JP2013149658A - Exfoliating device, exfoliating system, exfoliating method, and exfoliating program - Google Patents
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Abstract
Description
開示の実施形態は、剥離装置、剥離システム、剥離方法および剥離プログラムに関する。 Embodiments disclosed herein relate to a peeling apparatus, a peeling system, a peeling method, and a peeling program.
近年、例えば、半導体デバイスの製造工程において、シリコンウェハや化合物半導体ウェハなどの半導体基板の大口径化および薄型化が進んでいる。大口径で薄い半導体基板は、搬送時や研磨処理時に反りや割れが生じるおそれがある。そのため、半導体基板に支持基板を貼り合わせて補強した後に、搬送や研磨処理を行い、その後、支持基板を半導体基板から剥離する処理が行われている。 In recent years, for example, in semiconductor device manufacturing processes, semiconductor substrates such as silicon wafers and compound semiconductor wafers have become larger and thinner. A large-diameter and thin semiconductor substrate may be warped or cracked during transportation or polishing. For this reason, after a support substrate is bonded to a semiconductor substrate and reinforced, a transport or polishing process is performed, and then a process of peeling the support substrate from the semiconductor substrate is performed.
半導体基板から支持基板を剥離する技術として、半導体基板と支持基板との間に、半導体基板と支持基板との接合強度よりも大きい噴射圧で液体を噴射することによって、半導体基板と支持基板との剥離を行う技術が提案されている（たとえば、特許文献１参照）。 As a technique for peeling the support substrate from the semiconductor substrate, a liquid is sprayed between the semiconductor substrate and the support substrate at a spray pressure larger than the bonding strength between the semiconductor substrate and the support substrate. A technique for performing peeling has been proposed (see, for example, Patent Document 1).
しかしながら、上記した技術を用いて基板の剥離を行う場合、大きい噴射圧で液体を噴射するため、半導体基板や支持基板が損傷するおそれがある。かかる課題は、基板の剥離を伴うＳＯＩ（Silicon On Insulator）などの製造工程においても生じ得る課題である。 However, when the substrate is peeled off using the above-described technique, the liquid is ejected with a large spraying pressure, so that the semiconductor substrate or the support substrate may be damaged. Such a problem is a problem that may also occur in a manufacturing process such as SOI (Silicon On Insulator) that involves peeling of the substrate.
実施形態の一態様は、基板の剥離処理を適切に行うことができる剥離装置、剥離システム、剥離方法および剥離プログラムを提供することを目的とする。 An object of one embodiment is to provide a peeling apparatus, a peeling system, a peeling method, and a peeling program capable of appropriately performing a substrate peeling process.
実施形態の一態様に係る剥離装置は、第１保持部と、剥離部と、第２保持部とを備える。第１保持部は、第１基板と第２基板とが接合された重合基板のうち第１基板を吸着保持する。剥離部は、重合基板の外縁部に対して所定の力を加えることによって第２基板を第１基板から剥離させる。そして、第２保持部は、剥離部によって第１基板から剥離された第２基板を非接触状態で吸着保持する。 The peeling apparatus which concerns on 1 aspect of embodiment is provided with a 1st holding part, a peeling part, and a 2nd holding part. The first holding unit sucks and holds the first substrate among the superposed substrates obtained by bonding the first substrate and the second substrate. A peeling part peels a 2nd board | substrate from a 1st board | substrate by applying predetermined force with respect to the outer edge part of a superposition | polymerization board | substrate. The second holding unit sucks and holds the second substrate peeled from the first substrate by the peeling unit in a non-contact state.
また、実施形態の一態様に係る剥離装置は、保持部と、複数の係止部と、移動機構とを備える。保持部は、第１基板と第２基板とが重合された重合基板を非接触状態で吸着保持する。係止部は、保持部によって吸着保持された重合基板の外縁部と対向する複数の位置にそれぞれ設けられ、重合基板側へ向けて突出する鋭利部を有する。そして、移動機構は、複数の係止部を重合基板側へ移動させて、第１基板から第２基板を剥離させる。 Moreover, the peeling apparatus which concerns on 1 aspect of embodiment is provided with a holding | maintenance part, a some latching | locking part, and a moving mechanism. The holding unit sucks and holds the superposed substrate on which the first substrate and the second substrate are superposed in a non-contact state. The locking part is provided at each of a plurality of positions facing the outer edge part of the superposed substrate held by adsorption by the holding part, and has a sharp part protruding toward the superposed substrate side. Then, the moving mechanism moves the plurality of locking portions to the overlapping substrate side to peel the second substrate from the first substrate.
実施形態の一態様によれば、基板の剥離処理を適切に行うことができる剥離装置、剥離システム、剥離方法および剥離プログラムを提供することができる。 According to one aspect of the embodiment, it is possible to provide a peeling apparatus, a peeling system, a peeling method, and a peeling program that can appropriately perform a peeling process of a substrate.
以下、添付図面を参照して、本願の開示する剥離装置、剥離システム、剥離方法および剥離プログラムの実施形態を詳細に説明する。なお、以下に示す実施形態によりこの発明が限定されるものではない。 Hereinafter, embodiments of a peeling device, a peeling system, a peeling method, and a peeling program disclosed in the present application will be described in detail with reference to the accompanying drawings. In addition, this invention is not limited by embodiment shown below.
（第１の実施形態）
＜１．剥離システム＞
まず、第１の実施形態に係る剥離システムの構成について、図１および図２を参照して説明する。図１は、第１の実施形態に係る剥離システムの構成を示す模式平面図であり、図２は、重合基板の模式側面図である。なお、以下においては、位置関係を明確にするために、互いに直交するＸ軸、Ｙ軸およびＺ軸を規定し、Ｚ軸正方向を鉛直上向き方向とする。
(First embodiment)
<1. Peeling system>
First, the configuration of the peeling system according to the first embodiment will be described with reference to FIGS. 1 and 2. FIG. 1 is a schematic plan view showing a configuration of a peeling system according to the first embodiment, and FIG. 2 is a schematic side view of a superposed substrate. In the following, in order to clarify the positional relationship, the X axis, the Y axis, and the Z axis that are orthogonal to each other are defined, and the positive direction of the Z axis is the vertically upward direction.
図１に示す第１の実施形態に係る剥離システム１は、被処理基板Ｗと支持基板Ｓとが接着剤Ｇで接合された重合基板Ｔ（図２参照）を、被処理基板Ｗと支持基板Ｓとに剥離する。 The peeling system 1 according to the first embodiment shown in FIG. 1 includes a polymerization substrate T (see FIG. 2) in which a substrate to be processed W and a support substrate S are bonded with an adhesive G, a substrate to be processed W and a support substrate. Peel to S.
図２に示すように、被処理基板Ｗの板面のうち、接着剤Ｇを介して支持基板Ｓと接合される側の板面を「接合面Ｗｊ」といい、接合面Ｗｊとは反対側の板面を「非接合面Ｗｎ」という。また、支持基板Ｓの板面のうち、接着剤Ｇを介して被処理基板Ｗと接合される側の板面を「接合面Ｓｊ」といい、接合面Ｓｊとは反対側の板面を「非接合面Ｓｎ」という。 As shown in FIG. 2, among the plate surfaces of the substrate to be processed W, the plate surface on the side bonded to the support substrate S via the adhesive G is referred to as “bonding surface Wj”, and is opposite to the bonding surface Wj. This plate surface is referred to as “non-bonding surface Wn”. In addition, among the plate surfaces of the support substrate S, the plate surface on the side bonded to the substrate W to be processed via the adhesive G is referred to as “bonding surface Sj”, and the plate surface on the opposite side to the bonding surface Sj is referred to as “ This is referred to as “non-joint surface Sn”.
被処理基板Ｗは、たとえば、シリコンウェハや化合物半導体ウェハなどの半導体基板に複数の電子回路が形成された基板であり、電子回路が形成される側の板面を接合面Ｗｊとしている。また、被処理基板Ｗは、たとえば非接合面Ｗｎが研磨処理されることによって薄型化されている。一方、支持基板Ｓは、被処理基板Ｗと略同径の基板であり、被処理基板Ｗを支持する。支持基板Ｓとしては、シリコンウェハの他、たとえば、化合物半導体ウェハまたはガラス基板などを用いることができる。 The substrate W to be processed is a substrate in which a plurality of electronic circuits are formed on a semiconductor substrate such as a silicon wafer or a compound semiconductor wafer, and the plate surface on the side where the electronic circuits are formed is used as a bonding surface Wj. Further, the target substrate W is thinned by polishing the non-joint surface Wn, for example. On the other hand, the support substrate S is a substrate having substantially the same diameter as the substrate W to be processed, and supports the substrate W to be processed. As the support substrate S, for example, a compound semiconductor wafer or a glass substrate can be used in addition to a silicon wafer.
剥離システム１は、図１に示すように、搬入出ステーション１０と、第１搬送領域２０と、剥離処理ステーション３０と、第２搬送領域４０と、制御装置５０とを備える。搬入出ステーション１０および剥離処理ステーション３０は第１搬送領域２０を介してＹ軸方向に並べて配置される。また、搬入出ステーション１０、第１搬送領域２０および剥離処理ステーション３０のＸ軸負方向側には、第２搬送領域４０が配置される。
As shown in FIG. 1, the peeling system 1 includes a carry-in / out
剥離システム１では、搬入出ステーション１０へ搬入された重合基板Ｔが第１搬送領域２０を介して剥離処理ステーション３０へ搬送され、剥離処理ステーション３０において被処理基板Ｗと支持基板Ｓとに剥離される。剥離後の被処理基板Ｗは第２搬送領域４０を介して後処理ステーションＭへ搬送され、剥離後の支持基板Ｓは第１搬送領域２０を介して搬入出ステーション１０へ搬送される。なお、剥離システム１では、不良となった被処理基板Ｗを第１搬送領域２０を介して搬入出ステーション１０へ搬送することもできる。
In the peeling system 1, the superposed substrate T carried into the carry-in / out
搬入出ステーション１０では、複数の被処理基板Ｗが収容されるカセットＣｗ、複数の支持基板Ｓが収容されるカセットＣｓおよび複数の重合基板Ｔが収容されるカセットＣｔが剥離システム１の外部との間で搬入出される。かかる搬入出ステーション１０には、カセット載置台１１が設けられており、このカセット載置台１１に、カセットＣｗ，Ｃｓ，Ｃｔのそれぞれが載置される複数のカセット載置板１２ａ〜１２ｃが設けられる。
In the carry-in / out
なお、カセットＣｗには、たとえば、不良品として剥離処理ステーション３０から搬送されてきた被処理基板Ｗが収容される。
The cassette Cw accommodates, for example, the substrate W to be processed that has been transported from the peeling
第１搬送領域２０では、搬入出ステーション１０および剥離処理ステーション３０間における被処理基板Ｗ、支持基板Ｓおよび重合基板Ｔの搬送が行われる。第１搬送領域２０には、被処理基板Ｗ、支持基板Ｓおよび重合基板Ｔの搬送を行う第１搬送装置２１が設置される。
In the
第１搬送装置２１は、水平方向への移動、鉛直方向への移動および鉛直軸を中心とする旋回が可能な搬送アーム２２と、この搬送アーム２２の先端に取り付けられたフォーク２３とを備える搬送ロボットである。かかる第１搬送装置２１は、フォーク２３を用いて基板を保持するとともに、フォーク２３によって保持された基板を搬送アーム２２によって所望の場所まで搬送する。
The
剥離処理ステーション３０では、重合基板Ｔの剥離、剥離後の被処理基板Ｗおよび支持基板Ｓの洗浄等が行われる。この剥離処理ステーション３０には、剥離装置３１、受渡室３２、第１洗浄装置３３および第２洗浄装置３４が、Ｘ軸正方向に、第１洗浄装置３３、受渡室３２、剥離装置３１、第２洗浄装置３４の順で並べて配置される。
In the
剥離装置３１では、第１搬送装置２１によって搬送された重合基板Ｔを被処理基板Ｗと支持基板Ｓとに剥離する剥離処理が行われる。この剥離装置３１の構成および剥離処理の具体的な内容については、たとえば図３等を用いて後述する。
In the
受渡室３２には、剥離装置３１において重合基板Ｔから剥離された被処理基板Ｗを第１洗浄装置３３へ搬送する第２搬送装置３５が設置される。第２搬送装置３５は、ベルヌーイチャックを備え、かかるベルヌーイチャックを用いて被処理基板Ｗを非接触状態で第１洗浄装置３３へ搬送する。
In the
ベルヌーイチャックは、吸着面に設けられた噴射口から被処理基板Ｗの板面へ向けて気体を噴射させ、吸着面と被処理基板Ｗの板面との間隔に応じて気体の流速が変化することに伴う負圧の変化を利用して被処理基板Ｗを非接触状態で保持する。 The Bernoulli chuck ejects gas from an ejection port provided on the suction surface toward the plate surface of the substrate to be processed W, and the gas flow velocity changes according to the distance between the suction surface and the plate surface of the substrate to be processed W. The substrate W to be processed is held in a non-contact state using the change in the negative pressure accompanying the change.
第１洗浄装置３３は、第２搬送装置３５によって搬送された被処理基板Ｗの洗浄を行う。第１洗浄装置３３によって洗浄された被処理基板Ｗは、第２搬送領域４０を介して後処理ステーションＭへ搬送され、後処理ステーションＭにおいて所定の後処理が施される。なお、所定の後処理とは、たとえば被処理基板Ｗをマウントする処理や、被処理基板Ｗをチップ毎にダイシングする処理などである。
The
第２洗浄装置３４は、剥離装置３１において重合基板Ｔから剥離された支持基板Ｓの洗浄を行う。第２洗浄装置３４によって洗浄された支持基板Ｓは、第１搬送装置２１によって搬入出ステーション１０へ搬送される。
The
第２搬送領域４０は、剥離処理ステーション３０と後処理ステーションＭとの間に設けられる。第２搬送領域４０には、Ｙ軸方向に延在する搬送路４１上を移動可能な第３搬送装置４２が設置され、この第３搬送装置４２によって剥離処理ステーション３０および後処理ステーションＭ間における被処理基板Ｗの搬送が行われる。第３搬送装置４２は、第２搬送装置３５と同様、ベルヌーイチャックを用いて被処理基板Ｗを非接触状態で搬送する。
The
制御装置５０は、剥離システム１の動作を制御する装置である。この制御装置５０は、たとえばコンピュータであり、図示しない制御部と記憶部とを備える。記憶部には、剥離処理等の各種の処理を制御するプログラムが格納される。制御部は記憶部に記憶されたプログラムを読み出して実行することによって剥離システム１の動作を制御する。
The
なお、かかるプログラムは、コンピュータによって読み取り可能な記録媒体に記録されていたものであって、その記録媒体から制御装置５０の記憶部にインストールされたものであってもよい。コンピュータによって読み取り可能な記録媒体として、たとえばハードディスク（ＨＤ）、フレキシブルディスク（ＦＤ）、コンパクトディスク（ＣＤ）、マグネットオプティカルディスク（ＭＯ）、メモリカードなどがある。
Such a program may be recorded on a computer-readable recording medium and installed in the storage unit of the
以下では、剥離装置３１の具体的な構成および剥離装置３１を用いて行われる重合基板Ｔの剥離動作について説明する。
Below, the specific structure of the peeling
＜２．剥離装置の構成＞
まず、剥離装置３１の構成について図３および図４を参照して説明する。図３は、第１の実施形態に係る剥離装置３１の構成を示す模式側面図である。また、図４は、剥離装置３１が備える第２保持部の構成を示す模式平面図である。
<2. Configuration of peeling apparatus>
First, the structure of the peeling
図３に示すように、剥離装置３１は、内部を密閉可能な処理容器１００を備える。処理容器１００の側面には、搬入出口（図示せず）が形成され、この搬入出口を介して、重合基板Ｔの処理容器１００への搬入や、剥離後の被処理基板Ｗおよび支持基板Ｓの処理容器１００からの搬出が行われる。なお、搬入出口に開閉シャッタを設け、この開閉シャッタによって処理容器１００の内部を密閉可能に構成してもよい。
As shown in FIG. 3, the peeling
剥離装置３１は、第１保持部１１０と、剥離部１２０と、撮像部１３０と、第２保持部１４０と、移動機構１５０とを備える。剥離部１２０、撮像部１３０、第２保持部１４０および移動機構１５０は、処理容器１００の内部に配置される。
The peeling
第１保持部１１０は、第２保持部１４０の上方に設けられ、第２保持部１４０と対向する位置に配置される。この第１保持部１１０の側方には、剥離部１２０および撮像部１３０が設けられる。また、第２保持部１４０は、移動機構１５０によって支持され、移動機構１５０によって鉛直方向へ移動する。
The
剥離装置３１では、第１保持部１１０が重合基板Ｔを上方から保持し、剥離部１２０が重合基板Ｔの外縁部に対して力を加えることによって被処理基板Ｗから支持基板Ｓを剥離させる。また、剥離装置３１では、第２保持部１４０が、被処理基板Ｗから剥離された支持基板Ｓを非接触状態で吸着保持する。
In the
第１保持部１１０は、重合基板Ｔにおける被処理基板Ｗを吸着保持する保持部であり、たとえばポーラスチャックを用いることができる。かかる第１保持部１１０は、略円盤状の本体部１１１と、本体部１１１の下面に設けられる吸着面１１２とを備える。吸着面１１２は、重合基板Ｔと略同径であり、重合基板Ｔの上面、すなわち、被処理基板Ｗの非接合面Ｗｎと当接する。この吸着面１１２は、たとえば炭化ケイ素等の多孔質体や多孔質セラミックで形成される。
The 1st holding |
本体部１１１の内部には、吸着面１１２を介して外部と連通する吸引空間１１３が形成される。吸引空間１１３は、吸気管１１４を介して真空ポンプなどの吸気装置１１５と接続される。そして、第１保持部１１０は、吸気装置１１５の吸気によって発生する負圧を利用し、被処理基板Ｗの非接合面Ｗｎを吸着面１１２に吸着させることによって、被処理基板Ｗを保持する。
A
なお、第１保持部１１０として、ポーラスチャックを用いる例を示したが、ベルヌーイチャックや静電チャックなどのポーラスチャック以外の保持部を第１保持部として用いてもよい。静電チャックは、静電気を利用して基板の吸着を行う保持部である。
In addition, although the example using a porous chuck was shown as the 1st holding |
第１保持部１１０の上方には、処理容器１００の天井面に支持された支持板１０５が配置され、かかる支持板１０５によって第１保持部１１０の上面が支持される。なお、支持板１０５を設けずに、第１保持部１１０の上面を処理容器１００の天井に直接当接させて支持させるようにしてもよい。
A
剥離部１２０は、Ｙ軸方向に延在するレール１２１と、レール１２１に沿って移動する移動部１２２と、移動部１２２の重合基板Ｔとの対向面に取り付けられる鋭利部材１２３と、レール１２１を鉛直方向に移動させる昇降部１２４とを備える。
The
鋭利部材１２３は、たとえば刃物であり、先端が重合基板Ｔへ向けて突出するように移動部１２２に設けられる。刃物としては、たとえば、カミソリ刃やローラ刃あるいは超音波カッター等を用いることができる。なお、セラミック樹脂系の刃物あるいはフッ素コーティングされた刃物を用いることで、重合基板Ｔに対して鋭利部材１２３を挿入した際のパーティクルの発生を抑えることができる。
The
撮像部１３０は、たとえばＣＣＤ（Charge Coupled Device）カメラであり、剥離部１２０が設けられる側の重合基板Ｔの外縁部を撮像する。撮像部１３０の撮像データは、制御装置５０（図１参照）へ出力される。
The
第２保持部１４０は、支持基板Ｓを非接触状態で吸着保持する。かかる第２保持部１４０は、図４に示すように、重合基板Ｔと略同径を有する円板状の本体部１４１と、本体部１４１の板面に形成される複数の気体噴出口１４２とを備える。各気体噴出口１４２は、図３に示す送気管１４３を介して送気装置１４４と接続される。
The
第２保持部１４０は、送気装置１４４から送気管１４３を介して送気される気体を気体噴出口１４２から噴出する。気体噴出口１４２は、本体部１４１の板面に向かうにつれて口径が漸次大きくなる形状を有しているため、気体は、本体部１４１と対向する支持基板Ｓの板面に沿って噴出されることとなる。この結果、支持基板Ｓの板面に負圧が生じ、この負圧が被処理基板Ｗの板面と第２保持部１４０の吸着面との間隔に応じて変化することで、被処理基板Ｗは、非接触状態で保持された状態となる。
The
また、第２保持部１４０は、複数の係止部１４５を備える。係止部１４５は、本体部１４１の主面と直交する向きに突出する部材であり（図３参照）、本体部１４１の外周に対して所定の間隔を空けて設けられる。かかる係止部１４５によって、支持基板Ｓは、本体部１４１からの脱落や位置ずれが防止される。
The
なお、図４では、第２保持部１４０が５個の係止部１４５を備える場合の例を示すが、第２保持部１４０が備える係止部１４５の個数は図示のものに限定されない。
4 illustrates an example in which the
また、本体部１４１には、外縁部に複数の切欠部１４６が形成される。各切欠部１４６は、たとえば、本体部１４１の中心へ向かうにつれて漸次幅狭となる形状を有する。かかる切欠部１４６は、第１搬送装置２１が備えるフォーク２３との間で重合基板Ｔの受け渡しを行う場合に利用されるが、かかる点については、後述する。
The
図３に戻り、移動機構１５０について説明する。移動機構１５０は、第１アーム１５１と、第２アーム１５２と、基部１５３とを備える。第１アーム１５１は、水平方向に延在し、先端部において第２保持部１４０を支持する。第２アーム１５２は、鉛直方向に延在し、先端部において第１アーム１５１の基端部を支持する。基部１５３は、処理容器１００の床面に固定され、第２アーム１５２を支持する。基部１５３には、モータ等の駆動機構が設けられており、かかる駆動機構によって第２アーム１５２は鉛直方向に昇降する。
Returning to FIG. 3, the moving
＜３．剥離システムの動作＞
次に、剥離システム１の動作について説明する。剥離システム１の動作は、制御装置５０によって制御され、剥離装置３１による剥離動作を含む。図５は、剥離システム１による剥離処理手順を示すフローチャートである。
<3. Operation of peeling system>
Next, the operation of the peeling system 1 will be described. The operation of the peeling system 1 is controlled by the
また、図６は、第１搬送装置２１から剥離装置３１への重合基板Ｔの受け渡し動作の説明図であり、図７Ａおよび図７Ｂは、重合基板Ｔを第１保持部１１０に対して吸着保持させる動作の説明図である。また、図８Ａおよび図８Ｂは、剥離部１２０を用いて重合基板Ｔを剥離する動作の説明図である。
FIG. 6 is an explanatory view of the delivery operation of the superposed substrate T from the
まず、第１搬送領域２０に配置される第１搬送装置２１は、制御装置５０の制御に基づき、重合基板Ｔを搬入出ステーション１０から剥離装置３１へ搬入する処理を行う（図５のステップＳ１０１）。
First, the
このステップＳ１０１の処理において、第１搬送装置２１は、まず、搬入出ステーション１０においてカセットＣｔに収容された重合基板Ｔをフォーク２３を用いて取り出す。重合基板Ｔは、被処理基板Ｗが上面に位置し、支持基板Ｓが下面に位置した状態で第１搬送装置２１のフォーク２３に保持される。
In the process of step S <b> 101, the
そして、第１搬送装置２１は、カセットＣｔから取り出した重合基板Ｔを剥離処理ステーション３０の処理容器１００内へ搬入し、フォーク２３によって保持した重合基板Ｔを剥離装置３１の第２保持部１４０へ渡す。
Then, the
図６に示すように、フォーク２３は、基端部２３１と、この基端部２３１から二股に分岐するとともに、重合基板Ｔの外周に沿って湾曲する一対の円弧状先端部２３２とを備える。
As shown in FIG. 6, the
各円弧状先端部２３２の内縁部には、径方向内側へ向かって突出する複数の爪部２３３が、互いに所定の間隔を空けて設けられる。爪部２３３は、径方向内側へ向けて漸次幅狭となる形状を有する。フォーク２３は、各円弧状先端部２３２に対して２個ずつ、計４個の爪部２３３を備えており、これら爪部２３３を用いて重合基板Ｔの下面を支持することによって、重合基板Ｔを保持する。
A plurality of
第２保持部１４０の本体部１４１に形成される複数の切欠部１４６は、フォーク２３が備える各爪部２３３に対応する位置にそれぞれ形成される。また、切欠部１４６は、爪部２３３よりも僅かに大きく形成される。
The plurality of
第１搬送装置２１は、フォーク２３を第２保持部１４０の上方へ配置させた後、フォーク２３を鉛直方向に降下させる。ここで、フォーク２３が第２保持部１４０を通過する際、フォーク２３に設けられた各爪部２３３は、第２保持部１４０の本体部１４１に形成された切欠部１４６を通過する。
The
これにより、フォーク２３は、第２保持部１４０に接触することなく第２保持部１４０の下方まで移動する。そして、各爪部２３３によって支持された重合基板Ｔは、フォーク２３が第２保持部１４０の下方へ移動することで、第２保持部１４０によって吸着保持された状態となる。このようにして、重合基板Ｔは、フォーク２３から第２保持部１４０へと受け渡される。
As a result, the
次に、剥離装置３１は、制御装置５０の制御に基づき、第２保持部１４０へ受け渡された重合基板Ｔを第１保持部１１０に対して吸着保持させる処理を行う（図５のステップＳ１０２）。
Next, the peeling
このステップＳ１０２の処理において、剥離装置３１の第２保持部１４０は、まず、第１搬送装置２１によって搬入された重合基板Ｔを吸着保持する。つづいて、剥離装置３１の移動機構１５０は、図７Ａに示すように、第２保持部１４０を上昇させて重合基板Ｔの上面を剥離装置３１の第１保持部１１０の吸着面１１２に当接させる。そして、第１保持部１１０は、吸気装置１１５による吸気動作によって重合基板Ｔの上面を吸着面１１２に吸着させる。
In the process of step S <b> 102, the
つづいて、剥離装置３１は、送気装置１４４（図３参照）による送気動作を停止させることによって、第２保持部１４０による重合基板Ｔの吸着保持を解除する。その後、移動機構１５０は、図７Ｂに示すように、第２保持部１４０を所定の距離（たとえば、３〜５ｍｍ程度）だけ降下させることによって第２保持部１４０を重合基板Ｔの下方で待機させる。
Subsequently, the peeling
このように、重合基板Ｔは、第１保持部１１０によって上面のみが吸着された状態であり、下面と第２保持部１４０との間には空間が形成される。
Thus, the superposed substrate T is in a state where only the upper surface is adsorbed by the
次に、剥離装置３１は、制御装置５０の制御に基づき、剥離部１２０を用いて重合基板Ｔを剥離する処理（図５のステップＳ１０３）、および、剥離後の支持基板Ｓを第２保持部１４０によって受け止める処理（図５のステップＳ１０４）を行う。
Next, based on the control of the
ステップＳ１０３の処理において剥離装置３１は、撮像部１３０の撮像データに基づいて昇降部１２４を駆動させることで、接着剤Ｇの高さ範囲に含まれるように鋭利部材１２３を配置させる。その後、剥離装置３１は、移動部１２２を駆動させることによって鋭利部材１２３を接着剤Ｇへ挿入させる。
In the process of step S <b> 103, the peeling
具体的には、図８Ａに示すように、剥離装置３１は、鋭利部材１２３の先端部が重合基板Ｔの側面に当接する位置まで鋭利部材１２３を移動させる。その後、剥離装置３１は、図８Ｂに示すように、移動部１２２を重合基板Ｔ側に向かってさらに移動させ、鋭利部材１２３を重合基板Ｔにおける接着剤Ｇへ挿入させる。
Specifically, as illustrated in FIG. 8A, the peeling
このように、剥離部１２０は、重合基板Ｔの外縁部に対して力を加える。具体的には、剥離部１２０は、被処理基板Ｗと支持基板Ｓとの接合部分、すなわち、接着剤Ｇに対して切り込みを入れる。これにより、重合基板Ｔは、被処理基板Ｗと支持基板Ｓとに分離される。
Thus, the peeling
ここで、仮に、被処理基板Ｗおよび支持基板Ｓが上下移動できないように重合基板Ｔの両面を固定した状態で鋭利部材１２３を接着剤Ｇへ挿入させたとする。かかる場合、接着剤Ｇへ挿入された鋭利部材１２３が、被処理基板Ｗおよび支持基板Ｓをそれぞれ上方および下方へ押し広げようとするため、接合面Ｗｊ，Ｓｊ（図２参照）に対して大きな力がかかり、接合面Ｗｊ上の電子回路が損傷するおそれがある。
Here, it is assumed that the
これに対し、第１の実施形態に係る剥離装置３１では、重合基板Ｔが上面のみ固定され、下面と第２保持部１４０との間には空間が形成される。このため、鋭利部材１２３が挿入された場合に、支持基板Ｓが下方の空間へ逃げることができ、接合面Ｗｊ，Ｓｊにかかる負荷を抑えることができる。したがって、剥離動作中における電子回路の損傷を抑えることができる。
On the other hand, in the
また、鋭利部材１２３が重合基板Ｔの側面に当接する位置で移動部１２２を一旦停止させた後、移動部１２２を再び移動させて鋭利部材１２３を重合基板Ｔへ挿入させることで、鋭利部材１２３の挿入の際に重合基板Ｔへ伝わる衝撃を緩和させることができる。
Further, after the moving
ステップＳ１０４の処理において剥離装置３１は、剥離部１２０によって重合基板Ｔが剥離される前あるいは剥離された直後に送気装置１４４を作動させることによって、第２保持部１４０が支持基板Ｓを吸着保持可能な状態としておく。そして、第２保持部１４０は、剥離部１２０によって被処理基板Ｗから剥離され、上方から落下してくる支持基板Ｓを非接触状態で受け止めて吸着保持する。
In the process of step S104, the peeling
次に、剥離装置３１、第１搬送装置２１および第２搬送装置３５は、制御装置５０の制御に基づき、剥離後の被処理基板Ｗおよび支持基板Ｓを剥離装置３１から搬出する処理を行う（図５のステップＳ１０５）。
Next, the peeling
剥離装置３１の移動機構１５０は、第２保持部１４０を所定位置まで降下させる。つづいて、剥離装置３１および第１搬送装置２１は、図６を参照して説明した受け渡し動作と逆の動作により、第２保持部１４０によって保持された支持基板Ｓをフォーク２３へ渡す。なお、剥離装置３１は、支持基板Ｓをフォーク２３へ渡す直前に、送気装置１４４を停止させることによって第２保持部１４０が支持基板Ｓを吸着保持した状態を解除しておく。
The moving
第１搬送装置２１は、第２保持部１４０から支持基板Ｓを受け取ると、受け取った支持基板Ｓを処理容器１００から取り出し、第２洗浄装置３４へ搬送する。その後、支持基板Ｓは、第２洗浄装置３４によって洗浄され、接合面Ｓｊに残存する接着剤Ｇが除去される。
Upon receiving the support substrate S from the
そして、洗浄後の支持基板Ｓは、第１搬送装置２１によって搬入出ステーション１０へ搬送され、搬入出ステーション１０から外部へ回収される。
Then, the cleaned support substrate S is transported to the carry-in / out
一方、剥離後の被処理基板Ｗは、受渡室３２に配置される第２搬送装置３５によって処理容器１００から取り出され、第１洗浄装置３３へ搬送される。第１洗浄装置３３へ搬送された被処理基板Ｗは、第１洗浄装置３３によって洗浄され、接合面Ｗｊから接着剤Ｇが除去される。
On the other hand, the substrate to be processed W after peeling is taken out of the
第１洗浄装置３３によって洗浄された被処理基板Ｗは、第２搬送領域４０に配置された第３搬送装置４２によって第１洗浄装置３３から取り出され、後処理ステーションＭへ搬送される。そして、被処理基板Ｗは、後処理ステーションＭにおいてマウントやダイシングといった後処理が施される。
The to-be-processed substrate W cleaned by the
上述してきたように、第１の実施形態に係る剥離装置３１は、第１保持部１１０と、剥離部１２０と、第２保持部１４０とを備える。第１保持部１１０は、被処理基板Ｗと支持基板Ｓとが接合された重合基板Ｔのうち被処理基板Ｗを吸着保持する。剥離部１２０は、重合基板Ｔの外縁部に対して力を加えることによって被処理基板Ｗから支持基板Ｓを剥離させる。そして、第２保持部１４０は、剥離部１２０によって被処理基板Ｗから剥離された支持基板Ｓを非接触状態で吸着保持する。
As described above, the peeling
したがって、第１の実施形態に係る剥離装置３１によれば、重合基板Ｔの剥離動作中における基板の損傷が抑えられるため、基板の剥離処理を適切に行うことができる。
Therefore, according to the
なお、上述してきた第１の実施形態では、重合基板Ｔを第１保持部１１０に対して吸着保持させた後、第２保持部１４０を所定距離だけ降下させることとしたが、第２保持部１４０は、重合基板Ｔを第１保持部１１０へ受け渡した後、その場で待機していてもよい。
In the first embodiment described above, the
かかる場合であっても、重合基板Ｔと第２保持部１４０との間には所定の空間が存在するため、鋭利部材１２３が重合基板Ｔへ挿入された場合に支持基板Ｓが下方へ逃げることができる。したがって、剥離動作中における電子回路の損傷を抑えることができる。
Even in such a case, since a predetermined space exists between the superposed substrate T and the
また、上述してきた第１の実施形態では、第２保持部１４０が処理容器１００内に設けられる場合の例について説明したが、第２保持部１４０は、必ずしも処理容器１００内に設けなくてもよい。たとえば、第２保持部１４０は、重合基板Ｔを剥離装置３１へ搬入する第１搬送装置２１に対して設けられてもよい。このように、第２保持部１４０を第１搬送装置２１へ設けることとすれば、上述した搬入動作から搬出動作までを迅速に行うことができる。
In the first embodiment described above, an example in which the
ところで、上述した第１の実施形態では、剥離装置の構成および動作の一例を例示した。しかしながら、剥離装置の構成および動作には種々のバリエーションが存在する。そこで、以下に示す各実施形態では、その他のバリエーションについて示すこととする。 By the way, in 1st Embodiment mentioned above, an example of the structure and operation | movement of the peeling apparatus was illustrated. However, there are various variations in the configuration and operation of the peeling apparatus. Therefore, in the following embodiments, other variations will be shown.
また、以下に示す各実施形態においては、上述した第１の実施形態の構成要素に対応する構成要素には同一の符合を付し、第１の実施形態と重複する説明については適宜、省略する。 Moreover, in each embodiment shown below, the same code | symbol is attached | subjected to the component corresponding to the component of 1st Embodiment mentioned above, and the description which overlaps with 1st Embodiment is abbreviate | omitted suitably. .
（第２の実施形態）
第１の実施形態では、水平に保持された重合基板Ｔに対して鋭利部材１２３を水平方向に挿入させて重合基板Ｔを剥離する場合の例について説明したが、鋭利部材の挿入方向は、上記の例に限られない。
(Second Embodiment)
In 1st Embodiment, although the
たとえば、剥離装置は、重合基板Ｔを鉛直に保持するとともに、鋭利部材を重合基板Ｔの上方から鉛直下向きの方向、すなわち、重力方向に沿って挿入させることとしてもよい。このように、重合基板Ｔを重力方向に沿って剥離することで、重合基板Ｔの剥離を効率的に行うことができる。以下では、かかる場合の例について説明する。 For example, the peeling device may hold the superposed substrate T vertically and insert the sharp member from above the superposed substrate T in the vertically downward direction, that is, in the direction of gravity. In this way, the superposed substrate T can be efficiently peeled by peeling the superposed substrate T along the direction of gravity. Below, the example in such a case is demonstrated.
図９は、第２の実施形態に係る剥離装置の構成を示す模式側面図である。なお、以下では、重合基板Ｔの板面が鉛直方向に延在する向きを「鉛直向き」といい、水平方向に延在する向き「水平向き」という。 FIG. 9 is a schematic side view showing the configuration of the peeling apparatus according to the second embodiment. In the following, the direction in which the plate surface of the superposed substrate T extends in the vertical direction is referred to as “vertical direction”, and the direction in which the plate surface extends in the horizontal direction “horizontal direction”.
図９に示すように、第２の実施形態に係る剥離装置３１ａは、第１保持部１１０に代えて、第１保持部１１０ａを備える。第１保持部１１０ａは、第２保持部１４０と同様、ベルヌーイチャックである。具体的には、第１保持部１１０ａは、重合基板Ｔと略同径を有する円板状の本体部１１７と、本体部１１７の板面に形成される複数の気体噴出口１１８と、本体部１１７の外周に対して所定の間隔を空けて設けられる複数の係止部１１９とを備える。
As shown in FIG. 9, the peeling
本体部１１７は、たとえば、処理容器１００の天井に固定された支持板１０５ａによって一端側が支持される支柱１０５ｂの他端側に固定される。かかる本体部１１７は、板面が水平方向を向いた状態で支柱１０５ｂに固定される。
For example, the
気体噴出口１１８は、送気管１４３ａを介して送気装置１４４ａと接続される。第１保持部１１０ａは、第２保持部１４０と同様、送気装置１４４ａから送気管１４３ａを介して送気される気体を気体噴出口１１８から噴出し、これによって生じる負圧が、基板の板面と吸着面との間隔に応じて変化することによって基板を吸着保持する。
The
また、第２の実施形態に係る剥離装置３１ａは、移動機構１５０に代えて移動機構１５０ａを備える。移動機構１５０ａは、第１アーム１５１ａと、第２アーム１５２ａと、基部１５３ａとを備える。第１アーム１５１ａは、水平方向に延在し、先端部において第２保持部１４０を支持する。
Further, the peeling
第２アーム１５２ａは、鉛直方向に延在し、先端部において第１アーム１５１ａの基端部を回転可能に支持する。具体的には、この第２アーム１５２ａは、モータ等の駆動部を備え、かかる駆動部を用いて第１アーム１５１ａを水平軸周りに回転させることができる。なお、第１アーム１５１ａを回転させる駆動部は、第１アーム１５１ａ側に設けられてもよい。
The
基部１５３ａは、処理容器１００の床面に固定され、第２アーム１５２ａを昇降可能に支持する。また、基部１５３ａは、第２アーム１５２ａを昇降させる駆動部とは別の駆動部を備えており、かかる駆動部を用いて第２アーム１５２ａを鉛直軸周りに回転させることができる。
The
次に、第２の実施形態に係る剥離装置３１ａによる剥離動作について図１０Ａおよび図１０Ｂを参照して説明する。図１０Ａおよび図１０Ｂは、第２の実施形態に係る剥離装置３１ａによる剥離動作の説明図である。
Next, the peeling operation by the
図１０Ａに示すように、剥離装置３１ａの移動機構１５０ａは、重合基板Ｔが第１搬送装置２１から第２保持部１４０へ受け渡され、第２保持部１４０によって吸着保持された後、第２保持部１４０を第１保持部１１０ａと対向する位置まで移動させる。これにより、重合基板Ｔは、第２保持部１４０および第１保持部１１０ａの両方に近接した状態となる。
As shown in FIG. 10A, the moving
つづいて、剥離装置３１ａは、送気装置１４４ａ（図９参照）を作動させることによって、第１保持部１１０ａに対して重合基板Ｔの被処理基板Ｗ側の板面を吸着させる。これにより、重合基板Ｔは、第２保持部１４０および第１保持部１１０ａの両方に保持された状態となる。
Subsequently, the
その後、剥離装置３１ａは、剥離部１２０ａの移動部１２２ａをレール１２１ａに沿って移動させ、鋭利部材１２３ａを重合基板Ｔにおける接着剤Ｇへ挿入させる。これにより、重合基板Ｔは被処理基板Ｗと支持基板Ｓとに分離され、被処理基板Ｗが第１保持部１１０ａによって吸着保持され、支持基板Ｓが第２保持部１４０によって吸着保持された状態となる。
Thereafter, the
その後、剥離後の被処理基板Ｗおよび支持基板Ｓは、第１の実施形態と同様、第２搬送装置３５および第１搬送装置２１によってそれぞれ第１洗浄装置３３および第２洗浄装置３４へ搬送される。
Thereafter, the substrate to be processed W and the support substrate S after being peeled are transported to the
このように、第２の実施形態では、重合基板Ｔが鉛直向きに保持され、鋭利部材１２３ａが重合基板Ｔの上方から鉛直下向きに挿入される。したがって、重合基板Ｔには、鋭利部材１２３ａの挿入によって生じる亀裂が、重力方向に沿って重合基板Ｔの上端から下端まで走り易い。このため、第２の実施形態に係る剥離装置３１ａによれば、重合基板Ｔの剥離を効率的に行うことができる。
Thus, in 2nd Embodiment, the superposition | polymerization board | substrate T is hold | maintained vertically, and the
また、図１０Ｂに示すように、重合基板Ｔを鉛直向きに保持することで、重合基板Ｔの下端が、第１保持部１１０ａに設けられた係止部１１９と、第２保持部１４０に設けられた係止部１４５とによって支持された状態となる。
Further, as shown in FIG. 10B, by holding the overlapped substrate T in the vertical direction, the lower end of the overlapped substrate T is provided in the locking
これにより、鋭利部材１２３ａを重合基板Ｔにおける接着剤Ｇへ挿入した場合に、重合基板Ｔの鉛直下向きへの移動が係止部１１９，１４５によって規制されるため、剥離部１２０ａによって加えられる力を接着剤Ｇに対して十分に伝えることができる。
Thereby, when the
上述してきたように、第２の実施形態では、第１保持部１１０ａが、被処理基板Ｗの板面が鉛直方向に延在する向きに被処理基板Ｗを保持し、第２保持部１４０が、被処理基板Ｗから剥離された支持基板Ｓを板面が鉛直方向に延在する向きに保持することとした。したがって、重合基板Ｔの剥離を効率的に行うことができる。
As described above, in the second embodiment, the
また、第２の実施形態では、第１保持部１１０ａとして、被処理基板Ｗを非接触状態で吸着保持するベルヌーイチャックを用いることとしたため、ポーラスチャックを用いる場合と比較して第１保持部にかかる費用を抑えることができる。
In the second embodiment, since the Bernoulli chuck that sucks and holds the substrate to be processed W in a non-contact state is used as the
なお、第２の実施形態に係る剥離装置３１ａは、第１の実施形態に係る剥離装置３１と同様、第１保持部としてポーラスチャックを用いてもよい。また、第１の実施形態に係る剥離装置３１は、第２の実施形態に係る剥離装置３１ａと同様、第１保持部としてベルヌーイチャックを用いてもよい。
Note that the
（第３の実施形態）
次に、第３の実施形態について説明する。第３の実施形態では、第２保持部が、重合基板Ｔの剥離も併せて行う。まず、第３の実施形態に係る剥離装置の構成について図１１および図１２を参照して説明する。図１１は、第３の実施形態に係る剥離装置の構成を示す模式側面図であり、図１２は、第３の実施形態に係る保持部の構成を示す模式平面図である。
(Third embodiment)
Next, a third embodiment will be described. In the third embodiment, the second holding unit also performs separation of the polymerization substrate T. First, the configuration of the peeling apparatus according to the third embodiment will be described with reference to FIGS. 11 and 12. FIG. 11 is a schematic side view showing the configuration of the peeling apparatus according to the third embodiment, and FIG. 12 is a schematic plan view showing the configuration of the holding unit according to the third embodiment.
図１１に示すように、第３の実施形態に係る剥離装置３１ｂは、保持部１４０ａと、第１移動機構１５０ｂとを備える。保持部１４０ａは、上述してきた第２保持部１４０と同様、重合基板Ｔを非接触状態で保持するベルヌーイチャックである。
As shown in FIG. 11, the
具体的には、図１２に示すように、保持部１４０ａは、重合基板Ｔと略同径を有する円板状の本体部１４１ａと、本体部１４１ａの板面に形成される複数の気体噴出口１４２ａとを備える。各気体噴出口１４２ａは、図１１に示す送気管１４３ｂを介して送気装置１４４ｂと接続される。また、本体部１４１ａには、第２保持部１４０の本体部１４１と同様、外縁部に複数の切欠部１４６ａが形成される。
Specifically, as shown in FIG. 12, the holding
また、保持部１４０ａは、複数の係止部１４７を備える。係止部１４７は、本体部１４１ａの主面と直交する向きに突出する部材であり、本体部１４１ａの外周に対して所定の間隔を空けて設けられる。
In addition, the holding
係止部１４７には、図１１に示すように、重合基板Ｔ側に突出する鋭利部１４７ａと、この鋭利部１４７ａよりも保持部１４０ａから遠い位置で重合基板Ｔ側へ突出する突起部１４７ｂとがそれぞれ形成される。
As shown in FIG. 11, the locking
また、保持部１４０ａは、係止部１４７を重合基板Ｔ側へ移動させる第２移動機構１４８を備える。第３の実施形態に係る剥離装置３１ｂでは、かかる第２移動機構１４８を用いて係止部１４７を重合基板Ｔ側へ移動させることによって重合基板Ｔの剥離を行う。
Further, the holding
第１移動機構１５０ｂは、たとえば第２の実施形態に係る移動機構１５０ａと同様の構成であり、第１アーム１５１ｂと、第２アーム１５２ｂと、基部１５３ｂとを備える。かかる第１移動機構１５０ｂは、第１アーム１５１ｂを回転させることによって保持部１４０ａを水平軸周りに回転させることができ、第２アーム１５２ｂを回転させることによって保持部１４０ａを鉛直軸周りに回転させることができる。
The
次に、第３の実施形態に係る剥離動作について図１３Ａおよび図１３Ｂを参照して説明する。図１３Ａおよび図１３Ｂは、第３の実施形態に係る剥離装置３１ｂによる剥離動作の説明図である。なお、重合基板Ｔの処理容器１００への搬入動作については、上述した各実施形態と同様であるため、ここでの説明は省略する。
Next, the peeling operation according to the third embodiment will be described with reference to FIGS. 13A and 13B. 13A and 13B are explanatory diagrams of the peeling operation by the
図１３Ａに示すように、係止部１４７に形成される鋭利部１４７ａは、重合基板Ｔにおける被処理基板Ｗと支持基板Ｓとの間、すなわち、接着剤Ｇに対して先端が当接する位置に配置される。第３の実施形態に係る剥離装置３１ｂは、保持部１４０ａを用いて第１搬送装置２１から重合基板Ｔを受け取った後、第２移動機構１４８を用いて係止部１４７を重合基板Ｔ側へ移動させる。
As shown in FIG. 13A, the
この結果、図１３Ｂに示すように、係止部１４７に形成された鋭利部１４７ａが接着剤Ｇへ挿入され、被処理基板Ｗから支持基板Ｓが剥離される。
As a result, as shown in FIG. 13B, the
このように、第３の実施形態に係る剥離装置３１ｂは、第１保持部１１０，１１０ａや剥離部１２０，１２０ａを用いることなく、保持部１４０ａのみを用いて重合基板Ｔの剥離動作を行うことができる。
Thus, the
また、係止部１４７の移動に伴い、被処理基板Ｗは、鋭利部１４７ａと突起部１４７ｂとの間に相対的に移動する。この結果、被処理基板Ｗは、突起部１４７ｂによって上方への移動が規制された状態となる。これにより、剥離装置３１ｂは、係止部１４７から加えられる衝撃によって、剥離後の被処理基板Ｗが飛散してしまうことを防ぐことができる。なお、剥離後の支持基板Ｓは、係止部１４７の移動に伴って、鋭利部１４７ａと本体部１４１ａとの間に相対的に移動する。
Further, with the movement of the locking
次に、第３の実施形態に係る剥離装置３１ｂによる搬出動作について図１４Ａおよび図１４Ｂを参照して説明する。図１４Ａおよび図１４Ｂは、第３の実施形態に係る剥離装置３１ｂによる搬出動作の説明図である。
Next, the carrying-out operation | movement by the
図１４Ａに示すように、剥離装置３１ｂは、剥離動作を終えると、第１移動機構１５０ｂの第１アーム１５１ｂを回転させることによって保持部１４０ａを１８０度回転させる。この結果、剥離後の被処理基板Ｗは、重力に従って落下し、突起部１４７ｂによって受け止められる。
As illustrated in FIG. 14A, when the
図１４Ｂに示すように、保持部１４０ａの下方には、第２搬送装置３５が備えるベルヌーイチャック３５１が配置される。そして、剥離装置３１ｂは、第２移動機構１４８を用いて係止部１４７を基板から離す方向へ移動させる。この結果、被処理基板Ｗは落下し、第２搬送装置３５のベルヌーイチャック３５１によって非接触状態で受け止められて吸着保持される。ベルヌーイチャック３５１によって吸着保持された被処理基板Ｗは、第２搬送装置３５によって第１洗浄装置３３へ搬送される。
As illustrated in FIG. 14B, a
なお、第３の実施形態では、上述してきた各実施形態とは異なり、ベルヌーイチャック３５１が被処理基板Ｗの非接合面Ｗｎを吸着することとなる。このため、ベルヌーイチャック３５１に対して被処理基板Ｗの接合面Ｗｊを吸着させたい場合には、たとえば第２搬送領域４０に基板反転装置を設置してもよい。
In the third embodiment, unlike the above-described embodiments, the
すなわち、第２搬送装置３５は、被処理基板Ｗを基板反転装置へ受け渡し、基板反転装置によって反転された被処理基板Ｗをベルヌーイチャック３５１で再度保持することで、ベルヌーイチャック３５１に対して被処理基板Ｗの接合面Ｗｊを吸着させることができる。
That is, the
一方、支持基板Ｓを第２搬送装置３５へ受け渡した後、剥離装置３１ｂは、第１移動機構１５０ｂの第１アーム１５１ｂを回転させることによって保持部１４０ａを再び１８０度回転させる。その後、剥離装置３１ｂは、上述してきた各実施形態と同様、第１搬送装置２１のフォーク２３を保持部１４０ａの下方から上方へ移動させることで、フォーク２３に対して支持基板Ｓを渡す。剥離後の支持基板Ｓは、第１搬送装置２１によって処理容器１００から取り出され、第２洗浄装置３４へ搬送される。
On the other hand, after delivering the support substrate S to the
上述してきたように、第３の実施形態に係る剥離装置３１ｂは、保持部１４０ａと、複数の係止部１４７と、第２移動機構１４８とを備える。
As described above, the
保持部１４０ａは、被処理基板Ｗと支持基板Ｓとが重合された重合基板Ｔを非接触状態で吸着保持する。複数の係止部１４７は、保持部１４０ａによって吸着保持された重合基板Ｔの外縁部と対向する複数の位置にそれぞれ設けられ、重合基板Ｔ側へ向けて突出する鋭利部１４７ａを有する。そして、第２移動機構１４８は、係止部１４７を重合基板Ｔ側へ移動させて、被処理基板Ｗから支持基板Ｓを剥離させる。
The holding
したがって、第３の実施形態に係る剥離装置３１ｂによれば、基板の剥離処理を適切に行うことができる。
Therefore, according to the
（第４の実施形態）
ところで、剥離システムの構成は、図１に示した構成に限定されず、種々の構成を取り得る。そこで、剥離システムの他の構成について図１５を参照して説明する。図１５は、第４の実施形態に係る剥離システムの構成を示す模式平面図である。
(Fourth embodiment)
By the way, the structure of a peeling system is not limited to the structure shown in FIG. 1, A various structure can be taken. Therefore, another configuration of the peeling system will be described with reference to FIG. FIG. 15 is a schematic plan view showing the configuration of the peeling system according to the fourth embodiment.
図１５に示すように、第４の実施形態に係る剥離システム１ａは、検査装置６０をさらに備える。また、第４の実施形態に係る剥離システム１ａは、図１に示す第２搬送領域４０に代えて、第２搬送領域４０ａを備える。第２搬送領域４０ａには、Ｘ軸方向に延在する搬送路４１ａ上を移動可能な第３搬送装置４２ａが設置される。なお、第３搬送装置４２ａは、図１に示す第３搬送装置４２と同様、たとえばベルヌーイチャックを用いて被処理基板Ｗを非接触状態で搬送する。
As shown in FIG. 15, the
検査装置６０は、被処理基板Ｗに対し、接合面Ｗｊに形成された電子回路に損傷がないか、あるいは、接着剤Ｇの残渣がないか等の表面検査を行う装置である。
The
剥離システム１ａでは、第１洗浄装置３３によって洗浄された被処理基板Ｗが第３搬送装置４２ａによって第１洗浄装置３３から取り出され、検査装置６０へ搬送される。検査装置６０へ搬送された被処理基板Ｗは、検査装置６０によって表面検査が行われる。そして、電子回路の損傷や接着剤Ｇの残渣等の異常が発見された被処理基板Ｗは、第３搬送装置４２ａによって第１洗浄装置３３へ戻され、第１搬送装置２１によって第１洗浄装置３３から搬入出ステーション１０へ搬送される。
In the
一方、検査装置６０によって異常が発見されなかった被処理基板Ｗは、第３搬送装置４２ａによって後処理ステーションＭへ搬送され、後処理ステーションＭによってマウントやダイシングといった後処理が施される。
On the other hand, the to-be-processed substrate W in which no abnormality is found by the
このように、剥離システムは、剥離後の被処理基板Ｗに対して表面検査を行う検査装置をさらに備えていてもよい。 Thus, the peeling system may further include an inspection device that performs surface inspection on the substrate to be processed W after peeling.
（その他の実施形態）
また、上述してきた各実施形態では、剥離対象となる重合基板が、被処理基板Ｗと支持基板Ｓとが接着剤Ｇによって接合された重合基板Ｔである場合の例について説明した。しかし、剥離装置の剥離対象となる重合基板は、この重合基板Ｔに限定されない。たとえば、上述してきた各実施形態の剥離装置では、ＳＯＩ基板を生成するために、絶縁膜が形成されたドナー基板と被処理基板とが張り合わされた重合基板を剥離対象とすることも可能である。
(Other embodiments)
Further, in each of the embodiments described above, an example in which the superposed substrate to be peeled is the superposed substrate T in which the substrate to be processed W and the support substrate S are bonded by the adhesive G has been described. However, the superposition | polymerization board | substrate used as the peeling object of a peeling apparatus is not limited to this superposition | polymerization board | substrate T. For example, in the peeling apparatus of each embodiment described above, in order to generate an SOI substrate, a superposed substrate in which a donor substrate on which an insulating film is formed and a substrate to be processed are bonded can also be a peeling target. .
ここで、ＳＯＩ基板の製造方法について図１６Ａおよび図１６Ｂを参照して説明する。図１６Ａおよび図１６Ｂは、ＳＯＩ基板の製造工程を示す模式図である。図１６Ａに示すように、ＳＯＩを形成するための重合基板Ｔａは、ドナー基板Ｄとハンドル基板Ｈとを接合することによって形成される。 Here, a method for manufacturing an SOI substrate will be described with reference to FIGS. 16A and 16B. FIG. 16A and FIG. 16B are schematic views showing the manufacturing process of the SOI substrate. As shown in FIG. 16A, the polymerization substrate Ta for forming the SOI is formed by bonding the donor substrate D and the handle substrate H.
ドナー基板Ｄは、表面に絶縁膜５が形成されるとともに、ハンドル基板Ｈと接合する方の表面近傍の所定深さに水素イオン注入層６が形成された基板である。また、ハンドル基板Ｈとしては、たとえばシリコンウェハ、ガラス基板、サファイア基板等を用いることができる。
The donor substrate D is a substrate in which the insulating
上述してきた各実施形態に係る剥離装置３１，３１ａ，３１ｂは、剥離部１２０，１２０ａまたは係止部１４７を用い、ドナー基板Ｄに形成された水素イオン注入層６に対して機械的衝撃を与える。これにより、図１６Ｂに示すように、水素イオン注入層６内のシリコン−シリコン結合が切断され、ドナー基板Ｄからシリコン層が剥離される。
The peeling
この結果、ハンドル基板Ｈの上面に対して絶縁膜５およびシリコン層７が転写され、ＳＯＩ基板Ｗａが形成される。なお、剥離装置３１，３１ａ，３１ｂは、剥離後のＳＯＩ基板Ｗａを第２保持部１４０、保持部１４０ａを用いて非接触状態で吸着保持する。
As a result, the insulating
また、上述した実施形態では、被処理基板Ｗと支持基板Ｓとを接着剤Ｇを用いて接合する場合の例について説明したが、接着剤Ｇは、接合面Ｗｊ，Ｓｊの全面に塗布されてもよいし、接合面Ｗｊ，Ｓｊの一部にのみ塗布されてもよい。接合面Ｗｊ，Ｓｊの一部にのみ接着剤Ｇを塗布する場合には、被処理基板Ｗおよび支持基板Ｓの周縁部にのみ接着剤Ｇを塗布することが好ましい。また、接合面Ｗｊ，Ｓｊを複数の領域に分け、領域ごとに異なる接着力の接着剤を塗布してもよい。 In the above-described embodiment, an example in which the substrate to be processed W and the support substrate S are bonded using the adhesive G has been described. However, the adhesive G is applied to the entire bonding surfaces Wj and Sj. Alternatively, it may be applied only to a part of the joint surfaces Wj and Sj. When the adhesive G is applied only to a part of the bonding surfaces Wj and Sj, it is preferable to apply the adhesive G only to the peripheral portions of the substrate to be processed W and the support substrate S. Further, the joint surfaces Wj and Sj may be divided into a plurality of regions, and adhesives having different adhesive strength may be applied to each region.
また、上述した第１の実施形態〜第３の実施形態では、第１保持部で被処理基板Ｗを保持し、第２保持部で支持基板Ｓを保持するものとして説明したが、第１保持部で支持基板Ｓを保持し、第２保持部で被処理基板Ｗを保持してもよい。なお、被処理基板Ｗが薄型化されている場合、第１保持部で被処理基板Ｗを保持し、第２保持部で支持基板Ｓを保持することが好適である。 In the first to third embodiments described above, the substrate to be processed W is held by the first holding unit and the support substrate S is held by the second holding unit. The supporting substrate S may be held by the portion, and the target substrate W may be held by the second holding portion. In addition, when the to-be-processed substrate W is thinned, it is suitable to hold | maintain the to-be-processed substrate W with a 1st holding | maintenance part, and hold | maintain the support substrate S with a 2nd holding | maintenance part.
また、上述してきた各実施形態では、重合基板Ｔの板面が水平方向に延在する向きで重合基板Ｔの剥離処理を行う例を説明したが、これに限定されるものではない。たとえば、重合基板Ｔの板面が鉛直方向に延在する向きで重合基板Ｔの剥離処理を行ってもよいし、重合基板Ｔの板面が水平方向および鉛直方向以外の向きで重合基板Ｔの剥離処理を行ってもよい。 Moreover, although each embodiment mentioned above demonstrated the example which performs the peeling process of the superposition | polymerization board | substrate T in the direction where the plate | board surface of the superposition | polymerization board | substrate T is extended in a horizontal direction, it is not limited to this. For example, the superposition | polymerization board | substrate T may be peeled in the direction in which the plate | board surface of the superposition | polymerization board | substrate T is extended in the perpendicular direction, A peeling treatment may be performed.
さらなる効果や変形例は、当業者によって容易に導き出すことができる。このため、本発明のより広範な態様は、以上のように表しかつ記述した特定の詳細および代表的な実施形態に限定されるものではない。したがって、添付の特許請求の範囲およびその均等物によって定義される総括的な発明の概念の精神または範囲から逸脱することなく、様々な変更が可能である。 Further effects and modifications can be easily derived by those skilled in the art. Thus, the broader aspects of the present invention are not limited to the specific details and representative embodiments shown and described above. Accordingly, various modifications can be made without departing from the spirit or scope of the general inventive concept as defined by the appended claims and their equivalents.
１，１ａ 剥離システム
１０ 搬入出ステーション
２０ 第１搬送領域
３０ 剥離処理ステーション
３１，３１ａ，３１ｂ 剥離装置
４０，４０ａ 第２搬送領域
５０ 制御装置
１１０，１１０ａ 第１保持部
１２０，１２０ａ 剥離部
１４０ 第２保持部
１４０ａ 保持部
１４７ 係止部
１４８ 第２移動機構
Ｔ，Ｔａ 重合基板
Ｗ 被処理基板
Ｓ 支持基板
1,
Claims (12)
前記重合基板の外縁部に対して所定の力を加えることによって前記第１基板から前記第２基板を剥離させる剥離部と、
前記剥離部によって前記第１基板から剥離された前記第２基板を非接触状態で吸着保持する第２保持部と
を備えることを特徴とする剥離装置。 A first holding unit for sucking and holding the first substrate among the superposed substrates obtained by bonding the first substrate and the second substrate;
A peeling portion for peeling the second substrate from the first substrate by applying a predetermined force to the outer edge portion of the superposed substrate;
A peeling apparatus comprising: a second holding unit that sucks and holds the second substrate peeled from the first substrate by the peeling unit in a non-contact state.
を備えることを特徴とする請求項１に記載の剥離装置。 The peeling apparatus according to claim 1, further comprising a moving mechanism that moves the second holding unit in a direction away from the first holding unit.
前記第１基板の板面が鉛直方向に延在する向きに前記第１基板を保持し、
前記第２保持部は、
前記剥離部によって前記第１基板から前記第２基板が剥離された場合に、剥離された第２基板の板面が鉛直方向に延在する向きに前記第２基板を保持すること
を特徴とする請求項１または２に記載の剥離装置。 The first holding part is
Holding the first substrate in a direction in which the plate surface of the first substrate extends in the vertical direction;
The second holding part is
When the second substrate is peeled from the first substrate by the peeling portion, the second substrate is held in a direction in which a plate surface of the peeled second substrate extends in a vertical direction. The peeling apparatus according to claim 1 or 2.
前記重合基板の外縁部に対して鉛直下向きの力を加えること
を特徴とする請求項３に記載の剥離装置。 The peeling portion is
The peeling apparatus according to claim 3, wherein a vertical downward force is applied to an outer edge portion of the superposed substrate.
前記第１基板の板面が水平方向に延在する向きに前記第１基板を保持し、
前記第２保持部は、
前記剥離部によって前記第１基板から前記第２基板が剥離された場合に、剥離された第２基板の板面が水平方向に延在する向きに前記第２基板を保持すること
を特徴とする請求項１または２に記載の剥離装置。 The first holding part is
Holding the first substrate in a direction in which the plate surface of the first substrate extends in a horizontal direction;
The second holding part is
When the second substrate is peeled from the first substrate by the peeling portion, the second substrate is held in a direction in which a plate surface of the peeled second substrate extends in a horizontal direction. The peeling apparatus according to claim 1 or 2.
前記第１基板と前記第２基板との接合部分に対して切り込みを入れることによって前記第１基板から前記第２基板を剥離させること
を特徴とする請求項１〜５のいずれか１つに記載の剥離装置。 The peeling portion is
The said 2nd board | substrate is made to peel from the said 1st board | substrate by making a notch | incision with respect to the junction part of the said 1st board | substrate and the said 2nd board | substrate. Peeling device.
前記第１基板を非接触状態で吸着保持すること
を特徴とする請求項１〜６のいずれか１項に記載の剥離装置。 The first holding part is
The peeling apparatus according to claim 1, wherein the first substrate is sucked and held in a non-contact state.
前記保持部によって吸着保持された前記重合基板の外縁部と対向する複数の位置にそれぞれ設けられ、前記重合基板側へ向けて突出する鋭利部を有する複数の係止部と、
前記係止部を前記重合基板側へ移動させて、前記第１基板から前記第２基板を剥離させる移動機構と
を備えることを特徴とする剥離装置。 A holding unit that holds the superposed substrate in which the first substrate and the second substrate are superposed in a non-contact state;
A plurality of locking portions provided at a plurality of positions facing the outer edge portion of the superposed substrate adsorbed and held by the holding portion, and having sharp portions protruding toward the superposed substrate side;
A peeling mechanism comprising: a moving mechanism that moves the locking portion toward the superposed substrate and peels the second substrate from the first substrate.
前記重合基板のうち前記第２基板を保持し、
前記係止部は、
前記鋭利部よりも前記保持部から遠い位置で前記重合基板側へ向けて突出し、剥離後の前記第１基板の鉛直方向への移動を規制する突起部を有すること
を特徴とする請求項８に記載の剥離装置。 The holding part is
Holding the second substrate among the superposed substrates;
The locking portion is
The projection part which protrudes toward the superposition substrate side in a position farther from the holding part than the sharp part, and regulates movement of the first substrate after peeling in the vertical direction. The peeling apparatus as described.
前記ステーションに載置された重合基板を搬送する搬送装置と、
前記搬送装置によって搬送された重合基板を剥離する剥離装置が設置される剥離ステーションと
を備え、
前記剥離装置は、
前記重合基板のうち前記第１基板を吸着保持する第１保持部と、
前記重合基板の外縁部に対して所定の力を加えることによって前記第１基板から前記第２基板を剥離させる剥離部と、
前記剥離部によって前記第１基板から剥離された前記第２基板を非接触状態で吸着保持する第２保持部と
を備えることを特徴とする剥離システム。 A station on which a superposed substrate obtained by bonding the first substrate and the second substrate is placed;
A transport device for transporting the superposed substrate placed on the station;
A peeling station where a peeling device for peeling the superposed substrate transported by the transport device is installed, and
The peeling device is
A first holding unit for sucking and holding the first substrate among the superposed substrates;
A peeling portion for peeling the second substrate from the first substrate by applying a predetermined force to the outer edge portion of the superposed substrate;
A peeling system comprising: a second holding unit that sucks and holds the second substrate peeled from the first substrate by the peeling unit in a non-contact state.
前記重合基板の外縁部に対して所定の力を加える剥離部によって、前記第１基板から前記第２基板を剥離させる剥離工程と、
前記第２基板を非接触状態で吸着保持する第２保持部によって、前記第１基板から剥離された前記第２基板を受け取る受け取り工程と
を含むことを特徴とする剥離方法。 An adsorption holding step of adsorbing and holding the first substrate by a first holding unit that adsorbs and holds the first substrate among the superposed substrates bonded to the first substrate and the second substrate;
A peeling step of peeling the second substrate from the first substrate by a peeling portion that applies a predetermined force to the outer edge portion of the superposed substrate;
And a receiving step of receiving the second substrate peeled from the first substrate by a second holding unit that sucks and holds the second substrate in a non-contact state.
前記重合基板の外縁部に対して所定の力を加える剥離部によって、前記第１基板から前記第２基板を剥離させる剥離手順と、
前記第２基板を非接触状態で吸着保持する第２保持部によって、前記第１基板から剥離された前記第２基板を受け取る受け取り手順と
をコンピュータに対して実行させることを特徴とする剥離プログラム。 An adsorption holding procedure for adsorbing and holding the first substrate by a first holding unit for adsorbing and holding the first substrate among the superposed substrates bonded to the first substrate and the second substrate;
A peeling procedure for peeling the second substrate from the first substrate by a peeling portion that applies a predetermined force to the outer edge of the superposed substrate;
A peeling program causing a computer to execute a receiving procedure for receiving the second substrate peeled from the first substrate by a second holding unit that sucks and holds the second substrate in a non-contact state.
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