JP2013171840A - 多周波数rfパルス出力のための、周波数改善インピーダンス依存電力制御 - Google Patents
多周波数rfパルス出力のための、周波数改善インピーダンス依存電力制御 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2013171840A JP2013171840A JP2013031820A JP2013031820A JP2013171840A JP 2013171840 A JP2013171840 A JP 2013171840A JP 2013031820 A JP2013031820 A JP 2013031820A JP 2013031820 A JP2013031820 A JP 2013031820A JP 2013171840 A JP2013171840 A JP 2013171840A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- frequency
- signal
- value
- power source
- power
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Ceased
Links
- 230000001419 dependent effect Effects 0.000 title description 48
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 54
- 230000008859 change Effects 0.000 claims abstract description 9
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 29
- 230000007704 transition Effects 0.000 claims description 21
- 230000004044 response Effects 0.000 claims description 11
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 10
- GNFTZDOKVXKIBK-UHFFFAOYSA-N 3-(2-methoxyethoxy)benzohydrazide Chemical compound COCCOC1=CC=CC(C(=O)NN)=C1 GNFTZDOKVXKIBK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- FGUUSXIOTUKUDN-IBGZPJMESA-N C1(=CC=CC=C1)N1C2=C(NC([C@H](C1)NC=1OC(=NN=1)C1=CC=CC=C1)=O)C=CC=C2 Chemical compound C1(=CC=CC=C1)N1C2=C(NC([C@H](C1)NC=1OC(=NN=1)C1=CC=CC=C1)=O)C=CC=C2 FGUUSXIOTUKUDN-IBGZPJMESA-N 0.000 claims 1
- 230000003213 activating effect Effects 0.000 claims 1
- 230000008569 process Effects 0.000 description 12
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 2
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- 238000012544 monitoring process Methods 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 238000009832 plasma treatment Methods 0.000 description 1
- 230000000750 progressive effect Effects 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 238000006467 substitution reaction Methods 0.000 description 1
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32009—Arrangements for generation of plasma specially adapted for examination or treatment of objects, e.g. plasma sources
- H01J37/32082—Radio frequency generated discharge
- H01J37/32137—Radio frequency generated discharge controlling of the discharge by modulation of energy
- H01J37/32146—Amplitude modulation, includes pulsing
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05H—PLASMA TECHNIQUE; PRODUCTION OF ACCELERATED ELECTRICALLY-CHARGED PARTICLES OR OF NEUTRONS; PRODUCTION OR ACCELERATION OF NEUTRAL MOLECULAR OR ATOMIC BEAMS
- H05H1/00—Generating plasma; Handling plasma
- H05H1/24—Generating plasma
- H05H1/46—Generating plasma using applied electromagnetic fields, e.g. high frequency or microwave energy
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32009—Arrangements for generation of plasma specially adapted for examination or treatment of objects, e.g. plasma sources
- H01J37/32082—Radio frequency generated discharge
- H01J37/32137—Radio frequency generated discharge controlling of the discharge by modulation of energy
- H01J37/32155—Frequency modulation
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32009—Arrangements for generation of plasma specially adapted for examination or treatment of objects, e.g. plasma sources
- H01J37/32082—Radio frequency generated discharge
- H01J37/32137—Radio frequency generated discharge controlling of the discharge by modulation of energy
- H01J37/32155—Frequency modulation
- H01J37/32165—Plural frequencies
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32009—Arrangements for generation of plasma specially adapted for examination or treatment of objects, e.g. plasma sources
- H01J37/32082—Radio frequency generated discharge
- H01J37/32174—Circuits specially adapted for controlling the RF discharge
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32917—Plasma diagnostics
- H01J37/3299—Feedback systems
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H7/00—Multiple-port networks comprising only passive electrical elements as network components
- H03H7/38—Impedance-matching networks
- H03H7/40—Automatic matching of load impedance to source impedance
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
- Plasma Technology (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
【解決手段】第1のRF信号を高電力状態と低電力状態との間で供給するために第1のRF電源を第1のパルス周波数でパルス出力させることを含む。更に、第2のRF電源によって出力される第2のRF信号のRF周波数を、測定可能チャンバパラメータの値に応答して第1の既定のRF周波数と第2のRF周波数との間で切り替えることを含む。第1のRF周波数及び第2のRF周波数、並びに切り替えのための閾値は、学習段階中、第1のRF信号が第1のRF周波数よりも低い第2のRF周波数で高電力状態と低電力状態との間でパルス出力されている間に及び第2のRF電源が異なるモードで動作している間に、前もって学習される。
【選択図】なし
Description
本出願は、米国特許法第119条(e)に基づいて、参照によってその全体を本明細書に組み込まれるJohn C. Valcore Jr. 等によって2012年2月22日に出願された発明の名称を「Frequency Enhanced Impedance Dependent Power Control For Multi-Frequency RF Pulsing(多周波数RFパルス出力のための、周波数改善インピーダンス依存電力制御)」とする共同所有の米国仮特許出願第61/602,040号に基づく優先権を主張する。
Claims (20)
- 少なくとも1つのプラズマ処理チャンバを有するプラズマ処理システムにおいて基板を処理するための方法であって、前記プラズマ処理チャンバは、前記処理中に前記プラズマ処理チャンバ内においてプラズマを維持するために複数のRF電源を用い、前記方法は、
高電力状態と低電力状態との間で第1のRF信号を供給するために、前記複数のRF電源の第1のRF電源を第1のパルス周波数でパルス出力させること、
前記複数のRF電源の第2のRF電源を固定周波数モードで動作させること、これにより前記第2のRF電源は前記第2のRF電源によって出力される第2のRF信号の周波数を自己同調させることを許可されず、前記第2のRF信号は少なくとも2つの交代する固定RF周波数値、すなわち第1のRF周波数値及び第2のRF周波数値で動作し、前記第1のRF周波数値及び前記第2のRF周波数値は、学習段階中、前記第1のRF信号が前記第1のパルス周波数よりも低い第2のパルス周波数で前記高電力状態と前記低電力状態との間でパルス出力されることに応答して、前記第2のRF電源が前記第2のRF信号のRF周波数を自己同調させるために周波数自己同調モードで動作しているときに、前もって学習されること、
を備える方法。 - 請求項1に記載の方法であって、更に、
前記複数のRF電源の第3のRF電源を固定周波数モードで動作させること、これにより前記第3のRF電源は前記第3のRF電源によって出力される第3のRF信号の周波数を自己同調させることを許可されず、前記第3のRF信号は少なくとも2つの交代する固定RF周波数値、すなわち第3のRF周波数値及び第4のRF周波数値で動作し、前記第3のRF周波数値及び前記第4のRF周波数値は、前記学習段階中、前記第1のRF信号が前記第1のパルス周波数よりも低いパルス周波数で前記高電力状態と前記低電力状態との間でパルス出力されることに応答して、前記第3のRF電源が前記第3のRF信号のRF周波数を自己同調させるために周波数自己同調モードで動作しているときに、前もって学習されること、を備える方法。 - 請求項1に記載の方法であって、
前記第1のRF電源は、独立にパルス出力するRF電源を表し、前記第2のRF電源は、前記プラズマ処理チャンバからの測定可能チャンバパラメータの値に応答して前記第2のRF信号のRF周波数を少なくとも前記第1のRF周波数値と前記第2のRF周波数値との間で変化させる、方法。 - 請求項3に記載の方法であって、
前記測定可能チャンバパラメータは、ガンマを表す、方法。 - 請求項3に記載の方法であって、更に、
前記測定可能チャンバパラメータの前記値を既定の閾値と比較することを備える方法。 - 請求項5に記載の方法であって、
前記既定の閾値は、前記学習段階中、前記第1のRF電源が前記第1のパルス周波数よりも低い前記第2のパルス周波数で前記高電力状態と前記低電力状態との間でパルス出力している前記学習段階中に取得される、方法。 - 請求項6に記載の方法であって、
前記既定の閾値は少なくとも第1の既定の閾値及び第2の既定の閾値を含み、前記第1の既定の閾値は、前記学習段階中、前記第2のRF信号が前記第1のRF周波数値で動作し前記第1のRF信号が前記高電力状態から前記低電力状態へ移行する間に前記第2のRF電源が前記固定周波数モードで動作しているときに取得され、前記第2の既定の閾値は、前記学習段階中、前記第2のRF信号が前記第2のRF周波数値で動作し前記第1のRF信号が前記低電力状態から前記高電力状態へ移行する間に前記第2のRF電源が前記固定周波数モードで動作しているときに取得される、方法。 - 請求項7に記載の方法であって、
前記第1の既定の閾値は前記測定可能チャンバパラメータの第1の値と、第1の閾値調整定数との和を表し、前記測定可能チャンバパラメータの前記第1の値は、前記学習段階中、前記第2のRF信号が前記第1のRF周波数値で動作し前記第1のRF信号が前記高電力状態から前記低電力状態へ移行する間に前記第2のRF電源が前記固定周波数モードで動作しているときに取得される、方法。 - 請求項7に記載の方法であって、
前記第2の既定の閾値は前記測定可能チャンバパラメータの第2の値と、第2の閾値調整定数との和を表し、前記測定可能チャンバパラメータの前記第2の値は、前記学習段階中、前記第2のRF信号が前記第2のRF周波数値で動作し前記第1のRF信号が前記低電力状態から前記高電力状態へ移行する間に前記第2のRF電源が前記固定周波数モードで動作しているときに取得される、方法。 - 請求項1に記載の方法であって、
前記低電力状態は、ゼロワット以外である、方法。 - 少なくとも1つのプラズマ処理チャンバを有するプラズマ処理システムにおいて基板を処理するための方法であって、前記プラズマ処理チャンバは、前記処理中に前記プラズマ処理チャンバ内においてプラズマを維持するために複数のRF電源を用い、前記方法は、
学習段階であって、
(a)第1のRF信号の電力レベルを低電力状態と高電力状態との間で前記複数のRF電源の第1のRF電源を変化させるようにパルス出力させること、前記学習段階における前記第1のRF電源の前記パルス出力は第1のパルス周波数で実施されること、
(b)前記第2のRF電源によって出力される第2のRF信号の周波数を前記第2のRF電源が自己同調させることを許可される自己同調モードで前記複数のRF電源の第2のRF電源を動作させ、第1のRF周波数値を取得すること、前記第1のRF周波数値は前記第1のRF信号が前記高電力状態にあるときに前記第2のRF電源が前記第2のRF信号の前記周波数を前記自己同調モードで自己同調させた周波数であること、
(c)その後、前記第2のRF電源によって出力される第2のRF信号の周波数を前記第2のRF電源が自己同調させることを許可される前記自己同調モードで前記複数のRF電源の前記第2のRF電源を動作させ、第2のRF周波数値を取得すること、前記第2のRF周波数値は前記第1のRF信号が前記低電力状態にあるときに前記第2のRF電源が前記第2のRF信号の前記周波数を前記自己同調モードで自己同調させた周波数であること、
を含む学習段階を実行すること、
生産段階であって、
(d)第1のRF信号の前記電力レベルを前記低電力状態と前記高電力状態との間で交互させるように前記複数のRF電源の前記RF電源をパルス出力させること、前記生産段階における前記第1のRF電源の前記パルス出力は、前記第1のパルス周波数よりも速い第2のパルス周波数で実施されることと、
(e)前記第2のRF電源を固定周波数モードで動作させている間に、前記第1のRF周波数と前記RF周波数との間で前記第2のRF電源の前記周波数を交互させること、これにより前記固定周波数モードにある前記第2のRF電源は、前記第2のRF電源が前記自己同調モードにある間に前記第2のRF信号の前記周波数を自己同調させるやり方で前記第2のRF信号の前記周波数を自己同調させることを許可されないこと、
を含む生産段階を実行すること、
を備える方法。 - 請求項11に記載の方法であって、
前記学習段階を実行することは、更に、
(f)前記固定周波数モードで前記第2のRF電源を動作させ、前記第1のRF信号の前記電力レベルを前記高電力状態から前記低電力状態へ変化させるように前記第1のRF電源をパルス出力させ、その後、前記第2のRF電源が前記固定周波数モードで動作し前記第2のRF信号が前記第1のRF周波数値を有し前記第1のRF信号が前記低電力状態を有する間に、前記第2のRF電源に関連付けられたセンサを使用して、測定可能チャンバパラメータの第1の値を取得することを含み、前記ステップf)は、前記ステップb)と前記ステップc)との間で実行される、方法。 - 請求項11に記載の方法であって、
前記学習段階を実行することは、更に、
(g)前記固定周波数モードで前記第2のRF電源を動作させ、前記第1のRF信号の前記電力レベルを前記低電力状態から前記高電力状態へ変化させるように前記第1のRF電源をパルス出力させ、その後、前記第2のRF電源が前記固定周波数モードで動作し前記第2のRF信号が前記第2のRF周波数値を有し前記第1のRF信号が前記高電力状態を有する間に、前記第2のRF電源に関連付けられたセンサを使用して、前記測定可能チャンバパラメータの第2の値を取得することを含み、前記ステップg)は、前記ステップc)の後に実行される、方法。 - 請求項13に記載の方法であって、
前記測定可能プラズマパラメータは、ガンマを表す、方法。 - 請求項13に記載の方法であって、
前記交互させることは、測定可能パラメータの値を前記測定可能チャンバパラメータの前記第1の値及び前記測定可能チャンバパラメータの前記第2の値と比較することに応答してなされる、方法。 - 請求項13に記載の方法であって、
前記交互させることは、前記測定可能チャンバパラメータの値を、前記測定可能チャンバパラメータの前記第1の値に第1の閾値調整値を加えたものを表す第1の閾値と比較することに応答してなされる、方法。 - 請求項16に記載の方法であって、
前記交互させることは、前記測定可能チャンバパラメータの値を、前記測定可能チャンバパラメータの前記第2の値に第2の閾値調整値を加えたものを表す第2の閾値と比較することに応答してなされる、方法。 - 請求項11に記載の方法であって、
前記第1のRF電源は、独立にパルス出力するRF電源を表す、方法。 - 請求項11に記載の方法であって、
前記低電力状態は、ゼロワットである、方法。 - 請求項11に記載の方法であって、
前記低電力状態は、ゼロワット以外である、方法。
Applications Claiming Priority (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US201261602040P | 2012-02-22 | 2012-02-22 | |
US61/602,040 | 2012-02-22 | ||
US13/621,759 US9030101B2 (en) | 2012-02-22 | 2012-09-17 | Frequency enhanced impedance dependent power control for multi-frequency RF pulsing |
US13/621,759 | 2012-09-17 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2013171840A true JP2013171840A (ja) | 2013-09-02 |
JP2013171840A5 JP2013171840A5 (ja) | 2016-03-31 |
Family
ID=48981753
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2013031820A Ceased JP2013171840A (ja) | 2012-02-22 | 2013-02-21 | 多周波数rfパルス出力のための、周波数改善インピーダンス依存電力制御 |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (2) | US9030101B2 (ja) |
JP (1) | JP2013171840A (ja) |
KR (1) | KR20130096674A (ja) |
CN (2) | CN105719933A (ja) |
SG (1) | SG193086A1 (ja) |
TW (2) | TWI599270B (ja) |
Families Citing this family (15)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US9408288B2 (en) * | 2012-09-14 | 2016-08-02 | Lam Research Corporation | Edge ramping |
CN103730316B (zh) * | 2012-10-16 | 2016-04-06 | 中微半导体设备(上海)有限公司 | 一种等离子处理方法及等离子处理装置 |
US9318304B2 (en) | 2013-11-11 | 2016-04-19 | Applied Materials, Inc. | Frequency tuning for dual level radio frequency (RF) pulsing |
CN104754850B (zh) * | 2013-12-31 | 2019-11-05 | 中微半导体设备(上海)股份有限公司 | 一种电感耦合型等离子处理器 |
US9741539B2 (en) * | 2015-10-05 | 2017-08-22 | Applied Materials, Inc. | RF power delivery regulation for processing substrates |
KR20170103661A (ko) * | 2016-03-04 | 2017-09-13 | 램 리써치 코포레이션 | 보다 저 주파수 rf 생성기의 기간 동안 보다 고 주파수 rf 생성기를 향하여 반사된 전력을 감소시키고 그리고 반사된 전력을 감소시키도록 관계를 사용하기 위한 시스템들 및 방법들 |
KR20170117312A (ko) * | 2016-04-13 | 2017-10-23 | 램 리써치 코포레이션 | 무선 주파수 값들을 사용함으로써 상태 전이들 동안 반사된 전력을 감소시키기 위한 시스템들 및 방법들 |
US9872373B1 (en) | 2016-10-25 | 2018-01-16 | Applied Materials, Inc. | Smart multi-level RF pulsing methods |
JP2020502803A (ja) * | 2016-12-16 | 2020-01-23 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッドApplied Materials,Incorporated | チャンバドリフティングなしで高温処理を可能にする方法 |
KR102475069B1 (ko) | 2017-06-30 | 2022-12-06 | 삼성전자주식회사 | 반도체 제조 장치, 이의 동작 방법 |
GB2584146A (en) | 2019-05-23 | 2020-11-25 | Comet Ag | Radio frequency generator |
US11545341B2 (en) | 2019-10-02 | 2023-01-03 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Plasma etching method and semiconductor device fabrication method including the same |
CN112992636B (zh) * | 2019-12-17 | 2023-09-29 | 中微半导体设备(上海)股份有限公司 | 用于等离子体处理设备的射频功率源装置和射频功率分配方法 |
JP2022102688A (ja) | 2020-12-25 | 2022-07-07 | 株式会社ダイヘン | 高周波電源システム |
JP2023097863A (ja) | 2021-12-28 | 2023-07-10 | 株式会社ダイヘン | 高周波電源システム |
Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH10312899A (ja) * | 1997-05-15 | 1998-11-24 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | プラズマ処理方法及びプラズマ処理装置 |
JP2005130198A (ja) * | 2003-10-23 | 2005-05-19 | Ulvac Japan Ltd | 高周波装置 |
US20070066038A1 (en) * | 2004-04-30 | 2007-03-22 | Lam Research Corporation | Fast gas switching plasma processing apparatus |
JP2008130398A (ja) * | 2006-11-22 | 2008-06-05 | Pearl Kogyo Co Ltd | 高周波電源装置および高周波電力供給方法 |
US20090001890A1 (en) * | 2007-06-29 | 2009-01-01 | Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc. | Apparatus for Plasma Processing a Substrate and a Method Thereof |
US20090255800A1 (en) * | 2008-03-31 | 2009-10-15 | Tokyo Electron Limited | Plasma processing apparatus, plasma processing method, and computer readable storage medium |
JP2010258605A (ja) * | 2009-04-22 | 2010-11-11 | Japan Radio Co Ltd | パルスディテクタ |
Family Cites Families (15)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5155547A (en) * | 1990-02-26 | 1992-10-13 | Leco Corporation | Power control circuit for inductively coupled plasma atomic emission spectroscopy |
US5656123A (en) * | 1995-06-07 | 1997-08-12 | Varian Associates, Inc. | Dual-frequency capacitively-coupled plasma reactor for materials processing |
US6024044A (en) * | 1997-10-09 | 2000-02-15 | Applied Komatsu Technology, Inc. | Dual frequency excitation of plasma for film deposition |
US6592710B1 (en) * | 2001-04-12 | 2003-07-15 | Lam Research Corporation | Apparatus for controlling the voltage applied to an electrostatic shield used in a plasma generator |
US6841943B2 (en) * | 2002-06-27 | 2005-01-11 | Lam Research Corp. | Plasma processor with electrode simultaneously responsive to plural frequencies |
US7976673B2 (en) * | 2003-05-06 | 2011-07-12 | Lam Research Corporation | RF pulsing of a narrow gap capacitively coupled reactor |
US7049751B2 (en) * | 2003-07-16 | 2006-05-23 | Advanced Energy Industries, Inc | Termination of secondary frequencies in RF power delivery |
CN101630624B (zh) * | 2003-12-18 | 2011-10-26 | 应用材料公司 | 双频rf匹配 |
US9011633B2 (en) * | 2005-11-17 | 2015-04-21 | Mks Instruments, Inc. | Broadband techniques to reduce the effects of impedance mismatch in plasma chambers |
US20070246161A1 (en) * | 2006-04-24 | 2007-10-25 | Applied Materials, Inc. | Plasma reactor apparatus with a toroidal plasma source and a VHF capacitively coupled plasma source with variable frequency |
EP2089894B1 (en) * | 2006-11-27 | 2011-06-01 | Dublin City University | A plasma system and measurement method |
US8040068B2 (en) * | 2009-02-05 | 2011-10-18 | Mks Instruments, Inc. | Radio frequency power control system |
US8513889B2 (en) * | 2009-10-21 | 2013-08-20 | Applied Materials, Inc. | Methods and apparatus for tuning matching networks |
US8501631B2 (en) * | 2009-11-19 | 2013-08-06 | Lam Research Corporation | Plasma processing system control based on RF voltage |
US20120000888A1 (en) * | 2010-06-30 | 2012-01-05 | Applied Materials, Inc. | Methods and apparatus for radio frequency (rf) plasma processing |
-
2012
- 2012-09-17 US US13/621,759 patent/US9030101B2/en active Active
-
2013
- 2013-02-01 SG SG2013008818A patent/SG193086A1/en unknown
- 2013-02-21 TW TW102106074A patent/TWI599270B/zh active
- 2013-02-21 KR KR1020130018889A patent/KR20130096674A/ko not_active Application Discontinuation
- 2013-02-21 CN CN201610140322.5A patent/CN105719933A/zh active Pending
- 2013-02-21 JP JP2013031820A patent/JP2013171840A/ja not_active Ceased
- 2013-02-21 CN CN201310056412.2A patent/CN103295865B/zh active Active
- 2013-02-21 TW TW106117776A patent/TW201729651A/zh unknown
-
2015
- 2015-04-03 US US14/678,883 patent/US9236228B2/en active Active
Patent Citations (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH10312899A (ja) * | 1997-05-15 | 1998-11-24 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | プラズマ処理方法及びプラズマ処理装置 |
JP2005130198A (ja) * | 2003-10-23 | 2005-05-19 | Ulvac Japan Ltd | 高周波装置 |
US20070066038A1 (en) * | 2004-04-30 | 2007-03-22 | Lam Research Corporation | Fast gas switching plasma processing apparatus |
JP2010510669A (ja) * | 2006-11-17 | 2010-04-02 | ラム リサーチ コーポレーション | 高速ガス切り替えプラズマ処理装置 |
JP2008130398A (ja) * | 2006-11-22 | 2008-06-05 | Pearl Kogyo Co Ltd | 高周波電源装置および高周波電力供給方法 |
US20080128087A1 (en) * | 2006-11-22 | 2008-06-05 | Eiich Hayano | High frequency power supply device and high frequency power supplying method |
US20090001890A1 (en) * | 2007-06-29 | 2009-01-01 | Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc. | Apparatus for Plasma Processing a Substrate and a Method Thereof |
JP2010532549A (ja) * | 2007-06-29 | 2010-10-07 | ヴァリアン セミコンダクター イクイップメント アソシエイツ インコーポレイテッド | 強化された電荷中和及びプロセス制御を具えたプラズマ処理 |
US20090255800A1 (en) * | 2008-03-31 | 2009-10-15 | Tokyo Electron Limited | Plasma processing apparatus, plasma processing method, and computer readable storage medium |
JP2009246091A (ja) * | 2008-03-31 | 2009-10-22 | Tokyo Electron Ltd | プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法及びコンピュータ読み取り可能な記憶媒体 |
JP2010258605A (ja) * | 2009-04-22 | 2010-11-11 | Japan Radio Co Ltd | パルスディテクタ |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US9236228B2 (en) | 2016-01-12 |
US20150214012A1 (en) | 2015-07-30 |
US9030101B2 (en) | 2015-05-12 |
SG193086A1 (en) | 2013-09-30 |
KR20130096674A (ko) | 2013-08-30 |
TW201415957A (zh) | 2014-04-16 |
CN103295865B (zh) | 2016-04-13 |
US20130214682A1 (en) | 2013-08-22 |
CN103295865A (zh) | 2013-09-11 |
TWI599270B (zh) | 2017-09-11 |
CN105719933A (zh) | 2016-06-29 |
TW201729651A (zh) | 2017-08-16 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP2013171840A (ja) | 多周波数rfパルス出力のための、周波数改善インピーダンス依存電力制御 | |
KR102325238B1 (ko) | 플라즈마 공정의 전력 공급 동안 발생하는 아크를 검출하는 방법, 플라즈마 전력 공급부에 대한 제어 유닛, 및 플라즈마 전력 공급부 | |
JP6400272B2 (ja) | インピーダンスに基づいた電力および周波数の調整 | |
US20160268100A1 (en) | Methods and apparatus for synchronizing rf pulses in a plasma processing system | |
US9745660B2 (en) | Method for controlling a plasma chamber | |
JP6424024B2 (ja) | プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法 | |
US20180323038A1 (en) | Methods and apparatus for controlling plasma in a plasma processing system | |
TW201345326A (zh) | 無線電波產生器的功率和頻率雙向自動調整系統和方法 | |
KR101769073B1 (ko) | 플라즈마 처리 장치 | |
KR100783454B1 (ko) | 아크 탐지의 방법 | |
US20230298857A1 (en) | Systems and Methods for Extracting Process Control Information from Radiofrequency Supply System of Plasma Processing System | |
JP2014146593A5 (ja) | ||
JP4493896B2 (ja) | プラズマ処理装置及びプラズマ処理停止方法 | |
JP2009054548A (ja) | プラズマ処理装置用の異常検出器、プラズマ処理システム、及びプラズマ処理装置の異常検出方法 | |
JP2003234329A (ja) | 電源装置及びこれを用いた半導体製造装置及び半導体ウェハの製造方法 | |
JP2009252832A (ja) | 異常放電検出方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20160209 |
|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20160209 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20161125 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20161206 |
|
A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20170224 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20170605 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20171121 |
|
A045 | Written measure of dismissal of application [lapsed due to lack of payment] |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A045 Effective date: 20180327 |