JP2013057108A - Multiple sputtering apparatus - Google Patents

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真也 中村
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a multiple sputtering apparatus that can prevent a particle from adhering on a substrate absorption surface of an electrostatic chuck.SOLUTION: The multiple sputtering apparatus SM includes: a vacuum chamber 1; a stage 2 that is disposed to the bottom of the vacuum chamber, and has an electrostatic chuck 3 that adsorbs a substrate W at the top surface; at least two sputtering cathodes C that are disposed at the upper part of the vacuum chamber so that a sputtering particle may be incident obliquely on the substrate adsorbed by the electrostatic chuck; and a shielding means 4 that selectively shields between each sputtering cathode and the substrate. The sputtering apparatus SM further includes a protective plate 5 that selectively covers a top surface of the electrostatic chuck when the top surface of the electrostatic chuck is exposed.

Description

本発明は、単一の処理室内に複数のターゲットを備えた多元スパッタリング装置に関する。   The present invention relates to a multi-source sputtering apparatus provided with a plurality of targets in a single processing chamber.

従来、例えば半導体デバイスの製造工程では、処理すべき基板表面に、組成の異なる多層構造の薄膜を成膜する場合があり、このような多層構造の薄膜を単一の処理室内で効率よく成膜するために、単一の処理室内に複数のターゲットを備えた所謂多元スパッタリング装置が用いられることが従来から知られている（例えば、特許文献１参照）。   Conventionally, for example, in a semiconductor device manufacturing process, a thin film having a multilayer structure with a different composition is sometimes formed on the surface of a substrate to be processed. Such a thin film having a multilayer structure is efficiently formed in a single processing chamber. In order to achieve this, it is conventionally known that a so-called multi-source sputtering apparatus having a plurality of targets in a single processing chamber is used (see, for example, Patent Document 1).

多元スパッタリング装置は、真空排気手段が接続された真空チャンバを備え、この真空チャンバの底部には、基板を保持するステージが回転自在に設けられている。また、真空チャンバの上部には、水平方向に対して所定角度で傾斜させて配置されるターゲットを備えるスパッタリングカソードが設けられると共に、各ターゲットのいずれかを選択的に遮蔽する遮蔽板が、鉛直方向にのびる回転軸を回転中心として回動自在に設けられている。そして、基板表面に成膜するのに際しては、成膜に使用するスパッタリングカソードのターゲットのみが処理基板を臨むように遮蔽板を移動し、真空チャンバ内に希ガス等のスパッタガス（及び反応性ガス）を導入し、スパッタリングカソードのターゲットに負の電位を持った直流電力や高周波電力を投入する。これにより、当該ターゲットがスパッタリングされて、一定の速度で回転する基板に対してスパッタ粒子が斜入射されて成膜される。   The multi-source sputtering apparatus includes a vacuum chamber to which an evacuation unit is connected, and a stage for holding a substrate is rotatably provided at the bottom of the vacuum chamber. In addition, a sputtering cathode including a target disposed at a predetermined angle with respect to the horizontal direction is provided on the upper portion of the vacuum chamber, and a shielding plate that selectively shields one of the targets is provided in the vertical direction. It is provided so as to be rotatable about a rotating shaft that extends. When forming a film on the substrate surface, the shielding plate is moved so that only the target of the sputtering cathode used for film formation faces the processing substrate, and a sputtering gas such as a rare gas (and a reactive gas) is placed in the vacuum chamber. ) And DC power or high frequency power having a negative potential is applied to the target of the sputtering cathode. As a result, the target is sputtered, and the sputtered particles are obliquely incident on the substrate rotating at a constant speed to form a film.

ここで、成膜に際しては基板を所定温度に加熱したり、冷却したりする場合がある。このような場合には、ステージにヒータ等の加熱手段や冷媒循環機構を組み付けると共に、ステージ上面に、基板との接触面（基板吸着面）に、板状の絶縁性材料からなる誘電体を備える所謂静電チャックを設けることが一般的である。このような用途のものでは、基板を効率よく加熱または冷却するため、誘電体を例えばＰＢＮ層から構成することが知られている（例えば、特許文献２参照）。   Here, during film formation, the substrate may be heated to a predetermined temperature or cooled. In such a case, a heating means such as a heater and a refrigerant circulation mechanism are assembled to the stage, and a dielectric made of a plate-like insulating material is provided on the upper surface of the stage, on the contact surface with the substrate (substrate adsorption surface). It is common to provide a so-called electrostatic chuck. In such applications, it is known that the dielectric is composed of, for example, a PBN layer in order to efficiently heat or cool the substrate (see, for example, Patent Document 2).

ところで、上記多元スパッタリング装置は、基板に対して平行にターゲットが配置されるものとは異なり、ステージ（ひいては、静電チャックの誘電体）の直上に、遮蔽板やこの遮蔽板の駆動機構等の部品が存在し、これらの部品にも、スパッタリングによる成膜中、スパッタ粒子が付着、堆積するようになる。そして、非成膜時（ターゲットをスパッタリングして基板表面に成膜するとき以外の時間をいい、例えば、処理前の基板が搬送されてくるまでの間や処理済みの基板を搬出し、次の基板が搬入されて静電チャック上に設置されるまでの間で前記静電チャックの上面が露出しているとき等、静電チャック上に基板が存在しないときをいう）、上記各部品に付着、堆積したもの（以下、パーティクルという）が剥離し、誘電体上に落下することがある。このことは、ターゲットの一つが、例えばＴｅのように揮発性が高くかつ密着性が弱いものを使用すると、頻発する。   By the way, the multi-source sputtering apparatus is different from the one in which the target is arranged in parallel to the substrate, and the shielding plate, the driving mechanism of the shielding plate, etc. are directly above the stage (and hence the dielectric of the electrostatic chuck). Parts exist, and sputtered particles adhere to and deposit on these parts during film formation by sputtering. And during non-film formation (a time other than the time when the target is sputtered to form a film on the substrate surface, for example, before the substrate before processing is transported or the processed substrate is unloaded and the next When the substrate is not present on the electrostatic chuck, such as when the upper surface of the electrostatic chuck is exposed between the time when the substrate is loaded and installed on the electrostatic chuck) The deposited material (hereinafter referred to as particles) may be peeled off and fall on the dielectric. This frequently occurs when one of the targets is a material having high volatility and low adhesion such as Te.

このようにターゲット種に応じたパーティクルが誘電体に付着すると、場合によっては静電チャックの絶縁破壊を招来し、基板を確実に吸着できなくなる虞があり、これでは、基板への熱伝導が低下して効率よく基板を加熱または冷却できない。また、パーティクルが付着している静電チャックに基板を吸着させると、このパーティクルが基板に転写され、次の工程へと持ち込まれてしまうという不具合も生じる。   If particles according to the target species adhere to the dielectric in this way, dielectric breakdown of the electrostatic chuck may be caused in some cases, and the substrate may not be reliably adsorbed. This reduces the heat conduction to the substrate. Thus, the substrate cannot be heated or cooled efficiently. Further, when the substrate is attracted to the electrostatic chuck to which the particles are attached, there is a problem that the particles are transferred to the substrate and brought into the next process.

国際公開ＷＯ２００７−６６５１１号International Publication No. WO2007-66511 特開平９−２１３７７９号公報Japanese Patent Laid-Open No. 9-213779

本発明は、上記点に鑑み、静電チャックの基板吸着面にパーティクルが付着することを抑制できるようにした多元スパッタリング装置を提供することをその課題とするものである。   This invention makes it the subject to provide the multi-source sputtering apparatus which enabled it to suppress that a particle adheres to the board | substrate adsorption | suction surface of an electrostatic chuck in view of the said point.

上記課題を解決するために、本発明の多元スパッタリング装置は、真空チャンバと、この真空チャンバの底部に配置され、上面に基板を吸着する静電チャックを有するステージと、この真空チャンバの上部に、静電チャックで吸着された基板に対してスパッタ粒子を斜入射させるように配置された少なくとも２個のスパッタリングカソードと、各スパッタリングカソードと基板との間を選択的に遮蔽する遮蔽手段と、を備え、前記静電チャックの上面が露出している場合に、当該静電チャックの上面を選択的に覆う保護板を更に備えたことを特徴とする。   In order to solve the above problems, a multi-source sputtering apparatus of the present invention includes a vacuum chamber, a stage that is disposed at the bottom of the vacuum chamber and has an electrostatic chuck that attracts a substrate on the top surface, and an upper portion of the vacuum chamber. And at least two sputtering cathodes arranged so that the sputtered particles are obliquely incident on the substrate attracted by the electrostatic chuck, and shielding means for selectively shielding between each sputtering cathode and the substrate. And a protective plate that selectively covers the upper surface of the electrostatic chuck when the upper surface of the electrostatic chuck is exposed.

本発明によれば、保護板を設け、処理すべき基板が存在せず、静電チャックの上面が露出している場合には、この保護板で静電チャック上面を覆うため、遮蔽板やこの遮蔽板の駆動手段等の各部品に付着、堆積したパーティクルが剥離して落下しても、保護板上に落下するだけである。従って、静電チャックの基板吸着面にパーティクルが付着することが抑制される。   According to the present invention, when a protective plate is provided, there is no substrate to be processed, and the upper surface of the electrostatic chuck is exposed, the protective plate covers the upper surface of the electrostatic chuck. Even if particles adhering to and accumulating on each part such as the driving means of the shielding plate are peeled off and dropped, they are only dropped on the protective plate. Accordingly, it is possible to suppress particles from adhering to the substrate attracting surface of the electrostatic chuck.

本発明においては、前記保護板を、基板への成膜に先立ってカソードユニットのターゲットをプレスパッタリングする際に、基板上面を覆うシャッター板と兼用するようにすれば、少ない部品点数で、静電チャックの基板吸着面にパーティクルが付着することを抑制する構成をも実現できる。   In the present invention, if the protective plate is also used as a shutter plate that covers the upper surface of the cathode unit when the target of the cathode unit is pre-sputtered prior to film formation on the substrate, the number of parts can be reduced. The structure which suppresses that a particle adheres to the board | substrate adsorption | suction surface of a chuck | zipper is also realizable.

本発明の実施形態の多元スパッタリング装置の構成を模式的に示す断面図。Sectional drawing which shows typically the structure of the multi-source sputtering apparatus of embodiment of this invention. 図１に示す保護板の移動を説明する図。The figure explaining the movement of the protection board shown in FIG.

以下、図面を参照して、処理すべき基板Ｗをウエハとし、単一の処理室内でこのウエハＷの表面に多層構造の薄膜を成膜する複数のターゲットを備えた本発明の実施形態の多元スパッタリング装置を説明する。   Hereinafter, referring to the drawings, the substrate W to be processed is a wafer, and a plurality of embodiments of the present invention including a plurality of targets for forming a multilayer thin film on the surface of the wafer W in a single processing chamber. A sputtering apparatus will be described.

多元スパッタリング装置ＳＭは、図１及び図２に示すように、図外の真空排気手段が接続される真空チャンバ１を備え、処理室１１を構成する。真空チャンバ１の底部には、円筒形状のステージ２が設けられている。ステージ２には、抵抗加熱式のヒータ２１が内蔵されている。なお、特に図示して説明しないが、冷媒循環路を設けて当該ステージ２を所定の温度に冷却できるようにしてもよい。ステージ２の上面には静電チャック３が配置されている。静電チャック３は、ＰＢＮ（パイロリティックボロンナイトライド）製の誘電体で構成され、その内部には、相互に絶縁された正負の電極３１、３２が埋設されている。そして、両電極３１、３２に図外のチャック電源から直流電圧を印加すると、発生する静電気力で基板Ｗが静電チャック３の上面で吸着される。また、ステージ２には、真空チャンバ１内に図示省略の真空シールを介して突設する回転軸２２が連結され、成膜時にステージ２、ひいては、基板Ｗを一定の回転速度で回転するようにしている。   As shown in FIGS. 1 and 2, the multi-source sputtering apparatus SM includes a vacuum chamber 1 to which a vacuum exhaust unit (not shown) is connected, and constitutes a processing chamber 11. A cylindrical stage 2 is provided at the bottom of the vacuum chamber 1. The stage 2 incorporates a resistance heating type heater 21. Although not specifically illustrated and described, a refrigerant circulation path may be provided so that the stage 2 can be cooled to a predetermined temperature. An electrostatic chuck 3 is disposed on the upper surface of the stage 2. The electrostatic chuck 3 is made of a dielectric made of PBN (Pyrolytic Boron Nitride), and positive and negative electrodes 31 and 32 that are insulated from each other are embedded therein. When a DC voltage is applied to both electrodes 31 and 32 from a chuck power source (not shown), the substrate W is attracted to the upper surface of the electrostatic chuck 3 by the generated electrostatic force. The stage 2 is connected to a rotating shaft 22 that protrudes into the vacuum chamber 1 via a vacuum seal (not shown) so that the stage 2 and thus the substrate W rotate at a constant rotational speed during film formation. ing.

真空チャンバ１の上部には、水平方向に対して所定角度で傾斜させて配置されるターゲットＴ１、Ｔ２を備えるスパッタリングカソードＣが設けられている。なお、図１では、２個のカソードユニットのみを図示しているが、カソードユニットの個数はこれに限定されるものではない。各ターゲットＴ１、Ｔ２は、基板Ｗ表面に形成しようとする薄膜に応じた材料製（例えば、Ｔｅ、Ｎｉ、Ｔｉ、Ｃｕ、Ａｌ、Ｍｏ製またはこれらの合金や化合物）であり、各ターゲットＴ１、Ｔ２には、そのターゲット種に応じて、図外のＤＣ電源や交流電源等のスパッタ電源が電気的に接続されている。そして、ターゲットＴ１、Ｔ２のスパッタリングによる成膜中、ターゲットＴ１、Ｔ２に負の電位を持った直流電力や交流電力が投入されるようになっている。カソードユニットＣは、マグネトロン方式等、公知の構造のものが利用できるため、ここでは詳細な説明を省略する。   On the upper part of the vacuum chamber 1, a sputtering cathode C including targets T1 and T2 disposed at a predetermined angle with respect to the horizontal direction is provided. In FIG. 1, only two cathode units are illustrated, but the number of cathode units is not limited to this. Each target T1, T2 is made of a material corresponding to the thin film to be formed on the surface of the substrate W (for example, Te, Ni, Ti, Cu, Al, Mo, or an alloy or compound thereof), and each target T1, A sputtering power source such as a DC power source or an AC power source (not shown) is electrically connected to T2 according to the target type. During the film formation by sputtering of the targets T1 and T2, direct current power or alternating current power having a negative potential is input to the targets T1 and T2. As the cathode unit C, a known structure such as a magnetron system can be used, and a detailed description thereof will be omitted here.

また、真空チャンバ１の天板には、真空チャンバ１内に図示省略の真空シールを介して突設する回転軸４１が設けられ、回転軸４１の下端にはドーム状の遮蔽板４が設けられている。遮蔽板４には、ターゲットＴ１、Ｔ２のいずれか１つのみが静電チャック３に吸着された基板Ｗを臨む開口４２が形成されている。なお、特に図示して説明しないが、真空チャンバ１内には、希ガス等のスパッタガス（及び反応性ガス）を導入するガス導入手段が設けられている。   The top plate of the vacuum chamber 1 is provided with a rotating shaft 41 that protrudes into the vacuum chamber 1 via a vacuum seal (not shown), and a dome-shaped shielding plate 4 is provided at the lower end of the rotating shaft 41. ing. An opening 42 is formed in the shielding plate 4 so as to face the substrate W on which only one of the targets T1 and T2 is attracted to the electrostatic chuck 3. Although not specifically illustrated and described, gas introduction means for introducing a sputtering gas (and reactive gas) such as a rare gas is provided in the vacuum chamber 1.

基板Ｗ表面に成膜する場合、静電チャック３で基板Ｗを吸着した状態の真空チャンバ１が所定圧力に達すると、回転軸４１により遮蔽板４を回転させ、基板Ｗ表面に成膜しようとする薄膜に対応して選択されるターゲットＴ１（またはＴ２）に開口４２を対応させる。この場合、ステージ２に内蔵したヒータ２１を作動させて基板Ｗが所定温度に加熱される。そして、真空チャンバ１内にスパッタガスを導入し、ターゲットＴ１（またはＴ２）に負の電位を持った直流電力や高周波電力を投入し、当該ターゲットＴ１（またはＴ２）をスパッタリングすると、開口４２を通過したスパッタ粒子が一定の速度で回転する基板Ｗに対して斜入射し、付着、堆積して所定の薄膜が成膜される。   When the film is formed on the surface of the substrate W, when the vacuum chamber 1 in a state where the substrate W is attracted by the electrostatic chuck 3 reaches a predetermined pressure, the shielding plate 4 is rotated by the rotating shaft 41 to try to form the film on the surface of the substrate W. The opening 42 is made to correspond to the target T1 (or T2) selected corresponding to the thin film to be formed. In this case, the substrate 21 is heated to a predetermined temperature by operating the heater 21 built in the stage 2. Then, sputtering gas is introduced into the vacuum chamber 1, DC power or high frequency power having a negative potential is applied to the target T 1 (or T 2), and when the target T 1 (or T 2) is sputtered, it passes through the opening 42. The sputtered particles are obliquely incident on the substrate W rotating at a constant speed, and are attached and deposited to form a predetermined thin film.

ところで、上記多元スパッタリング装置ＳＭは、基板Ｗに対して平行にターゲットが配置されるものとは異なり、静電チャック３の直上に、遮蔽板４が存在し、スパッタリングによる成膜中、遮蔽板４の下面にもスパッタ粒子が付着、堆積する。そして、非成膜時（ターゲットＴ１、Ｔ２をスパッタリングして基板Ｗ表面に成膜するとき以外の時間をいい、特に、処理前の基板Ｗが静電チャック３上に設置されるまでの間や処理済みの基板Ｗを搬出し、次の基板が搬入されて静電チャック上に設置されるまでの間で静電チャック３の上面が露出しているとき等、静電チャック３上に基板が存在しないときをいう）、遮蔽板４に付着、堆積したもの（以下、パーティクルという）が剥離し、静電チャック３上に落下することがある。このことは、ターゲットＴ１、Ｔ２の一つが、例えばＴｅのように揮発性が高くかつ密着性が弱いものを使用していると、頻発する。   The multi-source sputtering apparatus SM is different from the one in which the target is disposed in parallel with the substrate W, and the shielding plate 4 is present immediately above the electrostatic chuck 3. Sputtered particles adhere and accumulate on the lower surface of the substrate. Further, it means a time other than the time of non-film formation (when the targets T1 and T2 are sputtered to form a film on the surface of the substrate W, in particular, until the substrate W before processing is placed on the electrostatic chuck 3 or When the upper surface of the electrostatic chuck 3 is exposed until the processed substrate W is unloaded and the next substrate is loaded and placed on the electrostatic chuck, the substrate is placed on the electrostatic chuck 3. When it does not exist), what adheres to and accumulates on the shielding plate 4 (hereinafter referred to as particles) may peel off and fall onto the electrostatic chuck 3. This frequently occurs when one of the targets T1 and T2 uses a material having high volatility and low adhesion such as Te.

そこで、本発明の実施形態では、真空チャンバ１に処理室１１に連通する待機室１２を設け、待機室１２に静電チャック３の上面を選択的に覆う保護板５を配置している。保護板５は、静電チャック３により吸着可能な材質から構成され、静電チャック３の上面の面積より大きな面積を有する板状部材で構成される。そして、この保護板５を待機室１２と処理室１１内の静電チャック３直上の位置との間で移動するために、真空チャンバ１の底部には真空ロボットＲが設けられている。真空ロボットＲは、真空チャンバ１内に図示省略の真空シールを介して突設する回転軸Ｒ１と、この回転軸Ｒ１の上端に設けられたロボットハンドＲ２とから構成され、待機室１２においては、ロボットハンドＲ２で保護板５が支持されるようになっている。なお、真空ロボットＲについては、特に制限がなく、待機室１２と処理室１１内で静電チャック３直上の位置との間で保護板５を移動するものであれば他のものを使用することができる。   Therefore, in the embodiment of the present invention, a standby chamber 12 that communicates with the processing chamber 11 is provided in the vacuum chamber 1, and the protective plate 5 that selectively covers the upper surface of the electrostatic chuck 3 is disposed in the standby chamber 12. The protection plate 5 is made of a material that can be attracted by the electrostatic chuck 3 and is made of a plate-like member having an area larger than the area of the upper surface of the electrostatic chuck 3. A vacuum robot R is provided at the bottom of the vacuum chamber 1 in order to move the protective plate 5 between the standby chamber 12 and the position immediately above the electrostatic chuck 3 in the processing chamber 11. The vacuum robot R is composed of a rotary shaft R1 protruding from the vacuum chamber 1 via a vacuum seal (not shown) and a robot hand R2 provided at the upper end of the rotary shaft R1. The protection plate 5 is supported by the robot hand R2. The vacuum robot R is not particularly limited, and any other robot may be used as long as it can move the protective plate 5 between the standby chamber 12 and the processing chamber 11 immediately above the electrostatic chuck 3. Can do.

また、ロボットハンドＲ２で支持されている保護板５の静電チャック３への受渡しについては、例えば、ステージ２に、当該ステージ２内に位置する退避位置と、当該ステージ２の上方に突出する受渡位置との間で上下動自在な複数本の支持ピン（図示せず）を内蔵しておき、この支持ピンを用いて行えばよい。そして、非成膜時、真空ロボットＲにより保護板５を待機室１２から処理室１１の静電チャック３直上の位置に移動し、静電チャック３へと受渡した後、両電極３１、３２に図外のチャック電源から直流電圧を印加し発生する静電気力で保護板５を静電チャック３の上面で吸着させる。なお、基板Ｗの静電チャック３への受渡しについても、上記と同様に行うことができる。   As for the delivery of the protective plate 5 supported by the robot hand R2 to the electrostatic chuck 3, for example, the stage 2 is placed on the retracted position located in the stage 2 and delivered above the stage 2. A plurality of support pins (not shown) that can move up and down between the positions are built in, and this support pin may be used. Then, at the time of non-film formation, the protection plate 5 is moved from the standby chamber 12 to a position just above the electrostatic chuck 3 in the processing chamber 11 by the vacuum robot R and delivered to the electrostatic chuck 3. The protective plate 5 is attracted to the upper surface of the electrostatic chuck 3 by an electrostatic force generated by applying a DC voltage from a chuck power source (not shown). The delivery of the substrate W to the electrostatic chuck 3 can also be performed in the same manner as described above.

上記実施形態によれば、保護板５を設け、処理すべき基板Ｗが静電チャック３上面に存在せず、静電チャック３の上面が露出している場合には、この保護板５で静電チャック３の基板吸着面に吸着させてこの基板吸着面を覆うため、遮蔽板４の下面に付着、堆積したパーティクルが剥離して落下しても、保護板５上に落下するだけである。従って、静電チャック３の基板吸着面たる上面にパーティクルが付着することを抑制することができる。   According to the above embodiment, when the protective plate 5 is provided and the substrate W to be processed does not exist on the upper surface of the electrostatic chuck 3 and the upper surface of the electrostatic chuck 3 is exposed, the protective plate 5 In order to cover the substrate adsorption surface by adsorbing to the substrate adsorption surface of the electric chuck 3, even if particles adhered and deposited on the lower surface of the shielding plate 4 are peeled off and dropped, they are only dropped on the protective plate 5. Accordingly, it is possible to prevent particles from adhering to the upper surface which is the substrate adsorption surface of the electrostatic chuck 3.

ところで、上記多元スパッタリング装置ＳＭにおいて、ターゲット種によっては、基板Ｗへの成膜に先立ってターゲット表面を一旦スパッタリングしてクリーニングする所謂プレスパッタリングを行う場合がある。このときには、基板表面にスパッタ粒子が付着しないように保護する必要がある。このような場合には、真空ロボットＲにより保護板５を待機室１２から処理室１１の静電チャック３直上の位置に移動させておけば、この保護板５が、基板Ｗの上面を覆うシャッター板の役割を果たすようになる。これによれば、少ない部品点数で、静電チャックの基板吸着面にパーティクルが付着することを抑制する構成をも実現できる。   By the way, in the multi-source sputtering apparatus SM, depending on the target type, so-called pre-sputtering may be performed in which the target surface is once sputtered and cleaned prior to film formation on the substrate W. At this time, it is necessary to protect the sputtered particles from adhering to the substrate surface. In such a case, if the protective plate 5 is moved from the standby chamber 12 to a position immediately above the electrostatic chuck 3 in the processing chamber 11 by the vacuum robot R, the protective plate 5 covers the upper surface of the substrate W. It comes to play the role of a board. According to this, the structure which suppresses that a particle adheres to the board | substrate adsorption | suction surface of an electrostatic chuck with few parts count is realizable.

以上、本発明の実施形態について説明したが、本発明は上記のものに限定されるものではない。上記実施形態では、一枚のドーム状の遮蔽板を備えたものを例に説明したが、各ターゲットを個々に遮蔽するように構成することもできる。また、本発明は、成膜により処理室内に存する部品に付着したものが静電チャック上面に付着する虞があるものであれば、多元スパッタリング装置以外の真空処理装置であっても適用できる場合がある。   As mentioned above, although embodiment of this invention was described, this invention is not limited to said thing. In the above-described embodiment, an example in which a single dome-shaped shielding plate is provided has been described. However, each target may be individually shielded. In addition, the present invention may be applied even to a vacuum processing apparatus other than a multi-source sputtering apparatus, as long as there is a possibility that an object adhering to a component existing in the processing chamber due to film formation may adhere to the upper surface of the electrostatic chuck. is there.

ＳＭ…多元スパッタリング装置、Ｃ…スパッタカソード、Ｔ１、Ｔ２…ターゲット、１…真空チャンバ、２…ステージ、３…静電チャック、４…遮蔽板、５…保護板。   SM: Multi-source sputtering apparatus, C: Sputter cathode, T1, T2 ... Target, 1 ... Vacuum chamber, 2 ... Stage, 3 ... Electrostatic chuck, 4 ... Shielding plate, 5 ... Protection plate.

Claims (2)

真空チャンバと、この真空チャンバの底部に配置され、上面に基板を吸着する静電チャックを有するステージと、この真空チャンバの上部に、静電チャックで吸着された基板に対してスパッタ粒子を斜入射させるように配置された少なくとも２個のスパッタリングカソードと、各スパッタリングカソードと基板との間を選択的に遮蔽する遮蔽手段と、を備え、
前記静電チャックの上面が露出している場合に、当該静電チャックの上面を選択的に覆う保護板を更に備えたことを特徴とする多元スパッタリング装置。 A vacuum chamber, a stage having an electrostatic chuck disposed on the bottom of the vacuum chamber and attracting the substrate on the upper surface, and a sputtered particle obliquely incident on the top of the vacuum chamber on the substrate attracted by the electrostatic chuck And at least two sputtering cathodes arranged to be shielded, and shielding means for selectively shielding between each sputtering cathode and the substrate,
A multi-source sputtering apparatus, further comprising a protective plate that selectively covers the upper surface of the electrostatic chuck when the upper surface of the electrostatic chuck is exposed. 前記保護板を、基板への成膜に先立ってスパッタリングカソードのターゲットをプレスパッタリングする際に、基板上面を覆うシャッター板と兼用することを特徴とする請求項１記載の多元スパッタリング装置。
2. The multi-source sputtering apparatus according to claim 1, wherein the protective plate is also used as a shutter plate that covers the upper surface of the substrate when the sputtering cathode target is pre-sputtered prior to film formation on the substrate.
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