JP2013137853A - 記憶装置および記憶装置の駆動方法 - Google Patents
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- 238000003860 storage Methods 0.000 title claims abstract description 81
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 64
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 claims abstract description 11
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 145
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 claims description 25
- 229910021421 monocrystalline silicon Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 230000010354 integration Effects 0.000 abstract description 6
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 295
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 77
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 56
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 37
- 239000000463 material Substances 0.000 description 35
- 239000011701 zinc Substances 0.000 description 32
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 28
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 25
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 23
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 23
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 23
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 20
- 238000011282 treatment Methods 0.000 description 18
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 17
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 17
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 15
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 15
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 15
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 15
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 14
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 14
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 14
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 13
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 12
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 10
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 10
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 10
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 10
- 229910052735 hafnium Inorganic materials 0.000 description 9
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 8
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 8
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N Hydrogen peroxide Chemical compound OO MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 7
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 7
- MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N Dioxygen Chemical compound O=O MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- BPQQTUXANYXVAA-UHFFFAOYSA-N Orthosilicate Chemical compound [O-][Si]([O-])([O-])[O-] BPQQTUXANYXVAA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 6
- 229910001882 dioxygen Inorganic materials 0.000 description 6
- VBJZVLUMGGDVMO-UHFFFAOYSA-N hafnium atom Chemical compound [Hf] VBJZVLUMGGDVMO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 6
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 6
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 6
- 101150086396 PRE1 gene Proteins 0.000 description 5
- 125000004429 atom Chemical group 0.000 description 5
- -1 hydrogen ions Chemical class 0.000 description 5
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 5
- 230000008569 process Effects 0.000 description 5
- 238000005477 sputtering target Methods 0.000 description 5
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 5
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 229910001868 water Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 description 5
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N Ammonia Chemical compound N QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 4
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 4
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 4
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 4
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 description 4
- 229910052732 germanium Inorganic materials 0.000 description 4
- GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N germanium atom Chemical compound [Ge] GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910000449 hafnium oxide Inorganic materials 0.000 description 4
- WIHZLLGSGQNAGK-UHFFFAOYSA-N hafnium(4+);oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[Hf+4] WIHZLLGSGQNAGK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052736 halogen Inorganic materials 0.000 description 4
- 150000002367 halogens Chemical class 0.000 description 4
- 229910052734 helium Inorganic materials 0.000 description 4
- 229960002050 hydrofluoric acid Drugs 0.000 description 4
- 150000002431 hydrogen Chemical class 0.000 description 4
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 4
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 4
- 230000014759 maintenance of location Effects 0.000 description 4
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 4
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 4
- 239000011259 mixed solution Substances 0.000 description 4
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 4
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 4
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 4
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 4
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 4
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 description 4
- 229910018137 Al-Zn Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910018573 Al—Zn Inorganic materials 0.000 description 3
- MWUXSHHQAYIFBG-UHFFFAOYSA-N Nitric oxide Chemical compound O=[N] MWUXSHHQAYIFBG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910020994 Sn-Zn Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910009069 Sn—Zn Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 3
- AJNVQOSZGJRYEI-UHFFFAOYSA-N digallium;oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[Ga+3].[Ga+3] AJNVQOSZGJRYEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000006870 function Effects 0.000 description 3
- 229910001195 gallium oxide Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000001307 helium Substances 0.000 description 3
- SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N helium atom Chemical compound [He] SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 3
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 description 3
- SIWVEOZUMHYXCS-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoyttriooxy)yttrium Chemical compound O=[Y]O[Y]=O SIWVEOZUMHYXCS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- BPUBBGLMJRNUCC-UHFFFAOYSA-N oxygen(2-);tantalum(5+) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[Ta+5].[Ta+5] BPUBBGLMJRNUCC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000003071 parasitic effect Effects 0.000 description 3
- 229910001936 tantalum oxide Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910018120 Al-Ga-Zn Inorganic materials 0.000 description 2
- JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N AsGa Chemical compound [As]#[Ga] JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 101100188862 Caenorhabditis elegans osg-1 gene Proteins 0.000 description 2
- CURLTUGMZLYLDI-UHFFFAOYSA-N Carbon dioxide Chemical compound O=C=O CURLTUGMZLYLDI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- PXGOKWXKJXAPGV-UHFFFAOYSA-N Fluorine Chemical compound FF PXGOKWXKJXAPGV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 2
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N Hydrochloric acid Chemical compound Cl VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910020833 Sn-Al-Zn Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910020868 Sn-Ga-Zn Inorganic materials 0.000 description 2
- QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N Sulfuric acid Chemical compound OS(O)(=O)=O QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- BOTDANWDWHJENH-UHFFFAOYSA-N Tetraethyl orthosilicate Chemical compound CCO[Si](OCC)(OCC)OCC BOTDANWDWHJENH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- LEVVHYCKPQWKOP-UHFFFAOYSA-N [Si].[Ge] Chemical compound [Si].[Ge] LEVVHYCKPQWKOP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910021529 ammonia Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052795 boron group element Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 2
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 2
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 2
- 229910001385 heavy metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000004678 hydrides Chemical class 0.000 description 2
- 125000002887 hydroxy group Chemical group [H]O* 0.000 description 2
- 229910003437 indium oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N indium(iii) oxide Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[In+3].[In+3] PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 2
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 description 2
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 2
- 230000005012 migration Effects 0.000 description 2
- 238000013508 migration Methods 0.000 description 2
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 2
- 238000005240 physical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 238000009832 plasma treatment Methods 0.000 description 2
- 229910021422 solar-grade silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 2
- 230000003746 surface roughness Effects 0.000 description 2
- ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N Chlorine atom Chemical compound [Cl] ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical compound [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GPXJNWSHGFTCBW-UHFFFAOYSA-N Indium phosphide Chemical compound [In]#P GPXJNWSHGFTCBW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N Ozone Chemical compound [O-][O+]=O CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 1
- BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N Silane Chemical compound [SiH4] BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000577 Silicon-germanium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910020944 Sn-Mg Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005411 Van der Waals force Methods 0.000 description 1
- HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N Zinc Chemical compound [Zn] HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000611 Zinc aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910009369 Zn Mg Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910007573 Zn-Mg Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 1
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N acrylic acid group Chemical group C(C=C)(=O)O NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000004913 activation Effects 0.000 description 1
- HXFVOUUOTHJFPX-UHFFFAOYSA-N alumane;zinc Chemical compound [AlH3].[Zn] HXFVOUUOTHJFPX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000005407 aluminoborosilicate glass Substances 0.000 description 1
- 239000005354 aluminosilicate glass Substances 0.000 description 1
- JYMITAMFTJDTAE-UHFFFAOYSA-N aluminum zinc oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[Al+3].[Zn+2] JYMITAMFTJDTAE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052785 arsenic Inorganic materials 0.000 description 1
- RQNWIZPPADIBDY-UHFFFAOYSA-N arsenic atom Chemical compound [As] RQNWIZPPADIBDY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052788 barium Inorganic materials 0.000 description 1
- DSAJWYNOEDNPEQ-UHFFFAOYSA-N barium atom Chemical compound [Ba] DSAJWYNOEDNPEQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 239000005388 borosilicate glass Substances 0.000 description 1
- 239000001569 carbon dioxide Substances 0.000 description 1
- 229910002092 carbon dioxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052800 carbon group element Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 239000000460 chlorine Substances 0.000 description 1
- 229910052801 chlorine Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000001805 chlorine compounds Chemical class 0.000 description 1
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 1
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 1
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 1
- 238000002425 crystallisation Methods 0.000 description 1
- 230000008025 crystallization Effects 0.000 description 1
- 230000018044 dehydration Effects 0.000 description 1
- 238000006297 dehydration reaction Methods 0.000 description 1
- 238000006356 dehydrogenation reaction Methods 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 229910001873 dinitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 1
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 1
- 230000001747 exhibiting effect Effects 0.000 description 1
- 230000002349 favourable effect Effects 0.000 description 1
- 238000011049 filling Methods 0.000 description 1
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005304 joining Methods 0.000 description 1
- 229910052743 krypton Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 1
- 230000007257 malfunction Effects 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 1
- 125000004430 oxygen atom Chemical group O* 0.000 description 1
- 230000035515 penetration Effects 0.000 description 1
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 1
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 description 1
- 238000005268 plasma chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 1
- 238000003825 pressing Methods 0.000 description 1
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- 230000000717 retained effect Effects 0.000 description 1
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 description 1
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 1
- 229910000077 silane Inorganic materials 0.000 description 1
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000002269 spontaneous effect Effects 0.000 description 1
- 238000004381 surface treatment Methods 0.000 description 1
- XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N tin dioxide Chemical compound O=[Sn]=O XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001887 tin oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052720 vanadium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 description 1
- 229910052724 xenon Inorganic materials 0.000 description 1
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- G11C11/40—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements using semiconductor devices using transistors
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- G11C11/403—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements using semiconductor devices using transistors forming cells needing refreshing or charge regeneration, i.e. dynamic cells with charge regeneration common to a multiplicity of memory cells, i.e. external refresh
- G11C11/405—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements using semiconductor devices using transistors forming cells needing refreshing or charge regeneration, i.e. dynamic cells with charge regeneration common to a multiplicity of memory cells, i.e. external refresh with three charge-transfer gates, e.g. MOS transistors, per cell
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- H10B—ELECTRONIC MEMORY DEVICES
- H10B41/00—Electrically erasable-and-programmable ROM [EEPROM] devices comprising floating gates
- H10B41/70—Electrically erasable-and-programmable ROM [EEPROM] devices comprising floating gates the floating gate being an electrode shared by two or more components
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- G11C16/00—Erasable programmable read-only memories
- G11C16/02—Erasable programmable read-only memories electrically programmable
- G11C16/04—Erasable programmable read-only memories electrically programmable using variable threshold transistors, e.g. FAMOS
- G11C16/0408—Erasable programmable read-only memories electrically programmable using variable threshold transistors, e.g. FAMOS comprising cells containing floating gate transistors
- G11C16/0433—Erasable programmable read-only memories electrically programmable using variable threshold transistors, e.g. FAMOS comprising cells containing floating gate transistors comprising cells containing a single floating gate transistor and one or more separate select transistors
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
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- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
- H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
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- H01L27/1222—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs with a particular composition, shape or crystalline structure of the active layer
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Abstract
【解決手段】オフ電流が小さいトランジスタのソースまたはドレインに電気的に接続されたノードを記憶保持部とする記憶素子をマトリクス状に配置した二の記憶部と、二のプリチャージスイッチと、一のセンスアンプと、を設けて記憶装置とする。ページバッファ回路を不要とし、高速動作が可能であり、高集積化する。
【選択図】図1
Description
本実施の形態では、本発明の一態様である記憶装置の構成及び動作の一形態について説明する。
本実施の形態では、本発明の一態様である記憶装置の構成とその作製方法について説明する。
次に、本発明の一態様である電子機器について説明する。本発明の一態様である電子機器には、実施の形態1又は実施の形態2で説明した記憶装置を搭載させる。本発明の一態様である電子機器として、例えば、コンピュータ、携帯電話機(携帯電話、携帯電話装置ともいう)、携帯情報端末(携帯型ゲーム機、音響再生装置なども含む)、デジタルカメラ、デジタルビデオカメラ、電子ペーパー、テレビジョン装置(テレビ、またはテレビジョン受信機ともいう)などが挙げられる。例えば、このような電子機器の記憶部に実施の形態1又は実施の形態2で説明した記憶装置を設ければよい。
FN ノード
BL ビット線
OSG 書き込みワード線
SL ソース線
SLC ソース線切り替え信号線
sub_io 入出力線
sub_iob 反転入出力線
SEL 配線
BLB 反転ビット線
LAT ラッチ信号線
LATB 反転ラッチ信号線
PRE1 第1のプリチャージスイッチ信号線
PRE2A 第2のプリチャージスイッチ信号線
PRE2B 第2のプリチャージスイッチ信号線
GND 接地電位
VDD 電源電位
VPRE1 第1のプリチャージ電位
VPRE2 第2のプリチャージ電位
100 記憶装置
101a 第1の記憶部
101b 第2の記憶部
102a 第1のスイッチ
102b 第2のスイッチ
103 第1の駆動回路
104 第2の駆動回路
105 第3の駆動回路
106 ソース線切り替え回路
110 メモリセル
121 トランジスタ
122 トランジスタ
150 センスアンプ
151 トランジスタ
152 トランジスタ
153 トランジスタ
154 トランジスタ
155 トランジスタ
156 トランジスタ
160 第1のプリチャージスイッチ
161 トランジスタ
162 トランジスタ
170 第2のプリチャージスイッチ
171 トランジスタ
172 トランジスタ
200 半導体層
202 第1の絶縁層
202a ゲート絶縁層
204 マスク
206 第1の不純物領域
208a ゲート電極
208b 第1の導電層
210 第2の不純物領域
212 第3の不純物領域
214 チャネル形成領域
216 第1の絶縁層
218 第2の絶縁層
220 第3の絶縁層
222a ソース電極
222b ドレイン電極
224 酸化物半導体層
226 ゲート絶縁層
228a ゲート電極
228b 第2の導電層
230 第4の絶縁層
232 配線
234 第5の絶縁層
250 第1のトランジスタ
252 第2のトランジスタ
254 容量素子
270 半導体基板
280 単結晶半導体基板
282 酸化物層
284 脆化領域
286 単結晶半導体層
288 単結晶半導体層
301 筐体
302 筐体
303 表示部
304 キーボード
311 本体
312 スタイラス
313 表示部
314 操作ボタン
315 外部インターフェイス
320 電子書籍
321 筐体
323 筐体
325 表示部
327 表示部
331 電源
333 操作キー
335 スピーカー
337 軸部
340 筐体
341 筐体
342 表示パネル
343 スピーカー
344 マイクロフォン
346 ポインティングデバイス
347 カメラ用レンズ
348 外部接続端子
349 太陽電池セル
350 外部メモリスロット
361 本体
363 接眼部
364 操作スイッチ
365 表示部
366 バッテリー
367 表示部
370 テレビジョン装置
371 筐体
373 表示部
375 スタンド
380 リモコン操作機
Claims (13)
- ソース及びドレインの一方が第1のビット線に電気的に接続され、ソース及びドレインの他方がソース線に電気的に接続された第1のトランジスタと、
ソース及びドレインの一方が記憶保持部及び前記第1のトランジスタのゲートに電気的に接続され、ソース及びドレインの他方が前記第1のビット線に接続された第2のトランジスタと、
一方の端子が、前記第2のトランジスタのソース及びドレインの一方及び前記第1のトランジスタのゲートに電気的に接続された容量素子と、
を有するメモリセルがマトリクス状に配列された第1の記憶部と、
前記第1の記憶部における前記第1のビット線に代えて第2のビット線が設けられた第2の記憶部と、を有する記憶装置の駆動方法であって、
前記ソース線の電位を第1の電位とし、
前記第1のビット線の電位を第2の電位とした後に前記第1のビット線を電気的に孤立させ、
前記容量素子の他方の端子の電位を第3の電位から第4の電位にすることで、前記第1のビット線の電位を前記第1の電位または前記第2の電位とし、
前記第2のビット線の電位を前記第2の電位よりも低い第5の電位とし、
前記第1のビット線の電位に応じて前記第1のビット線の電位を第6の電位または第7の電位とし、
前記第1のビット線と入出力線との間に設けられたスイッチを制御することで前記第1のビット線のデータを選択的に読み出すことで前記記憶保持部のデータを選択的に読み出す記憶装置の駆動方法。 - 前記第6の電位が前記第2の電位より高く、
前記第7の電位が、前記第1の電位と等しくまたは前記第1の電位より低いことを特徴とする請求項1の記憶装置の駆動方法。 - 前記第1の電位と前記第4の電位と前記第7の電位が等しく、
前記第3の電位と前記第6の電位が等しく、
前記第2の電位は前記第1の電位より高く、前記第3の電位よりも低いことを特徴とする請求項1または請求項2の記憶装置の駆動方法。 - 前記第1の電位が接地電位であり、
前記第3の電位が電源電位であることを特徴とする請求項3の記憶装置の駆動方法。 - ソース及びドレインの一方が第1のビット線に電気的に接続され、ソース及びドレインの他方がソース線に電気的に接続された第1のトランジスタと、
ソース及びドレインの一方が記憶保持部及び前記第1のトランジスタのゲートに電気的に接続され、ソース及びドレインの他方が前記第1のビット線に接続されたオフ電流が小さい第2のトランジスタと、
一方の端子が、前記第2のトランジスタのソース及びドレインの一方及び前記第1のトランジスタのゲートに電気的に接続された容量素子と、
を有するメモリセルがマトリクス状に配列された第1の記憶部と、
前記第1の記憶部における前記第1のビット線に代えて第2のビット線が設けられた第2の記憶部と、を有する記憶装置の駆動方法であって、
前記ソース線の電位を第1の電位とし、
前記第1のビット線の電位を第2の電位とした後に前記第1のビット線を電気的に孤立させ、
前記容量素子の他方の端子の電位を第3の電位から第4の電位にすることで、前記第1のビット線の電位を前記第1の電位または前記第2の電位とし、
前記第2のビット線の電位を前記第2の電位よりも低い第5の電位とし、
前記第1のビット線と入出力線との間に設けられたスイッチを制御することで前記第1のビット線を選択して前記第1のビット線の電位を第6の電位または第7の電位として前記記憶保持部にデータを書き込み、
前記第2のトランジスタをオフすることで前記記憶保持部にデータを選択的に書き込む記憶装置の駆動方法。 - 前記第6の電位が前記第2の電位より高く、
前記第7の電位が、前記第1の電位と等しくまたは前記第1の電位より低いことを特徴とする請求項5の記憶装置の駆動方法。 - 前記第1の電位と前記第4の電位と前記第7の電位が等しく、
前記第3の電位と前記第6の電位が等しく、
前記第2の電位は前記第1の電位より高く、前記第3の電位よりも低いことを特徴とする請求項5または請求項6の記憶装置の駆動方法。 - 前記第1の電位が接地電位であり、
前記第3の電位が電源電位であることを特徴とする請求項7の記憶装置の駆動方法。 - 前記第2のトランジスタの25℃におけるオフ電流は100zA以下であることを特徴とする請求項1乃至請求項8の記憶装置の駆動方法。
- 第1の記憶部及び第2の記憶部、第1のスイッチ及び第2のスイッチ並びに第1の駆動回路及び第2の駆動回路を有し、
前記第1の記憶部及び第2の記憶部には複数の記憶素子がマトリクス状に配置され、
前記第1の記憶部は前記第1のスイッチに電気的に接続され、
前記第2の記憶部は前記第2のスイッチに電気的に接続され、
前記第1の駆動回路は、二のプリチャージスイッチと、一のセンスアンプと、を有し、
前記複数の記憶素子は、25℃におけるオフ電流は100zA以下であるトランジスタのソースまたはドレインに電気的に接続されたノードを記憶保持部とする記憶装置。 - 前記オフ電流が小さいトランジスタが酸化物半導体を用いたトランジスタであることを特徴とする請求項10の記憶装置。
- 前記複数の記憶素子のそれぞれは、前記ノードがゲートに電気的に接続された高速動作が可能なトランジスタを有することを特徴とする請求項10または請求項11の記憶装置。
- 前記高速動作が可能なトランジスタは、単結晶シリコンを用いたトランジスタであることを特徴とする請求項12の記憶装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2012255864A JP2013137853A (ja) | 2011-12-02 | 2012-11-22 | 記憶装置および記憶装置の駆動方法 |
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2011264742 | 2011-12-02 | ||
JP2011264742 | 2011-12-02 | ||
JP2012255864A JP2013137853A (ja) | 2011-12-02 | 2012-11-22 | 記憶装置および記憶装置の駆動方法 |
Related Child Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2017058997A Division JP2017120683A (ja) | 2011-12-02 | 2017-03-24 | 記憶装置の駆動方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2013137853A true JP2013137853A (ja) | 2013-07-11 |
JP2013137853A5 JP2013137853A5 (ja) | 2015-12-24 |
Family
ID=48523899
Family Applications (2)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2012255864A Withdrawn JP2013137853A (ja) | 2011-12-02 | 2012-11-22 | 記憶装置および記憶装置の駆動方法 |
JP2017058997A Withdrawn JP2017120683A (ja) | 2011-12-02 | 2017-03-24 | 記憶装置の駆動方法 |
Family Applications After (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2017058997A Withdrawn JP2017120683A (ja) | 2011-12-02 | 2017-03-24 | 記憶装置の駆動方法 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US8885437B2 (ja) |
JP (2) | JP2013137853A (ja) |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
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