JP2016100346A - Wafer processing method - Google Patents
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Abstract
Description
本発明は、表面側に複数のデバイスが形成されたウェーハを加工する加工方法に関する。 The present invention relates to a processing method for processing a wafer having a plurality of devices formed on the surface side.
ストリートと呼ばれる分割予定ラインで区画された表面側の複数の領域に、それぞれＩＣ等のデバイスが形成されたウェーハは、例えば、切削ブレードを備える切削装置で各デバイスに対応する複数の半導体チップへと分割され、電子機器等に組み込まれる。 A wafer in which devices such as ICs are formed in a plurality of regions on the front surface side divided by dividing lines called streets, for example, into a plurality of semiconductor chips corresponding to each device by a cutting apparatus equipped with a cutting blade. Divided and incorporated into electronic devices.
この半導体チップを基板等に実装する方法の１つとして、フリップチップ実装が知られている。フリップチップ実装では、半田等でなる突起（バンプ）を表面の電極上に備えたフリップチップと呼ばれる半導体チップを形成し（例えば、特許文献１参照）、この突起を基板の電極等と接合する。 Flip chip mounting is known as one method for mounting this semiconductor chip on a substrate or the like. In flip chip mounting, a semiconductor chip called a flip chip having protrusions (bumps) made of solder or the like on a surface electrode is formed (see, for example, Patent Document 1), and the protrusions are bonded to a substrate electrode or the like.
上述のフリップチップ実装では、金属ワイヤ等を用いることなく電気的な接続が実現されるので、ワイヤ・ボンディング等の方法と比べて半導体チップの実装に必要な面積を縮小できる。 In the above-described flip chip mounting, electrical connection is realized without using a metal wire or the like, so that the area required for mounting a semiconductor chip can be reduced as compared with a method such as wire bonding.
ところで、上述した半導体チップを保護するために、ダイバックサイドフィルム（ＤＢＦ）等と呼ばれる樹脂フィルムを半導体チップの裏面側に貼着することがある。この樹脂フィルムは、例えば、ウェーハを複数の半導体チップへと分割した後に、各半導体チップの裏面側に貼着される。 By the way, in order to protect the semiconductor chip described above, a resin film called a die back side film (DBF) or the like is sometimes attached to the back side of the semiconductor chip. For example, the resin film is bonded to the back side of each semiconductor chip after dividing the wafer into a plurality of semiconductor chips.
しかしながら、分割後のチップに樹脂フィルムを貼着する方法では、コストの大幅な増加が問題となる。本発明はかかる問題点に鑑みてなされたものであり、その目的とするところは、コストを低く抑えつつ各チップの裏面側に樹脂フィルムを貼着可能なウェーハの加工方法を提供することである。 However, in the method of sticking the resin film on the divided chip, a significant increase in cost becomes a problem. The present invention has been made in view of such problems, and an object of the present invention is to provide a wafer processing method capable of adhering a resin film to the back side of each chip while keeping costs low. .
本発明によれば、格子状に配列された複数の分割予定ラインで区画された表面側の複数の領域にデバイスが形成されたウェーハを該分割予定ラインに沿って各デバイスに対応する複数のチップへと分割するとともに、各チップの裏面に樹脂フィルムを貼着するウェーハの加工方法であって、ウェーハの表面側に保護部材を貼着する保護部材貼着工程と、該保護部材が貼着されたウェーハの裏面を研削してウェーハを所定の厚さにする裏面研削工程と、研削後のウェーハの裏面に樹脂フィルムを貼着する樹脂フィルム貼着工程と、ウェーハに貼着された該樹脂フィルムの該分割予定ラインに対応する領域を除去してウェーハの該分割予定ラインに対応する領域を露出させる分割予定ライン露出工程と、該分割予定ラインに対応する領域が除去された該樹脂フィルムを介してウェーハにプラズマエッチングを施し、ウェーハを該分割予定ラインに沿って複数のチップへと分割するエッチング工程と、複数のチップへと分割されたウェーハの該樹脂フィルム側に粘着テープを貼着するとともに該粘着テープの外周部を環状のフレームで支持するウェーハ支持工程と、環状の該フレームに支持されたウェーハの表面側から該保護部材を剥離する保護部材剥離工程と、を含むことを特徴とするウェーハの加工方法が提供される。 According to the present invention, a wafer in which devices are formed in a plurality of regions on the surface side partitioned by a plurality of division lines arranged in a grid pattern is a plurality of chips corresponding to each device along the division lines. Is a wafer processing method in which a resin film is attached to the back side of each chip, and a protective member attaching step for attaching a protective member to the front surface side of the wafer, and the protective member is attached A back surface grinding process for grinding the back surface of the wafer to a predetermined thickness, a resin film adhering process for adhering a resin film to the back surface of the wafer after grinding, and the resin film adhered to the wafer A region corresponding to the planned division line is removed to expose a region corresponding to the planned division line on the wafer, and a region corresponding to the planned division line is removed. Further, plasma etching is performed on the wafer through the resin film, and the wafer is divided into a plurality of chips along the planned dividing line, and the wafer divided into the plurality of chips is adhered to the resin film side. A wafer supporting step of attaching the tape and supporting the outer peripheral portion of the adhesive tape with an annular frame; and a protective member peeling step of peeling the protective member from the surface side of the wafer supported by the annular frame. A method for processing a wafer is provided.
本発明において、該分割予定ライン露出工程では、ウェーハに貼着された該樹脂フィルムの該分割予定ラインに対応する領域に回転させた切削ブレードを切り込ませて該樹脂フィルムの厚さ以上の深さを有する切削溝を該分割予定ラインに沿って形成し、ウェーハの該分割予定ラインに対応する領域を露出させると良い。 In the present invention, in the division line exposure step, a cutting blade rotated into a region corresponding to the division line of the resin film adhered to the wafer is cut to a depth greater than the thickness of the resin film. It is preferable to form a cutting groove having a thickness along the planned division line and expose a region corresponding to the planned division line on the wafer.
また、本発明において、該分割予定ライン露出工程では、ウェーハに貼着された該樹脂フィルムの該分割予定ラインに対応する領域に該樹脂フィルム側からレーザー光線を照射して該樹脂フィルムの厚さ以上の深さを有するレーザー加工溝を該分割予定ラインに沿って形成し、ウェーハの該分割予定ラインに対応する領域を露出させても良い。 Further, in the present invention, in the planned division line exposure step, a region corresponding to the planned division line of the resin film adhered to the wafer is irradiated with a laser beam from the resin film side to exceed the thickness of the resin film. A laser processing groove having a depth of 5 mm may be formed along the planned dividing line to expose a region corresponding to the planned dividing line.
本発明に係るウェーハの加工方法では、ウェーハの裏面に貼着された樹脂フィルムの分割予定ラインに対応する領域を除去してから、この樹脂フィルムを介してウェーハにプラズマエッチングを施すので、分割予定ラインに沿ってウェーハを分割して、裏面側に樹脂フィルムが貼着された複数のチップを得ることができる。 In the wafer processing method according to the present invention, the region corresponding to the planned division line of the resin film adhered to the back surface of the wafer is removed, and then the wafer is subjected to plasma etching via this resin film. By dividing the wafer along the line, it is possible to obtain a plurality of chips having a resin film attached to the back surface.
また、本発明に係るウェーハの加工方法では、樹脂フィルムをプラズマエッチングのマスクとして用いるので、プラズマエッチング用のマスクを別に形成する必要がない。このように、本発明によれば、コストを低く抑えつつ各チップの裏面側に樹脂フィルムを貼着可能なウェーハの加工方法を提供できる。 In the wafer processing method according to the present invention, since the resin film is used as a mask for plasma etching, it is not necessary to separately form a mask for plasma etching. Thus, according to the present invention, it is possible to provide a wafer processing method capable of attaching a resin film to the back side of each chip while keeping the cost low.
添付図面を参照して、本発明の実施形態について説明する。本実施形態に係るウェーハの加工方法は、保護部材貼着工程、裏面研削工程、樹脂フィルム貼着工程、分割予定ライン露出工程、エッチング工程、ウェーハ支持工程、及び保護部材剥離工程を含む。 Embodiments of the present invention will be described with reference to the accompanying drawings. The wafer processing method according to the present embodiment includes a protective member attaching step, a back grinding step, a resin film attaching step, a division line exposure step, an etching step, a wafer supporting step, and a protective member peeling step.
保護部材貼着工程では、ウェーハの表面側に保護部材を貼着する。裏面研削工程では、保護部材が貼着されたウェーハの裏面を研削してウェーハを所定の厚さにする。樹脂フィルム貼着工程では、研削後のウェーハの裏面に樹脂フィルムを貼着する。分割予定ライン露出工程では、樹脂フィルムの一部を除去してウェーハの分割予定ラインに対応する領域を露出させる。 In the protective member attaching step, the protective member is attached to the front side of the wafer. In the back surface grinding step, the back surface of the wafer to which the protective member is attached is ground to give the wafer a predetermined thickness. In the resin film attaching step, a resin film is attached to the back surface of the ground wafer. In the division line exposure step, a part of the resin film is removed to expose a region corresponding to the wafer division line.
エッチング工程では、樹脂フィルムを介してウェーハにプラズマエッチングを施し、分割予定ラインに沿ってウェーハを複数のチップへと分割する。ウェーハ支持工程では、分割されたウェーハの樹脂フィルム側に粘着テープを貼着するとともに粘着テープの外周部を環状のフレームで支持する。保護部材剥離工程では、環状のフレームに支持されたウェーハの表面側から保護部材を剥離する。以下、本実施形態に係るウェーハの加工方法について詳述する。 In the etching process, plasma etching is performed on the wafer through the resin film, and the wafer is divided into a plurality of chips along the division line. In the wafer support step, an adhesive tape is attached to the resin film side of the divided wafer and the outer peripheral portion of the adhesive tape is supported by an annular frame. In the protective member peeling step, the protective member is peeled from the surface side of the wafer supported by the annular frame. Hereinafter, the wafer processing method according to the present embodiment will be described in detail.
本実施形態に係るウェーハの加工方法では、まず、ウェーハの表面側に保護部材を貼着する保護部材貼着工程を実施する。図１（Ａ）は、保護部材貼着工程を模式的に示す斜視図であり、図１（Ｂ）は、保護部材貼着工程後のウェーハ等の状態を模式的に示す断面図である。 In the wafer processing method according to the present embodiment, first, a protective member attaching step for attaching a protective member to the front surface side of the wafer is performed. FIG. 1A is a perspective view schematically showing a protective member attaching step, and FIG. 1B is a cross-sectional view schematically showing a state of a wafer and the like after the protective member attaching step.
図１（Ａ）及び図１（Ｂ）に示すように、加工対象のウェーハ１１は、例えば、シリコン等でなる略円形の板状物であり、その表面１１ａは、中央のデバイス領域と、デバイス領域を囲む外周余剰領域とに分けられている。 As shown in FIGS. 1A and 1B, a wafer 11 to be processed is, for example, a substantially circular plate-like object made of silicon or the like, and its surface 11a has a central device region and a device. It is divided into an outer peripheral surplus area surrounding the area.
デバイス領域は、格子状に配列された複数の分割予定ライン（ストリート）１３でさらに複数の領域に区画されており、各領域には、ＩＣ、ＬＳＩ等のデバイス１５が形成されている。各デバイス１５には、複数の突起（バンプ）１７が配置されている。各突起１７は、半田等の材料で略半球状に形成され、各デバイス１５の電極等に接続されている。 The device region is further divided into a plurality of regions by a plurality of division lines (streets) 13 arranged in a lattice pattern, and devices 15 such as ICs and LSIs are formed in each region. Each device 15 is provided with a plurality of protrusions (bumps) 17. Each protrusion 17 is formed in a substantially hemispherical shape with a material such as solder and is connected to an electrode or the like of each device 15.
保護部材２１は、例えば、ウェーハ１１と略同径に形成された円形の板状物であり、平坦な表面２１ａ及び裏面２１ｂを有している。本実施形態の保護部材貼着工程では、この保護部材２１をウェーハ１１の表面１１ａ側に貼着する。 The protection member 21 is, for example, a circular plate-like object formed with substantially the same diameter as the wafer 11, and has a flat front surface 21a and a back surface 21b. In the protective member attaching step of the present embodiment, the protective member 21 is attached to the front surface 11 a side of the wafer 11.
具体的には、ウェーハ１１の表面１１ａと保護部材２１の表面２１ａとが対面するようにウェーハ１１と保護部材２１とを重ね合せる。この時、ウェーハ１１と保護部材２１との間には、接着剤２３を介在させておく。これにより、ウェーハ１１の表面１１ａ側に保護部材２１を貼着できる。接着剤２３としては、例えば、紫外線や熱等の刺激で硬化する硬化型の樹脂を用いると良い。 Specifically, the wafer 11 and the protection member 21 are overlapped so that the surface 11a of the wafer 11 and the surface 21a of the protection member 21 face each other. At this time, an adhesive 23 is interposed between the wafer 11 and the protective member 21. Thereby, the protective member 21 can be stuck to the surface 11a side of the wafer 11. As the adhesive 23, for example, a curable resin that is cured by a stimulus such as ultraviolet rays or heat may be used.
保護部材貼着工程の後には、ウェーハ１１の裏面１１ｂを研削してウェーハ１１を所定の厚さにする裏面研削工程を実施する。図２（Ａ）は、裏面研削工程を模式的に示す斜視図であり、図２（Ｂ）は、裏面研削工程後のウェーハ１１等の状態を模式的に示す断面図である。 After the protective member attaching process, a back surface grinding process is performed to grind the back surface 11b of the wafer 11 so that the wafer 11 has a predetermined thickness. FIG. 2A is a perspective view schematically showing the back grinding process, and FIG. 2B is a cross-sectional view schematically showing the state of the wafer 11 and the like after the back grinding process.
裏面研削工程は、例えば、図２（Ａ）に示す研削装置２で実施される。研削装置２は、ウェーハ１１を吸引保持するチャックテーブル４を備えている。このチャックテーブル４は、モータ等の回転駆動源（不図示）と連結されており、鉛直方向に平行な回転軸の周りに回転する。 The back grinding process is performed by, for example, the grinding apparatus 2 shown in FIG. The grinding apparatus 2 includes a chuck table 4 that holds the wafer 11 by suction. The chuck table 4 is connected to a rotation drive source (not shown) such as a motor, and rotates around a rotation axis parallel to the vertical direction.
チャックテーブル４の上面は、ウェーハ１１を吸引保持する保持面となっている。保持面には、チャックテーブル４の内部に形成された流路を通じて吸引源（不図示）の負圧が作用する。 The upper surface of the chuck table 4 is a holding surface for sucking and holding the wafer 11. A negative pressure of a suction source (not shown) acts on the holding surface through a flow path formed inside the chuck table 4.
チャックテーブル４の上方には、鉛直方向に平行な回転軸を構成するスピンドル６が支持されている。このスピンドル６は、昇降機構（不図示）によって昇降される。スピンドル６の下端側には、円盤状のホイールマウント８が設けられている。ホイールマウント８の下面には、ホイールマウント８と略同径の研削ホイール１０が装着されている。 Above the chuck table 4, a spindle 6 constituting a rotation axis parallel to the vertical direction is supported. The spindle 6 is lifted and lowered by a lifting mechanism (not shown). A disc-shaped wheel mount 8 is provided on the lower end side of the spindle 6. A grinding wheel 10 having substantially the same diameter as the wheel mount 8 is mounted on the lower surface of the wheel mount 8.
研削ホイール１０は、ステンレス、アルミニウム等の金属材料で形成されたホイール基台１２を備えている。ホイール基台１２の円環状の下面には、全周にわたって複数の研削砥石１４が固定されている。スピンドル６の上端側には、モータ等の回転駆動源（不図示）が連結されており、研削ホイール１０は、回転駆動源から伝達される回転力で回転する。 The grinding wheel 10 includes a wheel base 12 made of a metal material such as stainless steel or aluminum. A plurality of grinding wheels 14 are fixed to the annular lower surface of the wheel base 12 over the entire circumference. A rotation drive source (not shown) such as a motor is connected to the upper end side of the spindle 6, and the grinding wheel 10 rotates with the rotational force transmitted from the rotation drive source.
裏面研削工程では、まず、ウェーハ１１に貼着された保護部材２１の裏面２１ｂ側をチャックテーブル４の保持面に接触させて、吸引源の負圧を作用させる。これにより、ウェーハ１１は、保護部材２１を介してチャックテーブル４に吸引保持され、裏面１１ｂ側が上方に露出する。 In the back surface grinding process, first, the back surface 21b side of the protective member 21 adhered to the wafer 11 is brought into contact with the holding surface of the chuck table 4 to apply a negative pressure of the suction source. Thereby, the wafer 11 is sucked and held by the chuck table 4 via the protective member 21, and the back surface 11b side is exposed upward.
次に、チャックテーブル４とスピンドル６とをそれぞれ所定の方向に回転させつつ、研削ホイール１０を下降させ、純水等の研削液を供給しながらウェーハ１１の裏面１１ｂ側に研削砥石１４を接触させる。これにより、ウェーハ１１の裏面１１ｂ側を研削できる。図２（Ｂ）に示すように、ウェーハ１１が所定の厚さまで薄くなると、裏面研削工程は終了する。 Next, the grinding wheel 10 is lowered while rotating the chuck table 4 and the spindle 6 in predetermined directions, and the grinding wheel 14 is brought into contact with the back surface 11b side of the wafer 11 while supplying a grinding liquid such as pure water. . Thereby, the back surface 11b side of the wafer 11 can be ground. As shown in FIG. 2B, when the wafer 11 is thinned to a predetermined thickness, the back grinding process is finished.
裏面研削工程の後には、研削後のウェーハ１１の裏面１１ｂに樹脂フィルムを貼着する樹脂フィルム貼着工程を実施する。図３（Ａ）は、樹脂フィルム貼着工程を模式的に示す斜視図であり、図３（Ｂ）は、樹脂フィルム貼着工程後のウェーハ１１等の状態を模式的に示す断面図である。 After the back grinding step, a resin film sticking step for sticking a resin film to the back surface 11b of the wafer 11 after grinding is performed. FIG. 3A is a perspective view schematically showing the resin film attaching step, and FIG. 3B is a cross-sectional view schematically showing the state of the wafer 11 and the like after the resin film attaching step. .
図３（Ａ）及び図３（Ｂ）に示すように、樹脂フィルム３１は、例えば、ウェーハ１１と略同径に形成された円形のフィルムであり、ダイバックサイドフィルム（ＤＢＦ）等とも呼ばれる。この樹脂フィルム３１は、後述するプラズマエッチングに対して耐性のある樹脂等の材料で形成されている。 As shown in FIGS. 3A and 3B, the resin film 31 is, for example, a circular film formed with substantially the same diameter as the wafer 11 and is also called a die backside film (DBF) or the like. The resin film 31 is formed of a material such as a resin that is resistant to plasma etching described later.
また、樹脂フィルム３１の表面３１ａ側には、接着力のある糊層が設けられている。樹脂フィルム貼着工程では、この樹脂フィルム３１を、研削後のウェーハ１１の裏面１１ｂに貼着する。 Further, an adhesive layer having an adhesive force is provided on the surface 31 a side of the resin film 31. In the resin film attaching step, the resin film 31 is attached to the back surface 11b of the wafer 11 after grinding.
具体的には、研削後のウェーハ１１の裏面１１ｂと樹脂フィルム３１の表面３１ａとが対面するようにウェーハ１１と樹脂フィルム３１とを重ね合せる。これにより、図３（Ｂ）に示すように、ウェーハ１１の裏面１１ｂ側に樹脂フィルム３１を貼着できる。 Specifically, the wafer 11 and the resin film 31 are overlapped so that the back surface 11b of the wafer 11 after grinding and the front surface 31a of the resin film 31 face each other. Thereby, as shown in FIG. 3B, the resin film 31 can be attached to the back surface 11 b side of the wafer 11.
樹脂フィルム貼着工程の後には、樹脂フィルム３１の一部を除去してウェーハ１１の分割予定ライン１３に対応する領域を露出させる分割予定ライン露出工程を実施する。図４（Ａ）は、分割予定ライン露出工程を模式的に示す一部断面側面図であり、図４（Ｂ）は、分割予定ライン露出工程後のウェーハ１１等の状態を模式的に示す断面図である。 After the resin film sticking step, a parting portion of the resin film 31 is removed, and a planned division line exposure step is performed in which a region corresponding to the division target line 13 of the wafer 11 is exposed. FIG. 4A is a partial cross-sectional side view schematically showing the division planned line exposure process, and FIG. 4B is a cross section schematically showing the state of the wafer 11 and the like after the division planned line exposure process. FIG.
本実施形態の分割予定ライン露出工程は、例えば、図４（Ａ）に示す切削装置２２で実施される。切削装置２２は、ウェーハ１１を吸引保持するチャックテーブル（不図示）を備えている。チャックテーブルの上方にはスピンドルハウジング２４が配置されており、このスピンドルハウジング２４の内部には、水平方向に平行な回転軸を構成するスピンドル２６が支持されている。 The division | segmentation scheduled line exposure process of this embodiment is implemented by the cutting device 22 shown to FIG. 4 (A), for example. The cutting device 22 includes a chuck table (not shown) that holds the wafer 11 by suction. A spindle housing 24 is disposed above the chuck table, and a spindle 26 constituting a rotation axis parallel to the horizontal direction is supported inside the spindle housing 24.
スピンドル２６の一端側には、樹脂フィルム３１を切削できるように構成された環状の切削ブレード２８が装着されている。スピンドル２６の他端側にはモータ等の回転駆動源（不図示）が連結されており、切削ブレード２８は、回転駆動源から伝達される回転力で回転する。 An annular cutting blade 28 configured to cut the resin film 31 is attached to one end side of the spindle 26. A rotation drive source (not shown) such as a motor is connected to the other end side of the spindle 26, and the cutting blade 28 rotates with a rotational force transmitted from the rotation drive source.
分割予定ライン露出工程では、まず、ウェーハ１１に貼着された保護部材２１の裏面２１ｂ側をチャックテーブルで吸引保持する。これにより、ウェーハ１１に貼着された樹脂フィルム３１の裏面３１ｂ側が上方に露出する。 In the scheduled division line exposure step, first, the back surface 21b side of the protective member 21 adhered to the wafer 11 is sucked and held by the chuck table. Thereby, the back surface 31b side of the resin film 31 adhered to the wafer 11 is exposed upward.
次に、チャックテーブルと切削ブレード２８とを相対的に移動させて、切削ブレード２８を分割予定ライン１３に対応する領域に位置付ける。その後、回転させた切削ブレード２８を樹脂フィルム３１の裏面３１ｂ側に切り込ませるとともに、チャックテーブルを対象の分割予定ライン１３と平行な方向に移動させる。 Next, the chuck table and the cutting blade 28 are relatively moved so that the cutting blade 28 is positioned in an area corresponding to the scheduled division line 13. Thereafter, the rotated cutting blade 28 is cut into the back surface 31 b side of the resin film 31, and the chuck table is moved in a direction parallel to the target division line 13.
ここで、切削ブレード２８の切り込み深さは、樹脂フィルム３１の厚さ以上とする。これにより、樹脂フィルム３１の厚さ以上の深さを有する切削溝を形成して、ウェーハ１１の分割予定ライン１３に対応する領域を露出させることができる。 Here, the cutting depth of the cutting blade 28 is not less than the thickness of the resin film 31. Thereby, the cutting groove which has the depth more than the thickness of the resin film 31 can be formed, and the area | region corresponding to the division | segmentation scheduled line 13 of the wafer 11 can be exposed.
対象の分割予定ライン１３に対応する切削溝を形成した後には、切削ブレード２８を上昇させて、対象の分割予定ライン１３に垂直な方向に切削ブレード２８を移動させる。具体的には、切削ブレード２８を、隣接する分割予定ライン１３に対応する領域に位置付ける。 After forming the cutting groove corresponding to the target division line 13, the cutting blade 28 is raised and the cutting blade 28 is moved in a direction perpendicular to the target division line 13. Specifically, the cutting blade 28 is positioned in an area corresponding to the adjacent division planned line 13.
切削ブレード２８を位置付けた後には、同様の切削溝を形成する。この動作を繰り返し、第１の方向に平行な全ての分割予定ライン１３に沿って切削溝を形成した後には、例えば、鉛直方向に平行な回転軸の周りにチャックテーブルを９０°回転させて、第１の方向と直交する第２の方向に平行な分割予定ライン１３に沿って切削溝を形成する。 After positioning the cutting blade 28, a similar cutting groove is formed. After repeating this operation and forming the cutting grooves along all the division lines 13 parallel to the first direction, for example, by rotating the chuck table 90 ° around the rotation axis parallel to the vertical direction, A cutting groove is formed along a division line 13 parallel to a second direction orthogonal to the first direction.
図４（Ｂ）に示すように、全ての分割予定ライン１３に沿って切削溝が形成され、ウェーハ１１の分割予定ライン１３に対応する領域が露出すると分割予定ライン露出工程は終了する。なお、この分割予定ライン露出工程によって、樹脂フィルム３１は各デバイス１５に対応する複数のフィルム片３３に分割される。 As shown in FIG. 4B, when the cutting grooves are formed along all the division lines 13 and the region corresponding to the division lines 13 of the wafer 11 is exposed, the division line exposure process is finished. In addition, the resin film 31 is divided into a plurality of film pieces 33 corresponding to the respective devices 15 by this division planned line exposure step.
分割予定ライン露出工程の後には、樹脂フィルム３１を介してウェーハ１１にプラズマエッチングを施すエッチング工程を実施する。図５（Ａ）は、エッチング工程を模式的に示す断面図であり、図５（Ｂ）は、エッチング工程後のウェーハ１１等の状態を模式的に示す断面図である。 After the division line exposure process, an etching process is performed in which plasma etching is performed on the wafer 11 through the resin film 31. FIG. 5A is a cross-sectional view schematically showing the etching process, and FIG. 5B is a cross-sectional view schematically showing the state of the wafer 11 and the like after the etching process.
エッチング工程では、まず、ウェーハ１１を真空チャンバ内に設けた一対の電極間に配置して、この真空チャンバを密閉、排気する。なお、ここでは、樹脂フィルム３１の貼着された裏面１１ｂ側が露出するようにウェーハ１１を配置する。 In the etching process, first, the wafer 11 is placed between a pair of electrodes provided in the vacuum chamber, and the vacuum chamber is sealed and evacuated. Here, the wafer 11 is arranged so that the back surface 11b side to which the resin film 31 is adhered is exposed.
次に、真空チャンバ内にプラズマエッチング用の原料ガスを所定の流量で供給しながら、電極間に所定の高周波電力を供給する。これにより、電極間にラジカルやイオンを含むプラズマＰを発生させて、ウェーハ１１を加工できる。 Next, a predetermined high frequency power is supplied between the electrodes while supplying a raw material gas for plasma etching at a predetermined flow rate in the vacuum chamber. Thereby, the wafer 11 can be processed by generating plasma P containing radicals and ions between the electrodes.
上述のように、ウェーハ１１の裏面１１ｂのデバイス１５に対応する領域は、プラズマエッチングに耐性のある樹脂フィルム３１（フィルム片３３）で覆われている。一方、ウェーハ１１の裏面１１ｂの分割予定ライン１３に対応する領域は、樹脂フィルム３１で覆われずに露出している。よって、発生したプラズマＰは、ウェーハ１１の分割予定ライン１３に対応する領域にのみ作用する。 As described above, the region corresponding to the device 15 on the back surface 11b of the wafer 11 is covered with the resin film 31 (film piece 33) resistant to plasma etching. On the other hand, the area corresponding to the division line 13 on the back surface 11 b of the wafer 11 is exposed without being covered with the resin film 31. Therefore, the generated plasma P acts only on a region corresponding to the division line 13 of the wafer 11.
これにより、ウェーハ１１の裏面１１ｂ側の分割予定ライン１３に対応する領域に、プラズマエッチングによる溝を形成できる。図５（Ｂ）に示すように、ウェーハ１１の表面１１ａに達する溝が形成され、ウェーハ１１が分割予定ライン１３に沿って複数のチップ１９へと分割されると、エッチング工程は終了する。なお、プラズマエッチング用の原料ガスは、ウェーハ１１の材質等に応じて任意に選択される。 Thereby, a groove by plasma etching can be formed in a region corresponding to the division line 13 on the back surface 11 b side of the wafer 11. As shown in FIG. 5B, when the groove reaching the surface 11a of the wafer 11 is formed and the wafer 11 is divided into a plurality of chips 19 along the planned dividing line 13, the etching process is finished. The source gas for plasma etching is arbitrarily selected according to the material of the wafer 11 and the like.
本実施形態のエッチング工程では、上述のように、樹脂フィルム３１（フィルム片３３）をマスクとして用いるので、プラズマエッチング用のマスクを別に形成する必要がない。これにより、ウェーハ１１の加工に係るコストを低く抑えることができる。 In the etching process of this embodiment, since the resin film 31 (film piece 33) is used as a mask as described above, it is not necessary to separately form a mask for plasma etching. Thereby, the cost concerning the processing of the wafer 11 can be suppressed low.
エッチング工程の後には、分割されたウェーハ１１の樹脂フィルム３１側に粘着テープを貼着するとともに粘着テープの外周部を環状のフレームで支持するウェーハ支持工程を実施する。図６（Ａ）は、ウェーハ支持工程を模式的に示す斜視図であり、図６（Ｂ）は、ウェーハ支持工程後のウェーハ１１等の状態を模式的に示す断面図である。 After the etching step, a wafer supporting step is performed in which an adhesive tape is attached to the divided wafer 11 on the resin film 31 side and the outer peripheral portion of the adhesive tape is supported by an annular frame. FIG. 6A is a perspective view schematically showing the wafer support process, and FIG. 6B is a cross-sectional view schematically showing the state of the wafer 11 and the like after the wafer support process.
図６（Ａ）及び図６（Ｂ）に示すように、ウェーハ支持工程では、樹脂フィルム３１を介してウェーハ１１を粘着テープ４１に貼着する。また、粘着テープ４１の外周部に環状のフレーム４３を固定する。これにより、ウェーハ１１を環状のフレーム４３で支持できる。 As shown in FIGS. 6A and 6B, in the wafer support step, the wafer 11 is attached to the adhesive tape 41 via the resin film 31. An annular frame 43 is fixed to the outer peripheral portion of the adhesive tape 41. Thereby, the wafer 11 can be supported by the annular frame 43.
ウェーハ支持工程の後には、環状のフレーム４３に支持されたウェーハ１１の表面１１ａ側から保護部材２１を剥離する保護部材剥離工程を実施する。図７（Ａ）は、保護部材剥離工程を模式的に示す断面図であり、図７（Ｂ）は、保護部材剥離工程後のウェーハ１１等の状態を模式的に示す断面図である。 After the wafer supporting step, a protective member peeling step is carried out to peel the protective member 21 from the surface 11a side of the wafer 11 supported by the annular frame 43. FIG. 7A is a cross-sectional view schematically showing the protective member peeling step, and FIG. 7B is a cross-sectional view schematically showing the state of the wafer 11 and the like after the protective member peeling step.
保護部材剥離工程では、図７（Ａ）に示すように、粘着テープ４１（ウェーハ１１）から保護部材２１を引き離すように力を加える。これにより、ウェーハ１１の表面１１ａ側から保護部材２１を剥離できる。 In the protective member peeling step, as shown in FIG. 7A, a force is applied so as to separate the protective member 21 from the adhesive tape 41 (wafer 11). Thereby, the protection member 21 can be peeled from the front surface 11 a side of the wafer 11.
なお、接着剤２３として、紫外線や熱等の刺激で硬化する硬化型の樹脂を用いている場合には、紫外線や熱等の刺激を加えて接着剤２３を硬化させると良い。この場合、接着剤２３の接着力を低下させて保護部材２１をより容易に剥離できる。 In the case where a curable resin that is cured by a stimulus such as ultraviolet light or heat is used as the adhesive 23, the adhesive 23 may be cured by applying a stimulus such as ultraviolet light or heat. In this case, the protective member 21 can be more easily peeled off by reducing the adhesive strength of the adhesive 23.
以上のように、本実施形態に係るウェーハの加工方法では、ウェーハ１１の裏面１１ｂに貼着された樹脂フィルム３１の分割予定ライン１３に対応する領域を除去してから、この樹脂フィルム３１を介してウェーハ１１にプラズマエッチングを施すので、分割予定ライン１３に沿ってウェーハ１１を分割して、裏面１１ｂ側に樹脂フィルム３１（フィルム片３３）が貼着された複数のチップ１９を得ることができる。 As described above, in the wafer processing method according to the present embodiment, the region corresponding to the division line 13 of the resin film 31 adhered to the back surface 11b of the wafer 11 is removed, and then the resin film 31 is interposed. Since the wafer 11 is subjected to plasma etching, the wafer 11 is divided along the scheduled division line 13 to obtain a plurality of chips 19 having the resin film 31 (film piece 33) adhered to the back surface 11b side. .
さらに、本実施形態に係るウェーハの加工方法では、樹脂フィルム３１をプラズマエッチングのマスクとして用いるので、プラズマエッチング用のマスクを別に形成する必要がない。このように、本実施形態によれば、コストを低く抑えつつ各チップの裏面側に樹脂フィルムを貼着可能なウェーハの加工方法を提供できる。 Furthermore, in the wafer processing method according to the present embodiment, the resin film 31 is used as a plasma etching mask, so that it is not necessary to separately form a plasma etching mask. Thus, according to the present embodiment, it is possible to provide a wafer processing method capable of attaching a resin film to the back side of each chip while keeping the cost low.
なお、本発明は上記実施形態の記載に限定されず、種々変更して実施可能である。例えば、上記実施形態の分割予定ライン露出工程では、樹脂フィルム３１に切削ブレード２８を切り込ませてウェーハ１１の分割予定ライン１３に対応する領域を露出させているが、本発明の分割予定ライン露出工程は、これに限定されない。 In addition, this invention is not limited to description of the said embodiment, A various change can be implemented. For example, in the divisional line exposure step of the above embodiment, the cutting blade 28 is cut into the resin film 31 to expose the region corresponding to the divisional line 13 of the wafer 11. The process is not limited to this.
図８は、変形例に係る分割予定ライン露出工程を模式的に示す一部断面側面図である。変形例に係る分割予定ライン露出工程は、図８に示すレーザー加工装置３２で実施される。レーザー加工装置３２は、樹脂フィルム３１のアブレーション加工に適したレーザー光線Ｌを照射するレーザー加工ヘッド３４を備えている。 FIG. 8 is a partial cross-sectional side view schematically showing the division planned line exposure step according to the modification. The division | segmentation scheduled line exposure process which concerns on a modification is implemented with the laser processing apparatus 32 shown in FIG. The laser processing device 32 includes a laser processing head 34 that irradiates a laser beam L suitable for ablation processing of the resin film 31.
この分割予定ライン露出工程では、樹脂フィルム３１の分割予定ライン１３に対応する領域にレーザー光線Ｌを照射して、樹脂フィルム３１をアブレーション加工する。すなわち、樹脂フィルム３１の厚さ以上の深さを有するレーザー加工溝を分割予定ライン１３に沿って形成する。これにより、ウェーハ１１の分割予定ライン１３に対応する領域を露出させることができる。 In the division line exposure process, the resin film 31 is ablated by irradiating the region corresponding to the division line 13 of the resin film 31 with the laser beam L. That is, the laser processing groove having a depth equal to or greater than the thickness of the resin film 31 is formed along the division line 13. Thereby, the area | region corresponding to the division | segmentation scheduled line 13 of the wafer 11 can be exposed.
なお、樹脂フィルム３１の裏面３１ｂには、保護膜５１を形成しておくと良い。この場合、樹脂フィルム３１のアブレーション加工で発生するデブリ等の付着を防止できる。その他、上記実施形態及び変形例に係る構成、方法等は、本発明の目的の範囲を逸脱しない限りにおいて適宜変更して実施できる。 A protective film 51 may be formed on the back surface 31b of the resin film 31. In this case, it is possible to prevent adhesion of debris or the like generated by ablation processing of the resin film 31. In addition, the configurations, methods, and the like according to the above-described embodiments and modifications can be changed as appropriate without departing from the scope of the object of the present invention.
１１ ウェーハ
１１ａ 表面
１１ｂ 裏面
１３ 分割予定ライン（ストリート）
１５ デバイス
１７ 突起（バンプ）
１９ チップ
２１ 保護部材
２１ａ 表面
２１ｂ 裏面
２３ 接着剤
３１ 樹脂フィルム
３１ａ 表面
３１ｂ 裏面
３３ フィルム片
４１ 粘着テープ
４３ フレーム
Ｌ レーザー光線
Ｐ プラズマ
２ 研削装置
４ チャックテーブル
６ スピンドル
８ ホイールマウント
１０ 研削ホイール
１２ ホイール基台
１４ 研削砥石
２２ 切削装置
２４ スピンドルハウジング
２６ スピンドル
２８ 切削ブレード
３２ レーザー加工装置
３４ レーザー加工ヘッド
11 Wafer 11a Front surface 11b Back surface 13 Scheduled line (street)
15 Device 17 Protrusion (bump)
19 chip 21 protective member 21a surface 21b back surface 23 adhesive 31 resin film 31a surface 31b back surface 33 film piece 41 adhesive tape 43 frame L laser beam P plasma 2 grinding device 4 chuck table 6 spindle 8 wheel mount 10 grinding wheel 12 wheel base 14 Grinding wheel 22 Cutting device 24 Spindle housing 26 Spindle 28 Cutting blade 32 Laser processing device 34 Laser processing head
Claims (3)
ウェーハの表面側に保護部材を貼着する保護部材貼着工程と、
該保護部材が貼着されたウェーハの裏面を研削してウェーハを所定の厚さにする裏面研削工程と、
研削後のウェーハの裏面に樹脂フィルムを貼着する樹脂フィルム貼着工程と、
ウェーハに貼着された該樹脂フィルムの該分割予定ラインに対応する領域を除去してウェーハの該分割予定ラインに対応する領域を露出させる分割予定ライン露出工程と、
該分割予定ラインに対応する領域が除去された該樹脂フィルムを介してウェーハにプラズマエッチングを施し、ウェーハを該分割予定ラインに沿って複数のチップへと分割するエッチング工程と、
分割されたウェーハの該樹脂フィルム側に粘着テープを貼着するとともに該粘着テープの外周部を環状のフレームで支持するウェーハ支持工程と、
環状の該フレームに支持されたウェーハの表面側から該保護部材を剥離する保護部材剥離工程と、を含むことを特徴とするウェーハの加工方法。 Dividing a wafer in which devices are formed in a plurality of regions on the surface side partitioned by a plurality of division lines arranged in a lattice shape into a plurality of chips corresponding to each device along the division lines, A wafer processing method for attaching a resin film to the back of each chip,
A protective member attaching step for attaching a protective member to the front side of the wafer;
A back surface grinding step of grinding the back surface of the wafer to which the protective member is attached to make the wafer a predetermined thickness;
A resin film attaching process for attaching a resin film to the back surface of the wafer after grinding;
A planned division line exposing step of exposing a region corresponding to the planned division line of the wafer by removing a region corresponding to the planned division line of the resin film adhered to the wafer;
An etching step of performing plasma etching on the wafer through the resin film from which the region corresponding to the planned division line is removed, and dividing the wafer into a plurality of chips along the planned division line;
A wafer support step of sticking an adhesive tape to the resin film side of the divided wafer and supporting an outer peripheral portion of the adhesive tape with an annular frame;
And a protective member peeling step for peeling the protective member from the surface side of the wafer supported by the annular frame.
In the division planned line exposure step, a laser having a depth greater than the thickness of the resin film by irradiating a laser beam from the resin film side to a region corresponding to the division planned line of the resin film adhered to the wafer 2. The wafer processing method according to claim 1, wherein a processing groove is formed along the division line, and an area corresponding to the division line of the wafer is exposed.
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