JP2013057065A - Prepreg, substrate, and semiconductor device - Google Patents

Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a prepreg, a substrate having the prepreg, and a semiconductor device, in which the prepreg is capable of supporting thinner films and can impart differing usages, functions, performances, or characteristics on either side of the prepreg.SOLUTION: The prepreg 10 is a prepreg in which has a core layer 11 of a sheet-like substrate 1, a first resin layer 2 formed on one surface side of the core layer, and a second resin layer 3 formed on the other surface side, and in which the prepreg is used by forming a conductive layer on the first resin layer. A first resin composition configuring the first resin layer and a second resin composition configuring the second resin layer differ. In addition, a substrate is obtained by stacking the prepregs. The semiconductor device includes the substrate.

Description

本発明は、プリプレグ、基板および半導体装置に関する。   The present invention relates to a prepreg, a substrate, and a semiconductor device.

回路基板は、一般にガラス繊維基材等に熱硬化性樹脂を含浸して得られるプリプレグを
複数枚積層して加熱、加圧することにより形成されている。そしてプリプレグは、厚さ５
０〜２００μｍ程度のガラス繊維基材等を熱硬化性樹脂組成物のワニスに浸漬する方法等
によって得られる（例えば、特許文献１参照）。 The circuit board is generally formed by laminating a plurality of prepregs obtained by impregnating a glass fiber base material with a thermosetting resin, and heating and pressurizing. And the prepreg has a thickness of 5
It can be obtained by a method of immersing a glass fiber substrate or the like of about 0 to 200 μm in a varnish of a thermosetting resin composition (for example, see Patent Document 1).

プリプレグには、一方の面には回路配線の間隙を埋め込むための埋め込み性と、他方の
面には回路を形成するためのメッキ密着性が要求される場合があった。しかし、ガラス繊
維基材等に熱硬化性樹脂組成物のワニスを含浸する従来の方法で得られるプリプレグは、
その両面が同じ熱硬化性樹脂組成物で形成されるものであった。そのために、その両方の
特性を満足するような熱可塑性樹脂組成物が用いられていた。 In some cases, the prepreg is required to have an embedding property for embedding a gap between circuit wirings on one surface and a plating adhesion property for forming a circuit on the other surface. However, a prepreg obtained by a conventional method of impregnating a glass fiber base material with a varnish of a thermosetting resin composition is,
Both surfaces were formed with the same thermosetting resin composition. Therefore, a thermoplastic resin composition that satisfies both characteristics has been used.

しかし、近年の電子部品・電子機器等の小型化・薄膜化等に伴って、それに用いられる
回路基板等にもさらなる小型化・薄膜化が要求されている。このような要求に対応するた
めに、回路基板を構成するプリプレグの薄膜化も検討されているが、プリプレグを薄膜化
した場合に上記埋め込み性およびメッキ密着性の両方を満足することは困難であった。 However, with recent downsizing and thinning of electronic parts and electronic devices, circuit boards and the like used therefor are required to be further downsized and thinned. In order to meet such demands, thinning of the prepreg constituting the circuit board has been studied. However, when the prepreg is thinned, it is difficult to satisfy both the embedding property and the plating adhesion. It was.

特開２００４−２１６７８４号公報JP 2004-216784 A

本発明の目的は、薄膜化に対応することが可能であり、かつプリプレグの両面に異なる
用途、機能、性能または特性等を付与することができるプリプレグを提供することにある
。
また、本発明の目的は、上記プリプレグを有する基板および半導体装置を提供すること
にある。 An object of the present invention is to provide a prepreg that can cope with thinning and that can be provided with different uses, functions, performances, characteristics, and the like on both sides of the prepreg.
Moreover, the objective of this invention is providing the board | substrate and semiconductor device which have the said prepreg.

このような目的は、下記（１）〜（１３）に記載の本発明により達成される。
（１）シート状基材のコア層と、前記コア層の一方面側に形成される第１樹脂層および他
方面側に形成される第２樹脂層とを有し、第１樹脂層上に導体層を形成して使用されるプ
リプレグであって、前記第１樹脂層を構成する第１樹脂組成物と、前記第２樹脂層を構成
する第２樹脂組成物とが異なることを特徴とするプリプレグ。
（２）前記第１樹脂層に導体層を接合したとき、前記第１樹脂層と、前記導体層とのピー
ル強度は、０．５ｋｇ／ｃｍ以上である上記（１）に記載のプリプレグ。
（３）第１樹脂層の厚さが、５〜１５μｍである上記（１）または（２）に記載のプリプ
レグ。
（４）前記第１樹脂組成物は、硬化性樹脂を含むものである上記（１）ないし（３）のい
ずれかに記載のプリプレグ。
（５）前記硬化性樹脂は、シアネート樹脂を含むものである上記（４）に記載のプリプレ
グ。
（６）前記シアネート樹脂は、ノボラック型シアネート樹脂を含むものである上記（５）
に記載のプリプレグ。
（７）前記第１樹脂組成物は、さらに硬化剤を含むものである上記（１）ないし（６）の
いずれかに記載のプリプレグ。
（８）前記硬化剤は、イミダゾール系化合物を含むものである上記（７）に記載のプリプ
レグ。
（９）前記第１樹脂組成物は、さらに前記硬化性樹脂と種類の異なる第２樹脂を含むもの
である上記（１）ないし（８）のいずれかに記載のプリプレグ。
（１０）前記第２樹脂は、フェノキシ系樹脂を含むものである上記（９）に記載のプリプ
レグ。
（１１）前記第１樹脂層の厚さは、前記第２樹脂層の厚さよりも薄いものである上記（１
）ないし（１０）のいずれかに記載のプリプレグ。
（１２）上記（１）ないし（１１）のいずれかに記載のプリプレグを積層して得られるこ
とを特徴とする基板。
（１３）上記（１２）に記載の基板を有することを特徴とする半導体装置。 Such an object is achieved by the present invention described in the following (1) to (13).
(1) It has a core layer of a sheet-like base material, a first resin layer formed on one side of the core layer, and a second resin layer formed on the other side, on the first resin layer A prepreg used by forming a conductor layer, wherein the first resin composition constituting the first resin layer is different from the second resin composition constituting the second resin layer. Prepreg.
(2) The prepreg according to (1) above, wherein when a conductor layer is bonded to the first resin layer, a peel strength between the first resin layer and the conductor layer is 0.5 kg / cm or more.
(3) The prepreg as described in said (1) or (2) whose thickness of the 1st resin layer is 5-15 micrometers.
(4) The prepreg according to any one of (1) to (3), wherein the first resin composition includes a curable resin.
(5) The prepreg according to (4), wherein the curable resin includes a cyanate resin.
(6) The above (5), wherein the cyanate resin contains a novolac type cyanate resin.
The prepreg described in 1.
(7) The prepreg according to any one of (1) to (6), wherein the first resin composition further includes a curing agent.
(8) The prepreg according to (7), wherein the curing agent includes an imidazole compound.
(9) The prepreg according to any one of (1) to (8), wherein the first resin composition further includes a second resin of a different type from the curable resin.
(10) The prepreg according to (9), wherein the second resin includes a phenoxy resin.
(11) The thickness of the first resin layer is thinner than the thickness of the second resin layer (1)
The prepreg according to any one of (10) to (10).
(12) A substrate obtained by laminating the prepreg according to any one of (1) to (11) above.
(13) A semiconductor device comprising the substrate according to (12).

本発明によれば、薄型材では両立が困難な成形性とメッキ密着性に優れ、多層基板の絶
縁信頼性、半導体装置としての接続信頼性に優れるプリプレグとすることができる。本発
明のプリプレグは、高密度化、薄型化を要求される多層基板、半導体装置の製造に好適に
用いられるものである。 According to the present invention, it is possible to obtain a prepreg which is excellent in moldability and plating adhesion, which are difficult to achieve with a thin material, and excellent in insulation reliability of a multilayer substrate and connection reliability as a semiconductor device. The prepreg of the present invention is suitably used for the production of multilayer substrates and semiconductor devices that are required to have higher density and thinner thickness.

以下、本発明のプリプレグ、基板および半導体装置について説明する。
本発明のプリプレグは、シート状基材のコア層と、前記コア層の一方面側に形成される
第１樹脂層および他方面側に形成される第２樹脂層をと有し、第１樹脂層上に導体層を形
成して使用されるプリプレグであって、前記第１樹脂層を構成する第１樹脂組成物と、前
記第２樹脂層を構成する第２樹脂組成物が異なることを特徴とする。
また、本発明の基板は、上記に記載のプリプレグを積層して得られることを特徴とする
。
また、本発明の半導体装置は、上記に記載の基板を有することを特徴とする。 Hereinafter, the prepreg, substrate and semiconductor device of the present invention will be described.
The prepreg of the present invention has a core layer of a sheet-like base material, a first resin layer formed on one side of the core layer, and a second resin layer formed on the other side, and the first resin A prepreg used by forming a conductor layer on a layer, wherein the first resin composition constituting the first resin layer is different from the second resin composition constituting the second resin layer. And
The substrate of the present invention is obtained by laminating the prepreg described above.
A semiconductor device according to the present invention includes the substrate described above.

まず、プリプレグの好適な実施形態について図面に基づいて説明する。
図１は、本発明のプリプレグの一例を示す断面図である。
プリプレグ１０は、シート状基材１のコア層１１と、コア層１１の一方面側に形成され
る第１樹脂層２および他方の面側に形成される第２樹脂層３と有し、第１樹脂層２を構成
する第１樹脂組成物と、第２樹脂層３を構成する第２樹脂組成物が異なることを特徴とし
ている。これにより、各層に要求される特性等に応じた樹脂処方を設計することができる
ようになり、その結果として各層に要求される特性を維持した状態でプリプレグ全体の厚
さを薄くすることもできる。図１で示されるプリプレグ１０では、第１樹脂層２上に（図
１上側）に導体層を形成して使用される。そのため、第１樹脂層２は、導体層との密着性
に優れるように設計される。また、第２樹脂層３は、第１樹脂層２と異なる特性等が要求
されるために、それを満足するように設計される。以下、各層について説明する。 First, a preferred embodiment of a prepreg will be described based on the drawings.
FIG. 1 is a cross-sectional view showing an example of the prepreg of the present invention.
The prepreg 10 has a core layer 11 of the sheet-like substrate 1, a first resin layer 2 formed on one side of the core layer 11, and a second resin layer 3 formed on the other side. The first resin composition constituting the first resin layer 2 and the second resin composition constituting the second resin layer 3 are different. As a result, it becomes possible to design a resin formulation according to the characteristics required for each layer, and as a result, it is possible to reduce the thickness of the entire prepreg while maintaining the characteristics required for each layer. . The prepreg 10 shown in FIG. 1 is used by forming a conductor layer on the first resin layer 2 (upper side in FIG. 1). Therefore, the first resin layer 2 is designed to have excellent adhesion with the conductor layer. Further, since the second resin layer 3 is required to have characteristics and the like different from those of the first resin layer 2, the second resin layer 3 is designed so as to satisfy it. Hereinafter, each layer will be described.

（コア層）
コア層１１は、主としてシート状基材１で構成されている。コア層１１は、プリプレグ
１０の強度を向上する機能を有している。
このコア層１１は、シート状基材１単独で構成されていても良いし、シート状基材１に
上記の第１樹脂層２および第２樹脂層３の一部が含浸していても良い。
このようなシート状基材１としては、ガラス織布、ガラス不織布等のガラス繊維基材、
ポリアミド樹脂繊維、芳香族ポリアミド樹脂繊維、全芳香族ポリアミド樹脂繊維等のポリ
アミド系樹脂繊維、ポリエステル樹脂繊維、芳香族ポリエステル樹脂繊維、全芳香族ポリ
エステル樹脂繊維等のポリエステル系樹脂繊維、ポリイミド樹脂繊維、フッ素樹脂繊維等
を主成分とする織布または不織布で構成される合成繊維基材、クラフト紙、コットンリン
ター紙、リンターとクラフトパルプの混抄紙等を主成分とする紙基材等の有機繊維基材等
の繊維基材、ポリエステル、ポリイミド等の樹脂フィルム等が挙げられる。これらの中で
もガラス繊維基材が好ましい。これにより、プリプレグ１０の強度を向上することができ
る。また、プリプレグ１０の熱膨張係数を小さくすることができる。 (Core layer)
The core layer 11 is mainly composed of the sheet-like substrate 1. The core layer 11 has a function of improving the strength of the prepreg 10.
The core layer 11 may be composed of the sheet-like substrate 1 alone, or the sheet-like substrate 1 may be impregnated with a part of the first resin layer 2 and the second resin layer 3 described above. .
As such a sheet-like base material 1, glass fiber base materials, such as a glass woven fabric and a glass nonwoven fabric,
Polyamide resin fibers, polyamide resin fibers such as aromatic polyamide resin fibers, wholly aromatic polyamide resin fibers, polyester resin fibers, polyester resin fibers such as aromatic polyester resin fibers, wholly aromatic polyester resin fibers, polyimide resin fibers, Organic fiber base such as synthetic fiber base material composed of woven or non-woven fabric mainly composed of fluororesin fiber, kraft paper, cotton linter paper, paper base material mainly composed of linter and kraft pulp mixed paper Examples thereof include fiber base materials such as materials, and resin films such as polyester and polyimide. Among these, a glass fiber base material is preferable. Thereby, the intensity | strength of the prepreg 10 can be improved. Moreover, the thermal expansion coefficient of the prepreg 10 can be reduced.

このようなガラス繊維基材を構成するガラスとしては、例えばＥガラス、Ｃガラス、Ａ
ガラス、Ｓガラス、Ｄガラス、ＮＥガラス、Ｔガラス、Ｈガラス等が挙げられる。これら
の中でもＳガラス、または、Ｔガラスが好ましい。これにより、ガラス繊維基材の熱膨張
係数を小さくすることができ、それによってプリプレグの熱膨張係数を小さくすることが
できる。 Examples of the glass constituting such a glass fiber substrate include E glass, C glass, A
Examples thereof include glass, S glass, D glass, NE glass, T glass, and H glass. Among these, S glass or T glass is preferable. Thereby, the thermal expansion coefficient of a glass fiber base material can be made small, and, thereby, the thermal expansion coefficient of a prepreg can be made small.

シート状基材（繊維基材）の厚さは、特に限定されないが、薄いプリプレグを得る場合
には３０μｍ以下が好ましく、特に２５μｍ以下が好ましく、最も１０〜２０μｍが好ま
しい。シート状基材１の厚さが前記範囲内であると、後述する基板の薄膜化と強度とのバ
ランスに優れる。さらには層間接続の加工性や信頼性にも優れる。 Although the thickness of a sheet-like base material (fiber base material) is not specifically limited, When obtaining a thin prepreg, 30 micrometers or less are preferable, especially 25 micrometers or less are preferable, and 10-20 micrometers is the most preferable. When the thickness of the sheet-like base material 1 is within the above range, the balance between the thinning of the substrate, which will be described later, and the strength is excellent. Furthermore, it is excellent in processability and reliability of interlayer connection.

（第１樹脂層）
図１に示すように第１樹脂層２は、コア層１１の一方面側（図１上側）に形成されてい
る。
第１樹脂層２は、第１樹脂組成物で構成されており、導体層との密着性に優れるような
樹脂組成で設計される。
このような導体層との密着性に優れる第１樹脂組成物は、例えば（熱）硬化性樹脂、硬
化助剤（例えば硬化剤、硬化促進剤等）、無機充填材等を含んでいる。
導体層との密着性を向上させるには、導体層との密着性に優れる硬化性樹脂を使用する
方法、導体層との密着性を向上させる硬化助剤（例えば硬化剤、硬化促進剤等）を使用す
る方法、無機充填材として酸に可溶なものを用いる方法、無機充填材と有機充填材とを併
用する方法等が挙げられる。
導体層との密着性に優れる硬化性樹脂としては、例えばユリア（尿素）樹脂、メラミン
樹脂、ビスマレイミド樹脂、ポリウレタン樹脂、ベンゾオキサジン環を有する樹脂、シア
ネートエステル樹脂、ビスフェノールＳ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＦ型エポキシ樹
脂およびビスフェノールＳとビスフェノールＦとの共重合エポキシ樹脂等が挙げられる。
これらの中でも、特に、シアネート樹脂（シアネート樹脂のプレポリマーを含む）、が好
ましい。これにより、プリプレグ１０の熱膨張係数を小さくすることができる。さらに、
プリプレグ１０の電気特性（低誘電率、低誘電正接）等にも優れる。 (First resin layer)
As shown in FIG. 1, the first resin layer 2 is formed on one side of the core layer 11 (upper side in FIG. 1).
The 1st resin layer 2 is comprised with the 1st resin composition, and is designed by the resin composition which is excellent in adhesiveness with a conductor layer.
The 1st resin composition excellent in adhesiveness with such a conductor layer contains (thermal) curable resin, a hardening adjuvant (for example, hardening agent, hardening accelerator, etc.), an inorganic filler, etc., for example.
In order to improve the adhesion with the conductor layer, a method using a curable resin excellent in the adhesion with the conductor layer, a curing aid for improving the adhesion with the conductor layer (for example, a curing agent, a curing accelerator, etc.) , A method using an acid-soluble material as an inorganic filler, a method using an inorganic filler and an organic filler in combination, and the like.
Examples of the curable resin having excellent adhesion to the conductor layer include urea (urea) resin, melamine resin, bismaleimide resin, polyurethane resin, resin having a benzoxazine ring, cyanate ester resin, bisphenol S type epoxy resin, bisphenol F. Type epoxy resin, copolymerized epoxy resin of bisphenol S and bisphenol F, and the like.
Among these, a cyanate resin (including a prepolymer of cyanate resin) is particularly preferable. Thereby, the thermal expansion coefficient of the prepreg 10 can be made small. further,
The electrical properties (low dielectric constant, low dielectric loss tangent) of the prepreg 10 are also excellent.

前記シアネート樹脂は、例えばハロゲン化シアン化合物とフェノール類とを反応させ、
必要に応じて加熱等の方法でプレポリマー化することにより得ることができる。具体的に
は、ノボラック型シアネート樹脂、ビスフェノールＡ型シアネート樹脂、ビスフェノール
Ｅ型シアネート樹脂、テトラメチルビスフェノールＦ型シアネート樹脂等のビスフェノー
ル型シアネート樹脂等を挙げることができる。これらの中でもノボラック型シアネート樹
脂が好ましい。これにより、架橋密度増加による耐熱性向上と、第１樹脂組成物等の難燃
性を向上することができる。ノボラック型シアネート樹脂は、硬化反応後にトリアジン環
を形成するからである。さらに、ノボラック型シアネート樹脂は、その構造上ベンゼン環
の割合が高く、炭化しやすいためと考えられる。さらに、プリプレグ１０を薄膜化（厚さ
３５μｍ以下）した場合であってもプリプレグ１０に優れた剛性を付与することができる
。特に加熱時における剛性に優れるので、半導体素子実装時の信頼性にも特に優れる。 The cyanate resin reacts, for example, a halogenated cyanide compound and phenols,
If necessary, it can be obtained by prepolymerization by a method such as heating. Specific examples include bisphenol type cyanate resins such as novolac type cyanate resin, bisphenol A type cyanate resin, bisphenol E type cyanate resin, and tetramethylbisphenol F type cyanate resin. Among these, novolac type cyanate resin is preferable. Thereby, the heat resistance improvement by a crosslinking density increase and flame retardance, such as a 1st resin composition, can be improved. This is because the novolac-type cyanate resin forms a triazine ring after the curing reaction. Furthermore, it is considered that novolak-type cyanate resin has a high benzene ring ratio due to its structure and is easily carbonized. Furthermore, even when the prepreg 10 is thinned (thickness of 35 μm or less), excellent rigidity can be imparted to the prepreg 10. In particular, since the rigidity during heating is excellent, the reliability when mounting a semiconductor element is also particularly excellent.

前記ノボラック型シアネート樹脂としては、例えば式（Ｉ）で示されるものを使用する
ことができる。
前記式（Ｉ）で示されるノボラック型シアネート樹脂の平均繰り返し単位ｎは、特に限
定されないが、１〜１０が好ましく、特に２〜７が好ましい。平均繰り返し単位ｎが前記
下限値未満であるとノボラック型シアネート樹脂は結晶化しやすくなり、汎用溶媒に対す
る溶解性が比較的低下するため、取り扱いが困難となる場合がある。また、プリプレグ１
０を作製した場合にタック性が生じ、プリプレグ１０同士が接触したとき互いに付着した
り、樹脂の転写が生じたりする場合がある。平均繰り返し単位ｎが前記上限値を超えると
溶融粘度が高くなりすぎ、プリプレグの成形性が低下する場合がある。 As said novolak-type cyanate resin, what is shown, for example by Formula (I) can be used.
The average repeating unit n of the novolak cyanate resin represented by the formula (I) is not particularly limited, but is preferably 1 to 10, and particularly preferably 2 to 7. When the average repeating unit n is less than the lower limit, the novolak cyanate resin is easily crystallized, and the solubility in a general-purpose solvent is relatively lowered, which may make handling difficult. Prepreg 1
When 0 is produced, tackiness occurs, and when the prepregs 10 come into contact with each other, they may adhere to each other or transfer of the resin may occur. When the average repeating unit n exceeds the upper limit, the melt viscosity becomes too high, and the moldability of the prepreg may deteriorate.

前記シアネート樹脂等の重量平均分子量は、例えばＧＰＣで測定することができる。   The weight average molecular weight of the cyanate resin or the like can be measured by, for example, GPC.

なお、前記シアネート樹脂としては、これをプレポリマー化したものも用いることがで
きる。すなわち、前記シアネート樹脂を単独で用いてもよいし、重量平均分子量の異なる
シアネート樹脂を併用したり、前記シアネート樹脂とそのプレポリマーとを併用したりす
ることもできる。
前記プレポリマーとは、通常、前記シアネート樹脂を加熱反応などにより、例えば３量
化することで得られるものであり、樹脂組成物の成形性、流動性を調整するために好まし
く使用されるものである。
前記プレポリマーとしては、特に限定されないが、例えば３量化率が２０〜５０重量％
であるものを用いることができる。この３量化率は、例えば赤外分光分析装置を用いて求
めることができる。 In addition, as said cyanate resin, what prepolymerized this can also be used. That is, the cyanate resin may be used alone, a cyanate resin having a different weight average molecular weight may be used in combination, or the cyanate resin and its prepolymer may be used in combination.
The prepolymer is usually obtained by, for example, trimerizing the cyanate resin by a heat reaction or the like, and is preferably used for adjusting the moldability and fluidity of the resin composition. .
The prepolymer is not particularly limited. For example, the trimerization rate is 20 to 50% by weight.
Can be used. This trimerization rate can be determined using, for example, an infrared spectroscopic analyzer.

また、後述する密着性を向上させる硬化剤または硬化促進剤を併用する場合には、上述
の導体性との密着性に優れる硬化性樹脂以外に、例えばフェノールノボラック樹脂、クレ
ゾールノボラック樹脂、ビスフェノールＡノボラック樹脂等のノボラック型フェノール樹
脂、未変性のレゾールフェノール樹脂、桐油、アマニ油、クルミ油等で変性した油変性レ
ゾールフェノール樹脂等のレゾール型フェノール樹脂等のフェノール樹脂、ビスフェノー
ルＡエポキシ樹脂、ビスフェノールＦエポキシ樹脂等のビスフェノール型エポキシ樹脂、
ノボラックエポキシ樹脂、クレゾールノボラックエポキシ樹脂等のノボラック型エポキシ
樹脂、ビフェニル型エポキシ樹脂等のエポキシ樹脂、不飽和ポリエステル樹脂、ジアリル
フタレート樹脂、シリコーン樹脂等を用いることができる。 Moreover, when using together the hardening agent or hardening accelerator which improves the adhesiveness mentioned later, other than the curable resin excellent in adhesiveness with the above-mentioned conductive property, for example, a phenol novolak resin, a cresol novolak resin, a bisphenol A novolak Novolak type phenolic resin such as resin, unmodified resol phenolic resin, phenolic resin such as oil-modified resol phenolic resin modified with tung oil, linseed oil, walnut oil, etc., bisphenol A epoxy resin, bisphenol F epoxy Bisphenol type epoxy resin such as resin,
A novolac epoxy resin such as a novolac epoxy resin or a cresol novolac epoxy resin, an epoxy resin such as a biphenyl epoxy resin, an unsaturated polyester resin, a diallyl phthalate resin, or a silicone resin can be used.

前記硬化性樹脂の含有量は、特に限定されないが、前記第１樹脂組成物全体の５〜５０
重量％が好ましく、特に１０〜４０重量％が好ましい。含有量が前記下限値未満であると
プリプレグ１０を形成するのが困難となる場合があり、前記上限値を超えるとプリプレグ
１０の強度が低下する場合がある。 Although content of the said curable resin is not specifically limited, 5-50 of the said 1st resin composition whole.
% By weight is preferable, and 10 to 40% by weight is particularly preferable. When the content is less than the lower limit, it may be difficult to form the prepreg 10, and when the content exceeds the upper limit, the strength of the prepreg 10 may be reduced.

導体層との密着性を向上させる硬化助剤（例えば硬化剤、硬化促進剤等）としては、例
えばトリエチルアミン、トリブチルアミン、ジアザビシクロ［２，２，２］オクタン等の
３級アミン類、２−エチル−４−エチルイミダゾール、２−フェニル−４−メチルイミダ
ゾール、２−フェニル−４−メチル−５−ヒドルキシメチルイミダゾール、２−フェニル
−４，５−ジヒドロキシメチルイミダゾール、２，４−ジアミノ−６−〔２’−メチルイ
ミダゾリル−（１’）〕−エチル−ｓ−トリアジン、２，４−ジアミノ−６−（２’−ウ
ンデシルイミダゾリル）−エチル−ｓ−トリアジン、２，４−ジアミノ−６−〔２’−エ
チル−４−メチルイミダゾリル−（１’）〕−エチル−ｓ−トリアジン、１−ベンジル−
２−フェニルイミダゾール等のイミダゾール化合物が挙げられる。これらの中でも、脂肪
族炭化水素基、芳香族炭化水素基、ヒドロキシアルキル基およびシアノアルキル基の中か
ら選ばれる官能基を２個以上有しているイミダゾール化合物が好ましく、特に２−フェニ
ル−４，５−ジヒドロキシメチルイミダゾールが好ましい。このようなイミダゾール化合
物の使用により、樹脂組成物の耐熱性を向上させることができると共に、この樹脂組成物
で形成される樹脂層に低熱膨張性、低吸水性を付与することができる。 Examples of curing aids (such as curing agents and curing accelerators) that improve the adhesion to the conductor layer include tertiary amines such as triethylamine, tributylamine, diazabicyclo [2,2,2] octane, and 2-ethyl. -4-ethylimidazole, 2-phenyl-4-methylimidazole, 2-phenyl-4-methyl-5-hydroxymethylimidazole, 2-phenyl-4,5-dihydroxymethylimidazole, 2,4-diamino-6 -[2'-Methylimidazolyl- (1 ')]-ethyl-s-triazine, 2,4-diamino-6- (2'-undecylimidazolyl) -ethyl-s-triazine, 2,4-diamino-6 -[2'-ethyl-4-methylimidazolyl- (1 ')]-ethyl-s-triazine, 1-benzyl-
Examples include imidazole compounds such as 2-phenylimidazole. Among these, an imidazole compound having two or more functional groups selected from an aliphatic hydrocarbon group, an aromatic hydrocarbon group, a hydroxyalkyl group, and a cyanoalkyl group is preferable, and in particular, 2-phenyl-4, 5-dihydroxymethylimidazole is preferred. By using such an imidazole compound, the heat resistance of the resin composition can be improved, and low thermal expansion and low water absorption can be imparted to the resin layer formed from the resin composition.

また、前記硬化性樹脂として密着性に優れる硬化性樹脂を用いる場合は、上述の密着性
を向上させる硬化助剤以外に、例えばナフテン酸亜鉛、ナフテン酸コバルト、オクチル酸
スズ、オクチル酸コバルト、ビスアセチルアセトナートコバルト（II）、トリスアセチル
アセトナートコバルト（III）等の有機金属塩、フェノール、ビスフェノールＡ、ノニル
フェノール等のフェノール化合物、酢酸、安息香酸、サリチル酸、パラトルエンスルホン
酸等の有機酸等を用いることができる。 In addition, when a curable resin having excellent adhesion is used as the curable resin, in addition to the above-described curing aid for improving the adhesion, for example, zinc naphthenate, cobalt naphthenate, tin octylate, cobalt octylate, bis Organic metal salts such as acetylacetonate cobalt (II) and trisacetylacetonate cobalt (III), phenolic compounds such as phenol, bisphenol A and nonylphenol, organic acids such as acetic acid, benzoic acid, salicylic acid and paratoluenesulfonic acid Can be used.

前記硬化助剤の含有量は、特に限定されないが、前記第１樹脂組成物全体の０．０１〜
３重量％が好ましく、特に０．１〜１重量％が好ましい。含有量が前記下限値未満である
と硬化を促進する効果が現れない場合があり、前記上限値を超えるとプリプレグ１０の保
存性が低下する場合がある。 Although content of the said hardening adjuvant is not specifically limited, 0.01- of the whole said 1st resin composition
3% by weight is preferable, and 0.1 to 1% by weight is particularly preferable. If the content is less than the lower limit, the effect of promoting curing may not appear, and if the content exceeds the upper limit, the storability of the prepreg 10 may be reduced.

なお、導体層との密着性に優れる前記硬化性樹脂と、導体層との密着性を向上させる前
記硬化助剤を併用することが、導体層との密着性を向上する効果により優れる点で好まし
い。 In addition, it is preferable that the curable resin having excellent adhesion with the conductor layer and the curing aid for improving the adhesion with the conductor layer are used in combination because of the effect of improving the adhesion with the conductor layer. .

また、前記第１樹脂組成物は、無機充填材を含むことが好ましい。これにより、プリプ
レグ１０を薄膜化（厚さ３５μｍ以下）にしても強度に優れることができる。さらに、プ
リプレグの低熱膨張化を向上することもできる。
前記無機充填材としては、例えばタルク、アルミナ、ガラス、シリカ、マイカ、水酸化
アルミニウム、水酸化マグネシウム等を挙げることができる。これらの中でもシリカが好
ましく、溶融シリカ（特に球状溶融シリカ）が低熱膨張性に優れる点で好ましい。その形
状は破砕状、球状があるが、繊維基材１への含浸性を確保するために樹脂組成物の溶融粘
度を下げるには球状シリカを使う等、その目的にあわせた使用方法が採用される。 The first resin composition preferably contains an inorganic filler. Thereby, even if the prepreg 10 is thinned (thickness of 35 μm or less), it can be excellent in strength. Furthermore, it is possible to improve the low thermal expansion of the prepreg.
Examples of the inorganic filler include talc, alumina, glass, silica, mica, aluminum hydroxide, magnesium hydroxide and the like. Among these, silica is preferable, and fused silica (particularly spherical fused silica) is preferable in that it has excellent low thermal expansion. The shape is crushed and spherical, but in order to reduce the melt viscosity of the resin composition in order to ensure the impregnation of the fiber substrate 1, a method of use that suits the purpose, such as using spherical silica, is adopted. The

前記無機充填材の平均粒子径は、特に限定されないが、０．０１〜５．０μｍが好まし
く、特に０．２〜２．０μｍが好ましい。無機充填材の粒径が前記下限値未満であるとワ
ニスの粘度が高くなるため、プリプレグ１０作製時の作業性に影響を与える場合がある。
また、前記上限値を超えると、ワニス中で無機充填剤の沈降等の現象が起こる場合がある
。無機充填材の平均粒径を前記範囲内とすることで、無機充填材の使用による効果は、両
者のバランスに優れるものとなる。
この平均粒子径は、例えば粒度分布計（ＨＯＲＩＢＡ製、ＬＡ−５００）により測定す
ることができる。 The average particle size of the inorganic filler is not particularly limited, but is preferably 0.01 to 5.0 μm, particularly preferably 0.2 to 2.0 μm. If the particle size of the inorganic filler is less than the lower limit value, the viscosity of the varnish increases, which may affect the workability when producing the prepreg 10.
When the upper limit is exceeded, phenomena such as sedimentation of the inorganic filler may occur in the varnish. By setting the average particle diameter of the inorganic filler within the above range, the effect of using the inorganic filler is excellent in the balance between the two.
This average particle diameter can be measured, for example, by a particle size distribution meter (manufactured by HORIBA, LA-500).

更に平均粒子径５．０μｍ以下の球状シリカ（特に球状溶融シリカ）が好ましく、特に
平均粒子径０．０１〜２．０μｍ、最も０．１〜０．５μｍの球状溶融シリカが好ましい
。これにより、無機充填剤の充填性を向上させることができる。さらに、緻密な粗化状態
とすることができ、高密度回路形成が容易となる。また、さらに高速信号の伝送に適した
回路形成を可能とすることができる。
前記第１樹脂組成物に用いる無機充填材は、特に限定されないが、後述する第２樹脂組
成物に用いる無機充填材よりも平均粒子径が小さいほうが好ましい。これにより、緻密な
粗化状態を形成するのが容易となる。 Furthermore, spherical silica (especially spherical fused silica) having an average particle diameter of 5.0 μm or less is preferable, and spherical fused silica having an average particle diameter of 0.01 to 2.0 μm, most preferably 0.1 to 0.5 μm is particularly preferable. Thereby, the filling property of an inorganic filler can be improved. Further, a dense roughened state can be obtained, and high-density circuit formation is facilitated. Further, it is possible to form a circuit suitable for high-speed signal transmission.
The inorganic filler used in the first resin composition is not particularly limited, but it is preferable that the average particle diameter is smaller than the inorganic filler used in the second resin composition described later. Thereby, it becomes easy to form a dense roughened state.

また、導体層との密着性を向上するために、前記無機充填材として酸に可溶な無機充填
材を用いても良い。これにより、メッキ密着性を向上することができる。
前記酸に可溶な無機充填材としては、例えば炭酸カルシウム、酸化亜鉛、酸化鉄等の金
属酸化物等が挙げられる。 Further, in order to improve the adhesion to the conductor layer, an acid-soluble inorganic filler may be used as the inorganic filler. Thereby, plating adhesion can be improved.
Examples of the acid-soluble inorganic filler include metal oxides such as calcium carbonate, zinc oxide, and iron oxide.

また、導体層との密着性を向上するために、前記無機充填材と有機充填材とを併用して
も良い。
前記有機充填材としては、例えば液晶ポリマー、ポリイミド等の樹脂系充填材等が挙げ
られる。 Moreover, in order to improve adhesiveness with a conductor layer, you may use together the said inorganic filler and organic filler.
Examples of the organic filler include resin fillers such as liquid crystal polymer and polyimide.

前記無機充填材の含有量は、特に限定されないが、前記第１樹脂組成物全体の２０〜７
０重量％が好ましく、特に３０〜６０重量％が好ましい。無機充填材の含有量が前記下限
値未満であると、無機充填材による低熱膨脹性、低吸水性を付与する効果が低下する場合
がある。また、前記上限値を超えると、樹脂組成物の流動性の低下により成形性が低下す
る場合がある。前記無機充填材の含有量を前記範囲内とすることで、無機充填材の使用に
よる効果は、両者のバランスに優れるものとなる。 Although content of the said inorganic filler is not specifically limited, 20-7 of the whole said 1st resin composition
0% by weight is preferable, and 30 to 60% by weight is particularly preferable. If the content of the inorganic filler is less than the lower limit, the effect of imparting low thermal expansion and low water absorption by the inorganic filler may be reduced. Moreover, when the said upper limit is exceeded, a moldability may fall by the fall of the fluidity | liquidity of a resin composition. By making content of the said inorganic filler in the said range, the effect by use of an inorganic filler will be excellent in both balance.

前記硬化性樹脂としてシアネート樹脂（特にノボラック型シアネート樹脂）を用いる場
合は、エポキシ樹脂（実質的にハロゲン原子を含まない）を用いることが好ましい。前記
エポキシ樹脂としては、例えばフェノールノボラック型エポキシ樹脂、ビスフェノール型
エポキシ樹脂、ナフタレン型エポキシ樹脂、アリールアルキレン型エポキシ樹脂等が挙げ
られる。これらの中でもアリールアルキレン型エポキシ樹脂が好ましい。これにより、吸
湿半田耐熱性および難燃性を向上させることができる。 When a cyanate resin (particularly a novolac-type cyanate resin) is used as the curable resin, it is preferable to use an epoxy resin (substantially free of halogen atoms). Examples of the epoxy resin include phenol novolac type epoxy resins, bisphenol type epoxy resins, naphthalene type epoxy resins, arylalkylene type epoxy resins and the like. Among these, aryl alkylene type epoxy resins are preferable. Thereby, moisture absorption solder heat resistance and a flame retardance can be improved.

前記アリールアルキレン型エポキシ樹脂とは、繰り返し単位中に一つ以上のアリールア
ルキレン基を有するエポキシ樹脂をいう。例えばキシリレン型エポキシ樹脂、ビフェニル
ジメチレン型エポキシ樹脂等が挙げられる。これらの中でもビフェニルジメチレン型エポ
キシ樹脂が好ましい。ビフェニルジメチレン型エポキシ樹脂は、例えば式（II）で示すこ
とができる。 The arylalkylene-type epoxy resin refers to an epoxy resin having one or more arylalkylene groups in a repeating unit. For example, a xylylene type epoxy resin, a biphenyl dimethylene type epoxy resin, etc. are mentioned. Among these, a biphenyl dimethylene type epoxy resin is preferable. The biphenyl dimethylene type epoxy resin can be represented by, for example, the formula (II).

前記式（II）で示されるビフェニルジメチレン型エポキシ樹脂の平均繰り返し単位ｎは
、特に限定されないが、１〜１０が好ましく、特に２〜５が好ましい。平均繰り返し単位
ｎが前記下限値未満であるとビフェニルジメチレン型エポキシ樹脂は結晶化しやすくなり
、汎用溶媒に対する溶解性が比較的低下するため、取り扱いが困難となる場合がある。ま
た、平均繰り返し単位ｎが前記上限値を超えると樹脂の流動性が低下し、成形不良等の原
因となる場合がある。 The average repeating unit n of the biphenyl dimethylene type epoxy resin represented by the formula (II) is not particularly limited, but is preferably 1 to 10, and particularly preferably 2 to 5. When the average repeating unit n is less than the lower limit, the biphenyl dimethylene type epoxy resin is easily crystallized, and the solubility in a general-purpose solvent is relatively lowered, which may make handling difficult. On the other hand, if the average repeating unit n exceeds the upper limit, the fluidity of the resin is lowered, which may cause molding defects.

前記エポキシ樹脂の含有量は、特に限定されないが、前記第１樹脂組成物全体の１〜５
５重量％が好ましく、特に２〜４０重量％が好ましい。含有量が前記下限値未満であると
シアネート樹脂の反応性が低下したり、得られる製品の耐湿性が低下したりする場合があ
り、前記上限値を超えると耐熱性が低下する場合がある。 Although content of the said epoxy resin is not specifically limited, 1-5 of the said 1st resin composition whole.
5 wt% is preferable, and 2 to 40 wt% is particularly preferable. If the content is less than the lower limit, the reactivity of the cyanate resin may decrease, or the moisture resistance of the product obtained may decrease, and if the content exceeds the upper limit, the heat resistance may decrease.

前記エポキシ樹脂の重量平均分子量は、特に限定されないが、重量平均分子量３００〜
２０，０００が好ましく、特に５００〜５，０００が好ましい。重量平均分子量が前記下
限値未満であるとプリプレグ１０にタック性が生じる場合が有り、前記上限値を超えると
プリプレグ１０作製時、基材への含浸性が低下し、均一な製品が得られない場合がある。
前記エポキシ樹脂の重量平均分子量は、例えばＧＰＣで測定することができる。 The weight average molecular weight of the epoxy resin is not particularly limited, but the weight average molecular weight is 300 to 300.
20,000 is preferable, and 500 to 5,000 is particularly preferable. When the weight average molecular weight is less than the lower limit value, tackiness may occur in the prepreg 10, and when the upper limit value is exceeded, the impregnation property to the base material is lowered when the prepreg 10 is produced, and a uniform product cannot be obtained. There is a case.
The weight average molecular weight of the epoxy resin can be measured by GPC, for example.

また、前記第１樹脂組成物に導体層との密着性が向上するような成分（樹脂等を含む）
を添加しても良い。例えば、フェノキシ樹脂、ポリビニルアルコール系樹脂、導体層を構
成する金属との密着性を向上させるカップリング剤等が挙げられる。
前記フェノキシ樹脂としては、例えばビスフェノール骨格を有するフェノキシ樹脂、ナ
フタレン骨格を有するフェノキシ樹脂、ビフェニル骨格を有するフェノキシ樹脂等が挙げ
られる。また、これらの骨格を複数種類有した構造のフェノキシ樹脂を用いることもでき
る。 In addition, a component (including a resin or the like) that improves adhesion to the conductor layer in the first resin composition
May be added. Examples thereof include a phenoxy resin, a polyvinyl alcohol-based resin, and a coupling agent that improves adhesion with the metal constituting the conductor layer.
Examples of the phenoxy resin include a phenoxy resin having a bisphenol skeleton, a phenoxy resin having a naphthalene skeleton, and a phenoxy resin having a biphenyl skeleton. A phenoxy resin having a structure having a plurality of these skeletons can also be used.

これらの中でも、ビフェニル骨格およびビスフェノールＳ骨格を有するフェノキシ樹脂
を用いることができる。これにより、ビフェニル骨格が有する剛直性によりガラス転移温
度を高くすることができると共に、ビスフェノールＳ骨格により、多層プリント配線板を
製造する際のメッキ金属の付着性を向上させることができる。 Among these, a phenoxy resin having a biphenyl skeleton and a bisphenol S skeleton can be used. Thereby, the glass transition temperature can be increased due to the rigidity of the biphenyl skeleton, and the adhesion of the plated metal when the multilayer printed wiring board is manufactured can be improved by the bisphenol S skeleton.

また、ビスフェノールＡ骨格およびビスフェノールＦ骨格を有するフェノキシ樹脂を用
いることもできる。これにより、多層プリント配線板の製造時に内層回路基板への密着性
をさらに向上させることができる。 A phenoxy resin having a bisphenol A skeleton and a bisphenol F skeleton can also be used. Thereby, the adhesiveness to an inner-layer circuit board can further be improved at the time of manufacture of a multilayer printed wiring board.

さらに、前記ビフェニル骨格およびビスフェノールＳ骨格を有するフェノキシ樹脂と、
ビスフェノールＡ骨格およびビスフェノールＦ骨格を有するフェノキシ樹脂とを、併用す
ることが好ましい。これにより、これらの特性をバランスよく発現させることができる。 A phenoxy resin having the biphenyl skeleton and the bisphenol S skeleton;
It is preferable to use a phenoxy resin having a bisphenol A skeleton and a bisphenol F skeleton in combination. Thereby, these characteristics can be expressed with good balance.

前記ビスフェノールＡ骨格およびビスフェノールＦ骨格とを有するフェノキシ樹脂（１
）と、前記ビフェニル骨格およびビスフェノールＳ骨格を有するフェノキシ樹脂（２）と
を併用する場合、その併用比率（重量）としては特に限定されないが、例えば、（１）：
（２）＝２：８〜９：１とすることができる。 Phenoxy resin having a bisphenol A skeleton and a bisphenol F skeleton (1
) And the phenoxy resin (2) having the biphenyl skeleton and the bisphenol S skeleton, the combination ratio (weight) is not particularly limited. For example, (1):
(2) = 2: 8-9: 1.

前記フェノキシ樹脂の分子量、特に限定されないが、重量平均分子量が５，０００〜７
０，０００であることが好ましく、特に１０，０００〜６０，０００が好ましい。前記フ
ェノキシ樹脂の重量平均分子量が前記下限値未満であると、製膜性を向上させる効果が充
分でない場合がある。一方、前記上限値を超えると、フェノキシ樹脂の溶解性が低下する
場合がある。前記フェノキシ樹脂の重量平均分子量を上記範囲内とすることにより、これ
らの特性のバランスに優れたものとすることができる。 The molecular weight of the phenoxy resin is not particularly limited, but the weight average molecular weight is 5,000-7.
It is preferably 10,000, particularly preferably 10,000 to 60,000. When the weight average molecular weight of the phenoxy resin is less than the lower limit, the effect of improving the film forming property may not be sufficient. On the other hand, if the upper limit value is exceeded, the solubility of the phenoxy resin may decrease. By making the weight average molecular weight of the phenoxy resin within the above range, it is possible to achieve an excellent balance of these characteristics.

フェノキシ樹脂の含有量は、特に限定されないが、前記樹脂組成物全体の１〜４０重量
％であることが好ましく、特に５〜３０重量％が好ましい。前記フェノキシ樹脂の含有量
が前記下限値未満であると、製膜性を向上させる効果が充分でないことがある。一方、前
記上限値を超えると、相対的にシアネート樹脂の含有量が少なくなるため、低熱膨張性を
付与する効果が低下することがある。フェノキシ樹脂の含有量を前記範囲内とすることに
より、これらの特性のバランスに優れたものとすることができる。 Although content of a phenoxy resin is not specifically limited, It is preferable that it is 1 to 40 weight% of the whole said resin composition, and 5 to 30 weight% is especially preferable. When the content of the phenoxy resin is less than the lower limit, the effect of improving the film forming property may not be sufficient. On the other hand, when the upper limit is exceeded, the content of the cyanate resin is relatively decreased, and thus the effect of imparting low thermal expansion may be reduced. By setting the content of the phenoxy resin within the above range, it is possible to achieve an excellent balance of these characteristics.

前記第１樹脂組成物は、特に限定されないが、カップリング剤を用いることが好ましい
。前記カップリング剤は、前記硬化性樹脂と、前記無機充填材との界面の濡れ性を向上さ
せることにより、シート状基材１に対して硬化性樹脂および無機充填材を均一に定着させ
、耐熱性、特に吸湿後の半田耐熱性を改良することができる。
前記カップリング剤としては、例えばエポキシシランカップリング剤、チタネート系カ
ップリング剤、アミノシランカップリング剤、及び、シリコーンオイル型カップリング剤
の中から選ばれる１種以上のカップリング剤を使用すること好ましい。これにより、樹脂
と無機充填材との界面の濡れ性を特に高めることができ、耐熱性をより向上させることが
できる。
前記カップリング剤の含有量は、特に限定されないが、前記無機充填材１００重量部に
対して０．０５〜３重量部であることが好ましく、特に０．１〜２重量部が好ましい。含
有量が前記下限値未満であると無機充填材を十分に被覆できないため耐熱性を向上する効
果が低下する場合があり、前記上限値を超えると反応に影響を与え、曲げ強度等が低下す
る場合がある。カップリング剤の含有量を前記範囲内とすることで、カップリング剤の使
用による効果は両者のバランスに優れる。 The first resin composition is not particularly limited, but it is preferable to use a coupling agent. The coupling agent uniformly fixes the curable resin and the inorganic filler to the sheet-like substrate 1 by improving the wettability of the interface between the curable resin and the inorganic filler, In particular, solder heat resistance after moisture absorption can be improved.
As the coupling agent, it is preferable to use one or more coupling agents selected from, for example, an epoxy silane coupling agent, a titanate coupling agent, an aminosilane coupling agent, and a silicone oil type coupling agent. . Thereby, especially the wettability of the interface of resin and an inorganic filler can be improved, and heat resistance can be improved more.
Although content of the said coupling agent is not specifically limited, It is preferable that it is 0.05-3 weight part with respect to 100 weight part of said inorganic fillers, and 0.1-2 weight part is especially preferable. If the content is less than the lower limit, the inorganic filler cannot be sufficiently coated, and thus the effect of improving the heat resistance may be reduced. If the content exceeds the upper limit, the reaction is affected, and the bending strength is reduced. There is a case. By making content of a coupling agent in the said range, the effect by use of a coupling agent is excellent in both balance.

また、前記第１樹脂組成物は、以上に説明した成分のほか、必要に応じて消泡剤、レベ
リング剤、顔料、酸化防止剤等の添加剤を含有することができる。 In addition to the components described above, the first resin composition may contain additives such as an antifoaming agent, a leveling agent, a pigment, and an antioxidant as necessary.

このような第１樹脂組成物で構成されている第１樹脂層２の厚さは、特に限定されない
が、３〜１５μｍが好ましく、特に５〜１０μｍが好ましい。厚さが前記範囲内であると
、特にプリプレグ全体の厚さを薄くすることができる。 Although the thickness of the 1st resin layer 2 comprised with such a 1st resin composition is not specifically limited, 3-15 micrometers is preferable and 5-10 micrometers is especially preferable. When the thickness is within the above range, the thickness of the entire prepreg can be particularly reduced.

第１樹脂層２（粗化処理後）の表面粗さは、特に限定されないが、２μｍ以下が好まし
く、特に０．５μｍ以下が好ましい。前記範囲内であると、微細な回路を形成する際にお
いてもレジスト密着性に特に優れる。 The surface roughness of the first resin layer 2 (after the roughening treatment) is not particularly limited, but is preferably 2 μm or less, particularly preferably 0.5 μm or less. Within the above range, the resist adhesion is particularly excellent even when a fine circuit is formed.

このような第１樹脂層２に上に形成される導体層としては、例えば銅箔、アルミ箔等の
金属箔、メッキ銅等が挙げられる。これらの中でもメッキ銅が好ましい。これにより、微
細な回路を容易に形成することができる。 Examples of the conductor layer formed on the first resin layer 2 include metal foils such as copper foil and aluminum foil, and plated copper. Among these, plated copper is preferable. Thereby, a fine circuit can be easily formed.

（第２樹脂層）
図１に示すように第２樹脂層３は、コア層１１の他方面側（図１下側）に形成されてい
る。このような第２樹脂層３は、前記第１樹脂組成物と異なる第２樹脂組成物で構成され
ており、第１樹脂層２と異なる特性（例えば回路埋め込み性等）等を有するように設計さ
れている、ここで、異なる樹脂組成物とは、それぞれの樹脂組成物を構成する樹脂、充填
材等の種類、樹脂、充填材等の含有量、樹脂の分子量等の少なくとも１つが異なるもので
あれば良い。
第２樹脂組成物は、例えば（熱）硬化性樹脂、硬化剤、硬化促進剤、充填材等を含んで
いる。 (Second resin layer)
As shown in FIG. 1, the second resin layer 3 is formed on the other surface side (lower side in FIG. 1) of the core layer 11. The second resin layer 3 is composed of a second resin composition different from the first resin composition, and is designed to have characteristics (for example, circuit embedding property) different from the first resin layer 2. Here, different resin compositions are different from each other in at least one of the types of resins and fillers constituting the respective resin compositions, the content of the resins and fillers, the molecular weight of the resins, and the like. I need it.
The second resin composition contains, for example, a (thermo) curable resin, a curing agent, a curing accelerator, a filler, and the like.

前記硬化性樹脂としては、例えばフェノールノボラック樹脂、クレゾールノボラック樹
脂、ビスフェノールＡノボラック樹脂等のノボラック型フェノール樹脂、未変性のレゾー
ルフェノール樹脂、桐油、アマニ油、クルミ油等で変性した油変性レゾールフェノール樹
脂等のレゾール型フェノール樹脂等のフェノール樹脂、ビスフェノールＡエポキシ樹脂、
ビスフェノールＦエポキシ樹脂等のビスフェノール型エポキシ樹脂、ノボラックエポキシ
樹脂、クレゾールノボラックエポキシ樹脂等のノボラック型エポキシ樹脂、ビフェニル型
エポキシ樹脂等のエポキシ樹脂、ユリア（尿素）樹脂、メラミン樹脂等のトリアジン環を
有する樹脂、不飽和ポリエステル樹脂、ビスマレイミド樹脂、ポリウレタン樹脂、ジアリ
ルフタレート樹脂、シリコーン樹脂、ベンゾオキサジン環を有する樹脂、シアネート樹脂
等が挙げられる。
これらの中でも、特に、シアネート樹脂（シアネート樹脂のプレポリマーを含む）が好
ましい。これにより、プリプレグ１０の熱膨張係数を小さくすることができる。さらに、
プリプレグ１０の電気特性（低誘電率、低誘電正接）等にも優れる。 Examples of the curable resin include novolak type phenol resins such as phenol novolak resin, cresol novolak resin, bisphenol A novolak resin, unmodified resol phenol resin, oil-modified resol phenol resin modified with tung oil, linseed oil, walnut oil, and the like. Phenolic resin such as resol type phenolic resin, bisphenol A epoxy resin, etc.
Bisphenol type epoxy resin such as bisphenol F epoxy resin, novolac epoxy resin, novolac type epoxy resin such as cresol novolac epoxy resin, epoxy resin such as biphenyl type epoxy resin, resin having triazine ring such as urea (urea) resin, melamine resin , Unsaturated polyester resin, bismaleimide resin, polyurethane resin, diallyl phthalate resin, silicone resin, resin having a benzoxazine ring, cyanate resin, and the like.
Among these, cyanate resins (including prepolymers of cyanate resins) are particularly preferable. Thereby, the thermal expansion coefficient of the prepreg 10 can be made small. further,
The electrical properties (low dielectric constant, low dielectric loss tangent) of the prepreg 10 are also excellent.

前記シアネート樹脂は、例えばハロゲン化シアン化合物とフェノール類とを反応させ、
必要に応じて加熱等の方法でプレポリマー化することにより得ることができる。具体的に
は、ノボラック型シアネート樹脂、ビスフェノールＡ型シアネート樹脂、ビスフェノール
Ｅ型シアネート樹脂、テトラメチルビスフェノールＦ型シアネート樹脂等のビスフェノー
ル型シアネート樹脂等を挙げることができる。これらの中でもノボラック型シアネート樹
脂が好ましい。これにより、架橋密度増加による耐熱性向上と、第２樹脂組成物等の難燃
性を向上することができる。ノボラック型シアネート樹脂は、硬化反応後にトリアジン環
を形成するからである。さらに、ノボラック型シアネート樹脂は、その構造上ベンゼン環
の割合が高く、炭化しやすいためと考えられる。さらに、プリプレグ１０を薄膜化（厚さ
３５μｍ以下）した場合であってもプリプレグ１０に優れた剛性を付与することができる
。特に加熱時における剛性に優れるので、半導体素子実装時の信頼性にも特に優れる。 The cyanate resin reacts, for example, a halogenated cyanide compound and phenols,
If necessary, it can be obtained by prepolymerization by a method such as heating. Specific examples include bisphenol type cyanate resins such as novolac type cyanate resin, bisphenol A type cyanate resin, bisphenol E type cyanate resin, and tetramethylbisphenol F type cyanate resin. Among these, novolac type cyanate resin is preferable. Thereby, the heat resistance improvement by a crosslinking density increase and the flame retardance of a 2nd resin composition etc. can be improved. This is because the novolac-type cyanate resin forms a triazine ring after the curing reaction. Furthermore, it is considered that novolak-type cyanate resin has a high benzene ring ratio due to its structure and is easily carbonized. Furthermore, even when the prepreg 10 is thinned (thickness of 35 μm or less), excellent rigidity can be imparted to the prepreg 10. In particular, since the rigidity during heating is excellent, the reliability when mounting a semiconductor element is also particularly excellent.

前記ノボラック型シアネート樹脂としては、例えば式（Ｉ）で示されるものを使用する
ことができる。
前記式（Ｉ）で示されるノボラック型シアネート樹脂の平均繰り返し単位ｎは、特に限
定されないが、１〜１０が好ましく、特に２〜７が好ましい。平均繰り返し単位ｎが前記
下限値未満であるとノボラック型シアネート樹脂は結晶化しやすくなり、汎用溶媒に対す
る溶解性が比較的低下するため、取り扱いが困難となる場合がある。また、平均繰り返し
単位ｎが前記上限値を超えると溶融粘度が高くなりすぎ、プリプレグの成形性が低下する
場合がある。 As said novolak-type cyanate resin, what is shown, for example by Formula (I) can be used.
The average repeating unit n of the novolak cyanate resin represented by the formula (I) is not particularly limited, but is preferably 1 to 10, and particularly preferably 2 to 7. When the average repeating unit n is less than the lower limit, the novolak cyanate resin is easily crystallized, and the solubility in a general-purpose solvent is relatively lowered, which may make handling difficult. Moreover, when average repeating unit n exceeds the said upper limit, melt viscosity will become high too much and the moldability of a prepreg may fall.

前記シアネート樹脂の重量平均分子量は、特に限定されないが、重量平均分子量５００
〜４，５００が好ましく、特に６００〜３，０００が好ましい。重量平均分子量が前記下
限値未満であるとプリプレグ１０を作製した場合にタック性が生じ、プリプレグ１０同士
が接触したとき互いに付着したり、樹脂の転写が生じたりする場合がある。また、重量平
均分子量が前記上限値を超えると反応が速くなりすぎ、基板（特に回路基板）とした場合
に、成形不良が生じたり、層間ピール強度が低下したりする場合がある。
前記シアネート樹脂等の重量平均分子量は、例えばＧＰＣで測定することができる。
また、前記シアネート樹脂として、重量平均分子量が異なるシアネート樹脂を併用して
も良い。これにより、タックを改良できる場合がある。 The weight average molecular weight of the cyanate resin is not particularly limited, but the weight average molecular weight is 500.
-4,500 are preferable, and 600-3,000 are particularly preferable. When the prepreg 10 is produced when the weight average molecular weight is less than the lower limit, tackiness may occur, and when the prepregs 10 come into contact with each other, they may adhere to each other or transfer of the resin may occur. Further, when the weight average molecular weight exceeds the upper limit, the reaction becomes too fast, and when a substrate (particularly, a circuit substrate) is formed, molding defects may occur or the interlayer peel strength may be lowered.
The weight average molecular weight of the cyanate resin or the like can be measured by, for example, GPC.
Moreover, you may use together cyanate resin from which a weight average molecular weight differs as said cyanate resin. Thereby, the tack may be improved.

前記硬化性樹脂の含有量は、特に限定されないが、前記第２樹脂組成物全体の５〜５０
重量％が好ましく、特に２０〜４０重量％が好ましい。含有量が前記下限値未満であると
プリプレグ１０を形成するのが困難となる場合があり、前記上限値を超えるとプリプレグ
１０の強度が低下する場合がある。 Although content of the said curable resin is not specifically limited, 5-50 of the said 2nd resin composition whole.
% By weight is preferable, and 20 to 40% by weight is particularly preferable. When the content is less than the lower limit, it may be difficult to form the prepreg 10, and when the content exceeds the upper limit, the strength of the prepreg 10 may be reduced.

また、前記第２樹脂組成物は、無機充填材を含むことが好ましい。これにより、プリプ
レグ１０を薄膜化（厚さ３５μｍ以下）にしても強度に優れることができる。さらに、プ
リプレグの低熱膨張化を向上することもできる。
前記無機充填材としては、例えばタルク、アルミナ、ガラス、シリカ、マイカ、水酸化
アルミニウム、水酸化マグネシウム等を挙げることができる。これらの中でもシリカが好
ましく、溶融シリカ（特に球状溶融シリカ）が低熱膨張性に優れる点で好ましい。その形
状は破砕状、球状があるが、繊維基材１への含浸性を確保するために樹脂組成物の溶融粘
度を下げるには球状シリカを使う等、その目的にあわせた使用方法が採用される。 Moreover, it is preferable that the said 2nd resin composition contains an inorganic filler. Thereby, even if the prepreg 10 is thinned (thickness of 35 μm or less), it can be excellent in strength. Furthermore, it is possible to improve the low thermal expansion of the prepreg.
Examples of the inorganic filler include talc, alumina, glass, silica, mica, aluminum hydroxide, magnesium hydroxide and the like. Among these, silica is preferable, and fused silica (particularly spherical fused silica) is preferable in that it has excellent low thermal expansion. The shape is crushed and spherical, but in order to reduce the melt viscosity of the resin composition in order to ensure the impregnation of the fiber substrate 1, a method of use that suits the purpose, such as using spherical silica, is adopted. The

前記無機充填材の平均粒子径は、特に限定されないが、０．０１〜５．０μｍが好まし
く、特に０．２〜２．０μｍが好ましい。無機充填材の粒径が前記下限値未満であるとワ
ニスの粘度が高くなるため、プリプレグ１０作製時の作業性に影響を与える場合がある。
また、前記上限値を超えると、ワニス中で無機充填剤の沈降等の現象が起こる場合がある
。
この平均粒子径は、例えば粒度分布計（ＨＯＲＩＢＡ製、ＬＡ−５００）により測定す
ることができる。 The average particle size of the inorganic filler is not particularly limited, but is preferably 0.01 to 5.0 μm, particularly preferably 0.2 to 2.0 μm. If the particle size of the inorganic filler is less than the lower limit value, the viscosity of the varnish increases, which may affect the workability when producing the prepreg 10.
When the upper limit is exceeded, phenomena such as sedimentation of the inorganic filler may occur in the varnish.
This average particle diameter can be measured, for example, by a particle size distribution meter (manufactured by HORIBA, LA-500).

更に平均粒子径５．０μｍ以下の球状シリカ（特に球状溶融シリカ）が好ましく、特に
平均粒子径０．０１〜２．０μｍの球状溶融シリカが好ましい。これにより、無機充填剤
の充填性を向上させることができる。 Furthermore, spherical silica (especially spherical fused silica) having an average particle size of 5.0 μm or less is preferable, and spherical fused silica having an average particle size of 0.01 to 2.0 μm is particularly preferable. Thereby, the filling property of an inorganic filler can be improved.

前記無機充填材の含有量は、特に限定されないが、前記第２樹脂組成物全体の４０〜８
０重量％が好ましく、特に５０〜７０重量％が好ましい。含有量が前記範囲内であると、
特に低熱膨張、低吸水とすることができる。 Although content of the said inorganic filler is not specifically limited, 40-8 of the said 2nd resin composition whole.
0% by weight is preferable, and 50 to 70% by weight is particularly preferable. When the content is within the above range,
In particular, low thermal expansion and low water absorption can be achieved.

前記硬化性樹脂としてシアネート樹脂（特にノボラック型シアネート樹脂）を用いる場
合は、エポキシ樹脂（実質的にハロゲン原子を含まない）を用いることが好ましい。前記
エポキシ樹脂としては、例えばフェノールノボラック型エポキシ樹脂、ビスフェノール型
エポキシ樹脂、ナフタレン型エポキシ樹脂、アリールアルキレン型エポキシ樹脂等が挙げ
られる。これらの中でもアリールアルキレン型エポキシ樹脂が好ましい。これにより、吸
湿半田耐熱性および難燃性を向上させることができる。 When a cyanate resin (particularly a novolac-type cyanate resin) is used as the curable resin, it is preferable to use an epoxy resin (substantially free of halogen atoms). Examples of the epoxy resin include phenol novolac type epoxy resins, bisphenol type epoxy resins, naphthalene type epoxy resins, arylalkylene type epoxy resins and the like. Among these, aryl alkylene type epoxy resins are preferable. Thereby, moisture absorption solder heat resistance and a flame retardance can be improved.

前記アリールアルキレン型エポキシ樹脂とは、繰り返し単位中に一つ以上のアリールア
ルキレン基を有するエポキシ樹脂をいう。例えばキシリレン型エポキシ樹脂、ビフェニル
ジメチレン型エポキシ樹脂等が挙げられる。これらの中でもビフェニルジメチレン型エポ
キシ樹脂が好ましい。ビフェニルジメチレン型エポキシ樹脂は、例えば式（II）で示すこ
とができる。 The arylalkylene-type epoxy resin refers to an epoxy resin having one or more arylalkylene groups in a repeating unit. For example, a xylylene type epoxy resin, a biphenyl dimethylene type epoxy resin, etc. are mentioned. Among these, a biphenyl dimethylene type epoxy resin is preferable. The biphenyl dimethylene type epoxy resin can be represented by, for example, the formula (II).

前記式（II）で示されるビフェニルジメチレン型エポキシ樹脂の平均繰り返し単位ｎは
、特に限定されないが、１〜１０が好ましく、特に２〜５が好ましい。平均繰り返し単位
ｎが前記下限値未満であるとビフェニルジメチレン型エポキシ樹脂は結晶化しやすくなり
、汎用溶媒に対する溶解性が比較的低下するため、取り扱いが困難となる場合がある。ま
た、平均繰り返し単位ｎが前記上限値を超えると樹脂の流動性が低下し、成形不良等の原
因となる場合がある。 The average repeating unit n of the biphenyl dimethylene type epoxy resin represented by the formula (II) is not particularly limited, but is preferably 1 to 10, and particularly preferably 2 to 5. When the average repeating unit n is less than the lower limit, the biphenyl dimethylene type epoxy resin is easily crystallized, and the solubility in a general-purpose solvent is relatively lowered, which may make handling difficult. On the other hand, if the average repeating unit n exceeds the upper limit, the fluidity of the resin is lowered, which may cause molding defects.

前記エポキシ樹脂の含有量は、特に限定されないが、前記第２樹脂組成物全体の１〜５
５重量％が好ましく、特に２〜４０重量％が好ましい。含有量が前記下限値未満であると
シアネート樹脂の反応性が低下したり、得られる製品の耐湿性が低下したりする場合があ
り、前記上限値を超えると耐熱性が低下する場合がある。 Although content of the said epoxy resin is not specifically limited, 1-5 of the whole said 2nd resin composition
5 wt% is preferable, and 2 to 40 wt% is particularly preferable. If the content is less than the lower limit, the reactivity of the cyanate resin may decrease, or the moisture resistance of the product obtained may decrease, and if the content exceeds the upper limit, the heat resistance may decrease.

前記エポキシ樹脂の重量平均分子量は、特に限定されないが、重量平均分子量５００〜
２０，０００が好ましく、特に８００〜１５，０００が好ましい。重量平均分子量が前記
下限値未満であるとプリプレグ１０にタック性が生じる場合が有り、前記上限値を超える
とプリプレグ１０作製時、基材への含浸性が低下し、均一な製品が得られない場合がある
。
前記エポキシ樹脂の重量平均分子量は、例えばＧＰＣで測定することができる。 The weight average molecular weight of the epoxy resin is not particularly limited, but the weight average molecular weight is 500 to 500.
20,000 is preferable, and 800 to 15,000 is particularly preferable. When the weight average molecular weight is less than the lower limit value, tackiness may occur in the prepreg 10, and when the upper limit value is exceeded, the impregnation property to the base material is lowered when the prepreg 10 is produced, and a uniform product cannot be obtained. There is a case.
The weight average molecular weight of the epoxy resin can be measured by GPC, for example.

前記熱硬化性樹脂としてシアネート樹脂（特にノボラック型シアネート樹脂）を用いる
場合は、フェノール樹脂を用いることが好ましい。前記フェノール樹脂としては、例えば
ノボラック型フェノール樹脂、レゾール型フェノール樹脂、アリールアルキレン型フェノ
ール樹脂等が挙げられる。これらの中でもアリールアルキレン型フェノール樹脂が好まし
い。これにより、さらに吸湿半田耐熱性を向上させることができる。 When using cyanate resin (especially novolak-type cyanate resin) as said thermosetting resin, it is preferable to use a phenol resin. Examples of the phenol resin include novolak-type phenol resins, resol-type phenol resins, and arylalkylene-type phenol resins. Among these, arylalkylene type phenol resins are preferable. Thereby, moisture absorption solder heat resistance can be improved further.

前記アリールアルキレン型フェノール樹脂としては、例えばキシリレン型フェノール樹
脂、ビフェニルジメチレン型フェノール樹脂等が挙げられる。ビフェニルジメチレン型フ
ェノール樹脂は、例えば式（III）で示すことができる。
前記式（III）で示されるビフェニルジメチレン型フェノール樹脂の繰り返し単位ｎは
、特に限定されないが、１〜１２が好ましく、特に２〜８が好ましい。平均繰り返し単位
ｎが前記下限値未満であると耐熱性が低下する場合がある。また、前記上限値を超えると
他の樹脂との相溶性が低下し、作業性が低下する場合がある。 Examples of the aryl alkylene type phenol resin include a xylylene type phenol resin and a biphenyl dimethylene type phenol resin. The biphenyl dimethylene type phenol resin can be represented by, for example, the formula (III).
Although the repeating unit n of the biphenyl dimethylene type phenol resin represented by the formula (III) is not particularly limited, 1 to 12 is preferable, and 2 to 8 is particularly preferable. If the average repeating unit n is less than the lower limit, the heat resistance may be lowered. Moreover, when the said upper limit is exceeded, compatibility with other resin will fall and workability | operativity may fall.

前述のシアネート樹脂（特にノボラック型シアネート樹脂）とアリールアルキレン型フ
ェノール樹脂との組合せにより、架橋密度をコントロールし、金属と樹脂との密着性を向
上することができる。 By combining the above-described cyanate resin (particularly novolac-type cyanate resin) and arylalkylene-type phenol resin, the crosslink density can be controlled and the adhesion between the metal and the resin can be improved.

前記フェノール樹脂の含有量は、特に限定されないが、前記第２樹脂組成物全体の１〜
５５重量％が好ましく、特に５〜４０重量％が好ましい。含有量が前記下限値未満である
と耐熱性が低下する場合があり、前記上限値を超えると低熱膨張の特性が損なわれる場合
がある。 The content of the phenol resin is not particularly limited, but is 1 to 2 of the entire second resin composition.
55 weight% is preferable, and 5 to 40 weight% is especially preferable. If the content is less than the lower limit, the heat resistance may be reduced, and if the content exceeds the upper limit, the characteristics of low thermal expansion may be impaired.

前記フェノール樹脂の重量平均分子量は、特に限定されないが、重量平均分子量４００
〜１８，０００が好ましく、特に５００〜１５，０００が好ましい。重量平均分子量が前
記下限値未満であるとプリプレグ１０にタック性が生じる場合が有り、前記上限値を超え
るとプリプレグ１０作製時、繊維基材１への含浸性が低下し、均一な製品が得られない場
合がある。
前記フェノール樹脂の重量平均分子量は、例えばＧＰＣで測定することができる。 The weight average molecular weight of the phenol resin is not particularly limited, but the weight average molecular weight is 400.
˜18,000 is preferable, and 500 to 15,000 is particularly preferable. When the weight average molecular weight is less than the lower limit value, tackiness may occur in the prepreg 10, and when the upper limit value is exceeded, the impregnation property to the fiber base material 1 is reduced when the prepreg 10 is manufactured, and a uniform product is obtained. It may not be possible.
The weight average molecular weight of the phenol resin can be measured by, for example, GPC.

更に、前記シアネート樹脂（特にノボラック型シアネート樹脂）と前記フェノール樹脂
（アリールアルキレン型フェノール樹脂、特にビフェニルジメチレン型フェノール樹脂）
と前記エポキシ樹脂（アリールアルキレン型エポキシ樹脂、特にビフェニルジメチレン型
エポキシ樹脂）との組合せを用いて基板（特に回路基板）を作製した場合、特に優れた寸
法安定性を得ることが出来る。 Further, the cyanate resin (especially novolac type cyanate resin) and the phenol resin (arylalkylene type phenol resin, particularly biphenyldimethylene type phenol resin).
When a substrate (particularly a circuit board) is produced using a combination of the above and the epoxy resin (arylalkylene type epoxy resin, particularly biphenyldimethylene type epoxy resin), particularly excellent dimensional stability can be obtained.

前記第２樹脂組成物は、特に限定されないが、カップリング剤を用いることが好ましい
。前記カップリング剤は、前記硬化性樹脂と、前記無機充填材との界面の濡れ性を向上さ
せることにより、シート状基材１に対して硬化性樹脂および無機充填材を均一に定着させ
、耐熱性、特に吸湿後の半田耐熱性を改良することができる。
前記カップリング剤としては、通常用いられるものなら何でも使用できるが、具体的に
はエポキシシランカップリング剤、カチオニックシランカップリング剤、アミノシランカ
ップリング剤、チタネート系カップリング剤およびシリコーンオイル型カップリング剤の
中から選ばれる１種以上のカップリング剤を使用することが好ましい。これにより、無機
充填材の界面との濡れ性を高くすることができ、それによって耐熱性をより向上させるこ
とできる。 The second resin composition is not particularly limited, but it is preferable to use a coupling agent. The coupling agent uniformly fixes the curable resin and the inorganic filler to the sheet-like substrate 1 by improving the wettability of the interface between the curable resin and the inorganic filler, In particular, solder heat resistance after moisture absorption can be improved.
As the coupling agent, any commonly used one can be used. Specifically, an epoxy silane coupling agent, a cationic silane coupling agent, an aminosilane coupling agent, a titanate coupling agent, and a silicone oil type coupling. It is preferable to use one or more coupling agents selected from among the agents. Thereby, the wettability with the interface of an inorganic filler can be made high, and thereby heat resistance can be improved more.

前記カップリング剤の添加量は、前記無機充填材の表面積に依存するので特に限定され
ないが、無機充填材１００重量部に対して０．０５〜３重量部が好ましく、特に０．１〜
２重量部が好ましい。含有量が前記下限値未満であると無機充填材を十分に被覆できない
ため耐熱性を向上する効果が低下する場合があり、前記上限値を超えると反応に影響を与
え、曲げ強度等が低下する場合がある。 The amount of the coupling agent added is not particularly limited because it depends on the surface area of the inorganic filler, but is preferably 0.05 to 3 parts by weight, particularly 0.1 to 100 parts by weight of the inorganic filler.
2 parts by weight is preferred. If the content is less than the lower limit, the inorganic filler cannot be sufficiently coated, and thus the effect of improving the heat resistance may be reduced. If the content exceeds the upper limit, the reaction is affected, and the bending strength is reduced. There is a case.

前記第２樹脂組成物には、必要に応じて硬化促進剤を用いても良い。前記硬化促進剤と
しては公知の物を用いることが出来る。例えばナフテン酸亜鉛、ナフテン酸コバルト、オ
クチル酸スズ、オクチル酸コバルト、ビスアセチルアセトナートコバルト（II）、トリス
アセチルアセトナートコバルト（III）等の有機金属塩、トリエチルアミン、トリブチル
アミン、ジアザビシクロ［２，２，２］オクタン等の３級アミン類、２−フェニル−４−
メチルイミダゾール、２−エチル−４−エチルイミダゾール、２−フェニル−４−メチル
イミダゾール、２−フェニル−４−メチル−５−ヒドロキシイミダゾール、２−フェニル
−４，５−ジヒドロキシイミダゾール等のイミダゾール類、フェノール、ビスフェノール
Ａ、ノニルフェノール等のフェノール化合物、酢酸、安息香酸、サリチル酸、パラトルエ
ンスルホン酸等の有機酸等、またはこの混合物が挙げられる。 A curing accelerator may be used in the second resin composition as necessary. A well-known thing can be used as said hardening accelerator. For example, organic metal salts such as zinc naphthenate, cobalt naphthenate, tin octylate, cobalt octylate, bisacetylacetonate cobalt (II), trisacetylacetonate cobalt (III), triethylamine, tributylamine, diazabicyclo [2,2 , 2] tertiary amines such as octane, 2-phenyl-4-
Imidazoles such as methylimidazole, 2-ethyl-4-ethylimidazole, 2-phenyl-4-methylimidazole, 2-phenyl-4-methyl-5-hydroxyimidazole, 2-phenyl-4,5-dihydroxyimidazole, phenol , Phenolic compounds such as bisphenol A and nonylphenol, organic acids such as acetic acid, benzoic acid, salicylic acid and paratoluenesulfonic acid, or mixtures thereof.

前記硬化促進剤の含有量は、特に限定されないが、前記第２樹脂組成物全体の０．０５
〜５重量％が好ましく、特に０．２〜２重量％が好ましい。含有量が前記下限値未満であ
ると硬化を促進する効果が現れない場合があり、前記上限値を超えるとプリプレグ１０の
保存性が低下する場合がある。 The content of the curing accelerator is not particularly limited, but is 0.05% of the entire second resin composition.
-5% by weight is preferable, and 0.2-2% by weight is particularly preferable. If the content is less than the lower limit, the effect of promoting curing may not appear, and if the content exceeds the upper limit, the storability of the prepreg 10 may be reduced.

前記第１樹脂組成物では、フェノキシ樹脂、ポリイミド樹脂、ポリアミドイミド樹脂、
ポリフェニレンオキサイド樹脂、ポリエーテルスルホン樹脂等の熱可塑性樹脂を併用して
も良い。
また、前記第２樹脂組成物には、必要に応じて、顔料、酸化防止剤等の上記成分以外の
添加物を添加しても良い。 In the first resin composition, phenoxy resin, polyimide resin, polyamideimide resin,
You may use together thermoplastic resins, such as a polyphenylene oxide resin and a polyether sulfone resin.
Moreover, you may add additives other than the said components, such as a pigment and antioxidant, to the said 2nd resin composition as needed.

このような第２樹脂層３の厚さは、接合される内層回路の厚さに依存するために特に限
定されないが、下記式１）で示されるｔ２の厚さが０．１〜５μｍとなることが好ましく
、特に１〜３μｍとなることが好ましい。厚さが前記範囲内であると、特に内層回路の埋
め込み性に優れ、かつ全体の厚さを薄くすることができる。
式１） Ｂ＝ｔ１×（１−Ｓ／１００）＋ｔ２
ここで、第２樹脂層３の厚さをＢ［μｍ］とし、内層回路４の厚さをｔ１［μｍ］およ
びその残銅率をＳとし、内層回路４の上端部４１から第２樹脂層３の上端部３１までの厚
さをｔ２とする（図２）。 The thickness of the second resin layer 3 is not particularly limited because it depends on the thickness of the inner layer circuit to be joined, but the thickness of t2 represented by the following formula 1) is 0.1 to 5 μm. In particular, it is preferably 1 to 3 μm. When the thickness is within the above range, the embedding property of the inner layer circuit is particularly excellent, and the entire thickness can be reduced.
Formula 1) B = t1 × (1-S / 100) + t2
Here, the thickness of the second resin layer 3 is set to B [μm], the thickness of the inner layer circuit 4 is set to t1 [μm] and the remaining copper ratio is set to S, and the second resin layer starts from the upper end portion 41 of the inner layer circuit 4. 3 is t2 (FIG. 2).

このような第２樹脂層３の面（Ｘ、Ｙ）方向の熱膨張係数は、特に限定されないが、２
０ｐｐｍ以下が好ましく、特に５〜１６ｐｐｍが好ましい。熱膨張係数が前記範囲内であ
ると、特に接続信頼性、半導体素子等の実装信頼性に優れる。 The thermal expansion coefficient in the surface (X, Y) direction of the second resin layer 3 is not particularly limited, but 2
0 ppm or less is preferable, and 5 to 16 ppm is particularly preferable. When the thermal expansion coefficient is within the above range, the connection reliability and the mounting reliability of a semiconductor element and the like are particularly excellent.

次に、このようなプリプレグ１０は、例えば第１樹脂組成物をキャリアフィルムに塗布
したキャリア材料２ａおよび第２樹脂組成物をキャリアフィルムに塗布したキャリア材料
３ａを製造し、これらのキャリア材料２ａ、３ａをシート状基材１にラミネートした後、
キャリアフィルムを剥離する方法により、プリプレグ１０の両面で各樹脂層を構成する樹
脂組成物が異なるプリプレグ１０を得ることができる。 Next, such a prepreg 10 manufactures, for example, a carrier material 2a obtained by applying the first resin composition to the carrier film and a carrier material 3a obtained by applying the second resin composition to the carrier film, and these carrier materials 2a, After laminating 3a to the sheet-like substrate 1,
By the method of peeling a carrier film, the prepreg 10 from which the resin composition which comprises each resin layer on both surfaces of the prepreg 10 differs can be obtained.

ここで、予め樹脂組成物がキャリアフィルムに塗布されたキャリア材料２ａ、３ａを製
造し、このキャリア材料２ａ、３ａをシート状基材１にラミネートした後、キャリアフィ
ルムを剥離する方法について、図３を用いて具体的に説明する。図３は、本発明のプリプ
レグを製造する工程の一例を示す工程図である。
まず、上述したような第１樹脂組成物で構成された第１樹脂層２を有するキャリア材料
２ａおよび上述したような第２樹脂組成物で構成された第２樹脂層３を有するキャリア材
料３ａを用意する。
キャリア材料２ａ、３ａは、例えばキャリアフィルムに第１樹脂組成物、第２樹脂組成
物のワニスを塗工する方法等により得ることができる。 Here, a method of manufacturing carrier materials 2a and 3a in which a resin composition is previously applied to a carrier film, laminating the carrier materials 2a and 3a on the sheet-like substrate 1, and then peeling the carrier film is shown in FIG. This will be specifically described with reference to FIG. FIG. 3 is a process diagram showing an example of a process for producing the prepreg of the present invention.
First, a carrier material 2a having the first resin layer 2 composed of the first resin composition as described above and a carrier material 3a having the second resin layer 3 composed of the second resin composition as described above. prepare.
The carrier materials 2a and 3a can be obtained by, for example, a method of applying a varnish of the first resin composition and the second resin composition to a carrier film.

次に、真空ラミネート装置８を用いて、減圧下でシート状基材１の両面からキャリア材
料２ａおよび３ａを重ね合わせてラミネートロール８１で接合する。減圧下で接合するこ
とにより、シート状基材１の内部または各キャリア材料２ａ、３ａとシート状基材１との
接合部位に非充填部分が存在しても、これを減圧ボイドあるいは実質的な真空ボイドとす
ることができる。ゆえに、最終的に得られるプリプレグ１０はボイド等の発生がなく、良
好な成形状態にすることができる。なぜなら、減圧ボイドまたは真空ボイドは、後述する
加熱処理で消し去ることができるからである。このような減圧下でシート状基材１とキャ
リア材料２ａ、３ａとを接合する他の装置としては、例えば真空ボックス装置等を用いる
ことができる。 Next, using the vacuum laminating apparatus 8, the carrier materials 2 a and 3 a are overlapped from both surfaces of the sheet-like substrate 1 under reduced pressure, and are joined by the laminating roll 81. By joining under reduced pressure, even if there is an unfilled portion in the inside of the sheet-like base material 1 or at the joining portion between each carrier material 2a, 3a and the sheet-like base material 1, this is reduced by a vacuum void or substantially It can be a vacuum void. Therefore, the finally obtained prepreg 10 does not generate voids and can be in a good molded state. This is because the decompression void or the vacuum void can be removed by a heat treatment described later. As another apparatus for joining the sheet-like substrate 1 and the carrier materials 2a and 3a under such a reduced pressure, for example, a vacuum box apparatus or the like can be used.

次に、シート状基材１と各キャリア材料２ａ、３ａとを接合した後、熱風乾燥装置９で
各キャリア材料２ａ、３ａを構成する樹脂組成物の溶融温度以上の温度で加熱処理する。
これにより、前記減圧下での接合工程で発生していた減圧ボイド等を消し去ることができ
る。
前記加熱処理する他の方法は、例えば赤外線加熱装置、加熱ロール装置、平板状の熱盤
プレス装置等を用いて実施することができる。 Next, after joining the sheet-like base material 1 and each carrier material 2a, 3a, it heat-processes with the hot air drying apparatus 9 at the temperature more than the melting temperature of the resin composition which comprises each carrier material 2a, 3a.
Thereby, the decompression void etc. which have occurred in the joining process under the decompression can be erased.
The other heat treatment method can be carried out using, for example, an infrared heating device, a heating roll device, a flat platen hot platen press device, or the like.

上述の方法によると、厚さ２５μｍ以下のシート状基材１を用いてもプリプレグ１０を
容易に得ることができるようになる。従来のプリプレグの製造方法（例えば通常の塗工装
置を用いて、シート状基材を樹脂ワニスに浸漬含浸・乾燥させる方法）では、厚さが３０
μｍ以下のシート状基材に樹脂材料を担持してプリプレグを得るのが困難であった。すな
わち、厚さが薄いシート状基材を熱硬化性樹脂に浸漬して多数の搬送ロールを通したり、
シート状基材に含浸させる樹脂材料の量を調整したりする際に、シート状基材に応力が作
用し、シート状基材の目が開いてしまったり（拡大してしまったり）、引き取る際にシー
ト状基材が切断してしまったりする場合があった。
これに対して、上述の方法では、厚さが２５μｍ以下のシート状基材１に対してもキャ
リア材料２ａ、３ａを担持することができ、それによって通常の厚さのプリプレグ１０に
加えて、厚さが３５μｍ以下のプリプレグ１０を容易に得ることができるものである。ま
た、基板を成形した後のプリプレグ１０の厚さが導体回路層間で３５μｍ以下にもできる
ものである。導体回路層間の厚さを３５μｍ以下にできると、最終的に得られる基板の厚
さを薄くすることができる。 According to the above-described method, the prepreg 10 can be easily obtained even when the sheet-like substrate 1 having a thickness of 25 μm or less is used. In a conventional prepreg manufacturing method (for example, a method in which a sheet-like base material is immersed and dried in a resin varnish using an ordinary coating apparatus), the thickness is 30
It was difficult to obtain a prepreg by carrying a resin material on a sheet-like base material of μm or less. That is, a sheet-like base material having a small thickness is immersed in a thermosetting resin and passed through a number of transport rolls,
When adjusting the amount of resin material impregnated into the sheet-like base material, stress acts on the sheet-like base material, and the eyes of the sheet-like base material are opened (expanded) or taken off In some cases, the sheet-like base material was cut.
On the other hand, in the above-described method, the carrier materials 2a and 3a can be supported even on the sheet-like base material 1 having a thickness of 25 μm or less, thereby adding to the prepreg 10 having a normal thickness, The prepreg 10 having a thickness of 35 μm or less can be easily obtained. Further, the thickness of the prepreg 10 after forming the substrate can be made 35 μm or less between the conductor circuit layers. If the thickness between the conductor circuit layers can be 35 μm or less, the thickness of the finally obtained substrate can be reduced.

また、このようなプリプレグ１０を得る他の方法としては、例えばシート状基材１の片
面に粘度の低い樹脂ワニスに浸漬し、乾燥して第１樹脂層２を形成し、さらに、他の樹脂
ワニスに浸漬して第２樹脂層３を形成することにより、プリプレグ１０を得ることもでき
る。 Moreover, as another method of obtaining such a prepreg 10, for example, it is immersed in a low-viscosity resin varnish on one side of the sheet-like substrate 1, dried to form the first resin layer 2, and another resin. The prepreg 10 can also be obtained by immersing in a varnish to form the second resin layer 3.

このようにして得られるプリプレグ１０は、図２に示すように、シート状基材１がプリ
プレグ１０の厚さ方向に対して偏在していても良い。これにより、回路パターンに応じて
樹脂量を調整することができる。 In the prepreg 10 thus obtained, the sheet-like substrate 1 may be unevenly distributed with respect to the thickness direction of the prepreg 10 as shown in FIG. Thereby, the amount of resin can be adjusted according to a circuit pattern.

ここで、主としてシート状基材１で構成されるコア層１１が、プリプレグ１０の厚さ方
向に対して偏在している状態を図４に基づいて説明する。図４（ａ）、（ｂ）は、コア層
１１がプリプレグ１０に対して偏在している状態を模式的に示す断面図である。図４（ａ
）、（ｂ）に示すように、プリプレグ１０の厚さ方向の中心線Ａ−Ａに対して、コア層１
１（シート状基材１）の中心がずれて配置されていることを意味する。図４（ａ）では、
コア層１１（シート状基材１）の下側（図４中下側）の面が、プリプレグ１０の下側（図
４中下側）の面とほぼ一致するようになっている。図４（ｂ）では、コア層１１が中心線
Ａ−Ａと、プリプレグ１０の下側（図４中下側）の面との間に配置されている。なお、コ
ア層１１が中心線Ａ−Ａに一部重なるようになっていても良い。 Here, the state where the core layer 11 mainly composed of the sheet-like base material 1 is unevenly distributed in the thickness direction of the prepreg 10 will be described with reference to FIG. 4A and 4B are cross-sectional views schematically showing a state in which the core layer 11 is unevenly distributed with respect to the prepreg 10. FIG.
), (B), the core layer 1 with respect to the center line AA in the thickness direction of the prepreg 10.
1 (sheet-like base material 1) means that the centers are shifted from each other. In FIG. 4 (a),
The lower surface (lower side in FIG. 4) of the core layer 11 (sheet-like substrate 1) is substantially coincident with the lower surface (lower side in FIG. 4) of the prepreg 10. In FIG.4 (b), the core layer 11 is arrange | positioned between the centerline AA and the lower surface (lower side in FIG. 4) of the prepreg 10. In FIG. The core layer 11 may partially overlap the center line AA.

このようなプリプレグ１０の面方向の熱膨張係数は、特に限定されないが、１６ｐｐｍ
以下であることが好ましく、特に５〜１０ｐｐｍであることが好ましい。熱膨張係数が前
記範囲内であると、繰り返しの熱衝撃に対する耐クラック性を向上することができる。
前記面方向の熱膨張係数は、例えばＴＭＡ装置（ＴＡインスツルメント社製）を用いて
、１０℃／分で昇温して評価することができる。 The thermal expansion coefficient in the surface direction of such a prepreg 10 is not particularly limited, but is 16 ppm.
It is preferable that it is below, and it is especially preferable that it is 5-10 ppm. When the thermal expansion coefficient is within the above range, the crack resistance against repeated thermal shock can be improved.
The thermal expansion coefficient in the surface direction can be evaluated by increasing the temperature at 10 ° C./min using, for example, a TMA apparatus (manufactured by TA Instruments).

また、このようなプリプレグ１０の厚さは、特に限定されないが、２０〜８０μｍであ
ることが好ましく、特に３０〜６０μｍであることが好ましい。厚さが前記範囲内である
と、最終的に得られる基板の厚さを特に薄くすることができる。 The thickness of such a prepreg 10 is not particularly limited, but is preferably 20 to 80 μm, and more preferably 30 to 60 μm. When the thickness is within the above range, the thickness of the finally obtained substrate can be particularly reduced.

次に、基板および半導体装置について説明する。
図５に示すように、基板１００は、コア基板１０１と、コア基板１０１の上側（図５中
の上側）に設けられた３層のプリプレグ（１０ａ、１０ｂ、１０ｃ）と、コア基板１０１
の下側（図５中の下側）に設けられた３層のプリプレグ（１０ｄ、１０ｅ、１０ｆ）と、
で構成されている。コア基板１０１とプリプレグ１０ａおよび１０ｂとの間、各プリプレ
グ間（１０ａと１０ｂ、１０ｂと１０ｃ、１０ｄと１０ｅおよび１０ｅと１０ｆ）には、
所定の回路配線部４２が形成されている。また、プリプレグ１０ｃおよび１０ｆの表面に
は、パッド部５が設けられている。このようなプリプレグ１０ａ〜１０ｆの少なくとも１
枚（好ましくは全部）に上述した厚さ３５μｍ以下のプリプレグ１０を用いることが好ま
しい。これにより、（回路）基板１００の厚さを薄くすることができる。
各回路配線部４２は、各プリプレグ１０ａ〜１０ｆを貫通して設けられたフィルドビア
部６を介して電気的に接続されている。 Next, the substrate and the semiconductor device will be described.
As shown in FIG. 5, the substrate 100 includes a core substrate 101, three layers of prepregs (10 a, 10 b, 10 c) provided on the upper side of the core substrate 101 (upper side in FIG. 5), and the core substrate 101.
Three layers of prepregs (10d, 10e, 10f) provided on the lower side (lower side in FIG. 5);
It consists of Between the core substrate 101 and the prepregs 10a and 10b and between the prepregs (10a and 10b, 10b and 10c, 10d and 10e and 10e and 10f),
A predetermined circuit wiring portion 42 is formed. A pad portion 5 is provided on the surfaces of the prepregs 10c and 10f. At least one of such prepregs 10a-10f
It is preferable to use the above-described prepreg 10 having a thickness of 35 μm or less for each sheet (preferably all). Thereby, the thickness of the (circuit) substrate 100 can be reduced.
Each circuit wiring portion 42 is electrically connected through a filled via portion 6 provided so as to penetrate through the prepregs 10a to 10f.

基板１００を構成する各プリプレグ１０ａ〜１０ｆは、回路配線部４２（導体層）が形
成される側（各プリプレグ１０ａ〜１０ｃの図５中上側と、１０ｄ〜１０ｆの図５中下側
）の第１樹脂層２を構成する第１樹脂組成物と、反対側の第２樹脂層３を構成する第２樹
脂組成物が異なっている。第１樹脂層２を構成する第１樹脂組成物は、導体層との密着性
を向上するような組成になっている。これにより、第１樹脂層２は導体層との密着性に優
れている。また、第２樹脂層３を構成する第２樹脂組成物は、回路配線部４２の埋め込み
性を向上するような組成になっている。さらに第２樹脂層３により、低熱膨張化が図れる
ような組成になっている。
さらに、第１樹脂層２の厚さを導体層との密着性を向上するために必要最低限な厚さと
し、第２樹脂層３の厚さを回路配線部の埋め込みに必要最低限な厚さとなるように調整す
ることにより、基板１００の厚さを薄くすることもできるようになっている。 Each of the prepregs 10a to 10f constituting the substrate 100 is provided on the side where the circuit wiring part 42 (conductor layer) is formed (the upper side in FIG. 5 of each prepreg 10a to 10c and the lower side in FIG. 5 of 10d to 10f). The first resin composition constituting the first resin layer 2 is different from the second resin composition constituting the second resin layer 3 on the opposite side. The 1st resin composition which comprises the 1st resin layer 2 has become a composition which improves adhesiveness with a conductor layer. Thereby, the 1st resin layer 2 is excellent in adhesiveness with a conductor layer. Further, the second resin composition constituting the second resin layer 3 has a composition that improves the embedding property of the circuit wiring part 42. Further, the second resin layer 3 has a composition that can achieve low thermal expansion.
Further, the thickness of the first resin layer 2 is set to a minimum thickness necessary for improving the adhesion to the conductor layer, and the thickness of the second resin layer 3 is set to a minimum thickness necessary for embedding the circuit wiring portion. The thickness of the substrate 100 can be reduced by adjusting so as to be.

また、図５に示すような基板１００に、半導体素子７のバンプ７１と基板１００のパッ
ド部５とを接続して半導体素子７を搭載することにより半導体装置２００を得ることがで
きる（図６）。このような半導体装置７は、基板１００を構成する各プリプレグ１０ａ〜
１０ｆを構成する第１樹脂層２および第２樹脂層３の厚さを最適な厚さに調整できるので
、プリプレグ１０全体の厚さを最適なものとすることができ、要求される特性に必要な最
低限の厚さの半導体装置２００を得ることができる。 Further, the semiconductor device 200 can be obtained by mounting the semiconductor element 7 by connecting the bump 71 of the semiconductor element 7 and the pad portion 5 of the substrate 100 to the substrate 100 as shown in FIG. 5 (FIG. 6). . Such a semiconductor device 7 includes the prepregs 10 a to 10 that constitute the substrate 100.
Since the thickness of the first resin layer 2 and the second resin layer 3 constituting 10f can be adjusted to the optimum thickness, the thickness of the entire prepreg 10 can be optimized, and is necessary for the required characteristics. A semiconductor device 200 having a minimum thickness can be obtained.

図５および図６では、６層の基板について説明したが、本発明の基板はこれに限定され
ず、３層、４層、５層等、または７層、８層等の多層基板にも好適に用いることができる
。
また、本発明の基板１００では、上述したような第１樹脂層２を構成する第１樹脂組成
物と第２樹脂層３を構成する第２樹脂組成物とが異なるプリプレグ１０と、従来から用い
られていたプリプレグとを併用しても構わない。 Although FIGS. 5 and 6 describe a six-layer substrate, the substrate of the present invention is not limited to this, and is also suitable for a multilayer substrate of three layers, four layers, five layers, or seven layers, eight layers, etc. Can be used.
Moreover, in the board | substrate 100 of this invention, the prepreg 10 from which the 1st resin composition which comprises the 1st resin layer 2 as mentioned above and the 2nd resin composition which comprises the 2nd resin layer 3 differ, and was used conventionally. You may use together with the prepreg currently made.

以下、本発明を実施例および比較例に基づいて詳細に説明するが、本発明はこれに限定
されるものではない。まず、プリプレグの実施例について説明する。
（実施例１）
１．第１樹脂層のワニスの調製
シアネート樹脂（ロンザジャパン社製、プリマセット ＰＴ−３０、重量平均分子量約
２，６００）２４重量％、エポキシ樹脂としてビフェニルジメチレン型エポキシ樹脂（日
本化薬社製、ＮＣ−３０００、エポキシ当量２７５）２４重量％、フェノキシ樹脂として
ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂とビスフェノールＦ型エポキシ樹脂との共重合体であり
、末端部はエポキシ基を有しているフェノキシ樹脂（ジャパンエポキシレジン社製・ＥＰ
−４２７５、重量平均分子量６０，０００）１１．８重量％、硬化触媒としてイミダゾー
ル化合物（四国化成工業社製・「２−フェニル−４，５−ジヒドロキシメチルイミダゾー
ル」）０．２重量％をメチルエチルケトンに溶解させた。さらに、無機充填材として球状
溶融シリカ（アドマテックス社製、ＳＯ−２５Ｈ、平均粒径０．５μｍ）３９．８重量％
とエポキシシラン型カップリング剤（日本ユニカー社製、Ａ−１８７）０．２重量％を添
加して、高速攪拌装置を用いて６０分間攪拌して、固形分６０重量％の樹脂ワニスを調製
した。 EXAMPLES Hereinafter, although this invention is demonstrated in detail based on an Example and a comparative example, this invention is not limited to this. First, an example of a prepreg will be described.
Example 1
1. Preparation of first resin layer varnish Cyanate resin (Lonza Japan, Primaset PT-30, weight average molecular weight about 2,600) 24% by weight, biphenyldimethylene type epoxy resin (manufactured by Nippon Kayaku Co., Ltd., NC-3000, epoxy equivalent 275) 24% by weight, phenoxy resin is a copolymer of bisphenol A type epoxy resin and bisphenol F type epoxy resin, and the terminal part is a phenoxy resin having an epoxy group (Japan epoxy resin) Made by company, EP
-4275, weight average molecular weight 60,000) 11.8% by weight, 0.2% by weight of imidazole compound (manufactured by Shikoku Kasei Kogyo Co., Ltd., “2-phenyl-4,5-dihydroxymethylimidazole”) as a curing catalyst in methyl ethyl ketone Dissolved. Furthermore, spherical fused silica (manufactured by Admatechs, SO-25H, average particle size 0.5 μm) 39.8% by weight as an inorganic filler
And 0.2% by weight of an epoxy silane type coupling agent (Nihon Unicar Co., Ltd., A-187) were added and stirred for 60 minutes using a high-speed stirrer to prepare a resin varnish with a solid content of 60% by weight. .

２．第２樹脂層のワニスの調製
熱硬化性樹脂としてノボラック型シアネート樹脂（ロンザジャパン社製、プリマセット
ＰＴ−３０、重量平均分子量約２，６００）１５重量％、エポキシ樹脂としてビフェニ
ルジメチレン型エポキシ樹脂（日本化薬社製、ＮＣ−３０００、エポキシ当量２７５）８
．７重量％、フェノール樹脂としてビフェニルジメチレン型フェノール樹脂（日本化薬社
製、ＧＰＨ−６５、水酸基当量２００）６．３重量％をメチルエチルケトンに溶解させた
。さらに、無機充填材として球状溶融シリカ（アドマテックス社製、ＳＯ−２５Ｈ、平均
粒径０．５μｍ）６９．７重量％とエポキシシラン型カップリング剤（日本ユニカー社製
、Ａ−１８７）０．３重量％を添加して、高速攪拌装置を用いて６０分間攪拌して、固形
分６０重量％の第２樹脂層のワニスを調製した。 2. Preparation of varnish of second resin layer 15% by weight of novolak cyanate resin (Lonza Japan Co., Ltd., Primaset PT-30, weight average molecular weight of about 2,600) as thermosetting resin, biphenyldimethylene type epoxy resin as epoxy resin (Nippon Kayaku Co., Ltd., NC-3000, epoxy equivalent 275) 8
. 7% by weight, 6.3% by weight of biphenyldimethylene type phenolic resin (manufactured by Nippon Kayaku Co., Ltd., GPH-65, hydroxyl group equivalent 200) as phenol resin was dissolved in methyl ethyl ketone. Further, 69.7% by weight of spherical fused silica (manufactured by Admatechs, SO-25H, average particle size 0.5 μm) as an inorganic filler and epoxysilane type coupling agent (manufactured by Nihon Unicar Co., Ltd., A-187) 0. 3 wt% was added, and the mixture was stirred for 60 minutes using a high-speed stirrer to prepare a varnish for the second resin layer having a solid content of 60 wt%.

３．キャリア材料の製造
キャリアフィルムとしてポリエチレンテレフタレートフィルム（三菱化学ポリエステル
社製、ＳＦＢ−３８、厚さ３８μｍｍ、幅４８０ｍｍ）を用い、上述の第１樹脂層のワニ
スをコンマコーター装置で塗工し、１７０℃の乾燥装置で３分間乾燥させ、厚さ９μｍ、
幅４１０ｍｍの樹脂層が、キャリアフィルムの幅方向の中心に位置するように形成してキ
ャリア材料２ａ（最終的に第１樹脂層を形成）を得た。
また、同様の方法で塗工する第２樹脂層のワニスの量を調整して、厚さ１４μｍ、幅３
６０ｍｍの樹脂層が、キャリアフィルムの幅方向の中心に位置するように形成してキャリ
ア材料３ａ（最終的に第２樹脂層を形成）を得た。 3. Production of carrier material A polyethylene terephthalate film (manufactured by Mitsubishi Chemical Polyester Co., Ltd., SFB-38, thickness 38 μmm, width 480 mm) was used as a carrier film, and the above-mentioned first resin layer varnish was applied with a comma coater device, 170 ° C. For 3 minutes with a drying device of 9 μm in thickness,
A resin layer having a width of 410 mm was formed so as to be positioned at the center in the width direction of the carrier film to obtain a carrier material 2a (finally formed with a first resin layer).
Further, the amount of the varnish of the second resin layer to be coated by the same method is adjusted, and the thickness is 14 μm, the width 3
A 60 mm resin layer was formed so as to be positioned at the center in the width direction of the carrier film to obtain a carrier material 3a (finally formed a second resin layer).

４．プリプレグの製造
繊維基材としてガラス織布（クロスタイプ♯１０１５、幅３６０ｍｍ、厚さ１５μｍ、
坪量１７ｇ／ｍ2）を用い、図３に示す真空ラミネート装置および熱風乾燥装置によりプ
リプレグを製造した。
具体的には、ガラス織布の両面に前記キャリア材料２ａおよびキャリア材料３ａがガラ
ス織布の幅方向の中心に位置するように、それぞれ重ね合わせ、１３３０Ｐａの減圧条件
下で、８０℃のラミネートロールを用いて接合した。
ここで、ガラス織布の幅方向寸法の内側領域においては、キャリア材料２ａおよびキャ
リア材料３ａの樹脂層を繊維布の両面側にそれぞれ接合するとともに、ガラス織布の幅方
向寸法の外側領域においては、キャリア材料２ａおよびキャリア材料３ａの樹脂層同士を
接合した。
次いで、上記接合したものを、１２０℃に設定した横搬送型の熱風乾燥装置内を２分間
通すことによって、圧力を作用させることなく加熱処理して、厚さ３０μｍ（第１樹脂層
：５μｍ、繊維基材：１５μｍ、第２樹脂層：１０μｍ）のプリプレグを得た。 4). Manufacture of prepreg Glass woven fabric (cloth type # 1015, width 360 mm, thickness 15 μm,
Using a basis weight of 17 g / m @ 2), a prepreg was produced by the vacuum laminating apparatus and hot air drying apparatus shown in FIG.
Specifically, each of the glass woven fabrics is superposed on each other so that the carrier material 2a and the carrier material 3a are located in the center in the width direction of the glass woven fabric, and a laminate roll at 80 ° C. under reduced pressure of 1330 Pa. Was used for bonding.
Here, in the inner region of the width direction dimension of the glass woven fabric, the resin layers of the carrier material 2a and the carrier material 3a are respectively bonded to both sides of the fiber cloth, and in the outer region of the width direction dimension of the glass woven fabric. The resin layers of the carrier material 2a and the carrier material 3a were joined together.
Next, the bonded material was heat-treated without applying pressure by passing it through a horizontal conveying type hot air drying device set at 120 ° C. for 2 minutes to obtain a thickness of 30 μm (first resin layer: 5 μm, A prepreg having a fiber base material of 15 μm and a second resin layer of 10 μm was obtained.

（実施例２）
第１樹脂層のワニスとして以下のものを用いた以外は、実施例１と同様にした。
熱硬化性樹脂としてシアネート樹脂を用いずに、エポキシ樹脂としてビフェニルジメチ
レン型エポキシ樹脂（日本化薬社製、ＮＣ−３０００、エポキシ当量２７５）２４重量％
、液状ビスフェノール型エポキシ樹脂（大日本インキ社製、８３０Ｓ）１７．５重量％と
、フェノキシ樹脂としてビスフェノールＳエポキシ樹脂との共重合体であり、末端部はエ
ポキシ基を有しているフェノキシ樹脂（ジャパンエポキシレジン社製、ＹＸ−８１００、
重量平均分子量３０，０００）１８重量％と、硬化触媒としてイミダゾール化合物（四国
化成工業社製・「２−フェニル−４，５−ジヒドロキシメチルイミダゾール」）０．２重
量％とをメチルエチルケトンに溶解させた。さらに、無機充填材として球状溶融シリカ（
アドマテックス社製、ＳＯ−２５Ｈ、平均粒径０．５μｍ）３９．８重量％とエポキシシ
ラン型カップリング剤（日本ユニカー社製、Ａ−１８７）０．２重量％を添加して、高速
攪拌装置を用いて６０分間攪拌して、固形分６０重量％の樹脂ワニスを調製した。
得られたプリプレグの厚さは、３０μｍ（第１樹脂層：５μｍ、繊維基材：１５μｍ、
第２樹脂層：１０μｍ）であった。 (Example 2)
The same procedure as in Example 1 was performed except that the following varnish was used as the first resin layer.
24% by weight of biphenyldimethylene type epoxy resin (Nippon Kayaku Co., Ltd., NC-3000, epoxy equivalent 275) without using cyanate resin as thermosetting resin
, A liquid bisphenol-type epoxy resin (Dainippon Ink Co., Ltd., 830S) 17.5% by weight and a phenoxy resin bisphenol S epoxy resin, a terminal phenoxy resin having an epoxy group ( YX-8100, manufactured by Japan Epoxy Resin Co., Ltd.
18 wt% of a weight average molecular weight of 30,000) and 0.2 wt% of an imidazole compound (manufactured by Shikoku Kasei Kogyo Co., Ltd., “2-phenyl-4,5-dihydroxymethylimidazole”) as a curing catalyst were dissolved in methyl ethyl ketone. . Furthermore, spherical fused silica (
Admatex, SO-25H, average particle size 0.5 μm) 39.8% by weight and epoxy silane type coupling agent (Nihon Unicar Co., Ltd., A-187) 0.2% by weight were added and stirred at high speed. The mixture was stirred for 60 minutes to prepare a resin varnish having a solid content of 60% by weight.
The thickness of the obtained prepreg is 30 μm (first resin layer: 5 μm, fiber substrate: 15 μm,
Second resin layer: 10 μm).

（実施例３）
第２樹脂層のワニスとして以下のものを用いた以外は、実施例１と同様にした。
熱硬化性樹脂としてエポキシ樹脂としてビフェニルジメチレン型エポキシ樹脂（日本化
薬社製、ＮＣ−３０００、エポキシ当量２７５）１７．５重量％、フェノール樹脂として
ビフェニルジメチレン型フェノール樹脂（日本化薬社製、ＧＰＨ−６５、水酸基当量２０
０）１２重量％、イミダゾール（四国化成社製、２Ｐ４ＭＨＺ）０．５重量％およびカッ
プリング剤としてエポキシシラン型カップリング剤（日本ユニカー社製、Ａ−１８７）を
、後述する無機充填材１００重量部に対して０．３重量部をメチルエチルケトンに常温で
溶解し、無機充填材として球状溶融シリカＳＦＰ−１０Ｘ（電気化学工業社製、平均粒径
０．３μｍ）２０重量％および球状溶融シリカＳＯ−３２Ｒ（アドマテックス社製、平均
粒径１．５μｍ）５０重量％を添加し、高速攪拌機を用いて１０分間攪拌して第２樹脂層
のワニスを調製した。
得られたプリプレグの厚さは、３０μｍ（第１樹脂層：５μｍ、繊維基材：１５μｍ、第
２樹脂層：１０μｍ）であった。 (Example 3)
The same procedure as in Example 1 was performed except that the following varnish was used as the second resin layer.
Biphenyldimethylene type epoxy resin (manufactured by Nippon Kayaku Co., Ltd., NC-3000, epoxy equivalent 275) 17.5% by weight as a thermosetting resin, biphenyldimethylene type phenol resin (manufactured by Nippon Kayaku Co., Ltd.) as a phenol resin , GPH-65, hydroxyl equivalent 20
0) 12% by weight, imidazole (manufactured by Shikoku Kasei Co., Ltd., 2P4MHZ) 0.5% by weight and epoxy silane type coupling agent (manufactured by Nihon Unicar Co., Ltd., A-187) as a coupling agent, inorganic filler 100 weight described later 0.3 part by weight with respect to parts is dissolved in methyl ethyl ketone at room temperature, and 20% by weight of spherical fused silica SFP-10X (manufactured by Denki Kagaku Kogyo Co., Ltd., average particle size 0.3 μm) and spherical fused silica SO— 50% by weight of 32R (manufactured by Admatechs Co., Ltd., average particle size 1.5 μm) was added and stirred for 10 minutes using a high speed stirrer to prepare a varnish for the second resin layer.
The thickness of the obtained prepreg was 30 μm (first resin layer: 5 μm, fiber substrate: 15 μm, second resin layer: 10 μm).

（実施例４）
キャリア材料２ａおよびキャリア材料３ａの樹脂層の厚さを、それぞれ１４μｍ（キャ
リア材料１）および１４μｍ（キャリア材料２）とした以外は、実施例１と同様にした。
得られたプリプレグの厚さは、３５μｍ（第１樹脂層：１０μｍ、繊維基材：１５μｍ、
第２樹脂層：１０μｍ）であった。 Example 4
The thickness of the resin layer of the carrier material 2a and the carrier material 3a was the same as that of Example 1 except that the thickness was 14 μm (carrier material 1) and 14 μm (carrier material 2), respectively.
The thickness of the obtained prepreg was 35 μm (first resin layer: 10 μm, fiber substrate: 15 μm,
Second resin layer: 10 μm).

（実施例５）
繊維基材およびキャリア材料２ａ、３ａを以下のようにした以外は、実施例１と同様に
した。
繊維基材としてガラス織布（クロスタイプ♯１０３７、厚さ２４μｍ、坪量２４ｇ／ｍ
2）を用いた。得られたプリプレグの厚さは、４０μｍ（第１樹脂層：５μｍ、繊維基材
：２４μｍ、第２樹脂層：１１μｍ）であった。なお、キャリア材２ａおよびキャリア材
料３ａの樹脂層の厚さを、それぞれ１２μｍ（キャリア材料２ａ）および１８μｍ（キャ
リア材料３ａ）とした。 (Example 5)
The same procedure as in Example 1 was conducted except that the fiber base material and the carrier materials 2a and 3a were changed as follows.
Glass woven fabric as a fiber base (cross type # 1037, thickness 24 μm, basis weight 24 g / m
2) was used. The thickness of the obtained prepreg was 40 μm (first resin layer: 5 μm, fiber substrate: 24 μm, second resin layer: 11 μm). The thicknesses of the resin layers of the carrier material 2a and the carrier material 3a were 12 μm (carrier material 2a) and 18 μm (carrier material 3a), respectively.

（実施例６） 厚い繊維基材を用いた実施例
繊維基材、キャリア材料２ａ、３ａを以下のようにした以外は、実施例１と同様にした
。
繊維基材としてガラス織布（クロスタイプ♯１０８０、厚さ４２μｍ、坪量４８ｇ／ｍ2
）を用いた。なお、キャリア材料２ａおよびキャリア材料３ａの樹脂層の厚さを、それぞ
れ２０μｍ（キャリア材料２ａ）および２２μｍ（キャリア材料３ａ）とした。得られた
プリプレグの厚さは、６０μｍ（第１樹脂層：８μｍ、繊維基材：４２μｍ、第２樹脂層
：１０μｍ）であった。 (Example 6) Example using thick fiber base material The same procedure as in Example 1 was conducted except that the fiber base material and carrier materials 2a and 3a were as follows.
Glass woven fabric as fiber base material (cross type # 1080, thickness 42 μm, basis weight 48 g / m 2
) Was used. The thicknesses of the resin layers of the carrier material 2a and the carrier material 3a were 20 μm (carrier material 2a) and 22 μm (carrier material 3a), respectively. The thickness of the obtained prepreg was 60 μm (first resin layer: 8 μm, fiber substrate: 42 μm, second resin layer: 10 μm).

（比較例１）
１．樹脂層のワニスの調整
熱硬化性樹脂としてシアネート樹脂（ロンザジャパン社製、プリマセット ＰＴ−３０
、重量平均分子量約２，６００）２４重量％、エポキシ樹脂としてビフェニルジメチレン
型エポキシ樹脂（日本化薬社製、ＮＣ−３０００、エポキシ当量２７５）２４重量％、フ
ェノキシ樹脂としてビスフェノールＡ型エポキシ樹脂とビスフェノールＦ型エポキシ樹脂
との共重合体であり、末端部はエポキシ基を有しているフェノキシ樹脂（ジャパンエポキ
シレジン社製・ＥＰ−４２７５、重量平均分子量６０，０００）１１．８重量％、硬化触
媒としてイミダゾール化合物（四国化成工業社製・「２−フェニル−４，５−ジヒドロキ
シメチルイミダゾール」）０．２重量％をメチルエチルケトンに溶解させた。さらに、無
機充填材として球状溶融シリカ（アドマテックス社製、ＳＯ−２５Ｈ、平均粒径０．５μ
ｍ）３９．８重量％とエポキシシラン型カップリング剤（日本ユニカー社製、Ａ−１８７
）０．２重量％を添加して、高速攪拌装置を用いて６０分間攪拌して、固形分６０重量％
の樹脂ワニスを調製した。 (Comparative Example 1)
1. Adjustment of resin layer varnish Cyanate resin (Lonza Japan, Primaset PT-30 as thermosetting resin)
, Weight average molecular weight about 2,600) 24% by weight, biphenyldimethylene type epoxy resin (Nippon Kayaku Co., Ltd., NC-3000, epoxy equivalent 275) 24% by weight as epoxy resin, bisphenol A type epoxy resin as phenoxy resin It is a copolymer with a bisphenol F-type epoxy resin, and the terminal part is a phenoxy resin having an epoxy group (Japan Epoxy Resin, EP-4275, weight average molecular weight 60,000) 11.8% by weight, cured As a catalyst, 0.2% by weight of an imidazole compound (“2-phenyl-4,5-dihydroxymethylimidazole” manufactured by Shikoku Kasei Kogyo Co., Ltd.) was dissolved in methyl ethyl ketone. Further, spherical fused silica (manufactured by Admatechs, SO-25H, average particle size 0.5 μm) as an inorganic filler.
m) 39.8% by weight and an epoxy silane type coupling agent (Nihon Unicar Co., Ltd., A-187)
) Add 0.2 wt%, stir for 60 minutes using a high speed stirrer, 60 wt% solid content
A resin varnish was prepared.

２．キャリア材料の製造
キャリアフィルムとしてポリエチレンテレフタレートフィルム（三菱化学ポリエステル
社製、ＳＦＢ−３８、厚さ３８μｍｍ、幅４８０ｍｍ）を用い、上述の樹脂層のワニスを
コンマコーター装置で塗工し、１７０℃の乾燥装置で３分間乾燥させ、厚さ９μｍ、幅４
１０ｍｍの樹脂層が、キャリアフィルムの幅方向の中心に位置するように形成してキャリ
ア材料２ａ（最終的に第１樹脂層を形成）を得た。
また、同様の方法で塗工する樹脂層のワニスの量を調整して、厚さ１４μｍ、幅３６０
ｍｍの樹脂層が、キャリアフィルムの幅方向の中心に位置するように形成してキャリア材
料３ａ（最終的に第２樹脂層を形成）を得た。第１樹脂層および第２樹脂層を構成する樹
脂組成物が同じものとした。 2. Manufacture of carrier material A polyethylene terephthalate film (manufactured by Mitsubishi Chemical Polyester Co., Ltd., SFB-38, thickness 38 μmm, width 480 mm) is used as a carrier film. Dry for 3 minutes in the apparatus, thickness 9μm, width 4
A 10 mm resin layer was formed so as to be positioned at the center in the width direction of the carrier film to obtain a carrier material 2a (finally formed a first resin layer).
Further, the amount of the varnish of the resin layer to be applied is adjusted in the same manner, and the thickness is 14 μm and the width is 360
A carrier material 3a (finally formed as a second resin layer) was obtained by forming a resin layer of mm so as to be positioned at the center in the width direction of the carrier film. The resin compositions constituting the first resin layer and the second resin layer were the same.

３．プリプレグの製造
繊維基材としてガラス織布（クロスタイプ♯１０１５、幅３６０ｍｍ、厚さ１５μｍ、
坪量１７ｇ／ｍ2）を用い、図４に示す真空ラミネート装置および熱風乾燥装置によりプ
リプレグを製造した。
具体的には、ガラス織布の両面に前記キャリア材料２ａおよびキャリア材料３ａがガラ
ス織布の幅方向の中心に位置するように、それぞれ重ね合わせ、１３３０Ｐａの減圧条件
下で、８０℃のラミネートロールを用いて接合した。
ここで、ガラス織布の幅方向寸法の内側領域においては、キャリア材料２ａおよびキャ
リア材料３ａの樹脂層を繊維布の両面側にそれぞれ接合するとともに、ガラス織布の幅方
向寸法の外側領域においては、キャリア材料２ａおよびキャリア材料３ａの樹脂層同士を
接合した。
次いで、上記接合したものを、１２０℃に設定した横搬送型の熱風乾燥装置内を２分間
通すことによって、圧力を作用させることなく加熱処理して、厚さ３０μｍ（第１樹脂層
：５μｍ、繊維基材：１５μｍ、第２樹脂層：１０μｍ）のプリプレグを得た。
（比較例２）
熱硬化性樹脂として以下のものを用いた以外は、比較例１と同様にした。
熱硬化性樹脂としてノボラック型シアネート樹脂（ロンザジャパン社製、プリマセット
ＰＴ−３０、重量平均分子量約２，６００）１５重量％、エポキシ樹脂としてビフェニ
ルジメチレン型エポキシ樹脂（日本化薬社製、ＮＣ−３０００、エポキシ当量２７５）８
．７重量％、フェノール樹脂としてビフェニルジメチレン型フェノール樹脂（日本化薬社
製、ＧＰＨ−６５、水酸基当量２００）６．３重量％をメチルエチルケトンに溶解させた
。さらに、無機充填材として球状溶融シリカ（アドマテックス社製、ＳＯ−２５Ｈ、平均
粒径０．５μｍ）６９．７重量％とエポキシシラン型カップリング剤（日本ユニカー社製
、Ａ−１８７）０．３重量％を添加して、高速攪拌装置を用いて６０分間攪拌して、固形
分６０重量％の樹脂ワニスを調製した。 3. Manufacture of prepreg Glass woven fabric (cloth type # 1015, width 360 mm, thickness 15 μm,
A prepreg was manufactured using a vacuum laminating apparatus and a hot air drying apparatus shown in FIG.
Specifically, each of the glass woven fabrics is superposed on each other so that the carrier material 2a and the carrier material 3a are located in the center in the width direction of the glass woven fabric, and a laminate roll at 80 ° C. under reduced pressure of 1330 Pa. Was used for bonding.
Here, in the inner region of the width direction dimension of the glass woven fabric, the resin layers of the carrier material 2a and the carrier material 3a are respectively bonded to both sides of the fiber cloth, and in the outer region of the width direction dimension of the glass woven fabric. The resin layers of the carrier material 2a and the carrier material 3a were joined together.
Next, the bonded material was heat-treated without applying pressure by passing it through a horizontal conveying type hot air drying device set at 120 ° C. for 2 minutes to obtain a thickness of 30 μm (first resin layer: 5 μm, A prepreg having a fiber base material of 15 μm and a second resin layer of 10 μm was obtained.
(Comparative Example 2)
It was made to be the same as that of the comparative example 1 except having used the following as a thermosetting resin.
15% by weight of novolak cyanate resin (Lonza Japan, Primaset PT-30, weight average molecular weight of about 2,600) as thermosetting resin, biphenyldimethylene type epoxy resin (Nippon Kayaku, NC) as epoxy resin -3000, epoxy equivalent 275) 8
. 7% by weight, 6.3% by weight of biphenyldimethylene type phenolic resin (manufactured by Nippon Kayaku Co., Ltd., GPH-65, hydroxyl group equivalent 200) as phenol resin was dissolved in methyl ethyl ketone. Further, 69.7% by weight of spherical fused silica (manufactured by Admatechs, SO-25H, average particle size 0.5 μm) as an inorganic filler and epoxysilane type coupling agent (manufactured by Nihon Unicar Co., Ltd., A-187) 0. 3 wt% was added, and the mixture was stirred for 60 minutes using a high-speed stirrer to prepare a resin varnish having a solid content of 60 wt%.

（比較例３）
熱硬化性樹脂として以下のものを用いた以外は、比較例１と同様にした。
熱硬化性樹脂としてエポキシ樹脂（ジャパンエポキシレジン社製・ＥＰ−５０４８）１
００重量部、硬化剤（ジシアンジアミド）２重量部および硬化促進剤（２−エチル−４−
メチルイミダゾール）０．１重量部をメチルセルソルブ１００重量部に溶解させて樹脂ワ
ニスを得た。 (Comparative Example 3)
It was made to be the same as that of the comparative example 1 except having used the following as a thermosetting resin.
Epoxy resin as thermosetting resin (Japan Epoxy Resin, EP-5048) 1
00 parts by weight, 2 parts by weight of a curing agent (dicyandiamide) and a curing accelerator (2-ethyl-4-
0.1 parts by weight of methylimidazole) was dissolved in 100 parts by weight of methyl cellosolve to obtain a resin varnish.

次に、各実施例および比較例で得られたプリプレグを用いた、基板（多層基板）および
半導体装置の作製について説明する。 Next, fabrication of a substrate (multilayer substrate) and a semiconductor device using the prepregs obtained in the respective examples and comparative examples will be described.

表面に導体間隔５０μｍのくし形パターンを有し、回路厚さ１２μｍで残銅率５０％の
コア基板に、各実施例でおよび比較例得られたプリプレグを重ね、さらに最外層に銅箔を
重ねて、加熱、加圧成形（３ＭＰａ、２００℃、９０分間）して多層基板を得た。そして
、最外層の銅箔（厚さ１２μｍ）に回路形成した後に半導体素子を搭載して半導体装置を
得た。 A prepreg obtained in each example and comparative example is stacked on a core substrate having a comb-shaped pattern with a conductor spacing of 50 μm on the surface, a circuit thickness of 12 μm and a residual copper ratio of 50%, and a copper foil is further stacked on the outermost layer. Then, heating and pressure molding (3 MPa, 200 ° C., 90 minutes) were performed to obtain a multilayer substrate. Then, after forming a circuit on the outermost copper foil (thickness 12 μm), a semiconductor element was mounted to obtain a semiconductor device.

各実施例および比較例で得られた基板（多層基板）および半導体装置について、以下の
評価を行なった。評価内容を項目と共に示す。得られた結果を表１に示す。
１．層間厚さ
得られた基板（多層基板）の断面から層間厚さ（内層回路の上部から外層回路の下部ま
で）を測定した。
２．ｔ２の厚さ
得られた基板（多層基板）の断面からｔ２厚さ（内層回路４の上端部４１から第２樹脂
層３の上端部３１までの厚さ）を測定した。併せて設計値との差を示す。
３．成形性
得られた基板くし形パターン部の断面を顕微鏡で観察して樹脂層の成形性を評価した。
各符号は、以下の通りである。
○：全てのサンプルについて成形性に優れていた。
△：ガラス織布への回路配線の接触が一部有り。
×：樹脂層の埋め込みが、不十分でボイド等有り。
４．第１樹脂層のメッキ密着性
密着性は、メッキ銅ピール強度で評価した。
○：０．６ｋＮ／ｍ以上
×：０．６ｋＮ／ｍ未満
５．絶縁信頼性
内外層に導体間隔５０μｍのくし形パターンを有する、絶縁信頼性試験用の４層プリン
ト配線板を作製し、これらの絶縁抵抗を自動超絶縁抵抗計（ＡＤＶＡＮＴＥＳＴ社製）で
測定した後、ＰＣＴ−１３０℃／８５％の雰囲気中で、直流電圧５０Ｖを印加、９６時間
経過後の絶縁抵抗を測定した。測定時の印加電圧は１００Ｖで１分とし、絶縁抵抗が１×
１０9Ω以上であるものを合格とした。
６．接続信頼性（温度サイクル（ＴＣ）試験）
３００個のバンプを介して半導体素子と基板を接続するデイジーチェーン型の評価用半
導体装置を１０個作製した。
上述の評価用半導体装置の導通を確認後、−５０℃で１０分、１２５℃で１０分を１サ
イクルとする温度サイクル（ＴＣ）試験を実施した。ＴＣ試験１０００サイクル後の断線
不良個数を評価した。 The following evaluation was performed on the substrate (multilayer substrate) and the semiconductor device obtained in each example and comparative example. The evaluation contents are shown together with the items. The obtained results are shown in Table 1.
1. Interlayer thickness Interlayer thickness (from the upper part of the inner layer circuit to the lower part of the outer layer circuit) was measured from the cross section of the obtained substrate (multilayer substrate).
2. Th2 Thickness t2 thickness (thickness from the upper end portion 41 of the inner layer circuit 4 to the upper end portion 31 of the second resin layer 3) was measured from the cross section of the obtained substrate (multilayer substrate). In addition, the difference from the design value is shown.
3. Formability The cross section of the obtained substrate comb pattern portion was observed with a microscope to evaluate the moldability of the resin layer.
Each code is as follows.
○: All samples were excellent in moldability.
Δ: Part of circuit wiring contact with glass woven fabric.
X: The resin layer is not sufficiently embedded, and there are voids and the like.
4). Plating adhesion of first resin layer Adhesion was evaluated by plating copper peel strength.
○: 0.6 kN / m or more ×: Less than 0.6 kN / m Insulation reliability After making a four-layer printed wiring board for insulation reliability test having a comb pattern with a conductor spacing of 50 μm on the inner and outer layers, and measuring these insulation resistances with an automatic super insulation resistance meter (manufactured by ADVANTEST) In a PCT-130 ° C / 85% atmosphere, a DC voltage of 50 V was applied, and the insulation resistance after 96 hours was measured. The applied voltage at the time of measurement is 1 minute at 100V, and the insulation resistance is 1 ×
What passed 10 <9> (ohm) or more was set as the pass.
6). Connection reliability (temperature cycle (TC) test)
Ten daisy chain type evaluation semiconductor devices for connecting a semiconductor element and a substrate through 300 bumps were produced.
After confirming the continuity of the semiconductor device for evaluation described above, a temperature cycle (TC) test was performed in which one cycle was 10 minutes at −50 ° C. and 10 minutes at 125 ° C. The number of defective disconnections after 1000 cycles of the TC test was evaluated.

表１から明らかなように実施例１〜６の多層基板および半導体装置は、薄型材では両立
が困難な成形性とメッキ密着性に優れたものとなった。また、第２の絶縁層には、成形性
に優れ、低熱膨張の熱硬化樹脂を配置したため、多層基板の絶縁信頼性、半導体装置とし
ての接続信頼性に優れるプリプレグとすることができた。 As is clear from Table 1, the multilayer substrates and semiconductor devices of Examples 1 to 6 were excellent in moldability and plating adhesion, which are difficult to achieve with a thin material. In addition, since the thermosetting resin having excellent moldability and low thermal expansion was disposed in the second insulating layer, a prepreg having excellent insulation reliability of the multilayer substrate and connection reliability as a semiconductor device could be obtained.

図１は、本発明のプリプレグの一例を模式的に示す断面図である。FIG. 1 is a cross-sectional view schematically showing an example of the prepreg of the present invention. 図２は、本発明のプリプレグの一例を模式的に示す断面図である。FIG. 2 is a cross-sectional view schematically showing an example of the prepreg of the present invention. 図３は、本発明のプリプレグを製造する工程の一例を示す工程図である。FIG. 3 is a process diagram showing an example of a process for producing the prepreg of the present invention. 図４は、繊維基材がプリプレグの厚さ方向に偏在している状態を模式的に示 す断面図である。FIG. 4 is a cross-sectional view schematically showing a state in which the fiber base material is unevenly distributed in the thickness direction of the prepreg. 図５は、本発明の基板の一例を示す断面図である。FIG. 5 is a cross-sectional view showing an example of the substrate of the present invention. 図６は、本発明の半導体装置の一例を示す断面図である。FIG. 6 is a cross-sectional view showing an example of a semiconductor device of the present invention.

１ シート状基材
１１ コア層
２ 第１樹脂層
２ａ キャリア材料
３ 第２樹脂層
３ａ キャリア材料
３１ 第２樹脂層の上端部
４ 内層回路
４１ 内層回路の上端部
４２ 回路配線部
５ パッド部
６ フィルドビア部
７ 半導体素子
７１ バンプ
８ 真空ラミネート装置
８１ ラミネートロール
９ 熱風乾燥装置
１０ プリプレグ
１０ａ プリプレグ
１０ｂ プリプレグ
１０ｃ プリプレグ
１０ｄ プリプレグ
１０ｅ プリプレグ
１０ｆ プリプレグ
１００ 基板
１０１ コア基板
２００ 半導体装置 DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Sheet-like base material 11 Core layer 2 1st resin layer 2a Carrier material 3 2nd resin layer 3a Carrier material 31 Upper end part of 2nd resin layer 4 Inner layer circuit 41 Upper end part of inner layer circuit 42 Circuit wiring part 5 Pad part 6 Filled via Part 7 Semiconductor element 71 Bump 8 Vacuum laminating device 81 Laminating roll 9 Hot air drying device 10 Prepreg 10a Prepreg 10b Prepreg 10c Prepreg 10d Prepreg 10e Prepreg 10f Prepreg 100 Substrate 101 Core substrate 200 Semiconductor device

このような目的は、下記（１）〜（１２）に記載の本発明により達成される。
（１）シート状基材のコア層と、前記コア層の一方面側に形成される第１樹脂層および他方面側に形成される第２樹脂層とを有し、前記第１樹脂層上に導体層を形成して使用されるプリプレグであって、
前記第１樹脂層の厚さは、１５μ以下であり、
前記第１樹脂層と前記第２樹脂層の厚さ、及び/又は、
前記第１樹脂層を構成する第１樹脂組成物と前記第２樹脂層を構成する第２樹脂組成物の組成、
が異なることを特徴とするプリプレグ。
（２）前記第１樹脂層に導体層を接合したとき、前記第１樹脂層と、前記導体層とのピール強度は、０．５ｋｇ／ｃｍ以上である上記（１）に記載のプリプレグ。
（３）前記第１樹脂組成物は、シアネート樹脂を含むものである上記（１）または（２）に記載のプリプレグ。
（４）前記シアネート樹脂は、ノボラック型シアネート樹脂を含むものである上記（３）に記載のプリプレグ。
（５）前記第１樹脂組成物は、さらに硬化剤を含むものである上記（１）ないし（４）のいずれか一つに記載のプリプレグ。
（６）前記硬化剤は、イミダゾール系化合物を含むものである上記（５）に記載のプリプレグ。
（７）前記第１樹脂層の厚さは、前記第２樹脂層の厚さよりも薄いものである上記（１）ないし（６）のいずれか一つに記載のプリプレグ。
（８）前記第２樹脂層は、内層回路に接合しており、
前記第２樹脂層の厚さが、以下の式（１）で表される上記（１）ないし（７）のいずれか一つに記載のプリプレグ。
式（１）；Ｂ＝ｔ１×（１−Ｓ／１００）＋ｔ２
［上記式（１）において、Ｂは、前記第２樹脂層の厚さ、ｔ１は、前記内層回路の厚さ、Ｓは、前記内層回路の残銅率、ｔ２は、前記内層回路の上端部から前記第２樹脂層の上端部までの厚さ、を示す。］
（９）前記第１樹脂層の表面粗さが、２μｍ以下である上記（１）ないし（８）のいずれか一つに記載のプリプレグ。
（１０）シート状基材のコア層と、前記コア層の一方面側に形成される第１樹脂層および他方面側に形成される第２樹脂層とを有し、前記第１樹脂層上に導体層を形成して使用されるプリプレグであって、
前記第１樹脂層を構成する第１樹脂組成物と、前記第２樹脂層を構成する第２樹脂組成物とが異なっており、
前記第１樹脂組成物と前記第２樹脂組成物とは、異なる樹脂または硬化剤を含んでなるものであることを特徴とするプリプレグ。
（１１）上記（１）ないし（１０）のいずれか一つに記載のプリプレグを積層して得られることを特徴とする基板。
（１２）上記（１１）に記載の基板を有することを特徴とする半導体装置。 Such an object is achieved by the present invention described in the following (1) to ( 12 ).
(1) a core layer of a sheet-like substrate and, a second resin layer formed on the first resin layer and the other surface formed on one side of said core layer, said first resin layer a prepreg which is used to form a conductive layer,
The first resin layer has a thickness of 15 μm or less,
The thickness of the first resin layer and the second resin layer, and / or
The composition of the first resin composition constituting the first resin layer and the second resin composition constituting the second resin layer,
Prepreg but characterized by Rukoto different.
(2) The prepreg according to (1) above, wherein when a conductor layer is bonded to the first resin layer, a peel strength between the first resin layer and the conductor layer is 0.5 kg / cm or more.
( 3 ) The prepreg according to (1) or (2) above, wherein the first resin composition contains a cyanate resin.
( 4 ) The prepreg as described in ( 3 ) above, wherein the cyanate resin contains a novolac-type cyanate resin.
(5) the first resin composition, to the above (1) to those further containing a curing agent (4) The prepreg according to any one of.
( 6 ) The prepreg according to ( 5 ) above, wherein the curing agent contains an imidazole compound.
( 7 ) The prepreg according to any one of (1) to ( 6 ), wherein the thickness of the first resin layer is thinner than the thickness of the second resin layer.
( 8 ) The second resin layer is bonded to the inner layer circuit,
The prepreg according to any one of (1) to (7), wherein the thickness of the second resin layer is represented by the following formula (1).
Formula (1); B = t1 * (1-S / 100) + t2
[In the above formula (1), B is the thickness of the second resin layer, t1 is the thickness of the inner layer circuit, S is the remaining copper ratio of the inner layer circuit, and t2 is the upper end of the inner layer circuit. To the upper end of the second resin layer. ]
( 9 ) The prepreg as described in any one of (1) to (8) above, wherein the surface roughness of the first resin layer is 2 μm or less.
( 10 ) having a core layer of a sheet-like substrate, a first resin layer formed on one surface side of the core layer, and a second resin layer formed on the other surface side, and on the first resin layer A prepreg used by forming a conductor layer on
The first resin composition constituting the first resin layer is different from the second resin composition constituting the second resin layer,
The prepreg characterized in that the first resin composition and the second resin composition contain different resins or curing agents.
( 11 ) A substrate obtained by laminating the prepreg according to any one of (1) to ( 10 ) above.
( 12 ) A semiconductor device comprising the substrate according to ( 11 ) above.

表１から明らかなように実施例１〜６の多層基板および半導体装置は、薄型材では両立が困難な成形性とメッキ密着性に優れたものとなった。また、第２の絶縁層には、成形性に優れ、低熱膨張の熱硬化樹脂を配置したため、多層基板の絶縁信頼性、半導体装置としての接続信頼性に優れるプリプレグとすることができた。
また、本発明は、以下の態様も含む。
（１）シート状基材のコア層と、前記コア層の一方面側に形成される第１樹脂層および他方面側に形成される第２樹脂層とを有し、第１樹脂層上に導体層を形成して使用されるプリプレグであって、
前記第１樹脂層を構成する第１樹脂組成物と、前記第２樹脂層を構成する第２樹脂組成物とが異なることを特徴とするプリプレグ。 As is clear from Table 1, the multilayer substrates and semiconductor devices of Examples 1 to 6 were excellent in moldability and plating adhesion, which are difficult to achieve with a thin material. In addition, since the thermosetting resin having excellent moldability and low thermal expansion was disposed in the second insulating layer, a prepreg having excellent insulation reliability of the multilayer substrate and connection reliability as a semiconductor device could be obtained.
The present invention also includes the following aspects.
(1) It has a core layer of a sheet-like base material, a first resin layer formed on one side of the core layer, and a second resin layer formed on the other side, on the first resin layer A prepreg used to form a conductor layer,
A prepreg characterized in that a first resin composition constituting the first resin layer and a second resin composition constituting the second resin layer are different.

Claims (1)

シート状基材のコア層と、前記コア層の一方面側に形成される第１樹脂層および他方面
側に形成される第２樹脂層とを有し、第１樹脂層上に導体層を形成して使用されるプリプ
レグであって、
前記第１樹脂層を構成する第１樹脂組成物と、前記第２樹脂層を構成する第２樹脂組成
物とが異なることを特徴とするプリプレグ。 A core layer of a sheet-like substrate; a first resin layer formed on one side of the core layer; and a second resin layer formed on the other side; and a conductor layer on the first resin layer A prepreg formed and used,
A prepreg characterized in that a first resin composition constituting the first resin layer and a second resin composition constituting the second resin layer are different.