JP2013147682A - アモルファス合金、成形用型および光学素子の成形方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 Reが68atm%以上86atm%以下、Hfが8atm%以上12atm%以下、Oが0.1atm%以上5atm%以下、残部がIrからなるアモルファス合金。Reが83atm%以上91.9atm%以下、Hfが8atm%以上12atm%以下、Oが0.1atm%以上5atm%以下からなるアモルファス合金。前記アモルファス合金からなる離型膜を有する成形用型。前記成形用型を用いて、硝子プリフォームをプレスして成形する工程を有する光学素子の成形方法。
【選択図】 図1
Description
以下に本発明に関わるアモルファス合金膜とそれを用いた成形型の実施例を示す。
実施例2における成形用型は、上型は研削・研磨で外形18mm、曲率半径22mmの凸形状に加工された超硬J05型の表面にRFスパッタリング法でTi層とTiN層が合わせて1μmの厚さで積層する。その上に離型膜として、Reが76atm%、Hfが9atm%、Irが11atm%、Oが4atm%(ULVAC−PHI社製XPS装置:PHI Quantera SXMによる測定)のアモルファス合金が250nmの厚さで積層されたものである。下型は研削・研磨で外形18mm、曲率半径22mmの凹形状に加工された超硬J05型の表面にTi層とTiN層が合わせて1μmの厚さで積層する。その上に離型膜として、Reが76atm%、Hfが9atm%、Irが11atm%、Oが4atm%(ULVAC−PHI社製XPS装置:PHI Quantera SXMによる測定)のアモルファス合金が200nmの厚さで積層されたものである。
実施例3における成形用型は、上型は研削・研磨で外形18mm、曲率半径22mmの凸形状に加工された超硬J05型表面にTi層とTiN層が合わせて1μmの厚さで積層する。その上に離型膜として、Reが75atm%、Hfが8atm%、Irが12atm%、Oが5atm%(ULVAC−PHI社製XPS装置:PHI Quantera SXMによる測定)のアモルファス合金が200nmの厚さで積層されたものである。下型は研削・研磨で外形18mm、曲率半径22mmの凹形状に加工されたJ05(冨士ダイス社)超硬型表面にTi層とTiN層が合わせて1μmの厚さで積層する。その上に離型膜として、Reが75atm%、Hfが8atm%、Irが12atm%、Oが5atm%(ULVAC−PHI社製XPS装置:PHI Quantera SXMによる測定)のアモルファス合金が200nmの厚さで積層されたものである。
表1に示す様に、Reが68atm%以上86atm%以下、Hfが8atm%以上12atm%以下、Oが0.1atm%以上5atm%以下、残部がIrからなるアモルファス合金、またはReが83atm%以上91.9atm%以下、Hfが8atm%以上12atm%以下、Oが0.1atm%以上5atm%以下からなるアモルファス合金を用いることで、前述の実施例1から3と同様に硬度が18GPa以上であるアモルファス合金が得られる。
本発明の効果を示すため、Re−Hf−O−Irの組成、またはRe−Hf−Oの組成が、本発明の組成から外れた組成である比較例1から11の結果を表2に示す。組成はULVAC−PHI社製XPS装置:PHI Quantera SXMによる測定、硬度はAgilent Technologies, Incのナノインデンターによる測定、結晶性はフィリップス社X’pertのθ−2θ法による測定である。比較例では合金が結晶化したり、硬度が不十分となることが判る。合金がアモルファスであると化学的安定性を有するが、合金が結晶化すると化学的安定性が失われる。
11 超硬基材
12 Ti層
13 TiN層
14 離型膜
20 スパッタリング装置
21 真空チャンバー
22 基板ホルダー
23 ハロゲンランプヒーター
24 熱電対温度計
25 Reターゲット
26 Hfターゲット
215 DCバイアス電源
50 成形機
51 チャンバー
52 硝子プリフォーム
53 ヒーター
54 軸
55 胴型
56 支持台
Claims (5)
- Reが68atm%以上86atm%以下、Hfが8atm%以上12atm%以下、Oが0.1atm%以上5atm%以下、残部がIrからなることを特徴とするアモルファス合金。
- Reが83atm%以上91.9atm%以下、Hfが8atm%以上12atm%以下、Oが0.1atm%以上5atm%以下からなることを特徴とするアモルファス合金。
- 請求項1または2に記載のアモルファス合金からなる離型膜を有することを特徴とする成形用型。
- 請求項3に記載の成形用型を用いて、硝子プリフォームをプレスして成形する工程を有することを特徴とする光学素子の成形方法。
- 前記硝子プリフォームがリン酸塩を含有する硝子、または弗化物を含有する硝子、またはTi酸化物,W酸化物,Bi酸化物を含有する硝子からなることを特徴とする請求項4に記載の光学素子の成形方法。
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