JP2013048136A - 光素子およびその製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】エルビウムの酸化物よりなる希土類含有層105をスパッタ法などの物理蒸着法により、基板を加熱することなく形成し、例えば1000℃に加熱することで、希土類含有層105を溝部104に凝集させ、酸化エルビウムの結晶からなる希土類コア部106を形成する。希土類の酸化物は、加熱することで、下地に形成されている凹部に凝集する。また、この加熱により、アモルファス状態の酸化エルビウムが結晶化するので、希土類コア部106は、酸化エルビウムの結晶から構成されたものとなる。
【選択図】 図1D
Description
はじめに、本発明の実施の形態1について、図1A〜図1Fを用いて説明する。図1A〜図1Fは、本発明の実施の形態1における光素子の製造方法を説明する各工程における状態を示す断面図および平面図である。図1A〜図1Eは断面図、図1Fは平面図である。
次に、本発明の実施の形態2について図2A〜図2Fを用いて説明する。図2A〜図2Fは、本発明の実施の形態2における光素子の製造方法を説明する各工程における状態を示す断面図および平面図である。図2A〜図2C,図2E,図2Fは断面図、図2Dは平面図である。
次に、本発明の実施の形態3について図3A〜図3Fを用いて説明する。図3A〜図3Fは、本発明の実施の形態3における光素子の製造方法を説明する各工程における状態を示す断面図および平面図である。図3A,図3B,図3D,図3Eは断面図、図3C,図3Fは平面図である。
次に、本発明の実施の形態4について図4A〜図4Fを用いて説明する。図4A〜図4Fは、本発明の実施の形態4における光素子の製造方法を説明する各工程における状態を示す断面図および平面図である。図4A,図4B,図4D〜図4Fは断面図、図4Cは平面図である。
Claims (6)
- 希土類の酸化物よりなる希土類含有層を物理蒸着法により下部シリコン層の上に形成する工程と、
前記希土類含有層を加熱して光機能層を形成する工程と
を少なくとも備えることを特徴とする光素子の製造方法。 - 請求項1記載の光素子の製造方法において、
前記光機能層を形成した後、前記光機能層の上に上部シリコン層を形成する工程を備え、
前記下部シリコン層と前記上部シリコン層とは異なる導電型とし、
前記希土類含有層を加熱して前記下部シリコン層の上に前記希土類のシリケイトから構成された複数の微細構造体からなる発光層となる前記光機能層を形成する
ことを特徴とする光素子の製造方法。 - 請求項1記載の光素子の製造方法において、
前記下部シリコン層の表面に凹凸を形成する工程を備え、
前記凹凸を形成した前記下部シリコン層の上に前記希土類含有層を形成することを特徴とする光素子の製造方法。 - 請求項3記載の光素子の製造方法において、
前記凹凸は溝部であり、
前記希土類含有層を加熱して前記溝部に凝集させて光導波路のコアとなる前記光機能層を形成することを特徴とする光素子の製造方法。 - 請求項2記載の光素子の製造方法によって製造した光素子。
- 請求項4記載の光素子の製造方法によって製造した光素子であって、
前記コアとなる前記光機能層から構成された光増幅部を備えることを特徴とする光素子。
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