JP2013129882A - 部品 - Google Patents

Abstract

【課題】外部に露出する表層のめっき層の厚みを薄く設定できるとともに、下地めっき層及び母材の金属の腐食を長期間に亘って安定した状態で抑制できる部品を提供する。
【解決手段】部品１は、金属材料で形成された本体部１１と、Ｎｉめっき層を含んで本体部１１の表面を被覆する下地めっき層１２と、下地めっき層１２を被覆するポーラスめっき層１３と、ポーラスめっき層１３の表面に形成されて外部に露出する表層めっき層１４とを備える。ポーラスめっき層１３は、ポーラス構造１３ａが分散して形成された多孔質体として構成される。表層めっき層１４は、ポーラスめっき層１３の表面において分散して形成されたポーラス構造１３ａを外部に露出可能に設けられる。表層めっき層１４を形成する金属のイオン化傾向が、ポーラスめっき層１３を形成する金属のイオン化傾向よりも小さい。
【選択図】 図２

Description

本発明は、表面にめっき層が形成された金属製の部品に関する。

金属材料で形成された部品に対しては、腐食を抑制するため、表面にめっき層が形成されることがよく行われる。とくに、腐食の観点において過酷な使用環境で用いられる部品は、外部に露出する表面において、金、銀、金合金、銀合金、等のような耐食性に優れた貴な金属で構成されためっき層が形成されることが多い。

上記のような貴な金属は高価であるため、その金属で構成された部品の表層のめっき層は、薄膜化が図られ、めっき層の厚みが非常に薄く設定されることが求められる。しかし、貴な金属で構成された表層のめっき層の厚みが薄くなると、ピンホールと呼ばれる小さな細孔が発生し易くなってしまう。ピンホールが発生すると、そのピンホールから露出した下地のめっき層或いは母材の金属が、電解腐食（ガルバニックコロージョン）により、早期に腐食し易くなってしまうという問題がある。

表面のめっき層に発生したピンホールから露出した下地のめっき層或いは母材の金属の腐食を抑制する方法として、特許文献１に開示されているように、外部に露出する表層のめっき層に対して封孔処理剤を塗布する方法が知られている。表層のめっき層に封孔処理剤が塗布されることで、封孔処理剤によってピンホールが塞がれ、下地のめっき層或いは母材の金属の腐食が抑制されることになる。

特開平８−２６０１９４号公報

特許文献１に開示されているように、外部に露出する表層のめっき層に対して封孔処理剤が塗布された構成によって、下地のめっき層或いは母材の金属の腐食が抑制される。しかしながら、長期間に亘って部品が使用される環境においては、封孔処理剤が徐々に散逸してしまう虞がある。このため、長期間に亘って安定した状態で腐食を抑制することが難しいという問題がある。

本発明は、上記実情に鑑みることにより、外部に露出する表層のめっき層の厚みを薄く設定できるとともに、下地めっき層及び母材の金属の腐食を長期間に亘って安定した状態で抑制できる、部品を提供することを目的とする。

上記目的を達成するための第１発明に係る部品は、表面にめっき層が形成された部品であって、金属材料で形成された本体部と、Ｎｉ又はＮｉ合金によって形成されたＮｉめっき層を含むとともに、前記本体部の表面を被覆するように形成された下地めっき層と、前記下地めっき層の表面を被覆するように形成されるとともに、穴及び空隙の少なくともいずれかとして設けられたポーラス構造が分散して形成された多孔質体として構成されたポーラスめっき層と、前記ポーラスめっき層の表面に形成されるとともに、外部に対して露出する表層めっき層と、を備え、前記表層めっき層は、前記ポーラスめっき層の表面において分散して形成された前記ポーラス構造を外部に露出可能に設けられ、前記表層めっき層を形成する金属のイオン化傾向が、前記ポーラスめっき層を形成する金属のイオン化傾向よりも小さいことを特徴とする。

この構成によると、部品の本体部を構成する母材の金属は、下地めっき層で被覆される。そして、下地めっき層が、多孔質体としてのポーラスめっき層で被覆され、ポーラスめっき層の表面に、表層めっき層が形成される。表層めっき層を形成する金属は、ポーラスめっき層を形成する金属よりもイオン化傾向が小さい貴な金属として構成される。そして、表層めっき層は、ポーラスめっき層の表面に分散するポーラス構造を外部に露出させる程度に、薄く形成される。このため、外部に露出する表層のめっき層の厚みを薄く設定することができる。これにより、表層めっき層を構成する金属が、金、銀、金合金、銀合金、等のような高価な金属の場合に、その使用量を容易に低減することができる。

また、上記の構成によると、表層めっき層は、ポーラスめっき層の表面に分散するポーラス構造を外部に露出させるように設けられている。このため、上記の構成の部品は、表層めっき層の内側の領域において、ポーラスめっき層が外部に対して多く分散して露出した状態となる。これにより、下地めっき層の外側の領域であって表層めっき層及びポーラスめっき層が形成された領域の表面構造は、前述のピンホールが生じたような表層のめっき層の状態とは異なり、卑な金属で構成されたポーラスめっき層の面積が、貴な金属で構成された表層めっき層の面積との関係において、十分に大きい表面構造となる。このため、還元反応（カソード反応）が生じる貴な表層めっき層の面積に対する、酸化反応（アノード反応）が生じる卑なポーラスめっき層の面積の比率が、より大きく設定されることになる。これにより、貴な表層めっき層に接触した卑なポーラスめっき層の腐食速度が大幅に低減され、電解腐食（ガルバニックコロージョン）が抑制され、部品の表面における耐食性が向上することになる。

更に、この部品は、表層めっき層の内側の領域において、ポーラスめっき層が外部に対して多く分散して露出しているため、アノード反応が生じる箇所が、広く分散することになる。これにより、腐食電流が分散され、腐食の進行メカニズムが、局部的に集中して早く進行する部分腐食のメカニズムではなく、広く薄く分散して緩やかに進行する面腐食のメカニズムとなる。このため、全体として非常に緩やかに腐食が進行することになり、部品の表面における耐食性が向上することになる。

また、上記の構成の部品においては、母材の金属が少なくとも下地めっき層で被覆されているため、母材の金属が外部に露出して腐食してしまうことも防止される。また、上記の構成によると、外部に露出する表層のめっき層の厚みが薄く設定されても、下地めっき層及び母材の金属の腐食が抑制されるため、耐食性を向上させるための封孔処理剤が表面に塗布される必要がない。また、そのため、封孔処理剤の散逸による耐食性の低下の問題が生じることもない。

従って、上記の構成によると、外部に露出する表層のめっき層の厚みを薄く設定できるとともに、下地めっき層及び母材の金属の腐食を長期間に亘って安定した状態で抑制できる、部品を提供することができる。

第２発明に係る部品は、第１発明の部品が、他の部材に対して電気的に接続される電気接点部を有するとともに表面にめっき層が形成された電子部品として設けられていることを特徴とする。

コネクタ、端子、スイッチ、或いはリレー、等のように、他の部材に対して電気的に接続される電気接点部を有する電子部品は、腐食の観点において、過酷な使用環境となり易い。このため、とくに、このような電子部品は、外部に露出する表面において、金、銀、金合金、銀合金、等のような耐食性及び導電性に優れた貴な金属で構成されためっき層が形成されることが多い。しかし、前述したように、上記のような貴な金属は高価であるため、めっき層の厚みが薄く形成され、ピンホールが発生し、ピンホールから露出した下地のめっき層或いは母材の金属が、早期に腐食し易くなってしまうという問題がある。更に、下地のめっき層或いは母材の金属の腐食が進展すると、腐食生成物が成長し易くなる。そして、この腐食生成物が、電気接点部における導電性を低下させて導通不良を引き起こしてしまい易いという問題がある。

また、従来では、特許文献１に開示されているように、下地のめっき層或いは母材の金属の腐食を抑制する観点から、外部に露出する表層のめっき層に対して封孔処理剤が塗布されている。しかしながら、封孔処理剤自体は、防錆添加物が添加された有機溶剤或いは界面活性剤のような導電性に乏しい物質で構成されている。このため、封孔処理剤が、電気接点部における導通不良を引き起こしてしまう虞がある。

これに対し、上述の構成の電子部品は、前述のように、カソード反応が生じる貴な表層めっき層の面積に対する、アノード反応が生じる卑なポーラスめっき層の面積の比率が、より大きく設定され、卑なポーラスめっき層の腐食速度が大幅に低減され、ガルバニックコロージョンが抑制される。更に、上述の構成の電子部品は、表層めっき層の内側の領域において、ポーラスめっき層が外部に対して多く分散して露出しているため、腐食電流が分散される。これにより、この電子部品においては、局部的に集中して早く進行する部分腐食の進展が抑制され、広く薄く分散して緩やかに進行する面腐食が生じることになる。このため、電子部品全体の耐食性が向上することになる。また、ガルバニックコロージョンが抑制されるとともに、局部的に早く集中して腐食が生じることも抑制されるため、局部的に腐食生成物が成長し易くなってしてしまうことを抑制することができる。

また、上記の構成によると、下地めっき層及び母材の金属の腐食を抑制できるため、腐食生成物が生成されてしまうことによる導通不良が引き起こされてしまうことも抑制される。また、上記の構成によると、外部に露出する表層のめっき層の厚みが薄く設定されても、下地めっき層及び母材の金属の腐食が抑制されるため、導電性に乏しい封孔処理剤が表面に塗布されることもない。

従って、上記の構成によると、外部に露出する表層のめっき層の厚みを薄く設定できるとともに、下地めっき層及び母材の金属の腐食を長期間に亘って安定した状態で抑制でき、更に、導通不良を引き起こしてしまうことも抑制することができる、電子部品を提供することができる。

第３発明に係る部品は、第１発明又は第２発明の部品において、外部に露出した前記ポーラス構造に、潤滑性を有する潤滑物質が充填されていることを特徴とする。

この構成によると、外部に露出したポーラス構造の穴或いは空隙に潤滑物質が充填されるため、部品の表面における摺動磨耗特性を向上させることができる。そして、部品の表面の摺動磨耗特性が向上するため、部品の表面を他の部材が摺動するような場合であっても、表層めっき層及びポーラスめっき層が削られてしまうことを抑制することができる。めっき層が削れてしまうことが抑制されることで、下地めっき層及び母材の金属が露出してしまうことが抑制され、下地めっき層及び母材の金属の腐食が更に抑制されることになる。また、潤滑物質は、部品の表層に塗布されるのではなく、ポーラス構造の穴或いは空隙に充填される。このため、部品が、電気接点部を有する電子部品として構成されている場合であっても、潤滑物質が、電子部品の表面における導電性を阻害してしまうことが抑制されることになる。

第４発明に係る部品は、第３発明の部品において、前記潤滑物質は、外部に露出した前記ポーラス構造に対して、粒子状の形態で埋め込まれることにより、充填されることを特徴とする。

この構成によると、潤滑物質が、粒子状の形態でポーラス構造に埋め込まれる。このため、ポーラス構造の穴或いは空隙に対して潤滑物質を容易に効率よく充填することができる。

尚、粒子状の潤滑物質のポーラス構造のへの埋め込み方法については、種々の方法を選択することができる。例えば、ショットブラスト処理などにより、粒子状の潤滑物質をノズルを介して部品の表面に吹き付けることで、粒子状の潤滑物質がポーラス構造に埋め込まれる形態が実施されてもよい。この場合、吹き付けの際に運動エネルギーが粒子状の潤滑物質に付与されるため、ポーラス構造に対して効率よく多くの潤滑物質を充填することができる。また、粒子状の潤滑物質が分散した水等の液体に、下地めっき層、ポーラスめっき層及び表層めっき層が形成された部品を含浸させ、次いで、液体及び部品に振動を付与することで、粒子状の潤滑物質がポーラス構造に埋め込まれる形態が実施されてもよい。尚、液体は、潤滑物質がポーラス構造に埋め込まれた後に、蒸発させることによって部品の表面から除去される。また、加圧処理によって、粒子状の潤滑物質がポーラス構造に埋め込まれる形態が実施されてもよい。

第５発明に係る部品は、第３発明又は第４発明の部品において、前記潤滑物質は、窒化ホウ素、モリブデン、黒鉛、シリカ、フッ素樹脂、及びダイヤモンドの少なくともいずれかを含むことを特徴とする。

この構成によると、ポーラス構造の穴或いは空隙に対して充填し易く且つ十分な潤滑性能を発揮する潤滑物質を選択することができる。

第６発明に係る部品は、第１発明乃至第５発明のいずれかの部品において、前記ポーラスめっき層を形成する金属は、Ｎｉ又はＮｉ合金であることを特徴とする。

この構成によると、ポーラスめっき層が、下地めっき層に含まれるＮｉめっき層と同様に、Ｎｉ又はＮｉ合金で形成される。このため、下地めっき層とポーラスめっき層との間において、電池の形成が抑制され、腐食の発生が抑制される。

本発明によると、外部に露出する表層のめっき層の厚みを薄く設定できるとともに、下地めっき層及び母材の金属の腐食を長期間に亘って安定した状態で抑制できる、部品を提供することができる。

本発明の一実施形態に係る部品である端子がコネクタにおいて取り付けられた状態を示す断面図である。 図１に示す端子の表面における一部の断面について模式的に拡大して示す模式拡大断面図である。 図２の一部を更に拡大して示す図である。 図１に示す端子の表面のポーラス構造に潤滑物質が充填されていない状態の断面を模式的に拡大して示す模式拡大断面図である。 図１に示す端子の表面のポーラス構造に潤滑物質が充填されるプロセスを説明するための断面状態を模式的に拡大して示す模式拡大断面図である。 潤滑物質がポーラスめっき層のポーラス構造に充填されていない状態の端子の表面を撮影したＳＥＭ写真の画像を示す図である。 潤滑物質がポーラスめっき層のポーラス構造に充填されていない状態の端子の表面を撮影したＳＥＭ写真の画像を示す図である。 潤滑物質がポーラスめっき層のポーラス構造に充填された状態の端子の表面を撮影したＳＥＭ写真の画像を示す図である。 図８の一部を拡大して示す図である。 潤滑物質がポーラスめっき層のポーラス構造に充填されていない状態の端子の表面の近傍における断面を撮影したＳＥＭ写真の画像を示す図である。 本発明の効果を検証するために行った検証試験の結果を示す図であって、導電性確認試験の結果を示す図である。 本発明の効果を検証するために行った検証試験の結果を示す図であって、導電性確認試験の結果を示す図である。 本発明の効果を検証するために行った検証試験の結果を示す図であって、導電性確認試験の結果を示す図である。

以下、本発明を実施するための形態について図面を参照しつつ説明する。尚、本実施形態の説明においては、コネクタ用の端子として構成された電子部品に対して本発明が適用された場合を例にとって説明するが、この例に限らず、本発明を適用することができる。本発明は、金属材料で形成された本体部を有するとともに表面にめっき層が形成された部品に関して、広く適用することができるものである。即ち、端子以外の電子部品に対して本発明が適用されてもよく、また、電子部品以外の金属製の部品に対して本発明が適用されてもよい。

図１は、本実施形態における部品として構成されたコネクタ用の端子１がコネクタ１００において取り付けられた状態を示す断面図である。コネクタ１００は、例えば、フラットケーブル１０１の端部が接続されるコネクタとして構成されている。尚、図１は、コネクタ１００の幅方向に対して垂直な断面を示している。そして、図１においては、コネクタ１００におけるハウジング部材１０２及び回動部材１０３と、端子１に対して電気的に接続されるフラットケーブル１０１とについては、断面で図示し、端子１については外形を図示している。

図１に示すように、コネクタ１００は、ハウジング部材１０２と、回動部材１０３と、本実施形態の端子（部品）１とを備えて構成されている。尚、端子１は、コネクタ１００において複数備えられている。ハウジング部材１０２及び回動部材１０３は、絶縁性材料として構成された樹脂材料によって形成されている。端子１は、金属材料で形成され、例えば、リン青銅によって形成されている。そして、後述するように、端子１の表面にはめっき層が形成されている。

ハウジング部材１０２には、複数の端子１のそれぞれが挿入される複数の挿入口１０２ａが形成され、各挿入口１０２ａは、ハウジング部材１０２の内側の空間領域（後述の開放領域１０２ｂ）に連通するように形成されている。尚、複数の挿入口１０２ａは、コネクタ１００の幅方向に直列に並んで配置されている。そして、ハウジング部材１０２における複数の挿入口１０２ａと反対側において外部に対して開放されるように形成された開放領域１０２ｂは、フラットケーブル１０１の端部が配置される領域を構成している。

また、開放領域１０２ｂに配置されるフラットケーブル１０１の端部は、絶縁被覆が剥がされて導体が露出し、端子１と電気的に接続可能な状態に形成されている。尚、フラットケーブル１０１は、例えば、フレキシブルフラットケーブル或いはフレキシブルプリント回路基板等として設けられ、平行に配列された複数の導体が一体に絶縁被覆されることで形成されている。

端子１は、一方の端部おいて、二股状に突出するように形成された一対の突出片部（１ａ、１ｂ）が形成され、他方の端部において、図示しない他の機器や基板等に対して実装等によって取り付けられる。そして、端子１は、この一対の突出片部（１ａ、１ｂ）において、ハウジング部材１０２の挿入孔１０２ａに挿入される。このとき、端子１は、ハウジング部材１０２に対して挿入口１０２ａにおいて圧入される状態で挿入される。

また、端子１における一方の突出片部１ａには、フラットケーブル１０１の端部における各導体に対して電気的に接続される電気接点部１ｃが突起状に形成されている。また、端子１における他方の突出片部１ｂには、後述の回動部材１０３における各回転軸部１０３ａの外周に対して摺動自在に係止する係止凹部１ｄが形成されている。尚、上述のように、本実施形態における部品を構成する端子１は、他の部材であるフラットケーブル１０１に対して電気的に接続される電気的接点部１ｃを有するとともに表面にめっき層が形成された本実施形態における電子部品も構成している。

回動部材１０３は、ハウジング部材１０２及び複数の端子１に対して回動するように操作されるレバー状の部材として設けられるとともに、フラットケーブル１０１の端部の各導体を各端子１に対して加圧した状態で押し付ける部材として設けられている。そして、この回動部材１０３は、ハウジング部材１０２の幅方向に沿って延びるとともにハウジング部材１０２の開放領域１０２ｂを部分的に覆うように形成されている。

また、回動部材１０３は、一方の端部側が回動操作用の操作部１０３ｂとして形成され、他方の端部側に複数の溝部１０３ｃが幅方向に沿って並んで配置されるように形成されている。各溝部１０３ｃは、各端子１における他方の突出片部１ｂの先端部分が挿入される溝部を構成している。そして、各溝部１０３ｃには、この溝部１０３ｃに亘って架け渡されるように形成された各回転軸部１０３ａが配置されている。この各回転軸部１０３ａの外周に対しては、前述のように、端子１の他方の突出片部１ｂにおける係止凹部１ｄが摺動自在に係止される。これにより、回動部材１０３は、各回転軸部１０３ａにおいて各端子１の係止凹部１ｄに係止した状態で、複数の端子１に対して回動自在に支持されるように構成されている。

コネクタ１００においては、ハウジング部材１０２に対して、各挿入口１０２ａから各端子１が圧入される。そして、ハウジング部材１０２に対して複数の端子１が全て圧入された状態で、回動部材１０３が取り付けられる。このとき、回動部材１０３は、ハウジング部材１０２に対して略垂直な姿勢で、各回転軸部１０３ａにおいて各端子１の係止凹部１ｄに係止される。各回転軸部１０３ａが各係止凹部１ｄに係止されることで、複数の端子１に対して回動部材１０３が回動自在に支持されることになる。

上記のようにコネクタ１００が組み立てられた状態で、フラットケーブル１０１の端部が、開放領域１０２ｂに配置された複数の端子１におけるそれぞれの一対の突出片部（１ａ、１ｂ）の間に挿入される。このとき、回動部材１０３がハウジング部材１０２に対して略垂直な姿勢の状態のコネクタ１００において、フラットケーブル１０１の端部が各一対の突出片部（１ａ、１ｂ）の間に挿入される。そして、フラットケーブル１０１の端部が挿入された後、操作部１０３ｂが操作されることにより、回動部材１０３が、各回転軸部１０３ａにおいて各係止凹部１ｄに摺動しながら複数の端子１に対して回動する。これにより、回動部材１０３においてフラットケーブル１０１に対向する面として設けられた加圧面１０３ｄによって、フラットケーブル１０１の端部の各導体が各端子１における電気接点部１ｃに対して押し付けられて、各導体と各電気接点部１ｃとが電気的に接続されることになる。そして、フラットケーブル１０１の端部の各導体が各端子１の電気接点部１ｃを加圧した状態で、フラットケーブル１０１の端部がコネクタ１に保持され、コネクタ１００とフラットケーブル１０１とが接続されることになる。

次に、本実施形態の部品及び電子部品である端子１における表面のめっき層の構造について詳しく説明する。図２は、端子１の表面における一部の断面について模式的に拡大して示す模式拡大断面図である。また、図３は、図２の一部を更に拡大して示す図である。尚、図２及び図３では、ハウジング部材１０２に圧入された端子１が電気接点部１ｃにおいてフラットケーブル１０１の導体と接触する部分における模式拡大断面図を示している。図２及び図３に示すように、端子１は、本体部１１と、下地めっき層１２と、ポーラスめっき層１３と、表層めっき層１４とを備えて構成されている。

本体部１１は、金属材料（例えば、リン青銅などの銅合金）で形成された母材を構成している。下地めっき層１２は、本体部１１の表面を被覆するように形成されている。ポーラスめっき層１３は、下地めっき層１２の表面を被覆するように形成されている。表層めっき層１４は、ポーラスめっき層１３の表面に形成されている。

下地めっき層１２は、本体部１１の表面に対して、例えば、Ｎｉ（ニッケル）又はＮｉ合金が被覆されることで形成されている。即ち、本実施形態では、下地めっき層１２が、Ｎｉ又はＮｉ合金によって形成されたＮｉめっき層として形成されている。下地めっき層１２は、例えば、電気めっきプロセスにより形成される。尚、下地めっき層１２自体が、単独のＮｉめっき層として構成されていなくてもよい。下地めっき層１２は、Ｎｉめっき層を含んで構成されていればよい。また、下地めっき層１２は、無電解めっきプロセスによって形成されてもよい。

ポーラスめっき層１３は、穴及び空隙の少なくともいずれかとして設けられたポーラス構造１３ａが分散して形成された多孔質体として構成されている。また、ポーラスめっき層１３を形成する金属は、例えば、Ｎｉ又はＮｉ合金として構成されている。

ポーラスめっき層１３は、種々の公知の方法により形成することができる。例えば、ポーラスめっき層１３を電気めっきプロセスによって形成する際に、下地めっき層１２の表面に樹脂などの疎水性の微粒子を分散して配置する方法を用いることができる。これにより、導電部と絶縁部との境界部で過電圧を生じさせて微細な水素ガスを多数発生させ、これらの泡をとりこむようにめっき層を析出させる方法を用いることができる。

また、異種金属の粉末を混合してポーラスめっき層１３の素材金属以外の金属を溶出させる方法を用いることができる。この場合、まず、下地めっき層１２の表面において、ポーラスめっき層１３の素材金属の粉末と、この素材金属よりも融点が低い他の金属の粉末とを混合して固化させる。そして、その後、低融点の金属を溶出させてポーラスめっき層１３を形成する方法を用いることができる。

また、スパッタリング法を用いることでポーラスめっき層１３を形成してもよい。この場合、スパッタリングによって、下地めっき層１２の表面をターゲットとして、ポーラスめっき層１３の素材金属と炭素との混合体を蒸着させる。これにより、下地めっき層１２の表面に、ポーラスめっき層１３の素材金属と炭素との混合膜を形成する。そして、その混合膜を空気等の酸化性雰囲気中にて加熱することによって、多孔質体としてのポーラスめっき層１３を形成してもよい。

また、ポーラスめっき層１３を電気めっきプロセスによって形成する際に、ポーラスめっき層１３の素材金属の塩の水溶液中に、炭素或いは樹脂を浮遊又は融解させておく方法を用いることができる。上記の条件下で、電気めっきプロセスを実行することにより、形成されるめっき層中に炭素粉末或いは樹脂粉末が取り込まれることになる。そして、めっき層中に取り込まれた炭素粉末或いは樹脂粉末を加熱処理によって分解或いは消失させることによって、多孔質体としてのポーラスめっき層１３を形成してもよい。

表層めっき層１４は、端子１の表面において最も外側に設けられ、外部に対して露出するめっき層として構成されている。そして、表層めっき層１４は、ポーラスめっき層１３の表面において分散して形成されたポーラス構造１３ａを外部に露出可能に設けられる。表層めっき層１４は、例えば、ポーラスめっき層１３の表面において、電気めっきプロセスによって形成される。このとき、表層めっき層１４の素材金属は、ポーラスめっき層１３の表面においてポーラス構造１３ａを区画するように外側に突出した部分に対して選択的に析出する。これにより、表層めっき層１４が、ポーラスめっき層１３の表面のポーラス構造１３ａを外部に露出可能なめっき層構造として形成される。

また、表層めっき層１４を形成する金属のイオン化傾向は、ポーラスめっき層１３を形成する金属のイオン化傾向よりも小さくなるように、各めっき層（１３、１４）の素材金属が選定される。即ち、表層めっき層１４を形成する金属がポーラスめっき層１３を形成する金属よりも貴な金属として（ポーラスめっき層１３を形成する金属が表層めっき層１４を形成する金属がよりも卑な金属として）構成される。例えば、ＮＩ又はＮｉ合金で形成されたポーラスめっき層１３に対し、表層めっき層１４が、Ａｕ（金）−Ｃｏ（コバルト）硬質金めっき層、Ａｇ（銀）めっき層、Ａｇ−Ｓｎ（２５％）合金めっき層（Ａｇが約７５％でＳｎ（錫）が約２５％の組成の合金めっき層）、Ｓｎ−Ａｇ（５％）合金めっき層（Ｓｎが約９５％でＡｇが約５％の組成の合金めっき層）、Ｓｎめっき層として構成される。

また、端子１の表面においては、表層めっき層１４を介して外部に露出したポーラスめっき層１３のポーラス構造１３ａに、潤滑性を有する潤滑物質１５が充填されている。潤滑物質１５としては、例えば、六方晶系の常圧相の窒化ホウ素（ｈ−ＢＮ）が用いられる。尚、外部に露出したポーラス構造１３ａに対して、窒化ホウ素（ｈ−ＢＮ）以外の潤滑物質が充填されてもよい。この場合、潤滑物質としては、例えば、モリブデン、黒鉛、シリカ、ポリテトラフルオロエチレン等のフッ素樹脂、ダイヤモンド、ＤＬＣ（ダイヤモンドライクカーボン）等が用いられる。これらの潤滑物質は、例えば、粉末状或いは粒子状の形態でポーラス構造１３ａに充填される。

図４は、端子１の表面において外部に露出したポーラス構造１３ａに潤滑物質１５が充填されていない状態の断面を模式的に拡大して示す模式拡大断面図である。図５は、端子１の表面において外部に露出したポーラス構造１３ａに潤滑物質１５が充填されるプロセスを説明するための断面状態を模式的に拡大して示す模式拡大断面図である。

図４に示すように、ポーラスめっき層１３の表面に対して表層めっき層１４がめっきされた状態では、端子１の表面において外部に露出したポーラス構造１３ａには、潤滑物質１５が充填されていない。この状態において、図５に示すように、潤滑物質１５が、外部に露出したポーラス構造１３ａに対して、粒子状の形態で埋め込まれる。

粒子状の潤滑物質１５は、例えば、ショットブラスト処理などにより、ノズル（図示を省略）を介して端子１の表面に吹き付けられる。尚、図５では、粒子状の潤滑物質１５が端子１の表面に吹き付けられる方向が矢印Ａで示されている。また、図５では、端子１の表面に向かって吹き付けられて移動している状態の粒子状の潤滑物質１５も図示されている。

吹き付けの際に運動エネルギーが粒子状の潤滑物質１５に付与されることで、粒子状の潤滑物質１５が、外部に露出したポーラス構造１３ａの内側に埋め込まれるように充填されていくことになる。また、吹き付けられた粒子状の潤滑物質１５は、吹き付けの運動エネルギーによって、ポーラス構造１３ａの内側の潤滑物質１５に衝突する。このときの衝突エネルギーによって、ポーラス構造１３ａ内の粒子状の潤滑物質１５同士も変形して癒着することになる。これにより、端子１の表面状態が、図１に示される状態となる。尚、ポーラス構造１３ａの内側に入り込んだ潤滑物質１５は、そのままポーラス構造１３ａに捕捉されて充填された状態となる。一方、ポーラスめっき層１３の表面におけるポーラス構造１３ａの突出部に形成された表層めっき層１４の表面に衝突した潤滑物質１５は、ポーラス構造１３ａに捕捉されないため、外部へと脱落することになる。

尚、端子１においては、下地めっき層１２の平均厚み寸法は、その目標値が、例えば、１〜４μｍ程度に設定される。ポーラスめっき層１３の平均厚み寸法は、その目標値が、例えば、０．５〜４μｍ程度に設定される。また、ポーラスめっき層１３のポーラス構造１３ａの空間領域における最大寸法の平均値は、例えば、ポーラスめっき層１３の厚み寸法と同等の寸法水準に設定される。また、窒化ホウ素（ｈ−ＢＮ）として構成された粒子状の状態の潤滑物質１５は、その粒子直径寸法の平均値の目標値が、例えば、０．１μｍ〜０．５μｍ程度に設定される。

また、表層めっき層１４の平均厚み寸法は、Ａｕ−Ｃｏ硬質金めっきの場合であれば、その目標値が、例えば、０．０１〜１μｍ程度に設定される。また、Ａｇめっき層の場合、表層めっき層１４の平均厚み寸法は、その目標値が、例えば、０．５〜４μｍ程度に設定される。また、Ａｇ−Ｓｎ（２５％）合金めっき層の場合、表層めっき層１４の平均厚み寸法は、その目標値が、例えば、０．５〜４μｍ程度に設定される。また、Ｓｎ−Ａｇ（５％）合金めっき層の場合、表層めっき層１４の平均厚み寸法は、その目標値が、例えば、０．５〜４μｍ程度に設定される。また、Ｓｎめっき層の場合、表層めっき層１４の平均厚み寸法は、その目標値が、例えば、０．５〜４μｍ程度に設定される。

次に、実施例について説明する。図６は、潤滑物質１５がポーラスめっき層１３のポーラス構造１３ａに充填されていない状態の端子１の表面を撮影したＳＥＭ（Scanning Electron Microscope：走査型電子顕微鏡）写真の画像を示す図である。また、図７も、潤滑物質１５がポーラスめっき層１３のポーラス構造１３ａに充填されていない状態の端子１の表面を撮影したＳＥＭ写真の画像を示す図である。尚、図７は、図６よりも更に拡大した倍率で撮影した画像を示している。また、図８は、潤滑物質１５がポーラスめっき層１３のポーラス構造１３ａに充填された状態の端子１の表面を撮影したＳＥＭ写真の画像を示す図である。また、図９は、図８の一部を拡大して示す図である。また、図１０は、潤滑物質１５がポーラスめっき層１３のポーラス構造１３ａに充填されていない状態の端子１の表面の近傍における断面を撮影したＳＥＭ写真の画像を示す図である。

尚、図６乃至図１０では、めっき層或いは潤滑物質を指標する符号の図示が省略されている。また、図６及び図１０においては、画像中の寸法を示す尺度が、線分表示で示されている。また、図７乃至図９においては、画像中の寸法を示す尺度が、目盛表示で示されている。図７乃至図９では、複数の目盛のうち両端に位置する目盛間の長さが、表示された尺度寸法値に対応している。

図６乃至図１０に示すように、端子１の表面においては、下地めっき層１２、ポーラスめっき層１３、表層めっき層１４が形成されている。そして、ポーラスめっき層１３には、ポーラス構造１３ａが分散して形成されている。また、ポーラスめっき層１３の表面におけるポーラス構造１３ａは、表層めっき層１４を介して外部に露出可能に設けられている。また、粒子状で端子１の表面に吹き付けられてポーラス構造１３ａに充填された潤滑物質１５は、図８及び図９に示すように、ポーラス構造１３ａ内において、粒子状の状態から変形して一体に癒着した状態となっている。

次に、本発明の効果を検証するために行った検証試験の結果について説明する。検証試験では、本実施形態に対応する実施例として、第１乃至第４実施例に係る端子を作製した。

第１実施例に係る端子（以下、「端子１ａ」という）としては、表層めっき層１４がＡｇめっき層として形成された端子１ａを作製した。第２実施例に係る端子（以下、「端子１ｂ」という）としては、表層めっき層１４がＡｇ−Ｓｎ（２５％）合金めっき層として形成された端子１ｂを作製した。第３実施例に係る端子（以下、「端子１ｃ」という）としては、表層めっき層１４がＳｎ−Ａｇ（５％）合金めっき層として形成された端子１ｃを作製した。第４実施例に係る端子（以下、「端子１ｄ」という）としては、表層めっき層１４がＡｕ−Ｃｏ硬質金めっき層として形成された端子１ｄを作製した。

第１乃至第４実施例に係る端子（１ａ、１ｂ、１ｃ、１ｄ）は、いずれも、ポーラスめっき層１３がＮｉめっき層として形成されている。また、第１乃至第４実施例に係る端子（１ａ、１ｂ、１ｃ、１ｄ）は、いずれも、外部に露出したポーラスめっき層１３のポーラス構造１３ａに潤滑物質１５として窒化ホウ素（ｈ−ＢＮ）が充填されている。尚、第１乃至第３実施例に係る端子（１ａ、１ｂ、１ｃ）は、いずれも、表層めっき層１４の平均厚み寸法の目標値が０．５μｍに設定されている。一方、第４実施例に係る端子１ｄの表層めっき層１４は、フラッシュめっきにより形成され、第１乃至第３実施例に係る端子（１ａ、１ｂ、１ｃ）の表層めっき層１４よりも薄く形成されている。

検証試験としては、第１乃至第３実施例に係る端子（１ａ、１ｂ、１ｃ）については、導電性確認試験を行った。更に、第２乃至第４実施例に係る端子（１ｂ、１ｃ、１ｄ）については、耐食性確認試験を行った。また、第１乃至第４実施例の端子（１ａ、１ｂ、１ｃ、１ｄ）と比較するため、ポーラスめっき層１３が設けられておらず、下地めっき層１２の表面にＡｇめっき層が形成された、第１比較例に係る端子（以下、「端子Ｃ１」という）の作製も行った。尚、第１比較例に係る端子Ｃ１の表層のＡｇめっき層の平均厚み寸法の目標値は、０．５μｍに設定されている。また、第１比較例に係る端子Ｃ１の形状は、第１乃至第４実施例の端子（１ａ、１ｂ、１ｃ、１ｄ）と同様の形状に設定した。

図１１及び図１２は、第１乃至第３実施例に係る端子（１ａ、１ｂ、１ｃ）と、第１比較例に係る端子Ｃ１とについて、導電性確認試験を実施した結果を示す図である。図１１及び図１２に結果を示す導電性確認試験においては、第１乃至第３実施例に係る端子（１ａ、１ｂ、１ｃ）と第１比較例に係る端子Ｃ１とについて、基板に実装し、その後、後述するような所定の試験をそれぞれ実施し、所定の試験を実施する前及び実施した後における抵抗（電気抵抗、ｍΩ）を測定した。また、第１乃至第３実施例に係る端子（１ａ、１ｂ、１ｃ）及び第１比較例に係る端子Ｃ１については、各試験条件に対応する試験片をそれぞれ複数（１２個）作製し（即ち、試験条件ごとにそれぞれ１２個の端子を作製し）、抵抗の測定を行った。

図１１に結果を示す導電性確認試験では、第１乃至第３実施例に係る端子（１ａ、１ｂ、１ｃ）及び第１比較例に係る端子Ｃ１について、湿度試験を行った。また、図１２に結果を示す導電性確認試験では、第１乃至第３実施例に係る端子（１ａ、１ｂ、１ｃ）及び第１比較例に係る端子Ｃ１について、熱衝撃試験を行った。そして、各試験（湿度試験、熱衝撃試験）が実施される前及び実施された後における抵抗を測定した。尚、図１１（ａ）は、湿度試験が実施される前における抵抗測定結果を示しており、図１１（ｂ）は、湿度試験が実施された後における抵抗測定結果を示している。一方、図１２（ａ）は、熱衝撃試験が実施される前における抵抗測定結果を示しており、図１２（ｂ）は、熱衝撃試験が実施された後における抵抗測定結果を示している。また、図１１及び図１２に示す抵抗測定結果については、１２個の試験片における平均値、最大値、及び最小値を記載している。

図１１に結果を示す導電性確認試験における湿度試験では、温度が４０℃で湿度が９０％〜９５％の環境に５００時間に亘って試験片をさらした。一方、図１２に示す導電性確認試験における熱衝撃試験では、−５５℃から８５℃の範囲で温度が変化する熱サイクル（−５５℃の温度に３０分間設定され、８５℃の温度に３０分間設定される温度パターンの熱サイクル）を２５０時間の間に２５０サイクル繰り返す環境に試験片をさらした。

上記の各試験（湿度試験、熱衝撃試験）が行われても良好な導電性を確保できる水準として、通常、抵抗が３０ｍΩ以下であることが要求される。これに対して、図１１及び図１２の導電性確認試験結果に示すように、第１乃至第３実施例に係る端子（１ａ、１ｂ、１ｃ）及び第１比較例に係る端子Ｃ１ともに、各試験（湿度試験、熱衝撃試験）の終了後においても、抵抗があまり上昇しない傾向にあり、抵抗が３０ｍΩ以下の良好な水準を確保できることが確認できた。

次に、第２乃至第４実施例に係る端子（１ｂ、１ｃ、１ｄ）と第１比較例に係る端子Ｃ１とについて実施した耐食性確認試験の結果について説明する。耐食性確認試験においては、第２乃至第４実施例に係る端子（１ｂ、１ｃ、１ｄ）と第１比較例に係る端子Ｃ１とについて、硫化水素ガス試験及び二酸化硫黄ガス試験を実施した。そして、各試験（硫化水素ガス試験、二酸化硫黄ガス試験）において、外観を評価することで、腐食の発生状況を確認した。

硫化水素ガス試験では、硫化水素濃度が３ｐｐｍ、温度が４０℃、湿度が８０％の環境に９６時間に亘って試験片をさらした。一方、二酸化硫黄ガス試験では、二酸化硫黄濃度が１０ｐｐｍ、温度が４０℃、湿度が８０％の環境に９６時間に亘って試験片をさらした。

硫化水素ガス試験が実施された結果、第２乃至第４実施例に係る端子（１ｂ、１ｃ、１ｄ）については、いずれも、外観上腐食は発生せず、また、外観における変色も発生しなかった。これに対して、第１比較例に係る端子Ｃ１については、黒っぽく変色し、硫化変色が発生したことが確認された。一方、二酸化硫黄ガス試験が実施された結果、第２乃至第４実施例に係る端子（１ｂ、１ｃ、１ｄ）については、いずれも、外観上腐食は発生せず、また、外観における変色も発生しなかった。これに対して、第１比較例に係る端子Ｃ１については、くすみが発生し、変色が発生したことが確認された。

また、上記の検証試験とは異なる検証試験として、前述の実施形態の端子１とは形態が異なる端子を作製し、導電性確認試験を行った。具体的には、端子１とは銅合金製の本体部の形状が異なるもののめっき層は同様に構成される端子を作製し、導電性確認試験を行った。そして、前述の実施形態の端子１とは形状が異なる端子の形態の実施例として、第５実施例乃至第７実施例に係る端子を作製した。尚、第５乃至第７実施例に係る端子としては、プリント回路基板に実装されたコネクタに対して接続されるコネクタに用いられる端子を作成した。また、第５乃至第７乃至実施例に係る端子については、可撓性を有して弾性変形可能なバネ部分に電気接点部が設けられた形態の端子として作成した。そして、検証試験では、これらの端子が、上記のコネクタに用いられた形態で、試験を行った。

また、第５実施例に係る端子（以下、「端子２ａ」という）としては、前述の端子１の表層めっき層１４と同様に構成される表層めっき層がＡｇめっき層として形成された端子２ａを作製した。第６実施例に係る端子（以下、「端子２ｂ」という）としては、表層めっき層１４と同様に構成される表層めっき層がＡｇ−Ｓｎ（２５％）合金めっき層として形成された端子２ｂを作製した。第７実施例に係る端子（以下、「端子２ｃ」という）としては、表層めっき層１４と同様に構成される表層めっき層がＳｎ−Ａｇ（５％）合金めっき層として形成された端子２ｃを作製した。

第５乃至第７実施例に係る端子（２ａ、２ｂ、２ｃ）は、いずれも、前述の端子１のポーラスめっき層１３と同様に構成されるポーラスめっき層がＮｉめっき層として形成されている。また、第５乃至第７実施例に係る端子（２ａ、２ｂ、２ｃ）は、いずれも、外部に露出したポーラスめっき層のポーラス構造に潤滑物質として窒化ホウ素（ｈ−ＢＮ）が充填されている。尚、第５乃至第７実施例に係る端子（２ａ、２ｂ、２ｃ）は、いずれも、表層めっき層の平均厚み寸法の目標値が０．５μｍに設定されている。

また、第５乃至第７実施例の端子（２ａ、２ｂ、２ｃ）と比較するため、ポーラスめっき層が設けられておらず、下地めっき層の表面にＡｇめっき層が形成された、第２比較例に係る端子（以下、「端子Ｃ２」という）の作製も行った。尚、第２比較例に係る端子Ｃ２の表層のＡｇめっき層の平均厚み寸法の目標値は、０．５μｍに設定されている。また、第２比較例に係る端子Ｃ２の形状は、第５乃至第７実施例の端子（２ａ、２ｂ、２ｃ）と同様の形状に設定されている。

図１３は、第５乃至第７実施例に係る端子（２ａ、２ｂ、２ｃ）と、第２比較例に係る端子Ｃ２とについて、導電性確認試験を実施した結果を示す図である。図１３に結果を示す導電性確認試験においては、第５乃至第７実施例に係る端子（２ａ、２ｂ、２ｃ）と第２比較例に係る端子Ｃ２とについて、それぞれコネクタに装着した状態で、相手側のコネクタに対するこのコネクタの挿抜作業を繰り返し実施する試験を行った。即ち、この挿抜作業を繰り返す試験においては、プリント回路基板に実装されたコネクタに対して、試験対象の端子が装着されたコネクタを挿入して接続する動作と、このコネクタを抜き出して接続を解除する動作とを、繰り返し行った。

そして、図１３に結果を示す導電性確認試験では、繰り返しての挿抜作業が実施される前と、挿抜作業が５０００回繰り返して実施された後とにおいて、試験対象の各端子の抵抗（電気抵抗、ｍΩ）を測定した。また、第５乃至第７実施例に係る端子（２ａ、２ｂ、２ｃ）及び第２比較例に係る端子Ｃ２については、試験片をそれぞれ複数（１２個）作製し、抵抗の測定を行った。尚、図１３（ａ）は、繰り返しての挿抜作業が実施される前における抵抗測定結果を示しており、図１３（ｂ）は、５０００回繰り返しての挿抜作業が実施された後における抵抗測定結果を示している。また、抵抗測定結果については、１２個の試験片における平均値、最大値、及び最小値を記載している。

上記の挿抜作業が繰り返されても良好な導電性を確保できる水準として、通常、抵抗が３０ｍΩ以下であることが要求される。これに対して、図１３の導電性確認試験結果に示すように、第５乃至第７実施例に係る端子（２ａ、２ｂ、２ｃ）は、繰り返し挿抜作業の終了後においても、抵抗がほとんど上昇しておらず、抵抗が３０ｍΩ以下の良好な水準を確保できることを確認できた。尚、第２比較例に係る端子Ｃ２についても、抵抗があまり上昇していないことも確認された。

尚、上述した繰り返し挿抜作業の終了後に、第５及び第６実施例に係る端子（２ａ、２ｂ）と第２比較例に係る端子Ｃ２とについて、電気接点部の表面に露出した金属の種類を確認する分析を行った。その結果、第５及び第６実施例に係る端子（２ａ、２ｂ）については、電気接点部の表面において、表層めっき層が多く残存しており、母材の金属の露出が少ないことが確認された。一方、第２比較例に係る端子Ｃ２については、電気接点部の表面において、表層めっき層が少なく、母材の金属の露出が多いことが確認された。よって、第５及び第６実施例に係る端子（２ａ、２ｂ）においては、表層めっき層及びポーラスめっき層が削られてしまうことが抑制されていることが確認された。

以上説明したように、本実施形態によると、本体部１１を構成する母材の金属は、下地めっき層１２で被覆される。そして、下地めっき層１２が、多孔質体としてのポーラスめっき層１３で被覆され、ポーラスめっき層１３の表面に、表層めっき層１４が形成される。表層めっき層１４を形成する金属は、ポーラスめっき層１３を形成する金属よりもイオン化傾向が小さい貴な金属として構成される。そして、表層めっき層１４は、ポーラスめっき層１３の表面に分散するポーラス構造１３ａを外部に露出させる程度に、薄く形成される。このため、外部に露出する表層のめっき層である表層めっき層１４の厚みを薄く設定することができる。これにより、表層めっき層１４を構成する金属が、金、銀、金合金、銀合金、等のような高価な金属の場合に、その使用量を容易に低減することができる。

また、本実施形態によると、表層めっき層１４は、ポーラスめっき層１３の表面に分散するポーラス構造１３ａを外部に露出させるように設けられている。このため、本実施形態の端子は、表層めっき層１４の内側の領域において、ポーラスめっき層１３が外部に対して多く分散して露出した状態となる。これにより、下地めっき層１２の外側の領域であって表層めっき層１４及びポーラスめっき層１３が形成された領域の表面構造は、従来技術におけるピンホールが生じたような表層のめっき層の状態とは異なり、卑な金属で構成されたポーラスめっき層の面積が、貴な金属で構成された表層めっき層の面積との関係において、十分に大きい表面構造となる。このため、還元反応（カソード反応）が生じる貴な表層めっき層１４の面積に対する、酸化反応（アノード反応）が生じる卑なポーラスめっき層１３の面積の比率が、より大きく設定されることになる。これにより、貴な表層めっき層１４に接触した卑なポーラスめっき層１３の腐食速度が大幅に低減され、電解腐食（ガルバニックコロージョン）が抑制され、本実施形態の端子の表面における耐食性が向上することになる。

尚、ガルバニックコロージョンにおいては、貴な金属に接触した卑な金属の腐食速度Ｐと、卑な金属の単独での腐食速度Ｐ_０と、卑な金属の表面積Ａと、貴な金属の表面積Ｂとの間には、一般的に、Ｐ＝Ｐ_０×（１＋Ｂ／Ａ）の関係が成立する。よって、前述のように、本実施形態によると、貴な表層めっき層１４に接触した卑なポーラスめっき層１３の腐食速度が大幅に低減されることになる。

更に、本実施形態の端子は、表層めっき層１４の内側の領域において、ポーラスめっき層１３が外部に対して多く分散して露出しているため、アノード反応が生じる箇所が、広く分散することになる。これにより、腐食電流が分散され、腐食の進行メカニズムが、局部的に集中して早く進行する部分腐食のメカニズムではなく、広く薄く分散して緩やかに進行する面腐食のメカニズムとなる。このため、全体として非常に緩やかに腐食が進行することになり、本実施形態の端子の表面における耐食性が向上することになる。

また、本実施形態の端子においては、母材の金属が少なくとも下地めっき層１２で被覆されているため、母材の金属が外部に露出して腐食してしまうことも防止される。また、本実施形態によると、外部に露出する表層めっき層１４の厚みが薄く設定されても、下地めっき層１２及び母材の金属の腐食が抑制されるため、耐食性を向上させるための封孔処理剤が表面に塗布される必要がない。また、そのため、封孔処理剤の散逸による耐食性の低下の問題が生じることもない。

従って、本実施形態の端子によると、外部に露出する表層のめっき層（表層めっき層１４）の厚みを薄く設定できるとともに、下地めっき層１２及び母材の金属の腐食を長期間に亘って安定した状態で抑制することができる。

また、本実施形態の端子は、前述のように、卑なポーラスめっき層１３の腐食速度が大幅に低減され、ガルバニックコロージョンが抑制される。そして、本実施形態の端子は、表層めっき層１４の内側の領域において、ポーラスめっき層１３が外部に対して多く分散して露出しているため、腐食電流が分散される。これにより、本実施形態の端子においては、局部的に集中して早く進行する部分腐食の進展が抑制され、広く薄く分散して緩やかに進行する面腐食が生じることになる。このため、本実施形態の端子全体の耐食性が向上することになる。また、ガルバニックコロージョンが抑制されるとともに、局部的に早く集中して腐食が生じることも抑制されるため、局部的に腐食生成物が成長し易くなってしてしまうことを抑制することができる。

また、本実施形態の端子によると、下地めっき層１２及び母材の金属の腐食を抑制できるため、腐食生成物が生成されてしまうことによる導通不良が引き起こされてしまうことも抑制される。また、本実施形態の端子によると、外部に露出する表層めっき層１４の厚みが薄く設定されても、下地めっき層１２及び母材の金属の腐食が抑制されるため、導電性に乏しい封孔処理剤が表面に塗布されることもない。

従って、本実施形態の端子によると、外部に露出する表層のめっき層（表層めっき層１４）の厚みを薄く設定できるとともに、下地めっき層１２及び母材の金属の腐食を長期間に亘って安定した状態で抑制でき、更に、導通不良を引き起こしてしまうことも抑制することができる。

また、本実施形態の端子によると、外部に露出したポーラス構造１３ａの穴或いは空隙に潤滑物質１５が充填されるため、本実施形態の端子の表面における摺動磨耗特性を向上させることができる。そして、本実施形態の端子の表面の摺動磨耗特性が向上するため、本実施形態の端子の表面を他の部材が摺動する場合であっても、表層めっき層１４及びポーラスめっき層１３が削られてしまうことを抑制することができる。めっき層（１３、１４）が削れてしまうことが抑制されることで、下地めっき層１２及び母材の金属が露出してしまうことが抑制され、下地めっき層１２及び母材の金属の腐食が更に抑制されることになる。また、潤滑物質１５は、本実施形態の端子の表層に塗布されるのではなく、ポーラス構造１３ａの穴或いは空隙に充填される。このため、電気接点部１ｃを有する電子部品として構成された本実施形態の端子において、潤滑物質１５が、本実施形態の端子の表面における導電性を阻害してしまうことが抑制されることになる。

また、本実施形態によると、潤滑物質１５が、粒子状の形態でポーラス構造１３ａに埋め込まれる。このため、ポーラス構造１３ａの穴或いは空隙に対して潤滑物質１５を容易に効率よく充填することができる。

以上、本発明の実施形態について説明したが、本発明は上述の実施の形態に限られるものではなく、特許請求の範囲に記載した限りにおいて様々な変更が可能なものである。例えば、次のように変更して実施してもよい。

（１）上述の実施形態では、端子として構成された電子部品に本発明が適用された場合を例にとって説明したが、端子に限らず、本発明を適用することができる。即ち、金属材料で形成された本体部を有するとともに表面にめっき層が形成された部品であれば、本発明を広く適用することができる。例えば、金属製のコネクタ、金属製のスイッチ、金属製のリレー、等の電子部品に対して本発明が適用されてもよい。また、電気接点部を有する電子部品以外の金属製の部品に対しても本発明が広く適用されてもよい。例えば、コネクタにおける樹脂製のハウジングに取り付けられ、電磁波ノイズ対策としてのシールド機能を発揮する金属製のシールド部品に対して、本発明が適用されてもよい。また、端子として構成される電子部品に本発明が適用される場合であっても、前述の実施形態において例示した端子の形態に限らず、種々変更して実施することができる。例えば、ピン状の端子やソケット状の端子など、種々の形態の端子に対して本発明を適用することができる。

（２）前述の実施形態では、表層めっき層として、Ａｕ−Ｃｏ硬質金めっき層、Ａｇめっき層、Ａｇ−Ｓｎ（２５％）合金めっき層、Ｓｎ−Ａｇ（５％）合金めっき層、Ｓｎめっき層を例にとって説明したが、この例に限られなくてもよい。例えば、表層めっき層が、パラジウムめっき層など、上記以外のめっき層として構成されてもよい。

（３）前述の実施形態では、ポーラスめっき層におけるポーラス構造に潤滑物質が充填された形態を例にとって説明したが、この通りでなくてもよい。即ち、ポーラスめっき層におけるポーラス構造に潤滑物質が充填されていない形態が実施されてもよい。

本発明は、金属材料で形成された本体部を有するとともに表面にめっき層が形成された部品に関して、広く適用することができるものである。

１ 端子（部品、電子部品）
１１ 本体部
１２ 下地めっき層
１３ ポーラスめっき層
１３ａ ポーラス構造
１４ 表層めっき層

Claims (5)

1. 表面にめっき層が形成された部品であって、
   金属材料で形成された本体部と、
   Ｎｉ又はＮｉ合金によって形成されたＮｉめっき層を含むとともに、前記本体部の表面を被覆するように形成された下地めっき層と、
   前記下地めっき層の表面を被覆するように形成されるとともに、穴及び空隙の少なくともいずれかとして設けられたポーラス構造が分散して形成された多孔質体として構成されたポーラスめっき層と、
   前記ポーラスめっき層の表面に形成されるとともに、外部に対して露出する表層めっき層と、
   を備え、
   前記表層めっき層は、前記ポーラスめっき層の表面において分散して形成された前記ポーラス構造を外部に露出可能に設けられ、
   前記表層めっき層を形成する金属のイオン化傾向が、前記ポーラスめっき層を形成する金属のイオン化傾向よりも小さいことを特徴とする、部品。
2. 請求項１に記載の部品であって、
   他の部材に対して電気的に接続される電気接点部を有するとともに表面にめっき層が形成された電子部品として設けられていることを特徴とする、部品。
3. 請求項１又は請求項２に記載の部品であって、
   外部に露出した前記ポーラス構造に、潤滑性を有する潤滑物質が充填されていることを特徴とする、部品。
4. 請求項３に記載の部品であって、
   前記潤滑物質は、外部に露出した前記ポーラス構造に対して、粒子状の形態で埋め込まれることにより、充填されることを特徴とする、部品。
5. 請求項３又は請求項４に記載の部品であって、
   前記潤滑物質は、窒化ホウ素、モリブデン、黒鉛、シリカ、フッ素樹脂、及びダイヤモンドの少なくともいずれかを含むことを特徴とする、部品。