JP2013120858A - Cu層形成方法及び半導体装置の製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】被処理物11の表面に形成された凹部16にCuを埋め込み形成する本発明のCu層形成方法は、凹部16の内面を含む被処理物表面にCu膜17を形成する第1工程と、このCu膜をリフロー処理により流動させて凹部内をCuで埋め込む第2工程とを含み、第2工程の途中でCu原子やCuイオンを被処理物表面に供給する。
【選択図】図1
Description
Claims (6)
- 被処理物の表面に形成された凹部にCuを埋め込み形成するCu層形成方法において、
前記凹部の内面を含む被処理物表面にCu膜を形成する第1工程と、このCu膜をリフロー処理により流動させて凹部内をCuで埋め込む第2工程とを含み、
前記第2工程の途中で前記Cu原子及びCuイオンの少なくとも一方を被処理物表面に供給することを特徴とするCu層形成方法。 - 前記Cu原子及びCuイオンの少なくとも一方の被処理物表面への供給速度を、前記Cu層のリフロー処理時の流動速度より遅くすることを特徴とする請求項1記載のCu層形成方法。
- 前記Cu原子及びCuイオンの少なくとも一方の被処理物表面への供給を、Cuをターゲットとするスパッタリング法にて行うことを特徴とする請求項1または請求項2記載のCu層形成方法
- 前記第2工程を、100℃〜300℃の温度範囲で行うことを特徴とする請求項1〜3のいずれか1項に記載のCu層形成方法。
- 請求項1〜4のいずれか1項に記載のCu層形成方法を利用した半導体装置の製造方法であって、
被処理物を半導体基板の一方の面側に有する絶縁膜中に形成した溝部とし、この被処理物を真空中で加熱する脱ガス工程と、
前記被処理物を水素プラズマに曝して不純物を除去する不純物除去工程と、
前記溝部内面にバリア層を形成するバリア層形成工程と、を含み、
このバリア層が形成された溝部を凹部とし、上記Cu層形成方法を実施することを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 前記バリア膜は、Ta,Ti,W,Ru,V,Co,Nbのうち、少なくとも一種を含む材料で構成されることを特徴とする請求項5項記載の半導体装置の製造方法。
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