JP2013084967A - 欠陥レビュー装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】半導体ウェハを保持する試料ステージ24と、半導体ウェハに電子線を照射する電子光学系と、電子線の照射により得られる二次電子あるいは反射電子を検出する検出器15,23と、電子線の照射により半導体ウェハから発生するX線を検出する検出器34,35と、傾斜角度が可変のカラム16とを備え、試料ステージ24により、半導体ウェハのエッジの欠陥位置にカラム16の撮像視野を移動し、カラム16を傾斜させた状態で、半導体ウェハのエッジに電子線を照射する。
【選択図】図2
Description
まず図1により、ウェハの製造ラインでの各装置とその接続構成の一具体例について説明する。なお、同図において、1はデータ管理サーバ、2は半導体の製造装置、3は検査装置、4はレビュー装置、5は解析装置、6はレビュー・解析装置、7はネットワークである。製造ラインは、同図のように、半導体ウェハの製造装置2や検査装置3、レビュー装置4、解析装置5、レビュー・解析装置6がデータ管理サーバ1とネットワーク7によって相互に接続された構成をなしている。
2…半導体の製造装置
3…検査装置
4…レビュー装置
5…解析装置
6…レビュー・解析装置
7…ネットワーク
8…走査型電子顕微鏡の第一カラム
9…第一カラムの電子源
10…第一カラムのコンデンサレンズ
11…第一カラムのコンデンサレンズ
12…第一カラムの偏向走査用コイル
13…第一カラムの対物レンズ
14…第一カラムの対物レンズ
15…第一カラムの検出器
16…走査型電子顕微鏡の第二カラム
17…第二カラムの電子源
18…第二カラムのコンデンサレンズ
19…第二カラムのコンデンサレンズ
20…第二カラムの偏向走査用コイル
21…第二カラムの対物レンズ
22…第二カラムの対物レンズ
23…第二カラムの検出器
24…XYθステージ
25…記憶装置
26…モニタ
27…入力装置
28…全体制御部
29…画像演算部
30…A/D変換部
31…電子光学系制御部
32…ステージ制御部
33…欠陥データ解析演算部
34…元素分析検出器
35…元素分析検出器
36…元素分析制御部
37…固有識別子表示領域
38…分類識別子表示領域
39…撮像位置マップ表示領域
40…画像表示形態表示領域
41…機能表示領域
42…画像表示領域
43…元素分析表示領域
44…自動検出処理条件設定領域
45…ウェハマップ表示領域
Claims (17)
- 半導体ウェハの走査電子顕微鏡画像を取得するレビュー装置において、
前記半導体ウェハを保持する試料ステージと、
前記半導体ウェハに電子線を照射する電子光学系と、
前記電子線の照射により得られる二次電子あるいは反射電子を検出する検出器と、
前記電子線の照射により前記半導体ウェハから発生するX線を検出するX線検出器と、
傾斜角度が可変のカラムとを備え、
前記試料ステージにより、前記半導体ウェハのエッジの欠陥位置に前記カラムの撮像視野を移動し、
前記カラムを傾斜させた状態で、前記半導体ウェハのエッジに前記電子線を照射することを特徴とするレビュー装置。 - 半導体ウェハの走査電子顕微鏡画像を取得するレビュー装置において、
前記半導体ウェハを保持する試料ステージと、
前記半導体ウェハに電子線を照射する電子光学系と、
前記電子線の照射により得られる二次電子あるいは反射電子を検出する検出器と、
前記電子線の照射により前記半導体ウェハから発生するX線を検出するX線検出器と、
傾斜角度が可変のカラムとを備え、
前記試料ステージにより、前記半導体ウェハのエッジの欠陥位置に前記カラムの撮像視野を移動し、
前記半導体ウェハのエッジの欠陥位置に前記電子線を照射し、前記X線による元素分析を行うことを特徴とするレビュー装置。 - 半導体ウェハの走査電子顕微鏡画像を取得するレビュー装置において、
前記半導体ウェハを保持する試料ステージと、
前記半導体ウェハに電子線を照射する電子光学系と、
前記電子線の照射により得られる二次電子あるいは反射電子を検出する検出器と、
前記電子線の照射により前記半導体ウェハから発生するX線を検出するX線検出器と、
傾斜角度が可変のカラムとを備え、
前記試料ステージにより、前記半導体ウェハのエッジの欠陥位置に前記カラムの撮像視野を移動し、
前記欠陥位置からX線を発生させる電子線を前記半導体ウェハのエッジの欠陥位置に照射することを特徴とするレビュー装置。 - 請求項1または2または3に記載のレビュー装置において、
ユーザが観察条件を入力する入力部をさらに備え、
前記試料ステージにより、前記入力部を通して指示された前記半導体ウェハのエッジの欠陥位置に前記カラムの撮像視野を移動することを特徴とするレビュー装置。 - 請求項1または2または3に記載のレビュー装置において、
前記エッジは、前記半導体ウェハの外周部の傾斜領域であることを特徴とするレビュー装置。 - 請求項2または3に記載のレビュー装置において、
前記カラムを傾斜させた状態で前記電子線を照射することを特徴とするレビュー装置。 - 請求項6に記載のレビュー装置において、
前記カラムを傾斜させた状態で前記半導体ウェハのエッジの欠陥位置の前記走査電子顕微鏡画像を取得することを特徴とするレビュー装置。 - 請求項1または2または3に記載のレビュー装置において、
前記試料ステージは回転可能なステージであることを特徴とするレビュー装置。 - 請求項1または2または3に記載のレビュー装置において、
前記レビュー装置は、前記半導体ウェハに対して傾斜した方向から電子線を照射した場合と、当該半導体ウェハに対して垂直上方から電子線を照射した場合の両方で、前記走査電子顕微鏡画像を撮像可能であることを特徴とするレビュー装置。 - 請求項1または2または3に記載のレビュー装置において、
前記半導体ウェハのエッジにおける観察位置を指定するための画面を表示するモニタをさらに備えることを特徴とするレビュー装置。 - 請求項1または2または3に記載のレビュー装置において、
元素分析結果の波形を表示する画面を表示するモニタをさらに備えることを特徴とするレビュー装置。 - 請求項11に記載のレビュー装置において、
前記X線のエネルギと、前記X線検出器でのカウント数を軸にしたグラフが前記画面に表示されることを特徴とするレビュー装置。 - 請求項1または2または3に記載のレビュー装置において、
光学顕微鏡画像を取得する光学顕微鏡を備え、
前記光学顕微鏡は前記半導体ウェハのエッジを撮像し、
前記試料ステージにより、前記光学顕微鏡で撮像された位置のうち欠陥があると判断された欠陥位置に前記カラムの撮像視野を移動することを特徴とするレビュー装置。 - 請求項13に記載のレビュー装置において、
前記光学顕微鏡で観察された位置の走査電子顕微鏡画像を取得することを特徴とするレビュー装置。 - 請求項13または14に記載のレビュー装置において、
前記光学顕微鏡は、前記半導体ウェハのエッジの検査に用いられ、
前記光学顕微鏡は、前記光学顕微鏡画像における欠陥の有無に基づいて前記走査電子顕微鏡画像の撮像位置または前記X線分析を行う前記欠陥位置を指定することが可能であることを特徴とするレビュー装置。 - 半導体ウェハの走査電子顕微鏡画像を取得するレビュー装置において、
前記半導体ウェハを回転移動可能な試料ステージと、
前記半導体ウェハに電子線を照射する電子光学系と、
前記電子線の照射により得られる二次電子あるいは反射電子を検出する検出器と、
前記電子線の照射により前記半導体ウェハから発生するX線を検出するX線検出器と、
傾斜角度が可変のカラムと、
X線分析の結果を表示するモニタとを備え、
前記試料ステージにより、前記半導体ウェハのエッジの欠陥位置に前記カラムの撮像視野を移動し、
前記カラムを傾斜させた状態で前記半導体ウェハのエッジの欠陥位置の前記走査電子顕微鏡画像を取得し、
前記半導体ウェハのエッジの欠陥位置に前記電子線を照射することによって元素分析を行い、
当該元素分析の結果を前記モニタに表示することを特徴とするレビュー装置。 - 請求項16に記載のレビュー装置において、
前記元素分析の結果の波形は、前記X線のエネルギと、前記X線検出器でのカウント数を軸にしたグラフで表されることを特徴とするレビュー装置。
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