JP2013070083A - 欠陥レビュー装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】半導体ウェハWFを保持する試料ステージ24と、半導体ウェハに電子線を照射する電子光学系18〜22と、当該電子線の照射により得られる二次電子あるいは反射電子を検出する検出器15,23と、傾斜可能なカラム16とを備え、半導体ウェハのエッジ上におけるレシピあるいは位置情報に従って定まる位置に、試料ステージ24によってカラム8の撮像視野を移動し、半導体ウェハのエッジにカラム16を傾斜させた状態で電子線を照射して走査電子顕微鏡画像を撮像する。
【選択図】図2
Description
まず図1により、ウェハの製造ラインでの各装置とその接続構成の一具体例について説明する。なお、同図において、1はデータ管理サーバ、2は半導体の製造装置、3は検査装置、4はレビュー装置、5は解析装置、6はレビュー・解析装置、7はネットワークである。製造ラインは、同図のように、半導体ウェハの製造装置2や検査装置3、レビュー装置4、解析装置5、レビュー・解析装置6がデータ管理サーバ1とネットワーク7によって相互に接続された構成をなしている。
2…半導体の製造装置
3…検査装置
4…レビュー装置
5…解析装置
6…レビュー・解析装置
7…ネットワーク
8…走査型電子顕微鏡の第一カラム
9…第一カラムの電子源
10…第一カラムのコンデンサレンズ
11…第一カラムのコンデンサレンズ
12…第一カラムの偏向走査用コイル
13…第一カラムの対物レンズ
14…第一カラムの対物レンズ
15…第一カラムの検出器
16…走査型電子顕微鏡の第二カラム
17…第二カラムの電子源
18…第二カラムのコンデンサレンズ
19…第二カラムのコンデンサレンズ
20…第二カラムの偏向走査用コイル
21…第二カラムの対物レンズ
22…第二カラムの対物レンズ
23…第二カラムの検出器
24…XYθステージ
25…記憶装置
26…モニタ
27…入力装置
28…全体制御部
29…画像演算部
30…A/D変換部
31…電子光学系制御部
32…ステージ制御部
33…欠陥データ解析演算部
34…元素分析検出器
35…元素分析検出器
36…元素分析制御部
37…固有識別子表示領域
38…分類識別子表示領域
39…撮像位置マップ表示領域
40…画像表示形態表示領域
41…機能表示領域
42…画像表示領域
43…元素分析表示領域
44…自動検出処理条件設定領域
45…ウェハマップ表示領域
Claims (13)
- 観察手順が記録されたレシピあるいは与えられた位置情報に従って半導体ウェハの走査電子顕微鏡画像を取得する機能を備えたレビュー装置であって、
前記半導体ウェハを保持する試料ステージと、
前記半導体ウェハに電子線を照射する電子光学系と、
当該電子線の照射により得られる二次電子あるいは反射電子を検出する検出器と、
傾斜可能なカラムとを備え、
前記半導体ウェハのエッジ上における前記レシピあるいは前記位置情報に従って定まる位置に、前記試料ステージによって前記カラムの撮像視野を移動し、
当該半導体ウェハのエッジに前記カラムを傾斜させた状態で電子線を照射して前記走査電子顕微鏡画像を撮像することを特徴とするレビュー装置。 - 観察手順が記録されたレシピあるいは与えられた位置情報に従って半導体ウェハの走査電子顕微鏡画像を取得する機能を備えたレビュー装置であって、
前記半導体ウェハを保持する試料ステージと、
前記半導体ウェハに電子線を照射する電子光学系と、
当該電子線の照射により得られる二次電子あるいは反射電子を検出する検出器と、
傾斜可能なカラムとを備え、
前記半導体ウェハの縁における前記レシピあるいは前記位置情報に従って定まる位置に、前記試料ステージによって前記カラムの撮像視野を移動し、
当該半導体ウェハの縁に前記カラムを傾斜させた状態で電子線を照射して前記走査電子顕微鏡画像を撮像することを特徴とするレビュー装置。 - 請求項1または2に記載のレビュー装置において、
前記試料ステージは回転可能なステージであることを特徴とするレビュー装置。 - 請求項1または2に記載のレビュー装置において、
前記レビュー装置は、前記半導体ウェハに対して傾斜した方向から電子線を照射した場合と、当該半導体ウェハに対して垂直上方から電子線を照射した場合の両方で、前記走査電子顕微鏡画像を撮像可能であることを特徴とするレビュー装置。 - 請求項1または2に記載のレビュー装置において、
前記位置情報を与えるための画面を表示するモニタをさらに備えることを特徴とするレビュー装置。 - 請求項1または2に記載のレビュー装置において、
前記位置情報を与えるための画面を表示するモニタをさらに備え、
前記位置情報を与えるための画面上に前記半導体ウェハの外周を示す図形が表示され、当該図形上で前記走査電子顕微鏡画像の撮像位置を指定可能であることを特徴とするレビュー装置。 - 請求項1または2に記載のレビュー装置において、
前記レシピあるいは前記位置情報に基づき前記試料ステージの移動を制御するステージ制御部をさらに備えることを特徴とするレビュー装置。 - 請求項1または2に記載のレビュー装置において、
前記カラムを傾斜させた状態での電子線照射を制御する電子光学系制御部をさらに備えることを特徴とするレビュー装置。 - 請求項1または2に記載のレビュー装置において、
前記半導体ウェハのエッジまたは縁における複数の撮像位置に対し、前記撮像視野を自動的に移動し、前記撮像を実行することを特徴とするレビュー装置。 - 請求項1または2に記載のレビュー装置において、
前記位置情報が、半導体ウェハのエッジまたは縁の検査用の検査装置からの検査データに基づき与えられることを特徴とするレビュー装置。 - 請求項1または2に記載のレビュー装置において、
前記撮像視野を装置ユーザの指定する位置に移動し、前記走査電子顕微鏡画像を撮像することを特徴とするレビュー装置。 - 観察手順が記録されたレシピあるいは与えられた位置情報に従って半導体ウェハの走査電子顕微鏡画像を取得する機能を備えたレビュー装置であって、
前記半導体ウェハを保持する試料ステージと、
前記半導体ウェハに電子線を照射する電子光学系と、
当該電子線の照射により得られる二次電子あるいは反射電子を検出する検出器と、
傾斜可能なカラムとを備え、
前記半導体ウェハのエッジ上における前記レシピあるいは前記位置情報に従って定まる位置に、前記試料ステージによって前記カラムの撮像視野を移動し、
前記半導体ウェハのエッジ上の異物または欠陥が前記撮像視野の正面となる角度で、前記エッジに対し電子線を照射し、前記異物または欠陥の走査電子顕微鏡画像を撮像することを特徴とするレビュー装置。 - 半導体ウェハの走査電子顕微鏡画像を取得するレビュー装置において、
前記半導体ウェハを移動及び回転させることが可能な試料ステージと、
前記半導体ウェハに電子線を照射する電子光学系と、
前記電子線の照射により得られる二次電子あるいは反射電子を検出する検出器と、
前記電子線の照射により発生するX線を検出するX線検出器と、
傾斜角度を変更可能なカラムとを備え、
前記試料ステージにより、前記半導体ウェハのエッジに前記カラムの撮像視野を移動し、
当該半導体ウェハのエッジに前記カラムを傾斜させた状態で電子線を照射することを特徴とするレビュー装置。
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Families Citing this family (1)
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Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0261952A (ja) * | 1988-08-26 | 1990-03-01 | Sharp Corp | 電子線走査型顕微鏡 |
JPH09204897A (ja) * | 1996-10-07 | 1997-08-05 | Hitachi Ltd | 集束イオンビーム加工方法 |
JPH11213935A (ja) * | 1998-01-27 | 1999-08-06 | Jeol Ltd | Fib−sem装置における試料断面観察方法およびfib−sem装置 |
JP2000136916A (ja) * | 1998-10-15 | 2000-05-16 | Wacker Siltronic Corp | 半導体ウエ―ハ上のエッジ欠陥を検出、モニタ及び特徴付ける方法及び装置 |
JP2003152042A (ja) * | 2001-11-13 | 2003-05-23 | Shin Etsu Handotai Co Ltd | 面取り部の分析方法並びに面取り部分析用保持治具及びホルダー |
JP2006252995A (ja) * | 2005-03-11 | 2006-09-21 | Jeol Ltd | 荷電粒子ビーム装置 |
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Patent Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0261952A (ja) * | 1988-08-26 | 1990-03-01 | Sharp Corp | 電子線走査型顕微鏡 |
JPH09204897A (ja) * | 1996-10-07 | 1997-08-05 | Hitachi Ltd | 集束イオンビーム加工方法 |
JPH11213935A (ja) * | 1998-01-27 | 1999-08-06 | Jeol Ltd | Fib−sem装置における試料断面観察方法およびfib−sem装置 |
JP2000136916A (ja) * | 1998-10-15 | 2000-05-16 | Wacker Siltronic Corp | 半導体ウエ―ハ上のエッジ欠陥を検出、モニタ及び特徴付ける方法及び装置 |
JP2003152042A (ja) * | 2001-11-13 | 2003-05-23 | Shin Etsu Handotai Co Ltd | 面取り部の分析方法並びに面取り部分析用保持治具及びホルダー |
JP2006252995A (ja) * | 2005-03-11 | 2006-09-21 | Jeol Ltd | 荷電粒子ビーム装置 |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US10971325B2 (en) | 2018-09-12 | 2021-04-06 | Hitachi High-Tech Corporation | Defect observation system and defect observation method for semiconductor wafer |
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