JP2013152991A - ウエーハの加工方法 - Google Patents
ウエーハの加工方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2013152991A JP2013152991A JP2012011930A JP2012011930A JP2013152991A JP 2013152991 A JP2013152991 A JP 2013152991A JP 2012011930 A JP2012011930 A JP 2012011930A JP 2012011930 A JP2012011930 A JP 2012011930A JP 2013152991 A JP2013152991 A JP 2013152991A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- wafer
- modified layer
- back surface
- laser beam
- optical device
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title abstract description 23
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 claims abstract description 25
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims abstract description 7
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims description 66
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 20
- 238000003672 processing method Methods 0.000 claims description 18
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 claims description 14
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 claims description 14
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 8
- 238000010030 laminating Methods 0.000 claims description 2
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 abstract description 5
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 5
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 description 4
- 239000002390 adhesive tape Substances 0.000 description 3
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 3
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 238000003331 infrared imaging Methods 0.000 description 3
- JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N Gallium nitride Chemical compound [Ga]#N JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 2
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 2
- 238000003754 machining Methods 0.000 description 2
- 230000003014 reinforcing effect Effects 0.000 description 2
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 2
- 229910009372 YVO4 Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000002679 ablation Methods 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 230000005284 excitation Effects 0.000 description 1
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
- 230000011218 segmentation Effects 0.000 description 1
Images
Landscapes
- Laser Beam Processing (AREA)
- Dicing (AREA)
Abstract
【解決手段】デバイス領域と該デバイス領域を囲繞する外周領域とを表面に有するウエーハ11の加工方法であって、ウエーハ11の裏面側から該分割予定ラインに対応するウエーハ11の内部にパルスレーザービームの集光点を位置付けて該パルスレーザービームを照射し、該分割予定ラインに沿って分割起点となる改質層29をウエーハ11内部に形成する改質層形成工程と、該改質層形成工程実施後、ウエーハ11を搬出し次工程にウエーハ11を搬送する搬送工程と、を具備し、該改質層形成工程においては、デバイス領域に対応する裏面11bに照射されるパルスレーザービームのパルス間隔に対して外周領域に対応する裏面に照射されるパルスレーザービームのパルス間隔を広げ、外周領域において改質層29の形成を間引く。
【選択図】図5
Description
波長 :1064nm
平均出力 :0.4W
繰り返し周波数 :100kHz
集光スポット径 :1μm
パルス幅 :100ps
加工送り速度 :100〜200mm/秒
サファイア基板 :厚み120μm
集光点の位置 :裏面から60μm
改質層の幅 :30μm
パルス間隔 :デバイス領域10μm、外周領域100μm
13 サファイア基板
17 分割予定ライン
19 光デバイス
21 デバイス領域
23 外周領域
25 保護テープ
28 チャックテーブル
29 改質層
31 反射膜
33 チップ
34 光ビーム照射ユニット
35 光ビーム発生ユニット
36 集光器
40 コントローラ
62 パルスレーザービーム発振器
74 マップデータ
76 パルスビッカー
78 バッファ
84 分割治具
Claims (4)
- 複数の分割予定ラインによって区画された各領域にデバイスが形成されたデバイス領域と該デバイス領域を囲繞する外周領域とを表面に有するウエーハの加工方法であって、
ウエーハの表面側をチャックテーブルで保持しウエーハの裏面側から該分割予定ラインに対応するウエーハの内部にウエーハに対して透過性を有する波長のパルスレーザービームの集光点を位置付けて該パルスレーザービームを照射し、該分割予定ラインに沿って分割起点となる改質層をウエーハ内部に形成する改質層形成工程と、
該改質層形成工程実施後、該チャックテーブルからウエーハを搬出し次工程にウエーハを搬送する搬送工程と、を具備し、
該改質層形成工程においては、デバイス領域に対応する裏面に照射されるパルスレーザービームのパルス間隔に対して外周領域に対応する裏面に照射されるパルスレーザービームのパルス間隔を広げ、外周領域において改質層の形成を間引くことを特徴とするウエーハの加工方法。 - ウエーハはサファイア基板の表面に半導体層が積層され、該半導体層に複数の光デバイスが分割予定ラインによって区画されて形成された光デバイスウエーハから構成され、
該搬送工程では、ウエーハの裏面に反射膜が積層される裏面加工工程にウエーハが搬送される請求項1記載のウエーハの加工方法。 - ウエーハの裏面に反射膜を積層する裏面加工工程を更に具備した請求項2記載のウエーハの加工方法。
- 該改質層形成工程を実施した後、ウエーハの該分割予定ラインに外力を付与してウエーハを個々のデバイスに分割する分割工程を更に具備した請求項1〜3の何れかに記載のウエーハの加工方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2012011930A JP5868193B2 (ja) | 2012-01-24 | 2012-01-24 | ウエーハの加工方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2012011930A JP5868193B2 (ja) | 2012-01-24 | 2012-01-24 | ウエーハの加工方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2013152991A true JP2013152991A (ja) | 2013-08-08 |
JP5868193B2 JP5868193B2 (ja) | 2016-02-24 |
Family
ID=49049147
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2012011930A Active JP5868193B2 (ja) | 2012-01-24 | 2012-01-24 | ウエーハの加工方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP5868193B2 (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN103624402A (zh) * | 2013-11-14 | 2014-03-12 | 中国科学院上海光学精密机械研究所 | 提高光学元件小光斑扫描激光预处理效率的方法 |
JP2017050404A (ja) * | 2015-09-02 | 2017-03-09 | 株式会社ディスコ | ウエーハの加工方法 |
JP2018063985A (ja) * | 2016-10-11 | 2018-04-19 | 株式会社ディスコ | ウェーハの加工方法 |
Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2006263754A (ja) * | 2005-03-22 | 2006-10-05 | Hamamatsu Photonics Kk | レーザ加工方法 |
JP2007235069A (ja) * | 2006-03-03 | 2007-09-13 | Tokyo Seimitsu Co Ltd | ウェーハ加工方法 |
JP2010093244A (ja) * | 2008-09-12 | 2010-04-22 | Omron Corp | 割断用スクライブ線の形成方法及び装置 |
JP4813624B1 (ja) * | 2010-01-27 | 2011-11-09 | 東芝機械株式会社 | レーザダイシング方法 |
JP2011243875A (ja) * | 2010-05-20 | 2011-12-01 | Disco Abrasive Syst Ltd | サファイアウェーハの分割方法 |
-
2012
- 2012-01-24 JP JP2012011930A patent/JP5868193B2/ja active Active
Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2006263754A (ja) * | 2005-03-22 | 2006-10-05 | Hamamatsu Photonics Kk | レーザ加工方法 |
JP2007235069A (ja) * | 2006-03-03 | 2007-09-13 | Tokyo Seimitsu Co Ltd | ウェーハ加工方法 |
JP2010093244A (ja) * | 2008-09-12 | 2010-04-22 | Omron Corp | 割断用スクライブ線の形成方法及び装置 |
JP4813624B1 (ja) * | 2010-01-27 | 2011-11-09 | 東芝機械株式会社 | レーザダイシング方法 |
JP2011243875A (ja) * | 2010-05-20 | 2011-12-01 | Disco Abrasive Syst Ltd | サファイアウェーハの分割方法 |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN103624402A (zh) * | 2013-11-14 | 2014-03-12 | 中国科学院上海光学精密机械研究所 | 提高光学元件小光斑扫描激光预处理效率的方法 |
JP2017050404A (ja) * | 2015-09-02 | 2017-03-09 | 株式会社ディスコ | ウエーハの加工方法 |
JP2018063985A (ja) * | 2016-10-11 | 2018-04-19 | 株式会社ディスコ | ウェーハの加工方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP5868193B2 (ja) | 2016-02-24 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP2013152986A (ja) | ウエーハの加工方法 | |
US8946056B2 (en) | Splitting method for optical device wafer | |
JP4767711B2 (ja) | ウエーハの分割方法 | |
JP2016146447A (ja) | ウエーハの生成方法 | |
KR20130121718A (ko) | 레이저 가공 장치 및 레이저 가공 방법 | |
JP6189066B2 (ja) | ウエーハの加工方法 | |
JP2013152988A (ja) | ウエーハの加工方法 | |
JP2014086550A (ja) | ウエーハの加工方法 | |
JP5946308B2 (ja) | ウエーハの分割方法 | |
JP2013152987A (ja) | ウエーハの加工方法 | |
JP2006289388A (ja) | レーザー加工装置 | |
US8828847B2 (en) | Laser beam processing method for a wafer | |
JP5846764B2 (ja) | ウエーハの加工方法 | |
JP5868193B2 (ja) | ウエーハの加工方法 | |
JP5946307B2 (ja) | ウエーハの分割方法 | |
JP6253356B2 (ja) | ウエーハのレーザー加工方法 | |
JP6008565B2 (ja) | 光デバイスウエーハの加工方法 | |
JP2013152995A (ja) | ウエーハの加工方法 | |
JP2013152990A (ja) | ウエーハの加工方法 | |
JP5868194B2 (ja) | ウエーハの加工方法 | |
JP2011056576A (ja) | 板状物の加工方法 | |
JP2013152992A (ja) | ウエーハの加工方法 | |
JP2013152994A (ja) | ウエーハの加工方法 | |
JP2013152989A (ja) | ウエーハの加工方法 | |
JP2013152984A (ja) | ウエーハの加工方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20141212 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20151217 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20160105 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20160105 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5868193 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |