CN102684069B - 基于倏逝场耦合及周期微结构选频的混合硅单模激光器 - Google Patents
基于倏逝场耦合及周期微结构选频的混合硅单模激光器 Download PDFInfo
- Publication number
- CN102684069B CN102684069B CN 201210174309 CN201210174309A CN102684069B CN 102684069 B CN102684069 B CN 102684069B CN 201210174309 CN201210174309 CN 201210174309 CN 201210174309 A CN201210174309 A CN 201210174309A CN 102684069 B CN102684069 B CN 102684069B
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- layer
- silicon
- cycle
- type
- produced
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Images
Landscapes
- Semiconductor Lasers (AREA)
Abstract
Description
Claims (6)
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN 201210174309 CN102684069B (zh) | 2012-05-30 | 2012-05-30 | 基于倏逝场耦合及周期微结构选频的混合硅单模激光器 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN 201210174309 CN102684069B (zh) | 2012-05-30 | 2012-05-30 | 基于倏逝场耦合及周期微结构选频的混合硅单模激光器 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN102684069A CN102684069A (zh) | 2012-09-19 |
CN102684069B true CN102684069B (zh) | 2013-11-06 |
Family
ID=46815625
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN 201210174309 Expired - Fee Related CN102684069B (zh) | 2012-05-30 | 2012-05-30 | 基于倏逝场耦合及周期微结构选频的混合硅单模激光器 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
CN (1) | CN102684069B (zh) |
Families Citing this family (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN102904159B (zh) * | 2012-10-26 | 2015-03-18 | 江苏尚飞光电科技有限公司 | 一种基于bcb键合工艺的混合集成激光器及其制作方法 |
CN103117510A (zh) * | 2013-01-25 | 2013-05-22 | 中国科学院半导体研究所 | 一种混合硅基回音壁模式微腔激光器 |
CN103199435B (zh) * | 2013-03-25 | 2015-06-10 | 中国科学院半导体研究所 | 超低发散角倾斜光束的单纵模人工微结构激光器 |
CN104092096B (zh) * | 2014-06-27 | 2017-10-03 | 中国科学院半导体研究所 | 一种硅波导输出的单模硅基混合激光光源 |
CN109560462B (zh) * | 2017-09-27 | 2020-06-19 | 中国科学院半导体研究所 | 硅基混合集成激光器阵列及其制备方法 |
US10381801B1 (en) * | 2018-04-26 | 2019-08-13 | Hewlett Packard Enterprise Development Lp | Device including structure over airgap |
CN111755948B (zh) * | 2019-03-28 | 2021-09-21 | 上海新微技术研发中心有限公司 | 具有脊波导结构的GePb激光器及其形成方法 |
JP2020177061A (ja) * | 2019-04-16 | 2020-10-29 | 日本電信電話株式会社 | 光導波路 |
CN111987585B (zh) * | 2019-05-24 | 2022-02-08 | 中国科学院半导体研究所 | 一种硅波导输出激光器 |
CN110224296B (zh) * | 2019-06-06 | 2020-09-08 | 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所 | 一种半导体激光器及其制备方法 |
CN110518032B (zh) * | 2019-09-02 | 2022-12-23 | 电子科技大学 | 多晶硅soi基板型光电耦合器、其集成电路及制备方法 |
Family Cites Families (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2002141495A (ja) * | 2000-11-02 | 2002-05-17 | Takashi Katoda | 集束イオンビームを用いて作製した極微細構造を有する電子デバイス及び光デバイス |
US7486709B2 (en) * | 2006-07-26 | 2009-02-03 | Corning Incorporated | Semiconductor laser micro-heating element structure |
JP2008160157A (ja) * | 2008-03-21 | 2008-07-10 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体レーザ装置 |
-
2012
- 2012-05-30 CN CN 201210174309 patent/CN102684069B/zh not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN102684069A (zh) | 2012-09-19 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
CN102684069B (zh) | 基于倏逝场耦合及周期微结构选频的混合硅单模激光器 | |
US10305250B2 (en) | III-Nitride nanowire array monolithic photonic integrated circuit on (001)silicon operating at near-infrared wavelengths | |
CN102545056B (zh) | 一种表面发射太赫兹量子级联激光器及其制作方法 | |
JP6300240B2 (ja) | 半導体デバイス | |
CN103199436B (zh) | 基于倾斜光束边发射激光器的硅波导输出面上光源装置 | |
CN103117510A (zh) | 一种混合硅基回音壁模式微腔激光器 | |
Liu et al. | A thermally tunable III–V compound semiconductor microdisk laser integrated on silicon-on-insulator circuits | |
CN112290382B (zh) | 一种半导体激光器及其制作方法 | |
CN101867148B (zh) | 带有光子晶体反射面和垂直出射面的fp腔激光器 | |
CN108054182B (zh) | 一种化合物半导体硅基混合器件及其制备方法 | |
CN101316027A (zh) | 一种量子阱边发射半导体激光器的制作方法 | |
CN111711071B (zh) | 可调谐激光器及其制作方法 | |
CN111129941A (zh) | 一种硅基集成激光器芯片倒装耦合结构 | |
CN112290385A (zh) | 多波长硅基iii-v族混合集成激光器阵列单元及制作方法 | |
CN109586159B (zh) | 片上集成半导体激光器结构及其制备方法 | |
CN114188823A (zh) | 无制冷抗反射InP基量子点/量子阱耦合EML外延片的制备方法 | |
CN102856789B (zh) | 基于微结构硅波导选频的混合硅单模环形腔激光器 | |
CN115579735B (zh) | 一种单片集成二维dfb阵列芯片的制备方法 | |
CN114188819B (zh) | 一种1342纳米波长大功率微结构dfb激光器 | |
CN111916999B (zh) | 具有槽结构的分布式反馈激光器及制备方法 | |
JP2004523117A (ja) | 光学装置のヒートシンク上への取り付け | |
CN110277731B (zh) | 一种iii-v族硅基低折射率缝隙结构dbr激光器及集成方法 | |
Li et al. | A hybrid single-mode laser based on slotted silicon waveguides | |
CN1174469C (zh) | 偏振不灵敏半导体光学放大器的制备方法 | |
CN103794985A (zh) | 半导体装置及其制造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
C06 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
C10 | Entry into substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
C14 | Grant of patent or utility model | ||
GR01 | Patent grant | ||
CB03 | Change of inventor or designer information |
Inventor after: Zheng Wanhua Inventor after: Qu Hongwei Inventor after: Wang Hailing Inventor after: Ma Shaodong Inventor before: Zhang Yejin Inventor before: Qu Hongwei Inventor before: Wang Hailing Inventor before: Ma Shaodong Inventor before: Zheng Wanhua |
|
COR | Change of bibliographic data | ||
CF01 | Termination of patent right due to non-payment of annual fee |
Granted publication date: 20131106 Termination date: 20200530 |
|
CF01 | Termination of patent right due to non-payment of annual fee |