JP2013153089A - 電子装置及びその製造方法 - Google Patents

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Abstract

【課題】熱伝導性樹脂中の熱伝導体を介した、半導体装置からヒートスプレッダへの熱の伝導を高効率で行うことができる電子装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】電子装置は、半導体装置３と、前記半導体装置の上方に設けられ、熱伝導体１０と樹脂１１とを含む熱伝導性樹脂４と、前記熱伝導性樹脂の上方に設けられ、前記熱伝導体と熱的に接触する線状炭素５と、前記線状炭素の上方に設けられ、前記熱伝導性樹脂が埋め込まれた凹部７を備えるヒートスプレッダ８と、を備える。
【選択図】図１

Description

本発明は、電子装置及びその製造方法に関する。
近年、電子機器に対する高性能化および小型化などの要求に伴い、電子機器に組み込まれる電子部品の高密度実装化が急速に進んでいる。そのような高密度実装化に対応するために、半導体チップについては、ベアチップの状態で配線基板に面実装される即ちフリップチップ実装される場合が増えてきている。
フリップチップ実装される半導体チップは、高性能化が進むに従って発熱量も増大している。このため、例えば半導体チップの上方に設けられたサーマルインターフェイスマテリアル（ＴＩＭ：Thermal Interface Material）を介して、銅などの高い熱伝導度を有する材料のヒートシンクが配置された構造が用いられている。この方法によれば、半導体チップとヒートシンクとの距離を物理的に近接させることができるため、発熱した半導体チップを効率良く冷却することができる。
ＴＩＭとしては、例えばカーボンナノチューブ（以下、ＣＮＴと呼ぶ）などの熱伝導体（フィラー）と樹脂とを含む熱伝導性樹脂が用いられている。また、ＣＮＴを用いた熱伝導性樹脂として、複数の第１のＣＮＴを充填する樹脂層の底部に複数の第２のＣＮＴを分散させて形成したシート用部材が開示されている。
特許第４０３６７４２号公報 特開２００３−６９１８７号公報 特開２００４−１６５５８６号公報 特開２００７−１６５１４９号公報 特開２０１１−９６８３２号公報
上述の熱伝導性樹脂をＴＩＭとして用いる場合、熱伝導性樹脂の上方にヒートスプレッダを搭載する工程では、ヒートスプレッダを搭載するときに加える温度と圧力によって熱伝導性樹脂の樹脂成分を液化させて周囲に押し退けることにより、熱伝導性樹脂の熱伝導体とヒートスプレッダとを熱的に接触させている。
しかしながら、ヒートスプレッダの表面に形成されている凹凸、またはヒートスプレッダ自身のうねりが存在すると、ヒートスプレッダを搭載する際に熱伝導体とヒートスプレッダとの間に熱伝導性樹脂が除去しきれずに残留しやすくなる。熱伝導性樹脂の樹脂成分の熱伝導率は、一般的に数Ｗ／ｍ・Ｋ程度と非常に小さい。このため、樹脂が熱伝導体とヒートスプレッダとの接触界面に残存すると、樹脂層が熱抵抗となり、放熱特性が損なわれる恐れがあった。
また、複数の第１のＣＮＴを充填する樹脂層の底部に複数の第２のＣＮＴを分散させて形成したシート用部材をＴＩＭとして用いた場合、半導体装置にヒートスプレッダを搭載すると、熱伝導性樹脂中の第１のＣＮＴと第２のＣＮＴとが接触し、半導体装置からヒートスプレッダへの熱伝導経路が形成される。ところが、ヒートスプレッダの搭載条件、特に加熱温度や圧力の条件によっては、第２のＣＮＴが樹脂成分の流れ出しに伴って流出してしまうことにより、半導体装置の上方の第２のＣＮＴが周囲に比べて疎になり、放熱特性が損なわれる恐れがあった。
本発明は、熱伝導性樹脂中の熱伝導体を介した、半導体装置からヒートスプレッダへの放熱特性の向上を図ることができる電子装置及びその製造方法を提供することを目的とする。
発明の一観点によれば、半導体装置と、前記半導体装置の上方に設けられ、熱伝導体と樹脂とを含む熱伝導性樹脂と、前記熱伝導性樹脂の上方に設けられ、前記熱伝導体と熱的に接触する線状炭素と、前記線状炭素の上方に設けられ、前記熱伝導性樹脂が埋め込まれた凹部を備えるヒートスプレッダと、を有する電子装置が提供される。
上述の観点によれば、熱伝導性樹脂中の熱伝導体を介した、半導体装置からヒートスプレッダへの熱の伝導を高効率で行うことができる電子装置及びその製造方法を提供することができる。
図１は、本発明の実施形態における電子装置の一例を示す構成図である。 図２は、本発明の実施形態におけるヒートスプレッダの平面図および断面図である。 図３は、本発明の実施形態における電子装置の製造方法の一例を示す図（その１）である。 図４は、本発明の実施形態における電子装置の製造方法の一例を示す図（その２）である。 図５は、本発明の実施形態における電子装置の製造方法の一例を示す図（その３）である。 図６は、本発明の実施形態における、電子装置の第１の変形例を示す図である。 図７は、図６に示す電子装置に備えられているヒートスプレッダの一例を示す図である。 図８は、本発明の実施形態における、電子装置の第２の変形例を示す図である。 図９は、図８に示す電子装置に備えられているヒートスプレッダの一例を示す図である。 図１０は、本発明の実施形態における、電子装置の第３の変形例を示す図である。 図１１は、図１０に示す電子装置に備えられているヒートスプレッダの一例を示す図である。
以下、本発明の実施形態について、図１乃至図１１を参照して具体的に説明する。
図１は、本発明の実施形態における電子装置の一例を示す図である。図１に示すように、電子装置は、回路基板１上方に配置され、複数のはんだバンプ２によって電気的に接続された半導体装置３と、半導体装置３の上方に設けられ、ＣＮＴ１０と樹脂１１とを含む熱伝導性樹脂４と、熱伝導性樹脂４の上方に設けられ、ＣＮＴ１０と熱的に接触する線状炭素５と、線状炭素５の上方に設けられ、樹脂１１が埋め込まれた凹部７を備えるヒートスプレッダ８とを有している。また、ヒートスプレッダ８は、接着剤９により回路基板１に固定されている。
以下、電子装置の各部の詳細について説明する。
回路基板１は、例えばガラスセラミック、ガラスエポキシ、ビスマレイミドトリアジン（ＢＴ）樹脂等の基板の両面に、Ｃｕを含む配線パターンが形成されており、配線パターン間はビアホールで電気的に接続されている。また、配線パターンの一部として、複数のはんだバンプ２に対応する位置に、電極パッドが配置されている。なお、上述の配線パターン、ビアホールおよび電極パッドは図１には図示していない。
半導体装置３は、例えばシリコン基板に集積回路（ＩＣ）が形成された半導体チップである。半導体チップは、集積回路が動作中に通電することにより熱を発生する。半導体装置３のその他の例としては、例えば封止樹脂、セラミック、またはガラス等を用いて半導体チップを封止（パッケージング）して製造した、いわゆる半導体パッケージを用いることもできる。
熱伝導性樹脂４は、半導体装置１から発生した熱をヒートスプレッタ８に導くＴＩＭとして用いられる部材である。熱伝導性樹脂４としては、例えばＣＮＴシートを用いることができる。ＣＮＴシートは、離間して配置された複数のＣＮＴ１０を熱伝導体として含む樹脂シートである。ＣＮＴ１０は、シートの膜厚方向、即ち、シートの面と交差する方向に配向しており、複数のＣＮＴ１０が束状に密集した状態で形成されている。なお、ＣＮＴ１０の膜厚方向の先端部が互いに絡まりあっていることもある。
ＣＮＴ１０の間隙には樹脂１１が充填層として充填されており、樹脂１１によってＣＮＴ１０が支持されている。樹脂１１は、後述するように、加熱することによって融解する材料を用いることが好ましい。樹脂１１としては、例えば熱可塑性樹脂、またはエポキシ樹脂などの熱硬化性樹脂を用いることができる。
熱可塑性樹脂としては、例えば、以下に示すホットメルト樹脂を用いることができる。ポリアミド系のホットメルト樹脂としては、例えば、ヘンケルジャパン株式会社製の「Ｍｉｃｒｏｍｅｌｔ６２３９」（軟化点温度：１４０℃）が挙げられる。また、ポリエステル系のホットメルト樹脂としては、例えば、ノガワケミカル株式会社の「ＤＨ５９８Ｂ」（軟化点温度：１３３℃）が挙げられる。また、ポリウレタン系のホットメルト樹脂としては、例えば、ノガワケミカル株式会社製の「ＤＨ７２２Ｂ」が挙げられる。また、ポリオレフィン系のホットメルト樹脂としては、例えば、松村石油株式会社製の「ＥＰ−９０」（軟化点温度：１４８℃）が挙げられる。また、エチレン共重合体を含むホットメルト樹脂としては、例えば、ノガワケミカル株式会社製の「ＤＡ５７４Ｂ」（軟化点温度：１０５℃）が挙げられる。また、スチレン−ブタジエンゴム溶液系のホットメルト樹脂としては、例えば、横浜ゴム株式会社製の「Ｍ−６２５０」（軟化点温度：１２５℃）が挙げられる。また、エチレン−酢酸ビニル共重合系のホットメルト樹脂としては、例えば、住友スリーエム株式会社製の「３７４７」（軟化点温度：１０４℃）が挙げられる。また、ブチルゴム系ホットメルト樹脂としては、例えば、横浜ゴム株式会社製の「Ｍ−６１５８」が挙げられる。
熱伝導性樹脂４としては、熱伝導体として熱伝導性の高いフィラーを含有する放熱シートを用いることもできる。樹脂１１中に分散させるフィラーとしては、例えばＡｕ、Ａｇ、Ｃｕ、Ｐｔ、Ｐｄ、Ｐｂ、Ｓｎ、Ｆｅ、Ｚｎ、Ａｌ、Ｃｒ、Ｔｉ等の単体金属を用いることができる。また、フィラーとして、Ｆｅ−Ｎｉ合金、ステンレス、はんだ、ベリリウム銅、青銅、リン青銅、黄銅等の合金や、カーボンやセラミックス等の粒子の表面に金属コーティング等の処理を施した導電性粒子を用いることもできる。
線状炭素５は、熱伝導性樹脂４とヒートスプレッダ８との間に配置される部材であり、熱伝導性樹脂４中のＣＮＴ１０と熱的に接触している。線状炭素５としては、例えばＣＮＴまたはカーボンファイバを用いることができる。線状炭素５としてＣＮＴを用いる場合、ＣＮＴの直径は、例えば１０ｎｍ〜３０μｍ程度であり、長さは、例えば１０μｍ〜３ｍｍ程度である。また、ＣＮＴの構造としては、単層ＣＮＴ（ＳＷＮＴ：Single-Walled Carbon Nanotube）であってもよいし、多層ＣＮＴ（ＭＷＮＴ：Multi-Walled Carbon Nanotube）であってもよい。
ヒートスプレッダ８は、半導体装置３を冷却する機能を有している。ヒートスプレッダ８は、半導体装置１から発生した熱を、熱伝導性樹脂４を経由して広範囲で吸収し、周囲に放熱することができる。ヒートスプレッダ８は、例えば厚さ５ｍｍ〜１５ｍｍ程度のＣｕまたはＡｌを含む材料を用いることができる。ヒートスプレッダを回路基板１に固定するための接着剤９としては、例えば有機系のシーラントを用いることができる。
図２は、本発明の実施形態におけるヒートスプレッダの一例を示す図である。図２（ａ）は本発明の実施形態におけるヒートスプレッダの平面図である。図２（ｂ）は、図２（ａ）に示す一点鎖線Ａ−Ａ’における断面図である。
図２（ｂ）に示すように、ヒートスプレッダ８の内壁には凹部７が設けられている。凹部７は、図１に示すように、ヒートスプレッダ８と熱伝導性樹脂４とが接着する領域に複数設けられているのが好ましい。また、凹部７の開口の幅は、線状炭素５が供給されたときに線状炭素が凹部７に入り込みにくくする観点から、線状炭素４の長さよりも小さいことが好ましい。例えば、凹部７の直径は１０μｍ〜１００μｍ程度、深さは５０μｍ程度が好ましい。隣り合う凹部同士の間隔は、例えば１００μｍ程度以上が好ましい。
また、図２に示す例では、凹部７の形状を角柱形状としているが、その他の例として円柱形状、楕円柱形状または多角柱形状などを適用することもできる。また、線状に形成した溝を凹部７として用いることもできる。
凹部７の形成方法としては、ヒートスプレッダの材質や形成しようとする凹部７の形状および寸法に応じて、ウェットエッチング、ドライエッチング、成形加工、切削加工またはプレス加工などの方法を適宜選択することができる。
次に、本発明の実施形態に係る電子装置の製造方法を説明する。
図３乃至図５は、本発明の実施形態における電子装置の製造方法の一例を示す図である。なお、図３乃至図５では、回路基板１の配線やビアホールは省略されている。
まず、内壁に凹部７が設けられたヒートスプレッダ８を用意し、ヒートスプレッダ８の凹部７の開口６の一部を線状炭素５で被覆する。
被覆方法としては、図３（ａ）に示すように、線状炭素５としてＣＮＴを溶媒中に分散し、分散液１２を作製する。分散液の溶媒は、ＣＮＴの分散性が良く、分散後の乾燥性が良い溶媒であれば特に限定されるものではない。溶媒の種類として、例えばエタノール、イソプロピルアルコール（ＩＰＡ）、トルエン、メチルエチルケトン（ＭＥＫ）、水（Ｈ２Ｏ）、 Ｎ−メチル−２−ピロリドン（ＮＭＰ）などを挙げることができる。
分散液１２の濃度としては、ＣＮＴの分散性を考慮するとできるだけ低濃度である方が好ましく、例えば０．１ｗｔ％〜０．３ｗｔ％程度が好ましい。分散液１２の濃度が０．１ｗｔ％を下回ると、所望の被覆率を得るために、後述するスピンコーティングを何回も繰り返して作業しなければならなくなる恐れがある。なお、ここで被覆率とは、凹部７の開口６の面積に対する、線状炭素５が開口６を覆う面積の割合を示している。一方、分散液の濃度が０．３ｗｔ％を上回ると、ＣＮＴ同士が凝集する可能性が高くなる。
続いて、例えばディスペンス装置等を用いて、ヒートスプレッダ８の凹部７が形成されている面に分散液を滴下し、滴下した分散液１２を、スピンコータ等を用いてスピンコーティングする。
スピンコーティングを行うと、図３（ａ）および図３（ｂ）に示すように、ヒートスプレッダ８の内壁の表面に線状炭素５が物理吸着し、開口６の一部を線状炭素５により被覆することができる。このように、スピンコーティング法を用いると、分散溶液の濃度とスピンコート回転数とを調整することにより線状炭素の供給量をコントロールできるため、所望の被覆率を得ることができる。また、線状炭素の長さを凹部の開口の径よりも大きくすると、線状炭素が凹部に入り込みにくくなるため、凹部の開口上に線状炭素を配置することができる。
続いて、図４（ａ）に示すように、回路基板１上に、はんだバンプ２を介して半導体装置３を実装する。
続いて、図４（ｂ）に示すように、回路基板１上に実装した半導体装置３の上方に、ＣＮＴ１０が樹脂１１中に埋め込まれた熱伝導性樹脂４を配置する。熱伝導性樹脂４は、半導体装置１上に配置した後、必要に応じて荷重をかけながら熱処理を行うことにより接着することができる。
次に、図５（ａ）に示すように、ヒートスプレッダ８を固定するための接着剤９を回路基板１上に塗布した後、熱伝導性樹脂４の上に、線状炭素５を物理吸着させたヒートスプレッダ８を搭載する。ここでは、線状炭素５が被覆された面が熱伝導性樹脂４に対向するような方向でヒートスプレッダ８を搭載する。ヒートスプレッダ８を搭載する際は、ヒートスプレッダ８に半導体装置１の方向に荷重を印加した状態で熱処理を行うことが好ましい。ヒートスプレッダ８に印加する荷重は、例えば０．２５Ｐａ程度である。熱処理は、例えばリフローによって行い、リフロー条件は、例えば１９５℃、１０分間程度である。
熱処理を行うと、図５（ｂ）に示すように、熱伝導性樹脂４は、液状に融解したのちにヒートスプレッダ８の内壁の面が延在する方向に流れ出すとともに、その一部が、隣接する線状炭素５の間隙を通過して凹部７の中に流れ込む。このプロセスを経て、ＣＮＴ１０と線状炭素５との間の樹脂１１が除去されて両者が接触し、発熱源である半導体装置１からＣＮＴ１０及び線状炭素５を通ってヒートスプレッダ８へ熱を伝えるための熱伝達経路を形成することができる。このとき、凹部７の中に流れ込む熱伝導性樹脂４は、樹脂１１に限定されるものではなく、ＣＮＴ１０または線状炭素５を含むものであっても構わない。また、凹部７が複数設けられている場合、全ての凹部７に熱伝導性樹脂４が埋め込まれていなくても良いし、各々の凹部７に完全に熱伝導性樹脂４が充填されなくても良い。
熱伝導性樹脂４が凹部７の中に流れ込んでいる間、熱伝導性樹脂４の流動による圧力は、ヒートスプレッダ８の内壁の面が延在する方向だけでなく、凹部７の深さ方向にも及んでいる。ヒートスプレッダ８の内壁に凹部７が設けられているため、ヒートスプレッダ８の深さ方向へも流動による圧力を印加することができ、その結果、線状炭素５の多くが開口６の一部を覆った状態で留まることができる。この作用により、半導体装置の上方に存在する線状炭素が熱伝導性樹脂の流れ出しに伴って周囲に流出してしまうことを抑制することが可能となり、半導体装置の上方の線状炭素が周囲に比べて疎になることを防止することができる。
本実施形態によれば、ヒートシンクに凹部を設け、凹部の開口の一部を線状炭素で覆うことにより、線状炭素は熱伝導性樹脂の樹脂成分を優先的に通すフィルタとして機能する。そして、このフィルタによって、ヒートスプレッダと熱伝導体との間に残留する可能性のある樹脂を選択的に凹部に導くことができる。その結果、ヒートスプレッダの表面に凹凸、またはヒートスプレッダ自身のうねりが存在していても、ヒートスプレッダと熱伝導体との間に樹脂が残留しにくくなるため、半導体装置の放熱特性の向上を図ることができる。
本実施形態では、線状炭素５と熱伝導性樹脂４の熱伝導体とを接触させることとなるため、開口６を覆う線状炭素５の好適な被覆率は、熱伝導体の種類に依存する。熱伝導体としてＣＮＴを用いる場合、線状炭素５の被覆率は、熱伝導性樹脂４内でのＣＮＴの配向状態に依存し、例えば１％〜８０％程度が好ましい。樹脂１１による線状炭素５間の透過性を考慮すると、例えば１０％〜５０％程度がさらに好適である。被覆率が１０％を下回ると、確率的に凹部よりも短い長さを有する線状炭素５が入り易くなるため、熱伝導性樹脂４がヒートスプレッダ８とＣＮＴ１０との間に残留するのを防ぐ効果が小さくなる。他方、被覆率が８０％を上回ると、線状炭素５間の間隙が殆どなくなるため、熱伝導性樹脂４の樹脂成分である樹脂１１を凹部へ導くことが困難となり、熱伝導性樹脂４がヒートスプレッダ８とＣＮＴ１０との間に残留するのを防ぐ効果が小さくなる。
（変形例）
次に、本発明の実施形態におけるヒートスプレッダの変形例について、図６乃至図９を参照して説明する。
図６は、本発明の実施形態における、電子装置の第１の変形例を示す図である。図７は、図６に示す電子装置に備えられているヒートスプレッダ１８の一例を示す図である。図７（ａ）はヒートスプレッダ１８の平面図である。図７（ｂ）は、図７（ａ）に示す一点鎖線Ｂ−Ｂ’における断面図である。
図７（ａ）および図７（ｂ）に示すように、ヒートスプレッダ１８の内壁に設けられている凹部１７は、深くなるほど開口１６が小さくなる形状を有する孔である。図１を用いて説明すると、凹部７の内部には空気が存在しているため、ヒートスプレッダ８を搭載する際は、樹脂１１が線状炭素５の間隙を通って凹部７に入り込むのと同時に、凹部７の内部の空気が線状炭素５の間隙を通過して外部に排気される。この空気の放出は、樹脂１１が流入する際の圧力が凹部７の内部の空気に加わることによって行われる。そこで、第１の変形例では、ヒートスプレッダ１８の内壁に設ける凹部１７を、深くなるほど開口１６が小さくなる形状を有する孔としている。この孔を用いることにより、樹脂が流入してくる方向と異なる方向に空気を導きやすくなるため、凹部の内部の空気をより容易に除去することができる。図７（ａ）および図７（ｂ）では、凹部１７を円錐形状として例示したが、その他の例として、角錐形状または紡錘形状などを用いることもできる。
図８は、本発明の実施形態における、電子装置の第２の変形例を示す図である。図９は、図８に示す電子装置に備えられているヒートスプレッダ２８の一例を示す図であり、図９（ａ）はヒートスプレッダ２８の平面図、図９（ｂ）は、図９（ａ）に示す一点鎖線C−C’における断面図である。図８および図９に示すように、ヒートスプレッダ２８の内壁に設けられている凹部は、線状溝（ライン溝）２７によって形成されている。
このように、ヒートスプレッダの凹部を線状溝２７とすることにより、凹部の開口２６の面積および凹部の容積を増やすことができるため、単独孔の形状と比較してより多くの樹脂を線状溝２７に導くことができる。その結果、熱伝導体とヒートスプレッダとの間に残留する可能性のある樹脂の量に応じて、溝の長さや間隔を適宜調整することがより容易となる。
線状溝の配置方法としては、例えば所定の間隔で並列に配列する方法や、図８に示すように、ヒートスプレッダの中央部を中心として開口２６が放射状になるように配置する方法を用いることができる。放射状になるように配置する方法によれば、ヒートスプレッダの中央部から周辺部に空気を誘導するベント溝として機能するため、溝の中の空気をヒートスプレッダの中心から外側の方向に排出しやすくなる。
図１０は、本発明の実施形態における、電子装置の第３の変形例を示す図である。図１１は、図１０に示す電子装置に備えられているヒートスプレッダ３８の一例を示す図である。図１１（ａ）はヒートスプレッダ３８の平面図である。図１１（ｂ）は、図１１（ａ）に示す一点鎖線Ｄ−Ｄ’における断面図である。
図１１（ａ）および図１１（ｂ）に示すように、ヒートスプレッダ３８の内壁に設けられている凹部は、貫通孔３７によって形成されている。このように、ヒートスプレッダの内壁に設ける凹部を貫通孔３７とすることにより、熱伝導性樹脂が開口３６に入り込んだ空気をヒートスプレッダ３８の反対側の開口３６から排出することができる。このため、熱伝導性樹脂の流動性が向上し、熱伝導性樹脂の凹部への埋め込みをより低い圧力で行えるなど、熱伝導性樹脂の凹部への埋め込みをより容易に行うことができる。
なお、図１０および図１１に示すヒートスプレッダ３８では全ての凹部を貫通孔としているが、例えば熱伝導体とヒートスプレッダとの間に樹脂が残留しやすく、凹部の内部の空気の脱出が比較的困難なヒートスプレッダの中心近傍に集中するように貫通孔を形成する方法を用いることもできる。また、所定の凹部の周期で貫通孔を形成するなど、一部の凹部を貫通孔にする方法を用いることもできる。一部の凹部を貫通孔にする方法によれば、ヒートスプレッダの厚さの面で貫通孔の形成に時間を要する場合において、凹部の形成時間の短縮を図ることができる。また、所定の凹部の周期で貫通孔を形成することで、貫通孔の製造精度、特に貫通孔間隔の製造限界を考慮したヒートスプレッダの製造を行うことができる。
以上、本発明の好ましい実施例について詳述したが、本発明は特定の実施例に限定されるものではなく、種々の変形や変更が可能である。例えば、ヒートスプレッダに設ける凹部の間隔は、等間隔に限定するものではない。また、凹部の直径または深さについても、一定の値に固定するものではなく、ヒートスプレッダの位置に応じて適宜異なる値に設定することができる。
１：回路基板
２：はんだバンプ
３：半導体装置
４：熱伝導性樹脂
５：線状炭素
６：開口
７：凹部
８：ヒートスプレッダ
９：接着剤
１０：ＣＮＴ
１１：樹脂
１２：分散液
１７：凹部
１８：ヒートスプレッダ
２６：開口
２７：線状溝
２８：ヒートスプレッダ
３６：開口
３７：貫通孔
３８：ヒートスプレッダ

Claims (10)

  1. 半導体装置と、
    前記半導体装置の上方に設けられ、熱伝導体と樹脂とを含む熱伝導性樹脂と、
    前記熱伝導性樹脂の上方に設けられ、前記熱伝導体と熱的に接触する線状炭素と、
    前記線状炭素の上方に設けられ、前記熱伝導性樹脂が埋め込まれた凹部を備えるヒートスプレッダと、
    を有することを特徴とする電子装置。
  2. 前記線状炭素は、前記凹部の開口の一部を覆っていることを特徴とする請求項１記載の電子装置。
  3. 前記線状炭素は、前記熱伝導性樹脂と前記ヒートスプレッダとの間に分散して設けられており、
    前記樹脂は、前記線状炭素が分散されている領域よりも広い領域で前記ヒートスプレッダの前記半導体装置に対向する面を覆っていることを特徴とする請求項１又は２に記載の電子装置。
  4. 前記開口の幅が、前記線状炭素の長さよりも小さいことを特徴とする請求項１〜３のいずれか１項に記載の電子装置。
  5. 前記凹部が、深くなるほど開口が小さくなる形状を有する孔であることを特徴とする請求項１〜４のいずれか１項に記載の電子装置。
  6. 前記凹部が、線状の溝であることを特徴とする請求項１〜４のいずれか１項に記載の電子装置。
  7. 前記凹部が貫通孔であることを特徴とする請求項１〜４のいずれか１項に記載の電子装置。
  8. 前記開口の面積に対する前記線状炭素の被覆率は、１０％〜５０％であることを特徴とする請求項１〜７のいずれか１項に記載の電子装置。
  9. 半導体装置の上方に熱伝導体と樹脂とを含む導電性樹脂を配置する工程と、
    ヒートスプレッダに設けられた凹部の開口の一部を線状炭素で覆う工程と、
    前記線状炭素が備えられた前記ヒートスプレッダで前記熱伝導性樹脂を押圧することにより、前記熱伝導体と前記線状炭素とを接触させるとともに、前記導電性樹脂を前記凹部に埋め込む工程と、
    を有することを特徴とする電子装置の製造方法。
  10. 前記凹部の少なくとも一部は貫通孔であり、
    前記熱伝導性樹脂を前記凹部に埋め込む工程は、
    前記樹脂を前記貫通孔に埋め込むとともに、前記貫通孔の前記樹脂が埋め込まれる側の開口と異なる開口から、前記貫通孔の内部の空気を排出させることを特徴とする請求項９記載の電子装置の製造方法。
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