JP2013137908A - Apparatus and method for manufacturing organic el device - Google Patents

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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide apparatus and method for manufacturing an organic EL device which can enhance efficiency when a donor substrate is reused.SOLUTION: An apparatus for manufacturing an organic EL device includes: a transfer layer forming chamber 25 for forming a transfer layer on a donor substrate SG; a transfer chamber 22 for transferring a part of the transfer layer from the donor substrate SG to an element substrate; a lamination chamber 21 that is connected to the transfer chamber 22 and loads the element substrate into the transfer chamber 22; a separation chamber 23 that is connected to the transfer chamber 22 and unloads the element substrate from the transfer chamber 22; and a dry cleaning chamber 27 for removing the remainder in the transfer chamber from the donor substrate SG. The lamination chamber 21, transfer chamber 22, and separation chamber 23 are connected to each other in a row in the order named. The transfer layer forming chamber 25, transfer chamber 22, and dry cleaning chamber 27 are connected to each other in an annular shape in the order named. The apparatus for manufacturing the organic EL device further includes a transport section for repetitively transporting the donor substrate SG with respect to the transfer layer forming chamber 25, transfer chamber 22, and dry cleaning chamber 27 in the order named.

Description

本発明は、有機ＥＬデバイスの製造装置、及び該有機ＥＬ膜の製造装置にて用いられる有機ＥＬデバイスの製造方法に関する。   The present invention relates to an organic EL device manufacturing apparatus and an organic EL device manufacturing method used in the organic EL film manufacturing apparatus.

従来から、例えば特許文献１に記載のように、有機ＥＬ（Electroluminescence ）デバイスの発光層を形成する方法として転写法が提案されている。以下、図１０を参照して、転写法について説明する。   Conventionally, as described in Patent Document 1, for example, a transfer method has been proposed as a method of forming a light emitting layer of an organic EL (Electroluminescence) device. Hereinafter, the transfer method will be described with reference to FIG.

図１０（ａ）に示されるように、転写法では、有機ＥＬデバイスを構成する素子が形成された素子基板Ｓと、該素子基板Ｓに対して発光層を転写するドナー基板ＳＤとが用いられる。素子基板Ｓの基材である支持基板８１上には、有機ＥＬデバイスの画素領域を規定する格子状のスペーサ８２が形成されている。スペーサ８２によって囲まれた複数の画素領域の各々には、陽極８３と正孔輸送層８４とが、この順に積層されている。一方、ドナー基板ＳＤの基材である透明基板９１には、上述した画素領域と互いに向い合う位置に、複数の光熱変換層９２が形成されている。光熱変換層９２は、レーザ光を熱量に変換するクロムやモリブデン等の金属から形成されている。また、透明基板９１上には、光熱変換層９２と該光熱変換層９２以外の部分とを覆うように、有機ＥＬ材料からなる転写層９３が積層されている。   As shown in FIG. 10A, in the transfer method, an element substrate S on which elements constituting an organic EL device are formed and a donor substrate SD that transfers a light emitting layer to the element substrate S are used. . On the support substrate 81 which is a base material of the element substrate S, lattice-like spacers 82 that define the pixel region of the organic EL device are formed. In each of the plurality of pixel regions surrounded by the spacer 82, an anode 83 and a hole transport layer 84 are stacked in this order. On the other hand, a plurality of photothermal conversion layers 92 are formed on the transparent substrate 91, which is a base material of the donor substrate SD, at positions facing the above-described pixel regions. The photothermal conversion layer 92 is made of a metal such as chromium or molybdenum that converts laser light into heat. Further, a transfer layer 93 made of an organic EL material is laminated on the transparent substrate 91 so as to cover the light-heat conversion layer 92 and a portion other than the light-heat conversion layer 92.

そして、複数の画素領域の各々に対して転写層９３の転写が行われる際には、まず、素子基板Ｓにおける複数の画素領域の各々とドナー基板ＳＤに形成された光熱変換層９２とが互いに向い合うように、真空雰囲気にて素子基板Ｓとドナー基板ＳＤとが貼り合わせられる。次いで、図１０（ｂ）に示されるように、ドナー基板ＳＤの裏面の全体にレーザ光が照射されることによって、光熱変換層９２が発熱し、その後、転写層９３のうちで光熱変換層９２に積層された部位のみが選択的に画素領域に転写される。これにより、素子基板Ｓにおける複数の画素領域の各々に発光層８５が形成される。   When the transfer layer 93 is transferred to each of the plurality of pixel regions, first, each of the plurality of pixel regions in the element substrate S and the photothermal conversion layer 92 formed on the donor substrate SD are mutually connected. The element substrate S and the donor substrate SD are bonded together in a vacuum atmosphere so as to face each other. Next, as shown in FIG. 10B, the photothermal conversion layer 92 generates heat by irradiating the entire back surface of the donor substrate SD with laser light, and then the photothermal conversion layer 92 in the transfer layer 93. Only the portion laminated on the pixel region is selectively transferred to the pixel region. Thereby, the light emitting layer 85 is formed in each of the plurality of pixel regions in the element substrate S.

特開２０１０−１７７０３４号公報JP 2010-177034 A

ところで、上記転写が終了すると、素子基板Ｓとドナー基板ＳＤとが分離された後、ドナー基板ＳＤは、透明基板９１上に再度転写層９３が形成され、他の素子基板Ｓに対する転写に再利用される。この際、先に行われた転写の工程にて転写層９３の一部分のみが選択的に転写されることから、転写が終了した後のドナー基板ＳＤには、転写されなかった転写層９３が残っていることになる。そのため、ドナー基板ＳＤの再利用を可能にするためには、ドナー基板ＳＤに対して再び転写層９３が形成される前に、透明基板９１上に残っている転写層９３が取り除かれる必要がある。   By the way, after the transfer is completed, the element substrate S and the donor substrate SD are separated, and then the donor substrate SD is formed again on the transparent substrate 91 and reused for transfer to another element substrate S. Is done. At this time, since only a part of the transfer layer 93 is selectively transferred in the transfer process performed previously, the transfer layer 93 that has not been transferred remains on the donor substrate SD after the transfer is completed. Will be. Therefore, in order to enable reuse of the donor substrate SD, the transfer layer 93 remaining on the transparent substrate 91 needs to be removed before the transfer layer 93 is formed again on the donor substrate SD. .

こうした転写層９３を取り除く方法としては、転写後のドナー基板ＳＤを大気中に取り出した後、洗浄液にてクリーニングする方法が考えられる。しかしながら、該方法によれば、転写層９３を除去することは可能であるものの、ドナー基板ＳＤから洗浄液を除去するための乾燥処理を別途行う必要がある。また、光熱変換層９２の表面が洗浄液に曝されてしまうことから、光熱変換層９２の光熱変換機能が失われるおそれもある。さらにまた、一旦大気中に取り出されたドナー基板ＳＤが再び上記真空雰囲気に戻されるため、真空室の昇圧と降圧とを行う必要がある。このように、転写層９３を取り除く以外の処理を行わなければならないため、ドナー基板をより効率よく再利用のできる転写方法の開発が望まれている。   As a method for removing such a transfer layer 93, a method is conceivable in which the donor substrate SD after transfer is taken out into the atmosphere and then cleaned with a cleaning liquid. However, according to the method, although the transfer layer 93 can be removed, it is necessary to separately perform a drying process for removing the cleaning liquid from the donor substrate SD. Moreover, since the surface of the photothermal conversion layer 92 is exposed to the cleaning liquid, the photothermal conversion function of the photothermal conversion layer 92 may be lost. Furthermore, since the donor substrate SD once taken out to the atmosphere is returned to the vacuum atmosphere again, it is necessary to increase and decrease the pressure in the vacuum chamber. Thus, since it is necessary to perform a process other than removing the transfer layer 93, it is desired to develop a transfer method that can reuse the donor substrate more efficiently.

なお、上記問題は、ドナー基板及び素子基板の構造が上述とは異なっていても、ドナー基板から素子基板への有機ＥＬ膜の転写であれば、共通に生じるものである。
この発明は、上記実情に鑑みてなされたものであり、その目的は、ドナー基板を再利用する際の効率を高めることのできる有機ＥＬ膜の製造装置、及び有機ＥＬデバイスの製造装置を提供することにある。 Note that the above problem occurs in common if the organic EL film is transferred from the donor substrate to the element substrate, even if the structures of the donor substrate and the element substrate are different from those described above.
The present invention has been made in view of the above circumstances, and an object of the present invention is to provide an organic EL film manufacturing apparatus and an organic EL device manufacturing apparatus capable of increasing the efficiency in reusing a donor substrate. There is.

以下、上記課題を解決するための手段、及びその作用効果を記載する。
本発明の一態様は、有機ＥＬデバイスの製造装置が、ドナー基板に有機ＥＬ膜を形成する成膜室と、前記有機ＥＬ膜の一部を前記ドナー基板から素子基板に転写する転写室と、前記ドナー基板から前記有機ＥＬ膜の残部を取り除くドライクリーニング室とを含む転写ユニットを少なくとも１つ有し、前記転写ユニットでは、前記成膜室、前記転写室、及び前記ドライクリーニング室が、この順に環状に連結され、前記成膜室、前記転写室、及び前記ドライクリーニング室に対し、前記ドナー基板をこの順に繰り返し搬送する搬送部を更に有する。 Hereinafter, means for solving the above-described problems and the effects thereof will be described.
In one embodiment of the present invention, an organic EL device manufacturing apparatus includes a film formation chamber in which an organic EL film is formed on a donor substrate, a transfer chamber in which a part of the organic EL film is transferred from the donor substrate to the element substrate, And at least one transfer unit including a dry cleaning chamber for removing the remaining portion of the organic EL film from the donor substrate. In the transfer unit, the film formation chamber, the transfer chamber, and the dry cleaning chamber are in this order. A transfer unit that is connected in a ring shape and that repeatedly transfers the donor substrate in this order to the film formation chamber, the transfer chamber, and the dry cleaning chamber.

本発明の一態様では、転写後のドナー基板に付着した有機ＥＬ膜の残部をドライクリーニングにて除去するとともに、同一のドナー基板に対して成膜、転写、及びドライクリーニングの各処理をこの順に繰り返すようにしている。そのため、上述した洗浄液を用いたクリーニングのように、ドナー基板の乾燥、真空雰囲気への再搬入等、ドナー基板に形成された有機ＥＬ膜の除去以外の処理を行わずともドナー基板の再利用が可能になることから、ドナー基板を再利用する際の効率を高めることができる。しかも、成膜室、転写室、及びドライクリーニング室がこの順に環状に連結されているため、ドライクリーニングされたドナー基板に対して再度有機ＥＬ膜を形成するときには、転写室を介さずにドライクリーニング室から成膜室に向けてドナー基板を搬送することができる。それゆえに、素子基板と他のドナー基板とに対する転写処理が転写室にて行われていたとしても、ドナー基板をドライクリーニング室から成膜室に搬送することができる。こうした構成によっても、ドナー基板を再利用する際の効率を高めることができる。   In one embodiment of the present invention, the remaining portion of the organic EL film attached to the donor substrate after transfer is removed by dry cleaning, and film formation, transfer, and dry cleaning processes are performed in this order on the same donor substrate. I try to repeat it. Therefore, the donor substrate can be reused without performing a process other than removal of the organic EL film formed on the donor substrate, such as drying of the donor substrate and re-loading into the vacuum atmosphere, as in the cleaning using the cleaning liquid described above. Since this becomes possible, the efficiency at the time of reusing a donor substrate can be improved. In addition, since the film forming chamber, the transfer chamber, and the dry cleaning chamber are connected in a ring shape in this order, when the organic EL film is formed again on the dry-cleaned donor substrate, the dry cleaning is not performed without the transfer chamber. The donor substrate can be transferred from the chamber toward the film formation chamber. Therefore, even if a transfer process is performed on the element substrate and another donor substrate in the transfer chamber, the donor substrate can be transferred from the dry cleaning chamber to the film formation chamber. Such a configuration can also increase the efficiency when the donor substrate is reused.

本発明の一態様は、前記転写ユニットが、前記転写室に連結され前記素子基板を前記転写室に搬入する搬入室と、前記転写室に連結され前記素子基板を前記転写室から搬出する搬出室と、を更に有し、前記転写ユニットでは、前記搬入室、前記転写室、及び前記搬出室が、この順に一列に連結されている。   In one embodiment of the present invention, the transfer unit is connected to the transfer chamber and carries in the element substrate into the transfer chamber, and the transfer chamber is connected to the transfer chamber and carries out the element substrate from the transfer chamber. In the transfer unit, the carry-in chamber, the transfer chamber, and the carry-out chamber are connected in a row in this order.

本発明の一態様では、転写ユニットにおいて、素子基板を転写室に搬入する搬入室と、転写室と、同素子基板を転写室から搬出する搬出室とが一列に連結されている。そのため、ドナー基板は、環状に連結された成膜室、転写室、及びドライクリーニング室を環状に搬送される一方、素子基板は、搬入室、転写室、及び搬出室を連結方向に搬送される。これにより、ドナー基板と素子基板とが、各別の搬送経路に沿って搬送されることから、ドナー基板を再利用する際の搬送が、素子基板の搬送によって影響されにくくなる。したがって、ドナー基板を再利用する際の効率を高めることができる。   In one aspect of the present invention, in the transfer unit, a carry-in chamber for carrying the element substrate into the transfer chamber, the transfer chamber, and a carry-out chamber for carrying out the element substrate from the transfer chamber are connected in a row. For this reason, the donor substrate is transported in an annular manner through the film formation chamber, the transfer chamber, and the dry cleaning chamber that are annularly connected, while the element substrate is transported in the connection direction through the carry-in chamber, the transfer chamber, and the unload chamber. . As a result, the donor substrate and the element substrate are transported along different transport paths, so that the transport when the donor substrate is reused is less affected by the transport of the element substrate. Therefore, the efficiency when reusing the donor substrate can be increased.

本発明の一態様は、前記搬入室には、前記成膜室が連結され、前記搬出室には、前記ドライクリーニング室が連結され、前記搬入室では、前記素子基板と前記ドナー基板との貼り合わせが行われ、前記搬出室では、前記素子基板と前記ドナー基板との分離が行われる。   In one embodiment of the present invention, the film formation chamber is connected to the carry-in chamber, the dry cleaning chamber is connected to the carry-out chamber, and the element substrate and the donor substrate are attached to each other in the carry-in chamber. In the unloading chamber, the element substrate and the donor substrate are separated.

本発明の一態様では、搬入室に対して成膜室が連結されるとともに、搬入室では、素子基板とドナー基板との貼り合わせが行われる。加えて、搬出室に対してドライクリーニング室が連結されているとともに、搬出室では、素子基板とドナー基板との分離が行われる。そのため、転写に必要とされる成膜後のドナー基板が直接搬入室に搬入されるとともに、該搬入室にて素子基板とドナー基板との貼り合わせができる。また、ドライクリーニングの必要な転写後のドナー基板は、搬出室での分離とともに、該搬出室から直接ドライクリーニング室に搬入される。これにより、ドナー基板を再利用する際の効率を高めることができる。   In one embodiment of the present invention, the film formation chamber is connected to the carry-in chamber, and the element substrate and the donor substrate are bonded to each other in the carry-in chamber. In addition, the dry cleaning chamber is connected to the carry-out chamber, and the element substrate and the donor substrate are separated in the carry-out chamber. Therefore, the donor substrate after film formation necessary for transfer is directly carried into the carry-in chamber, and the element substrate and the donor substrate can be bonded together in the carry-in chamber. In addition, the donor substrate after transfer that requires dry cleaning is directly carried into the dry cleaning chamber from the carry-out chamber together with separation in the carry-out chamber. Thereby, the efficiency at the time of reusing a donor substrate can be improved.

本発明の一態様は、前記ドライクリーニング室では、前記ドナー基板から除去された前記有機ＥＬ膜の形成材料を付着させるための回収基板が、前記ドナー基板の前記有機ＥＬ膜と対向して配置される。   According to one embodiment of the present invention, in the dry cleaning chamber, a recovery substrate for attaching a material for forming the organic EL film removed from the donor substrate is disposed to face the organic EL film of the donor substrate. The

本発明の一態様では、ドナー基板のドライクリーニングを行うときに、回収基板が、有機ＥＬ膜に対向して配置される。そのため、ドナー基板から除去された有機ＥＬ膜の形成材料における少なくとも一部が、回収基板に付着する。それゆえに、ドナー基板による転写に用いられなかった有機ＥＬ膜の形成材料に対して再精製を行うことができるようになる。   In one embodiment of the present invention, when performing dry cleaning of the donor substrate, the recovery substrate is disposed to face the organic EL film. Therefore, at least a part of the organic EL film forming material removed from the donor substrate adheres to the recovery substrate. Therefore, re-purification can be performed on the material for forming the organic EL film that has not been used for transfer by the donor substrate.

本発明の一態様は、前記回収基板は透明基板であり、前記ドライクリーニング室には、前記回収基板を冷却する冷却部と、前記回収基板を介して前記有機ＥＬ膜に光を照射する照射部とが設けられ、前記ドナー基板がドライクリーニングされるときには、前記冷却部によって前記回収基板が冷却されつつ、前記有機ＥＬ膜が照射された前記光によって加熱される。   In one embodiment of the present invention, the recovery substrate is a transparent substrate, and in the dry cleaning chamber, a cooling unit that cools the recovery substrate, and an irradiation unit that irradiates the organic EL film with light through the recovery substrate When the donor substrate is dry-cleaned, the recovery substrate is cooled by the cooling unit, and the organic EL film is heated by the irradiated light.

本発明の一態様では、照射部から出力された光をドナー基板の加熱に用いるとともに、透明な回収基板を介して有機ＥＬ膜に光を照射するようにしている。そのため、ドナー基板から除去された有機ＥＬ膜の形成材料が、照射部に付着することを抑えられる。それゆえに、照射部の汚染が抑えられるとともに、回収基板による上記形成材料の回収率を、照射部への付着が抑えられる分だけ高めることができる。   In one embodiment of the present invention, the light output from the irradiation unit is used for heating the donor substrate, and the organic EL film is irradiated with light through the transparent recovery substrate. Therefore, the organic EL film forming material removed from the donor substrate can be prevented from adhering to the irradiated portion. Therefore, contamination of the irradiation part can be suppressed, and the recovery rate of the forming material by the recovery substrate can be increased by an amount that can prevent adhesion to the irradiation part.

ここで、回収基板を介して有機ＥＬ膜に対して光を照射すると、加熱の対象である有機ＥＬ膜ばかりでなく、回収基板までもが加熱されてしまうことになる。これにより、一旦回収基板に付着した上記形成材料が、回収基板を脱離して、再びドナー基板に付着してしまうおそれがある。この点、上記一態様によれば、回収基板を冷却部によって冷却しつつ、有機ＥＬ膜への光の照射を行うようにしているため、上記形成材料が、再びドナー基板に付着することを抑えられる。   Here, when the organic EL film is irradiated with light through the recovery substrate, not only the organic EL film that is the object of heating, but also the recovery substrate is heated. As a result, the forming material that has once adhered to the recovery substrate may be detached from the recovery substrate and adhere to the donor substrate again. In this respect, according to the above aspect, since the organic EL film is irradiated with light while the recovery substrate is cooled by the cooling unit, the formation material is prevented from adhering to the donor substrate again. It is done.

本発明の一態様は、前記回収基板が、前記回収基板に付着した前記有機ＥＬ膜の形成材料が、該回収基板から脱離しない温度にまで前記冷却部によって冷却される。
本発明の一態様では、回収基板に一旦付着した形成材料が、該回収基板から脱離しない温度にまで冷却される。そのため、ドナー基板から脱離した形成材料の回収率が高められるとともに、形成材料が、一旦ドライクリーニングされたドナー基板に対して再付着することを抑えられる。 In one embodiment of the present invention, the recovery substrate is cooled by the cooling unit to a temperature at which the formation material of the organic EL film attached to the recovery substrate does not desorb from the recovery substrate.
In one embodiment of the present invention, the forming material once attached to the recovery substrate is cooled to a temperature at which it does not desorb from the recovery substrate. Therefore, the recovery rate of the forming material detached from the donor substrate can be increased, and the forming material can be prevented from reattaching to the donor substrate once dry-cleaned.

本発明の一態様は、前記転写ユニットが、複数の前記回収基板が収められるストック室を更に備える。
本発明の一態様では、複数の回収基板が収められるストック室を備えている。そのため、回収基板をストックするための空間を別途用意せずとも、有機ＥＬ膜の形成材料が付着した複数の回収基板を収めておくことができる。 In one aspect of the present invention, the transfer unit further includes a stock chamber in which a plurality of the collection substrates are stored.
In one embodiment of the present invention, a stock chamber is provided in which a plurality of collection substrates are stored. Therefore, a plurality of recovery substrates to which the organic EL film forming material is attached can be stored without separately preparing a space for stocking the recovery substrates.

本発明の一態様は、前記転写ユニットが、ドライクリーニング後の前記ドナー基板を検査する検査室を更に備え、ドライクリーニング後の前記ドナー基板における前記有機ＥＬ膜の残部が所定量以下となるまで、前記ドナー基板に対するドライクリーニングを繰り返し行う。   In one aspect of the present invention, the transfer unit further includes an inspection chamber that inspects the donor substrate after dry cleaning, until the remaining portion of the organic EL film in the donor substrate after dry cleaning is equal to or less than a predetermined amount. Dry cleaning is repeatedly performed on the donor substrate.

本発明の一態様では、ドライクリーニング後のドナー基板を検査する検査室を備えるとともに、ドナー基板に付着している有機ＥＬ膜の残部が所定量以下となるまで、ドナー基板に対するドライクリーニングを繰り返し行うようにしている。そのため、ドナー基板に対するドライクリーニングがより確実に行われるようになる。それゆえに、クリーニング後に形成された有機ＥＬ膜の量及び膜質にばらつきが生じにくくなり、ひいては、素子基板に形成された発光層の特性におけるばらつきを抑えることができる。   In one embodiment of the present invention, an inspection room for inspecting a donor substrate after dry cleaning is provided, and dry cleaning is repeatedly performed on the donor substrate until the remaining amount of the organic EL film attached to the donor substrate becomes a predetermined amount or less. I am doing so. Therefore, the dry cleaning for the donor substrate can be performed more reliably. Therefore, variations in the amount and quality of the organic EL film formed after cleaning are less likely to occur, and consequently variations in the characteristics of the light emitting layer formed on the element substrate can be suppressed.

本発明の一態様は、有機ＥＬデバイスの製造方法が、ドナー基板に有機ＥＬ膜を形成する成膜工程と、前記有機ＥＬ膜の一部を前記ドナー基板から素子基板に転写する転写工程と、前記ドナー基板から前記有機ＥＬ膜の残部を除去するドライクリーニング工程とを有し、前記成膜工程、前記転写工程、及び前記ドライクリーニング工程の間では、この順に各工程が進行することに伴って、前記ドナー基板を環状に搬送する環状搬送工程を更に有し、前記成膜工程、前記転写工程、前記ドライクリーニング工程、及び前記環状搬送工程を繰り返し行う。   One embodiment of the present invention is a method of manufacturing an organic EL device, in which a film forming step of forming an organic EL film on a donor substrate, a transfer step of transferring a part of the organic EL film from the donor substrate to the element substrate, A dry cleaning process for removing the remaining portion of the organic EL film from the donor substrate, and each process proceeds in this order between the film forming process, the transfer process, and the dry cleaning process. And an annular transfer step of transferring the donor substrate in an annular shape, and the film formation step, the transfer step, the dry cleaning step, and the annular transfer step are repeated.

本発明の一態様では、転写後のドナー基板に付着した有機ＥＬ膜の残部をドライクリーニングにて除去するとともに、同一のドナー基板に対して成膜、転写、及びドライクリーニングの各処理をこの順に繰り返すようにしている。そのため、上述した洗浄液を用いたクリーニングのように、ドナー基板の乾燥、真空雰囲気への再搬入等、ドナー基板に形成された有機ＥＬ膜の除去以外の処理を行わずともドナー基板の再利用が可能になることから、ドナー基板を再利用する際の効率を高めることができる。   In one embodiment of the present invention, the remaining portion of the organic EL film attached to the donor substrate after transfer is removed by dry cleaning, and film formation, transfer, and dry cleaning processes are performed in this order on the same donor substrate. I try to repeat it. Therefore, the donor substrate can be reused without performing a process other than removal of the organic EL film formed on the donor substrate, such as drying of the donor substrate and re-loading into the vacuum atmosphere, as in the cleaning using the cleaning liquid described above. Since this becomes possible, the efficiency at the time of reusing a donor substrate can be improved.

本発明の一態様は、前記素子基板を前記転写工程のために搬入する搬入工程と、前記素子基板を前記転写工程から搬出する搬出工程と、前記搬入工程、前記転写工程、及び前記搬出工程の間では、この順に各工程が進行することに伴って、前記素子基板を一つの方向に搬送する転写搬送工程とを更に有する。   One aspect of the present invention includes a carry-in process for carrying in the element substrate for the transfer process, a carry-out process for carrying out the element substrate from the transfer process, the carry-in process, the transfer process, and the carry-out process. In the meantime, as each process proceeds in this order, the process further includes a transfer transport process for transporting the element substrate in one direction.

本発明の一態様では、素子基板の搬入工程と、転写工程と、同素子基板を搬出する搬出工程との間で、素子基板が一つの方向に搬送される。つまり、ドナー基板と、素子基板とが、各別の搬送経路に沿って搬送されることから、ドナー基板を再利用する際の搬送、すなわち、ドナー基板の再利用にかかわる工程の進行が、素子基板の搬送によって影響されにくくなる。したがって、ドナー基板を再利用する際の効率を高めることができる。   In one embodiment of the present invention, an element substrate is transported in one direction between an element substrate carry-in process, a transfer process, and an unloading process for unloading the element substrate. That is, since the donor substrate and the element substrate are transported along different transport paths, the process of transporting the donor substrate when it is reused, that is, the process related to the reuse of the donor substrate, Less susceptible to substrate transport. Therefore, the efficiency when reusing the donor substrate can be increased.

本発明の有機ＥＬデバイスの製造装置を具体化した一実施形態である有機ＥＬデバイス製造装置の全体構成を示す平面図。The top view which shows the whole structure of the organic EL device manufacturing apparatus which is one Embodiment which actualized the manufacturing apparatus of the organic EL device of this invention. 有機ＥＬデバイス製造装置が有する転写ユニットの構成を示す平面図。The top view which shows the structure of the transfer unit which an organic EL device manufacturing apparatus has. 転写ユニットが有する貼り合わせ室、転写室、及び分離室の概略構造を示す概略図。Schematic which shows schematic structure of the bonding chamber which a transfer unit has, a transfer chamber, and a separation chamber. （ａ）（ｂ）緑色用ドナー基板から素子基板への発光層の転写を工程順に示す工程図。(A) (b) Process drawing which shows transfer of the light emitting layer from the donor substrate for green to an element substrate in order of a process. 転写ユニットが有するクリーニング室の概略構造を示す概略図。Schematic which shows the schematic structure of the cleaning chamber which a transfer unit has. 有機ＥＬデバイスの製造方法において行われる処理を処理の対象となる基板毎に示したフローチャート。The flowchart which showed the process performed in the manufacturing method of an organic EL device for every board | substrate used as the object of a process. （ａ）〜（ｆ）転写ユニットにおける緑色用ドナー基板の搬送態様を示す作用図。(A)-(f) The effect | action figure which shows the conveyance aspect of the donor substrate for green in a transfer unit. 他の実施形態における有機ＥＬデバイス製造装置が有する転写ユニットの構成を示す平面図。The top view which shows the structure of the transfer unit which the organic EL device manufacturing apparatus in other embodiment has. ドナー基板に対するクリーニング処理の手順を示すフローチャート。The flowchart which shows the procedure of the cleaning process with respect to a donor substrate. （ａ）（ｂ）従来のドナー基板から素子基板への発光層の転写を工程順に示す工程図。(A) (b) Process drawing which shows transfer of the light emitting layer from the conventional donor substrate to an element substrate in order of a process.

本発明における有機ＥＬデバイスの製造装置、及び有機ＥＬデバイスの製造方法を具体化した一実施形態について、図１〜図９を参照して説明する。
［有機ＥＬデバイスの製造装置］
まず、本発明における有機ＥＬデバイスの製造装置を具体化した一実施形態の全体構成について、図１を参照して説明する。 An embodiment embodying an organic EL device manufacturing apparatus and an organic EL device manufacturing method according to the present invention will be described with reference to FIGS.
[Organic EL device manufacturing equipment]
First, the whole structure of one Embodiment which actualized the manufacturing apparatus of the organic EL device in this invention is demonstrated with reference to FIG.

図１に示されるように、有機ＥＬデバイス製造装置１０は、基板取り付け室１１、ロードロック室１２、陽極側機能層形成部１３、基板反転室１４、緑色発光層転写ユニットＵＧ、赤色発光層転写ユニットＵＲ、基板反転室１５、陰極側機能層形成部１６、電極形成部１７、ロードロック室１８、及び基板取り外し室１９が順に連結されてなる。また、基板取り付け室１１には、トレイ導入室Ｔ１が、ロードロック室１２とは反対側に連結され、基板取り外し室１９には、トレイ導出室Ｔ２が、ロードロック室１８とは反対側に連結されている。トレイ導入室Ｔ１とトレイ導出室Ｔ２とは、トレイ導入室Ｔ１及びトレイ導出室Ｔ２の各々から垂直に延びる短通路と、これら短通路と直交し、且つこれら短通路を繋ぐ長通路とからなるトレイ戻り通路Ｔ３によって連結されている。なお、各処理室等１１〜１９，ＵＧ，ＵＲ，Ｔ１〜Ｔ３の各々は、隣接する処理室等１１〜１９，ＵＧ，ＵＲ，Ｔ１〜Ｔ３とゲートバルブを介して接続されている。   As shown in FIG. 1, the organic EL device manufacturing apparatus 10 includes a substrate mounting chamber 11, a load lock chamber 12, an anode-side functional layer forming unit 13, a substrate inversion chamber 14, a green light emitting layer transfer unit UG, and a red light emitting layer transfer. The unit UR, the substrate reversing chamber 15, the cathode side functional layer forming unit 16, the electrode forming unit 17, the load lock chamber 18, and the substrate removing chamber 19 are sequentially connected. Further, the tray introduction chamber T1 is connected to the substrate mounting chamber 11 on the side opposite to the load lock chamber 12, and the tray removal chamber T2 is connected to the substrate removal chamber 19 on the side opposite to the load lock chamber 18. Has been. The tray introduction chamber T1 and the tray outlet chamber T2 are trays each including a short passage extending perpendicularly from each of the tray introduction chamber T1 and the tray outlet chamber T2, and a long passage perpendicular to the short passage and connecting the short passages. They are connected by a return passage T3. Each of the processing chambers 11 to 19, UG, UR, T1 to T3 is connected to the adjacent processing chambers 11 to 19, UG, UR, T1 to T3 via gate valves.

トレイ導入室Ｔ１は、トレイ戻り通路Ｔ３を介してトレイ導出室Ｔ２から搬送されたトレイＴＲを基板取り付け室１１に搬出する。
基板取り付け室１１は、内部を大気圧雰囲気とした状態で、外部から素子基板Ｓを搬入する。素子基板Ｓは、例えば、支持基板と、支持基板上の各画素領域に、陽極と各画素領域を区画するスペーサとを有している。基板取り付け室１１は、トレイ導出室Ｔ２から搬入されたトレイＴＲにおける所定位置に素子基板Ｓを取り付け、そして、内部を減圧雰囲気とした状態で、素子基板Ｓが取り付けられたトレイＴＲをロードロック室１２に搬出する。 The tray introduction chamber T1 carries out the tray TR conveyed from the tray outlet chamber T2 via the tray return passage T3 to the substrate mounting chamber 11.
The substrate mounting chamber 11 carries the element substrate S from the outside in a state where the inside is in an atmospheric pressure atmosphere. The element substrate S includes, for example, a support substrate and a spacer that partitions each pixel region in each pixel region on the support substrate. The substrate mounting chamber 11 attaches the element substrate S to a predetermined position in the tray TR carried in from the tray lead-out chamber T2, and the load TR chamber attaches the tray TR to which the element substrate S is attached in a state where the inside is in a reduced pressure atmosphere. Carry out to 12.

ロードロック室１２は、内部を基板取り付け室１１よりも減圧した状態で、基板取り付け室１１からトレイＴＲを搬入するとともに、該トレイＴＲを陽極側機能層形成部１３に搬出する。ロードロック室１２は、基板取り付け室１１と陽極側機能層形成部１３との間に配置されることで、陽極側機能層形成部１３内の圧力が変動することを抑える。   The load lock chamber 12 carries in the tray TR from the substrate mounting chamber 11 in a state where the inside thereof is more decompressed than the substrate mounting chamber 11 and carries out the tray TR to the anode-side functional layer forming unit 13. The load lock chamber 12 is arranged between the substrate mounting chamber 11 and the anode-side functional layer forming unit 13, thereby suppressing the pressure in the anode-side functional layer forming unit 13 from fluctuating.

陽極側機能層形成部１３は、正孔注入層形成室１３ａと正孔輸送層形成室１３ｂとを有する。正孔注入層形成室１３ａは、フレームマスクを用いた真空蒸着によって、正孔注入層を素子基板Ｓの陽極上に形成する。正孔注入層は、例えばトリアゾール誘導体等からなる。   The anode-side functional layer forming unit 13 includes a hole injection layer forming chamber 13a and a hole transport layer forming chamber 13b. The hole injection layer forming chamber 13a forms a hole injection layer on the anode of the element substrate S by vacuum deposition using a frame mask. The hole injection layer is made of, for example, a triazole derivative.

正孔輸送層形成室１３ｂは、フレームマスクを用いた真空蒸着によって、正孔輸送層を上記正孔注入層上に形成する。正孔輸送層は、例えばポルフィリン誘導体等からなる。なお、上記正孔注入層形成室１３ａ及び正孔輸送層形成室１３ｂでは、蒸着源が各処理室１３ａ，１３ｂの下方に配置されるとともに、素子基板Ｓは、該素子基板Ｓの陽極形成面を蒸着源側に向けた状態で、蒸着源の上方に配置されている。   The hole transport layer forming chamber 13b forms a hole transport layer on the hole injection layer by vacuum deposition using a frame mask. The hole transport layer is made of, for example, a porphyrin derivative. In the hole injection layer forming chamber 13a and the hole transport layer forming chamber 13b, the vapor deposition source is disposed below the processing chambers 13a and 13b, and the element substrate S is an anode forming surface of the element substrate S. Is disposed above the vapor deposition source in a state of facing the vapor deposition source side.

基板反転室１４は、トレイＴＲ及び素子基板Ｓを反転させる。これにより、素子基板Ｓは、該素子基板Ｓの陽極形成面が、基板反転室１４の底面側を向いた状態から、基板反転室１４の上面側を向いた状態になる。   The substrate inversion chamber 14 inverts the tray TR and the element substrate S. As a result, the element substrate S changes from the state in which the anode forming surface of the element substrate S faces the bottom surface side of the substrate inversion chamber 14 to the upper surface side of the substrate inversion chamber 14.

緑色発光層転写ユニットＵＧは、レーザ光等の光を用いた熱転写によって、有機ＥＬ膜である緑色発光層を所定の画素領域の正孔輸送層上に選択的に形成する。赤色発光層転写ユニットＵＲは、上記緑色発光層転写ユニットＵＧと同様、レーザ光等の光を用いた熱転写によって、有機ＥＬ膜である赤色発光層を所定の画素領域の正孔輸送層上に形成する。なお、赤色発光層は、上記緑色発光層が形成されなかった画素領域に対して選択的に転写される。   The green light emitting layer transfer unit UG selectively forms a green light emitting layer, which is an organic EL film, on a hole transport layer in a predetermined pixel region by thermal transfer using light such as laser light. As with the green light emitting layer transfer unit UG, the red light emitting layer transfer unit UR forms a red light emitting layer, which is an organic EL film, on the hole transport layer in a predetermined pixel region by thermal transfer using light such as laser light. To do. The red light emitting layer is selectively transferred to the pixel region where the green light emitting layer is not formed.

基板反転室１５は、上記基板反転室１４と同様、トレイＴＲ及び素子基板Ｓを反転させる。これにより、素子基板Ｓは、該素子基板Ｓの陽極形成面が、基板反転室１５の上面側を向いた状態から、基板反転室１５の底面側を向いた状態になる。こうした基板反転室１４，１５を設けることにより、素子基板Ｓに対する真空蒸着を用いた各種膜の形成と、転写による発光層の形成とが可能になる。   The substrate reversing chamber 15 reverses the tray TR and the element substrate S, like the substrate reversing chamber 14. As a result, the element substrate S changes from the state in which the anode forming surface of the element substrate S faces the upper surface side of the substrate reversing chamber 15 to the bottom surface side of the substrate reversing chamber 15. By providing the substrate reversal chambers 14 and 15, it is possible to form various films using vacuum deposition on the element substrate S and to form a light emitting layer by transfer.

陰極側機能層形成部１６は、青色発光層形成室１６ａ、電子輸送層形成室１６ｂ、及び電子注入層形成室１６ｃとを有する。青色発光層形成室１６ａは、フレームマスクを用いた真空蒸着によって、青色発光層を素子基板Ｓの表面全体に形成する。青色発光層は、上記画素領域の全てを覆うように形成される。青色発光層は、例えば、４，４−ビス［２−｛４−（Ｎ，Ｎ−ジフェニルアミノ）フェニル｝ビニル］ビフェニル（ＤＰＡＶＢｉ）等からなる。   The cathode-side functional layer forming unit 16 includes a blue light emitting layer forming chamber 16a, an electron transport layer forming chamber 16b, and an electron injection layer forming chamber 16c. The blue light emitting layer forming chamber 16a forms a blue light emitting layer on the entire surface of the element substrate S by vacuum deposition using a frame mask. The blue light emitting layer is formed so as to cover the entire pixel region. The blue light emitting layer is made of, for example, 4,4-bis [2- {4- (N, N-diphenylamino) phenyl} vinyl] biphenyl (DPAVBi).

電子輸送層形成室１６ｂは、フレームマスクを用いた真空蒸着によって、青色発光層の全体を覆うように電子輸送層を形成する。電子輸送層は、例えばオキサジアゾール誘導体からなる。電子注入層形成室１６ｃは、フレームマスクを用いた真空蒸着によって、電子輸送層上に電子注入層を形成する。電子注入層は、例えばフッ化リチウムからなる。   The electron transport layer forming chamber 16b forms an electron transport layer so as to cover the entire blue light emitting layer by vacuum deposition using a frame mask. The electron transport layer is made of, for example, an oxadiazole derivative. The electron injection layer forming chamber 16c forms an electron injection layer on the electron transport layer by vacuum deposition using a frame mask. The electron injection layer is made of, for example, lithium fluoride.

電極形成部１７は、陰極形成室１７ａと透明電極形成室１７ｂとを有する。陰極形成室１７ａは、フレームマスクを用いた真空蒸着によって、電子輸送層及び電子注入層の全体を覆うように陰極を形成する。陰極は、例えばマグネシウムと銀との積層膜からなる。透明電極形成室１７ｂは、スパッタ法によって、陰極の全体を覆うように透明電極を形成する。透明電極は、例えばインジウム亜鉛酸化物からなる。   The electrode forming portion 17 has a cathode forming chamber 17a and a transparent electrode forming chamber 17b. The cathode forming chamber 17a forms a cathode so as to cover the entire electron transport layer and electron injection layer by vacuum deposition using a frame mask. The cathode is made of, for example, a laminated film of magnesium and silver. The transparent electrode forming chamber 17b forms a transparent electrode so as to cover the entire cathode by sputtering. The transparent electrode is made of, for example, indium zinc oxide.

ロードロック室１８は、透明電極形成室１７ｂからトレイＴＲを搬入するとともに、該トレイＴＲを基板取り外し室１９に搬出する。ロードロック室１８は、透明電極形成室１７ｂと基板取り外し室１９との間に配置されることで、透明電極形成室１７ｂ内の圧力が変動することを抑える。   The load lock chamber 18 carries in the tray TR from the transparent electrode forming chamber 17 b and carries out the tray TR into the substrate removal chamber 19. The load lock chamber 18 is disposed between the transparent electrode formation chamber 17b and the substrate removal chamber 19, thereby suppressing the pressure in the transparent electrode formation chamber 17b from fluctuating.

基板取り外し室１９は、内部を減圧雰囲気とした状態で、トレイＴＲから素子基板Ｓを取り外すとともに、トレイＴＲをトレイ導出室Ｔ２に搬出する。また、基板取り外し室１９は、内部を大気圧雰囲気とした状態で、素子基板Ｓを有機ＥＬデバイス製造装置１０から搬出する。なお、搬出された素子基板Ｓには、例えば封止工程、及びカラーフィルタ基板の取り付け工程等が行われることで、有機ＥＬデバイスが完成する。   The substrate removal chamber 19 removes the element substrate S from the tray TR in a state where the inside is in a reduced pressure atmosphere, and carries the tray TR out to the tray lead-out chamber T2. Further, the substrate removal chamber 19 carries out the element substrate S from the organic EL device manufacturing apparatus 10 in a state where the inside is an atmospheric pressure atmosphere. In addition, an organic EL device is completed by performing the sealing process, the attachment process of a color filter board | substrate, etc., for example to the unloaded element substrate S.

トレイ導出室Ｔ２は、トレイＴＲをトレイ戻り通路Ｔ３に搬出する。これにより、トレイＴＲが、トレイ導入室Ｔ１にまで搬送されることで、有機ＥＬデバイス製造装置１０内での素子基板Ｓの搬送に再び用いられる。   The tray outlet chamber T2 carries out the tray TR to the tray return passage T3. Accordingly, the tray TR is transported to the tray introduction chamber T1, and is used again for transporting the element substrate S in the organic EL device manufacturing apparatus 10.

なお、有機ＥＬデバイスの製造が行われるときには、２つのロードロック室１２，１８によって挟まれた各処理室１３〜１７の内部は、該ロードロック室１２，１８と同程度に減圧された真空雰囲気に維持されている。また、同各処理室１３〜１７では、搬入されたトレイＴＲを一旦停止した状態にて、素子基板Ｓに対する各種処理を施した後、トレイＴＲを再び搬送することで次の処理室１４〜１８に搬出する。   When manufacturing the organic EL device, the inside of each of the processing chambers 13 to 17 sandwiched between the two load lock chambers 12 and 18 is a vacuum atmosphere in which the pressure is reduced to the same extent as the load lock chambers 12 and 18. Is maintained. Further, in each of the processing chambers 13 to 17, after various kinds of processing are performed on the element substrate S in a state where the loaded tray TR is temporarily stopped, the next processing chambers 14 to 18 are transported again by transporting the tray TR. To be taken out.

［転写ユニットの構成］
上記緑色発光層転写ユニットＵＧ、及び赤色発光層転写ユニットＵＲの構成について、図２を参照してより詳しく説明する。なお、緑色発光層転写ユニットＵＧと、赤色発光層転写ユニットＵＲとは、有機ＥＬデバイス製造装置１０における配置、処理対象となる素子基板Ｓの状態、及び素子基板Ｓに転写する発光層が異なっている。しかしながら、ドナー基板から素子基板Ｓに対して各発光層を転写する構成、ドナー基板をクリーニングする構成、及びクリーニングされたドナー基板に再び発光層を転写させるための搬送を行う構成については同一である。そのため以下では、緑色発光層転写ユニットＵＧについて説明することで、赤色発光層転写ユニットについての説明に代えることとする。 [Configuration of transfer unit]
The configurations of the green light emitting layer transfer unit UG and the red light emitting layer transfer unit UR will be described in more detail with reference to FIG. The green light emitting layer transfer unit UG and the red light emitting layer transfer unit UR are different in arrangement in the organic EL device manufacturing apparatus 10, the state of the element substrate S to be processed, and the light emitting layer transferred to the element substrate S. Yes. However, the configuration for transferring each light emitting layer from the donor substrate to the element substrate S, the configuration for cleaning the donor substrate, and the configuration for transferring the light emitting layer to the cleaned donor substrate again are the same. . Therefore, in the following description, the green light emitting layer transfer unit UG will be described and replaced with the description of the red light emitting layer transfer unit.

図２に示されるように、緑色発光層転写ユニットＵＧには、トレイＴＲ上に取り付けられた素子基板Ｓと緑色用ドナー基板ＳＧとの貼り合わせを行う貼り合わせ室２１が搭載されている。貼り合わせ室２１は、素子基板Ｓの陽極形成面と緑色用ドナー基板ＳＧに形成された有機ＥＬ膜である転写層とが対向するように、素子基板Ｓと緑色用ドナー基板ＳＧとを貼り合わせる。なお、貼り合わせ室２１が搬入室を構成している。   As shown in FIG. 2, the green light emitting layer transfer unit UG is equipped with a bonding chamber 21 for bonding the element substrate S mounted on the tray TR and the green donor substrate SG. The bonding chamber 21 bonds the element substrate S and the green donor substrate SG so that the anode forming surface of the element substrate S and the transfer layer, which is an organic EL film formed on the green donor substrate SG, face each other. . The bonding chamber 21 constitutes a carry-in chamber.

貼り合わせ室２１には、緑色用ドナー基板ＳＧに形成された転写層を素子基板Ｓに熱転写する転写室２２が、ゲートバルブＧＶを介して連結されている。なお、貼り合わせ室２１における転写室２２の反対側には、上記基板反転室１４が接続されている。   A transfer chamber 22 for thermally transferring a transfer layer formed on the green donor substrate SG to the element substrate S is connected to the bonding chamber 21 via a gate valve GV. The substrate reversing chamber 14 is connected to the opposite side of the transfer chamber 22 in the bonding chamber 21.

転写室２２における上記貼り合わせ室２１の反対側には、素子基板Ｓと緑色用ドナー基板ＳＧとを分離する分離室２３が、ゲートバルブＧＶを介して連結されている。分離室２３は、素子基板Ｓと緑色用ドナー基板ＳＧとを分離させた後、各基板Ｓ，ＳＧを互いに異なる処理室に対して搬出する。なお、分離室２３における転写室２２の反対側には、上記赤色発光層転写ユニットＵＲの貼り合わせ室が接続されている。なお、分離室２３が搬出室を構成している。   A separation chamber 23 for separating the element substrate S and the green donor substrate SG is connected to the opposite side of the bonding chamber 21 in the transfer chamber 22 via a gate valve GV. The separation chamber 23 separates the element substrate S and the green donor substrate SG, and then carries out the substrates S and SG to different processing chambers. Note that a bonding chamber of the red light emitting layer transfer unit UR is connected to the separation chamber 23 on the opposite side of the transfer chamber 22. The separation chamber 23 constitutes a carry-out chamber.

これら貼り合わせ室２１、転写室２２、及び分離室２３は、一つの方向、つまり、有機ＥＬデバイス製造装置１０における素子基板Ｓの搬送方向に一列に連結されている。
貼り合わせ室２１には、転写層形成室２５が、転写層搬送室２４を介して上記一つの方向と直交する方向に連結されている。隣接する処理室２１，２４，２５同士は、ゲートバルブＧＶを介して連結されている。転写層搬送室２４には、転写層搬送ロボット２４Ｒが搭載されている。転写層搬送ロボット２４Ｒは、成膜室としての転写層形成室２５に処理前の緑色用ドナー基板ＳＧを搬送し、処理後の緑色用ドナー基板ＳＧを転写層形成室２５から貼り合わせ室２１に搬送する。 The bonding chamber 21, the transfer chamber 22, and the separation chamber 23 are connected in a line in one direction, that is, the transport direction of the element substrate S in the organic EL device manufacturing apparatus 10.
A transfer layer forming chamber 25 is connected to the bonding chamber 21 via a transfer layer transport chamber 24 in a direction orthogonal to the one direction. Adjacent processing chambers 21, 24, 25 are connected to each other through a gate valve GV. In the transfer layer transfer chamber 24, a transfer layer transfer robot 24R is mounted. The transfer layer transport robot 24R transports the green donor substrate SG before processing to the transfer layer forming chamber 25 as a film forming chamber, and transfers the green donor substrate SG after processing from the transfer layer forming chamber 25 to the bonding chamber 21. Transport.

転写層形成室２５は、該転写層形成室２５の下方に配置された蒸発源から、蒸発源の上方に配置された緑色用ドナー基板ＳＧの一面に対して緑色発光層の形成材料を真空蒸着させ、これにより、転写層を形成する。緑色発光層は、例えばジ（２−ナフチル）アントラセンとクマリン６とからなる。なお、転写層形成室２５が、成膜室を構成している。   In the transfer layer forming chamber 25, a material for forming a green light emitting layer is vacuum-deposited from an evaporation source disposed below the transfer layer forming chamber 25 onto one surface of the green donor substrate SG disposed above the evaporation source. Thus, a transfer layer is formed. The green light emitting layer is made of, for example, di (2-naphthyl) anthracene and coumarin 6. The transfer layer forming chamber 25 constitutes a film forming chamber.

分離室２３には、ドライクリーニング室２７が、クリーニング搬送室２６を介して上記一つの方向と直交する方向に連結されている。隣接する処理室２３，２６，２７同士は、ゲートバルブＧＶを介して連結されている。   A dry cleaning chamber 27 is connected to the separation chamber 23 through a cleaning transfer chamber 26 in a direction orthogonal to the one direction. Adjacent processing chambers 23, 26 and 27 are connected to each other through a gate valve GV.

クリーニング搬送室２６には、クリーニング搬送ロボット２６Ｒが搭載されている。クリーニング搬送ロボット２６Ｒは、ドライクリーニング室２７に処理前の緑色用ドナー基板ＳＧを搬送し、処理後の緑色用ドナー基板ＳＧを上記転写層搬送ロボット２４Ｒに受け渡す。クリーニング搬送室２６は、平面視にて、上記一つの方向に直交する転写室２２の対称軸Ａに対して、上記転写層搬送室２４と線対称となる位置に配置されている。   In the cleaning transfer chamber 26, a cleaning transfer robot 26R is mounted. The cleaning transfer robot 26R transfers the green donor substrate SG before processing to the dry cleaning chamber 27, and delivers the processed green donor substrate SG to the transfer layer transfer robot 24R. The cleaning transfer chamber 26 is arranged at a position that is line-symmetric with the transfer layer transfer chamber 24 with respect to the symmetry axis A of the transfer chamber 22 orthogonal to the one direction in plan view.

ドライクリーニング室２７は、例えばレーザ光を用いた加熱によって、ドナー基板に付着した転写層の残部を取り除く。また、ドライクリーニング室２７は、上記対称軸Ａに対して、上記転写層形成室２５と線対称となる位置に配置されている。   The dry cleaning chamber 27 removes the remaining transfer layer attached to the donor substrate, for example, by heating using laser light. Further, the dry cleaning chamber 27 is disposed at a position that is line-symmetric with the transfer layer forming chamber 25 with respect to the symmetry axis A.

上記２つの搬送室２４，２６間には、搬送ロボット２４Ｒ，２６Ｒ間での緑色用ドナー基板ＳＧの受け渡しを行うための中間搬送室２８が連結されている。中間搬送室２８では、ドライクリーニング後の緑色用ドナー基板ＳＧが、搬送ロボット２６Ｒから上記搬送ロボット２４Ｒに受け渡される。なお、上記各処理室２１〜２３，２５，２７に設けられた基板搬送機構、及び搬送ロボット２４Ｒ，２６Ｒによって、搬送部が構成されている。   Between the two transfer chambers 24 and 26, an intermediate transfer chamber 28 for transferring the green donor substrate SG between the transfer robots 24R and 26R is connected. In the intermediate transfer chamber 28, the green donor substrate SG after dry cleaning is transferred from the transfer robot 26R to the transfer robot 24R. Note that the substrate transport mechanism provided in each of the processing chambers 21 to 23, 25, and 27 and the transport robots 24R and 26R constitute a transport unit.

このように、緑色発光層転写ユニットＵＧの有する転写層形成室２５、転写室２２、及びドライクリーニング室２７は、上記貼り合わせ室２１、分離室２３、及び搬送室２４，２８，２６を介して、この順に環状に連結されている。一方、同緑色発光層転写ユニットＵＧの有する貼り合わせ室２１、転写室２２、及び分離室２３は、この順に一列に連結されている。つまり、こうした緑色発光層転写ユニットＵＧでは、素子基板Ｓが搬送される経路の他に、緑色用ドナー基板ＳＧが搬送される経路を有している。これにより、緑色発光層転写ユニットＵＧでは、転写室２２を介することなく、ドライクリーニング室２７から転写層形成室２５にまで搬送することができる。そのため、素子基板Ｓと他の緑色用ドナー基板ＳＧとに対する転写処理が転写室２２にて行われていたとしても、緑色用ドナー基板ＳＧをドライクリーニング室２７から転写層形成室２５に搬送することができる。これにより、緑色用ドナー基板ＳＧを再利用する際の効率を高めることができる。   As described above, the green light emitting layer transfer unit UG has the transfer layer forming chamber 25, the transfer chamber 22, and the dry cleaning chamber 27 through the bonding chamber 21, the separation chamber 23, and the transfer chambers 24, 28, and 26. In this order, they are connected in a ring shape. On the other hand, the bonding chamber 21, the transfer chamber 22, and the separation chamber 23 included in the green light emitting layer transfer unit UG are connected in a line in this order. That is, the green light emitting layer transfer unit UG has a path for transporting the green donor substrate SG in addition to the path for transporting the element substrate S. Accordingly, the green light emitting layer transfer unit UG can be transported from the dry cleaning chamber 27 to the transfer layer forming chamber 25 without passing through the transfer chamber 22. Therefore, even if the transfer process for the element substrate S and the other green donor substrate SG is performed in the transfer chamber 22, the green donor substrate SG is transferred from the dry cleaning chamber 27 to the transfer layer forming chamber 25. Can do. Thereby, the efficiency at the time of reusing the green donor substrate SG can be increased.

また、こうした構成では、図２に示されるように、貼り合わせ室２１、転写室２２、及び分離室２３における素子基板Ｓに対する処理と、転写層形成室２５及びドライクリーニング室２７における緑色用ドナー基板ＳＧに対する処理とを同時に行うことができる。なお、同図２に示されるように、有機ＥＬデバイス製造装置１０では、貼り合わせ室２１、転写室２２、分離室２３、ドライクリーニング室２７、及び転写層形成室２５の各々において同時に処理を行うことができる。つまり、緑色発光層転写ユニットＵＧでは、５枚のドナー基板に対してそれぞれに異なる処理を同時に行うことができる。   Further, in such a configuration, as shown in FIG. 2, the processing for the element substrate S in the bonding chamber 21, the transfer chamber 22, and the separation chamber 23, and the green donor substrate in the transfer layer forming chamber 25 and the dry cleaning chamber 27. The processing for SG can be performed simultaneously. As shown in FIG. 2, in the organic EL device manufacturing apparatus 10, processing is simultaneously performed in each of the bonding chamber 21, the transfer chamber 22, the separation chamber 23, the dry cleaning chamber 27, and the transfer layer forming chamber 25. be able to. That is, the green light emitting layer transfer unit UG can simultaneously perform different processes on the five donor substrates.

しかも、緑色発光層転写ユニットＵＧでは、緑色用ドナー基板ＳＧへの転写層の形成、素子基板Ｓに対する転写層の転写、及び緑色用ドナー基板ＳＧのドライクリーニングをこの順に繰り返すようにしている。そのため、洗浄液を用いたクリーニングのように、緑色用ドナー基板ＳＧの乾燥、真空雰囲気への再搬入等、緑色用ドナー基板ＳＧに形成された転写層の除去以外の処理を行わずとも、緑色用ドナー基板ＳＧの再利用が可能になることから、緑色用ドナー基板ＳＧを再利用する際の効率を高めることができる。   In addition, in the green light emitting layer transfer unit UG, the formation of the transfer layer on the green donor substrate SG, the transfer of the transfer layer to the element substrate S, and the dry cleaning of the green donor substrate SG are repeated in this order. Therefore, like the cleaning using the cleaning liquid, the green donor substrate SG may be dried, re-loaded into the vacuum atmosphere, etc. without performing a process other than the removal of the transfer layer formed on the green donor substrate SG. Since the donor substrate SG can be reused, the efficiency when the green donor substrate SG is reused can be increased.

また、転写層形成室２５が、貼り合わせ室２１に連結されているとともに、ドライクリーニング室２７が、分離室２３に連結されている。これにより、転写に必要とされる成膜後の緑色用ドナー基板ＳＧが直接貼り合わせ室２１に搬入されるとともに、該貼り合わせ室２１にて素子基板Ｓと緑色用ドナー基板ＳＧとの貼り合わせができる。他方、ドライクリーニングの必要な転写後の緑色用ドナー基板ＳＧは、分離室２３での分離とともに、該分離室２３から直接ドライクリーニング室２７に搬入される。これにより、緑色用ドナー基板ＳＧを再利用する際の効率を高めることができる。   The transfer layer forming chamber 25 is connected to the bonding chamber 21, and the dry cleaning chamber 27 is connected to the separation chamber 23. As a result, the green donor substrate SG after film formation necessary for transfer is directly carried into the bonding chamber 21, and the element substrate S and the green donor substrate SG are bonded in the bonding chamber 21. Can do. On the other hand, the green donor substrate SG after the transfer that needs to be dry-cleaned is directly carried into the dry cleaning chamber 27 from the separation chamber 23 together with the separation in the separation chamber 23. Thereby, the efficiency at the time of reusing the green donor substrate SG can be increased.

上記クリーニング搬送室２６における中間搬送室２８の反対側には、複数の回収基板ＳＣを収容するストック室２９が連結されている。ストック室２９に収められた回収基板ＳＣには、ドライクリーニング室２７にて緑色用ドナー基板ＳＧから除去された転写層の形成材料が付着している。これにより、有機ＥＬデバイス製造装置１０は、回収基板ＳＣをストックするための空間を別途用意せずとも、酸化等の形成材料の変化を抑えつつ、複数の回収基板ＳＣを収めておくことができる。   On the opposite side of the cleaning transfer chamber 26 from the intermediate transfer chamber 28, a stock chamber 29 for accommodating a plurality of recovered substrates SC is connected. The transfer layer forming material removed from the green donor substrate SG in the dry cleaning chamber 27 is attached to the recovery substrate SC stored in the stock chamber 29. Thereby, the organic EL device manufacturing apparatus 10 can store a plurality of recovery substrates SC while suppressing a change in the forming material such as oxidation without separately preparing a space for stocking the recovery substrates SC. .

なお、上述のように、緑色発光層転写ユニットＵＧを構成する各処理室２１〜２９内の圧力は、上記ロードロック室１２，１８と同程度に減圧されている。こうした減圧は、各処理室２１〜２９の各々に連結された図示されない排気部によって行われている。なお、上記転写層搬送室２４、クリーニング搬送室２６、及び中間搬送室２８は、これら３つの搬送室２４，２６，２８に対して一つの排気部が連結されている。排気部は、例えば各種真空ポンプと、真空ポンプの排気流量を調節するバルブとから構成されている。そのため、緑色発光層転写ユニットＵＧでは、処理室２１〜２８によって、一つの真空系が形成されることになる。また、各処理室２１〜２９は、ゲートバルブＧＶによって互いに連通されていない状態とすることができるため、各処理室２１〜２９における処理を、該処理に応じた各異なる圧力条件にて行うことも可能である。   As described above, the pressure in each of the processing chambers 21 to 29 constituting the green light emitting layer transfer unit UG is reduced to the same level as the load lock chambers 12 and 18. Such pressure reduction is performed by an exhaust unit (not shown) connected to each of the processing chambers 21 to 29. The transfer layer transfer chamber 24, the cleaning transfer chamber 26, and the intermediate transfer chamber 28 are connected to one of the three transfer chambers 24, 26, and 28 with one exhaust unit. The exhaust part is composed of, for example, various vacuum pumps and a valve for adjusting the exhaust flow rate of the vacuum pump. Therefore, in the green light emitting layer transfer unit UG, one vacuum system is formed by the processing chambers 21 to 28. Moreover, since each process chamber 21-29 can be made into the state which is not connected mutually by the gate valve GV, the process in each process chamber 21-29 is performed on each different pressure conditions according to this process. Is also possible.

［貼り合わせ室、転写室、及び分離室の構成］
上記貼り合わせ室２１、転写室２２、及び分離室２３について、図３を参照してより詳しく説明する。 [Configuration of bonding chamber, transfer chamber, and separation chamber]
The bonding chamber 21, the transfer chamber 22, and the separation chamber 23 will be described in more detail with reference to FIG.

図３に示されるように、貼り合わせ室２１の底面近傍には、トレイＴＲ及び素子基板Ｓを転写室２２側に搬送する基板搬送機構を構成する搬送ローラ２１Ｒが設置されている。上記基板反転室１４から貼り合わせ室２１に対してトレイＴＲが搬入されると、トレイＴＲは、搬送ローラ２１Ｒの回転によって所定の位置にまで搬送され、そして、トレイＴＲは、該搬送ローラ２１Ｒの回転が停止されることで所定の位置にて一旦停止される。   As shown in FIG. 3, in the vicinity of the bottom surface of the bonding chamber 21, a transport roller 21 </ b> R constituting a substrate transport mechanism that transports the tray TR and the element substrate S to the transfer chamber 22 side is installed. When the tray TR is carried into the bonding chamber 21 from the substrate reversing chamber 14, the tray TR is transported to a predetermined position by the rotation of the transport roller 21R, and the tray TR is transported to the transport roller 21R. The rotation is stopped once at a predetermined position by stopping the rotation.

そして、転写層が形成された緑色用ドナー基板ＳＧが貼り合わせ室２１に搬入されると、図示されないアライメント装置によって、上記所定の位置にて停止している素子基板Ｓと緑色用ドナー基板ＳＧとの位置合わせが行われ、その後、素子基板Ｓと緑色用ドナー基板ＳＧとの貼り合わせが行われる。   Then, when the green donor substrate SG on which the transfer layer is formed is carried into the bonding chamber 21, the element substrate S and the green donor substrate SG stopped at the predetermined positions by an alignment device (not shown) After that, the element substrate S and the green donor substrate SG are bonded to each other.

素子基板Ｓと緑色用ドナー基板ＳＧとが貼り合わせられると、上記搬送ローラ２１Ｒが再び回転することで、トレイＴＲが、ゲートバルブＧＶを介して貼り合わせ室２１から転写室２２へ搬出される。   When the element substrate S and the green donor substrate SG are bonded together, the transport roller 21R is rotated again, whereby the tray TR is transferred from the bonding chamber 21 to the transfer chamber 22 via the gate valve GV.

転写室２２の底面近傍には、貼り合わせ室２１と同様、トレイＴＲを分離室２３側に搬送する基板搬送機構を構成する搬送ローラ２２Ｒが設置されている。また、転写室２２の上方には、転写層を加熱するレーザ光照射部３１が設置されている。レーザ光照射部３１は、レーザ光Ｌを出力するレーザ３１ａと、緑色用ドナー基板ＳＧに対して相対的にレーザ３１ａを移動させる移動部３１ｂとを有する。レーザ３１ａは、緑色用ドナー基板ＳＧにおける転写層が形成されていない面側からレーザ光Ｌを照射することで、上述した光熱変換層を介して転写層を加熱する。また、移動部３１ｂは、転写室２２内におけるトレイＴＲの搬送方向の一端から他端まで移動することができ、且つ、転写室２２内における上記搬送方向とは直交する方向の一端から他端まで移動することもできる。   Near the bottom surface of the transfer chamber 22, similarly to the bonding chamber 21, a transport roller 22 </ b> R that constitutes a substrate transport mechanism that transports the tray TR to the separation chamber 23 side is installed. Further, a laser beam irradiation unit 31 for heating the transfer layer is provided above the transfer chamber 22. The laser beam irradiation unit 31 includes a laser 31a that outputs a laser beam L and a moving unit 31b that moves the laser 31a relative to the green donor substrate SG. The laser 31a irradiates the laser light L from the surface side of the green donor substrate SG where the transfer layer is not formed, thereby heating the transfer layer via the above-described photothermal conversion layer. The moving unit 31b can move from one end to the other end in the transfer direction of the tray TR in the transfer chamber 22, and from one end to the other end in the direction perpendicular to the transfer direction in the transfer chamber 22. It can also be moved.

転写室２２内では、トレイＴＲが、所定の速度にて転写室２２内を搬送されている間に、レーザ３１ａからのレーザ光Ｌの照射が行われる。なお、トレイＴＲの搬送速度、つまり、搬送ローラ２２Ｒの回転速度は、素子基板Ｓに対して転写される領域の大きさ、該領域に含まれる転写層の量、転写層の目標加熱温度、及び、レーザ光Ｌの強度等によって決定される。   In the transfer chamber 22, the laser beam L is emitted from the laser 31 a while the tray TR is being conveyed in the transfer chamber 22 at a predetermined speed. Note that the conveyance speed of the tray TR, that is, the rotation speed of the conveyance roller 22R depends on the size of the area transferred to the element substrate S, the amount of transfer layer included in the area, the target heating temperature of the transfer layer, and It is determined by the intensity of the laser beam L and the like.

素子基板Ｓに対する転写層の転写が行われるときには、緑色用ドナー基板ＳＧに対してレーザ光照射部３１が相対移動することによって、緑色用ドナー基板ＳＧにおけるレーザ光照射部３１に対向する面の全体に対してレーザ光Ｌの照射が行われる。   When the transfer layer is transferred to the element substrate S, the entire surface of the green donor substrate SG facing the laser light irradiation unit 31 is moved by the relative movement of the laser light irradiation unit 31 to the green donor substrate SG. Is irradiated with the laser beam L.

ここで、上記素子基板Ｓ及び緑色用ドナー基板ＳＧの構造と、緑色用ドナー基板ＳＧから素子基板Ｓへの転写とについて、図４を参照してより詳しく説明する。
図４（ａ）に示されるように、素子基板Ｓの基材である支持基板４１上には、上記素子基板Ｓと同様、画素領域を規定する格子状のスペーサ４２が形成され、スペーサ４２によって囲まれた複数の画素領域の各々には、陽極４３、正孔注入層４４、及び正孔輸送層４５が、この順に積層されている。 Here, the structure of the element substrate S and the green donor substrate SG and the transfer from the green donor substrate SG to the element substrate S will be described in more detail with reference to FIG.
As shown in FIG. 4A, on the support substrate 41 that is the base material of the element substrate S, a lattice-like spacer 42 that defines a pixel region is formed as in the case of the element substrate S. In each of the surrounded pixel regions, an anode 43, a hole injection layer 44, and a hole transport layer 45 are stacked in this order.

一方、緑色用ドナー基板ＳＧの基材である透明基板５１には、緑色発光層を成膜する画素領域と向い合う位置を除く領域に、反射層５２が形成されている。透明基板５１は、例えばガラス基板からなり、反射層５２は、例えばアルミニウム、銀、金、白金、イリジウムの単体、あるいは、これらの合金からなる。   On the other hand, a reflective layer 52 is formed on the transparent substrate 51, which is a base material of the green donor substrate SG, in a region excluding a position facing a pixel region where a green light emitting layer is formed. The transparent substrate 51 is made of, for example, a glass substrate, and the reflective layer 52 is made of, for example, a single substance of aluminum, silver, gold, platinum, iridium, or an alloy thereof.

透明基板５１上には、光熱変換層５３が、透明基板５１における上記画素領域と互いに向かい合う位置を埋め込み、且つ、反射層５２上を覆うように形成されている。光熱変換層５３は、レーザ光を熱量に変換するタングステン、モリブデン、タンタル、チタン、クロム、炭素の単体、あるいは、これらの合金から形成されている。また、光熱変換層５３は、上記単体及び合金の単層膜であってもよいし、積層膜であってもよい。光熱変換層５３の積層膜は、例えば、モリブデン層と炭素層とがこの順に透明基板５１に対して積層された積層膜や、チタン層とモリブデン層とがこの順に透明基板５１に対して積層された積層膜である。   On the transparent substrate 51, a photothermal conversion layer 53 is formed so as to embed a position facing the pixel region on the transparent substrate 51 and to cover the reflective layer 52. The photothermal conversion layer 53 is made of tungsten, molybdenum, tantalum, titanium, chromium, carbon alone, or an alloy thereof that converts laser light into heat. The light-to-heat conversion layer 53 may be a single layer film of the above simple substance or alloy, or may be a laminated film. The laminated film of the photothermal conversion layer 53 is, for example, a laminated film in which a molybdenum layer and a carbon layer are laminated in this order on the transparent substrate 51, or a titanium layer and a molybdenum layer are laminated in this order on the transparent substrate 51. Laminated film.

なお、上記反射層５２と光熱変換層５３との各々が、上述したいずれの材料からなる場合であっても、照射されたレーザ光に占める反射されるレーザ光の割合は、光熱変換層５３よりも反射層５２において大きくなる。   Note that, even if each of the reflective layer 52 and the photothermal conversion layer 53 is made of any of the materials described above, the ratio of the reflected laser light to the irradiated laser light is greater than that of the photothermal conversion layer 53. Is also increased in the reflective layer 52.

光熱変換層５３上には、保護層５４が、光熱変換層５３の全体を覆うように形成されている。保護層５４は、例えば酸化ケイ素、酸化アルミニウム、酸化マグネシウム、酸化亜鉛、酸化チタン、フッ化リチウム、フッ化マグネシウム、炭化ケイ素等のレーザ光を透過する材料からなる。保護層５４上には、有機ＥＬ材料からなる緑色転写層５５が積層されている。   A protective layer 54 is formed on the photothermal conversion layer 53 so as to cover the entire photothermal conversion layer 53. The protective layer 54 is made of a material that transmits laser light, such as silicon oxide, aluminum oxide, magnesium oxide, zinc oxide, titanium oxide, lithium fluoride, magnesium fluoride, and silicon carbide. On the protective layer 54, a green transfer layer 55 made of an organic EL material is laminated.

保護層５４は、緑色用ドナー基板ＳＧがドライクリーニングされる際に、光熱変換層５３に対してレーザ光が直接照射されることを防ぐ。これにより、光熱変換層５３が、レーザ光の照射によって変形することや消耗することが抑えられる。また、保護層５４は、緑色用ドナー基板ＳＧに対する貼り合わせ、分離、及び搬送等の機械的な操作が繰り返し行われることで、光熱変換層５３が変形すること等を抑える。また、保護層５４によれば、光熱変換層５３と緑色転写層５５とが直に接しないことから、光熱変換層５３と緑色転写層５５との反応を避けることができる。   The protective layer 54 prevents the light-to-heat conversion layer 53 from being directly irradiated with laser light when the green donor substrate SG is dry cleaned. Thereby, it is possible to suppress the photothermal conversion layer 53 from being deformed or consumed by the irradiation of the laser beam. Moreover, the protective layer 54 suppresses deformation | transformation of the photothermal conversion layer 53 etc. by repeating mechanical operation, such as bonding, isolation | separation, and conveyance with respect to the donor substrate SG for green. Further, according to the protective layer 54, the photothermal conversion layer 53 and the green transfer layer 55 are not in direct contact with each other, so that the reaction between the photothermal conversion layer 53 and the green transfer layer 55 can be avoided.

加えて、保護層５４として、例えば上記酸化ケイ素や酸化アルミニウム等を選択した場合、透明基板５１と、反射層５２及び光熱変換層５３からなる金属層とにおける熱膨張係数の差により、レーザ光の加熱によって緑色用ドナー基板ＳＧが変形することを抑えられる。なお、保護層５４の形成材料として、該金属層と透明基板５１との熱膨張係数の差よりも、保護層５４と透明基板５１との熱膨張係数の差が小さくなるような材料を選択すれば、レーザ光の加熱による緑色用ドナー基板ＳＧの変形は、少なからず抑えることができる。   In addition, when, for example, the above-described silicon oxide or aluminum oxide is selected as the protective layer 54, the laser beam is caused by the difference in thermal expansion coefficient between the transparent substrate 51 and the metal layer composed of the reflective layer 52 and the photothermal conversion layer 53. It is possible to prevent the green donor substrate SG from being deformed by heating. Note that a material for forming the protective layer 54 is selected so that the difference in thermal expansion coefficient between the protective layer 54 and the transparent substrate 51 is smaller than the difference in thermal expansion coefficient between the metal layer and the transparent substrate 51. For example, the deformation of the green donor substrate SG due to the heating of the laser light can be suppressed to some extent.

そして、複数の画素領域の各々に対して緑色転写層５５の転写が行われる際には、まず、素子基板Ｓにおける複数の画素領域の各々と、緑色用ドナー基板ＳＧにおける透明基板５１上に直接形成された光熱変換層５３とが互いに向い合うように、上記貼り合わせ室２１にて素子基板Ｓと緑色用ドナー基板ＳＧとが貼り合わせられる。   When the green transfer layer 55 is transferred to each of the plurality of pixel regions, first, each of the plurality of pixel regions in the element substrate S and directly on the transparent substrate 51 in the green donor substrate SG. The element substrate S and the green donor substrate SG are bonded together in the bonding chamber 21 so that the formed photothermal conversion layer 53 faces each other.

次いで、緑色用ドナー基板ＳＧの裏面の全体にレーザ光が照射されることによって、光熱変換層５３が発熱する。このとき、光熱変換層５３だけでなく、反射層５２も少なからず発熱する。しかしながら、反射層５２では、光熱変換層５３と比較して、照射されるレーザ光に占める反射されるレーザ光の割合が相対的に大きいことから、反射層５２の発熱量は、光熱変換層５３の発熱量よりも小さい。そのため、光熱変換層５３における発熱量は、緑色転写層５５の転写を生じさせる熱量となる一方、反射層５２における発熱量は、緑色転写層５５の転写を生じさせない熱量となる。   Next, the photothermal conversion layer 53 generates heat by irradiating the entire back surface of the green donor substrate SG with laser light. At this time, not only the photothermal conversion layer 53 but also the reflective layer 52 generates heat. However, since the ratio of the reflected laser light in the irradiated laser light is relatively large in the reflective layer 52 compared to the photothermal conversion layer 53, the amount of heat generated in the reflective layer 52 is the photothermal conversion layer 53. Less than the calorific value of. Therefore, the amount of heat generated in the light-to-heat conversion layer 53 is the amount of heat that causes the transfer of the green transfer layer 55, while the amount of heat generated in the reflective layer 52 is the amount of heat that does not cause the transfer of the green transfer layer 55.

これにより、図４（ｂ）に示されるように、転写層５５のうちで、透明基板５１に直接形成された光熱変換層５３上の部位のみが選択的に画素領域に転写されることで、素子基板Ｓにおける所定の画素領域に緑色発光層４６が形成される。   As a result, as shown in FIG. 4B, only a portion of the transfer layer 55 on the photothermal conversion layer 53 directly formed on the transparent substrate 51 is selectively transferred to the pixel region. A green light emitting layer 46 is formed in a predetermined pixel region on the element substrate S.

また、図３に示されるように、分離室２３の底面近傍には、上記貼り合わせ室２１と同様、トレイＴＲを赤色発光層転写ユニットＵＲの貼り合わせ室に搬送する基板搬送機構を構成する搬送ローラ２３Ｒが設置されている。転写室２２から分離室２３に対してトレイＴＲが搬入されると、トレイＴＲは、搬送ローラ２３Ｒの回転によって所定の位置まで搬送され、そして、トレイＴＲは、該搬送ローラ２３Ｒの回転が停止されることで所定の位置にて一旦停止される。そして、素子基板Ｓと緑色用ドナー基板ＳＧとの分離が行われる。   As shown in FIG. 3, in the vicinity of the bottom surface of the separation chamber 23, similarly to the bonding chamber 21, a transport that constitutes a substrate transport mechanism that transports the tray TR to the bonding chamber of the red light emitting layer transfer unit UR. A roller 23R is installed. When the tray TR is carried into the separation chamber 23 from the transfer chamber 22, the tray TR is transported to a predetermined position by the rotation of the transport roller 23R, and the rotation of the transport roller 23R is stopped in the tray TR. Thus, it is temporarily stopped at a predetermined position. Then, the element substrate S and the green donor substrate SG are separated.

上述のように、転写室２２におけるトレイＴＲの搬送速度は、転写にかかわる各種の条件による制約を受けるものである。これに対し、貼り合わせ室２１と分離室２３とにおけるトレイＴＲの搬送速度には、こうした制約がない。しかも、貼り合わせ室２１及び分離室２３における搬送速度が高いほど、１枚の素子基板Ｓ当たりの有機ＥＬデバイス製造装置１０の動作時間が短くなる。そのため、本上記有機ＥＬデバイス製造装置１０では、転写室２２内でのトレイＴＲの搬送速度、つまり、搬送ローラ２２Ｒの回転速度よりも、貼り合わせ室２１内及び分離室２３内におけるトレイＴＲの搬送速度、つまり、搬送ローラ２１Ｒ，２３Ｒの回転速度を大きくしている。   As described above, the transport speed of the tray TR in the transfer chamber 22 is restricted by various conditions related to transfer. On the other hand, the transport speed of the tray TR in the bonding chamber 21 and the separation chamber 23 has no such restriction. Moreover, the higher the transfer speed in the bonding chamber 21 and the separation chamber 23, the shorter the operation time of the organic EL device manufacturing apparatus 10 per element substrate S. Therefore, in the organic EL device manufacturing apparatus 10, the tray TR is transported in the bonding chamber 21 and the separation chamber 23 rather than the transport speed of the tray TR in the transfer chamber 22, that is, the rotational speed of the transport roller 22 </ b> R. The speed, that is, the rotation speed of the transport rollers 21R and 23R is increased.

［ドライクリーニング室の構成］
上記ドライクリーニング室２７について、図５を参照してより詳しく説明する。
図５に示されるように、ドライクリーニング室２７の上方には、緑色用ドナー基板ＳＧを保持するドナー基板保持部２７ａが設置されている。緑色用ドナー基板ＳＧの上記保護層５４上には、素子基板Ｓに転写されなかった緑色転写層５５が残っている。緑色用ドナー基板ＳＧは、緑色転写層５５の残る保護層５４をドライクリーニング室２７の底面側に向けて、上記ドナー基板保持部２７ａに保持される。 [Configuration of dry cleaning room]
The dry cleaning chamber 27 will be described in more detail with reference to FIG.
As shown in FIG. 5, a donor substrate holding portion 27 a that holds the green donor substrate SG is installed above the dry cleaning chamber 27. On the protective layer 54 of the green donor substrate SG, the green transfer layer 55 that has not been transferred to the element substrate S remains. The green donor substrate SG is held by the donor substrate holding portion 27 a with the protective layer 54 remaining on the green transfer layer 55 facing the bottom surface side of the dry cleaning chamber 27.

ドナー基板保持部２７ａの下方には、上記緑色転写層５５と対向するように回収基板ＳＣを保持する回収基板保持部２７ｂが設置されている。回収基板ＳＣは、例えばレーザ光Ｌを透過するガラス基板等の透明基板からなる。   Below the donor substrate holding portion 27a, a recovery substrate holding portion 27b that holds the recovery substrate SC so as to face the green transfer layer 55 is provided. The collection substrate SC is made of a transparent substrate such as a glass substrate that transmits the laser light L, for example.

回収基板保持部２７ｂの下方には、照射部としてのレーザ光照射部６１が設置されている。レーザ光照射部６１は、緑色用ドナー基板ＳＧの緑色転写層５５に対して回収基板ＳＣを介してレーザ光Ｌを照射する。レーザ光照射部６１は、レーザ光Ｌを出力するレーザ６１ａと、レーザ６１ａを移動させる移動部６１ｂとを有している。移動部６１ｂは、ドライクリーニング室２７内を移動することによって、緑色用ドナー基板ＳＧに残った緑色転写層５５の全体に対してレーザ光Ｌを照射する。   A laser beam irradiation unit 61 serving as an irradiation unit is installed below the collection substrate holding unit 27b. The laser beam irradiation unit 61 irradiates the green transfer layer 55 of the green donor substrate SG with the laser beam L via the recovery substrate SC. The laser beam irradiation unit 61 includes a laser 61a that outputs a laser beam L and a moving unit 61b that moves the laser 61a. The moving unit 61b moves the inside of the dry cleaning chamber 27 to irradiate the entire green transfer layer 55 remaining on the green donor substrate SG with the laser light L.

保護層５４上に残った緑色転写層５５は、その全体が、該保護層５４を介して上記光熱変換層５３上に形成されている。これにより、緑色転写層５５に対するレーザ光Ｌの照射によって緑色転写層５５が加熱されることに加えて、光熱変換層５３の発熱によって、緑色転写層５５の全体が加熱されるため、緑色転写層５５が緑色用ドナー基板ＳＧから脱離しやすくなる。   The green transfer layer 55 remaining on the protective layer 54 is entirely formed on the photothermal conversion layer 53 via the protective layer 54. Thereby, in addition to the green transfer layer 55 being heated by the irradiation of the laser light L with respect to the green transfer layer 55, the entire green transfer layer 55 is heated by the heat generation of the photothermal conversion layer 53. 55 is easily detached from the green donor substrate SG.

緑色用ドナー基板ＳＧのドライクリーニングを行うときには、回収基板ＳＣが、緑色転写層５５に対向して配置される。そのため、緑色用ドナー基板ＳＧの加熱によって該緑色用ドナー基板ＳＧから脱離した緑色転写層５５の形成材料における大部分が、回収基板ＳＣに付着し、回収基板ＳＣ上に再付着層５５Ａが形成される。それゆえに、緑色用ドナー基板ＳＧによる転写に用いられなかった緑色転写層５５の形成材料に対して再精製を行うことができるようになる。   When dry cleaning of the green donor substrate SG is performed, the recovery substrate SC is disposed to face the green transfer layer 55. Therefore, most of the forming material of the green transfer layer 55 desorbed from the green donor substrate SG by heating the green donor substrate SG adheres to the recovery substrate SC, and a reattachment layer 55A is formed on the recovery substrate SC. Is done. Therefore, re-purification can be performed on the material for forming the green transfer layer 55 that was not used for transfer by the green donor substrate SG.

また、回収基板保持部２７ｂには、該回収基板保持部２７ｂを冷却することで、回収基板ＳＣを冷却する冷却部６２が接続されている。冷却部６２は、例えば、回収基板保持部２７ｂ内に形成された図示されない冷媒通路に対して、一定温度の冷媒を供給する。これにより、冷却部６２は、回収基板保持部２７ｂを介して回収基板ＳＣを冷却する。緑色用ドナー基板ＳＧのドライクリーニングが行われるとき、回収基板ＳＣの温度は、例えば、一旦回収基板ＳＣに付着した緑色転写層５５の形成材料が、回収基板ＳＣから脱離しない温度にまで冷却される。   A cooling unit 62 that cools the recovery substrate SC by cooling the recovery substrate holding unit 27b is connected to the recovery substrate holding unit 27b. For example, the cooling unit 62 supplies a coolant having a constant temperature to a coolant passage (not shown) formed in the recovery substrate holding unit 27b. Thereby, the cooling unit 62 cools the recovery substrate SC through the recovery substrate holding unit 27b. When dry cleaning of the green donor substrate SG is performed, the temperature of the recovery substrate SC is cooled to a temperature at which, for example, the material for forming the green transfer layer 55 once attached to the recovery substrate SC is not detached from the recovery substrate SC. The

緑色転写層５５へのレーザ光Ｌの照射は、回収基板ＳＣを介して行われるため、緑色用ドナー基板ＳＧから脱離した緑色転写層５５の形成材料が、レーザ光照射部６１に付着することを抑えられる。それゆえに、レーザ光照射部６１の汚染を抑えるとともに、回収基板ＳＣによる上記形成材料の回収率を、レーザ光照射部６１への付着が抑えられる分だけ高めることができる。   Since the green transfer layer 55 is irradiated with the laser light L through the recovery substrate SC, the green transfer layer 55 forming material detached from the green donor substrate SG adheres to the laser light irradiation unit 61. Can be suppressed. Therefore, the contamination of the laser beam irradiation unit 61 can be suppressed, and the recovery rate of the forming material by the recovery substrate SC can be increased by the amount that the adhesion to the laser beam irradiation unit 61 is suppressed.

しかも、回収基板ＳＣに一旦付着した形成材料が、該回収基板ＳＣから離れない温度にまで冷却部６２によって回収基板ＳＣを冷却しつつ、緑色転写層５５への光の照射を行うようにしている。そのため、レーザ光Ｌによって回収基板ＳＣが加熱されたとしても、緑色転写層５５の形成材料が、再び緑色用ドナー基板ＳＧに付着することを抑えられる。   Moreover, the green transfer layer 55 is irradiated with light while the forming material once adhered to the recovery substrate SC cools the recovery substrate SC to a temperature that does not leave the recovery substrate SC by the cooling unit 62. . Therefore, even if the recovery substrate SC is heated by the laser light L, the material for forming the green transfer layer 55 can be prevented from adhering to the green donor substrate SG again.

［有機ＥＬデバイス製造装置の作用］
上記有機ＥＬデバイス製造装置１０の作用として、有機ＥＬデバイス製造装置１０の動作の一つである有機ＥＬデバイスの製造にかかわる動作、並びに、有機ＥＬデバイスの製造方法を具体化した一実施形態について、図６及び図７を参照して説明する。なお、図７には、図６にて破線で囲まれた処理が行われる際の、ドナー基板の搬送態様を示している。また、図７にて、ハッチングの付されたドナー基板が、１つのドナー基板の搬送態様を示している。 [Operation of organic EL device manufacturing equipment]
As an operation of the organic EL device manufacturing apparatus 10, an embodiment embodying an operation related to the manufacture of an organic EL device that is one of the operations of the organic EL device manufacturing apparatus 10 and a method of manufacturing the organic EL device, This will be described with reference to FIGS. FIG. 7 shows a donor substrate transport mode when the process surrounded by the broken line in FIG. 6 is performed. Further, in FIG. 7, the hatched donor substrate shows a transport mode of one donor substrate.

図６に示されるように、素子基板Ｓが有機ＥＬデバイス製造装置１０に搬入されると、素子基板Ｓは、上記基板取り付け室１１及びロードロック室１２を介して正孔注入層形成室１３ａにまで搬送される。正孔注入層形成室１３ａにて、素子基板Ｓに対して正孔注入層が形成される（ステップＳ１０１）。正孔注入層が形成されると、素子基板Ｓが正孔輸送層形成室１３ｂに搬入され、そして、素子基板Ｓの正孔注入層上に正孔輸送層が形成される（ステップＳ１０２）。   As shown in FIG. 6, when the element substrate S is carried into the organic EL device manufacturing apparatus 10, the element substrate S is transferred to the hole injection layer forming chamber 13 a via the substrate mounting chamber 11 and the load lock chamber 12. It is conveyed to. In the hole injection layer forming chamber 13a, a hole injection layer is formed on the element substrate S (step S101). When the hole injection layer is formed, the element substrate S is carried into the hole transport layer forming chamber 13b, and a hole transport layer is formed on the hole injection layer of the element substrate S (step S102).

正孔輸送層が形成されると、素子基板Ｓが、基板反転室１４を介して緑色発光層転写ユニットＵＧの貼り合わせ室２１に搬入される。そして、素子基板Ｓと、緑色転写層の形成された緑色用ドナー基板ＳＧとが貼り合わせられる（ステップＳ２０１：成膜工程、ステップＳ１０３）（図７（ａ）（ｂ）参照）。   When the hole transport layer is formed, the element substrate S is carried into the bonding chamber 21 of the green light emitting layer transfer unit UG through the substrate inversion chamber 14. Then, the element substrate S and the green donor substrate SG on which the green transfer layer is formed are bonded together (step S201: film formation step, step S103) (see FIGS. 7A and 7B).

素子基板Ｓと緑色用ドナー基板ＳＧとが貼り合わせられると、素子基板Ｓと緑色用ドナー基板ＳＧとが転写室２２に搬入され（搬入工程）、そして、素子基板Ｓに対して緑色転写層の転写が行われることで、素子基板Ｓ上に緑色発光層が形成される（ステップＳ１０４：転写工程）（図７（ｃ）参照）。   When the element substrate S and the green donor substrate SG are bonded to each other, the element substrate S and the green donor substrate SG are carried into the transfer chamber 22 (a carry-in process), and the green transfer layer is formed on the element substrate S. By performing the transfer, a green light emitting layer is formed on the element substrate S (step S104: transfer process) (see FIG. 7C).

緑色発光層が形成されると、素子基板Ｓと緑色用ドナー基板ＳＧとが分離室２３に搬入され（搬出工程）、そして、素子基板Ｓと緑色用ドナー基板ＳＧとが分離される（ステップＳ１０５）（図７（ｄ）参照）。このうち、緑色用ドナー基板ＳＧは、ドライクリーニング室２７に搬入され、そして、緑色用ドナー基板ＳＧに残った緑色転写層のドライクリーニングが行われる（ステップＳ２０２：ドライクリーニング工程）（図７（ｅ）参照）。このとき、緑色用ドナー基板ＳＧから除去された緑色転写層の形成材料は、緑色用回収基板によって回収される（ステップＳ３０１）。そして、緑色用ドナー基板ＳＧは、ドライクリーニング室２７から搬出された後、再び転写層形成室２５に搬入されることで、該緑色用ドナー基板ＳＧに対する緑色転写層の形成が行われる。   When the green light emitting layer is formed, the element substrate S and the green donor substrate SG are carried into the separation chamber 23 (unloading process), and the element substrate S and the green donor substrate SG are separated (step S105). (See FIG. 7 (d)). Among these, the green donor substrate SG is carried into the dry cleaning chamber 27, and dry cleaning of the green transfer layer remaining on the green donor substrate SG is performed (step S202: dry cleaning step) (FIG. 7 (e)). )reference). At this time, the green transfer layer forming material removed from the green donor substrate SG is recovered by the green recovery substrate (step S301). Then, after the green donor substrate SG is unloaded from the dry cleaning chamber 27, it is loaded again into the transfer layer forming chamber 25, whereby a green transfer layer is formed on the green donor substrate SG.

一方、緑色用回収基板ＳＣは、ストック室２９に収められる（ステップＳ２０１：成膜工程、ステップＳ３０２）（図７（ｆ）参照）。なお、ストック室２９にストックされた緑色用回収基板ＳＣには、例えばストック室２９中に収められた緑色用回収基板ＳＣが所定の枚数になったときに、緑色発光層材料を再精製する処理が行われる（ステップＳ３０３）。なお、上記搬入工程、転写工程、及び搬出工程の間にて、素子基板Ｓを上記一つの方向に搬送される転写搬送工程が行われている。また、上記成膜工程、転写工程、及びドライクリーニング工程の間にて、緑色用ドナー基板ＳＧを環状に搬送する環状搬送工程が行われている。   On the other hand, the green collection substrate SC is stored in the stock chamber 29 (step S201: film forming step, step S302) (see FIG. 7F). The green collection substrate SC stocked in the stock chamber 29 is a process for repurifying the green light emitting layer material when, for example, the predetermined number of green collection substrates SC stored in the stock chamber 29 is reached. Is performed (step S303). In addition, the transfer conveyance process for conveying the element substrate S in the one direction is performed between the carry-in process, the transfer process, and the carry-out process. In addition, an annular transport process for transporting the green donor substrate SG in an annular shape is performed between the film forming process, the transfer process, and the dry cleaning process.

他方、緑色用ドナー基板ＳＧと分離された素子基板Ｓは、赤色発光層転写ユニットＵＲの貼り合わせ室２１に搬入される。そして、素子基板Ｓと、赤色転写層の形成された赤色用ドナー基板ＳＲとが貼り合わせられる（ステップＳ４０１：成膜工程、ステップＳ１０６）（図７（ａ）（ｂ）参照）。   On the other hand, the element substrate S separated from the green donor substrate SG is carried into the bonding chamber 21 of the red light emitting layer transfer unit UR. Then, the element substrate S and the red donor substrate SR on which the red transfer layer is formed are bonded together (step S401: film forming step, step S106) (see FIGS. 7A and 7B).

素子基板Ｓと赤色用ドナー基板ＳＲとが貼り合わせられると、素子基板Ｓと赤色用ドナー基板ＳＲとが転写室２２に搬入され（搬入工程）、そして、素子基板Ｓに対して赤色転写層の転写が行われることで、素子基板Ｓ上に赤色発光層が形成される（ステップＳ１０７：転写工程）（図７（ｃ）参照）。   When the element substrate S and the red donor substrate SR are bonded together, the element substrate S and the red donor substrate SR are carried into the transfer chamber 22 (carrying-in process), and the red transfer layer is formed on the element substrate S. By performing the transfer, a red light emitting layer is formed on the element substrate S (step S107: transfer step) (see FIG. 7C).

赤色発光層が形成されると、素子基板Ｓと赤色用ドナー基板ＳＲとが分離室２３に搬入され（搬出工程）、そして、素子基板Ｓと赤色用ドナー基板ＳＲとが分離される（ステップＳ１０８）（図７（ｄ）参照）。このうち、赤色用ドナー基板ＳＲは、ドライクリーニング室２７に搬入され、そして、赤色用ドナー基板ＳＲに残った赤色転写層のドライクリーニングが行われる（ステップＳ４０２：ドライクリーニング工程）（図７（ｅ）参照）。   When the red light emitting layer is formed, the element substrate S and the red donor substrate SR are carried into the separation chamber 23 (unloading step), and the element substrate S and the red donor substrate SR are separated (step S108). (See FIG. 7 (d)). Among these, the red donor substrate SR is carried into the dry cleaning chamber 27, and dry cleaning of the red transfer layer remaining on the red donor substrate SR is performed (step S402: dry cleaning step) (FIG. 7E). )reference).

このとき、赤色用ドナー基板ＳＲから除去された赤色転写層の形成材料は、赤色用回収基板ＳＣによって回収される（ステップＳ５０１）。そして、赤色用ドナー基板ＳＲは、再び転写層形成室２５に搬入されることで、該赤色用ドナー基板ＳＲに対する赤色転写層の形成が行われる。一方、赤色用回収基板ＳＣは、ストック室２９に収められる（ステップＳ４０１：成膜工程、ステップＳ５０２）（図７（ｆ）参照）。なお、ストック室２９にストックされた赤色用回収基板にＳＣは、例えばストック室２９中に収められた赤色用回収基板ＳＣが所定の枚数になったときに、赤色発光層材料を再精製する処理が行われる（ステップＳ５０３）。   At this time, the red transfer layer forming material removed from the red donor substrate SR is recovered by the red recovery substrate SC (step S501). Then, the red donor substrate SR is carried into the transfer layer forming chamber 25 again, whereby the red transfer layer is formed on the red donor substrate SR. On the other hand, the red collection substrate SC is stored in the stock chamber 29 (step S401: film formation step, step S502) (see FIG. 7F). Note that the SC on the red collection substrate stocked in the stock chamber 29 is a process for repurifying the red light emitting layer material when, for example, the red collection substrate SC contained in the stock chamber 29 reaches a predetermined number. Is performed (step S503).

なお、上記緑色発光層の転写時と同様、上記搬入工程、転写工程、及び搬出工程の間にて、素子基板Ｓが上記一つの方向に搬送される転写搬送工程が行われている。また、上記成膜工程、転写工程、及びドライクリーニング工程の間にて、赤色用ドナー基板ＳＲが環状に搬送される環状搬送工程が行われている。   As in the transfer of the green light emitting layer, a transfer transfer process in which the element substrate S is transferred in the one direction is performed between the carry-in process, the transfer process, and the carry-out process. In addition, an annular transport process in which the red donor substrate SR is transported in an annular shape is performed between the film forming process, the transfer process, and the dry cleaning process.

他方、赤色用ドナー基板ＳＲと分離された素子基板Ｓは、基板反転室１５を介して青色発光層形成室１６ａに搬入され、そして、素子基板Ｓに対して青色発光層が形成される（ステップＳ１０９）。   On the other hand, the element substrate S separated from the red donor substrate SR is carried into the blue light emitting layer forming chamber 16a through the substrate inversion chamber 15, and a blue light emitting layer is formed on the element substrate S (step). S109).

青色発光層が形成されると、素子基板Ｓは、電子輸送層形成室１６ｂに搬入され、そして、素子基板Ｓに対する電子輸送層の形成が行われる（ステップＳ１１０）。電子輸送層が形成されると、素子基板Ｓは、電子注入層形成室１６ｃに搬入され、そして、素子基板Ｓに対して電子注入層が形成される（ステップＳ１１１）。   When the blue light emitting layer is formed, the element substrate S is carried into the electron transport layer forming chamber 16b, and an electron transport layer is formed on the element substrate S (step S110). When the electron transport layer is formed, the element substrate S is carried into the electron injection layer forming chamber 16c, and an electron injection layer is formed on the element substrate S (step S111).

電子注入層が形成されると、素子基板Ｓは、陰極形成室１７ａに搬入され、そして、素子基板Ｓに対して陰極が形成される（ステップＳ１１２）。陰極が形成されると、素子基板Ｓは、透明電極形成室１７ｂに搬入され、そして、素子基板Ｓに対して透明電極が形成される（ステップＳ１１３）。   When the electron injection layer is formed, the element substrate S is carried into the cathode forming chamber 17a, and a cathode is formed on the element substrate S (step S112). When the cathode is formed, the element substrate S is carried into the transparent electrode forming chamber 17b, and a transparent electrode is formed on the element substrate S (step S113).

透明電極が形成されると、素子基板Ｓは、ロードロック室１８及び基板取り外し室１９を介して有機ＥＬデバイス製造装置１０から搬出される。
以上説明したように、上記実施形態によれば、以下に列挙する効果を得ることができる。 When the transparent electrode is formed, the element substrate S is carried out of the organic EL device manufacturing apparatus 10 via the load lock chamber 18 and the substrate removal chamber 19.
As described above, according to the embodiment, the effects listed below can be obtained.

（１）転写後のドナー基板ＳＧ，ＳＲに付着した転写層の残部をドライクリーニングにて除去するとともに、同一のドナー基板ＳＧ，ＳＲに対して成膜、転写、及びドライクリーニングの各処理をこの順に繰り返すようにしている。そのため、上述した洗浄液を用いたクリーニングのように、ドナー基板の乾燥、真空雰囲気への再搬入等、ドナー基板に形成された転写層の除去以外の処理を行わずとも、ドナー基板ＳＧ，ＳＲの再利用が可能になることから、ドナー基板ＳＧ，ＳＲを再利用する際の効率を高めることができる。しかも、成膜室、転写室、及びドライクリーニング室がこの順に環状に連結されているため、ドライクリーニングされたドナー基板ＳＧ，ＳＲに対して再度転写層を形成するときには、転写室２２を介さずにドライクリーニング室２７から転写層形成室２５に向けてドナー基板ＳＧ，ＳＲを搬送することができる。それゆえに、素子基板Ｓと他のドナー基板とに対する転写処理が転写室２２にて行われていたとしても、ドナー基板ＳＧ，ＳＲをドライクリーニング室２７から転写層形成室２５に搬送することができる。こうした構成によっても、ドナー基板ＳＧ，ＳＲを再利用する際の効率を高めることができる。   (1) The remaining transfer layer adhering to the transferred donor substrates SG and SR is removed by dry cleaning, and the film forming, transfer, and dry cleaning processes are performed on the same donor substrates SG and SR. It repeats in order. Therefore, like the cleaning using the cleaning liquid described above, the donor substrates SG and SR can be formed without performing a process other than the removal of the transfer layer formed on the donor substrate, such as drying of the donor substrate and re-loading into the vacuum atmosphere. Since reuse becomes possible, the efficiency at the time of reusing donor substrate SG, SR can be improved. In addition, since the film forming chamber, the transfer chamber, and the dry cleaning chamber are annularly connected in this order, when the transfer layer is formed again on the dry-cleaned donor substrates SG and SR, the transfer chamber 22 is not interposed. In addition, the donor substrates SG and SR can be transported from the dry cleaning chamber 27 toward the transfer layer forming chamber 25. Therefore, even if the transfer process for the element substrate S and another donor substrate is performed in the transfer chamber 22, the donor substrates SG and SR can be transferred from the dry cleaning chamber 27 to the transfer layer forming chamber 25. . Such a configuration can also increase the efficiency in reusing the donor substrates SG and SR.

（２）貼り合わせ室２１に対して転写層形成室２５が連結されるとともに、貼り合わせ室２１では、素子基板Ｓとドナー基板ＳＧ，ＳＲとの貼り合わせが行われる。加えて、分離室２３に対してドライクリーニング室２７が連結されているとともに、分離室２３では、素子基板Ｓとドナー基板ＳＧ，ＳＲとの分離が行われる。そのため、転写に必要とされる成膜後のドナー基板ＳＧ，ＳＲが直接貼り合わせ室２１に搬入されるとともに、該貼り合わせ室２１にて素子基板Ｓとドナー基板ＳＧ，ＳＲとの貼り合わせができる。また、ドライクリーニングの必要な転写後のドナー基板ＳＧ，ＳＲは、分離室２３での分離とともに、該分離室２３から直接ドライクリーニング室２７に搬入される。これにより、ドナー基板ＳＧ，ＳＲを再利用する際の効率を高めることができる。   (2) The transfer layer forming chamber 25 is connected to the bonding chamber 21, and the element substrate S and the donor substrates SG and SR are bonded in the bonding chamber 21. In addition, a dry cleaning chamber 27 is connected to the separation chamber 23, and in the separation chamber 23, the element substrate S and the donor substrates SG and SR are separated. Therefore, the donor substrates SG and SR after film formation necessary for transfer are directly carried into the bonding chamber 21, and the element substrate S and the donor substrates SG and SR are bonded in the bonding chamber 21. it can. Further, the transferred donor substrates SG and SR that require dry cleaning are carried directly from the separation chamber 23 into the dry cleaning chamber 27 together with the separation in the separation chamber 23. Thereby, the efficiency at the time of reusing donor substrate SG, SR can be improved.

（３）ドナー基板ＳＧ，ＳＲのドライクリーニングを行うときに、回収基板ＳＣが、転写層に対向して配置される。そのため、ドナー基板ＳＧ，ＳＲから除去された転写層の形成材料における少なくとも一部が、回収基板ＳＣに付着する。それゆえに、ドナー基板ＳＧ，ＳＲによる転写に用いられなかった転写層の形成材料に対して再精製を行うことができるようになる。   (3) When performing the dry cleaning of the donor substrates SG and SR, the recovery substrate SC is disposed to face the transfer layer. Therefore, at least a part of the transfer layer forming material removed from the donor substrates SG and SR adheres to the recovery substrate SC. Therefore, re-purification can be performed on the material for forming the transfer layer that was not used for transfer by the donor substrates SG and SR.

（４）レーザ光照射部６１から出力されたレーザ光Ｌを緑色用ドナー基板ＳＧの加熱に用いるとともに、透明な回収基板ＳＣを介して転写層にレーザ光Ｌを照射するようにしている。そのため、緑色用ドナー基板ＳＧから除去された緑色転写層５５の形成材料が、レーザ光照射部６１に付着することを抑えられる。それゆえに、レーザ光照射部６１の汚染を抑えるとともに、回収基板ＳＣによる上記形成材料の回収率を、レーザ光照射部６１への付着が抑えられる分だけ高めることができる。   (4) The laser beam L output from the laser beam irradiation unit 61 is used for heating the green donor substrate SG, and the transfer layer is irradiated with the laser beam L via the transparent recovery substrate SC. Therefore, the formation material of the green transfer layer 55 removed from the green donor substrate SG can be prevented from adhering to the laser light irradiation unit 61. Therefore, the contamination of the laser beam irradiation unit 61 can be suppressed, and the recovery rate of the forming material by the recovery substrate SC can be increased by the amount that the adhesion to the laser beam irradiation unit 61 is suppressed.

（５）回収基板ＳＣを冷却部６２によって冷却しつつ、緑色転写層５５へのレーザ光Ｌの照射を行うようにしているため、上記形成材料が、再び緑色用ドナー基板ＳＧに付着することを抑えられる。   (5) Since the green transfer layer 55 is irradiated with the laser light L while the recovery substrate SC is cooled by the cooling unit 62, the formation material adheres to the green donor substrate SG again. It can be suppressed.

（６）回収基板ＳＣに一旦付着した形成材料が、該回収基板ＳＣから脱離しない温度にまで回収基板ＳＣが冷却される。そのため、緑色用ドナー基板ＳＧから脱離した形成材料の回収率が高められるとともに、形成材料が、一旦ドライクリーニングされた緑色用ドナー基板ＳＧに対して再付着することを抑えられる。   (6) The recovery substrate SC is cooled to a temperature at which the forming material once attached to the recovery substrate SC does not desorb from the recovery substrate SC. Therefore, the recovery rate of the forming material detached from the green donor substrate SG is increased, and the forming material can be prevented from reattaching to the green donor substrate SG once dry-cleaned.

（７）複数の回収基板ＳＣが収められる真空雰囲気のストック室２９を備えている。そのため、回収基板ＳＣをストックするための空間を別途用意せずとも、酸化等の形成材料の変化を抑えつつ、複数の回収基板ＳＣを収めておくことができる。   (7) A stock chamber 29 in a vacuum atmosphere in which a plurality of recovery substrates SC are stored is provided. Therefore, a plurality of recovery substrates SC can be stored while suppressing a change in forming material such as oxidation without separately preparing a space for stocking the recovery substrates SC.

なお、上記実施形態は、以下のように適宜変更して実施することができる。
・貼り合わせ室２１に対して転写層形成室２５が連結されるとともに、分離室２３に対してドライクリーニング室２７が連結されるようにした。これに限らず、転写室２２に対して転写層形成室２５とドライクリーニング室２７とが連結されるようにしてもよい。要は、転写層形成室２５、転写室２２、及びドライクリーニング室２７が、この順に環状に連結されていればよい。この場合、転写室２２にて、素子基板Ｓとドナー基板ＳＧ，ＳＲとの貼り合わせ、及び分離が行われるようにすればよい。 In addition, the said embodiment can be changed and implemented suitably as follows.
The transfer layer forming chamber 25 is connected to the bonding chamber 21, and the dry cleaning chamber 27 is connected to the separation chamber 23. Not limited to this, the transfer layer forming chamber 25 and the dry cleaning chamber 27 may be connected to the transfer chamber 22. In short, the transfer layer forming chamber 25, the transfer chamber 22, and the dry cleaning chamber 27 may be connected in an annular shape in this order. In this case, the element substrate S and the donor substrates SG and SR may be bonded and separated in the transfer chamber 22.

・ドナー基板ＳＧ，ＳＲのドライクリーニングを行うときに、ドライクリーニング室２７内に回収基板ＳＣが配置されていなくともよい。こうした構成によっても、ドナー基板ＳＧ，ＳＲのクリーニングを行うことは可能である。   When the donor substrates SG and SR are dry cleaned, the recovery substrate SC may not be disposed in the dry cleaning chamber 27. Even with such a configuration, it is possible to clean the donor substrates SG and SR.

・ドナー基板ＳＧ，ＳＲと回収基板ＳＣとの間にレーザ光照射部６１を配置してもよい。こうした構成によれば、レーザ光照射部６１からのレーザ光Ｌによって回収基板ＳＣが加熱されないことから、回収基板ＳＣに付着した転写層の形成材料が、再びドナー基板ＳＧ，ＳＲに付着することを抑えられる。   A laser beam irradiation unit 61 may be disposed between the donor substrates SG and SR and the recovery substrate SC. According to such a configuration, since the recovery substrate SC is not heated by the laser light L from the laser light irradiation unit 61, the transfer layer forming material attached to the recovery substrate SC is attached to the donor substrates SG and SR again. It can be suppressed.

・回収基板ＳＣを冷却する冷却部６２を割愛してもよい。こうした構成であっても、ドナー基板ＳＧ，ＳＲに対して回収基板ＳＣを対向して配置すれば、ドナー基板ＳＧ，ＳＲから脱離した転写層の形成材料を少なからず回収できる。   The cooling unit 62 that cools the collection substrate SC may be omitted. Even in such a configuration, if the recovery substrate SC is disposed to face the donor substrates SG and SR, the transfer layer forming material detached from the donor substrates SG and SR can be recovered not a little.

・回収基板ＳＣは、付着した転写層の形成材料が、回収基板ＳＣから脱離しない温度にまで冷却されなくともよい。回収基板ＳＣの温度が、脱離しない温度よりも高くとも、冷却部６２による冷却が行われていない場合と比較して、冷却が行われている分だけ、形成材料の回収率が高められ、且つ、形成材料が、ドナー基板ＳＧ，ＳＲに対して再付着することを抑えられる。   The recovery substrate SC may not be cooled to a temperature at which the deposited transfer layer forming material does not desorb from the recovery substrate SC. Even if the temperature of the recovery substrate SC is higher than the temperature at which it does not desorb, compared to the case where the cooling by the cooling unit 62 is not performed, the recovery rate of the forming material is increased by the amount of cooling, In addition, the formation material can be prevented from reattaching to the donor substrates SG and SR.

・ドナー基板ＳＧ，ＳＲのドライクリーニングに際しては、ドナー基板ＳＧ，ＳＲから脱離した転写層の形成材料における少なくとも一部が回収基板ＳＣに付着すればよい。こうした構成であっても、ドナー基板ＳＧ，ＳＲから脱離した転写層の形成材料を少なからず再精製することができる。   In the dry cleaning of the donor substrates SG and SR, at least a part of the transfer layer forming material detached from the donor substrates SG and SR may be attached to the recovery substrate SC. Even with such a configuration, the material for forming the transfer layer detached from the donor substrates SG and SR can be repurified.

・ストック室２９は、クリーニング搬送室２６ではなく、緑色発光層転写ユニットＵＧの備える他の処理室に連結されてもよい。
・有機ＥＬデバイス製造装置１０は、ストック室２９を有しない構成であってもよい。こうした構成によれば、ストック室２９を割愛した分だけ、有機ＥＬデバイス製造装置１０の構成を簡素化し、且つ、設置面積を小さくすることができる。 The stock chamber 29 may be connected not to the cleaning transfer chamber 26 but to another processing chamber provided in the green light emitting layer transfer unit UG.
The organic EL device manufacturing apparatus 10 may not have the stock chamber 29. According to such a configuration, the configuration of the organic EL device manufacturing apparatus 10 can be simplified and the installation area can be reduced by the amount that the stock chamber 29 is omitted.

・緑色発光層転写ユニットＵＧ及び赤色発光層転写ユニットＵＲが、ドライクリーニングされたドナー基板ＳＧ，ＳＲの転写層形成面を検査する検査室７１を有するようにしてもよい。なお、図８には、このうち緑色発光層転写ユニットＵＧを代表して示している。検査室７１には、緑色用ドナー基板ＳＧの転写層形成面の性状を検査するための検査装置、例えば光学式スキャナを有している。また、検査室７１は、ドライクリーニング室２７における上記転写層形成室２５とは反対側に連結されているものの、緑色発光層転写ユニットＵＧの有する他の処理室に連結されてもよい。   The green light emitting layer transfer unit UG and the red light emitting layer transfer unit UR may have an inspection chamber 71 that inspects the transfer layer forming surface of the donor substrates SG and SR that have been dry cleaned. In FIG. 8, the green light emitting layer transfer unit UG is representatively shown. The inspection chamber 71 has an inspection device, for example, an optical scanner, for inspecting the properties of the transfer layer forming surface of the green donor substrate SG. The inspection chamber 71 is connected to the opposite side of the dry cleaning chamber 27 from the transfer layer forming chamber 25, but may be connected to another processing chamber of the green light emitting layer transfer unit UG.

なお、検査室７１を有する場合、緑色用ドナー基板ＳＧのクリーニング処理は、例えば図９に示される手順にて行うことができる。
すなわち、ドナー基板のドライクリーニング処理では、まず、例えば、有機ＥＬデバイス製造装置１０に搭載された制御装置に記憶されたクリーニング回数をリセットすることで、クリーニング回数ｎを０とする（ステップＳ６０１）。クリーニング回数がリセットされると、緑色用ドナー基板ＳＧがドライクリーニング室２７に搬入され、そして、レーザ光Ｌの照射による緑色用ドナー基板ＳＧのドライクリーニングが行われる（ステップＳ６０２、Ｓ６０３）。 In addition, when it has the test | inspection room 71, the cleaning process of the donor substrate SG for green can be performed in the procedure shown, for example in FIG.
That is, in the dry cleaning process of the donor substrate, first, for example, the cleaning number n is reset to 0 by resetting the cleaning number stored in the control device mounted in the organic EL device manufacturing apparatus 10 (step S601). When the number of cleanings is reset, the green donor substrate SG is carried into the dry cleaning chamber 27, and dry cleaning of the green donor substrate SG by irradiation with the laser light L is performed (steps S602 and S603).

ドライクリーニングが終了すると、緑色用ドナー基板ＳＧが検査室７１に搬入され、ドライクリーニングが完了しているか否かの検査が行われる（ステップＳ６０４、Ｓ６０５）。該検査では、例えば、上記光学式スキャナに緑色用ドナー基板ＳＧを走査させることによって緑色転写層５５の付着量を算出し、該付着量が所定の閾値以下であったときにドライクリーニングが完了したものとする。   When the dry cleaning is finished, the green donor substrate SG is carried into the inspection chamber 71, and an inspection is performed as to whether or not the dry cleaning is completed (steps S604 and S605). In the inspection, for example, the adhesion amount of the green transfer layer 55 is calculated by causing the optical scanner to scan the green donor substrate SG, and the dry cleaning is completed when the adhesion amount is equal to or less than a predetermined threshold value. Shall.

ドライクリーニングが完了したときには、緑色用ドナー基板ＳＧが、検査室から搬出され、そして、緑色用ドナー基板ＳＧが、再び転写層形成室２５に搬入される（ステップＳ６０５：ＹＥＳ、ステップＳ６０６）。これに対し、ドライクリーニングが完了しないときには、上記クリーニング回数ｎに対して１を加算して、該クリーニング回数を上記制御装置に記憶させる（ステップＳ６１１）。そして、クリーニング回数がｍ回未満であるときには、緑色用ドナー基板ＳＧが、再びドライクリーニング室２７に搬入される（ステップＳ６１２：ＹＥＳ、ステップＳ６０２）。他方、クリーニング回数がｍ回以上であるときには、緑色用ドナー基板ＳＧを有機ＥＬデバイス製造装置１０から搬出する（ステップＳ６１２：ＮＯ、ステップＳ６１３）。   When the dry cleaning is completed, the green donor substrate SG is unloaded from the inspection chamber, and the green donor substrate SG is loaded again into the transfer layer forming chamber 25 (step S605: YES, step S606). On the other hand, when the dry cleaning is not completed, 1 is added to the cleaning number n, and the cleaning number is stored in the control device (step S611). When the number of cleanings is less than m, the green donor substrate SG is loaded again into the dry cleaning chamber 27 (step S612: YES, step S602). On the other hand, when the number of cleanings is m times or more, the green donor substrate SG is carried out of the organic EL device manufacturing apparatus 10 (step S612: NO, step S613).

こうした構成によれば、以下のような効果を得ることができる。
（８）ドライクリーニング後の緑色用ドナー基板ＳＧの転写層形成面を検査する検査室７１を備えるとともに、緑色用ドナー基板ＳＧに付着している転写層の量が所定量以下となるまで、緑色用ドナー基板ＳＧに対するドライクリーニングを繰り返し行うようにしている。そのため、緑色用ドナー基板ＳＧに対するドライクリーニングがより確実に行われるようになる。それゆえに、ドライクリーニング後に形成された転写層の量及び膜質にばらつきが生じにくくなり、ひいては、素子基板Ｓに形成された発光層の特性におけるばらつきを抑えることができる。 According to such a configuration, the following effects can be obtained.
(8) An inspection chamber 71 for inspecting the transfer layer forming surface of the green donor substrate SG after dry cleaning is provided, and the green color is maintained until the amount of the transfer layer adhering to the green donor substrate SG becomes equal to or less than a predetermined amount. Dry cleaning is repeatedly performed on the donor substrate SG. Therefore, the dry cleaning for the green donor substrate SG is more reliably performed. Therefore, variations in the amount and film quality of the transfer layer formed after dry cleaning are less likely to occur, and as a result, variations in the characteristics of the light emitting layer formed on the element substrate S can be suppressed.

・上記検査室７１に搭載される検査装置は、光学式スキャナに限らず、緑色用ドナー基板ＳＧの表面を検査可能な他の装置として具体化してもよい。
・検査室７１での検査の結果、緑色用ドナー基板ＳＧに付着する緑色用ドナー基板ＳＧの付着量が所定の閾値を超えているときには、上述のようにドライクリーニングを繰り返し行うことに代えて、緑色用ドナー基板ＳＧを新しいドナー基板と交換するようにしてもよい。 The inspection apparatus mounted in the inspection chamber 71 is not limited to the optical scanner, and may be embodied as another apparatus that can inspect the surface of the green donor substrate SG.
As a result of the inspection in the inspection chamber 71, when the adhesion amount of the green donor substrate SG adhering to the green donor substrate SG exceeds a predetermined threshold value, instead of repeatedly performing dry cleaning as described above, The green donor substrate SG may be replaced with a new donor substrate.

・ドナー基板ＳＧ，ＳＲのドライクリーニングが十分でなく、同ドナー基板ＳＧ，ＳＲに対して複数回クリーニング処理を行うときには、ドライクリーニングの回数を重ねる毎に、ドライクリーニングの条件をより転写層が除去されやすい条件に変更するようにしてもよい。   When the donor substrates SG and SR are not sufficiently dry-cleaned and the donor substrates SG and SR are subjected to a cleaning process a plurality of times, the transfer layer removes more dry cleaning conditions each time the dry cleaning is repeated. You may make it change into the conditions easy to be performed.

・正孔注入層と正孔輸送層とを各別の処理室にて形成するようにしたが、同一の処理室にて形成するようにしてもよい。こうした構成によれば、処理室を１つ減らすことができる分だけ、有機ＥＬデバイス製造装置１０の設置面積を小さくすることができる。   Although the hole injection layer and the hole transport layer are formed in separate processing chambers, they may be formed in the same processing chamber. According to such a configuration, the installation area of the organic EL device manufacturing apparatus 10 can be reduced by the amount that one processing chamber can be reduced.

・基板反転室１４，１５は、素子基板Ｓの反転を行うことなく上記各種膜の形成が可能であれば、割愛してもよい。
・青色発光層と電子輸送層とを各別の処理室にて形成するようにしたが、同一の処理室にて形成するようにしてもよい。こうした構成によれば、処理室を１つ減らすことができる分だけ、有機ＥＬデバイス製造装置１０の設置面積を小さくすることができる。 The substrate inversion chambers 14 and 15 may be omitted as long as the various films can be formed without inverting the element substrate S.
Although the blue light emitting layer and the electron transport layer are formed in separate processing chambers, they may be formed in the same processing chamber. According to such a configuration, the installation area of the organic EL device manufacturing apparatus 10 can be reduced by the amount that one processing chamber can be reduced.

・トレイ戻り通路Ｔ３を割愛してもよい。
・緑色発光層転写ユニットＵＧ、赤色発光層転写ユニットＵＲの順で接続し、そして、緑色発光層を形成した後に、赤色発光層を形成するようにしたが、赤色発光層を先に形成するようにしてもよい。 -The tray return passage T3 may be omitted.
The green light emitting layer transfer unit UG and the red light emitting layer transfer unit UR are connected in this order, and after the green light emitting layer is formed, the red light emitting layer is formed, but the red light emitting layer is formed first. It may be.

・青色発光層を形成する青色発光層転写ユニットを有するようにしてもよい。なお、青色発光層転写ユニットは、該転写ユニットの有する転写層形成室にて形成される膜が異なるものの、それ以外の構成は上記緑色発光層転写ユニットＵＧと同様とすることができる。この場合、緑色発光層、赤色発光層、及び青色発光層の形成順序は適宜変更可能である。   -You may make it have a blue light emitting layer transfer unit which forms a blue light emitting layer. The blue light emitting layer transfer unit is different from the film formed in the transfer layer forming chamber of the transfer unit, but other configurations can be the same as the green light emitting layer transfer unit UG. In this case, the order of forming the green light emitting layer, the red light emitting layer, and the blue light emitting layer can be changed as appropriate.

・有機ＥＬデバイス製造装置１０は、上記転写ユニットを少なくとも一つ有していればよい。
・転写ユニットＵＧ，ＵＲでは、５枚のドナー基板に対して同時に処理が行われていなくともよく、５未満の所定枚数のドナー基板に対して処理が行われるようにしてもよい。 -The organic EL device manufacturing apparatus 10 should just have at least one said transfer unit.
In the transfer units UG and UR, the processing may not be performed on five donor substrates at the same time, and the processing may be performed on a predetermined number of donor substrates less than five.

・転写室２２及びドライクリーニング室２７に搭載された光源は、上記レーザ光照射部３１，６１に限らず、例えば各種ランプであってもよい。要は、転写層の熱転写が可能な光源であればよい。   The light source mounted in the transfer chamber 22 and the dry cleaning chamber 27 is not limited to the laser light irradiation units 31 and 61, and may be various lamps, for example. In short, any light source capable of thermal transfer of the transfer layer may be used.

・素子基板Ｓとドナー基板ＳＧ，ＳＲとは、貼り合わせなくともよい。素子基板Ｓの陽極形成面と、ドナー基板ＳＧ，ＳＲの転写層形成面とが対向するように、これらを離間させて配置するようにしてもよい。要は、所望とする位置に転写層の転写が可能となればよい。   The element substrate S and the donor substrates SG and SR may not be bonded. You may make it arrange | position these so that the anode formation surface of element substrate S and the transfer layer formation surface of donor substrate SG and SR may oppose. In short, it is sufficient that the transfer layer can be transferred to a desired position.

・上記クリーニング搬送室２６と転写層搬送室２４とは、上記対称軸Ａに対して線対称でなくともよい。また、ドライクリーニング室２７と転写層形成室２５とも、対称軸Ａに対して線対称でなくともよい。要は、貼り合わせ室２１からの転写層形成室２５の分岐方向と、分離室２３からのドライクリーニング室２７の分岐方向とが同じであればよい。こうした構成によっても、分岐方向が同一でない構成と比較して、転写層形成室２５とドライクリーニング室２７との間の搬送室を短くすることができる。これにより、ドライクリーニング室２７から転写層形成室２５までの搬送時間を短くすることで、ドナー基板の再利用効率を高めることができる。   The cleaning transfer chamber 26 and the transfer layer transfer chamber 24 may not be line symmetric with respect to the symmetry axis A. Further, the dry cleaning chamber 27 and the transfer layer forming chamber 25 may not be line symmetric with respect to the symmetry axis A. In short, the branch direction of the transfer layer forming chamber 25 from the bonding chamber 21 and the branch direction of the dry cleaning chamber 27 from the separation chamber 23 may be the same. Even with such a configuration, the transfer chamber between the transfer layer forming chamber 25 and the dry cleaning chamber 27 can be shortened compared to a configuration in which the branching directions are not the same. Thereby, the reuse efficiency of a donor substrate can be improved by shortening the conveyance time from the dry cleaning chamber 27 to the transfer layer forming chamber 25.

・搬送室２４，２６を連結する中間搬送室２８を割愛するとともに、ドライクリーニング室２７と転写層形成室２５とに接続された搬送室を設けるようにしてもよい。また、転写層搬送室２４を割愛して、転写層形成室２５から貼り合わせ室に対して直接ドナー基板を搬入する構成であってもよいし、クリーニング搬送室２６を割愛して、分離室２３からドライクリーニング室２７に直接ドナー基板を搬入する構成であってもよい。また、転写室２２、転写層形成室２５、及びドライクリーニング室２７が直接連結されていてもよいし、これら処理室２２，２５，２７のいずれか２つが直接連結されていてもよい。要は、転写室２２、転写層形成室２５、及びドライクリーニング室２７が直接連結されているにせよ、あるいは、転写層搬送室２４、クリーニング搬送室２６、及び中間搬送室２８等の真空室を介して連結されているにせよ、成膜室としての転写層形成室２５、転写室２２、及びドライクリーニング室２７が、１つの真空系を構成するようにこの順に環状に連結されていればよい。   The intermediate transfer chamber 28 that connects the transfer chambers 24 and 26 may be omitted, and a transfer chamber connected to the dry cleaning chamber 27 and the transfer layer forming chamber 25 may be provided. Alternatively, the transfer layer transfer chamber 24 may be omitted, and the donor substrate may be directly transferred from the transfer layer forming chamber 25 to the bonding chamber, or the cleaning transfer chamber 26 may be omitted and the separation chamber 23 may be omitted. Alternatively, the donor substrate may be directly carried into the dry cleaning chamber 27. Further, the transfer chamber 22, the transfer layer forming chamber 25, and the dry cleaning chamber 27 may be directly connected, or any two of these processing chambers 22, 25, and 27 may be directly connected. In short, the transfer chamber 22, the transfer layer forming chamber 25, and the dry cleaning chamber 27 are directly connected, or vacuum chambers such as the transfer layer transfer chamber 24, the cleaning transfer chamber 26, and the intermediate transfer chamber 28 are provided. The transfer layer forming chamber 25 as the film forming chamber, the transfer chamber 22 and the dry cleaning chamber 27 may be connected in an annular shape in this order so as to form one vacuum system. .

・転写ユニットＵＧ，ＵＲを構成する処理室２１〜２８は、同一平面上に設置されていなくともよい。例えば、貼り合わせ室２１の上方に、転写層搬送室を介して転写層形成室が連結され、且つ、分離室２３の上方にクリーニング搬送室を介してドライクリーニング室が連結され、転写層搬送室とクリーニング搬送室とが中間搬送室を介して連結された構成であってもよい。また、例えば、貼り合わせ室２１の下方に、転写層搬送室を介して転写層形成室が連結され、且つ、分離室２３の下方にクリーニング搬送室を介してドライクリーニング室が連結され、転写層搬送室とクリーニング搬送室とが中間搬送室を介して連結された構成であってもよい。   The processing chambers 21 to 28 constituting the transfer units UG and UR do not have to be installed on the same plane. For example, a transfer layer forming chamber is connected to the upper side of the bonding chamber 21 via a transfer layer transfer chamber, and a dry cleaning chamber is connected to the upper side of the separation chamber 23 via a cleaning transfer chamber. And the cleaning transfer chamber may be connected via an intermediate transfer chamber. Further, for example, a transfer layer forming chamber is connected to the lower side of the bonding chamber 21 via a transfer layer transfer chamber, and a dry cleaning chamber is connected to the lower side of the separation chamber 23 via a cleaning transfer chamber. The transfer chamber and the cleaning transfer chamber may be connected via an intermediate transfer chamber.

・素子基板Ｓを転写室２２に搬入する搬入室が、転写ユニットＵＧ，ＵＲを構成する転写層形成室２５、ドライクリーニング室２７、転写層搬送室２４、クリーニング搬送室２６、及び中間搬送室２８のいずれかであり、且つ、該搬入室が、素子基板Ｓを転写室２２から搬出する搬出室であってもよい。   A carry-in chamber for carrying the element substrate S into the transfer chamber 22 is a transfer layer forming chamber 25, a dry cleaning chamber 27, a transfer layer transfer chamber 24, a cleaning transfer chamber 26, and an intermediate transfer chamber 28 constituting transfer units UG and UR. Further, the carry-in chamber may be a carry-out chamber for carrying out the element substrate S from the transfer chamber 22.

・素子基板Ｓを転写室２２に搬入する搬入室が、転写ユニットＵＧ，ＵＲを構成する転写層形成室２５、ドライクリーニング室２７、転写層搬送室２４、クリーニング搬送室２６、及び中間搬送室２８のいずれかであり、且つ、搬入室とは異なる上記処理室が、素子基板Ｓを転写室２２から搬出する搬出室であってもよい。   A carry-in chamber for carrying the element substrate S into the transfer chamber 22 is a transfer layer forming chamber 25, a dry cleaning chamber 27, a transfer layer transfer chamber 24, a cleaning transfer chamber 26, and an intermediate transfer chamber 28 constituting transfer units UG and UR. The processing chamber different from the loading chamber may be a carry-out chamber for carrying out the element substrate S from the transfer chamber 22.

・上述のように環状に連結された転写層形成室、転写室、及びドライクリーニング室を含むドナー基板の搬送にかかわる処理室群と、素子基板を転写室に搬入する搬入室、転写室、及び、素子基板を転写室から搬出する搬出室を含んで環状に連結された素子基板の搬送にかかわる処理室群とが、転写室を介して連結された構成であってもよい。   A processing chamber group involved in transporting a donor substrate including a transfer layer forming chamber, a transfer chamber, and a dry cleaning chamber connected in a ring shape as described above; a loading chamber for transferring an element substrate into the transfer chamber; a transfer chamber; A configuration may be adopted in which a processing chamber group related to the transport of the annularly connected element substrates including the unloading chamber for unloading the element substrate from the transfer chamber is connected via the transfer chamber.

・レーザ光照射部３１，６１は、対象物に対する露光が一括で可能であれば、移動部３１ｂ，６１ｂを割愛してもよい。
・上記転写を行うときには、レーザ光Ｌの照射を転写が必要な領域にのみ選択的に行うようにしてもよい。 The laser beam irradiation units 31 and 61 may omit the moving units 31b and 61b as long as exposure to the object is possible at once.
-When performing the above-mentioned transfer, the laser beam L may be selectively applied only to an area that needs to be transferred.

・有機ＥＬデバイスを構成する各層は、上記以外の公知の材料にて形成することが可能であり、また、各層の形成方法も真空蒸着やスパッタ以外の方法としてもよい。   -Each layer which comprises an organic EL device can be formed with well-known materials other than the above, and the formation method of each layer is good also as methods other than vacuum evaporation and a sputtering.

１０…有機ＥＬデバイス製造装置、１１…基板取り付け室、１２，１８…ロードロック室、１３…陽極側機能層形成部、１３ａ…正孔注入層形成室、１３ｂ…正孔輸送層形成室、１４，１５…基板反転室、１６…陰極側機能層形成部、１６ａ…青色発光層形成室、１６ｂ…電子輸送層形成室、１６ｃ…電子注入層形成室、１７…電極形成部、１７ａ…陰極形成室、１７ｂ…透明電極形成室、１９…基板取り外し室、２１…貼り合わせ室、２２…転写室、２３…分離室、２４…転写層搬送室、２４Ｒ…転写層搬送ロボット、２５…転写層形成室、２６…クリーニング搬送室、２６Ｒ…クリーニング搬送ロボット、２７…ドライクリーニング室、２７ａ…ドナー基板保持部、２７ｂ…回収基板保持部、２８…中間搬送室、２９…ストック室、３１，６１…レーザ光照射部、３１ａ，６１ａ…レーザ、３１ｂ，６１ｂ…移動部、４１，８１…支持基板、４２，８２…スペーサ、４３，８３…陽極、４４…正孔注入層、４５，８４…正孔輸送層、４６…緑色発光層、５１，９１…透明基板、５２…反射層、５３，９２…光熱変換層、５４…保護層、５５，９３…転写層、５５Ａ…再付着層、６２…冷却部、７１…検査室、８５…発光層、ＧＶ…ゲートバルブ、Ｌ…レーザ光、Ｓ…素子基板、ＳＣ…回収基板、ＳＧ…緑色用ドナー基板、ＳＲ…赤色用ドナー基板、ＴＲ…トレイ、Ｔ１…トレイ導入室、Ｔ２…トレイ導出室、Ｔ３…トレイ戻り通路、ＵＧ…緑色発光層転写ユニット、ＵＲ…赤色発光層転写ユニット。   DESCRIPTION OF SYMBOLS 10 ... Organic EL device manufacturing apparatus, 11 ... Board | substrate attachment chamber, 12, 18 ... Load lock chamber, 13 ... Anode side functional layer formation part, 13a ... Hole injection layer formation chamber, 13b ... Hole transport layer formation chamber, 14 , 15 ... Substrate reversal chamber, 16 ... Cathode side functional layer forming part, 16a ... Blue light emitting layer forming room, 16b ... Electron transport layer forming room, 16c ... Electron injection layer forming room, 17 ... Electrode forming part, 17a ... Cathode forming Chamber, 17b ... transparent electrode forming chamber, 19 ... substrate removal chamber, 21 ... bonding chamber, 22 ... transfer chamber, 23 ... separation chamber, 24 ... transfer layer transport chamber, 24R ... transfer layer transport robot, 25 ... transfer layer formation Chamber 26... Cleaning transport chamber 26 R cleaning cleaning robot 27 dry cleaning chamber 27 a donor substrate holding portion 27 b recovery substrate holding portion 28 intermediate transfer chamber 29 stock chamber 31 61 ... Laser beam irradiation unit, 31a, 61a ... Laser, 31b, 61b ... Moving unit, 41,81 ... Support substrate, 42,82 ... Spacer, 43,83 ... Anode, 44 ... Hole injection layer, 45,84 ... Hole transport layer, 46 ... green light emitting layer, 51,91 ... transparent substrate, 52 ... reflection layer, 53,92 ... photothermal conversion layer, 54 ... protective layer, 55,93 ... transfer layer, 55A ... reattachment layer, 62 DESCRIPTION OF SYMBOLS ... Cooling part, 71 ... Examination room, 85 ... Light emitting layer, GV ... Gate valve, L ... Laser beam, S ... Element substrate, SC ... Collection substrate, SG ... Green donor substrate, SR ... Red donor substrate, TR ... Tray, T1 ... tray introduction chamber, T2 ... tray lead-out chamber, T3 ... tray return passage, UG ... green light emitting layer transfer unit, UR ... red light emitting layer transfer unit.

Claims (10)

ドナー基板に有機ＥＬ膜を形成する成膜室と、
前記有機ＥＬ膜の一部を前記ドナー基板から素子基板に転写する転写室と、
前記ドナー基板から前記有機ＥＬ膜の残部を取り除くドライクリーニング室と
を含む転写ユニットを少なくとも１つ有し、
前記転写ユニットでは、
前記成膜室、前記転写室、及び前記ドライクリーニング室が、この順に環状に連結され、前記成膜室、前記転写室、及び前記ドライクリーニング室に対し、前記ドナー基板をこの順に繰り返し搬送する搬送部を更に有する
有機ＥＬデバイスの製造装置。 A film formation chamber for forming an organic EL film on a donor substrate;
A transfer chamber for transferring a part of the organic EL film from the donor substrate to the element substrate;
And at least one transfer unit including a dry cleaning chamber for removing the remainder of the organic EL film from the donor substrate,
In the transfer unit,
The film formation chamber, the transfer chamber, and the dry cleaning chamber are annularly connected in this order, and the donor substrate is repeatedly transferred to the film formation chamber, the transfer chamber, and the dry cleaning chamber in this order. The manufacturing apparatus of the organic EL device which has a part further. 前記転写ユニットが、
前記転写室に連結され前記素子基板を前記転写室に搬入する搬入室と、
前記転写室に連結され前記素子基板を前記転写室から搬出する搬出室と、
を更に有し、
前記転写ユニットでは、
前記搬入室、前記転写室、及び前記搬出室が、この順に一列に連結されている
請求項１に記載の有機ＥＬデバイスの製造装置。 The transfer unit is
A carry-in chamber connected to the transfer chamber and carrying the element substrate into the transfer chamber;
An unloading chamber connected to the transfer chamber and unloading the element substrate from the transfer chamber;
Further comprising
In the transfer unit,
The organic EL device manufacturing apparatus according to claim 1, wherein the carry-in chamber, the transfer chamber, and the carry-out chamber are connected in a line in this order. 前記搬入室には、前記成膜室が連結され、
前記搬出室には、前記ドライクリーニング室が連結され、
前記搬入室では、前記素子基板と前記ドナー基板との貼り合わせが行われ、
前記搬出室では、前記素子基板と前記ドナー基板との分離が行われる
請求項２に記載の有機ＥＬデバイスの製造装置。 The film formation chamber is connected to the carry-in chamber,
The dry cleaning chamber is connected to the carry-out chamber,
In the carry-in chamber, the element substrate and the donor substrate are bonded together,
The organic EL device manufacturing apparatus according to claim 2, wherein the element substrate and the donor substrate are separated in the carry-out chamber. 前記ドライクリーニング室では、
前記ドナー基板から除去された前記有機ＥＬ膜の形成材料を付着させるための回収基板が、前記ドナー基板の前記有機ＥＬ膜と対向して配置される
請求項１〜３のいずれか一項に記載の有機ＥＬデバイスの製造装置。 In the dry cleaning room,
The recovery board | substrate for making the formation material of the said organic EL film removed from the said donor substrate adhere is arrange | positioned facing the said organic EL film of the said donor substrate. Organic EL device manufacturing equipment. 前記回収基板は透明基板であり、
前記ドライクリーニング室には、
前記回収基板を冷却する冷却部と、前記回収基板を介して前記有機ＥＬ膜に光を照射する照射部とが設けられ、
前記ドナー基板がドライクリーニングされるときには、前記冷却部によって前記回収基板が冷却されつつ、前記有機ＥＬ膜が照射された前記光によって加熱される
請求項４に記載の有機ＥＬデバイスの製造装置。 The collection substrate is a transparent substrate;
In the dry cleaning chamber,
A cooling unit for cooling the recovery substrate; and an irradiation unit for irradiating the organic EL film with light through the recovery substrate;
The organic EL device manufacturing apparatus according to claim 4, wherein when the donor substrate is dry-cleaned, the organic EL film is heated by the irradiated light while the recovery substrate is cooled by the cooling unit. 前記回収基板は、前記回収基板に付着した前記有機ＥＬ膜の形成材料が、該回収基板から脱離しない温度にまで前記冷却部によって冷却される
請求項５に記載の有機ＥＬデバイスの製造装置。 The organic EL device manufacturing apparatus according to claim 5, wherein the recovery substrate is cooled by the cooling unit to a temperature at which the formation material of the organic EL film attached to the recovery substrate does not desorb from the recovery substrate. 前記転写ユニットは、
複数の前記回収基板が収められるストック室を更に備える
請求項４〜６のいずれか一項に記載の有機ＥＬデバイスの製造装置。 The transfer unit is
The organic EL device manufacturing apparatus according to any one of claims 4 to 6, further comprising a stock chamber in which a plurality of the recovery substrates are stored. 前記転写ユニットは、
ドライクリーニング後の前記ドナー基板を検査する検査室を更に備え、
ドライクリーニング後の前記ドナー基板における前記有機ＥＬ膜の残部が所定量以下となるまで、前記ドナー基板に対するドライクリーニングを繰り返し行う
請求項１〜７のいずれか一項に記載の有機ＥＬデバイスの製造装置。 The transfer unit is
An inspection room for inspecting the donor substrate after dry cleaning;
The organic EL device manufacturing apparatus according to claim 1, wherein dry cleaning is repeatedly performed on the donor substrate until a remaining amount of the organic EL film on the donor substrate after the dry cleaning is equal to or less than a predetermined amount. . ドナー基板に有機ＥＬ膜を形成する成膜工程と、
前記有機ＥＬ膜の一部を前記ドナー基板から素子基板に転写する転写工程と、
前記ドナー基板から前記有機ＥＬ膜の残部を除去するドライクリーニング工程とを有し、
前記成膜工程、前記転写工程、及び前記ドライクリーニング工程の間では、この順に各工程が進行することに伴って、前記ドナー基板を環状に搬送する環状搬送工程を更に有し、
前記ドナー基板に対して、前記成膜工程、前記転写工程、前記ドライクリーニング工程、及び前記環状搬送工程を繰り返し行う
有機ＥＬデバイスの製造方法。 A film forming step of forming an organic EL film on the donor substrate;
A transfer step of transferring a part of the organic EL film from the donor substrate to the element substrate;
A dry cleaning step of removing the remainder of the organic EL film from the donor substrate,
Between the film formation step, the transfer step, and the dry cleaning step, as each step proceeds in this order, it further includes an annular transfer step for transferring the donor substrate in an annular shape,
An organic EL device manufacturing method in which the film formation step, the transfer step, the dry cleaning step, and the annular transfer step are repeatedly performed on the donor substrate. 前記素子基板を前記転写工程のために搬入する搬入工程と、
前記素子基板を前記転写工程から搬出する搬出工程と、
前記搬入工程、前記転写工程、及び前記搬出工程の間では、この順に各工程が進行することに伴って、前記素子基板を一つの方向に搬送する転写搬送工程とを更に有する
請求項９に記載の有機ＥＬデバイスの製造方法。 A loading step of loading the element substrate for the transfer step;
An unloading step of unloading the element substrate from the transfer step;
The transfer conveyance step of conveying the element substrate in one direction as each step proceeds in this order between the carry-in step, the transfer step, and the carry-out step. Manufacturing method of organic EL device.
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