JP2013131748A - 放熱基板及び放熱基板の製造方法 - Google Patents

放熱基板及び放熱基板の製造方法 Download PDF

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Abstract

【課題】本発明は、放熱基板及び放熱基板の製造方法に関する。
【解決手段】本発明による放熱基板は、金属材質で構成され、一つ以上のビアホールが形成された基板と、前記基板の表面に形成された絶縁層と、前記ビアホールの内壁面に形成された伝導性または非伝導性材質のコーティング層と、前記絶縁層上に形成され、電気的に互いに分離した複数の金属パターンと、前記金属パターンから延長されて前記ビアホールの内壁面のコーティング層上に形成された金属層と、前記ビアホール内の前記金属層の間に充填される非伝導性材質の充填材と、を含む。
【選択図】図１

Description

本発明は、放熱基板及びその製造方法に関し、より詳細には、表面がアノダイジング処理されるとともに、ビアの内壁面が伝導性または非伝導性材料でプラギングされた金属材質の放熱基板とその製造方法に関する。
通常、発光ダイオード（ＬＥＤ：Ｌｉｇｈｔ ｅｍｉｔｔｉｎｇ ｄｉｏｄｅ）を含む様々な形態の発光手段は、基板に実装されて発光体として駆動される場合、発光による熱が発生されるが、この熱を効果的に放熱すると発光手段の効率を向上させ、その寿命を延長することができる。
特に、発光ダイオード（ＬＥＤ：Ｌｉｇｈｔ ｅｍｉｔｔｉｎｇ ｄｉｏｄｅ）は、低い消費電力と高輝度を発揮することができるため、家庭用、産業用の光源として広く使用されている。
近年、発光ダイオードは、照明装置とＬＣＤ用バックライト光源として用いられており、このような発光ダイオードは、照明装置などの各種装置に容易に装着するために、パッケージ形態に提供されている。
発光ダイオードパッケージは、基板上に発光ダイオードパッケージが実装され、モールディング材によって発光ダイオードが封入された構造を有している。また、パッケージ自体が発光ダイオードを保護し、発光装置との連結構造を有するだけでなく、発光ダイオードから発生した熱を放出するための放熱性能を有することも重要である。
この際、発光ダイオードは、基板との接触面積が最も大きいため、基板を介して熱を放出することが好ましく、基板を用いる放熱構造に対して多様な開発が行われている。
発光手段の放熱のための最も効果的な手段は、基板を金属材質で形成して発光手段から発生した熱が金属材質の基板を介して外部に排出されるようにすることである。これにより、近年、構造を簡素化し放熱性能を向上して、発光ダイオードの性能を向上させ、寿命を延長できるようにした放熱基板に関する様々な検討が行われている。
韓国公開特許第１０−２０１０−０１６７３７号 韓国公開特許第１０−２００９−０１０６２３号
本発明は、従来放熱基板で提起されている前記全ての短所と問題点を解決するために導き出されたものであって、金属材質の基板上に形成されたビア内壁面が伝導性または非伝導性材料でプラギングされ、その内部が非伝導性材料で充填されることにより、ビアホールのサイズが減少した放熱基板及びその製造方法を提供することを発明の目的とする。
本発明の前記目的は、金属材質で構成され、一つ以上のビアホールが形成された基板と、前記基板の表面に形成された絶縁層と、前記ビアホールの内壁面に形成された伝導性または非伝導性材質のコーティング層と、前記絶縁層上に形成され、電気的に互いに分離した複数の金属パターンと、前記金属パターンから延長されて前記ビアホールの内壁面のコーティング層上に形成された金属層と、前記ビアホール内の前記金属層の間に充填される非伝導性材質の充填材と、を含む放熱基板が提供されることによって達成される。
この際、前記基板は、熱伝導度に優れた金属材質で構成され、前記金属は、アルミニウム（Ａｌ）であることが好ましい。
また、基板の表面に形成された絶縁層は、アノダイジング処理による酸化皮膜層（Ａｌ２Ｏ３）で構成されることができる。
また、前記ビアホールは、ドリリング、パンチングなどの機械的加工法またはエッチングなどの化学的加工法により形成されることができる。
また、本発明に他の目的は、金属基板を準備し、前記金属基板を貫通する一つ以上のビアホールを形成する段階と、前記ビアホールを含む前記金属基板の表面に絶縁層を形成する段階と、前記絶縁層が形成された前記ビアホールの内壁面に非伝導性材質のコーティング層を形成する段階と、前記ビアホールの内壁面に形成された前記コーティング層及び前記金属基板の表面に形成された絶縁層の上に、金属層を形成する段階と、前記金属基板の表面の絶縁層上に形成された前記金属層をパターニングして、複数の金属パターンを形成する段階と、前記ビアホールの内壁面に形成されたコーティング層の間に非伝導性材質の充填材が注入される段階と、を含む放熱基板の製造方法が提供されることにある。
前記金属基板の表面に絶縁層を形成する段階において、前記絶縁層は、アノダイジング処理による酸化皮膜層で構成されることができる。
前記ビアホールの内壁面にコーティング層を形成する段階は、非伝導性材料がプラギング（ｐｌｕｇｇｉｎｇ）工程によって前記ビアホールの内部に充填される段階と、前記ビアホールの内部に充填された非伝導性材料に貫通孔を形成する段階と、を含んで前記ビアホールの内壁面にコーティング層が形成されることができる。
この際、前記ビアホールの内部に充填された非伝導性材料は、エポキシまたはポリマーの何れか一つで構成されることができ、前記貫通孔は、ドリリングまたはレーザー加工法により形成されることができる。
また、本発明の他の目的は、金属基板を準備し、前記金属基板を貫通する一つ以上のビアホールを形成する段階と、前記ビアホールを含む前記金属基板の表面に絶縁層を形成する段階と、前記絶縁層が形成された前記ビアホールの内壁面に伝導性材質のコーティング層を形成する段階と、前記ビアホールの内壁面に形成された前記コーティング層及び前記金属基板の表面に形成された絶縁層の上に、金属層を形成する段階と、前記金属基板の表面の絶縁層上に形成された前記金属層をパターニングして、複数の金属パターンを形成する段階と、前記ビアホールの内壁面に形成されたコーティング層の間に非伝導性材質の充填材が注入される段階と、を含む放熱基板の製造方法が提供されることにある。
前記ビアホールの内壁面にコーティング層を形成する段階は、伝導性材料及びめっき工程を用いて前記ビアホールの内部がフィル（ｆｉｌｌ）めっきされる段階と、前記ビアホールの内部にフィルめっきされた伝導性材料に貫通孔を形成する段階と、を含んで前記ビアホールの内壁面にコーティング層が形成されることができる。
また、前記ビアホールの内壁面にコーティング層を形成する段階において、前記コーティング層は、伝導性材料及びめっき工程を用いて前記ビアホールの内壁面にのみシード層として形成されることができる。
以上で説明したように、本発明による放熱基板及びその製造方法は、金属基板を介して上面に実装される発光部材の放熱が効率的に行われることができる長所を有する。
また、本発明は、ビアホールの内壁面に伝導性または非伝導性材料のコーティング層が形成され、コーティング層内部が充填されることによって、ビアサイズを小さく形成することができるため、金属材質の収縮、膨張による金属基板の熱変形によってビアホールの直径が変化されることを最小化する作用効果を発揮することができる。
本発明による放熱基板が図示された断面図である。 本発明による放熱基板に発光手段が実装された状態を示す断面図である。 本発明による放熱基板の一実施形態の製造方法が図示された工程図である。 本発明による放熱基板の一実施形態の製造方法が図示された工程図である。 本発明による放熱基板の一実施形態の製造方法が図示された工程図である。 本発明による放熱基板の一実施形態の製造方法が図示された工程図である。 本発明による放熱基板の一実施形態の製造方法が図示された工程図である。 本発明による放熱基板の一実施形態の製造方法が図示された工程図である。 本発明による放熱基板の一実施形態の製造方法が図示された工程図である。 本発明による放熱基板の一実施形態の製造方法が図示された工程図である。 本発明による放熱基板の他の実施形態の製造方法が図示された工程図である。 本発明による放熱基板の他の実施形態の製造方法が図示された工程図である。 本発明による放熱基板の他の実施形態の製造方法が図示された工程図である。 本発明による放熱基板の他の実施形態の製造方法が図示された工程図である。 本発明による放熱基板の他の実施形態の製造方法が図示された工程図である。 本発明による放熱基板の他の実施形態の製造方法が図示された工程図である。 本発明による放熱基板の他の実施形態の製造方法が図示された工程図である。
本発明による発光ダイオードパッケージの前記目的に対する技術的構成を含む作用効果に関する事項は、本発明の好ましい実施形態が図示された図面を参照する以下の詳細な説明によって明確に理解されるであろう。
先ず、図１は、本発明による放熱基板が図示された断面図である。
図１に図示されたように、本発明による放熱基板１００は、金属材質の基板１１０と、基板１１０の表面に形成された絶縁層１２０と、基板１１０に形成されたビアホール１１１の内壁面に形成されたコーティング層１３０と、基板１１０の表面の絶縁層１２０上に形成された金属パターン１５０と、コーティング層１３０上に形成された金属層１４０と、金属層１４０の内部に充填される充填材１６０と、で構成されることができる。
前記基板１１０は、金属材質で構成され、熱伝導度に優れる代表的な材料であるアルミニウム（Ａｌ）が使用されることができ、基板１１０上には一つ以上のビアホール１１１が形成されることができる。
この際、前記ビアホール１１１は、ＣＮＣを利用したドリリング加工またはエッチング方式により具現されることができる。また、後述する基板１１０の上面及び下面に形成された金属パターン１５０間を電気的に接続する電気的連結手段として使用されることができる。
前記基板１１０は、ビアホール１１１の内壁面を含む表面全体に絶縁層１２０が形成されることができる。絶縁層１２０は、酸化皮膜層（Ａｌ２Ｏ３）であり、アルミニウム材質からなる基板１１０上にアノダイジング（ａｎｏｄｉｚｉｎｇ）処理を施して形成されることができる。この際、アノダイジング処理は、有機酸、硫酸またはこれらの混合物などを利用して行われることができる。
基板１１０の材料として使用されるアルミニウムは、比較的低価で、簡単に得られる金属材料であって、熱伝導度が非常に優秀であり、アノダイジング処理により表面に形成される酸化皮膜層も約１０〜３０Ｗ／ｍＫの比較的高い熱伝導度を有するとともに薄い厚さの絶縁体で形成されることができるため、低い熱抵抗性を具現することができる長所がある。
従って、アルミニウムで構成される基板１１０は、従来の基板材料として使用される銅またはセラミック材質に比べて優れた放熱性能を有しているだけでなく、アノダイジング処理工程も比較的容易であり、その工程コストと時間を低減することができる。
前記ビアホール１１１の内壁面にはコーティング層１３０が形成されるが、前記コーティング層１３０は、金属材質の伝導性材質で構成されたりエポキシまたはポリマーなどの非伝導性材質で構成されることができる。
この際、前記コーティング層１３０が伝導性材質で構成される場合にはめっき工程によって形成されることができ、前記コーティング層１３０が非伝導性材質で構成される場合にはビアホール１１１の内部が完全に埋立されるように非伝導性材料を充填した後、ドリリングまたはレーザー加工により貫通孔を形成することで、前記ビアホール１１１の内壁面にのみコーティング層１３０が形成されることができる。
また、前記金属パターン１５０は、前記絶縁層１２０上で隣接した金属パターンと電気的に分離して形成され、上部に発光手段、例えば、発光ダイオード（ＬＥＤ）などの実装される電極部分が形成されることができる。この際、金属パターン１５０は、ビアホール１１１の内部に延長されてコーティング層１３０上の金属層１４０に形成されることができ、電極の機能とともに熱放出の機能を同時に行うことができる。
前記金属パターン１５０は、図１に図示されたように、絶縁層１２０上に形成されることができ、前記絶縁層１２０の一部分が除去されて基板１１０の上面が露出した部位に形成されることができ、この場合、基板１１０の上面に金属パターン１５０の下面が直接接触し、金属パターン１５０の上面に発光ダイオードが実装されることによって、発光ダイオードの熱放出効果をさらに増大することができる。
このように、ビアホール１１１の内部には絶縁層１２０とコーティング層１３０及び金属パターン１５０から延長された金属層１４０が順に形成されることができ、前記金属層１４０の間には貫通孔が形成されてその貫通孔に充填材１６０が充填されることができる。この際、充填材１６０は非伝導性材質のエポキシまたはポリマーで構成されることができ、充填材１６０によってビアホール１１１の内部に形成された金属層１４０を短絡させて金属パターン１５０間のショートを防止することができる。
また、本発明の目的でも説明したように、金属基板１１０の特性上、ドリリングまたはパンチング加工によって比較的大きく形成されるビアホール１１１の内部に絶縁層１２０とコーティング層１３０及び金属層１４０が順に形成されることによって、ビアホール１１１の直径を縮小させることができ、縮小されたビアホール１１１の内部に充填材１６０を注入することができる。
従って、金属材質の基板１１０を介して放熱が行われる場合、金属基板の特性上、熱によってビアホール１１１の収縮と膨張が行われるが、ビアホール１１１の直径を内壁面に形成されたコーティング層１３０によって縮小させることによって、基板１１０の熱変形によるビアホール１１１の直径変化が最小化されるようにすることができる。
このように構成された本発明の放熱基板上には、各種の発光手段が実装されることができ、発光手段のうち発光ダイオード（ＬＥＤ）が実装された構造を一例として以下で簡単に説明する。
図２は、本発明による放熱基板に発光手段が実装された状態を示す断面図である。
一つ以上のビアホール１１１が備えられ、上、下面に金属パターン１５０が形成された金属材質の基板１１０上には発光手段２００、例えば、発光ダイオード（以下、ＬＥＤチップとする）が実装されることができる。
前記ＬＥＤチップ２００は、垂直電極構造のＬＥＤチップであって、ＬＥＤチップ２００に形成された一電極（不図示）は、金属パターン１５０に直接連結され、他の電極（不図示）は、ワイヤ２１０を介して前記ＬＥＤチップ２００が実装されていない金属パターン１５０に電気的に接続されることができる。この際、ワイヤ２１０を介してＬＥＤチップ２００に接続される金属パターン１５０は、ビアホール１１１の内部に延長された金属層１４０を介して金属基板１１０の下面にまで延長形成されることができる。
また、前記基板１１０の上部にはＬＥＤチップ２００及びワイヤ２１０をカバーするモールディング部２２０が形成されることができる。モールディング部２２０は、シリコン樹脂、エポキシ樹脂またはエポキシモールディングコンパウンド（ＥＭＣ）などを使用してインジェクションモールディング、トランスファーモールディングまたはピンゲートモールディング方式などにより所望の形状に形成されることができる。
このように構成された放熱基板の製造方法について説明すると次のとおりである。
図３ａ〜図３ｈは、本発明による放熱基板の一実施形態の製造方法が図示された工程図である。
図３ａ〜図３ｈに図示されたように、本実施形態の放熱基板の製造方法は、先ず、図３ａのように、金属基板１１０を準備する。この際、前記金属基板１１０は、表面に存在する有機物などのような汚染物の洗浄段階を経たアルミニウム基板で構成されることが好ましい。
また、金属基板１１０は、主に四角形状に構成されることができ、加工されたアルミニウム基板によって長方形または円形などの多様な形状を有することができる。また、金属基板１１０の厚さは工程進行による信頼性を考慮して約０．１ｍｍ以上に形成されることが好ましい。
次に、図３ｂに図示されたように、金属基板１１０を貫通する一つ以上のビアホール１１１を形成する。ビアホール１１１は、ドリリング、パンチングまたはエッチング工程により形成されることができる。
また、前記ビアホール１１１を含む金属基板１１０の表面にアノダイジング処理を施して絶縁層１２０を形成することができる。
次に、絶縁層１２０が形成された前記ビアホール１１１の内壁面に非伝導性材質のコーティング層１３０を形成することができる。前記コーティング層１３０は、絶縁層１２０が形成されたビアホール１１１の内部に非伝導性材料であるエポキシまたはポリマーなどの樹脂材を充填し、図３ｅのようにビアホールの内部に充填された非伝導性材料の中央部を貫通する貫通孔１３１を形成することにより構成されることができる。この際、前記貫通孔１３１は、ドリリングまたはレーザー加工により形成されることができる。
次に、図３ｆに図示されたように、ビアホール１１１の内壁面に形成されたコーティング層１３０を含む前記金属基板１１０の絶縁層１２０上に金属層１４０を形成することができる。金属層１４０は、電解めっき、無電解めっきまたは金属蒸着などの方式で形成されることができる。
この際、前記金属層１４０を形成する過程において、ビアホール１１１の内部が金属層１４０によって完全に埋立されるようにしたり、ビアホール１１１の内壁面のコーティング層１３０上に薄く形成されるようにすることができる。ビアホール１１１の内部に金属層１４０が完全に埋立される場合、以前工程、即ちビアホールの内部に充填された非伝導性材料に貫通孔１３１を形成する工程のように、ビアホール１１１の内部に充填された金属層１４０が短絡されるように貫通孔を再度形成する工程（不図示）が行われることができる。
このように、前記ビアホール１１１の内部の壁面にコーティング層１３０と金属層１４０をさらに形成することによってビアホール１１１のサイズを減少させることができ、金属基板１１０の熱変形による収縮、膨張の際にビアホール１１１のサイズ変化が最小化されるようにすることができる。
次に、図３ｇに図示されたように、前記ビアホール１１１内の金属層１４０の内部に充填材１６０を注入してビアホール１１１の内部が完全に満たされるようにすることができる。この際、充填材１６０は、非伝導性材質であるエポキシまたはポリマーなどが使用されることができる。
最後に、図３ｈに図示されたように、前記絶縁層１２０の表面に形成された金属層１４０をパターニングして前記金属基板１１０の上面及び下面の絶縁層１２０上で電気的に分離した複数の金属パターン１５０を形成することができる。
図４ａ〜図４ｇは、本発明による放熱基板の他の実施形態の製造方法が図示された工程図である。
図４ａ〜図４ｇに図示されたように、本実施形態の放熱基板の製造方法は、先ず、図４ａのように金属基板１１０を準備する。この際、前記金属基板１１０は、表面に存在する有機物などのような汚染物の洗浄段階を経たアルミニウム基板で構成されることが好ましい。
また、金属基板１１０は、主に四角形状に構成されることができ、加工されたアルミニウム基板によって長方形または円形などの多様な形状を有することができる。また、金属基板１１０の厚さは工程進行による信頼性を考慮して、約０．１ｍｍ以上に形成されることが好ましい。
次に、図４ｂに図示されたように、金属基板１１０を貫通する一つ以上のビアホール１１１を形成する。ビアホール１１１は、ドリリング、パンチングまたはエッチング工程により形成されることができる。
また、図４ｃのように、前記ビアホール１１１を含む金属基板１１０の表面にアノダイジング処理を施して絶縁層１２０を形成することができる。
次に、図４ｄに図示されたように、絶縁層１２０が形成された前記ビアホール１１１の内壁面に伝導性材質のコーティング層１３０を形成することができる。前記コーティング層１３０は、絶縁層１２０が形成されたビアホール１１１の内部にめっき工程によって形成されることができ、前記ビアホール１１１の内壁面の絶縁層１２０上に電解めっきまたは無電解めっきによりシード層として形成されることができる。
また、前記コーティング層１３０は、伝導性材料及びめっき工程を用いて前記ビアホール１１１の内部がフィル（ｆｉｌｌ）めっきされた後、ビアホール１１１の内部にフィルめっきされた伝導性材料に貫通孔１３１を形成してビアホール１１１内壁面にのみ形成されるようにすることができる。この際、前記貫通孔１３１は、ドリリングまたはエッチング工程によって形成されることができる。
次に、図４ｅに図示されたように、ビアホール１１１の内壁面に形成されたコーティング層１３０を含む前記金属基板１１０の絶縁層１２０上に金属層１４０を形成することができる。金属層１４０は、電解めっき、無電解めっきまたは金属蒸着などの方式で形成されることができる。
この際、前記金属層１４０を形成する過程で、ビアホール１１１の内部が金属層１４０によって完全に埋立されるようにしたり、ビアホール１１１の内壁面のコーティング層１３０上に薄く形成されることができる。ビアホール１１１の内部に金属層１４０が完全に埋立される場合、以前工程、即ちビアホールの内部に充填された非伝導性材料に貫通孔１３１を形成する工程のようにビアホール１１１の内部に充填された金属層１４０が短絡されるように貫通孔を再度形成する工程が行われることができる。
このように、前記ビアホール１１１の内部の壁面にコーティング層１３０と金属層１４０をさらに形成することによって、ビアホール１１１のサイズを減少させることができ、金属基板１１０の熱変形による収縮、膨張の際にビアホール１１１のサイズ変化が最小化されるようにすることができる。
次に、図４ｆに図示されたように、前記ビアホール１１１内の金属層１４０の内部に充填材１６０を注入してビアホール１１１の内部が完全に満たされるようにすることができる。この際、充填材１６０は、非伝導性材質であるエポキシまたはポリマーなどが使用されることができる。
最後に、図４ｇに図示されたように、前記絶縁層１２０表面に形成された金属層１４０をパターニングして、前記金属基板１１０の上面及び下面の絶縁層１２０上で電気的に分離した複数の金属パターン１５０を形成することができる。
以上、好ましい実施形態を参照して本発明に対して説明したが、本発明に属する技術分野において通常の知識を有する者であれば、特許請求の範囲に記載された本発明の思想及び領域を外れない範囲内で本発明を多様に修正及び変更できることを理解するのであろう。
１１０ 基板
１１１ ビアホール
１２０ 絶縁層
１３０ コーティング層
１４０ 金属層
１５０ 金属パターン
１６０ 充填材

Claims (13)

  1. 金属材質で構成され、一つ以上のビアホールが形成された基板と、
    前記基板の表面に形成された絶縁層と、
    前記ビアホールの内壁面に形成された伝導性または非伝導性材質のコーティング層と、
    前記絶縁層上に形成され、電気的に互いに分離した複数の金属パターンと、
    前記金属パターンから延長されて前記ビアホールの内壁面のコーティング層上に形成された金属層と、
    前記ビアホール内の前記金属層の間に充填される非伝導性材質の充填材と、
    を含む放熱基板。
  2. 前記基板は、熱伝導度に優れた金属材質で構成され、
    前記金属は、アルミニウム（Ａｌ）である請求項１に記載の放熱基板。
  3. 前記基板の表面に形成された絶縁層は、アノダイジング処理による酸化皮膜層（Ａｌ２Ｏ３）で構成される請求項１に記載の放熱基板。
  4. 前記ビアホールは、ドリリング、パンチングなどの機械的加工法またはエッチングなどの化学的加工法により形成される請求項１に記載の放熱基板。
  5. 前記金属パターンは、前記絶縁層の一部分が除去されて、前記基板の上面が露出した部位に形成される請求項１に記載の放熱基板。
  6. 前記充填材は、非伝導性材質のエポキシまたはポリマーで構成される請求項１に記載の放熱基板。
  7. 金属基板を準備し、前記金属基板を貫通する一つ以上のビアホールを形成する段階と、
    前記ビアホールを含む前記金属基板の表面に絶縁層を形成する段階と、
    前記絶縁層が形成された前記ビアホールの内壁面に非伝導性材質のコーティング層を形成する段階と、
    前記ビアホールの内壁面に形成された前記コーティング層及び前記金属基板の表面に形成された絶縁層の上に、金属層を形成する段階と、
    前記金属基板の表面の絶縁層上に形成された前記金属層をパターニングして、複数の金属パターンを形成する段階と、
    前記ビアホールの内壁面に形成されたコーティング層の間に非伝導性材質の充填材が注入される段階と、
    を含む放熱基板の製造方法。
  8. 前記金属基板の表面に絶縁層を形成する段階において、
    前記絶縁層は、アノダイジング処理による酸化皮膜層で構成される請求項７に記載の放熱基板の製造方法。
  9. 前記ビアホールの内壁面にコーティング層を形成する段階は、
    非伝導性材料がプラギング（ｐｌｕｇｇｉｎｇ）工程によって前記ビアホールの内部に充填される段階と、
    前記ビアホールの内部に充填された非伝導性材料に貫通孔を形成する段階と、
    を含む請求項７に記載の放熱基板の製造方法。
  10. 前記ビアホールの内部に充填された非伝導性材料は、エポキシまたはポリマーの何れか一つで構成されることができ、
    前記貫通孔は、ドリリングまたはレーザー加工法により形成される請求項１に記載の放熱基板の製造方法。
  11. 金属基板を準備し、前記金属基板を貫通する一つ以上のビアホールを形成する段階と、
    前記ビアホールを含む前記金属基板の表面に絶縁層を形成する段階と、
    前記絶縁層が形成された前記ビアホールの内壁面に伝導性材質のコーティング層を形成する段階と、
    前記ビアホールの内壁面に形成された前記コーティング層及び前記金属基板の表面に形成された絶縁層の上に、金属層を形成する段階と、
    前記金属基板の表面の絶縁層上に形成された前記金属層をパターニングして、複数の金属パターンを形成する段階と、
    前記ビアホールの内壁面に形成されたコーティング層の間に非伝導性材質の充填材が注入される段階と、
    を含む放熱基板の製造方法。
  12. 前記ビアホールの内壁面にコーティング層を形成する段階は、
    伝導性材料及びめっき工程を用いて前記ビアホールの内部がフィル（ｆｉｌｌ）めっきされる段階と、
    前記ビアホールの内部にフィルめっきされた伝導性材料に貫通孔を形成する段階と、
    を含む請求項１１に記載の放熱基板の製造方法。
  13. 前記ビアホールの内壁面にコーティング層を形成する段階において、
    前記コーティング層は、伝導性材料及びめっき工程を用いて前記ビアホールの内壁面にのみシード層として形成される請求項１１に記載の放熱基板の製造方法。
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