JP2013089738A - Semiconductor device manufacturing apparatus and semiconductor device manufacturing method - Google Patents

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正資 岩崎
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To inhibit remaining of cutting scraps by removing cutting scraps adhering to side faces of a semiconductor package after singulation.SOLUTION: A semiconductor device manufacturing apparatus of an embodiment comprises: a supply part 10 supplying semiconductor packages 1 linking to one another; a cutting part singulating the semiconductor packages 1 linking to one another; and a removal part 300 removing cutting scraps 100 and 200 adhering to side faces of a singulated semiconductor package 2. The removal part 300 includes a first conveyance path 30 conveying the singulated semiconductor package 2; first brushes 50 provided on both sides of the first conveyance path 30, respectively; a second conveyance path 40 conveying the semiconductor package 2 having passed the first conveyance path 30 in a manner that the semiconductor package 2 is rotated by 90 degrees when viewed from above; and second brushes 60 provided on both sides of the second conveyance path 40, respectively.

Description

本発明は、半導体装置の製造装置および半導体装置の製造方法に関する。   The present invention relates to a semiconductor device manufacturing apparatus and a semiconductor device manufacturing method.

半導体ウェハから半導体パッケージを個片化する際、半導体パッケージの側面には切断屑が残留することがある。   When semiconductor packages are separated from a semiconductor wafer, cutting waste may remain on the side surfaces of the semiconductor package.

特許文献１−２には、半導体パッケージの側面に付着した切断屑を除去することを試みた半導体装置の製造装置が開示されている。特許文献１では、半導体パッケージを個片化する際、回転ブラシを用いて切断屑を除去しようとするダイシング装置が記載されている。特許文献２では、半導体パッケージの側面に付着した切断屑を、エアーによって除去しようとしている。   Patent Document 1-2 discloses a semiconductor device manufacturing apparatus that attempts to remove cutting waste adhering to the side surface of a semiconductor package. Patent Document 1 describes a dicing apparatus that uses a rotating brush to remove cutting waste when a semiconductor package is separated into individual pieces. In patent document 2, the cutting waste adhering to the side surface of a semiconductor package is going to be removed with air.

特開２００３−１３３２５６号公報JP 2003-133256 A 特開２００３−３０９０８７号公報JP 2003-309087 A

半導体パッケージの側面に切断屑が付着している場合、半導体パッケージを収容する容器と半導体パッケージの側面が接触することによって、切断屑が再露出することがある。発明者は、半導体パッケージを個片化するのと同時に回転ブラシによる切断屑の除去を行った際、半導体パッケージと切断機の隙間が狭いため、回転ブラシの摩耗屑が発生し付着してしまうことと考えた。さらに発明者は、半導体パッケージを個片化した後、エアーによる切断屑の除去を行った際、側面に付着した切断屑を完全に除去することは困難であると考えた。   When cutting waste adheres to the side surface of the semiconductor package, the cutting waste may be re-exposed when the container for housing the semiconductor package comes into contact with the side surface of the semiconductor package. When the inventor removes the cutting waste with the rotating brush at the same time when the semiconductor package is separated into pieces, since the gap between the semiconductor package and the cutting machine is narrow, the wear waste of the rotating brush is generated and attached. I thought. Further, the inventor considered that it was difficult to completely remove the cutting waste adhering to the side face when the semiconductor package was separated into pieces and the cutting waste was removed by air.

半導体パッケージの個片化と同時に、回転ブラシや、エアーなどによって切断屑の除去を行った際、切断屑の除去は完全には出来ない。そこで、半導体パッケージの側面に付着する切断屑を、個片化した後に除去することによって、切断屑の残留を抑制する。   When cutting chips are removed with a rotating brush or air simultaneously with the separation of the semiconductor package, the cutting chips cannot be completely removed. Accordingly, the cutting waste adhering to the side surface of the semiconductor package is removed after being separated into individual pieces, thereby suppressing the remaining cutting waste.

本発明によれば、互いに繋がっている半導体パッケージを供給する供給部と、
上記互いに繋がっている半導体パッケージを個片化する切断部と、
上記個片化された上記半導体パッケージの側面に付着した切断屑を除去する除去部と、
を有し、
上記除去部は、上記個片化された半導体パッケージを搬送する第１の搬送経路と、
上記第１の搬送経路の両側にそれぞれ設けられた第１のブラシと、
上記第１の搬送経路を通過した上記半導体パッケージを上から見て９０度回転させた状態で搬送する第２の搬送経路と、
上記第２の搬送経路の両側にそれぞれ設けられた第２のブラシと、
を含む半導体装置の製造装置が提供される。 According to the present invention, a supply unit for supplying semiconductor packages connected to each other;
A cutting part for separating the semiconductor packages connected to each other;
A removal unit for removing cutting waste adhering to the side surface of the semiconductor package separated into pieces;
Have
The removal unit includes a first transport path for transporting the singulated semiconductor package;
A first brush provided on each side of the first transport path;
A second transport path for transporting the semiconductor package that has passed through the first transport path in a state of being rotated 90 degrees when viewed from above;
A second brush provided on each side of the second transport path;
An apparatus for manufacturing a semiconductor device is provided.

さらに、本発明によれば、互いに繋がっている半導体パッケージを切断して個片化する切断工程と、
上記個片化された上記半導体パッケージの側面に付着した切断屑を除去する除去工程と、
を有し、
上記除去工程において、上記半導体パッケージを第１の搬送経路に搭載し、上記第１の搬送経路の両側にそれぞれ設けられた第１のブラシによって上記半導体パッケージの互いに平行した２つの側面の上記切断屑を除去する第１の除去工程と、
上記第１の搬送経路に上記半導体パッケージを搭載した方向とは、上から見て９０度回転させた状態で第２の搬送経路に搭載し、上記第２の搬送経路の両側にそれぞれ設けられた第２のブラシによって、上記第１の除去工程とは異なる互いに平行した上記半導体パッケージの側面の上記切断屑を除去する第２の除去工程と、
を含む半導体装置の製造方法が提供される。 Furthermore, according to the present invention, a cutting step of cutting and singulating semiconductor packages connected to each other;
A removal step of removing cutting waste adhering to the side surface of the semiconductor package that has been separated into pieces,
Have
In the removing step, the semiconductor package is mounted on the first transport path, and the cutting scraps on the two parallel side surfaces of the semiconductor package are provided by first brushes provided on both sides of the first transport path, respectively. A first removal step of removing
The direction in which the semiconductor package is mounted on the first transport path is mounted on the second transport path in a state of being rotated 90 degrees when viewed from above, and provided on both sides of the second transport path. A second removal step of removing the cutting scraps on the side surfaces of the semiconductor package parallel to each other different from the first removal step by a second brush;
A method for manufacturing a semiconductor device is provided.

本発明によれば、半導体ウェハから半導体パッケージを個片化した後、半導体パッケージの側面に付着した切断屑をブラシによって取り除いている。半導体パッケージは、平面視で長方形あるいは正方形の形状を有している。また、ブラシは、切断部とは別に設けられた搬送経路に沿って両側に設けられている。このため、半導体パッケージの側面にブラシを接触させることができる。   According to the present invention, after the semiconductor package is separated from the semiconductor wafer, the cutting waste adhering to the side surface of the semiconductor package is removed by the brush. The semiconductor package has a rectangular or square shape in plan view. Moreover, the brush is provided on both sides along the conveyance path provided separately from the cutting part. For this reason, a brush can be made to contact the side surface of a semiconductor package.

本発明によれば、半導体パッケージを個片化した後、側面に付着した切断屑を、ブラシを用いて除去することによって、切断屑を効果的に除去している。これによって、半導体パッケージの側面における切断屑の残留が、抑制される。   According to the present invention, after the semiconductor package is separated into pieces, the cutting waste adhering to the side surface is removed using a brush, thereby effectively removing the cutting waste. Thereby, the residue of the cutting waste on the side surface of the semiconductor package is suppressed.

本実施形態に係る半導体装置の製造装置を説明する図であり、（ａ）は供給部を説明するための上面図、（ｂ）は切断部を説明するための上面図、（ｃ）は個片化された半導体パッケージを説明するための斜示図を示している。It is a figure explaining the manufacturing apparatus of the semiconductor device which concerns on this embodiment, (a) is a top view for demonstrating a supply part, (b) is a top view for demonstrating a cutting part, (c) is an individual figure. FIG. 2 is a perspective view for explaining a semiconductor package that has been separated; は、本実施形態に係る半導体装置の製造装置における除去部を説明するための斜示図である。These are the oblique views for demonstrating the removal part in the manufacturing apparatus of the semiconductor device which concerns on this embodiment. 本実施形態に係る半導体装置の製造方法を説明するための断面図である。It is sectional drawing for demonstrating the manufacturing method of the semiconductor device which concerns on this embodiment.

以下、本発明の実施の形態について、図面を用いて説明する。尚、すべての図面において、同様な構成要素には同様の符号を付し、適宜説明を省略する。   Hereinafter, embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings. In all the drawings, the same reference numerals are given to the same components, and the description will be omitted as appropriate.

（第１の実施形態）
図１は、本実施形態に係る半導体装置の製造装置を説明する図であり、（ａ）は供給部を、（ｂ）は切断部を、（ｃ）は個片化された半導体パッケージを示している。
図１に示すように、本実施形態に係る半導体装置の製造装置は、互いに繋がっている半導体パッケージ１を供給する供給部１０と、互いに繋がっている半導体パッケージ１を個片化する切断部と、個片化された半導体パッケージ２の側面に付着した切断屑１００および２００を除去する除去部３００と、を有している。除去部３００は、個片化された半導体パッケージ２を搬送する第１の搬送経路３０と、第１の搬送経路３０の両側にそれぞれ設けられた第１のブラシ５０と、第１の搬送経路３０を通過した半導体パッケージ２を上から見て９０度回転させた状態で搬送する第２の搬送経路４０と、第２の搬送経路４０の両側にそれぞれ設けられた第２のブラシ６０と、を含んでいる。 (First embodiment)
1A and 1B are diagrams for explaining a semiconductor device manufacturing apparatus according to the present embodiment, where FIG. 1A shows a supply unit, FIG. 1B shows a cutting unit, and FIG. 1C shows an individualized semiconductor package. ing.
As shown in FIG. 1, the semiconductor device manufacturing apparatus according to the present embodiment includes a supply unit 10 that supplies semiconductor packages 1 connected to each other, a cutting unit that separates the semiconductor packages 1 connected to each other, And a removing unit 300 for removing the cutting waste 100 and 200 attached to the side surface of the separated semiconductor package 2. The removal unit 300 includes a first transport path 30 that transports the separated semiconductor package 2, a first brush 50 provided on each side of the first transport path 30, and the first transport path 30. A second transport path 40 that transports the semiconductor package 2 that has passed through the top of the second transport path 40 in a state of being rotated 90 degrees when viewed from above, and second brushes 60 provided on both sides of the second transport path 40, respectively. It is out.

以下、半導体装置の製造方法を説明するとともに、半導体製造装置の各構成部位について詳細に説明する。   Hereinafter, a method for manufacturing a semiconductor device will be described, and each component of the semiconductor manufacturing device will be described in detail.

まず、図１（ａ）に示すように、互いに繋がっている半導体パッケージ１を半導体製造装置に設けられた供給部１０に搭載する。半導体パッケージ１は、配線基板３上に半導体チップ４が樹脂封止した状態で搭載されている。なお、半導体パッケージ１は、ワイヤーボンディングであっても、フリップチップであっても、いずれでもよい。   First, as shown in FIG. 1A, the semiconductor packages 1 connected to each other are mounted on a supply unit 10 provided in a semiconductor manufacturing apparatus. The semiconductor package 1 is mounted on the wiring substrate 3 in a state where the semiconductor chip 4 is resin-sealed. The semiconductor package 1 may be either wire bonding or flip chip.

次に、図１（ｂ）に示すように、互いに繋がっている半導体パッケージ１を、切断ライン２０に沿って個片化する。このとき、半導体パッケージ１は供給部１０に搭載されている。半導体パッケージ１の個片化にはプレス切断機が用いられる。切断部によって半導体パッケージ１を切断する際、本実施形態では、配線基板３のみが切断される。なお、半導体パッケージ１における切断ライン２０は、便宜的に破線で記載している。   Next, as shown in FIG. 1B, the semiconductor packages 1 connected to each other are separated into pieces along the cutting line 20. At this time, the semiconductor package 1 is mounted on the supply unit 10. A press cutting machine is used to separate the semiconductor package 1. When the semiconductor package 1 is cut by the cutting portion, only the wiring substrate 3 is cut in this embodiment. The cutting line 20 in the semiconductor package 1 is indicated by a broken line for convenience.

図１（ｃ）は、個片化された半導体パッケージ２の斜示図である。個片化された半導体パッケージ２における各側面には、切断屑１００および２００が付着している。また、個片化された半導体パッケージ２の平面形状は、長方形あるいは正方形である。このため、半導体パッケージ２は、合計４面の側面を有している。   FIG. 1C is a perspective view of the separated semiconductor package 2. Cutting scraps 100 and 200 are attached to each side surface of the separated semiconductor package 2. Further, the planar shape of the separated semiconductor package 2 is a rectangle or a square. For this reason, the semiconductor package 2 has a total of four side surfaces.

次に、個片化された半導体パッケージ２に付着した切断屑１００および２００を、除去部３００によって除去する。   Next, the cutting wastes 100 and 200 attached to the separated semiconductor package 2 are removed by the removing unit 300.

図２は、本実施形態に係る半導体製造装置の除去部３００に半導体パッケージ２を搭載した際の一例を示した図である。
図２に示すように、半導体パッケージ２の側面に付着した切断屑１００および２００は、除去部３００の各構成要素（第１の搬送経路３０、第１のブラシ５０、第２の搬送経路６０、および第２のブラシ６０）によって除去される。 FIG. 2 is a diagram illustrating an example when the semiconductor package 2 is mounted on the removal unit 300 of the semiconductor manufacturing apparatus according to the present embodiment.
As shown in FIG. 2, the cutting scraps 100 and 200 attached to the side surface of the semiconductor package 2 are removed from the constituent elements of the removing unit 300 (the first transport path 30, the first brush 50, the second transport path 60, And the second brush 60).

まず、半導体パッケージ２は、除去部３００における第１の搬送経路３０に搭載される。なお、第１のブラシ５０は、第１の搬送経路３０に沿って設けられている。このとき、第１の搬送経路３０の移動速度は、任意に設定できるようになっている。また、半導体パッケージ２の搭載方向は、半導体パッケージ２において互いに平行する２つの側面が、第１の搬送経路３０による半導体パッケージ２の搬送方向と平行していればよい。   First, the semiconductor package 2 is mounted on the first transport path 30 in the removal unit 300. The first brush 50 is provided along the first conveyance path 30. At this time, the moving speed of the first transport path 30 can be arbitrarily set. In addition, the mounting direction of the semiconductor package 2 may be such that two side surfaces parallel to each other in the semiconductor package 2 are parallel to the transport direction of the semiconductor package 2 by the first transport path 30.

次に、半導体パッケージ２は、第１の搬送経路３０によって移動する。移動した半導体パッケージ２は、第１の搬送経路３０の両側にそれぞれ設けられている第１のブラシ５０と接触する。これによって、半導体パッケージ２の側面に付着した切断屑１００が除去される。このとき第１のブラシ５０は、上から見て時計回り、あるいは反時計まわりのどちらの向きにも回転できるようになっている。なお、第１のブラシ５０は、第１の搬送経路３０の両側それぞれに少なくとも１つ以上、好ましくは複数設けられている。   Next, the semiconductor package 2 moves along the first transport path 30. The moved semiconductor package 2 comes into contact with first brushes 50 provided on both sides of the first transport path 30. Thereby, the cutting waste 100 adhering to the side surface of the semiconductor package 2 is removed. At this time, the first brush 50 can be rotated clockwise or counterclockwise as viewed from above. Note that at least one, preferably a plurality of first brushes 50 are provided on each side of the first transport path 30.

第１のブラシ５０は、半導体パッケージ２の厚さより長く、かつ第１のブラシ５０の側面の下端が、半導体パッケージ２の底面より低い位置に設けられている必要がある。なぜなら、切断屑１００を側面から払い落すためには、半導体パッケージ２の側面全面と第１のブラシ５０が接触しなくてはならないからである。   The first brush 50 is longer than the thickness of the semiconductor package 2, and the lower end of the side surface of the first brush 50 needs to be provided at a position lower than the bottom surface of the semiconductor package 2. This is because the first brush 50 must be in contact with the entire side surface of the semiconductor package 2 in order to remove the cutting waste 100 from the side surface.

第１のブラシ５０は、交換することができる。これは、ブラシの摩耗屑が半導体パッケージ２との接触によって発生し、半導体製造装置内に滞留することを抑制するためである。さらに、第１のブラシ５０は、静電対策を施した材質で出来たブラシであることが好ましい。これは、第１のブラシ５０と半導体パッケージ２が接触することによって発生する静電気によって、切断屑１００が半導体パッケージ２や第１のブラシ５０に静電吸着してしまうことを防ぐためである。これと同様の理由で、第１のブラシ５０に切断屑１００が付着することを防ぐため、第１のブラシ５０は、バキューム機能を有していることが好ましい。バキューム機能とは、第１のブラシに付着した切断屑１００や摩耗屑を、吸引除去する機能のことを指している。   The first brush 50 can be replaced. This is to prevent brush scraps from being generated by contact with the semiconductor package 2 and staying in the semiconductor manufacturing apparatus. Furthermore, it is preferable that the first brush 50 is a brush made of a material that has been subjected to electrostatic countermeasures. This is to prevent the chip 100 from being electrostatically attracted to the semiconductor package 2 or the first brush 50 due to static electricity generated by the contact between the first brush 50 and the semiconductor package 2. For the same reason, in order to prevent the cutting waste 100 from adhering to the first brush 50, the first brush 50 preferably has a vacuum function. The vacuum function refers to a function of sucking and removing the cutting waste 100 and wear waste adhering to the first brush.

次に、半導体パッケージ２を第２の搬送経路４０に搭載する。このとき、半導体パッケージ２は、平面視で９０度回転させてから、第２の搬送経路４０に搭載する。つまり、半導体パッケージ２の側面において、第１の搬送経路３０および第１のブラシ５０によって切断屑１００を払い落し除去した面が、第２の搬送経路４０の移動方向と直角になるように搭載される。
なお、第２の搬送経路４０についても、第１の搬送経路３０と同様に、任意の移動速度で、半導体パッケージ２を移動させることができる。 Next, the semiconductor package 2 is mounted on the second transport path 40. At this time, the semiconductor package 2 is mounted on the second transport path 40 after being rotated 90 degrees in plan view. That is, the side surface of the semiconductor package 2 is mounted so that the surface from which the cutting waste 100 is removed by the first transport path 30 and the first brush 50 is perpendicular to the moving direction of the second transport path 40. The
As with the first transport path 30, the semiconductor package 2 can be moved at an arbitrary moving speed with respect to the second transport path 40.

次に、半導体パッケージ２が第２の搬送経路４０上を移動する。第２のブラシ６０についても第１のブラシ５０と同様に、第２の搬送経路４０に沿って設けられている。このため、第２の搬送経路４０によって搬送された半導体パッケージ２は、第２のブラシ６０と接触する。このとき、半導体パッケージ２の側面に付着した切断屑２００は、除去される。なお、第２のブラシ６０は、第２の搬送経路４０の両側のそれぞれに少なくとも１つ以上、好ましくは複数設けられている。   Next, the semiconductor package 2 moves on the second transport path 40. Similarly to the first brush 50, the second brush 60 is provided along the second conveyance path 40. For this reason, the semiconductor package 2 conveyed by the second conveyance path 40 comes into contact with the second brush 60. At this time, the cutting waste 200 attached to the side surface of the semiconductor package 2 is removed. Note that at least one, preferably a plurality of second brushes 60 are provided on both sides of the second transport path 40.

第２のブラシ６０についても、第１のブラシ５０と同様に、上から見て時計回り、あるいは反時計まわりの、どちらの向きにも回転できるようになっている。また、第２のブラシ６０の側面は、半導体パッケージ２の厚さより長く、かつ第２のブラシ６０の側面の下端が、半導体パッケージ２の底面より低い位置に設けられている必要がある。また、第２のブラシ６０おいても、静電対策を施した材質で出来たブラシであること、バキューム機能を有していることが好ましい。   Similarly to the first brush 50, the second brush 60 can be rotated in either the clockwise direction or the counterclockwise direction as viewed from above. The side surface of the second brush 60 is longer than the thickness of the semiconductor package 2, and the lower end of the side surface of the second brush 60 needs to be provided at a position lower than the bottom surface of the semiconductor package 2. Also, the second brush 60 is preferably a brush made of a material with anti-static measures and has a vacuum function.

このようにして、半導体パッケージ２の側面に付着した切断屑１００および２００は、半導体製造装置の除去部によって、除去される。   In this way, the cutting wastes 100 and 200 attached to the side surface of the semiconductor package 2 are removed by the removing unit of the semiconductor manufacturing apparatus.

次に本実施形態の効果について説明する。   Next, the effect of this embodiment will be described.

本実施形態の半導体装置の製造方法では、互いに接続された半導体パッケージ１を個片化した後に、切断屑１００および２００の除去を行っている。個片化された半導体パッケージ２の側面に付着した切断屑１００および２００は、半導体パッケージ２の各側面に付着している。本実施形態では半導体パッケージ１を個片化した後、第１のブラシ５０および第２のブラシ６０によって、切断屑１００および２００を除去する。これによって、半導体パッケージ１を個片化した際、側面に付着した切断屑１００および２００の残留を抑制することができる。   In the method for manufacturing a semiconductor device according to the present embodiment, the chips 100 and 200 are removed after the semiconductor packages 1 connected to each other are separated into individual pieces. The chips 100 and 200 attached to the side surfaces of the separated semiconductor package 2 are attached to each side surface of the semiconductor package 2. In this embodiment, after the semiconductor package 1 is separated into pieces, the cutting scraps 100 and 200 are removed by the first brush 50 and the second brush 60. Thereby, when the semiconductor package 1 is singulated, it is possible to suppress the residue of the cutting wastes 100 and 200 attached to the side surfaces.

（第２の実施形態）
本実施形態は、半導体製造装置における除去部３００に設けられている第１のブラシ５０および第２のブラシ６０の代わりに、静電対策回転型スポンジ、あるいは回転型静電対策粘着シートを用いている点を除いて、第１の実施形態と同様である。本実施形態においても、第１の実施形態と同様の効果を得ることができる。 (Second Embodiment)
In the present embodiment, instead of the first brush 50 and the second brush 60 provided in the removing unit 300 in the semiconductor manufacturing apparatus, an anti-static rotating sponge or a rotating anti-static adhesive sheet is used. Except for this point, the second embodiment is the same as the first embodiment. Also in this embodiment, the same effect as that of the first embodiment can be obtained.

（第３の実施形態）
本実施形態は、半導体製造装置における除去部３００に、水を高圧で押しあてることで半導体パッケージ２の側面を洗浄する高圧水洗部が設けられている。高圧水洗部を設ける場合は、ＰＫＧを乾燥させるための乾燥機能を同時に有するものとする。さらに、本実施形態では、イオンを吹き飛ばすことによって切断屑１００および２００を除去するイオン部が設けられている点を除いて、第１および第２の実施形態と同様である。なお、本実施形態において高圧水洗部とイオン部は、どちらか一方が設けられていればよい。本実施形態においても、第１および第２の実施形態と同様の効果を得ることができる。 (Third embodiment)
In this embodiment, a high-pressure water washing unit that cleans the side surface of the semiconductor package 2 by pressing water against the removal unit 300 in the semiconductor manufacturing apparatus is provided. When providing a high-pressure water washing part, it shall have the drying function for drying PKG simultaneously. Furthermore, this embodiment is the same as the first and second embodiments, except that an ion portion is provided that removes the cutting waste 100 and 200 by blowing off ions. In the present embodiment, either the high-pressure water washing part or the ion part only needs to be provided. Also in this embodiment, the same effects as those in the first and second embodiments can be obtained.

（第４の実施形態）
本実施形態は、切断部にダイシングブレードを、金型プレス切断機以外に備えている。ダイシングブレードは、例えば、一括封止した半導体パッケージ１を切断する際に用いられる。 (Fourth embodiment)
In the present embodiment, a dicing blade is provided in the cutting unit in addition to the die press cutting machine. The dicing blade is used, for example, when cutting the packaged semiconductor package 1.

図３は、本実施形態に係る半導体パッケージ１の切断ライン２０を説明するための断面図である。
図３に示すように、配線基板３上に搭載された半導体チップ４を、封止樹脂５によって一括封止している半導体パッケージ１の場合、治具ダイサーを用いれば切断ライン２０に沿って、半導体パッケージ１を個片化することができる。
なお、本実施形態においても、第１、第２、および第３の実施形態と同様の効果を得ることができる。 FIG. 3 is a cross-sectional view for explaining the cutting line 20 of the semiconductor package 1 according to the present embodiment.
As shown in FIG. 3, in the case of the semiconductor package 1 in which the semiconductor chips 4 mounted on the wiring board 3 are collectively sealed with the sealing resin 5, if a jig dicer is used, along the cutting line 20, The semiconductor package 1 can be singulated.
In this embodiment, the same effects as those of the first, second, and third embodiments can be obtained.

以上、図面を参照して本発明の実施形態について述べたが、これらは本発明の例示であり、上記以外の様々な構成を採用することもできる。   As mentioned above, although embodiment of this invention was described with reference to drawings, these are the illustrations of this invention, Various structures other than the above are also employable.

１ 半導体パッケージ
２ 半導体パッケージ
３ 配線基板
４ 半導体チップ
５ 封止樹脂
１０ 供給部
２０ 切断ライン
３０ 第１の搬送経路
４０ 第２の搬送経路
５０ 第１のブラシ
６０ 第２のブラシ
１００ 切断屑
２００ 切断屑
３００ 洗浄部 DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Semiconductor package 2 Semiconductor package 3 Wiring board 4 Semiconductor chip 5 Sealing resin 10 Supply part 20 Cutting line 30 1st conveyance path 40 2nd conveyance path 50 1st brush 60 2nd brush 100 Cutting waste 200 Cutting waste 300 Cleaning section

Claims (5)

互いに繋がっている半導体パッケージを供給する供給部と、
前記互いに繋がっている半導体パッケージを個片化する切断部と、
前記個片化された前記半導体パッケージの側面に付着した切断屑を除去する除去部と、
を有し、
前記除去部は、前記個片化された半導体パッケージを搬送する第１の搬送経路と、
前記第１の搬送経路の両側にそれぞれ設けられた第１のブラシと、
前記第１の搬送経路を通過した前記半導体パッケージを上から見て９０度回転させた状態で搬送する第２の搬送経路と、
前記第２の搬送経路の両側にそれぞれ設けられた第２のブラシと、
を含む半導体装置の製造装置。 A supply unit for supplying semiconductor packages connected to each other;
A cutting part for separating the semiconductor packages connected to each other;
A removal unit for removing cutting waste adhering to the side surface of the separated semiconductor package;
Have
The removing unit includes a first transport path for transporting the singulated semiconductor package;
A first brush provided on each side of the first transport path;
A second transport path for transporting the semiconductor package that has passed through the first transport path in a state rotated by 90 degrees when viewed from above;
A second brush provided on each side of the second transport path;
A semiconductor device manufacturing apparatus including: 前記第１のブラシと前記第２のブラシは、交換可能であり、かつバキューム機能を有している請求項１に記載の半導体装置の製造装置。   The semiconductor device manufacturing apparatus according to claim 1, wherein the first brush and the second brush are exchangeable and have a vacuum function. 前記第１のブラシと前記第２のブラシの代わりに、静電対策回転型スポンジ、あるいは回転型静電対策粘着シートを用いる請求項１または請求項２に記載の半導体装置の製造装置。   The apparatus for manufacturing a semiconductor device according to claim 1, wherein an electrostatic countermeasure rotating sponge or a rotating electrostatic countermeasure adhesive sheet is used instead of the first brush and the second brush. 前記除去部は、水を高圧で押しあてることで前記半導体パッケージの前記側面に付着した前記切断屑を除去する高圧水洗部と、
イオンで前記半導体パッケージの前記側面に付着した前記切断屑を吹き飛ばすイオン部と、
をさらに有している請求項１乃至３のいずれか一項に記載の半導体装置の製造装置。 The removal unit is a high-pressure water washing unit that removes the cutting waste adhering to the side surface of the semiconductor package by pushing water at a high pressure,
An ion part that blows off the cutting waste adhering to the side surface of the semiconductor package with ions;
The apparatus for manufacturing a semiconductor device according to claim 1, further comprising: 互いに繋がっている半導体パッケージを切断して個片化する切断工程と、
前記個片化された前記半導体パッケージの側面に付着した切断屑を除去する除去工程と、
を有し、
前記除去工程において、前記半導体パッケージを第１の搬送経路に搭載し、前記第１の搬送経路の両側にそれぞれ設けられた第１のブラシによって前記半導体パッケージの互いに平行した２つの側面の前記切断屑を除去する第１の除去工程と、
前記第１の搬送経路に前記半導体パッケージを搭載した方向とは、上から見て９０度回転させた状態で第２の搬送経路に搭載し、前記第２の搬送経路の両側にそれぞれ設けられた第２のブラシによって、前記第１の除去工程とは異なる互いに平行した前記半導体パッケージの側面の前記切断屑を除去する第２の除去工程と、
を含む半導体装置の製造方法。

A cutting process for cutting and cutting the semiconductor packages connected to each other;
A removal step of removing cutting waste adhering to the side surface of the separated semiconductor package,
Have
In the removing step, the semiconductor package is mounted on a first transport path, and the cutting scraps on two side surfaces of the semiconductor package parallel to each other by first brushes provided on both sides of the first transport path, respectively. A first removal step of removing
The direction in which the semiconductor package is mounted on the first transfer path is mounted on the second transfer path in a state of being rotated 90 degrees as viewed from above, and provided on both sides of the second transfer path. A second removing step of removing the cutting debris on the side surfaces of the semiconductor package parallel to each other different from the first removing step by a second brush;
A method of manufacturing a semiconductor device including:

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