JP2013074208A - 電子装置およびその製造方法 - Google Patents
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- Thin Film Transistor (AREA)
Abstract
【解決手段】基板と、前記基板上に形成されたグラフェンシート23と、前記グラフェンシートの一端に形成されたソース電極23Sと、前記グラフェンシートの他端に形成されたドレイン電極23Dと、前記グラフェンシート上ゲート絶縁膜を介して形成され、前記グラフェンシートにゲート電圧を印加するゲート電極と、前記グラフェンシートに前記ソース電極とドレイン電極を結ぶ方向を横切って形成された複数の開口部23Aよりなる開口部列と、を備え、前記複数の開口部はいずれも、三つのジグザグ端により画成されて正三角形の形状を有し、前記ジグザグ端のうち二つは、前記ソース電極とドレイン電極を結んだ方向に対し30°の角度をなし、もう一つのジグザグ端は90°の角度をなし、それぞれの正三角形の向きを揃えて形成されている。
【選択図】図2
Description
図2は、第1の実施形態による電子装置20の平面図、図3は、図2中、線A−A'に沿った断面図を示す。
図14は、第2の実施形態による電子装置60の構成を示す断面図である。図中、先に説明した部分に対応する部分には同一の参照符号を付し、説明を省略する。
1A アームチェア端
1B ジグザグ端
1a,1b,1c,1d,1e C−C結合
20,60 電子装置
21 シリコン基板
23A,23B,23C,23E,23F,23G 開口部
23a1〜23a3,23b1〜23b4,23c1〜23c4,23e1〜23e6 縁部
23N 開口部列
23M マスク開口部
23m1〜23m3 エッジ
23S ソース電極パターン
23D ドレイン電極パターン
61 SiC基板
62 ゲート絶縁膜
63 ゲート電極
Claims (10)
- 基板と、
前記基板上にゲート絶縁膜を介して形成されたグラフェンシートと、
前記グラフェンシートの一端に形成されたソース電極と、
前記グラフェンシートの他端に形成されたドレイン電極と、
前記グラフェンシートに前記ソース領域とドレイン領域との間でゲート電圧を印加するゲート電極と、
前記グラフェンシートに前記ソース電極とドレイン電極の間において、前記ソース電極とドレイン電極を結ぶ方向を横切って形成された、複数の開口部よりなる開口部列と、
を備え、
前記複数の開口部はいずれも、三つのジグザグ端により画成されて正三角形の形状を有し、前記ジグザグ端のうち二つは、前記ソース電極とドレイン電極を結んだ方向に対しいずれも30°の角度をなし、もう一つのジグザグ端は90°の角度をなし、
前記複数の開口部は前記開口部列において、それぞれの正三角形の向きを揃えて形成されていることを特徴とする電子装置。 - 基板と、
前記基板上に形成されたグラフェンシートと、
前記グラフェンシートの一端に形成されたソース電極と、
前記グラフェンシートの他端に形成されたドレイン電極と、
前記グラフェンシートを前記ソース電極とドレイン電極の間において覆うゲート絶縁膜と、
前記ソース電極とドレイン電極の間において前記グラフェンシート上に、前記ゲート絶縁膜を介して形成され、前記グラフェンシートに前記ソース領域とドレイン領域との間でゲート電圧を印加するゲート電極と、
前記ソース電極とドレイン電極の間において、前記グラフェンシートに前記ソース電極とドレイン電極を結ぶ方向を横切って形成された複数の開口部よりなる開口部列と、
を備え、
前記複数の開口部はいずれも、三つのジグザグ端により画成されて正三角形の形状を有し、前記ジグザグ端のうち二つは、前記ソース電極とドレイン電極を結んだ方向に対しいずれも30°の角度をなし、もう一つのジグザグ端は90°の角度をなし、
前記複数の開口部は前記開口部列において、それぞれの正三角形の向きを揃えて形成されていることを特徴とする電子装置。 - 前記ジグザグ端の一つは、前記グラフェンシートの面に対して垂直方向から見た場合に、前記ソース電極とドレイン電極を結んだ方向に対し、時計回りに30°の角度をなすことを特徴とする請求項1または2記載の電子装置。
- 前記ジグザグ端の一つは、前記グラフェンシートの面に対して垂直方向から見た場合に、前記ソース電極とドレイン電極を結んだ方向に対し、反時計回りに30°の角度をなすことを特徴とする請求項1または2記載の電子装置。
- 前記ジグザグ端の一つは、前記グラフェンシートの面に対して垂直方向から見た場合に、前記ソース電極とドレイン電極を結んだ方向に対し、直交することを特徴とする請求項1または2記載の電子装置。
- 前記ジグザグ形状の端部は、他の炭素原子に結合していない結合手を有する炭素原子を二個以上含む5個以上の炭素原子から構成されていることを特徴とする請求項1〜5のうち、いずれか一項記載の電子装置。
- 前記開口部列は、前記ソース電極とドレイン電極の間で、前記キャリアの流れを横切って複数列にわたり形成されていることを特徴とする請求項1〜6のうち、いずれか一項記載の電子装置。
- 前記開口部列において、隣接する開口部間の中心間距離に対する前記開口部の一辺の長さの割合が6割以上であることを特徴とする請求項1〜7のうち、いずれか一項記載の電子装置。
- 基板上にグラフェンシートを形成する工程と、
前記グラフェンシート上に絶縁膜を形成する工程と、
前記絶縁膜中に複数のマスク開口部を形成する工程と、
前記グラフェンシートを、前記絶縁膜をマスクにパターニングし、前記グラフェンシート中に前記複数のマスク開口部にそれぞれ対応した複数の開口部を形成し、前記複数の開口部により開口部列を形成する工程と、
前記グラフェンシートを非酸化性雰囲気中で熱処理し、前記グラフェンシート中の前記複数の開口部の形状を安定な形状に変化させる工程と、
前記グラフェンシート上に、前記開口部列を挟んで一方の側にソース電極を、他方の側にドレイン電極を形成する工程と、
を含み、
前記複数のマスク開口部を形成する工程は、前記複数のマスク開口部の各々が、前記ソース電極とドレイン電極を結ぶ直線に対し、いずれも時計回り方向と反時計回り方向に30°の角度をなす二つの縁部と、前記ソース電極とドレイン電極を結ぶ直線に対して直交する一つの縁部により画成される正三角形の形状を有するように実行され、
また前記複数のマスク開口部を形成する工程では、前記複数のマスク開口部が、それぞれの三角形の向きを揃えて形成されることを特徴とする電子装置の製造方法。 - 前記ソース電極とドレイン電極とを形成する工程は、前記ソース電極とドレイン電極とを結んだ直線が、前記グラフェンシートを構成する炭素原子の六角形格子の相対向する2辺に平行あるいは直交するように、位置合わせする工程を含むことを特徴とする請求項9記載の電子装置の製造方法。
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