JP2013171959A - 荷電粒子線描画装置、それを用いた物品の製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】この描画装置は、荷電粒子線で基板に描画を行うものであり、荷電粒子線を偏向させて基板上で走査する偏向器と、荷電粒子線を遮る遮蔽部21を含み、遮蔽部21で遮られなかった荷電粒子線の強度を検出する検出部20と、検出部20に対して荷電粒子線を走査の方向に偏向器で走査して検出部20で得られた信号を処理する処理部とを有する。ここで、遮蔽部21の有効領域は、走査の方向における端部の位置が走査に直交する方向において連続的に変化する形状を有する。さらに、処理部は、端部の複数の位置に関する信号を処理して偏向器に対する指令値と荷電粒子線の走査位置との関係を求める。
【選択図】図3
Description
まず、本発明の第1実施形態に係る荷電粒子線描画装置(以下「描画装置」という)について説明する。本実施形態の描画装置は、一例として単数の電子ビーム(荷電粒子線)を偏向(走査)させ、かつ、電子ビームのブランキング(照射のOFF)を制御することで、所定の描画データを基板の所定の位置に描画する。なお、荷電粒子線は、本実施形態のような電子線に限定されず、イオン線などの他の荷電粒子線であってもよい。図1は、本実施形態に係る描画装置1の構成を示す図である。なお、以下の各図では、基板に対する電子ビームの照射方向にZ軸を取り、Z軸に垂直な平面内に互いに直交するX軸およびY軸を取っている。さらに、以下の各図では、図1と同一構成のものには同一の符号を付す。描画装置1は、まず、電子銃2と、この電子銃2のクロスオーバ3から発散した電子ビーム4を複数に分割し、偏向および結像させる光学系5と、基板6を保持する基板ステージ7と、描画装置1内の各構成要素の動作などを制御する制御部8とを含む。なお、電子ビーム4は、大気圧雰囲気ではすぐに減衰するため、また高電圧による放電を防止するため、制御部8を除く上記構成要素は、不図示の真空排気系により内部圧力が調整された空間内に設置される。例えば、電子銃2および光学系5は、高い真空度に保たれた電子光学鏡筒内に設置される。同様に、基板ステージ7は、電子光学鏡筒内よりも比較的低い真空度に保たれたチャンバー内に設置される。なお、図1では、電子光学鏡筒とチャンバーとを一体とした鏡筒9を示している。また、被処理基板しての基板6は、例えば単結晶シリコンからなるウエハであり、表面上には感光性を有するレジストが塗布されている。
(An−A(n−1))/W=Tn (1)
V_AVEn=dn/Tn (2)
なお、計測開始位置における積算照射量をA0とすると、変動量がゼロとなったとき、すなわち動作開始直後の変動量がゼロであるから、積算照射量A0もゼロである。また、式(1)および(2)から、X0−X1間における走査速度V_AVE1は、以下の式(3)および(4)より得られる。
(A1−A0)/W=T1 (3)
V_AVE1=d1/T1 (4)
(A2−A1)/W=T2 (5)
V_AVE2=d2/T2 (6)
このように、計測制御部40は、各区間dnの積算値がY軸方向の長さhより大きくなるまでステップS102からS108までの工程を繰り返し実行して積算照射量Anを取得し、各区間dnにおける電子ビーム4の走査速度V_AVEnを算出する。そして、ステップS106にて、計測制御部40は、各区間dnの積算値がY軸方向の長さhよりも大きいと判定した場合には(YES)、以下のステップS109に移行する。
an=a(n−1)+Tn (7)
P1(t)=V_AVE1×t (a0≦t<a1) (8)
P2(t)=V_AVE2×(t−a1)+X1 (a0≦t<a1) (9)
P3(t)=V_AVE3×(t−a2)+X2 (a1≦t<a2) (10)
P4(t)=V_AVE4×(t−a3)+X3 (a2≦t<a3) (11)
P5(t)=V_AVE5×(t−a4)+X4 (a3≦t<a4) (12)
次に、本発明の第2実施形態に係る描画装置について説明する。本実施形態に係る描画装置の特徴は、検出部の検出面、およびこの検出面上に設置される遮蔽部の構成(形状)が、第1実施形態の場合と異なる点にある。図7は、本実施形態に係る検出部50の検出面と、この検出面上の遮蔽部51の構成を示す平面図、およびこの平面図に対応した時間に対する電子ビーム4の照射量を示すグラフである。本実施形態では、検出部50は、X軸方向の長さh1に対して、Y軸方向の長さh2がh1/2である長方形の検出面を有し、特に、長さh1は、偏向器15による電子ビーム4の走査範囲の大きさと等しいものとする。さらに、遮蔽部51は、検出部50の上部で、かつ、図7の上図に示すようにX軸に対して45°の角度を持った位置に配置される第1遮蔽部51aと第2遮蔽部51bとからなる。特に、第1遮蔽部51aは、その1辺である端部が、X軸計測開始位置X0、Y軸計測開始位置Y0を始点として、この始点から位置(X3、Y3)(共に長さh2)までを結ぶように配置される。一方、第2遮蔽部51bは、その1辺である端部が、位置(X3、Y0)を始点として、この始点から位置(X6、Y3)(長さh1、h2)までを結ぶように配置される。
(A4−A3)/W=T5 (13)
V_AVE5=d5/T5 (14)
これ以下の工程は、第1実施形態の計測シーケンスでの工程と同様である。
次に、本発明の第3実施形態に係る描画装置について説明する。本実施形態に係る描画装置の特徴は、検出部の検出面、およびこの検出面上に設置される遮蔽部との構成(形状)が、さらに第1実施形態の場合と異なる点にある。図8は、本実施形態に係る検出部60の検出面と、この検出面上の遮蔽部61との構成を示す平面図、およびこの平面図に対応した時間に対する電子ビーム4の照射量を示すグラフである。本実施形態では、検出部60は、X軸方向の長さh1に対して、Y軸方向の長さh2が√2×h1である長方形の検出面を有し、特に、長さh1は、偏向器15による電子ビーム4の走査範囲の大きさと等しいものとする。さらに、遮蔽部61は、検出部50の上部で、かつ、図8の上図に示すように検出部50の対角線、すなわちX軸に対して60°の角度を持った位置に配置される。
V_AVEn=(dn/√2)/Tn (15)
次に、本実施形態のステップS106では、計測制御部40は、各区間dnの積算値(Σdn)と、検出部60のY軸方向の長さh2とを比較する。ここで、第1実施形態では遮蔽部21の設置角度が45°であるので、基板ステージ7のステップ駆動距離(区間dn)と、算出される電子ビーム4の走査速度の区間とが同じである。これに対して、本実施形態では、遮蔽部61の設置角度が60°であるので、基板ステージ7のステップ駆動区間dnに対して、算出される電子ビーム4の走査速度の区間は、dn/√2となる。すなわち、計測制御部40は、第1実施形態と同様に基板ステージ7のステップ駆動距離をdnとした場合、第1実施形態よりも細かい区間に区切って電子ビーム4の走査速度を算出することになる。したがって、本実施形態の描画装置は、より高精度に走査位置指令値と走査位置との関係を導出することが可能となる。なお、逆に考えれば、遮蔽部の設置角度を45°よりも小さくすることで、走査位置指令値と走査位置との関係を粗く導出することも可能である。すなわち、本発明は、遮蔽部の設置角度を可変とし、必要とされる精度や計測時間などにより任意に設定することができる。さらに、本実施形態の描画装置による効果は、第1実施形態での基板ステージ7のステップ駆動距離(各区間dnの幅)を小さく、または大きくすることでも同等に得られる。
本発明の実施形態に係る物品の製造方法は、例えば、半導体デバイスなどのマイクロデバイスや微細構造を有する素子などの物品を製造するのに好適である。該製造方法は、感光剤が塗布された基板の該感光剤に上記の描画装置を用いて潜像パターンを形成する工程(基板に描画を行う工程)と、該工程で潜像パターンが形成された基板を現像する工程とを含み得る。さらに、該製造方法は、他の周知の工程(酸化、成膜、蒸着、ドーピング、平坦化、エッチング、レジスト剥離、ダイシング、ボンディング、パッケージングなど)を含み得る。本実施形態の物品の製造方法は、従来の方法に比べて、物品の性能・品質・生産性・生産コストの少なくとも1つにおいて有利である。
4 電子ビーム
6 基板
8 制御部
15 偏向器
20 電子ビーム検出部
21 遮蔽部
40 計測シーケンス制御部
Claims (8)
- 荷電粒子線で基板に描画を行う描画装置であって、
前記荷電粒子線を偏向させて前記基板の上で走査する偏向器と、
前記荷電粒子線を遮る遮蔽部を含み、前記遮蔽部で遮られなかった荷電粒子線の強度を検出する検出部と、
前記検出部に対して前記荷電粒子線を前記走査の方向に前記偏向器で走査して前記検出部で得られた信号を処理する処理部と、を有し、
前記遮蔽部の有効領域は、前記走査の方向における端部の位置が前記走査に直交する方向において連続的に変化する形状を有し、
前記処理部は、前記端部の複数の位置に関する前記信号を処理して、前記偏向器に対する指令値と前記荷電粒子線の走査位置との関係を求める、
ことを特徴とする描画装置。 - 前記処理部は、前記端部の複数の位置のうち互いに隣り合う2つの位置に対応する前記走査の方向の区間における前記荷電粒子線の走査速度に基づいて前記関係を求める、ことを特徴とする請求項1に記載の描画装置。
- 前記指令値、前記基板の位置、および描画データの少なくとも1つを前記関係に基づいて補正する補正手段を有する、ことを特徴とする請求項1または請求項2に記載の描画装置。
- 前記端部の複数の位置は、可変である、ことを特徴とする請求項1ないし請求項3のいずれか1項に記載の描画装置。
- 前記端部の複数の位置に関する前記信号は、前記直交する方向に前記検出部を移動させて得る、ことを特徴とする請求項1ないし請求項4のいずれか1項に記載の描画装置。
- 前記端部の複数の位置に関する前記信号は、前記直交する方向に前記荷電粒子線を前記偏向器で偏向させて得る、ことを特徴とする請求項1ないし請求項4のいずれか1項に記載の描画装置。
- 前記走査の方向において、前記検出部の検出面の大きさは、前記偏向器による前記荷電粒子線の走査範囲の大きさ以上である、ことを特徴とする請求項1ないし請求項6のいずれか1項に記載の描画装置。
- 請求項1ないし請求項7のいずれか1項に記載の描画装置を用いて基板に描画を行う工程と、
前記工程で描画を行われた基板を現像する工程と、
を含むことを特徴とする物品の製造方法。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2012034658A JP2013171959A (ja) | 2012-02-21 | 2012-02-21 | 荷電粒子線描画装置、それを用いた物品の製造方法 |
US13/772,816 US8916840B2 (en) | 2012-02-21 | 2013-02-21 | Lithography apparatus, and article manufacturing method |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2012034658A JP2013171959A (ja) | 2012-02-21 | 2012-02-21 | 荷電粒子線描画装置、それを用いた物品の製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2013171959A true JP2013171959A (ja) | 2013-09-02 |
JP2013171959A5 JP2013171959A5 (ja) | 2015-02-05 |
Family
ID=49043027
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2012034658A Pending JP2013171959A (ja) | 2012-02-21 | 2012-02-21 | 荷電粒子線描画装置、それを用いた物品の製造方法 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US8916840B2 (ja) |
JP (1) | JP2013171959A (ja) |
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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2012
- 2012-02-21 JP JP2012034658A patent/JP2013171959A/ja active Pending
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Publication number | Publication date |
---|---|
US8916840B2 (en) | 2014-12-23 |
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