JP2013112558A - Graphite material including gallium nitride layer, and method for producing the same - Google Patents
Graphite material including gallium nitride layer, and method for producing the same Download PDFInfo
- Publication number
- JP2013112558A JP2013112558A JP2011259466A JP2011259466A JP2013112558A JP 2013112558 A JP2013112558 A JP 2013112558A JP 2011259466 A JP2011259466 A JP 2011259466A JP 2011259466 A JP2011259466 A JP 2011259466A JP 2013112558 A JP2013112558 A JP 2013112558A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- gallium nitride
- expanded graphite
- nitride layer
- graphite sheet
- sheet
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Abstract
Description
本発明は、窒化ガリウム層を備える黒鉛材及びその製造方法に関する。 The present invention relates to a graphite material including a gallium nitride layer and a method for manufacturing the graphite material.
従来、サファイア基板などの上に窒化ガリウム層を設けた半導体素子が知られている。しかしながら、サファイア基板は、非常に高価である。このため、サファイア基板の代わりに、高配向性グラファイト（ＨＯＰＧ）や、高分子材料を焼結して得られるグラファイトなどの、非常に配向性の高いグラファイトからなる基板の上に窒化ガリウム層を設けた黒鉛材が提案されている（例えば、特許文献１を参照）。 Conventionally, a semiconductor element in which a gallium nitride layer is provided on a sapphire substrate or the like is known. However, sapphire substrates are very expensive. Therefore, instead of a sapphire substrate, a gallium nitride layer is provided on a substrate made of highly oriented graphite, such as highly oriented graphite (HOPG) or graphite obtained by sintering a polymer material. A graphite material has been proposed (see, for example, Patent Document 1).
しかしながら、高配向性グラファイト（ＨＯＰＧ）や、高分子材料を焼結して得られるグラファイトも高価である。従って、これらの特殊なグラファイトを用いたとしても、窒化ガリウム層を備える材料を十分に低コスト化することは困難である。 However, highly oriented graphite (HOPG) and graphite obtained by sintering a polymer material are also expensive. Therefore, even if these special graphites are used, it is difficult to sufficiently reduce the cost of the material including the gallium nitride layer.
このような状況下、窒化ガリウム層を備える新規な黒鉛材が求められている。 Under such circumstances, a new graphite material having a gallium nitride layer is demanded.
本発明は、窒化ガリウム層を備える新規な黒鉛材を提供することを主な目的とする。 The main object of the present invention is to provide a novel graphite material having a gallium nitride layer.
本発明の黒鉛材は、膨張黒鉛シートと結晶性窒化ガリウム層とを備える。結晶性窒化ガリウム層は、膨張黒鉛シートの上に配されている。 The graphite material of the present invention includes an expanded graphite sheet and a crystalline gallium nitride layer. The crystalline gallium nitride layer is disposed on the expanded graphite sheet.
結晶性窒化ガリウム層は、膨張黒鉛シートの上に窒化ガリウムの結晶がエピタキシャル成長したものであることが好ましい。 The crystalline gallium nitride layer is preferably an epitaxially grown gallium nitride crystal on an expanded graphite sheet.
結晶性窒化ガリウム層は、膨張黒鉛シートのｃ面露出部の上に配されていることが好ましい。 The crystalline gallium nitride layer is preferably disposed on the c-plane exposed portion of the expanded graphite sheet.
本発明の半導体素子は、上記の黒鉛材を備える。 The semiconductor element of this invention is equipped with said graphite material.
本発明の黒鉛材の製造方法は、上記の黒鉛材の製造方法であって、膨張黒鉛シートを準備する工程と、膨張黒鉛シートの上に、結晶性窒化ガリウム層を形成する工程とを備える。 The method for producing a graphite material of the present invention is a method for producing the above graphite material, and includes a step of preparing an expanded graphite sheet and a step of forming a crystalline gallium nitride layer on the expanded graphite sheet.
有機金属気相成長法により、膨張黒鉛シートの上に、結晶性窒化ガリウム層を形成することが好ましい。 It is preferable to form a crystalline gallium nitride layer on the expanded graphite sheet by metal organic vapor phase epitaxy.
本発明によれば、結晶性窒化ガリウム層を備える新規な黒鉛材を提供することができる。 ADVANTAGE OF THE INVENTION According to this invention, the novel graphite material provided with a crystalline gallium nitride layer can be provided.
以下、本発明を実施した好ましい形態の一例について説明する。但し、下記の実施形態は、単なる例示である。本発明は、下記の実施形態に何ら限定されない。 Hereinafter, an example of the preferable form which implemented this invention is demonstrated. However, the following embodiment is merely an example. The present invention is not limited to the following embodiments.
また、実施形態などにおいて参照する図面は、模式的に記載されたものであり、図面に描画された物体の寸法の比率などは、現実の物体の寸法の比率などとは異なる場合がある。具体的な物体の寸法比率などは、以下の説明を参酌して判断されるべきである。 The drawings referred to in the embodiments and the like are schematically described, and the ratio of dimensions of objects drawn in the drawings may be different from the ratio of dimensions of actual objects. The specific dimensional ratio of the object should be determined in consideration of the following description.
図１は、本実施形態に係る黒鉛材の略図的断面図である。黒鉛材１は、膨張黒鉛シート２を有する。本発明において、膨張黒鉛シートは、例えば特開２００６−６２９２２号公報に記載されているような、天然黒鉛などを硫酸などに浸漬して熱処理することで層間に浸透された硫酸などがガス化し、発生ガスの放出が爆発的に層間を拡げて形成された膨張黒鉛をシート状に圧縮したものである。膨張黒鉛シートは、六角板状扁平な結晶の六炭素環の積層構造における層間が剥離された膨張黒鉛を圧延して成形したものである。膨張黒鉛シートは、安価である。 FIG. 1 is a schematic cross-sectional view of a graphite material according to the present embodiment. The graphite material 1 has an expanded graphite sheet 2. In the present invention, the expanded graphite sheet is gasified, for example, as described in JP-A-2006-62922, by immersing natural graphite or the like in sulfuric acid or the like and heat-treating it between layers. The expanded graphite formed by expanding the layers explosively in the release of the generated gas is compressed into a sheet. The expanded graphite sheet is formed by rolling expanded graphite from which the layers in the hexagonal plate-like flat crystal 6-carbon ring laminated structure are separated. The expanded graphite sheet is inexpensive.
膨張黒鉛シートは、例えば、次のようにして製造することができる。まず、天然黒鉛、キャッシュ黒鉛などを、硫酸、硝酸などに浸漬させ、４００℃以上で熱処理を行うことによって、膨張黒鉛を得る。次に、膨張黒鉛を圧縮して、シート状の原シートを得る。次に、原シートにハロゲンガスなどを接触させ、原シートに含まれる硫黄、鉄などの不純物を除去し、純化シートを得る。次に、純化シートを圧延成形することにより、膨張黒鉛シートを得る。 An expanded graphite sheet can be manufactured as follows, for example. First, natural graphite, cache graphite, etc. are immersed in sulfuric acid, nitric acid, etc., and heat-treated at 400 ° C. or higher to obtain expanded graphite. Next, the expanded graphite is compressed to obtain a sheet-like original sheet. Next, a halogen gas or the like is brought into contact with the original sheet to remove impurities such as sulfur and iron contained in the original sheet to obtain a purified sheet. Next, the expanded graphite sheet is obtained by rolling the purified sheet.
膨張黒鉛シート２は、黒鉛と同じ六角板状の扁平な結晶構造を有する。膨張黒鉛シート２の表面２ａの少なくとも一部は、結晶のｃ面が露出した平坦なｃ面露出部２ａ１を有する。このｃ面露出部２ａ１の結晶構造は、黒鉛の結晶構造のｃ面に相当する構造を有する。すなわち、膨張黒鉛シート２のｃ面露出部２ａ１は、ｓｐ２炭素が結合した六炭素環構造に由来する構造を有する。 The expanded graphite sheet 2 has the same hexagonal plate-like flat crystal structure as graphite. At least a part of the surface 2a of the expanded graphite sheet 2 has a flat c-plane exposed portion 2a1 in which the c-plane of the crystal is exposed. The crystal structure of the c-plane exposed portion 2a1 has a structure corresponding to the c-plane of the graphite crystal structure. That is, the c-plane exposed part 2a1 of the expanded graphite sheet 2 has a structure derived from a six-carbon ring structure in which sp 2 carbons are bonded.
膨張黒鉛シート２の表面２ａの面積のうち、ｃ面露出部２ａ１の占める面積の割合（（ｃ面露出部２ａ１の占める面積）／（膨張黒鉛シート２の表面２ａの面積）×１００）は、５％〜９５％程度であることが好ましく、１０％〜９０％程度であることがより好ましい。 Of the area of the surface 2a of the expanded graphite sheet 2, the ratio of the area occupied by the c-plane exposed portion 2a1 ((area occupied by the c-plane exposed portion 2a1) / (area of the surface 2a of the expanded graphite sheet 2) × 100) is: It is preferably about 5% to 95%, more preferably about 10% to 90%.
膨張黒鉛シート２の厚みは、０．０１〜２．０ｍｍ程度であることが好ましく、０．０５〜１．０ｍｍ程度であることがより好ましい。膨張黒鉛シート２のかさ密度は、０．５〜２．０ｇ／ｃｍ３程度であることが好ましく、０．７〜２．０ｇ／ｃｍ３程度であることがより好ましい。膨張黒鉛シート２の表面粗さは、Ｒａ＝５０以下であることが好ましく、Ｒａ＝２５以下程度であることがより好ましい。なお、本発明において、表面粗さは、ＪＩＳ Ｂ０６０１−２００１に規定される算術平均粗さである。 The thickness of the expanded graphite sheet 2 is preferably about 0.01 to 2.0 mm, and more preferably about 0.05 to 1.0 mm. The bulk density of the expanded graphite sheet 2 is preferably about 0.5 to 2.0 g / cm 3, more preferably 0.7~2.0g / cm 3 order. The surface roughness of the expanded graphite sheet 2 is preferably Ra = 50 or less, and more preferably about Ra = 25 or less. In the present invention, the surface roughness is an arithmetic average roughness defined in JIS B0601-2001.
膨張黒鉛シート２の表面２ａの少なくとも一部の上には、結晶性窒化ガリウム層３が設けられている。具体的には、結晶性窒化ガリウム層３は、膨張黒鉛シート２のｃ面露出部２ａ１の上に設けられている。結晶性窒化ガリウム層３は、窒化ガリウムの単結晶及び多結晶の少なくとも一方により構成されている。結晶性窒化ガリウム層３は、窒化ガリウム（ＧａＮ）の結晶がエピタキシャル成長したものであってもよい。結晶性窒化ガリウム層３の厚みは、１０〜５００ｎｍ程度であることが好ましく、５０〜２００ｎｍ程度であることがより好ましい。 A crystalline gallium nitride layer 3 is provided on at least a part of the surface 2 a of the expanded graphite sheet 2. Specifically, the crystalline gallium nitride layer 3 is provided on the c-plane exposed portion 2 a 1 of the expanded graphite sheet 2. The crystalline gallium nitride layer 3 is composed of at least one of a single crystal and a polycrystal of gallium nitride. The crystalline gallium nitride layer 3 may be an epitaxially grown gallium nitride (GaN) crystal. The thickness of the crystalline gallium nitride layer 3 is preferably about 10 to 500 nm, and more preferably about 50 to 200 nm.
膨張黒鉛シート２の表面２ａの面積のうち、結晶性窒化ガリウム層３が設けられた部分の面積の割合（（結晶性窒化ガリウム層３が設けられた部分の面積）／（膨張黒鉛シート２の表面２ａの面積）×１００）は、５％〜９５％程度であることが好ましく、１０％〜９０％程度であることがより好ましい。 Of the area of the surface 2a of the expanded graphite sheet 2, the ratio of the area of the portion where the crystalline gallium nitride layer 3 is provided ((area of the portion where the crystalline gallium nitride layer 3 is provided) / (of the expanded graphite sheet 2) The area 2 x 100) of the surface 2a is preferably about 5% to 95%, and more preferably about 10% to 90%.
次に、本実施形態に係る黒鉛材１の製造方法の一例について説明する。まず、膨張黒鉛シート２を準備する。次に、膨張黒鉛シート２の表面２ａの一部の上に、結晶性窒化ガリウム層３を形成する。具体的には、膨張黒鉛シート２の表面２ａの一部のｃ面露出部２ａ１の上に、有機金属気相成長法などにより、窒化ガリウムの結晶をエピタキシャル成長させて、結晶性窒化ガリウム層３を形成してもよい。 Next, an example of the manufacturing method of the graphite material 1 which concerns on this embodiment is demonstrated. First, the expanded graphite sheet 2 is prepared. Next, the crystalline gallium nitride layer 3 is formed on a part of the surface 2 a of the expanded graphite sheet 2. Specifically, a crystalline gallium nitride layer 3 is formed by epitaxially growing a gallium nitride crystal on a part of the c-plane exposed portion 2a1 of the surface 2a of the expanded graphite sheet 2 by metal organic vapor phase epitaxy or the like. It may be formed.
黒鉛の結晶構造は、図２に示されるような、六角板状構造である。黒鉛の結晶構造のｃ面は、ｓｐ２炭素の六炭素環構造に由来する平面構造を有する。一方、窒化ガリウム（ＧａＮ）の結晶構造は、図３に示されるような六炭素環構造を有する。黒鉛の六炭素環構造における一辺の原子間距離は、０．１４２ｎｍである。窒化ガリウムの六炭素環構造における一辺の原子間距離は、０．２７６ｎｍである。窒化ガリウムの六炭素環構造における一辺の原子間距離は、黒鉛の六炭素環構造における一辺の原子間距離の２倍周期となっているため、黒鉛の結晶構造のｃ面の上には、窒化ガリウムの結晶が配置され得る。膨張黒鉛シート２の表面２ａには、ｃ面露出部２ａ１が多数存在し、このｃ面露出部２ａ１は、黒鉛の結晶構造のｃ面に相当する構造を有する。よって、膨張黒鉛シート２のｃ面露出部２ａ１の上にも、窒化ガリウムの結晶が配置され得る。従って、膨張黒鉛シート２の表面２ａの少なくとも一部の上に、結晶性窒化ガリウム層３を設けることができる。また、膨張黒鉛シート２のｃ面の構造と窒化ガリウムの結晶構造から、膨張黒鉛シート２のｃ面露出部２ａ１の上には、窒化ガリウムの結晶をエピタキシャル成長させることが可能であることがわかる。 The crystal structure of graphite is a hexagonal plate-like structure as shown in FIG. C plane of the crystal structure of the graphite has a planar structure derived from a six carbon ring structure of sp 2 carbon. On the other hand, the crystal structure of gallium nitride (GaN) has a six-carbon ring structure as shown in FIG. The interatomic distance of one side in the hexacarbon ring structure of graphite is 0.142 nm. The distance between atoms on one side in the hexacarbon ring structure of gallium nitride is 0.276 nm. The distance between atoms on one side in the hexacarbon ring structure of gallium nitride is twice as long as the distance between atoms on one side in the hexacarbon ring structure of graphite. Gallium crystals can be placed. A large number of c-plane exposed portions 2a1 exist on the surface 2a of the expanded graphite sheet 2, and the c-plane exposed portions 2a1 have a structure corresponding to the c-plane of the crystal structure of graphite. Therefore, gallium nitride crystals can also be disposed on the c-plane exposed portion 2a1 of the expanded graphite sheet 2. Therefore, the crystalline gallium nitride layer 3 can be provided on at least a part of the surface 2 a of the expanded graphite sheet 2. Further, from the c-plane structure of the expanded graphite sheet 2 and the crystal structure of gallium nitride, it can be seen that a gallium nitride crystal can be epitaxially grown on the c-plane exposed portion 2a1 of the expanded graphite sheet 2.
膨張黒鉛シート２の表面２ａの少なくとも一部の上に結晶性窒化ガリウム層３が設けられた黒鉛材１は、光電変換素子などの半導体素子などとして好適に使用することができる。 The graphite material 1 in which the crystalline gallium nitride layer 3 is provided on at least a part of the surface 2a of the expanded graphite sheet 2 can be suitably used as a semiconductor element such as a photoelectric conversion element.
また、膨張黒鉛シート２のｃ面露出部２ａ１は、上記のような製造方法から、表面２ａの上全体に分散されて存在する。黒鉛材１においては、例えば発光素子に用いられた場合、ｃ面露出部２ａ１が分散されていることにより、半導体層間における短絡が防がれ、安定性の高い発光状態が得られる。さらに、黒鉛材１においては、ｃ面露出部２ａ１が分散されていることにより、半導体層の一部に発光しない部分が存在しても、黒鉛材１の面全体が発光しているように見せることが可能である。 Further, the c-plane exposed part 2a1 of the expanded graphite sheet 2 is dispersed over the entire surface 2a from the manufacturing method as described above. When the graphite material 1 is used for a light emitting element, for example, the c-plane exposed portion 2a1 is dispersed, so that a short circuit between semiconductor layers is prevented and a highly stable light emitting state is obtained. Further, in the graphite material 1, since the c-plane exposed portion 2a1 is dispersed, the entire surface of the graphite material 1 appears to emit light even if a portion that does not emit light exists in a part of the semiconductor layer. It is possible.
以下、本発明について、具体的な実験例に基づいて、さらに詳細に説明する。但し、本発明は、以下の実験例に何ら限定されるものではなく、その要旨を変更しない範囲において適宜変更して実施することが可能である。 Hereinafter, the present invention will be described in more detail based on specific experimental examples. However, the present invention is not limited to the following experimental examples, and can be implemented with appropriate modifications without departing from the scope of the invention.
（実験例）
走査電子顕微鏡（ＳＥＭ）を用い、膨張黒鉛シート（東洋炭素株式会社製のＰＦ−２０、厚さ０．２ｍｍ、かさ密度１．０ｇ／ｃｍ３）の表面のＳＥＭ像を観察した。ＳＥＭ像を図４に示す。図４に示されるように、膨張黒鉛シートの表面には、分散されて平坦部が多く存在していた。
(Experimental example)
Using a scanning electron microscope (SEM), an SEM image of the surface of the expanded graphite sheet (PF-20 manufactured by Toyo Tanso Co., Ltd., thickness 0.2 mm, bulk density 1.0 g / cm 3 ) was observed. An SEM image is shown in FIG. As shown in FIG. 4, the surface of the expanded graphite sheet was dispersed and had many flat portions.
次に、原子間力顕微鏡（ＡＦＭ）を用い、この膨張黒鉛シートのＡＦＭ像を観察した。ＡＦＭ像を図５に示す。図５に示されるように、膨張黒鉛シートの表面では、原子レベルにおいても、分散された平坦部が多く観察された。 Next, an AFM image of the expanded graphite sheet was observed using an atomic force microscope (AFM). An AFM image is shown in FIG. As shown in FIG. 5, many dispersed flat portions were observed on the surface of the expanded graphite sheet even at the atomic level.
次に、膨張黒鉛シートの結晶構造をＸ線回折法により解析した。その結果、膨張黒鉛シートは、黒鉛と同様の結晶構造を有し、ｃ軸に強く配向していることが確認された。このことから、ＡＦＭ像により観察された平坦部は、黒鉛の結晶構造におけるｃ面に相当する構造を有すると考えられる。 Next, the crystal structure of the expanded graphite sheet was analyzed by an X-ray diffraction method. As a result, it was confirmed that the expanded graphite sheet had the same crystal structure as graphite and was strongly oriented in the c-axis. From this, it is considered that the flat portion observed by the AFM image has a structure corresponding to the c-plane in the crystal structure of graphite.
実験例において、膨張黒鉛シートの表面には、原子レベルにおいて、分散されたｃ面露出部が多く存在することが明らかとなった。黒鉛の結晶構造におけるｃ面上には、窒化ガリウムの結晶が配置し得ることから、膨張黒鉛シートの表面には、結晶性窒化ガリウム層を設けることが可能であることが分かる。 In the experimental example, it has been clarified that there are many dispersed c-plane exposed portions at the atomic level on the surface of the expanded graphite sheet. Since gallium nitride crystals can be arranged on the c-plane in the graphite crystal structure, it can be seen that a crystalline gallium nitride layer can be provided on the surface of the expanded graphite sheet.
１…黒鉛材
２…膨張黒鉛シート
２ａ…表面
２ａ１…ｃ面露出部
３…結晶性窒化ガリウム層
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 ... Graphite material 2 ... Expanded graphite sheet 2a ... Surface 2a1 ... c surface exposure part 3 ... Crystalline gallium nitride layer
Claims (6)
前記膨張黒鉛シートの上に配された結晶性窒化ガリウム層と、
を備える、黒鉛材。 An expanded graphite sheet;
A crystalline gallium nitride layer disposed on the expanded graphite sheet;
A graphite material.
前記膨張黒鉛シートを準備する工程と、
前記膨張黒鉛シートの上に、前記結晶性窒化ガリウム層を形成する工程と、
を備える、黒鉛材の製造方法。 A method for producing a graphite material according to any one of claims 1 to 4,
Preparing the expanded graphite sheet;
Forming the crystalline gallium nitride layer on the expanded graphite sheet;
A method for producing a graphite material.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2011259466A JP5896701B2 (en) | 2011-11-28 | 2011-11-28 | Graphite material provided with gallium nitride layer and method for producing the same |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2011259466A JP5896701B2 (en) | 2011-11-28 | 2011-11-28 | Graphite material provided with gallium nitride layer and method for producing the same |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2013112558A true JP2013112558A (en) | 2013-06-10 |
| JP5896701B2 JP5896701B2 (en) | 2016-03-30 |
Family
ID=48708444
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2011259466A Active JP5896701B2 (en) | 2011-11-28 | 2011-11-28 | Graphite material provided with gallium nitride layer and method for producing the same |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP5896701B2 (en) |
Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62143897A (en) * | 1985-12-18 | 1987-06-27 | Sumitomo Electric Ind Ltd | Crystal deposition substrate for vapor-phase synthesis |
| JPH11100207A (en) * | 1997-09-26 | 1999-04-13 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Production of graphite film |
| JP2009200207A (en) * | 2008-02-21 | 2009-09-03 | Kanagawa Acad Of Sci & Technol | Semiconductor substrate, semiconductor element, light-emitting element, and electronic element |
| WO2009113472A1 (en) * | 2008-03-10 | 2009-09-17 | 国立大学法人東北大学 | Graphene or graphite thin film, manufacturing method thereof, thin film structure and electronic device |
| JP2011057474A (en) * | 2009-09-07 | 2011-03-24 | Univ Of Tokyo | Semiconductor substrate, method for producing the semiconductor substrate, substrate for semiconductor growth, method for producing the substrate for semiconductor growth, semiconductor element, light-emitting element, display panel, electronic element, solar cell element, and electronic equipment |
| JP2011110694A (en) * | 2009-11-25 | 2011-06-09 | Samsung Electronics Co Ltd | Composite structure of graphene and nanostructure, and method for manufacturing the same |
-
2011
- 2011-11-28 JP JP2011259466A patent/JP5896701B2/en active Active
Patent Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62143897A (en) * | 1985-12-18 | 1987-06-27 | Sumitomo Electric Ind Ltd | Crystal deposition substrate for vapor-phase synthesis |
| JPH11100207A (en) * | 1997-09-26 | 1999-04-13 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Production of graphite film |
| JP2009200207A (en) * | 2008-02-21 | 2009-09-03 | Kanagawa Acad Of Sci & Technol | Semiconductor substrate, semiconductor element, light-emitting element, and electronic element |
| WO2009113472A1 (en) * | 2008-03-10 | 2009-09-17 | 国立大学法人東北大学 | Graphene or graphite thin film, manufacturing method thereof, thin film structure and electronic device |
| JP2011057474A (en) * | 2009-09-07 | 2011-03-24 | Univ Of Tokyo | Semiconductor substrate, method for producing the semiconductor substrate, substrate for semiconductor growth, method for producing the substrate for semiconductor growth, semiconductor element, light-emitting element, display panel, electronic element, solar cell element, and electronic equipment |
| JP2011110694A (en) * | 2009-11-25 | 2011-06-09 | Samsung Electronics Co Ltd | Composite structure of graphene and nanostructure, and method for manufacturing the same |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP5896701B2 (en) | 2016-03-30 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| Tomioka et al. | Selective-area growth of vertically aligned GaAs and GaAs/AlGaAs core–shell nanowires on Si (111) substrate | |
| US8227069B2 (en) | Process for producing graphene/SiC composite material and graphene/SiC composite material obtained thereby | |
| US9574287B2 (en) | Gallium nitride material and device deposition on graphene terminated wafer and method of forming the same | |
| US20100200839A1 (en) | Graphene grown substrate and electronic/photonic integrated circuits using same | |
| US20110014457A1 (en) | Graphene Layer With An Engineered Stress Supported On A Substrate | |
| US20120181501A1 (en) | Graphene on Diamond Devices and Associated Methods | |
| JP2008266064A (en) | Substrate for semiconductor element and its manufacturing method | |
| Wang et al. | Graphene-assisted molecular beam epitaxy of AlN for AlGaN deep-ultraviolet light-emitting diodes | |
| JP2008504704A5 (en) | ||
| JP5622890B2 (en) | Epitaxial structure and manufacturing method thereof | |
| Zhao et al. | Direct growth of graphene on gallium nitride by using chemical vapor deposition without extra catalyst | |
| Ji et al. | Understanding the 2D-material and substrate interaction during epitaxial growth towards successful remote epitaxy: a review | |
| JP5681959B2 (en) | Graphene / Diamond Laminate | |
| Choi et al. | Heteroepitaxial Growth of GaN on Unconventional Templates and Layer‐Transfer Techniques for Large‐Area, Flexible/Stretchable Light‐Emitting Diodes | |
| Wu et al. | High quality AlN film assisted by graphene/sputtered AlN buffer layer for deep-ultraviolet-LED | |
| KR20120029248A (en) | A method for fabricating gan wafer | |
| JP5896701B2 (en) | Graphite material provided with gallium nitride layer and method for producing the same | |
| Hwang et al. | CVD growth of SiC on sapphire substrate and graphene formation from the epitaxial SiC | |
| CN116314507A (en) | Light-emitting diode epitaxial wafer, preparation method thereof and light-emitting diode | |
| Fleurence et al. | Mechanisms of parasitic crystallites formation in ZrB2 (0 0 0 1) buffer layer grown on Si (1 1 1) | |
| JP2009070872A (en) | Compound semiconductor substrate | |
| Alaskar et al. | Heteroepitaxial growth of III–V semiconductors on 2D materials | |
| KR20110014847A (en) | Method of manufacturing graphene and laminated structure having graphene layer | |
| JP4863551B2 (en) | Quantum dot manufacturing method and quantum dot structure | |
| JP6894606B2 (en) | Method for producing graphene and graphene film produced by it |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20140909 |
|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20150528 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20150602 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20150708 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20150929 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20151106 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20160223 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20160301 |
|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5896701 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |