JP2013149901A

JP2013149901A - Workpiece dicing method

Info

Publication number: JP2013149901A
Application number: JP2012010961A
Authority: JP
Inventors: Keiko Yamagishi; 桂子山岸
Original assignee: Disco Abrasive Systems Ltd
Current assignee: Disco Corp
Priority date: 2012-01-23
Filing date: 2012-01-23
Publication date: 2013-08-01

Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a dicing method capable of processing even a workpiece having an irregularity on a rear surface thereof with good processing quality.SOLUTION: A method for dicing a workpiece having an irregularity on a rear surface thereof comprises the steps of: disposing an irregular absorption member which absorbs an irregularity into a rear surface of a workpiece; flattening the irregular absorption member disposed on the rear surface of the workpiece; sticking a tape to the irregular absorption member on the rear surface of the workpiece and supporting the workpiece by an annular frame via the tape after performing the flattening step; holding the rear surface side of the workpiece by holding means via the tape after performing the tape sticking step; and dicing the workpiece from the surface side of the workpiece held by the holding means.

Description

本発明は、半導体デバイスウェーハなどの被加工物の加工方法に関し、より詳しくは、ダイシング方法に関する。 The present invention relates to a method for processing a workpiece such as a semiconductor device wafer, and more particularly to a dicing method.

従来、半導体デバイスウェーハなどの被加工物の加工方法において、個々のチップ（デバイス）に分割するためのダイシング方法が知られており、このダイシング方法について開示する文献も存在する（例えば、特許文献１乃至３参照）。 2. Description of the Related Art Conventionally, dicing methods for dividing a workpiece such as a semiconductor device wafer into individual chips (devices) are known, and there are documents that disclose the dicing method (for example, Patent Document 1). Thru 3).

ダイシングには、回転する切削ブレードによる切削加工を行う切削装置や、レーザ加工装置が用いられる。そして、ダイシングの際には、被加工物の裏面側が保持テーブル（チャックテーブル）で吸引保持された状態とし、切削ブレードの所定深さの切り込みや、所定深さ位置へのレーザ照射（改質層の形成加工やアブレーション加工）が行われる。 For dicing, a cutting device that performs cutting with a rotating cutting blade or a laser processing device is used. During dicing, the back side of the workpiece is sucked and held by a holding table (chuck table), and a cutting blade is cut to a predetermined depth, and laser irradiation (modified layer) at a predetermined depth position is performed. Forming process or ablation process).

特開２０００−７７３６２号公報JP 2000-77362 A 特開２００４−３４９６２３号公報JP 2004-349623 A 特開２００４−１８８４７５号公報JP 2004-188475 A

被加工物としては様々な形態があるが、ウェーハの裏面にバンプや封止材等の凹凸がある半導体デバイスウェーハを被加工物とする場合において、従来のダイシング方法では以下の課題が存在していた。 There are various types of workpieces, but when using semiconductor device wafers with bumps and sealants on the back side of the wafer as workpieces, the conventional dicing method has the following problems: It was.

即ち、裏面にバンプや封止材等の凹凸がある被加工物の場合では、被加工物の裏面側を保持テーブルで吸引保持すると、裏面側の凸部は保持テーブルの保持面で支持されることになるが、凹部は保持面で支持されず、保持面とウェーハの間に空間（隙間）が生じてしまうことになる。 That is, in the case of a workpiece having bumps and sealants on the back surface, when the back surface side of the workpiece is sucked and held by the holding table, the convex portion on the back surface side is supported by the holding surface of the holding table. However, the concave portion is not supported by the holding surface, and a space (gap) is generated between the holding surface and the wafer.

このような場合に、回転する切削ブレードによる切削加工が行なわれると、保持面とウェーハの間に空間の部位ではウェーハが保持されないことになるため、ウェーハの欠けが大きく生じるという加工品質上の問題が懸念される。 In such a case, if cutting with a rotating cutting blade is performed, the wafer is not held in a space between the holding surface and the wafer, so that the wafer is greatly chipped. Is concerned.

さらに、被加工物の裏面側の凹凸が影響する、つまりは、裏面の凹凸の配置であったり、凸部の突出量のばらつきなどがあったりすることが原因で、被加工物の表面（おもて面）が平坦となるように配置されないことも想定される。 Furthermore, unevenness on the back side of the workpiece is affected, that is, the unevenness of the back surface or variation in the protruding amount of the protrusions, etc. It is also assumed that the front surface is not arranged so as to be flat.

具体的には、例えば、凹凸を形成するバンプ付きウェーハを保持テーブルで吸引保持した場合、保持テーブルの吸引力でウェーハ裏面側のバンプ間領域（凹領域）はテーブルの保持面側に引付られ、バンプ間に対応するウェーハ表面側は、バンプに対応するウェーハ表面に対して凹む（裏面の凹凸が表面に転写される）ことになり、ウェーハ自体が波打った状態になってしまうことが想定される。 Specifically, for example, when a wafer with bumps forming irregularities is sucked and held by a holding table, the area between the bumps (concave area) on the back side of the wafer is attracted to the holding surface side of the table by the suction force of the holding table. It is assumed that the wafer surface side corresponding to the bumps is recessed with respect to the wafer surface corresponding to the bumps (the unevenness on the back surface is transferred to the front surface), and the wafer itself is wavy. Is done.

このような場合に、表面から被加工物にレーザ加工を施すと、被加工物の所定の加工高さ位置に一定のレーザ加工を施すことが難しく、レーザ加工後における分割不良を引き起こすという加工品質上の問題が懸念される。 In such a case, if laser processing is performed on the workpiece from the surface, it is difficult to perform constant laser processing at a predetermined processing height position of the workpiece, and processing quality that causes division failure after laser processing The above problem is a concern.

本発明は、以上の問題点に鑑みてなされたものであり、その目的とするところは、裏面に凹凸を有した被加工物であっても、加工品質よく加工を可能とするダイシング方法を提供することである。 The present invention has been made in view of the above problems, and an object of the present invention is to provide a dicing method capable of processing with high processing quality even on a workpiece having irregularities on the back surface. It is to be.

請求項１に記載の発明によると、裏面に凹凸を有する被加工物のダイシング方法であって、被加工物の裏面に凹凸を吸収する凹凸吸収部材を配設する凹凸吸収部材配設ステップと、被加工物の裏面に配設された凹凸吸収部材を平坦化する平坦化ステップと、平坦化ステップを実施した後、被加工物の裏面の凹凸吸収部材にテープを貼着するとともに、テープを介して環状フレームで被加工物を支持するテープ貼着ステップと、テープ貼着ステップを実施した後、被加工物の裏面側をテープを介して保持手段で保持する保持ステップと、保持手段で保持された被加工物の表面側からダイシングするダイシングステップと、を備えた、ことを特徴とする被加工物のダイシング方法が提供される。 According to the first aspect of the present invention, there is provided a method for dicing a workpiece having unevenness on the back surface, the unevenness absorbing member disposing step for disposing an unevenness absorbing member for absorbing unevenness on the back surface of the workpiece, After performing the flattening step for flattening the unevenness absorbing member disposed on the back surface of the work piece, and the flattening step, the tape is attached to the unevenness absorbing member on the back surface of the work piece, A tape adhering step for supporting the workpiece with the annular frame, a holding step for holding the back side of the workpiece with the holding means via the tape after the tape adhering step is performed, and the holding means holds And a dicing step for dicing from the surface side of the workpiece. A dicing method for the workpiece is provided.

請求項２に記載の発明によると、ダイシングステップは、回転する切削ブレードを被加工物の表面側から切り込ませて遂行される。 According to the invention described in claim 2, the dicing step is performed by cutting the rotating cutting blade from the surface side of the workpiece.

請求項３に記載の発明によると、ダイシングステップは、被加工物の表面側からレーザビームを照射することで遂行される。 According to the invention described in claim 3, the dicing step is performed by irradiating a laser beam from the surface side of the workpiece.

本発明によると裏面に凹凸を有した被加工物でも加工品質よく加工ができるダイシング方法が提供される。即ち、裏面の凹凸を吸収した凹凸吸収部材が平坦化された後、テープに貼着されるため、裏面に凹凸を有した被加工物でも表面が水平となるような状態であって、さらに、被加工物の裏面と保持面との間に空間を生じさせることなく保持手段で保持できる。そして、このように保持された状態でダイシングされるため、大きな欠けの発生や加工高さ位置不良等の加工品質の悪化を防止できる。 ADVANTAGE OF THE INVENTION According to this invention, the dicing method which can process with the process quality also with the workpiece which has an unevenness | corrugation on the back surface is provided. That is, since the unevenness absorbing member that absorbs unevenness on the back surface is flattened and then stuck to the tape, the surface of the workpiece having unevenness on the back surface is horizontal, and further, It can hold | maintain with a holding means, without producing space between the back surface of a workpiece, and a holding surface. Then, since the dicing is performed in such a state, it is possible to prevent deterioration of processing quality such as generation of a large chip and defective processing height position.

被加工物の一実施形態であるウェーハの斜視図である。1 is a perspective view of a wafer which is an embodiment of a workpiece. 保護膜被覆装置の実施形態について示す断面図である。It is sectional drawing shown about embodiment of a protective film coating | coated apparatus. 凹凸吸収部材が配設されたウェーハの断面図である。It is sectional drawing of the wafer by which the uneven | corrugated absorption member was arrange | positioned. 凹凸吸収用のテープを貼着する実施形について示す斜視図である。It is a perspective view shown about the implementation form which sticks the tape for uneven | corrugated absorption. 平坦化ステップについて説明する図である。It is a figure explaining the planarization step. テープ貼着ステップについて説明する図である。It is a figure explaining a tape sticking step. 保持ステップについて説明する図である。It is a figure explaining a holding step. 切削ブレードを用いたダイシングステップについて説明する図である。It is a figure explaining the dicing step using a cutting blade. レーザ加工装置を用いたダイシングステップについて説明する図である。It is a figure explaining the dicing step using a laser processing apparatus.

以下、本発明の実施形態を図面を参照して詳細に説明する。図１は被加工物の一実施形態である半導体デバイスウェーハ１１（以下、単に「ウェーハ１１」とも記載される）を示すものである。ウェーハ１１は、例えば厚さが７００μｍのシリコンウェーハからなっており、表面１１ａに複数の分割予定ライン（ストリート）１３が格子状に形成されているとともに、該複数の分割予定ライン１３によって区画された複数の領域にそれぞれデバイス１５が形成されている。 Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the drawings. FIG. 1 shows a semiconductor device wafer 11 (hereinafter also simply referred to as “wafer 11”) as an embodiment of a workpiece. The wafer 11 is made of, for example, a silicon wafer having a thickness of 700 μm, and a plurality of division lines (streets) 13 are formed in a lattice shape on the surface 11 a and are partitioned by the plurality of division lines 13. Devices 15 are formed in a plurality of regions, respectively.

このように構成されたウェーハ１１は、デバイス１５が形成されているデバイス領域１７と、デバイス領域１７を囲繞する外周余剰領域１９を備えている。ウェーハ１１の外周にはシリコンウェーハの結晶方位を示すマークとしてのノッチ１２が形成されている。なお、被加工物としては、分割予定ラインが規定されておらずパターンを有しないものも想定される。 The wafer 11 configured as described above includes a device region 17 where the device 15 is formed, and an outer peripheral surplus region 19 surrounding the device region 17. A notch 12 is formed on the outer periphery of the wafer 11 as a mark indicating the crystal orientation of the silicon wafer. In addition, as a to-be-processed object, the division | segmentation schedule line is not prescribed | regulated and the thing which does not have a pattern is also assumed.

そして、図１の拡大側面図に示すように、ウェーハ１１の裏面１１ｂからはバンプ２２（電極）が突出されており、裏面１１ｂに凹凸２０を有するウェーハ１１が構成されることとなっている。バンプ２２が存在する箇所は凸部２４となり、バンプ２２が存在しない箇所は凹部２６となる。 As shown in the enlarged side view of FIG. 1, bumps 22 (electrodes) protrude from the back surface 11b of the wafer 11, and the wafer 11 having irregularities 20 on the back surface 11b is formed. A portion where the bump 22 exists becomes a convex portion 24, and a portion where the bump 22 does not exist becomes a concave portion 26.

以上のように、本発明において加工の対象となる被加工物としてのウェーハ１１は、裏面１１ｂに凹凸２０を有するウェーハ１１として構成される。 As described above, the wafer 11 as a workpiece to be processed in the present invention is configured as the wafer 11 having the unevenness 20 on the back surface 11b.

そして、本発明のウェーハのダイシング方法では、以下で順に説明する各ステップが実施される。まず、図２に示すように、ウェーハ１１の裏面１１ｂに凹凸２０を吸収する凹凸吸収部材６０（図３参照）を配設する凹凸吸収部材配設ステップが実施される。 Then, in the wafer dicing method of the present invention, the steps described below in order are performed. First, as shown in FIG. 2, the unevenness absorbing member disposing step of disposing the unevenness absorbing member 60 (see FIG. 3) for absorbing the unevenness 20 on the back surface 11b of the wafer 11 is performed.

本実施形態の凹凸吸収部材配設ステップでは、図２に示される構成の保護膜被覆装置３０を用いることでスピンコーティングが実施される。保護膜被覆装置３０は、ウェーハ１１を吸引保持するスピンナテーブル３２と、スピンナテーブル３２に保持されたウェーハ１１に保護液を塗布する塗布手段３４と、スピンナテーブル３２を回転駆動する電動モータ３１と、を具備している。 In the uneven | corrugated absorption member arrangement | positioning step of this embodiment, spin coating is implemented by using the protective film coating apparatus 30 of the structure shown by FIG. The protective film coating apparatus 30 includes a spinner table 32 that sucks and holds the wafer 11, a coating unit 34 that applies a protective liquid to the wafer 11 held on the spinner table 32, an electric motor 31 that rotationally drives the spinner table 32, It has.

塗布手段３４は、スピンナテーブル３２に保持されたウェーハ１１の裏面１１ｂに向けて保護液を供給する保護液供給ノズル３６と、保護液供給ノズル３６を支持する概略Ｌ形状のアーム３７と、アーム３７に支持された保護液供給ノズル３６を揺動する正転・逆転可能な電動モータ３８を有して構成される。保護液供給ノズル３６はアーム３７を介して図示しない保護液供給源に接続されている。 The coating unit 34 includes a protective liquid supply nozzle 36 that supplies a protective liquid toward the back surface 11 b of the wafer 11 held by the spinner table 32, an approximately L-shaped arm 37 that supports the protective liquid supply nozzle 36, and an arm 37. The protective liquid supply nozzle 36 supported by the motor 36 is configured to have an electric motor 38 that can be rotated forward and backward. The protective liquid supply nozzle 36 is connected to a protective liquid supply source (not shown) via an arm 37.

なお、保護膜被覆装置３０は、図示せぬ洗浄水供給手段やエア供給手段を備えることで、切削加工や、レーザ加工をされた後のウェーハを洗浄する洗浄装置（スピンナ洗浄装置）として兼用することも可能である。 The protective film coating apparatus 30 includes a cleaning water supply means and an air supply means (not shown), and is also used as a cleaning apparatus (spinner cleaning apparatus) for cleaning a wafer after being subjected to cutting or laser processing. It is also possible.

以上の構成とする保護膜被覆装置３０を用い、まずはスピンナテーブル３２にウェーハ１１の裏面１１ｂを上側にして載置し、スピンナテーブル３２にてウェーハ１１の表面１１ａを吸引保持させる。 Using the protective film coating apparatus 30 configured as described above, first, the wafer 11 is placed on the spinner table 32 with the back surface 11b of the wafer 11 facing upward, and the surface 11a of the wafer 11 is sucked and held by the spinner table 32.

次いで、スピンナテーブル３２を１０〜１００ｒｐｍ（好ましくは３０〜５０ｒｐｍ）で回転させながら、ウェーハ１１の裏面１１ｂの中央領域に保護液供給ノズル３６から保護液６を滴下する。 Next, the protective liquid 6 is dropped from the protective liquid supply nozzle 36 onto the central region of the back surface 11 b of the wafer 11 while rotating the spinner table 32 at 10 to 100 rpm (preferably 30 to 50 rpm).

スピンナテーブル３２が回転されているため、滴下された保護液６はウェーハ１１の裏面１１ｂにスピンコーティングされ、図３に示すようにウェーハ１１の裏面１１ｂに保護膜７が形成される。 Since the spinner table 32 is rotated, the dropped protective liquid 6 is spin-coated on the back surface 11b of the wafer 11, and the protective film 7 is formed on the back surface 11b of the wafer 11 as shown in FIG.

保護膜７の厚さは、少なくとも、保護膜７によってウェーハ１１の裏面１１ｂの凹凸２０をなくすことができる厚み、つまりは、裏面１１ｂからのバンプ２２の突出量よりも厚く設定される。 The thickness of the protective film 7 is set to be thicker than at least the thickness by which the unevenness 20 on the back surface 11b of the wafer 11 can be eliminated by the protective film 7, that is, the protruding amount of the bumps 22 from the back surface 11b.

保護膜７を形成する液状樹脂としては、ダイシングを切削加工にて実施する場合には、ＵＶ硬化樹脂、熱硬貨樹脂を用いることが考えられ、ダイシングをレーザ加工にて実施する場合には、ＵＶ硬化樹脂、熱硬貨樹脂に加えて水溶性樹脂等を用いることが考えられる。 As the liquid resin for forming the protective film 7, it is conceivable to use a UV curable resin or a thermocoin resin when dicing is performed by cutting, and when dicing is performed by laser processing, UV may be used. It is conceivable to use a water-soluble resin or the like in addition to the curable resin and the thermocoin resin.

そして、以上のように凹凸吸収部材配設ステップを実施することで保護膜７が形成され、ウェーハ１１の裏面１１ｂの凹凸２０を吸収する凹凸吸収部材６０が配設されることになる。 And the protective film 7 is formed by implementing the uneven | corrugated absorption member arrangement | positioning step as mentioned above, and the unevenness absorption member 60 which absorbs the unevenness | corrugation 20 of the back surface 11b of the wafer 11 will be arrange | positioned.

なお、凹凸吸収部材配設ステップは、上述のように保護膜被覆装置３０を用いるほか、図４に示すように、凹凸吸収用のテープ３９をウェーハ１１の裏面１１ｂに貼着し、テープ３９の接着層によってウェーハ１１の裏面１１ｂの凹凸２０を吸収することとしてもよい。この場合、テープ３９が凹凸吸収部材として機能することになる。 The unevenness absorbing member disposing step uses the protective film coating apparatus 30 as described above, and also attaches the unevenness absorbing tape 39 to the back surface 11b of the wafer 11 as shown in FIG. The unevenness 20 on the back surface 11b of the wafer 11 may be absorbed by the adhesive layer. In this case, the tape 39 functions as an uneven absorption member.

凹凸吸収部材配設ステップを実施した後に、図５に示すように、ウェーハ１１の裏面１１ｂに配設された凹凸吸収部材６０を平坦化する平坦化ステップが実施される。 After performing the unevenness absorbing member disposing step, as shown in FIG. 5, a flattening step for flattening the unevenness absorbing member 60 disposed on the back surface 11b of the wafer 11 is performed.

本実施形態の平坦化ステップでは、図５に示されるバイト切削装置５０を用いて実施される。バイト切削装置５０は、ウェーハ１１を吸引保持しつつ水平移動するチャックテーブル５１と、チャックテーブル５１に保持されたウェーハ１１を旋削するバイトホイール５４と、バイトホイール５４を回転駆動するスピンドル５６を有して構成される。 In the planarization step of this embodiment, the cutting tool 50 shown in FIG. 5 is used. The cutting tool 50 includes a chuck table 51 that horizontally moves while sucking and holding the wafer 11, a cutting wheel 54 that turns the wafer 11 held on the chuck table 51, and a spindle 56 that rotationally drives the cutting wheel 54. Configured.

チャックテーブル５１は、図示せぬ吸引源に接続される吸引保持面５２を有し、吸引保持面５２にはウェーハ１１の表面１１ａが載置されて、吸引保持される。 The chuck table 51 has a suction holding surface 52 connected to a suction source (not shown). On the suction holding surface 52, the surface 11a of the wafer 11 is placed and sucked and held.

バイトホイール５４にはバイト５５が下方に向けて設けられており、バイト５５がウェーハ１１の裏面１１ｂ側の凹凸吸収部材６０に切り込めるように構成される。 The bite wheel 54 is provided with a bite 55 facing downward, and is configured such that the bite 55 can be cut into the unevenness absorbing member 60 on the back surface 11 b side of the wafer 11.

以上の構成とするバイト切削装置５０を用い、まずはチャックテーブル５１にウェーハ１１の裏面１１ｂを上側にして載置し、チャックテーブル５１にてウェーハ１１の表面１１ａを吸引保持させる。 Using the cutting tool 50 configured as described above, first, the wafer 11 is placed on the chuck table 51 with the back surface 11b of the wafer 11 facing upward, and the chuck table 51 sucks and holds the front surface 11a of the wafer 11.

次いで、スピンドル５６を回転駆動してバイトホイール５４を回転させるとともに、バイトホイール５４を所定の高さまで下降させて所定の高さ位置に位置づけた後、チャックテーブル５１を矢印Ａの方向に加工送りすることでバイト５５を凹凸吸収部材６０へと切り込ませ、凹凸吸収部材６０の上部を旋削する。 Next, the spindle 56 is driven to rotate to rotate the bite wheel 54, and the bite wheel 54 is lowered to a predetermined height and positioned at a predetermined height, and then the chuck table 51 is processed and fed in the direction of arrow A. Thus, the cutting tool 55 is cut into the uneven absorbing member 60 and the upper portion of the uneven absorbing member 60 is turned.

そして、以上のように平坦化ステップを実施することで、凹凸吸収部材６０の表面６０ａが平坦化される。なお、表面６０ａを平坦化することを目的とするため、旋削による切り込み深さは、バイト５５がバンプ２２に到達しない深さに設定される。 And the surface 60a of the uneven | corrugated absorption member 60 is planarized by implementing the planarization step as described above. In order to flatten the surface 60a, the depth of cut by turning is set to a depth at which the cutting tool 55 does not reach the bumps 22.

また、以上に説明した平坦化ステップにおいては、上述のようにバイト切削装置５０を用いるほか、凹凸吸収部材６０を研削する研削装置を用いることとしてもよい。 Moreover, in the planarization step described above, in addition to using the cutting tool 50 as described above, a grinding device for grinding the unevenness absorbing member 60 may be used.

以上の平坦化ステップを実施した後、図６に示すように、ウェーハ１１の裏面１１ｂの凹凸吸収部材６０にテープＴ（粘着テープ）を貼着するとともに、テープＴを介して環状フレームＦでウェーハ１１を支持するテープ貼着ステップが実施される。 After performing the above flattening step, as shown in FIG. 6, a tape T (adhesive tape) is adhered to the uneven absorption member 60 on the back surface 11 b of the wafer 11, and the wafer is attached to the annular frame F via the tape T. The tape sticking step which supports 11 is implemented.

これにより、ウェーハ１１の裏面１１ｂがテープＴに対して貼着され、ウェーハ１１がテープＴを介して環状フレームＦに対して固定される。このウェーハ１１のテープＴに対する貼着においては、その前段階の平坦化ステップにおいて、ウェーハ１１の裏面１１ｂの凹凸吸収部材６０が平坦化されているため、ウェーハ１１の平坦化された裏面１１ｂがテープＴに貼着されることになる。 Thereby, the back surface 11b of the wafer 11 is stuck to the tape T, and the wafer 11 is fixed to the annular frame F via the tape T. In the sticking of the wafer 11 to the tape T, since the unevenness absorbing member 60 on the back surface 11b of the wafer 11 is flattened in the previous flattening step, the flattened back surface 11b of the wafer 11 is the tape. It will be attached to T.

そして、図７に示すように、テープ貼着ステップを実施した後、ウェーハ１１の裏面１１ｂ側をテープＴを介してチャックテーブル（保持手段）７０で保持する保持ステップが実施される。この図７の例では、クランプ機構７２により環状フレームＦが保持されるとともに、チャックテーブル７０の保持面７４により、ウェーハ１１が吸引保持されることとなっている。 Then, as shown in FIG. 7, after performing the tape attaching step, the holding step of holding the back surface 11b side of the wafer 11 with the chuck table (holding means) 70 via the tape T is performed. In the example of FIG. 7, the annular frame F is held by the clamp mechanism 72 and the wafer 11 is sucked and held by the holding surface 74 of the chuck table 70.

この保持ステップが実施される際には、ウェーハ１１の裏面１１ｂの凹凸が凹凸吸収部材６０によって吸収されている（凹凸が凹凸吸収部材６０によって埋められている）ため、保持面７４とウェーハ１１の裏面１１ｂの間に空間（隙間）が生じることもない。 When this holding step is performed, the unevenness of the back surface 11 b of the wafer 11 is absorbed by the unevenness absorbing member 60 (the unevenness is filled by the unevenness absorbing member 60), so that the holding surface 74 and the wafer 11 There is no space (gap) between the back surface 11b.

また、このように凹凸による隙間が生じることがないため、チャックテーブル７０の保持面７４により、ウェーハ１１が吸引保持された際に、隙間の部位が保持面７４にひきつけられて、裏面１１ｂの凹凸が表面１１ａに転写されることもなく、表面１１ａを平坦とすることができる。 In addition, since the gap due to the unevenness does not occur in this way, when the wafer 11 is sucked and held by the holding surface 74 of the chuck table 70, the portion of the gap is attracted to the holding surface 74, and the unevenness of the back surface 11b. The surface 11a can be made flat without being transferred to the surface 11a.

また、ウェーハ１１の平坦化された裏面１１ｂがテープＴを介してチャックテーブル７０の水平な保持面７４に保持されるため、ウェーハ１１の表面１１ａを水平となるように配置させることができる。 Further, since the flattened back surface 11b of the wafer 11 is held on the horizontal holding surface 74 of the chuck table 70 via the tape T, the front surface 11a of the wafer 11 can be arranged to be horizontal.

そして、以上の保持ステップを実施した後に、図８に示すようにチャックテーブル７０で保持されたウェーハ１１の表面１１ａ側からダイシングするダイシングステップが実施される。 And after performing the above holding | maintenance step, as shown in FIG. 8, the dicing step of dicing from the surface 11a side of the wafer 11 hold | maintained with the chuck table 70 is implemented.

また、図８は、ダイシングステップを、回転する切削ブレード８１をウェーハ１１の表面１１ａ側から切り込ませて遂行する例である。切削ブレード８１を矢印Ｂの方向に回転させるとともに、チャックテーブル７０を矢印Ｃの方向に加工送りすることで、ウェーハ１１が分割予定ライン１３（図１参照）に沿って切削加工される。 FIG. 8 shows an example in which the dicing step is performed by cutting a rotating cutting blade 81 from the surface 11 a side of the wafer 11. By rotating the cutting blade 81 in the direction of arrow B and feeding the chuck table 70 in the direction of arrow C, the wafer 11 is cut along the scheduled division line 13 (see FIG. 1).

この際、切削ブレード８１の切り込みによってウェーハ１１に上下方向の荷重が作用することになるが、上述のように、保持面７４とウェーハ１１の裏面１１ｂの間に空間（隙間）は生じておらず、ウェーハ１１が上下方向に大きく振動することや、たわむことが抑制されるため、ウェーハの欠けが大きく生じるといった不具合の発生を抑制できる。 At this time, a vertical load is applied to the wafer 11 by cutting the cutting blade 81, but as described above, there is no space (gap) between the holding surface 74 and the back surface 11b of the wafer 11. Since the wafer 11 is largely vibrated in the vertical direction and is prevented from being bent, it is possible to suppress the occurrence of defects such as a large chipping of the wafer.

また、図９は、ダイシングステップを、レーザ加工装置９０を用い、ウェーハ１１の表面１１ａ側からレーザビーム９２を照射することで遂行する例である。レーザ加工装置９０によりレーザビーム９２をウェーハ１１に照射するとともに、チャックテーブル７０を矢印Ｃの方向に加工送りすることで、ウェーハ１１が分割予定ライン１３（図１参照）に沿ってレーザ加工される。なお、レーザ加工の形態としては、改質層の形成加工やアブレーション加工が考えられる。 FIG. 9 shows an example in which the dicing step is performed by irradiating the laser beam 92 from the surface 11a side of the wafer 11 using the laser processing apparatus 90. The wafer 11 is irradiated with the laser beam 92 by the laser processing apparatus 90 and the chuck table 70 is processed and fed in the direction of the arrow C, whereby the wafer 11 is laser processed along the scheduled division line 13 (see FIG. 1). . In addition, as a form of laser processing, formation processing of a modified layer and ablation processing can be considered.

この際、上述のように、ウェーハ１１の表面１１ａが平坦となるように配置されているため、所定の加工高さ位置に一定のレーザ加工を施す、つまりは、所定の位置にレーザビームの焦点を合わせることが可能となり、これにより、レーザ加工後における分割不良を引き起こすといった不具合の発生を抑制できる。 At this time, as described above, since the surface 11a of the wafer 11 is arranged so as to be flat, a constant laser processing is performed at a predetermined processing height position, that is, the focal point of the laser beam at the predetermined position. Therefore, it is possible to suppress the occurrence of problems such as causing a division failure after laser processing.

６保護液
７保護膜
１１ウェーハ
１１ａ表面
１１ｂ裏面
２０凹凸
２２バンプ
２４凸部
２６凹部
３０保護膜被覆装置
５０バイト切削装置
６０凹凸吸収部材
８１切削ブレード
９２レーザビーム
Ｆ環状フレーム
Ｔテープ 6 Protective liquid 7 Protective film 11 Wafer 11a Front surface 11b Back surface 20 Concavity and convexity 22 Bump 24 Convex part 26 Concave part 30 Protective film coating device 50 Bit cutting device 60 Concavity and convexity absorbing member 81 Cutting blade 92 Laser beam F Annular frame T Tape

Claims

裏面に凹凸を有する被加工物のダイシング方法であって、
該被加工物の裏面に該凹凸を吸収する凹凸吸収部材を配設する凹凸吸収部材配設ステップと、
該被加工物の裏面に配設された該凹凸吸収部材を平坦化する平坦化ステップと、
該平坦化ステップを実施した後、該被加工物の裏面の該凹凸吸収部材にテープを貼着するとともに、該テープを介して環状フレームで被加工物を支持するテープ貼着ステップと、
該テープ貼着ステップを実施した後、該被加工物の裏面側を該テープを介して保持手段で保持する保持ステップと、
該保持手段で保持された該被加工物の表面側からダイシングするダイシングステップと、
を備えた、ことを特徴とする被加工物のダイシング方法。 A method for dicing a workpiece having irregularities on the back surface,
An unevenness absorbing member disposing step of disposing an unevenness absorbing member for absorbing the unevenness on the back surface of the workpiece;
A flattening step of flattening the unevenness absorbing member disposed on the back surface of the workpiece;
After performing the flattening step, a tape adhering step of attaching a tape to the uneven absorption member on the back surface of the workpiece, and supporting the workpiece with an annular frame via the tape;
After carrying out the tape sticking step, a holding step for holding the back side of the workpiece with a holding means via the tape;
A dicing step of dicing from the surface side of the workpiece held by the holding means;
A method for dicing a workpiece, comprising:

前記ダイシングステップは、回転する切削ブレードを該被加工物の表面側から切り込ませて遂行される、
ことを特徴とする、請求項１に記載の被加工物のダイシング方法。 The dicing step is performed by cutting a rotating cutting blade from the surface side of the workpiece.
The method for dicing a workpiece according to claim 1, wherein:

前記ダイシングステップは、該被加工物の表面側からレーザビームを照射することで遂行される、
ことを特徴とする、請求項１に記載の被加工物のダイシング方法。 The dicing step is performed by irradiating a laser beam from the surface side of the workpiece.
The method for dicing a workpiece according to claim 1, wherein: