so that the doping concentration of the dopant material was 5% by weight. Next, Compound E-1 was laminated to a thickness of 35 nm as an electron transport layer.

次に、フッ化リチウムを０．５ｎｍ蒸着した後、アルミニウムを１０００ｎｍ蒸着して陰極とし、５×５ｍｍ角の素子を作製した。ここで言う膜厚は、水晶発振式膜厚モニター表示値である。この発光素子を１０ｍＡ／ｃｍ^２で直流駆動したところ、発光効率１３．５ｌｍ／Ｗの高効率赤色発光が得られた。この発光素子を１０ｍＡ／ｃｍ^２の直流で連続駆動したところ、３２００時間で輝度半減した。なお化合物Ｈ−３、Ｄ−２は以下に示す化合物である。Next, after depositing 0.5 nm of lithium fluoride, 1000 nm of aluminum was vapor-deposited to form a cathode, and a 5 × 5 mm square device was fabricated. The film thickness referred to here is a crystal oscillation type film thickness monitor display value. When this light emitting device was DC-driven at 10 mA / cm ² , high-efficiency red light emission with a light emission efficiency of 13.5 lm / W was obtained. When this light emitting device was continuously driven with a direct current of 10 mA / cm ² , the luminance was reduced by half in 3200 hours. Compounds H-3 and D-2 are the compounds shown below.

実施例１０〜１２、比較例９〜１６
第二正孔輸送層として表２に記載した材料を用いたこと以外は実施例９と同様にして発光素子を作製し、評価した。結果を表２に示す。Examples 10-12, Comparative Examples 9-16
A light emitting device was produced and evaluated in the same manner as in Example 9 except that the materials described in Table 2 were used as the second hole transport layer. The results are shown in Table 2.

実施例１３
ＩＴＯ透明導電膜を５０ｎｍ堆積させたガラス基板（ジオマテック（株）製、１１Ω／□、スパッタ品）を３８×４６ｍｍに切断し、エッチングを行った。得られた基板を“セミコクリーン５６”（商品名、フルウチ化学（株）製）で１５分間超音波洗浄してから、超純水で洗浄した。この基板を素子作製する直前に１時間ＵＶ−オゾン処理し、真空蒸着装置内に設置して、装置内の真空度が５×１０^−４Ｐａ以下になるまで排気した。抵抗加熱法によって、正孔注入層として化合物［１］を１０ｎｍ蒸着した。次に、正孔輸送層として、化合物ＨＴ−６を９０ｎｍ蒸着した。次に、発光層として、ホスト材料に化合物Ｈ−３を、ドーパント材料に化合物Ｄ−２を用い、ドーパント材料のドープ濃度が５重量％になるようにして３０ｎｍの厚さに蒸着した。次に、電子輸送層として、化合物Ｅ−１を３５ｎｍの厚さに積層した。Example 13
A glass substrate (manufactured by Geomat Co., Ltd., 11Ω / □, sputtered product) on which an ITO transparent conductive film was deposited to 50 nm was cut into 38 × 46 mm and etched. The obtained substrate was ultrasonically cleaned with “Semico Clean 56” (trade name, manufactured by Furuuchi Chemical Co., Ltd.) for 15 minutes and then with ultrapure water. This substrate was subjected to UV-ozone treatment for 1 hour immediately before device fabrication, placed in a vacuum deposition apparatus, and evacuated until the degree of vacuum in the apparatus became 5 × 10 ⁻⁴ Pa or less. Compound [1] was deposited as a hole injection layer by 10 nm by a resistance heating method. Next, 90 nm of compound HT-6 was vapor-deposited as a positive hole transport layer. Next, as a light emitting layer, the compound H-3 was used as the host material, the compound D-2 was used as the dopant material, and the dopant material was vapor-deposited to a thickness of 30 nm so that the doping concentration of the dopant material was 5% by weight. Next, Compound E-1 was laminated to a thickness of 35 nm as an electron transport layer.

次に、フッ化リチウムを０．５ｎｍ蒸着した後、アルミニウムを１０００ｎｍ蒸着して陰極とし、５×５ｍｍ角の素子を作製した。ここで言う膜厚は、水晶発振式膜厚モニター表示値である。この発光素子を１０ｍＡ／ｃｍ^２で直流駆動したところ、発光効率１３．２ｌｍ／Ｗの高効率赤色発光が得られた。この発光素子を１０ｍＡ／ｃｍ^２の直流で連続駆動したところ、３０００時間で輝度半減した。Next, after depositing 0.5 nm of lithium fluoride, 1000 nm of aluminum was vapor-deposited to form a cathode, and a 5 × 5 mm square device was fabricated. The film thickness referred to here is a crystal oscillation type film thickness monitor display value. When this light emitting device was DC-driven at 10 mA / cm ² , high-efficiency red light emission with a light emission efficiency of 13.2 lm / W was obtained. When this light emitting device was continuously driven with a direct current of 10 mA / cm ² , the luminance was reduced by half in 3000 hours.

実施例１４〜１６、比較例１７
正孔注入層として表３に記載した材料を用いたこと以外は実施例１３と同様にして発光素子を作製し、評価した。結果を表３に示す。Examples 14-16, Comparative Example 17
A light emitting device was prepared and evaluated in the same manner as in Example 13 except that the materials listed in Table 3 were used as the hole injection layer. The results are shown in Table 3.

実施例１７
ＩＴＯ透明導電膜を５０ｎｍ堆積させたガラス基板（ジオマテック（株）製、１１Ω／□、スパッタ品）を３８×４６ｍｍに切断し、エッチングを行った。得られた基板を“セミコクリーン５６”（商品名、フルウチ化学（株）製）で１５分間超音波洗浄してから、超純水で洗浄した。この基板を素子作製する直前に１時間ＵＶ−オゾン処理し、真空蒸着装置内に設置して、装置内の真空度が５×１０^−４Ｐａ以下になるまで排気した。抵抗加熱法によって、正孔注入層として化合物ＨＩ−１を１０ｎｍ蒸着した。次に、正孔輸送層として、化合物ＨＴ−６を９０ｎｍ蒸着した。次に、発光層として、ホスト材料に化合物［１］を、ドーパント材料に化合物Ｄ−２を用い、ドーパント材料のドープ濃度が５重量％になるようにして３０ｎｍの厚さに蒸着した。次に、電子輸送層として、化合物Ｅ−１を３５ｎｍの厚さに積層した。Example 17
A glass substrate (manufactured by Geomat Co., Ltd., 11Ω / □, sputtered product) on which an ITO transparent conductive film was deposited to 50 nm was cut into 38 × 46 mm and etched. The obtained substrate was ultrasonically cleaned with “Semico Clean 56” (trade name, manufactured by Furuuchi Chemical Co., Ltd.) for 15 minutes and then with ultrapure water. This substrate was subjected to UV-ozone treatment for 1 hour immediately before device fabrication, placed in a vacuum deposition apparatus, and evacuated until the degree of vacuum in the apparatus became 5 × 10 ⁻⁴ Pa or less. Compound HI-1 was deposited as a hole injection layer by 10 nm by a resistance heating method. Next, 90 nm of compound HT-6 was vapor-deposited as a positive hole transport layer. Next, as the light emitting layer, the compound [1] was used as the host material, the compound D-2 was used as the dopant material, and the dopant material was deposited to a thickness of 30 nm so that the doping concentration of the dopant material was 5% by weight. Next, Compound E-1 was laminated to a thickness of 35 nm as an electron transport layer.

次に、フッ化リチウムを０．５ｎｍ蒸着した後、アルミニウムを１０００ｎｍ蒸着して陰極とし、５×５ｍｍ角の素子を作製した。ここで言う膜厚は、水晶発振式膜厚モニター表示値である。この発光素子を１０ｍＡ／ｃｍ^２で直流駆動したところ、発光効率１２．０ｌｍ／Ｗの高効率赤色発光が得られた。この発光素子を１０ｍＡ／ｃｍ^２の直流で連続駆動したところ、２８００時間で輝度半減した。Next, after depositing 0.5 nm of lithium fluoride, 1000 nm of aluminum was vapor-deposited to form a cathode, and a 5 × 5 mm square device was fabricated. The film thickness referred to here is a crystal oscillation type film thickness monitor display value. When this light emitting device was DC-driven at 10 mA / cm ² , high efficiency red light emission with a light emission efficiency of 12.0 lm / W was obtained. When this light emitting device was continuously driven with a direct current of 10 mA / cm ² , the luminance was reduced by half in 2800 hours.

実施例１８〜２０、比較例１８
ホストとして表４に記載した材料を用いたこと以外は実施例１７と同様にして発光素子を作製し、評価した。結果を表４に示す。Examples 18-20, Comparative Example 18
A light emitting device was fabricated and evaluated in the same manner as in Example 17 except that the materials listed in Table 4 were used as the host. The results are shown in Table 4.

Claims (8)

下記一般式（１）で表される化合物を含有することを特徴とする発光素子材料。

（Ｒ^１〜Ｒ^１６はそれぞれ同じでも異なっていてもよく、水素、アルキル基、シクロアルキル基、複素環基、アルケニル基、シクロアルケニル基、アルキニル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アリールエーテル基、アリールチオエーテル基、アリール基、ヘテロアリール基、ハロゲン、カルボニル基、カルボキシル基、オキシカルボニル基およびカルバモイル基、シリル基、および−Ｐ（＝Ｏ）Ｒ^１７Ｒ^１８からなる群より選ばれる。Ｒ^１７およびＲ^１８はアリール基またはヘテロアリール基である。ただしＲ^１〜Ｒ^８のいずれかの位置およびＲ^９〜Ｒ^１６のいずれかの位置で２つのカルバゾール骨格が連結する。Ｌは単結合、置換もしくは無置換のアリーレン基、または置換もしくは無置換のヘテロアリーレン基である。Ａｒ^１は置換もしくは無置換のフェニル基を表す。Ａｒ^２は下記一般式（２）で表される基である。）

（式中、環Ａおよび環Ｂは、置換もしくは無置換のベンゼン環、置換もしくは無置換の単環芳香族複素環、置換もしくは無置換の縮合芳香族炭化水素環、または置換もしくは無置換の縮合芳香族複素環を表す。ただし、環Ａと環Ｂのうち少なくとも１つは縮合芳香族炭化水素基もしくは縮合芳香族複素環基を表す。Ｘは酸素原子、硫黄原子またはＮ−Ａｒ^５のいずれかである。Ａｒ^５はアリール基またはヘテロアリール基である。環Ａ、環ＢおよびＡｒ^５が置換されている場合の置換基はそれぞれ、水素、アルキル基、シクロアルキル基、複素環基、アルケニル基、シクロアルケニル基、アルキニル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アリールエーテル基、アリールチオエーテル基、アリール基、ヘテロアリール基、ハロゲン、カルボニル基、カルボキシル基、オキシカルボニル基、カルバモイル基および−Ｐ（＝Ｏ）Ｒ^１９Ｒ^２０からなる群より選ばれる。Ｒ^１９およびＲ^２０はアリール基またはヘテロアリール基である。Ｒ^１９およびＲ^２０は縮合して環を形成していてもよい。但し、Ａｒ^５、環Ａおよび環Ｂのうちいずれかの位置でＬと連結する。）A light emitting device material comprising a compound represented by the following general formula (1).

(R ^{1 to} R ¹⁶ may be the same as or different from each other, hydrogen, alkyl group, cycloalkyl group, heterocyclic group, alkenyl group, cycloalkenyl group, alkynyl group, alkoxy group, alkylthio group, aryl ether group, aryl thioether group, an aryl group, a heteroaryl group, halogen, a carbonyl group, a carboxyl group, oxycarbonyl group and carbamoyl group, a silyl group, and -P (= ^O) is selected from the group consisting of ^R 17 ^{R 18 .R 17} and R ¹⁸ is an aryl group or a heteroaryl group, provided that two carbazole skeletons are linked at any position of R ^{1 to} R ^{8 and} at any position of R ^{9 to} R ^16. L is a single bond, substituted or unsubstituted A substituted arylene group or a substituted or unsubstituted heteroarylene group. ¹ .Ar ² representing a substituted or unsubstituted phenyl group is a group represented by the following general formula (2).)

(In the formula, ring A and ring B are a substituted or unsubstituted benzene ring, a substituted or unsubstituted monocyclic aromatic heterocyclic ring, a substituted or unsubstituted condensed aromatic hydrocarbon ring, or a substituted or unsubstituted condensed ring. Represents an aromatic heterocyclic ring, wherein at least one of ring A and ring B represents a condensed aromatic hydrocarbon group or a condensed aromatic heterocyclic group, and X represents any of an oxygen atom, a sulfur atom or N-Ar ⁵ Ar ⁵ is an aryl group or a heteroaryl group, and when ring A, ring B and Ar ⁵ are substituted, the substituents are hydrogen, alkyl group, cycloalkyl group, heterocyclic group, alkenyl, respectively. Group, cycloalkenyl group, alkynyl group, alkoxy group, alkylthio group, aryl ether group, aryl thioether group, aryl group, heteroaryl group, halogen, carbonyl Group, a carboxyl group, an oxycarbonyl group, ^{.R 19} and ^{R 20} carbamoyl group and -P (= ^{O) .R 19} and ^{R 20} is selected from the group consisting of ^R 19 ^{R 20} is an aryl group or a heteroaryl group It may be condensed to form a ring, provided that it is connected to L at any position of Ar ⁵ , Ring A and Ring B.) 前記一般式（１）で表される化合物が、下記一般式（３）で表される化合物である請求項１記載の発光素子材料。

（式中、Ｒ^２１〜Ｒ^３４はそれぞれ同じでも異なっていてもよく、水素、アルキル基、シクロアルキル基、複素環基、アルケニル基、シクロアルケニル基、アルキニル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アリールエーテル基、アリールチオエーテル基、アリール基、ヘテロアリール基、ハロゲン、カルボニル基、カルボキシル基、オキシカルボニル基およびカルバモイル基、シリル基、および−Ｐ（＝Ｏ）Ｒ^３５Ｒ^３６からなる群より選ばれる。Ｒ^３５およびＲ^３６はアリール基またはヘテロアリール基である。またＲ^３５およびＲ^３６が縮合して環を形成していてもよい。Ａｒ^６は置換もしくは無置換のフェニル基を表す。Ａｒ^７は前記一般式（２）で表される基であり、式中環Ａ、環Ｂ、およびＡｒ^５のうちいずれかの位置でＬと連結する。）The light emitting device material according to claim 1, wherein the compound represented by the general formula (1) is a compound represented by the following general formula (3).

(Wherein R ^{21 to} R ³⁴ may be the same as or different from each other, hydrogen, alkyl group, cycloalkyl group, heterocyclic group, alkenyl group, cycloalkenyl group, alkynyl group, alkoxy group, alkylthio group, aryl ether) R, arylthioether group, aryl group, heteroaryl group, halogen, carbonyl group, carboxyl group, oxycarbonyl group and carbamoyl group, silyl group, and —P (═O) R ³⁵ R ^{36. 35} and R ³⁶ are an aryl group or a heteroaryl group, and R ³⁵ and R ³⁶ may be condensed to form a ring, Ar ⁶ represents a substituted or unsubstituted phenyl group, Ar ⁷ represents the above-mentioned It is a group represented by the general formula (2), and at any position of ring A, ring B, and Ar ⁵ L is linked.) 前記一般式（２）で表される基が、下記式（４）で表される基である請求項１または２記載の発光素子材料。

（式中、環Ｂは置換もしくは無置換の縮合芳香族炭化水素環、置換もしくは無置換の単環芳香族複素環、または置換もしくは無置換の縮合芳香族複素環を表す。Ｒ^３９〜Ｒ^４２はそれぞれ同じでも異なっていてもよく、水素、アルキル基、シクロアルキル基、複素環基、アルケニル基、シクロアルケニル基、アルキニル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アリールエーテル基、アリールチオエーテル基、アリール基、ヘテロアリール基、ハロゲン、カルボニル基、カルボキシル基、オキシカルボニル基およびカルバモイル基、シリル基、および−Ｐ（＝Ｏ）Ｒ^４３Ｒ^４４からなる群より選ばれる。Ｒ^４３およびＲ^４４はアリール基またはヘテロアリール基である。またＲ^４３およびＲ^４４が縮合して環を形成していてもよい。Ａｒ^８はアリール基もしくはヘテロアリール基を表す。但し、Ｒ^３９〜Ｒ^４２、Ａｒ^８および環Ｂのうちいずれかの位置でＬと連結する。）The light emitting device material according to claim 1 or 2, wherein the group represented by the general formula (2) is a group represented by the following formula (4).

(In the formula, ring B represents a substituted or unsubstituted condensed aromatic hydrocarbon ring, a substituted or unsubstituted monocyclic aromatic heterocyclic ring, or a substituted or unsubstituted condensed aromatic heterocyclic ring. R ^{39 to} R ^42. Each may be the same or different, hydrogen, alkyl group, cycloalkyl group, heterocyclic group, alkenyl group, cycloalkenyl group, alkynyl group, alkoxy group, alkylthio group, aryl ether group, aryl thioether group, aryl group, It is selected from the group consisting of a heteroaryl group, a halogen, a carbonyl group, a carboxyl group, an oxycarbonyl group and a carbamoyl group, a silyl group, and —P (═O) R ⁴³ R ^44. R ⁴³ and R ⁴⁴ are an aryl group or a hetero group. an aryl group. the good .Ar also form a ring engaged ^{R 43} and ^{R 44} are condensed Represents an aryl or heteroaryl group. ^However, coupling with L at any position of ^{R 39} ~R 42, Ar ⁸ and Ring B.) 環Ｂが下記一般式（５）〜（８）のいずれかで表される構造である請求項３記載の発光素子材料。

（式中、Ｒ^４５〜Ｒ^７０はそれぞれ同じでも異なっていてもよく、水素、アルキル基、シクロアルキル基、複素環基、アルケニル基、シクロアルケニル基、アルキニル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アリールエーテル基、アリールチオエーテル基、アリール基、ヘテロアリール基、ハロゲン、カルボニル基、カルボキシル基、オキシカルボニル基およびカルバモイル基、シリル基、および−Ｐ（＝Ｏ）Ｒ^７１Ｒ^７２からなる群より選ばれる。Ｒ^７１およびＲ^７２はアリール基またはヘテロアリール基である。またＲ^７１およびＲ^７２が縮合して環を形成していてもよい。但し、一般式（５）の場合はＲ^３９〜Ｒ^４２、Ｒ^４５〜Ｒ^５０およびＡｒ^８のうちいずれかの位置で、一般式（６）の場合はＲ^３９〜Ｒ^４２、Ｒ^５１〜Ｒ^５６およびＡｒ^８のうちいずれかの位置で、一般式（７）の場合はＲ^３９〜Ｒ^４２、Ｒ^４７〜Ｒ^６２およびＡｒ^８のうちいずれかの位置で、一般式（８）の場合はＲ^３９〜Ｒ^４２、Ｒ^６３〜Ｒ^７０およびＡｒ^８のうちいずれかの位置で、Ｌと連結する。）The light emitting device material according to claim 3, wherein the ring B has a structure represented by any one of the following general formulas (5) to (8).

(In the formula, R ^{45 to} R ⁷⁰ may be the same as or different from each other, and hydrogen, alkyl group, cycloalkyl group, heterocyclic group, alkenyl group, cycloalkenyl group, alkynyl group, alkoxy group, alkylthio group, aryl ether) Selected from the group consisting of a group, an arylthioether group, an aryl group, a heteroaryl group, a halogen, a carbonyl group, a carboxyl group, an oxycarbonyl group and a carbamoyl group, a silyl group, and -P (= O) R ⁷¹ R ^{72. 71} and R ⁷² are an aryl group or a heteroaryl group, and R ⁷¹ and R ⁷² may be condensed to form a ring, provided that in the general formula (5), R ^{39 to} R ⁴² , R in any position of ⁴⁵ to R ⁵⁰ and Ar ^8, in the case of the general formula ^{(6) R 39 ~R 42,} R 5 In any position of the to R ⁵⁶ and Ar ^8, in the case of the general formula (7) in any position of ^{R 39 ~R 42, R 47 ~R} 62 and Ar ^8, formula (8) In the case, it is linked to L at any position among R ^{39 to} R ⁴² , R ^{63 to} R ⁷⁰ and Ar ^8. ) 陽極と陰極の間に有機層が存在し、電気エネルギーにより発光する発光素子であって、前記陽極と陰極の間のいずれかの層に請求項１〜４のいずれか記載の発光素子材料を含有することを特徴とする発光素子。 An organic layer is present between the anode and the cathode, and the light emitting element emits light by electric energy, and the light emitting element material according to any one of claims 1 to 4 is contained in any layer between the anode and the cathode. A light emitting element characterized by comprising: 前記有機層に少なくとも正孔輸送層が存在し、正孔輸送層に請求項１〜４のいずれか記載の発光素子材料を含有する請求項５記載の発光素子。 The light emitting device according to claim 5, wherein at least a hole transport layer is present in the organic layer, and the light emitting device material according to claim 1 is contained in the hole transport layer. 前記有機層に少なくとも正孔注入層が存在し、正孔注入層に請求項１〜２のいずれか記載の発光素子材料を含有する請求項５記載の発光素子。 The light emitting device according to claim 5, wherein at least a hole injection layer is present in the organic layer, and the hole injection layer contains the light emitting device material according to claim 1. 前記有機層に少なくとも発光層が存在し、発光層がホスト材料とドーパント材料を有し、請求項１〜４のいずれか記載の発光素子材料がホスト材料であることを特徴とする請求項５記載の発光素子。 The light-emitting element material according to claim 1, wherein at least a light-emitting layer is present in the organic layer, the light-emitting layer has a host material and a dopant material, and the light-emitting element material according to claim 1 is a host material. Light emitting element.