JP2013062381A - 半導体装置 - Google Patents
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Abstract
【課題】RCATの電流駆動能力を向上させることが可能な半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体基板11は、ゲート溝13を有している。拡散層12は、ゲート溝13の上部に対応する半導体基板11の表面領域に形成されている。ゲート絶縁膜14は、ゲート溝の壁面に形成されている。ゲート電極15は、ゲート溝13の内部及びゲート溝13の外部に形成されている。圧縮応力を有する膜16は、ゲート溝13の外部のゲート電極15の全面に形成されている。
【選択図】図2
Description
電子移動度は、シリコンの面方位によらず、電子の進行方向に対し引っ張り応力を加えることで向上することが知られている(非特許文献1参照)。また、プレーナトランジスタにおいて、引っ張り応力を有するシリコン窒化膜をトランジスタ上に形成することにより、チャネルに引っ張り応力を加え駆動電流が上昇することが知られている(非特許文献2参照)。
図3は、第2の実施形態を示すものであり、図1のII−II線に沿ったRCATの断面を示している。図3において、第1の実施形態と同一部分には、同一符号を付している。
図4は、第3の実施形態を示している。第2の実施形態は、ゲート溝13内及びゲート溝13外部に金属材料によるゲート電極21を形成した。これに対して、第3の実施形態は、ゲート溝13内のチャネル領域CHに対応する部分にのみ、金属材料により構成したゲート電極31を形成している。
図5は、第4の実施形態を示している。図5において、図2と同一部分には同一符号を付している。
Claims (5)
- ゲート溝を有する半導体基板と、
前記ゲート溝の上部に対応する前記半導体基板の表面領域に形成された拡散層と、
前記ゲート溝の壁面に形成されたゲート絶縁膜と、
前記ゲート溝の内部及びゲート溝の外部に形成されたゲート電極と、
前記ゲート溝の外部のゲート電極の全面に形成され、前記ゲート電極に対して圧縮応力を有する絶縁膜と
を具備することを特徴とする半導体装置。 - ゲート溝を有する半導体基板と、
前記ゲート溝の上部に対応する前記半導体基板の表面領域に形成された拡散層と、
前記ゲート溝の壁面に形成されたゲート絶縁膜と、
少なくとも前記ゲート溝内に形成され、膨張性の導電体により形成されたゲート電極と、
を具備することを特徴とする半導体装置。 - 前記ゲート電極は、前記ゲート溝の底部から、前記拡散層と対応する位置に形成されていることを特徴とする請求項2記載の半導体装置。
- ゲート溝を有する半導体基板と、
前記ゲート溝の上部に対応する前記半導体基板の表面領域に形成された拡散層と、
前記ゲート溝の壁面に形成されたゲート絶縁膜と、
少なくとも前記ゲート溝内に形成されたゲート電極と、
前記ゲート電極の内部に設けられた膨張性の材料と、
を具備することを特徴とする半導体装置。 - 前記膨張性の材料は、金属又は絶縁物であることを特徴とする請求項4記載の半導体装置。
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JP2011199950A JP2013062381A (ja) | 2011-09-13 | 2011-09-13 | 半導体装置 |
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JP2011199950A JP2013062381A (ja) | 2011-09-13 | 2011-09-13 | 半導体装置 |
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Country | Link |
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Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US10374087B2 (en) | 2014-12-04 | 2019-08-06 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Semiconductor devices and methods of manufacturing the same |
CN113410288A (zh) * | 2020-03-16 | 2021-09-17 | 株式会社东芝 | 半导体装置 |
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- 2011-09-13 JP JP2011199950A patent/JP2013062381A/ja not_active Withdrawn
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