JP2013038410A - 半導体パッケージ - Google Patents
半導体パッケージ Download PDFInfo
- Publication number
- JP2013038410A JP2013038410A JP2012155527A JP2012155527A JP2013038410A JP 2013038410 A JP2013038410 A JP 2013038410A JP 2012155527 A JP2012155527 A JP 2012155527A JP 2012155527 A JP2012155527 A JP 2012155527A JP 2013038410 A JP2013038410 A JP 2013038410A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- thin film
- adhesive sheet
- semiconductor package
- thickness
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 94
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims abstract description 111
- 238000007789 sealing Methods 0.000 claims abstract description 92
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims description 93
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims description 93
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 claims description 90
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 claims description 90
- 239000011342 resin composition Substances 0.000 claims description 90
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 89
- 239000002966 varnish Substances 0.000 claims description 56
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 51
- 238000001035 drying Methods 0.000 claims description 40
- 238000010030 laminating Methods 0.000 claims description 32
- 230000008569 process Effects 0.000 claims description 32
- 239000010408 film Substances 0.000 claims description 13
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 11
- 239000000835 fiber Substances 0.000 claims description 9
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 9
- 238000013007 heat curing Methods 0.000 claims description 7
- FFBHFFJDDLITSX-UHFFFAOYSA-N benzyl N-[2-hydroxy-4-(3-oxomorpholin-4-yl)phenyl]carbamate Chemical compound OC1=C(NC(=O)OCC2=CC=CC=C2)C=CC(=C1)N1CCOCC1=O FFBHFFJDDLITSX-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims description 3
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims description 3
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 380
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 64
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 64
- 238000001723 curing Methods 0.000 description 56
- -1 naphthylene ether Chemical compound 0.000 description 48
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 47
- 229920001187 thermosetting polymer Polymers 0.000 description 43
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 41
- ISWSIDIOOBJBQZ-UHFFFAOYSA-N Phenol Chemical compound OC1=CC=CC=C1 ISWSIDIOOBJBQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 31
- 229920003986 novolac Polymers 0.000 description 28
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 26
- 229920001971 elastomer Polymers 0.000 description 24
- IISBACLAFKSPIT-UHFFFAOYSA-N bisphenol A Chemical group C=1C=C(O)C=CC=1C(C)(C)C1=CC=C(O)C=C1 IISBACLAFKSPIT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 23
- 239000005060 rubber Substances 0.000 description 21
- 229920002799 BoPET Polymers 0.000 description 19
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 18
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 16
- ZWEHNKRNPOVVGH-UHFFFAOYSA-N 2-Butanone Chemical compound CCC(C)=O ZWEHNKRNPOVVGH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 14
- UFWIBTONFRDIAS-UHFFFAOYSA-N Naphthalene Chemical compound C1=CC=CC2=CC=CC=C21 UFWIBTONFRDIAS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 14
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 14
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 13
- 239000011256 inorganic filler Substances 0.000 description 13
- 229910003475 inorganic filler Inorganic materials 0.000 description 13
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 13
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 13
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 description 13
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 description 12
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 12
- 150000002148 esters Chemical class 0.000 description 11
- 230000009477 glass transition Effects 0.000 description 11
- 235000013824 polyphenols Nutrition 0.000 description 11
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 11
- 239000004643 cyanate ester Substances 0.000 description 10
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 10
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 10
- RAXXELZNTBOGNW-UHFFFAOYSA-N imidazole Natural products C1=CNC=N1 RAXXELZNTBOGNW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 9
- KJCVRFUGPWSIIH-UHFFFAOYSA-N 1-naphthol Chemical compound C1=CC=C2C(O)=CC=CC2=C1 KJCVRFUGPWSIIH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- JHIVVAPYMSGYDF-UHFFFAOYSA-N cyclohexanone Chemical compound O=C1CCCCC1 JHIVVAPYMSGYDF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 8
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 8
- 229920005992 thermoplastic resin Polymers 0.000 description 8
- 229920000180 alkyd Polymers 0.000 description 7
- PXKLMJQFEQBVLD-UHFFFAOYSA-N bisphenol F Chemical compound C1=CC(O)=CC=C1CC1=CC=C(O)C=C1 PXKLMJQFEQBVLD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- ZUOUZKKEUPVFJK-UHFFFAOYSA-N diphenyl Chemical compound C1=CC=CC=C1C1=CC=CC=C1 ZUOUZKKEUPVFJK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 238000003475 lamination Methods 0.000 description 7
- 238000003825 pressing Methods 0.000 description 7
- 238000001721 transfer moulding Methods 0.000 description 7
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 6
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 6
- 239000007822 coupling agent Substances 0.000 description 6
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 6
- 239000003063 flame retardant Substances 0.000 description 6
- 125000002887 hydroxy group Chemical group [H]O* 0.000 description 6
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 6
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 description 6
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 6
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 description 6
- RNFJDJUURJAICM-UHFFFAOYSA-N 2,2,4,4,6,6-hexaphenoxy-1,3,5-triaza-2$l^{5},4$l^{5},6$l^{5}-triphosphacyclohexa-1,3,5-triene Chemical compound N=1P(OC=2C=CC=CC=2)(OC=2C=CC=CC=2)=NP(OC=2C=CC=CC=2)(OC=2C=CC=CC=2)=NP=1(OC=1C=CC=CC=1)OC1=CC=CC=C1 RNFJDJUURJAICM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 229920000459 Nitrile rubber Polymers 0.000 description 5
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 239000004962 Polyamide-imide Substances 0.000 description 5
- 239000006087 Silane Coupling Agent Substances 0.000 description 5
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 5
- XLJMAIOERFSOGZ-UHFFFAOYSA-M cyanate Chemical compound [O-]C#N XLJMAIOERFSOGZ-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 5
- 125000003700 epoxy group Chemical group 0.000 description 5
- RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N ether Substances CCOCC RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 229920006287 phenoxy resin Polymers 0.000 description 5
- 239000013034 phenoxy resin Substances 0.000 description 5
- 229920002312 polyamide-imide Polymers 0.000 description 5
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 5
- 238000003756 stirring Methods 0.000 description 5
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 5
- JYEUMXHLPRZUAT-UHFFFAOYSA-N 1,2,3-triazine Chemical group C1=CN=NN=C1 JYEUMXHLPRZUAT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- VPWNQTHUCYMVMZ-UHFFFAOYSA-N 4,4'-sulfonyldiphenol Chemical compound C1=CC(O)=CC=C1S(=O)(=O)C1=CC=C(O)C=C1 VPWNQTHUCYMVMZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- ZRALSGWEFCBTJO-UHFFFAOYSA-N Guanidine Chemical compound NC(N)=N ZRALSGWEFCBTJO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- CHJJGSNFBQVOTG-UHFFFAOYSA-N N-methyl-guanidine Natural products CNC(N)=N CHJJGSNFBQVOTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910000831 Steel Inorganic materials 0.000 description 4
- PPBRXRYQALVLMV-UHFFFAOYSA-N Styrene Chemical compound C=CC1=CC=CC=C1 PPBRXRYQALVLMV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 150000008065 acid anhydrides Chemical class 0.000 description 4
- 125000003118 aryl group Chemical group 0.000 description 4
- 239000004305 biphenyl Substances 0.000 description 4
- 235000010290 biphenyl Nutrition 0.000 description 4
- 239000003054 catalyst Substances 0.000 description 4
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 4
- 239000011888 foil Substances 0.000 description 4
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 4
- 150000002460 imidazoles Chemical class 0.000 description 4
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 4
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 4
- 230000002829 reductive effect Effects 0.000 description 4
- 239000010959 steel Substances 0.000 description 4
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 4
- HECLRDQVFMWTQS-RGOKHQFPSA-N 1755-01-7 Chemical compound C1[C@H]2[C@@H]3CC=C[C@@H]3[C@@H]1C=C2 HECLRDQVFMWTQS-RGOKHQFPSA-N 0.000 description 3
- FPZWZCWUIYYYBU-UHFFFAOYSA-N 2-(2-ethoxyethoxy)ethyl acetate Chemical compound CCOCCOCCOC(C)=O FPZWZCWUIYYYBU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N Acetic acid Chemical compound CC(O)=O QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N Acetone Chemical compound CC(C)=O CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- UHOVQNZJYSORNB-UHFFFAOYSA-N Benzene Chemical compound C1=CC=CC=C1 UHOVQNZJYSORNB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- XEKOWRVHYACXOJ-UHFFFAOYSA-N Ethyl acetate Chemical compound CCOC(C)=O XEKOWRVHYACXOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- LYCAIKOWRPUZTN-UHFFFAOYSA-N Ethylene glycol Chemical compound OCCO LYCAIKOWRPUZTN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- ZMXDDKWLCZADIW-UHFFFAOYSA-N N,N-Dimethylformamide Chemical compound CN(C)C=O ZMXDDKWLCZADIW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000004695 Polyether sulfone Substances 0.000 description 3
- OFOBLEOULBTSOW-UHFFFAOYSA-N Propanedioic acid Natural products OC(=O)CC(O)=O OFOBLEOULBTSOW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N Toluene Chemical compound CC1=CC=CC=C1 YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- ZMANZCXQSJIPKH-UHFFFAOYSA-N Triethylamine Chemical compound CCN(CC)CC ZMANZCXQSJIPKH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- GTDPSWPPOUPBNX-UHFFFAOYSA-N ac1mqpva Chemical compound CC12C(=O)OC(=O)C1(C)C1(C)C2(C)C(=O)OC1=O GTDPSWPPOUPBNX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 150000004945 aromatic hydrocarbons Chemical class 0.000 description 3
- 230000001588 bifunctional effect Effects 0.000 description 3
- KAKZBPTYRLMSJV-UHFFFAOYSA-N butadiene group Chemical group C=CC=C KAKZBPTYRLMSJV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000012792 core layer Substances 0.000 description 3
- 239000011258 core-shell material Substances 0.000 description 3
- 238000000354 decomposition reaction Methods 0.000 description 3
- SWSQBOPZIKWTGO-UHFFFAOYSA-N dimethylaminoamidine Natural products CN(C)C(N)=N SWSQBOPZIKWTGO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000005227 gel permeation chromatography Methods 0.000 description 3
- LNEPOXFFQSENCJ-UHFFFAOYSA-N haloperidol Chemical compound C1CC(O)(C=2C=CC(Cl)=CC=2)CCN1CCCC(=O)C1=CC=C(F)C=C1 LNEPOXFFQSENCJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000001771 impaired effect Effects 0.000 description 3
- 125000001449 isopropyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])(*)C([H])([H])[H] 0.000 description 3
- 230000000670 limiting effect Effects 0.000 description 3
- VZCYOOQTPOCHFL-UPHRSURJSA-N maleic acid Chemical compound OC(=O)\C=C/C(O)=O VZCYOOQTPOCHFL-UPHRSURJSA-N 0.000 description 3
- 239000011976 maleic acid Substances 0.000 description 3
- 125000002524 organometallic group Chemical group 0.000 description 3
- 229920002492 poly(sulfone) Polymers 0.000 description 3
- 229920000058 polyacrylate Polymers 0.000 description 3
- 229920006393 polyether sulfone Polymers 0.000 description 3
- 239000009719 polyimide resin Substances 0.000 description 3
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 3
- 238000007639 printing Methods 0.000 description 3
- 230000000930 thermomechanical effect Effects 0.000 description 3
- VZCYOOQTPOCHFL-UHFFFAOYSA-N trans-butenedioic acid Natural products OC(=O)C=CC(O)=O VZCYOOQTPOCHFL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- DHKHKXVYLBGOIT-UHFFFAOYSA-N 1,1-Diethoxyethane Chemical compound CCOC(C)OCC DHKHKXVYLBGOIT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- GIWQSPITLQVMSG-UHFFFAOYSA-N 1,2-dimethylimidazole Chemical compound CC1=NC=CN1C GIWQSPITLQVMSG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- JWAZRIHNYRIHIV-UHFFFAOYSA-N 2-naphthol Chemical compound C1=CC=CC2=CC(O)=CC=C21 JWAZRIHNYRIHIV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- CMLFRMDBDNHMRA-UHFFFAOYSA-N 2h-1,2-benzoxazine Chemical compound C1=CC=C2C=CNOC2=C1 CMLFRMDBDNHMRA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VHYFNPMBLIVWCW-UHFFFAOYSA-N 4-Dimethylaminopyridine Chemical compound CN(C)C1=CC=NC=C1 VHYFNPMBLIVWCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ULKLGIFJWFIQFF-UHFFFAOYSA-N 5K8XI641G3 Chemical compound CCC1=NC=C(C)N1 ULKLGIFJWFIQFF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229940123208 Biguanide Drugs 0.000 description 2
- 229930185605 Bisphenol Natural products 0.000 description 2
- VTYYLEPIZMXCLO-UHFFFAOYSA-L Calcium carbonate Chemical compound [Ca+2].[O-]C([O-])=O VTYYLEPIZMXCLO-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- HEDRZPFGACZZDS-UHFFFAOYSA-N Chloroform Chemical compound ClC(Cl)Cl HEDRZPFGACZZDS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N Fluorine atom Chemical compound [F] YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- QIGBRXMKCJKVMJ-UHFFFAOYSA-N Hydroquinone Chemical compound OC1=CC=C(O)C=C1 QIGBRXMKCJKVMJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004793 Polystyrene Substances 0.000 description 2
- 229920000297 Rayon Polymers 0.000 description 2
- BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N Silane Chemical compound [SiH4] BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- KKEYFWRCBNTPAC-UHFFFAOYSA-N Terephthalic acid Chemical compound OC(=O)C1=CC=C(C(O)=O)C=C1 KKEYFWRCBNTPAC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- AHZMUXQJTGRNHT-UHFFFAOYSA-N [4-[2-(4-cyanatophenyl)propan-2-yl]phenyl] cyanate Chemical compound C=1C=C(OC#N)C=CC=1C(C)(C)C1=CC=C(OC#N)C=C1 AHZMUXQJTGRNHT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- UMHKOAYRTRADAT-UHFFFAOYSA-N [hydroxy(octoxy)phosphoryl] octyl hydrogen phosphate Chemical compound CCCCCCCCOP(O)(=O)OP(O)(=O)OCCCCCCCC UMHKOAYRTRADAT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000011354 acetal resin Substances 0.000 description 2
- 229920000800 acrylic rubber Polymers 0.000 description 2
- WNROFYMDJYEPJX-UHFFFAOYSA-K aluminium hydroxide Chemical compound [OH-].[OH-].[OH-].[Al+3] WNROFYMDJYEPJX-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 2
- 150000001412 amines Chemical class 0.000 description 2
- MWPLVEDNUUSJAV-UHFFFAOYSA-N anthracene Chemical compound C1=CC=CC2=CC3=CC=CC=C3C=C21 MWPLVEDNUUSJAV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- TZCXTZWJZNENPQ-UHFFFAOYSA-L barium sulfate Chemical compound [Ba+2].[O-]S([O-])(=O)=O TZCXTZWJZNENPQ-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- WPYMKLBDIGXBTP-UHFFFAOYSA-N benzoic acid Chemical compound OC(=O)C1=CC=CC=C1 WPYMKLBDIGXBTP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- YCIMNLLNPGFGHC-UHFFFAOYSA-N catechol Chemical compound OC1=CC=CC=C1O YCIMNLLNPGFGHC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 2
- 239000013013 elastic material Substances 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 2
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 description 2
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000005350 fused silica glass Substances 0.000 description 2
- 238000009499 grossing Methods 0.000 description 2
- FFUAGWLWBBFQJT-UHFFFAOYSA-N hexamethyldisilazane Chemical compound C[Si](C)(C)N[Si](C)(C)C FFUAGWLWBBFQJT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 150000002440 hydroxy compounds Chemical class 0.000 description 2
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 2
- ZFSLODLOARCGLH-UHFFFAOYSA-N isocyanuric acid Chemical compound OC1=NC(O)=NC(O)=N1 ZFSLODLOARCGLH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- QQVIHTHCMHWDBS-UHFFFAOYSA-N isophthalic acid Chemical compound OC(=O)C1=CC=CC(C(O)=O)=C1 QQVIHTHCMHWDBS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004850 liquid epoxy resins (LERs) Substances 0.000 description 2
- RLSSMJSEOOYNOY-UHFFFAOYSA-N m-cresol Chemical compound CC1=CC=CC(O)=C1 RLSSMJSEOOYNOY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VTHJTEIRLNZDEV-UHFFFAOYSA-L magnesium dihydroxide Chemical compound [OH-].[OH-].[Mg+2] VTHJTEIRLNZDEV-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- 239000000347 magnesium hydroxide Substances 0.000 description 2
- 229910001862 magnesium hydroxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000000691 measurement method Methods 0.000 description 2
- 229910000000 metal hydroxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000004692 metal hydroxides Chemical class 0.000 description 2
- VNWKTOKETHGBQD-UHFFFAOYSA-N methane Chemical compound C VNWKTOKETHGBQD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000000465 moulding Methods 0.000 description 2
- 125000001624 naphthyl group Chemical group 0.000 description 2
- QWVGKYWNOKOFNN-UHFFFAOYSA-N o-cresol Chemical compound CC1=CC=CC=C1O QWVGKYWNOKOFNN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 125000001477 organic nitrogen group Chemical group 0.000 description 2
- IWDCLRJOBJJRNH-UHFFFAOYSA-N p-cresol Chemical compound CC1=CC=C(O)C=C1 IWDCLRJOBJJRNH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000005011 phenolic resin Substances 0.000 description 2
- RMVRSNDYEFQCLF-UHFFFAOYSA-N phenyl mercaptan Natural products SC1=CC=CC=C1 RMVRSNDYEFQCLF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XYFCBTPGUUZFHI-UHFFFAOYSA-O phosphonium Chemical compound [PH4+] XYFCBTPGUUZFHI-UHFFFAOYSA-O 0.000 description 2
- 150000003018 phosphorus compounds Chemical class 0.000 description 2
- XNGIFLGASWRNHJ-UHFFFAOYSA-N phthalic acid Chemical compound OC(=O)C1=CC=CC=C1C(O)=O XNGIFLGASWRNHJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229920000728 polyester Polymers 0.000 description 2
- 229920000139 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 2
- 239000005020 polyethylene terephthalate Substances 0.000 description 2
- 229920006324 polyoxymethylene Polymers 0.000 description 2
- 229920001955 polyphenylene ether Polymers 0.000 description 2
- 229920001296 polysiloxane Polymers 0.000 description 2
- 229920002223 polystyrene Polymers 0.000 description 2
- ODLMAHJVESYWTB-UHFFFAOYSA-N propylbenzene Chemical compound CCCC1=CC=CC=C1 ODLMAHJVESYWTB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- CYIDZMCFTVVTJO-UHFFFAOYSA-N pyromellitic acid Chemical compound OC(=O)C1=CC(C(O)=O)=C(C(O)=O)C=C1C(O)=O CYIDZMCFTVVTJO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 2
- GHMLBKRAJCXXBS-UHFFFAOYSA-N resorcinol Chemical compound OC1=CC=CC(O)=C1 GHMLBKRAJCXXBS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- FZHAPNGMFPVSLP-UHFFFAOYSA-N silanamine Chemical compound [SiH3]N FZHAPNGMFPVSLP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910000077 silane Inorganic materials 0.000 description 2
- 229920003048 styrene butadiene rubber Polymers 0.000 description 2
- TXDNPSYEJHXKMK-UHFFFAOYSA-N sulfanylsilane Chemical compound S[SiH3] TXDNPSYEJHXKMK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 2
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000003918 triazines Chemical class 0.000 description 2
- RIOQSEWOXXDEQQ-UHFFFAOYSA-N triphenylphosphine Chemical compound C1=CC=CC=C1P(C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1 RIOQSEWOXXDEQQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229920002554 vinyl polymer Polymers 0.000 description 2
- 239000002759 woven fabric Substances 0.000 description 2
- DEQUKPCANKRTPZ-UHFFFAOYSA-N (2,3-dihydroxyphenyl)-phenylmethanone Chemical compound OC1=CC=CC(C(=O)C=2C=CC=CC=2)=C1O DEQUKPCANKRTPZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XXEYMOUSTWPDDB-OJMIUMIFSA-N (2r)-5-[(5s,7r,8s,9r)-8,9-dihydroxy-2,4-dioxo-7-(phosphonooxymethyl)-6-oxa-1,3-diazaspiro[4.4]nonan-3-yl]-2-[formyl(hydroxy)amino]pentanoic acid Chemical compound O[C@@H]1[C@H](O)[C@@H](COP(O)(O)=O)O[C@]11C(=O)N(CCC[C@@H](N(O)C=O)C(O)=O)C(=O)N1 XXEYMOUSTWPDDB-OJMIUMIFSA-N 0.000 description 1
- WYTZZXDRDKSJID-UHFFFAOYSA-N (3-aminopropyl)triethoxysilane Chemical compound CCO[Si](OCC)(OCC)CCCN WYTZZXDRDKSJID-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SDUWQMDIQSWWIE-UHFFFAOYSA-N (3-cyanato-5-methylidenecyclohexa-1,3-dien-1-yl) cyanate Chemical compound C=C1CC(OC#N)=CC(OC#N)=C1 SDUWQMDIQSWWIE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MUTGBJKUEZFXGO-OLQVQODUSA-N (3as,7ar)-3a,4,5,6,7,7a-hexahydro-2-benzofuran-1,3-dione Chemical compound C1CCC[C@@H]2C(=O)OC(=O)[C@@H]21 MUTGBJKUEZFXGO-OLQVQODUSA-N 0.000 description 1
- KMOUUZVZFBCRAM-OLQVQODUSA-N (3as,7ar)-3a,4,7,7a-tetrahydro-2-benzofuran-1,3-dione Chemical compound C1C=CC[C@@H]2C(=O)OC(=O)[C@@H]21 KMOUUZVZFBCRAM-OLQVQODUSA-N 0.000 description 1
- AILUJKZWHGGGRF-UHFFFAOYSA-M (4-methylphenyl)-triphenylphosphanium;thiocyanate Chemical compound [S-]C#N.C1=CC(C)=CC=C1[P+](C=1C=CC=CC=1)(C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1 AILUJKZWHGGGRF-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- RUEBPOOTFCZRBC-UHFFFAOYSA-N (5-methyl-2-phenyl-1h-imidazol-4-yl)methanol Chemical compound OCC1=C(C)NC(C=2C=CC=CC=2)=N1 RUEBPOOTFCZRBC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ISNICOKBNZOJQG-UHFFFAOYSA-N 1,1,2,3,3-pentamethylguanidine Chemical compound CN=C(N(C)C)N(C)C ISNICOKBNZOJQG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NQOFYFRKWDXGJP-UHFFFAOYSA-N 1,1,2-trimethylguanidine Chemical compound CN=C(N)N(C)C NQOFYFRKWDXGJP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KYVBNYUBXIEUFW-UHFFFAOYSA-N 1,1,3,3-tetramethylguanidine Chemical compound CN(C)C(=N)N(C)C KYVBNYUBXIEUFW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SSUJUUNLZQVZMO-UHFFFAOYSA-N 1,2,3,4,8,9,10,10a-octahydropyrimido[1,2-a]azepine Chemical compound C1CCC=CN2CCCNC21 SSUJUUNLZQVZMO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LINDOXZENKYESA-UHFFFAOYSA-N 1,2-dimethylguanidine Chemical compound CNC(N)=NC LINDOXZENKYESA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UGXMKSYKRKUMGY-UHFFFAOYSA-N 1,3,5,2,4,6-triazatrisilinane Chemical compound N1[SiH2]N[SiH2]N[SiH2]1 UGXMKSYKRKUMGY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OWRCNXZUPFZXOS-UHFFFAOYSA-N 1,3-diphenylguanidine Chemical compound C=1C=CC=CC=1NC(=N)NC1=CC=CC=C1 OWRCNXZUPFZXOS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FRASJONUBLZVQX-UHFFFAOYSA-N 1,4-dioxonaphthalene Natural products C1=CC=C2C(=O)C=CC(=O)C2=C1 FRASJONUBLZVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BOKGTLAJQHTOKE-UHFFFAOYSA-N 1,5-dihydroxynaphthalene Chemical compound C1=CC=C2C(O)=CC=CC2=C1O BOKGTLAJQHTOKE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SQZCAOHYQSOZCE-UHFFFAOYSA-N 1-(diaminomethylidene)-2-(2-methylphenyl)guanidine Chemical compound CC1=CC=CC=C1N=C(N)N=C(N)N SQZCAOHYQSOZCE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JLPWQEHTPOFCPG-UHFFFAOYSA-N 1-(diaminomethylidene)-2-methylguanidine Chemical compound CN=C(N)N=C(N)N JLPWQEHTPOFCPG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UBJPWXQSHUPNPG-UHFFFAOYSA-N 1-(diaminomethylidene)-2-prop-2-enylguanidine Chemical compound NC(N)=NC(N)=NCC=C UBJPWXQSHUPNPG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FBHPRUXJQNWTEW-UHFFFAOYSA-N 1-benzyl-2-methylimidazole Chemical compound CC1=NC=CN1CC1=CC=CC=C1 FBHPRUXJQNWTEW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XZKLXPPYISZJCV-UHFFFAOYSA-N 1-benzyl-2-phenylimidazole Chemical compound C1=CN=C(C=2C=CC=CC=2)N1CC1=CC=CC=C1 XZKLXPPYISZJCV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OEBXWWBYZJNKRK-UHFFFAOYSA-N 1-methyl-2,3,4,6,7,8-hexahydropyrimido[1,2-a]pyrimidine Chemical compound C1CCN=C2N(C)CCCN21 OEBXWWBYZJNKRK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KWKAKUADMBZCLK-UHFFFAOYSA-N 1-octene Chemical group CCCCCCC=C KWKAKUADMBZCLK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HIQAWCBKWSQMRQ-UHFFFAOYSA-N 16-methylheptadecanoic acid;2-methylprop-2-enoic acid;propan-2-ol;titanium Chemical compound [Ti].CC(C)O.CC(=C)C(O)=O.CC(=C)C(O)=O.CC(C)CCCCCCCCCCCCCCC(O)=O HIQAWCBKWSQMRQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- IEKHISJGRIEHRE-UHFFFAOYSA-N 16-methylheptadecanoic acid;propan-2-ol;titanium Chemical compound [Ti].CC(C)O.CC(C)CCCCCCCCCCCCCCC(O)=O.CC(C)CCCCCCCCCCCCCCC(O)=O.CC(C)CCCCCCCCCCCCCCC(O)=O IEKHISJGRIEHRE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HTQNYBBTZSBWKL-UHFFFAOYSA-N 2,3,4-trihydroxbenzophenone Chemical compound OC1=C(O)C(O)=CC=C1C(=O)C1=CC=CC=C1 HTQNYBBTZSBWKL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RUFZNDNBXKOZQV-UHFFFAOYSA-N 2,3-dihydro-1h-pyrrolo[1,2-a]benzimidazole Chemical compound C1=CC=C2N(CCC3)C3=NC2=C1 RUFZNDNBXKOZQV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OAYXUHPQHDHDDZ-UHFFFAOYSA-N 2-(2-butoxyethoxy)ethanol Chemical compound CCCCOCCOCCO OAYXUHPQHDHDDZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VVFVRTNNLLZXAL-UHFFFAOYSA-N 2-(2-methylphenyl)guanidine Chemical compound CC1=CC=CC=C1N=C(N)N VVFVRTNNLLZXAL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PJGMVHVKKXYDAI-UHFFFAOYSA-O 2-(2-undecyl-1h-imidazol-1-ium-1-yl)propanenitrile Chemical compound CCCCCCCCCCCC1=NC=C[NH+]1C(C)C#N PJGMVHVKKXYDAI-UHFFFAOYSA-O 0.000 description 1
- JAHNSTQSQJOJLO-UHFFFAOYSA-N 2-(3-fluorophenyl)-1h-imidazole Chemical compound FC1=CC=CC(C=2NC=CN=2)=C1 JAHNSTQSQJOJLO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DJOYTAUERRJRAT-UHFFFAOYSA-N 2-(n-methyl-4-nitroanilino)acetonitrile Chemical compound N#CCN(C)C1=CC=C([N+]([O-])=O)C=C1 DJOYTAUERRJRAT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- USGCMNLQYSXCDU-UHFFFAOYSA-N 2-cyclohexyl-1-(diaminomethylidene)guanidine Chemical compound NC(N)=NC(N)=NC1CCCCC1 USGCMNLQYSXCDU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AJGAPBXTFUSKNJ-UHFFFAOYSA-N 2-cyclohexylguanidine Chemical compound NC(=N)NC1CCCCC1 AJGAPBXTFUSKNJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KKOHCQAVIJDYAF-UHFFFAOYSA-N 2-dodecylbenzenesulfonic acid;propan-2-ol;titanium Chemical compound [Ti].CC(C)O.CCCCCCCCCCCCC1=CC=CC=C1S(O)(=O)=O.CCCCCCCCCCCCC1=CC=CC=C1S(O)(=O)=O.CCCCCCCCCCCCC1=CC=CC=C1S(O)(=O)=O KKOHCQAVIJDYAF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZNQVEEAIQZEUHB-UHFFFAOYSA-N 2-ethoxyethanol Chemical compound CCOCCO ZNQVEEAIQZEUHB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SVONRAPFKPVNKG-UHFFFAOYSA-N 2-ethoxyethyl acetate Chemical compound CCOCCOC(C)=O SVONRAPFKPVNKG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KEWLVUBYGUZFKX-UHFFFAOYSA-N 2-ethylguanidine Chemical compound CCNC(N)=N KEWLVUBYGUZFKX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KTXWGMUMDPYXNN-UHFFFAOYSA-N 2-ethylhexan-1-olate;titanium(4+) Chemical compound [Ti+4].CCCCC(CC)C[O-].CCCCC(CC)C[O-].CCCCC(CC)C[O-].CCCCC(CC)C[O-] KTXWGMUMDPYXNN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YTWBFUCJVWKCCK-UHFFFAOYSA-N 2-heptadecyl-1h-imidazole Chemical compound CCCCCCCCCCCCCCCCCC1=NC=CN1 YTWBFUCJVWKCCK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DTQHSUHILQWIOM-UHFFFAOYSA-J 2-hydroxypropanoate titanium(4+) dihydroxide Chemical compound O[Ti++]O.CC(O)C([O-])=O.CC(O)C([O-])=O DTQHSUHILQWIOM-UHFFFAOYSA-J 0.000 description 1
- LXBGSDVWAMZHDD-UHFFFAOYSA-N 2-methyl-1h-imidazole Chemical compound CC1=NC=CN1 LXBGSDVWAMZHDD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VWSLLSXLURJCDF-UHFFFAOYSA-N 2-methyl-4,5-dihydro-1h-imidazole Chemical compound CC1=NCCN1 VWSLLSXLURJCDF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QTWJRLJHJPIABL-UHFFFAOYSA-N 2-methylphenol;3-methylphenol;4-methylphenol Chemical compound CC1=CC=C(O)C=C1.CC1=CC=CC(O)=C1.CC1=CC=CC=C1O QTWJRLJHJPIABL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZCUJYXPAKHMBAZ-UHFFFAOYSA-N 2-phenyl-1h-imidazole Chemical compound C1=CNC(C=2C=CC=CC=2)=N1 ZCUJYXPAKHMBAZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RJIQELZAIWFNTQ-UHFFFAOYSA-N 2-phenyl-1h-imidazole;1,3,5-triazinane-2,4,6-trione Chemical compound O=C1NC(=O)NC(=O)N1.C1=CNC(C=2C=CC=CC=2)=N1 RJIQELZAIWFNTQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BKCCAYLNRIRKDJ-UHFFFAOYSA-N 2-phenyl-4,5-dihydro-1h-imidazole Chemical compound N1CCN=C1C1=CC=CC=C1 BKCCAYLNRIRKDJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QRJZGVVKGFIGLI-UHFFFAOYSA-N 2-phenylguanidine Chemical compound NC(=N)NC1=CC=CC=C1 QRJZGVVKGFIGLI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LLEASVZEQBICSN-UHFFFAOYSA-N 2-undecyl-1h-imidazole Chemical compound CCCCCCCCCCCC1=NC=CN1 LLEASVZEQBICSN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FVKFHMNJTHKMRX-UHFFFAOYSA-N 3,4,6,7,8,9-hexahydro-2H-pyrimido[1,2-a]pyrimidine Chemical compound C1CCN2CCCNC2=N1 FVKFHMNJTHKMRX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UIDDPPKZYZTEGS-UHFFFAOYSA-N 3-(2-ethyl-4-methylimidazol-1-yl)propanenitrile Chemical compound CCC1=NC(C)=CN1CCC#N UIDDPPKZYZTEGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SESYNEDUKZDRJL-UHFFFAOYSA-N 3-(2-methylimidazol-1-yl)propanenitrile Chemical compound CC1=NC=CN1CCC#N SESYNEDUKZDRJL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BVYPJEBKDLFIDL-UHFFFAOYSA-N 3-(2-phenylimidazol-1-yl)propanenitrile Chemical compound N#CCCN1C=CN=C1C1=CC=CC=C1 BVYPJEBKDLFIDL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SZUPZARBRLCVCB-UHFFFAOYSA-N 3-(2-undecylimidazol-1-yl)propanenitrile Chemical compound CCCCCCCCCCCC1=NC=CN1CCC#N SZUPZARBRLCVCB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WVRNUXJQQFPNMN-VAWYXSNFSA-N 3-[(e)-dodec-1-enyl]oxolane-2,5-dione Chemical compound CCCCCCCCCC\C=C\C1CC(=O)OC1=O WVRNUXJQQFPNMN-VAWYXSNFSA-N 0.000 description 1
- ZDZYGYFHTPFREM-UHFFFAOYSA-N 3-[3-aminopropyl(dimethoxy)silyl]oxypropan-1-amine Chemical compound NCCC[Si](OC)(OC)OCCCN ZDZYGYFHTPFREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XUSNPFGLKGCWGN-UHFFFAOYSA-N 3-[4-(3-aminopropyl)piperazin-1-yl]propan-1-amine Chemical compound NCCCN1CCN(CCCN)CC1 XUSNPFGLKGCWGN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BYIMSFXYUSZVLI-UHFFFAOYSA-N 3-methoxysilylpropan-1-amine Chemical compound CO[SiH2]CCCN BYIMSFXYUSZVLI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JIGUICYYOYEXFS-UHFFFAOYSA-N 3-tert-butylbenzene-1,2-diol Chemical compound CC(C)(C)C1=CC=CC(O)=C1O JIGUICYYOYEXFS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DCQBZYNUSLHVJC-UHFFFAOYSA-N 3-triethoxysilylpropane-1-thiol Chemical compound CCO[Si](OCC)(OCC)CCCS DCQBZYNUSLHVJC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LVNLBBGBASVLLI-UHFFFAOYSA-N 3-triethoxysilylpropylurea Chemical compound CCO[Si](OCC)(OCC)CCCNC(N)=O LVNLBBGBASVLLI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UUEWCQRISZBELL-UHFFFAOYSA-N 3-trimethoxysilylpropane-1-thiol Chemical compound CO[Si](OC)(OC)CCCS UUEWCQRISZBELL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VQVIHDPBMFABCQ-UHFFFAOYSA-N 5-(1,3-dioxo-2-benzofuran-5-carbonyl)-2-benzofuran-1,3-dione Chemical compound C1=C2C(=O)OC(=O)C2=CC(C(C=2C=C3C(=O)OC(=O)C3=CC=2)=O)=C1 VQVIHDPBMFABCQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- IZSHZLKNFQAAKX-UHFFFAOYSA-N 5-cyclopenta-2,4-dien-1-ylcyclopenta-1,3-diene Chemical group C1=CC=CC1C1C=CC=C1 IZSHZLKNFQAAKX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- TYOXIFXYEIILLY-UHFFFAOYSA-N 5-methyl-2-phenyl-1h-imidazole Chemical compound N1C(C)=CN=C1C1=CC=CC=C1 TYOXIFXYEIILLY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JVERADGGGBYHNP-UHFFFAOYSA-N 5-phenylbenzene-1,2,3,4-tetracarboxylic acid Chemical compound OC(=O)C1=C(C(O)=O)C(C(=O)O)=CC(C=2C=CC=CC=2)=C1C(O)=O JVERADGGGBYHNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MWSKJDNQKGCKPA-UHFFFAOYSA-N 6-methyl-3a,4,5,7a-tetrahydro-2-benzofuran-1,3-dione Chemical compound C1CC(C)=CC2C(=O)OC(=O)C12 MWSKJDNQKGCKPA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004251 Ammonium lactate Substances 0.000 description 1
- 101100056187 Arabidopsis thaliana WIN1 gene Proteins 0.000 description 1
- 229910052582 BN Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000005711 Benzoic acid Substances 0.000 description 1
- PZNSFCLAULLKQX-UHFFFAOYSA-N Boron nitride Chemical compound N#B PZNSFCLAULLKQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DKPFZGUDAPQIHT-UHFFFAOYSA-N Butyl acetate Natural products CCCCOC(C)=O DKPFZGUDAPQIHT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZTQSAGDEMFDKMZ-UHFFFAOYSA-N Butyraldehyde Chemical compound CCCC=O ZTQSAGDEMFDKMZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SRORDPCXIPXEAX-UHFFFAOYSA-N CCCCCCCCCCCCCP(CCCCCCCCCCCCC)(O)(OCCCCCCCC)OCCCCCCCC.CCCCCCCCCCCCCP(CCCCCCCCCCCCC)(O)(OCCCCCCCC)OCCCCCCCC Chemical compound CCCCCCCCCCCCCP(CCCCCCCCCCCCC)(O)(OCCCCCCCC)OCCCCCCCC.CCCCCCCCCCCCCP(CCCCCCCCCCCCC)(O)(OCCCCCCCC)OCCCCCCCC SRORDPCXIPXEAX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-M Chloride anion Chemical compound [Cl-] VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- VGGSQFUCUMXWEO-UHFFFAOYSA-N Ethene Chemical compound C=C VGGSQFUCUMXWEO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000005977 Ethylene Substances 0.000 description 1
- AEMRFAOFKBGASW-UHFFFAOYSA-M Glycolate Chemical compound OCC([O-])=O AEMRFAOFKBGASW-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N Magnesium Chemical compound [Mg] FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VVQNEPGJFQJSBK-UHFFFAOYSA-N Methyl methacrylate Chemical compound COC(=O)C(C)=C VVQNEPGJFQJSBK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FXHOOIRPVKKKFG-UHFFFAOYSA-N N,N-Dimethylacetamide Chemical compound CN(C)C(C)=O FXHOOIRPVKKKFG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SECXISVLQFMRJM-UHFFFAOYSA-N N-Methylpyrrolidone Chemical compound CN1CCCC1=O SECXISVLQFMRJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004677 Nylon Substances 0.000 description 1
- CTQNGGLPUBDAKN-UHFFFAOYSA-N O-Xylene Chemical compound CC1=CC=CC=C1C CTQNGGLPUBDAKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DRNPGEPMHMPIQU-UHFFFAOYSA-N O.[Ti].[Ti].CCCCO.CCCCO.CCCCO.CCCCO.CCCCO.CCCCO Chemical compound O.[Ti].[Ti].CCCCO.CCCCO.CCCCO.CCCCO.CCCCO.CCCCO DRNPGEPMHMPIQU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FFFPYJTVNSSLBQ-UHFFFAOYSA-N Phenolphthalin Chemical compound OC(=O)C1=CC=CC=C1C(C=1C=CC(O)=CC=1)C1=CC=C(O)C=C1 FFFPYJTVNSSLBQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LGRFSURHDFAFJT-UHFFFAOYSA-N Phthalic anhydride Natural products C1=CC=C2C(=O)OC(=O)C2=C1 LGRFSURHDFAFJT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 101100410148 Pinus taeda PT30 gene Proteins 0.000 description 1
- 239000004696 Poly ether ether ketone Substances 0.000 description 1
- 239000005062 Polybutadiene Substances 0.000 description 1
- 239000004697 Polyetherimide Substances 0.000 description 1
- 239000004698 Polyethylene Substances 0.000 description 1
- 239000004743 Polypropylene Substances 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KDYFGRWQOYBRFD-UHFFFAOYSA-N Succinic acid Natural products OC(=O)CCC(O)=O KDYFGRWQOYBRFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FZWLAAWBMGSTSO-UHFFFAOYSA-N Thiazole Chemical compound C1=CSC=N1 FZWLAAWBMGSTSO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000007983 Tris buffer Substances 0.000 description 1
- HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N Zinc Chemical compound [Zn] HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ORLQHILJRHBSAY-UHFFFAOYSA-N [1-(hydroxymethyl)cyclohexyl]methanol Chemical compound OCC1(CO)CCCCC1 ORLQHILJRHBSAY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UUQQGGWZVKUCBD-UHFFFAOYSA-N [4-(hydroxymethyl)-2-phenyl-1h-imidazol-5-yl]methanol Chemical compound N1C(CO)=C(CO)N=C1C1=CC=CC=C1 UUQQGGWZVKUCBD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JNCRKOQSRHDNIO-UHFFFAOYSA-N [4-[(4-cyanato-3,5-dimethylphenyl)methyl]-2,6-dimethylphenyl] cyanate Chemical compound CC1=C(OC#N)C(C)=CC(CC=2C=C(C)C(OC#N)=C(C)C=2)=C1 JNCRKOQSRHDNIO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SIZDMAYTWUINIG-UHFFFAOYSA-N [4-[1-(4-cyanatophenyl)ethyl]phenyl] cyanate Chemical compound C=1C=C(OC#N)C=CC=1C(C)C1=CC=C(OC#N)C=C1 SIZDMAYTWUINIG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- INHGSGHLQLYYND-UHFFFAOYSA-N [4-[2-(4-cyanatophenyl)-1,1,1,3,3,3-hexafluoropropan-2-yl]phenyl] cyanate Chemical compound C=1C=C(OC#N)C=CC=1C(C(F)(F)F)(C(F)(F)F)C1=CC=C(OC#N)C=C1 INHGSGHLQLYYND-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- TWSOFXCPBRATKD-UHFFFAOYSA-N [diphenyl-(triphenylsilylamino)silyl]benzene Chemical compound C=1C=CC=CC=1[Si](C=1C=CC=CC=1)(C=1C=CC=CC=1)N[Si](C=1C=CC=CC=1)(C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1 TWSOFXCPBRATKD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000001242 acetic acid derivatives Chemical class 0.000 description 1
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N acrylic acid group Chemical group C(C=C)(=O)O NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002313 adhesive film Substances 0.000 description 1
- 125000002723 alicyclic group Chemical group 0.000 description 1
- 239000004844 aliphatic epoxy resin Substances 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OJMOMXZKOWKUTA-UHFFFAOYSA-N aluminum;borate Chemical compound [Al+3].[O-]B([O-])[O-] OJMOMXZKOWKUTA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000001408 amides Chemical class 0.000 description 1
- 229940059265 ammonium lactate Drugs 0.000 description 1
- 235000019286 ammonium lactate Nutrition 0.000 description 1
- 150000008064 anhydrides Chemical class 0.000 description 1
- 230000003254 anti-foaming effect Effects 0.000 description 1
- 239000012298 atmosphere Substances 0.000 description 1
- RZOBLYBZQXQGFY-HSHFZTNMSA-N azanium;(2r)-2-hydroxypropanoate Chemical compound [NH4+].C[C@@H](O)C([O-])=O RZOBLYBZQXQGFY-HSHFZTNMSA-N 0.000 description 1
- JRPBQTZRNDNNOP-UHFFFAOYSA-N barium titanate Chemical compound [Ba+2].[Ba+2].[O-][Ti]([O-])([O-])[O-] JRPBQTZRNDNNOP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910002113 barium titanate Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910021523 barium zirconate Inorganic materials 0.000 description 1
- DQBAOWPVHRWLJC-UHFFFAOYSA-N barium(2+);dioxido(oxo)zirconium Chemical compound [Ba+2].[O-][Zr]([O-])=O DQBAOWPVHRWLJC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 235000010233 benzoic acid Nutrition 0.000 description 1
- 150000005130 benzoxazines Chemical class 0.000 description 1
- 229910002115 bismuth titanate Inorganic materials 0.000 description 1
- ZFVMWEVVKGLCIJ-UHFFFAOYSA-N bisphenol AF Chemical compound C1=CC(O)=CC=C1C(C(F)(F)F)(C(F)(F)F)C1=CC=C(O)C=C1 ZFVMWEVVKGLCIJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000009835 boiling Methods 0.000 description 1
- XSEUMFJMFFMCIU-UHFFFAOYSA-N buformin Chemical compound CCCC\N=C(/N)N=C(N)N XSEUMFJMFFMCIU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NUFATYMMMZQQCQ-UHFFFAOYSA-N butan-1-olate;titanium(3+) Chemical compound [Ti+3].CCCC[O-].CCCC[O-].CCCC[O-] NUFATYMMMZQQCQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KDYFGRWQOYBRFD-NUQCWPJISA-N butanedioic acid Chemical compound O[14C](=O)CC[14C](O)=O KDYFGRWQOYBRFD-NUQCWPJISA-N 0.000 description 1
- JHIWVOJDXOSYLW-UHFFFAOYSA-N butyl 2,2-difluorocyclopropane-1-carboxylate Chemical compound CCCCOC(=O)C1CC1(F)F JHIWVOJDXOSYLW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CQEYYJKEWSMYFG-UHFFFAOYSA-N butyl acrylate Chemical compound CCCCOC(=O)C=C CQEYYJKEWSMYFG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920005549 butyl rubber Polymers 0.000 description 1
- DAQREMPZDNTSMS-UHFFFAOYSA-M butyl(triphenyl)phosphanium;thiocyanate Chemical compound [S-]C#N.C=1C=CC=CC=1[P+](C=1C=CC=CC=1)(CCCC)C1=CC=CC=C1 DAQREMPZDNTSMS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 229910000019 calcium carbonate Inorganic materials 0.000 description 1
- AOWKSNWVBZGMTJ-UHFFFAOYSA-N calcium titanate Chemical compound [Ca+2].[O-][Ti]([O-])=O AOWKSNWVBZGMTJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000011088 calibration curve Methods 0.000 description 1
- 239000006229 carbon black Substances 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 239000004927 clay Substances 0.000 description 1
- 229910052570 clay Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000001868 cobalt Chemical class 0.000 description 1
- 239000010941 cobalt Substances 0.000 description 1
- 229910017052 cobalt Inorganic materials 0.000 description 1
- GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N cobalt atom Chemical compound [Co] GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FCEOGYWNOSBEPV-FDGPNNRMSA-N cobalt;(z)-4-hydroxypent-3-en-2-one Chemical compound [Co].C\C(O)=C\C(C)=O.C\C(O)=C\C(C)=O FCEOGYWNOSBEPV-FDGPNNRMSA-N 0.000 description 1
- JUPWRUDTZGBNEX-UHFFFAOYSA-N cobalt;pentane-2,4-dione Chemical compound [Co].CC(=O)CC(C)=O.CC(=O)CC(C)=O.CC(=O)CC(C)=O JUPWRUDTZGBNEX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000003086 colorant Substances 0.000 description 1
- 238000013329 compounding Methods 0.000 description 1
- 238000006482 condensation reaction Methods 0.000 description 1
- 150000001879 copper Chemical class 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 1
- 239000011889 copper foil Substances 0.000 description 1
- XCJYREBRNVKWGJ-UHFFFAOYSA-N copper(II) phthalocyanine Chemical compound [Cu+2].C12=CC=CC=C2C(N=C2[N-]C(C3=CC=CC=C32)=N2)=NC1=NC([C]1C=CC=CC1=1)=NC=1N=C1[C]3C=CC=CC3=C2[N-]1 XCJYREBRNVKWGJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZKXWKVVCCTZOLD-FDGPNNRMSA-N copper;(z)-4-hydroxypent-3-en-2-one Chemical compound [Cu].C\C(O)=C\C(C)=O.C\C(O)=C\C(C)=O ZKXWKVVCCTZOLD-FDGPNNRMSA-N 0.000 description 1
- 238000003851 corona treatment Methods 0.000 description 1
- 229930003836 cresol Natural products 0.000 description 1
- 229910002026 crystalline silica Inorganic materials 0.000 description 1
- DEKLIKGLDMCMJG-UHFFFAOYSA-M decanoate;tetrabutylphosphanium Chemical compound CCCCCCCCCC([O-])=O.CCCC[P+](CCCC)(CCCC)CCCC DEKLIKGLDMCMJG-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 125000000664 diazo group Chemical group [N-]=[N+]=[*] 0.000 description 1
- QGBSISYHAICWAH-UHFFFAOYSA-N dicyandiamide Chemical compound NC(N)=NC#N QGBSISYHAICWAH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OTARVPUIYXHRRB-UHFFFAOYSA-N diethoxy-methyl-[3-(oxiran-2-ylmethoxy)propyl]silane Chemical compound CCO[Si](C)(OCC)CCCOCC1CO1 OTARVPUIYXHRRB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000006222 dimethylaminomethyl group Chemical group [H]C([H])([H])N(C([H])([H])[H])C([H])([H])* 0.000 description 1
- XXBDWLFCJWSEKW-UHFFFAOYSA-N dimethylbenzylamine Chemical compound CN(C)CC1=CC=CC=C1 XXBDWLFCJWSEKW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HTDKEJXHILZNPP-UHFFFAOYSA-N dioctyl hydrogen phosphate Chemical compound CCCCCCCCOP(O)(=O)OCCCCCCCC HTDKEJXHILZNPP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XMQYIPNJVLNWOE-UHFFFAOYSA-N dioctyl hydrogen phosphite Chemical compound CCCCCCCCOP(O)OCCCCCCCC XMQYIPNJVLNWOE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VTIXMGZYGRZMAW-UHFFFAOYSA-N ditridecyl hydrogen phosphite Chemical compound CCCCCCCCCCCCCOP(O)OCCCCCCCCCCCCC VTIXMGZYGRZMAW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000428 dust Substances 0.000 description 1
- 238000002296 dynamic light scattering Methods 0.000 description 1
- 125000004185 ester group Chemical group 0.000 description 1
- 230000001747 exhibiting effect Effects 0.000 description 1
- 238000011049 filling Methods 0.000 description 1
- ANSXAPJVJOKRDJ-UHFFFAOYSA-N furo[3,4-f][2]benzofuran-1,3,5,7-tetrone Chemical compound C1=C2C(=O)OC(=O)C2=CC2=C1C(=O)OC2=O ANSXAPJVJOKRDJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000000623 heterocyclic group Chemical group 0.000 description 1
- FUZZWVXGSFPDMH-UHFFFAOYSA-N hexanoic acid Chemical compound CCCCCC(O)=O FUZZWVXGSFPDMH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004615 ingredient Substances 0.000 description 1
- 230000002401 inhibitory effect Effects 0.000 description 1
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 1
- AQBLLJNPHDIAPN-LNTINUHCSA-K iron(3+);(z)-4-oxopent-2-en-2-olate Chemical compound [Fe+3].C\C([O-])=C\C(C)=O.C\C([O-])=C\C(C)=O.C\C([O-])=C\C(C)=O AQBLLJNPHDIAPN-LNTINUHCSA-K 0.000 description 1
- 239000012948 isocyanate Substances 0.000 description 1
- 150000002576 ketones Chemical class 0.000 description 1
- 238000007561 laser diffraction method Methods 0.000 description 1
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 description 1
- ZLNQQNXFFQJAID-UHFFFAOYSA-L magnesium carbonate Chemical compound [Mg+2].[O-]C([O-])=O ZLNQQNXFFQJAID-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 239000001095 magnesium carbonate Substances 0.000 description 1
- 229910000021 magnesium carbonate Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000395 magnesium oxide Substances 0.000 description 1
- CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N magnesium oxide Inorganic materials [Mg]=O CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AXZKOIWUVFPNLO-UHFFFAOYSA-N magnesium;oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[Mg+2] AXZKOIWUVFPNLO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000005439 maleimidyl group Chemical class C1(C=CC(N1*)=O)=O 0.000 description 1
- 150000002696 manganese Chemical class 0.000 description 1
- ZQZQURFYFJBOCE-FDGPNNRMSA-L manganese(2+);(z)-4-oxopent-2-en-2-olate Chemical compound [Mn+2].C\C([O-])=C\C(C)=O.C\C([O-])=C\C(C)=O ZQZQURFYFJBOCE-FDGPNNRMSA-L 0.000 description 1
- WPBNNNQJVZRUHP-UHFFFAOYSA-L manganese(2+);methyl n-[[2-(methoxycarbonylcarbamothioylamino)phenyl]carbamothioyl]carbamate;n-[2-(sulfidocarbothioylamino)ethyl]carbamodithioate Chemical compound [Mn+2].[S-]C(=S)NCCNC([S-])=S.COC(=O)NC(=S)NC1=CC=CC=C1NC(=S)NC(=O)OC WPBNNNQJVZRUHP-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 239000000155 melt Substances 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- XZWYZXLIPXDOLR-UHFFFAOYSA-N metformin Chemical compound CN(C)C(=N)NC(N)=N XZWYZXLIPXDOLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LVHBHZANLOWSRM-UHFFFAOYSA-N methylenebutanedioic acid Natural products OC(=O)CC(=C)C(O)=O LVHBHZANLOWSRM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VYKXQOYUCMREIS-UHFFFAOYSA-N methylhexahydrophthalic anhydride Chemical compound C1CCCC2C(=O)OC(=O)C21C VYKXQOYUCMREIS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BFXIKLCIZHOAAZ-UHFFFAOYSA-N methyltrimethoxysilane Chemical compound CO[Si](C)(OC)OC BFXIKLCIZHOAAZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000010445 mica Substances 0.000 description 1
- 229910052618 mica group Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000012046 mixed solvent Substances 0.000 description 1
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 1
- GEMHFKXPOCTAIP-UHFFFAOYSA-N n,n-dimethyl-n'-phenylcarbamimidoyl chloride Chemical compound CN(C)C(Cl)=NC1=CC=CC=C1 GEMHFKXPOCTAIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KBJFYLLAMSZSOG-UHFFFAOYSA-N n-(3-trimethoxysilylpropyl)aniline Chemical compound CO[Si](OC)(OC)CCCNC1=CC=CC=C1 KBJFYLLAMSZSOG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FZZQNEVOYIYFPF-UHFFFAOYSA-N naphthalene-1,6-diol Chemical compound OC1=CC=CC2=CC(O)=CC=C21 FZZQNEVOYIYFPF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MNZMMCVIXORAQL-UHFFFAOYSA-N naphthalene-2,6-diol Chemical compound C1=C(O)C=CC2=CC(O)=CC=C21 MNZMMCVIXORAQL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YTVNOVQHSGMMOV-UHFFFAOYSA-N naphthalenetetracarboxylic dianhydride Chemical compound C1=CC(C(=O)OC2=O)=C3C2=CC=C2C(=O)OC(=O)C1=C32 YTVNOVQHSGMMOV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000002815 nickel Chemical class 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- BMGNSKKZFQMGDH-FDGPNNRMSA-L nickel(2+);(z)-4-oxopent-2-en-2-olate Chemical compound [Ni+2].C\C([O-])=C\C(C)=O.C\C([O-])=C\C(C)=O BMGNSKKZFQMGDH-FDGPNNRMSA-L 0.000 description 1
- 229910017464 nitrogen compound Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002830 nitrogen compounds Chemical class 0.000 description 1
- 239000004745 nonwoven fabric Substances 0.000 description 1
- 229920001778 nylon Polymers 0.000 description 1
- JFOJYGMDZRCSPA-UHFFFAOYSA-J octadecanoate;tin(4+) Chemical compound [Sn+4].CCCCCCCCCCCCCCCCCC([O-])=O.CCCCCCCCCCCCCCCCCC([O-])=O.CCCCCCCCCCCCCCCCCC([O-])=O.CCCCCCCCCCCCCCCCCC([O-])=O JFOJYGMDZRCSPA-UHFFFAOYSA-J 0.000 description 1
- WWZKQHOCKIZLMA-UHFFFAOYSA-N octanoic acid Chemical compound CCCCCCCC(O)=O WWZKQHOCKIZLMA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000012766 organic filler Substances 0.000 description 1
- AFEQENGXSMURHA-UHFFFAOYSA-N oxiran-2-ylmethanamine Chemical compound NCC1CO1 AFEQENGXSMURHA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PRCNQQRRDGMPKS-UHFFFAOYSA-N pentane-2,4-dione;zinc Chemical compound [Zn].CC(=O)CC(C)=O.CC(=O)CC(C)=O PRCNQQRRDGMPKS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000001997 phenyl group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C(*)C([H])=C1[H] 0.000 description 1
- LYKRPDCJKSXAHS-UHFFFAOYSA-N phenyl-(2,3,4,5-tetrahydroxyphenyl)methanone Chemical compound OC1=C(O)C(O)=CC(C(=O)C=2C=CC=CC=2)=C1O LYKRPDCJKSXAHS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QCDYQQDYXPDABM-UHFFFAOYSA-N phloroglucinol Chemical compound OC1=CC(O)=CC(O)=C1 QCDYQQDYXPDABM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229960001553 phloroglucinol Drugs 0.000 description 1
- IEQIEDJGQAUEQZ-UHFFFAOYSA-N phthalocyanine Chemical compound N1C(N=C2C3=CC=CC=C3C(N=C3C4=CC=CC=C4C(=N4)N3)=N2)=C(C=CC=C2)C2=C1N=C1C2=CC=CC=C2C4=N1 IEQIEDJGQAUEQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002985 plastic film Substances 0.000 description 1
- 229920006255 plastic film Polymers 0.000 description 1
- 229920003207 poly(ethylene-2,6-naphthalate) Polymers 0.000 description 1
- 229920002037 poly(vinyl butyral) polymer Polymers 0.000 description 1
- 229920002857 polybutadiene Polymers 0.000 description 1
- 229920006289 polycarbonate film Polymers 0.000 description 1
- 229920005668 polycarbonate resin Polymers 0.000 description 1
- 239000004431 polycarbonate resin Substances 0.000 description 1
- 229920001225 polyester resin Polymers 0.000 description 1
- 239000004645 polyester resin Substances 0.000 description 1
- 229920002530 polyetherether ketone Polymers 0.000 description 1
- 229920001601 polyetherimide Polymers 0.000 description 1
- 229920000573 polyethylene Polymers 0.000 description 1
- 239000011112 polyethylene naphthalate Substances 0.000 description 1
- 229920000098 polyolefin Polymers 0.000 description 1
- 229920001155 polypropylene Polymers 0.000 description 1
- 239000004800 polyvinyl chloride Substances 0.000 description 1
- 229920000915 polyvinyl chloride Polymers 0.000 description 1
- 230000002265 prevention Effects 0.000 description 1
- JTQPTNQXCUMDRK-UHFFFAOYSA-N propan-2-olate;titanium(2+) Chemical compound CC(C)O[Ti]OC(C)C JTQPTNQXCUMDRK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LLHKCFNBLRBOGN-UHFFFAOYSA-N propylene glycol methyl ether acetate Chemical compound COCC(C)OC(C)=O LLHKCFNBLRBOGN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WQGWDDDVZFFDIG-UHFFFAOYSA-N pyrogallol Chemical compound OC1=CC=CC(O)=C1O WQGWDDDVZFFDIG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920003987 resole Polymers 0.000 description 1
- 150000003839 salts Chemical class 0.000 description 1
- 238000000790 scattering method Methods 0.000 description 1
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 1
- 239000011863 silicon-based powder Substances 0.000 description 1
- 229920002050 silicone resin Polymers 0.000 description 1
- APSBXTVYXVQYAB-UHFFFAOYSA-M sodium docusate Chemical group [Na+].CCCCC(CC)COC(=O)CC(S([O-])(=O)=O)C(=O)OCC(CC)CCCC APSBXTVYXVQYAB-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- CMXPERZAMAQXSF-UHFFFAOYSA-M sodium;1,4-bis(2-ethylhexoxy)-1,4-dioxobutane-2-sulfonate;1,8-dihydroxyanthracene-9,10-dione Chemical compound [Na+].O=C1C2=CC=CC(O)=C2C(=O)C2=C1C=CC=C2O.CCCCC(CC)COC(=O)CC(S([O-])(=O)=O)C(=O)OCC(CC)CCCC CMXPERZAMAQXSF-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- WSFQLUVWDKCYSW-UHFFFAOYSA-M sodium;2-hydroxy-3-morpholin-4-ylpropane-1-sulfonate Chemical compound [Na+].[O-]S(=O)(=O)CC(O)CN1CCOCC1 WSFQLUVWDKCYSW-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 125000003003 spiro group Chemical group 0.000 description 1
- VEALVRVVWBQVSL-UHFFFAOYSA-N strontium titanate Chemical compound [Sr+2].[O-][Ti]([O-])=O VEALVRVVWBQVSL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000004381 surface treatment Methods 0.000 description 1
- 239000012756 surface treatment agent Substances 0.000 description 1
- 239000000454 talc Substances 0.000 description 1
- 229910052623 talc Inorganic materials 0.000 description 1
- GHPYAGKTTCKKDF-UHFFFAOYSA-M tetraphenylphosphanium;thiocyanate Chemical compound [S-]C#N.C1=CC=CC=C1[P+](C=1C=CC=CC=1)(C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1 GHPYAGKTTCKKDF-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- AYEKOFBPNLCAJY-UHFFFAOYSA-O thiamine pyrophosphate Chemical compound CC1=C(CCOP(O)(=O)OP(O)(O)=O)SC=[N+]1CC1=CN=C(C)N=C1N AYEKOFBPNLCAJY-UHFFFAOYSA-O 0.000 description 1
- 239000002562 thickening agent Substances 0.000 description 1
- 150000003568 thioethers Chemical class 0.000 description 1
- 239000011135 tin Substances 0.000 description 1
- OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N titanium oxide Inorganic materials [Ti]=O OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000005270 trialkylamine group Chemical group 0.000 description 1
- 150000003852 triazoles Chemical class 0.000 description 1
- IMFACGCPASFAPR-UHFFFAOYSA-N tributylamine Chemical compound CCCCN(CCCC)CCCC IMFACGCPASFAPR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JXUKBNICSRJFAP-UHFFFAOYSA-N triethoxy-[3-(oxiran-2-ylmethoxy)propyl]silane Chemical compound CCO[Si](OCC)(OCC)CCCOCC1CO1 JXUKBNICSRJFAP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SRPWOOOHEPICQU-UHFFFAOYSA-N trimellitic anhydride Chemical compound OC(=O)C1=CC=C2C(=O)OC(=O)C2=C1 SRPWOOOHEPICQU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZNOCGWVLWPVKAO-UHFFFAOYSA-N trimethoxy(phenyl)silane Chemical compound CO[Si](OC)(OC)C1=CC=CC=C1 ZNOCGWVLWPVKAO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BPSIOYPQMFLKFR-UHFFFAOYSA-N trimethoxy-[3-(oxiran-2-ylmethoxy)propyl]silane Chemical compound CO[Si](OC)(OC)CCCOCC1CO1 BPSIOYPQMFLKFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VMYXFDVIMUEKNP-UHFFFAOYSA-N trimethoxy-[5-(oxiran-2-yl)pentyl]silane Chemical compound CO[Si](OC)(OC)CCCCCC1CO1 VMYXFDVIMUEKNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FIQMHBFVRAXMOP-UHFFFAOYSA-N triphenylphosphane oxide Chemical compound C=1C=CC=CC=1P(C=1C=CC=CC=1)(=O)C1=CC=CC=C1 FIQMHBFVRAXMOP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000008096 xylene Substances 0.000 description 1
- 150000003751 zinc Chemical class 0.000 description 1
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011701 zinc Substances 0.000 description 1
- XOOUIPVCVHRTMJ-UHFFFAOYSA-L zinc stearate Chemical compound [Zn+2].CCCCCCCCCCCCCCCCCC([O-])=O.CCCCCCCCCCCCCCCCCC([O-])=O XOOUIPVCVHRTMJ-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- CHJMFFKHPHCQIJ-UHFFFAOYSA-L zinc;octanoate Chemical compound [Zn+2].CCCCCCCC([O-])=O.CCCCCCCC([O-])=O CHJMFFKHPHCQIJ-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/12—Mountings, e.g. non-detachable insulating substrates
- H01L23/13—Mountings, e.g. non-detachable insulating substrates characterised by the shape
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/12—Mountings, e.g. non-detachable insulating substrates
- H01L23/14—Mountings, e.g. non-detachable insulating substrates characterised by the material or its electrical properties
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
- Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)
- Laminated Bodies (AREA)
- Compositions Of Macromolecular Compounds (AREA)
Abstract
【解決手段】(A層)弾性率が5GPa以上25GPa以下である薄膜層2、(B層)弾性率が0.1GPa以上1GPa以下である封止層3、(C層)回路基板層4、を順番に有し、A層2の厚みが1〜200μmであり、B層3の厚みが100〜600μmであり、C層4の厚みが1〜100μmであり、パッケージ反りが235μm以下であることを特徴とする。
【選択図】図1
Description
〔1〕(A層)弾性率が5GPa以上25GPa以下である薄膜層、
(B層)弾性率が0.1GPa以上1GPa以下である封止層、
(C層)回路基板層、
を順番に有し、
A層の厚みが1〜200μmであり、B層の厚みが100〜600μmであり、C層の厚みが1〜100μmであり、
パッケージ反りが235μm以下であることを特徴とする半導体パッケージ。
〔2〕C層の厚みを1とした場合、A層の厚みが0.05〜3の範囲であることを特徴とする、上記〔1〕に記載の半導体パッケージ。
〔3〕C層の厚みを1とした場合、B層の厚みが0.05〜10の範囲であることを特徴とする、上記〔1〕又は〔2〕に記載の半導体パッケージ。
〔4〕前記A層の厚みが10〜150μmであり、前記B層の厚みが100〜500μmであり、前記C層の厚みが50〜100μmであり、パッケージ反りが0.1〜200μmであることを特徴とする、上記〔1〕〜〔3〕のいずれか記載の半導体パッケージ。
〔5〕前記A層の厚みが20〜70μmであることを特徴とする、上記〔1〕〜〔4〕のいずれか記載の半導体パッケージ。
〔6〕リフロー処理後のパッケージ反りが360μm以下であることを特徴とする、上記〔1〕〜〔5〕のいずれかに記載の半導体パッケージ。
〔7〕リフロー処理後のパッケージ反りが0.1〜250μmであることを特徴とする、上記〔1〕〜〔6〕のいずれかに記載の半導体パッケージ。
〔8〕封止層用樹脂ペーストを直接C層上に塗布、乾燥することによりB層を形成することを特徴とする、上記〔1〕〜〔7〕のいずれかに記載の製造方法。
〔9〕封止層用接着シートをC層上にラミネートすることによりB層を形成することを特徴とする、上記〔1〕〜〔7〕のいずれかに記載の製造方法。
〔10〕薄膜層用樹脂ペーストをB層上に塗布、乾燥することによりA層を形成することを特徴とする、上記〔1〕〜〔7〕のいずれかに記載の製造方法。
〔11〕薄膜層用接着シートをB層上にラミネートすることによりA層を形成することを特徴とする、上記〔1〕〜〔7〕のいずれかに記載の製造方法。
〔12〕薄膜層用硬化物シートをB層上にラミネートすることによりA層を形成することを特徴とする、上記〔1〕〜〔7〕のいずれかに記載の製造方法。
〔13〕下記工程1)〜4)を含有することを特徴とする上記〔1〕〜〔7〕のいずれかに記載の半導体パッケージの製造方法。
工程1)樹脂ワニスを支持体に塗布し、乾燥させて、薄膜層用接着シートを製造する工程又は樹脂ワニスをシート状繊維基材に含浸させ、乾燥させて薄膜層用接着シートを製造する工程
工程2)樹脂ワニスを支持体に塗布し、乾燥させて、封止層用接着シートを製造する工程
工程3)薄膜層用接着シートと封止層用接着シートとをラミネートして、封止層用接着シートの支持体を除去して、二層接着シートを製造する工程
工程4)二層接着シートの封止層用樹脂組成物層面をC層上にラミネートする工程
〔14〕下記工程1)〜4)を含有することを特徴とする上記〔1〕〜〔7〕のいずれかに記載の半導体パッケージの製造方法。
工程1)樹脂ワニスを支持体に塗布し、乾燥させ、熱硬化して、薄膜層用硬化物シートを製造する工程又は樹脂ワニスをシート状繊維基材に含浸させ、乾燥させ、熱硬化して薄膜層用硬化物シートを製造する工程
工程2)樹脂ワニスを支持体に塗布し、乾燥させて、封止層用接着シートを製造する工程
工程3)薄膜層用硬化物シートと封止層用接着シートとをラミネートして、封止層用接着シートの支持体を除去して、一部硬化二層接着シートを製造する工程
工程4)一部硬化二層接着シートの封止層用樹脂組成物層面をC層上にラミネートする工程
(A層)弾性率が5GPa以上25GPa以下である薄膜層、
(B層)弾性率が0.1GPa以上1GPa以下である封止層、
(C層)回路基板層、
を順番に有し、
A層の厚みが1〜200μmであり、B層の厚みが100〜600μmであり、C層の厚みが1〜100μmであり、
パッケージ反りが235μm以下であることを特徴とする半導体パッケージ、である。
本発明のA層は反り低減のために弾性率が5GPa以上25GPa以下であることが特徴である。A層は熱硬化工程後の絶縁層のことを意味する。このA層は、熱硬化性樹脂組成物を用いて得ることができる。熱硬化性樹脂組成物は、半導体パッケージの絶縁層に適するものであれば、特に制限なく使用でき、(a)エポキシ樹脂を含有するものが好ましく、(a)エポキシ樹脂、(b)硬化剤、(c)無機充填材を含有するものがより好ましい。さらに、硬化促進剤、熱可塑性樹脂、ゴム粒子、難燃剤、他の成分等も適宜配合することができる。
エポキシ樹脂としては、特に限定されないが、ビスフェノールA型エポキシ樹脂、ビスフェノールF型エポキシ樹脂、ビスフェノールS型エポキシ樹脂、ビスフェノールAF型エポキシ樹脂、フェノールノボラック型エポキシ樹脂、tert-ブチル-カテコール型エポキシ樹脂、ナフトール型エポキシ樹脂、ナフタレン型エポキシ樹脂、ナフチレンエーテル型エポキシ樹脂、グリシジルアミン型エポキシ樹脂、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂、ビフェニル型エポキシ樹脂、線状脂肪族エポキシ樹脂、ブタジエン構造を有するエポキシ樹脂、脂環式エポキシ樹脂、複素環式エポキシ樹脂、リン含有エポキシ樹脂、スピロ環含有エポキシ樹脂、シクロヘキサンジメタノール型エポキシ樹脂、トリメチロール型エポキシ樹脂、ハロゲン化エポキシ樹脂等が挙げられる。これらは1種又は2種以上組み合わせて使用してもよい。
(b)硬化剤としては、特に限定されないが、フェノール系硬化剤、ナフトール系硬化剤、活性エステル系硬化剤、ベンゾオキサジン系硬化剤、シアネートエステル系硬化剤、酸無水物系硬化剤等が挙げられ、なかでもフェノール系硬化剤、ナフトール系硬化剤、活性エステル系硬化剤が好ましい。これらは1種又は2種以上組み合わせて使用してもよい。
(c)無機充填材としては、特に限定されないが、例えば、シリカ、アルミナ、硫酸バリウム、タルク、クレー、雲母粉、水酸化アルミニウム、水酸化マグネシウム、炭酸カルシウム、炭酸マグネシウム、酸化マグネシウム、窒化ホウ素、ホウ酸アルミニウム、チタン酸バリウム、チタン酸ストロンチウム、チタン酸カルシウム、チタン酸マグネシウム、チタン酸ビスマス、酸化チタン、ジルコン酸バリウム、ジルコン酸カルシウムなどが挙げられる。なかでも、シリカが好ましい。また、無定形シリカ、粉砕シリカ、溶融シリカ、結晶シリカ、合成シリカ、中空シリカ等のシリカが好ましく、溶融シリカがより好ましい。また、シリカとしては球状のものが好ましい。これらは1種または2種以上組み合わせて使用してもよい。
(d)硬化促進剤としては、特に限定されないが、アミン系硬化促進剤、グアニジン系硬化促進剤、イミダゾール系硬化促進剤、ホスホニウム系硬化促進剤、金属系硬化促進剤等が挙げられる。これらは1種又は2種以上組み合わせて使用してもよい。
(e)熱可塑性樹脂としては、フェノキシ樹脂、ポリイミド樹脂、ポリアミドイミド樹脂、ポリエーテルイミド樹脂、ポリスルホン樹脂、ポリエーテルスルホン樹脂、ポリフェニレンエーテル樹脂、ポリカーボネート樹脂、ポリエーテルエーテルケトン樹脂、ポリエステル樹脂を挙げることができる。これらの熱可塑性樹脂は各々単独で用いてもよく、2種以上を組み合わせて使用してもよい。熱可塑性樹脂の重量平均分子量は5000〜200000の範囲であるのが好ましい。この範囲よりも小さいとフィルム成型能や機械強度向上の効果が十分発揮されない傾向にあり、この範囲よりも大きいと樹脂組成物との相溶性が十分でない傾向にある。なお本発明における重量平均分子量は、ゲルパーミエーションクロマトグラフィー(GPC)法(ポリスチレンン換算)で測定される。GPC法による重量平均分子量は、具体的には、測定装置として(株)島津製作所製LC−9A/RID−6Aを、カラムとして昭和電工(株)社製Shodex K−800P/K−804L/K−804Lを、移動相としてクロロホルム等を用いて、カラム温度40℃にて測定し、標準ポリスチレンの検量線を用いて算出することができる。
(f)ゴム粒子は、例えば、当該樹脂組成物のワニスを調製する際に使用する有機溶剤にも溶解せず、エポキシ樹脂などとも相溶しないものである。従って、該ゴム粒子は、本発明の樹脂組成物のワニス中では分散状態で存在する。このようなゴム粒子は、一般には、ゴム成分の分子量を有機溶剤や樹脂に溶解しないレベルまで大きくし、粒子状とすることで調製される。
(g)難燃剤としては、例えば、有機リン系難燃剤、有機系窒素含有リン化合物、窒素化合物、シリコーン系難燃剤、金属水酸化物等が挙げられる。有機リン系難燃剤としては、三光(株)製のHCA、HCA−HQ、HCA−NQ等のフェナントレン型リン化合物、昭和高分子(株)製のHFB−2006M等のリン含有ベンゾオキサジン化合物、味の素ファインテクノ(株)製のレオフォス30、50、65、90、110、TPP、RPD、BAPP、CPD、TCP、TXP、TBP、TOP、KP140、TIBP、北興化学工業(株)製のTPPO、PPQ、クラリアント(株)製のOP930、大八化学(株)製のPX200等のリン酸エステル化合物、有機系窒素含有リン化合物としては、四国化成工業(株)製のSP670、SP703等のリン酸エステルアミド化合物、大塚化学(株)社製のSPB100、SPE100、(株)伏見製薬所製FP−series等のホスファゼン化合物等が挙げられる。金属水酸化物としては、宇部マテリアルズ(株)製のUD65、UD650、UD653等の水酸化マグネシウム、巴工業(株)社製のB−30、B−325、B−315、B−308、B−303、UFH−20等の水酸化アルミニウム等が挙げられる。
本発明に用いられる樹脂組成物には、本発明の効果を阻害しない範囲で、必要に応じて他の成分を配合することができる。他の成分としては、ビニルベンジル化合物、アクリル化合物、マレイミド化合物、ブロックイソシアネート化合物のような熱硬化性樹脂、シリコンパウダー、ナイロンパウダー、フッ素パウダー等の有機充填剤、オルベン、ベントン等の増粘剤、シリコーン系、フッ素系、高分子系の消泡剤又はレベリング剤、イミダゾール系、チアゾール系、トリアゾール系、シラン系カップリング剤等の密着性付与剤、フタロシアニン・ブルー、フタロシアニン・グリーン、アイオジン・グリーン、ジスアゾイエロー、カーボンブラック等の着色剤、ガラス織布、ガラス不織布、有機繊維等のシート状繊維基材等を挙げることができる。
本発明のA層とは熱硬化性樹脂組成物を熱硬化させることにより得られる絶縁層である。この絶縁層を形成するために、熱硬化性樹脂組成物を薄膜層用樹脂ペースト、薄膜層用接着シート、薄膜層用硬化物シートの様態とすることができる。これらの様態のA層の製造方法を例示する。
有機溶剤に熱硬化性樹脂組成物を溶解し、樹脂ペーストを製造する。樹脂ペーストを、直接B層上に塗布、乾燥することにより薄膜層用樹脂組成物層を形成する。その後、熱硬化することによりA層を形成することができる。熱硬化性樹脂組成物が粘度の低い樹脂組成物であれば、そのまま樹脂ペーストとして用いることもできる。
有機溶剤に熱硬化性樹脂組成物を溶解した樹脂ワニスを調製し、この樹脂ワニスを、バーコーター、ダイコーターなどの装置を用いて、支持体に塗布し、加熱あるいは熱風吹きつけ等により有機溶剤を乾燥させて、支持体上に薄膜層用樹脂組成物層を形成し、接着シートを製造する。その後、接着シートを熱硬化することによりA層を形成することができる。また、樹脂ワニスをシート状繊維基材に含浸させ、乾燥させて、支持体上に薄膜層用樹脂組成物層を形成しても良い。
また、前記方法にて製造した接着シートを熱硬化させて、流動性を持たない硬化物シートにしても良い。その後、硬化物シートを更に熱硬化することによりA層を形成することができる。
本発明のA層のガラス転移温度は、実装時のパッケージ反りを低減する為に、80℃以上が好ましく、90℃以上がより好ましく、100℃以上が更に好ましい。また、ガラス転移温度の上限は特に限定されないが、実用的な観点から、300℃以下が好ましく、280℃以下がより好ましい。
本発明のB層は、反りを低減するために弾性率が0.1GPa以上1GPa以下であることが特徴である。B層は熱硬化工程後の絶縁層のことを意味する。このB層は、熱硬化性樹脂組成物を用いて得ることができ、半導体パッケージの絶縁層に適するものであれば、特に制限なく使用できる。前記で説明したA層に使用する樹脂組成物と同様のものを使用することができる。
本発明のB層とは熱硬化性樹脂組成物を熱硬化させることにより得られる絶縁層である。この絶縁層を形成するために、B層は、前記で説明したA層の製造方法と同様にして、封止層用樹脂ペーストを、直接C層上に塗布、乾燥することにより封止層用樹脂組成物層を形成して、熱硬化することによりB層を形成することができる。また、支持体上に封止層用樹脂組成物層を形成し、封止層用接着シートを製造して、封止層用接着シートを熱硬化することによりB層を形成することができる。
B層の厚みは、半導体素子を埋め込むことができれば特に制限されないが、半導体素子の埋め込みを充分に行うという観点から、100μm以上が好ましく、150μm以上がより好ましく、200μm以上が更に好ましい。また、半導体パッケージの薄型化という観点から、600μm以下が好ましく、500μm以下がより好ましく、400μm以下が更に好ましい。
本発明でいう「回路基板層」とは、特に制限は無いが、ガラスエポキシ基板、金属基板、ポリエステル基板、ポリイミド基板、BTレジン基板、熱硬化型ポリフェニレンエーテル基板等が挙げられる。回路基板層の厚みは、半導体パッケージの小型化という観点から、100μm以下が好ましく、90μm以下がより好ましく、80μm以下が更に好ましく、70μm以下が更に一層好ましい。また、パッケージ反りを低減させるという観点から、10μm以上が好ましく、20μm以上がより好ましく、30μm以上が更に好ましく、40μm以上が更に一層好ましく、50μm以上が殊更好ましい。
本発明の半導体パッケージの製造方法は、(A層)弾性率が5GPa以上25GPa以下である薄膜層、(B層)弾性率が0.1GPa以上1GPa以下である封止層、(C層)回路基板層、を順番に有する半導体パッケージの製造方法であって、B層がC層上の半導体素子を覆うようにして封止させる方法である。
封止層用樹脂ペーストを用いて、スクリーン印刷工程によって回路基板層上に封止層用樹脂組成物層を形成する。無溶剤の場合は、印刷後の乾燥は行わなくても良い。他の方法としては、封止層用樹脂ペーストを用いてトランスファー成型工程によって封止層用樹脂組成物層を形成する。スクリーン印刷工程後、あるいはトランスファー成型工程後、薄膜層との密着性を損なわない程度に熱硬化させても良い。
封止層用接着シートを回路基板層に対向させ、ラミネートし、C層上に封止層用樹脂組成物層を形成する。ラミネート後、支持体を剥離する。支持体の剥離後に、薄膜層との密着性を損なわない程度に熱硬化させても良い。
上記方法1または方法2の方法で、封止層用樹脂組成物層を形成する。次いで、薄膜層用樹脂ペーストを用いて、スクリーン印刷工程によって封止層上に薄膜層用樹脂組成物層を形成する。無溶剤の場合は、印刷後の乾燥は行わなくても良い。他の方法としては、薄膜層用樹脂ペーストを用いてトランスファー成型工程によって薄膜層用樹脂組成物層を形成する。次いで、熱硬化することで薄膜層を形成する。
上記方法1または方法2の方法で、封止層用樹脂組成物層を形成する。次いで、薄膜層用接着シートを封止層に対向させ、ラミネートし、熱硬化することで薄膜層を形成する。ラミネート後、支持体を剥離する。
上記方法1または方法2によって、封止層用樹脂組成物層を形成する。封止層用樹脂組成物層は硬化させずに、薄膜層用硬化物シートと密着させることができる程度の流動性、タックがあることが好ましい。薄膜層用硬化物シートを封止層用樹脂組成物層に対向させ、ラミネートし、熱硬化して、封止層及び薄膜層を形成する。ラミネート後、支持体を剥離する。
工程1)樹脂ワニスを支持体に塗布し、乾燥させて、薄膜層用接着シートを製造する工程又は樹脂ワニスをシート状繊維基材に含浸させ、乾燥させて薄膜層用接着シートを製造する工程
工程2)樹脂ワニスを支持体に塗布し、乾燥させて、封止層用接着シートを製造する工程
工程3)薄膜層用接着シートと封止層用接着シートとをラミネートして、封止層用接着シートの支持体を除去して、二層接着シートを製造する工程
工程4)二層接着シートの封止層用樹脂組成物層面をC層上にラミネートする工程
工程2)樹脂ワニスを支持体に塗布し、乾燥させて、封止層用接着シートを製造する工程
工程3)薄膜層用硬化物シートと封止層用接着シートとをラミネートして、封止層用接着シートの支持体を除去して、一部硬化二層接着シートを製造する工程
工程4)一部硬化二層接着シートの封止層用樹脂組成物層面をC層上にラミネートする工程
樹脂ペーストをスクリーン印刷する場合、樹脂ペーストの粘度は、20Pa・S/25℃〜40Pa・S/25℃の粘度が好ましい。スクリーン印刷後のボイド発生を抑制する為に加熱減量は5%以下であることが望ましい。印刷後、50〜150℃、10〜60分で、有機溶媒を乾燥させる。
本工程は、樹脂ペーストをトランスファー成型する工程であり、回路基板を金型に配置し、樹脂ペーストを流し込み、170〜190℃、1〜5分で成型し、成型後、金型から離型する。
本工程は、封止層用接着シートを、封止層用接着シートの樹脂面と回路基板の半導体素子が積層されている面を対向させ、回路基板上の半導体素子を覆うようにして回路基板に配置し、減圧下で、弾性材を介して加熱及び加圧することにより回路基板上に積層する工程である。あるいは、薄膜層用接着シート又は薄膜層用硬化物シートの薄膜層用樹脂組成物層又は硬化物層面を、封止層用樹脂組成物層又は封止層上に配置し、減圧下で、弾性材を介して加熱及び加圧することにより積層する工程である。減圧下とは、空気圧を20mmHg(26.7hPa)以下に減じた雰囲気下である。ラミネート工程において、加熱および加圧は、加熱されたSUS鏡板等の金属板を支持体側からプレスすることにより行うことができるが、金属板を直接プレスするのではなく、回路基板上の半導体素子に封止層が十分に追随するよう、耐熱ゴム等の弾性材を介してプレスを行う。プレスは、温度が好ましくは70〜140℃(より好ましくは80〜130℃)、圧力が好ましくは1〜11kgf/cm2(9.8×104〜107.9×104N/m2)、時間が好ましくは10〜180秒(より好ましくは20〜130秒)の範囲で行われる。次いで、大気圧下で、SUS鏡板を用いて、プレスを行ってもよい。
本工程は、封止層用樹脂組成物層及び薄膜層用樹脂組成物層を熱硬化し絶縁層を形成する熱硬化工程である。熱硬化条件は熱硬化性樹脂組成物の種類等によっても異なるが、硬化温度が150〜200℃、硬化時間が15〜90分であるのが好ましい。スクリーン印刷工程、トランスファー成型工程、または、ラミネート工程の後、熱硬化工程を行う。
本工程は、半導体パッケージから支持体を剥離する工程である。支持体の剥離は、手動で剥離してもよく、自動剥離装置により機械的に剥離してもよい。支持体として金属箔を用いた場合はエッチング溶液によりエッチングすることで除去してもよい。支持体の剥離は熱硬化工程前に行うのが好ましい。
まずは各種測定方法・評価方法について説明する。
実施例及び比較例で用いた薄膜層用樹脂組成物層、封止層用樹脂組成物層を、接触式層厚計((株)ミツトヨ製、MCD−25MJ)を用いて測定した。
実施例及び比較例で得られた半導体パッケージを2.1cm×1.6cmにダイシングし、半導体パッケージのパッケージ反りを室温にて測定した。測定装置はシャドウモアレ測定装置(ThermoireAXP:Akrometrix製)を用いて、電子情報技術産業協会規格のJEITA ED−7306に準じて測定した。具体的には、測定領域の基板面の全データの最小二乗法によって算出した仮想平面を基準面とし、その基準面から垂直方向の最大値をAとし、最小値をBとした時の、|A|+|B|の値(Coplanarity)をパッケージ反り値とし、次のように評価した。
◎:100μm未満
○:100μm以上150μm未満。
△:150μm以上240μm未満
×:240μm以上。
実施例及び比較例で得られた半導体パッケージを2.1cm×1.6cmにダイシングし、リフローによる処理後の半導体パッケージのパッケージ反りを室温にて測定した。測定装置はシャドウモアレ測定装置(ThermoireAXP:Akrometrix製)を用いて、電子情報技術産業協会規格のJEITA ED−7306に準じて測定した。具体的には、測定領域の基板面の全データの最小二乗法によって算出した仮想平面を基準面とし、その基準面から垂直方向の最大値をAとし、最小値をBとした時の、|A|+|B|の値(Coplanarity)をパッケージ反り値とし、次のように評価した。
◎:160μm未満
○:160μm以上260μm未満。
△:260μm以上365μm未満
×:365μm以上
実施例及び比較例において得られた接着シートを180℃で90分間加熱することで熱硬化させ、PETフィルムを剥離することによりシート状の硬化物を得た。上記硬化物を、幅約5mm、長さ約15mmの試験片に切断し、熱機械分析装置TMA-SS6100(セイコーインスツルメンツ(株)製)を使用して、引張加重法で熱機械分析を行った。試験片を前記装置に装着後、荷重1g、昇温速度5℃/分の測定条件にて連続して2回測定した。2回目の測定における25℃から150℃までの平均熱膨張率(ppm)を算出した。また2回目の測定における寸法変化シグナルの傾きが変化する点からガラス転移温度(℃)を算出した。
実施例及び比較例において得られた接着シートを180℃で90分間加熱することで熱硬化させ、PETフィルムを剥離することによりシート状の硬化物を得た。上記硬化物を幅約7mm、長さ約40mmの試験片の切断し、動的機械分析装置DMS-6100(セイコーインスツルメンツ(株)製)を使用して、引張モードにて動的機械分析を行った。試験片を前記装置に装着後、周波数1Hz、昇温速度5℃/分の測定条件にて測定した。かかる測定における25℃のときの貯蔵弾性率(E‘)の値を読み取った。
液状ビスフェノールA型エポキシ樹脂(エポキシ当量180、三菱化学(株)製「エピコート828EL」)19部と、ナフタレン型4官能エポキシ樹脂(エポキシ当量163、DIC(株)製「HP4700」)43部とをMEK31部とシクロヘキサノン31部との混合液に撹拌しながら加熱溶解させた。そこへ、ノボラック構造を有するフェノール系硬化剤(DIC(株)製「LA7052」、固形分が60重量%のMEK溶液、フェノール性水酸基当量120)31部、フェノキシ樹脂(分子量50000、三菱化学(株)製「E1256」の不揮発分40重量%のMEK溶液)8部、硬化触媒(四国化成工業(株)製、「2E4MZ」)0.1部、球形シリカ(SOC2)320部を混合し、高速回転ミキサーで均一に分散して、樹脂ワニス1を作製した。
ポリイミド樹脂(味の素ファインテクノ(株)製、「T2」)40部と、ビスフェノールAノボラック型エポキシ樹脂のジエチレングリコールモノエチルエーテルアセテート(以下、EDGAcと記す)及びイプゾール150(芳香族炭化水素系混合溶媒:出光石油化学(株)製)混合ワニス(固形分75重量%、エポキシ当量210、三菱化学(株)製「157S70」)9.5部と、フェノールノボラック樹脂(DIC(株)製「TD2090」、固形分が60重量%のMEK溶液、フェノール性水酸基当量105)2.1部と、イミダゾール誘導体(三菱化学(株)製「P200H50」)0.1部と、球形シリカ(SOC2)15部とを混合し、高速回転ミキサーで均一に分散して、樹脂ワニス2を作製した。
液状ビスフェノールA型エポキシ樹脂(エポキシ当量180、三菱化学(株)製「エピコート828EL」)23.5部と、ナフタレン型4官能エポキシ樹脂(エポキシ当量163、DIC(株)製「HP4700」)20部とをMEK17部とシクロヘキサノン17部との混合液に撹拌しながら加熱溶解させた。そこへ、ノボラック構造を有するフェノール系硬化剤(DIC(株)製「LA7054」、固形分が60重量%のMEK溶液、フェノール性水酸基当量125)31部、フェノキシ樹脂(分子量50000、三菱化学(株)製「E1256」の不揮発分40重量%のMEK溶液)20部、硬化触媒(四国化成工業(株)製、「2E4MZ」)0.15部、球形シリカ(SOC2)50部を混合し、高速回転ミキサーで均一に分散して、樹脂ワニス3を作製した。
液状ビスフェノールA型エポキシ樹脂(エポキシ当量180、三菱化学(株)製「エピコート828EL」)19部と、ナフタレン型4官能エポキシ樹脂(エポキシ当量163、DIC(株)製「HP4700」)15部とをMEK14部とシクロヘキサノン14部との混合液に撹拌しながら加熱溶解させた。そこへ、ノボラック構造を有するフェノール系硬化剤(DIC(株)製「LA7052」、固形分が60重量%のMEK溶液、フェノール性水酸基当量120)20部、フェノキシ樹脂(分子量50000、三菱化学(株)製「E1256」の不揮発分40重量%のMEK溶液)15部、硬化触媒(四国化成工業(株)製、「2E4MZ」)0.2部、球形シリカ(SOC2)75部を混合し、高速回転ミキサーで均一に分散して、樹脂ワニス4を作製した。
ポリイミド樹脂(味の素ファインテクノ(株)製、「T2」)15.5部と、ビスフェノールAノボラック型エポキシ樹脂のジエチレングリコールモノエチルエーテルアセテート(以下、EDGAcと記す)及びイプゾール150(芳香族炭化水素系混合溶媒:出光石油化学(株)製)混合ワニス(固形分75重量%、エポキシ当量210、三菱化学(株)製「157S70」)14.4部と、フェノールノボラック樹脂(DIC(株)製「TD2090」、固形分が60重量%のMEK溶液、フェノール性水酸基当量105)4.6部と、イミダゾール誘導体(三菱化学(株)製「P200H50」)0.2部と、球形シリカ(SOC2)15部とを混合し、高速回転ミキサーで均一に分散して、樹脂ワニス5を作製した。
(薄膜層用硬化物シートの製造)
樹脂ワニス1をアルキッド系離型処理済PETフィルム(38μm)に、乾燥後の薄膜層用樹脂組成物層の厚さが10μmになるよう、バーコータにて均一に塗布し、80〜120℃(平均100℃)で7分間乾燥することにより薄膜層用接着シートを得た。該樹脂シートを、180℃10分間熱硬化させ、薄膜層用硬化物シートを得た。硬化物層のガラス転移温度は120℃であった。
樹脂ワニス2をアルキッド系離型剤で処理されたPETフィルム(38μm)の離型処理面上に、乾燥後の封止層用樹脂組成物層の厚さが300μmになるよう、バーコータにて均一に塗布し、80〜120℃(平均100℃)で7分間乾燥することにより封止層用接着シートを得た。
薄膜層用硬化物シートの硬化物面に、封止層用接着シートの封止層用樹脂組成物層が接するように配置し、モートン・インターナショナル・インコーポレイティド製の真空ラミネーターV160を使用して温度80℃にて20秒間真空吸引後、圧力1.0kgf/cm2の条件で、PETフィルム上から、耐熱ゴムを介して20秒間ラミネートして、二層シートを得た。
前記二層シートを、半導体素子が搭載された回路基板(半導体素子大きさ2.0cm×1.25cm、厚み200μm、コア基板厚み60μm)の半導体素子が搭載されている側に、封止層用樹脂組成物層が接するようにラミネートした。ラミネート工程には(株)名機製作所製の真空加圧式ラミネーターMVLP−500を用い、温度100℃にて30秒間真空吸引後、温度120℃、圧力7.0kg/cm2の条件でPETフィルム上から、耐熱ゴムを介して30秒間プレスすることによりラミネートし、次いで、大気圧下で、SUS鏡板を用いて、温度120℃、圧力6.0kg/cm2の条件で60秒間プレスを行うことで、二層シートの平滑化を行った。
PETフィルムを剥離した後、二層シートを積層した回路基板を、熱風循環炉を用いて180℃、90分の条件で、熱硬化させて絶縁層を形成した。これにより、半導体素子が絶縁層に封止された半導体パッケージを得た。
薄膜層用硬化物シートの製造工程において、樹脂ワニス1をアルキッド系離型処理済PETフィルム(38μm)に、乾燥後の薄膜層用樹脂組成物層の厚さが20μmになるよう、バーコータにて均一に塗布したこと以外は、実施例1と同様にして半導体パッケージを得た。
薄膜層用硬化物シートの製造工程において、樹脂ワニス1をアルキッド系離型処理済PETフィルム(38μm)に、乾燥後の薄膜層用樹脂組成物層の厚さが40μmになるよう、バーコータにて均一に塗布したこと以外は、実施例1と同様にして半導体パッケージを得た。
薄膜層用硬化物シートの製造工程において、樹脂ワニス1をアルキッド系離型処理済PETフィルム(38μm)に、乾燥後の薄膜層用樹脂組成物層の厚さが80μmになるよう、バーコータにて均一に塗布したこと以外は、実施例1と同様にして半導体パッケージを得た。
薄膜層用硬化物シートの製造工程において、薄膜層用接着シートを熱硬化させずに、そのまま薄膜層用接着シートを薄膜層用硬化物シートの代わりに用いた以外は、実施例3と同様にして半導体パッケージを得た。
薄膜層用硬化物シートの製造工程において、樹脂ワニス1の代わりに樹脂ワニス3を用いたこと以外は、実施例3と同様にして半導体パッケージを得た。
薄膜層用硬化物シートの製造工程において、樹脂ワニス1をアルキッド系離型処理済PETフィルム(38μm)に、乾燥後の薄膜層用樹脂組成物層の厚さが100μmになるよう、バーコータにて均一に塗布したこと以外は、実施例1と同様にして半導体パッケージを得た。
封止層用接着シートの製造工程において、樹脂ワニス2をアルキッド系離型処理済PETフィルム(38μm)に、乾燥後の封止層用樹脂組成物層の厚さが100μmになるよう、バーコータにて均一に塗布したこと以外は、実施例2と同様にして半導体パッケージを得た。
封止層用接着シートの製造工程において、樹脂ワニス2をアルキッド系離型処理済PETフィルム(38μm)に、乾燥後の封止層用樹脂組成物層の厚さが600μmになるよう、バーコータにて均一に塗布したこと以外は、実施例2と同様にして半導体パッケージを得た。
コア基板厚みを40μmにしたこと以外は、実施例8と同様にして半導体パッケージを得た。
薄膜層用接着シートの厚みを20μmとし、コア基板厚みを100μmにしたこと以外は、実施例5と同様にして半導体パッケージを得た。
樹脂ワニス4をガラス織布に含浸、80〜120℃(平均100℃)で乾燥させ、アルキッド系離型処理済PETフィルム(38μm)上に、乾燥後の薄膜層用樹脂組成物層の厚さが20μmになるように薄膜層用接着シートを得た。該樹脂シートを、180℃10分間熱硬化させ、薄膜層用硬化物シートを得た。硬化物層のガラス転移温度は140℃であった。該薄膜層用硬化物シートを用いること以外は、実施例1と同様にして半導体パッケージを得た。
封止層用接着シートの製造工程において、樹脂ワニス2の代わりに樹脂ワニス5を用いたこと以外は、実施例11と同様にして半導体パッケージを得た。
薄膜層用硬化物シートの製造工程において、樹脂ワニス1をアルキッド系離型処理済PETフィルム(38μm)に、乾燥後の薄膜層用樹脂組成物層の厚さが150μmになるよう、バーコータにて均一に塗布したこと以外は、実施例1と同様にして半導体パッケージを得た。
薄膜層用硬化物シートを用いず、封止層用接着シートのみで半導体素子を封止したこと以外は、実施例1と同様にして半導体パッケージを得た。
比較例1の樹脂ワニス2の代わりに、樹脂ワニス1を用いたこと以外は、比較例1と同様にして半導体パッケージを得た。
(薄膜層用硬化物シートの製造)
樹脂ワニス2をアルキッド系離型処理済PETフィルム(38μm)に、乾燥後の樹脂組成物層の厚さが40μmになるよう、バーコータにて均一に塗布し、80〜120℃(平均100℃)で7分間乾燥することにより接着シートを得た。該樹脂シートを、180℃10分間熱硬化させ、硬化物シートを得た。硬化物層のガラス転移温度は90℃であった。
樹脂ワニス1をアルキッド系離型剤で処理されたPETフィルム(38μm)の離型処理面上に、乾燥後の樹脂組成物層の厚さが300μmになるよう、バーコータにて均一に塗布し、80〜120℃(平均100℃)で7分間乾燥することにより接着シートを得た。その後、実施例1と同様にして半導体パッケージを得た。
封止層用接着シートの製造工程において、樹脂ワニス2をアルキッド系離型処理済PETフィルム(38μm)に、乾燥後の封止層用樹脂組成物層の厚さが80μmになるよう、バーコータにて均一に塗布したこと以外は、実施例2と同様にして半導体パッケージを得た。
封止層用接着シートの製造工程において、樹脂ワニス2をアルキッド系離型処理済PETフィルム(38μm)に、乾燥後の封止層用樹脂組成物層の厚さが700μmになるよう、バーコータにて均一に塗布したこと以外は、実施例2と同様にして半導体パッケージを得た。
2 薄膜層
3 封止層
4 回路基板層
5 半導体素子
Claims (14)
- (A層)弾性率が5GPa以上25GPa以下である薄膜層、
(B層)弾性率が0.1GPa以上1GPa以下である封止層、
(C層)回路基板層、
を順番に有し、
A層の厚みが1〜200μmであり、B層の厚みが100〜600μmであり、C層の厚みが1〜100μmであり、
パッケージ反りが235μm以下であることを特徴とする半導体パッケージ。 - C層の厚みを1とした場合、A層の厚みが0.05〜3の範囲であることを特徴とする、請求項1に記載の半導体パッケージ。
- C層の厚みを1とした場合、B層の厚みが0.05〜10の範囲であることを特徴とする、請求項1又は2に記載の半導体パッケージ。
- 前記A層の厚みが10〜150μmであり、前記B層の厚みが100〜500μmであり、前記C層の厚みが50〜100μmであり、パッケージ反りが0.1〜200μmであることを特徴とする、請求項1〜3のいずれか1項記載の半導体パッケージ。
- 前記A層の厚みが20〜70μmであることを特徴とする、請求項1〜4のいずれか1項記載の半導体パッケージ。
- リフロー処理後のパッケージ反りが360μm以下であることを特徴とする、請求項1〜5のいずれか1項に記載の半導体パッケージ。
- リフロー処理後のパッケージ反りが0.1〜250μmであることを特徴とする、請求項1〜6のいずれか1項に記載の半導体パッケージ。
- 封止層用樹脂ペーストを直接C層上に塗布、乾燥することによりB層を形成することを特徴とする、請求項1〜7のいずれか1項に記載の半導体パッケージの製造方法。
- 封止層用接着シートをC層上にラミネートすることによりB層を形成することを特徴とする、請求項1〜7のいずれか1項に記載の半導体パッケージの製造方法。
- 薄膜層用樹脂ペーストをB層上に塗布、乾燥することによりA層を形成することを特徴とする、請求項1〜7のいずれか1項に記載の半導体パッケージの製造方法。
- 薄膜層用接着シートをB層上にラミネートすることによりA層を形成することを特徴とする、請求項1〜7のいずれか1項に記載の半導体パッケージの製造方法。
- 薄膜層用硬化物シートをB層上にラミネートすることによりA層を形成することを特徴とする、請求項1〜7のいずれか1項に記載の半導体パッケージの製造方法。
- 下記工程1)〜4)を含有することを特徴とする請求項1〜7のいずれか1項に記載の半導体パッケージの製造方法。
工程1)樹脂ワニスを支持体に塗布し、乾燥させて、薄膜層用接着シートを製造する工程又は樹脂ワニスをシート状繊維基材に含浸させ、乾燥させて薄膜層用接着シートを製造する工程
工程2)樹脂ワニスを支持体に塗布し、乾燥させて、封止層用接着シートを製造する工程
工程3)薄膜層用接着シートと封止層用接着シートとをラミネートして、封止層用接着シートの支持体を除去して、二層接着シートを製造する工程
工程4)二層接着シートの封止層用樹脂組成物層面をC層上にラミネートする工程 - 下記工程1)〜4)を含有することを特徴とする請求項1〜7のいずれか1項に記載の半導体パッケージの製造方法。
工程1)樹脂ワニスを支持体に塗布し、乾燥させ、熱硬化して、薄膜層用硬化物シートを製造する工程又は樹脂ワニスをシート状繊維基材に含浸させ、乾燥させ、熱硬化して薄膜層用硬化物シートを製造する工程
工程2)樹脂ワニスを支持体に塗布し、乾燥させて、封止層用接着シートを製造する工程
工程3)薄膜層用硬化物シートと封止層用接着シートとをラミネートして、封止層用接着シートの支持体を除去して、一部硬化二層接着シートを製造する工程
工程4)一部硬化二層接着シートの封止層用樹脂組成物層面をC層上にラミネートする工程
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2012155527A JP6051630B2 (ja) | 2011-07-13 | 2012-07-11 | 半導体パッケージ |
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2011155149 | 2011-07-13 | ||
JP2011155149 | 2011-07-13 | ||
JP2012155527A JP6051630B2 (ja) | 2011-07-13 | 2012-07-11 | 半導体パッケージ |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2013038410A true JP2013038410A (ja) | 2013-02-21 |
JP6051630B2 JP6051630B2 (ja) | 2016-12-27 |
Family
ID=47839351
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2012155527A Active JP6051630B2 (ja) | 2011-07-13 | 2012-07-11 | 半導体パッケージ |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP6051630B2 (ja) |
KR (1) | KR101939839B1 (ja) |
TW (1) | TWI539564B (ja) |
Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2015053341A (ja) * | 2013-09-05 | 2015-03-19 | 信越化学工業株式会社 | 封止材積層複合体、封止後半導体素子搭載基板又は封止後半導体素子形成ウエハ、半導体装置、及び半導体装置の製造方法 |
JP2015079874A (ja) * | 2013-10-17 | 2015-04-23 | 富士電機株式会社 | 半導体装置 |
WO2015076088A1 (ja) * | 2013-11-21 | 2015-05-28 | 日東電工株式会社 | 両面セパレータ付き封止用シート、及び、半導体装置の製造方法 |
WO2015098851A1 (ja) * | 2013-12-26 | 2015-07-02 | 日東電工株式会社 | 両面セパレータ付き封止用シート、及び、半導体装置の製造方法 |
WO2016072236A1 (ja) * | 2014-11-07 | 2016-05-12 | 日東電工株式会社 | 樹脂組成物、半導体装置の製造方法及び半導体装置 |
JP2020009806A (ja) * | 2018-07-03 | 2020-01-16 | 日東電工株式会社 | 封止用シートおよび電子素子装置の製造方法 |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
TWI516530B (zh) * | 2013-03-22 | 2016-01-11 | Lintec Corp | A film for forming a protective film, and a composite sheet for forming a protective film |
KR102116987B1 (ko) * | 2013-10-15 | 2020-05-29 | 삼성전자 주식회사 | 반도체 패키지 |
Citations (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2003258162A (ja) * | 2002-02-27 | 2003-09-12 | Toshiba Corp | 1次,2次実装体 |
JP2004327623A (ja) * | 2003-04-23 | 2004-11-18 | Three M Innovative Properties Co | 封止用フィルム接着剤、封止用フィルム積層体及び封止方法 |
JP2006286829A (ja) * | 2005-03-31 | 2006-10-19 | Renesas Technology Corp | 半導体装置およびその製造方法 |
JP2009239022A (ja) * | 2008-03-27 | 2009-10-15 | Lintec Corp | 発光モジュール製造用シート、発光モジュール用シート、その製造方法及び発光モジュール |
JP2010123802A (ja) * | 2008-11-20 | 2010-06-03 | Nitto Denko Corp | 光半導体封止用シート |
US20110074037A1 (en) * | 2009-09-29 | 2011-03-31 | Elpida Memory, Inc. | Semiconductor device |
JP2011243624A (ja) * | 2010-05-14 | 2011-12-01 | Panasonic Corp | 半導体装置およびその製造方法 |
JP2012224062A (ja) * | 2011-04-22 | 2012-11-15 | Shin-Etsu Chemical Co Ltd | 樹脂積層体、及び半導体装置とその製造方法 |
Family Cites Families (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP3818183B2 (ja) | 2002-03-15 | 2006-09-06 | 日立化成工業株式会社 | 半導体封止用エポキシ樹脂組成物及びそれを用いた半導体装置 |
SG156623A1 (en) * | 2004-11-30 | 2009-11-26 | Sumitomo Bakelite Co | Epoxy resin composition and semiconductor device |
JP4682796B2 (ja) * | 2005-04-19 | 2011-05-11 | 日立化成工業株式会社 | 封止用シート |
JP5083070B2 (ja) * | 2007-11-19 | 2012-11-28 | 日立化成工業株式会社 | 封止用フィルム |
CN101983419B (zh) | 2008-04-04 | 2012-08-08 | 索尼化学&信息部件株式会社 | 半导体装置及其制造方法 |
-
2012
- 2012-07-11 JP JP2012155527A patent/JP6051630B2/ja active Active
- 2012-07-12 KR KR1020120075853A patent/KR101939839B1/ko active IP Right Grant
- 2012-07-12 TW TW101125091A patent/TWI539564B/zh active
Patent Citations (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2003258162A (ja) * | 2002-02-27 | 2003-09-12 | Toshiba Corp | 1次,2次実装体 |
JP2004327623A (ja) * | 2003-04-23 | 2004-11-18 | Three M Innovative Properties Co | 封止用フィルム接着剤、封止用フィルム積層体及び封止方法 |
JP2006286829A (ja) * | 2005-03-31 | 2006-10-19 | Renesas Technology Corp | 半導体装置およびその製造方法 |
JP2009239022A (ja) * | 2008-03-27 | 2009-10-15 | Lintec Corp | 発光モジュール製造用シート、発光モジュール用シート、その製造方法及び発光モジュール |
JP2010123802A (ja) * | 2008-11-20 | 2010-06-03 | Nitto Denko Corp | 光半導体封止用シート |
US20110074037A1 (en) * | 2009-09-29 | 2011-03-31 | Elpida Memory, Inc. | Semiconductor device |
JP2011243624A (ja) * | 2010-05-14 | 2011-12-01 | Panasonic Corp | 半導体装置およびその製造方法 |
JP2012224062A (ja) * | 2011-04-22 | 2012-11-15 | Shin-Etsu Chemical Co Ltd | 樹脂積層体、及び半導体装置とその製造方法 |
Cited By (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2015053341A (ja) * | 2013-09-05 | 2015-03-19 | 信越化学工業株式会社 | 封止材積層複合体、封止後半導体素子搭載基板又は封止後半導体素子形成ウエハ、半導体装置、及び半導体装置の製造方法 |
JP2015079874A (ja) * | 2013-10-17 | 2015-04-23 | 富士電機株式会社 | 半導体装置 |
WO2015076088A1 (ja) * | 2013-11-21 | 2015-05-28 | 日東電工株式会社 | 両面セパレータ付き封止用シート、及び、半導体装置の製造方法 |
JP2015103572A (ja) * | 2013-11-21 | 2015-06-04 | 日東電工株式会社 | 両面セパレータ付き封止用シート、及び、半導体装置の製造方法 |
US10128131B2 (en) | 2013-11-21 | 2018-11-13 | Nitto Denko Corporation | Sealing sheet with separators on both surfaces, and method for manufacturing semiconductor device |
WO2015098851A1 (ja) * | 2013-12-26 | 2015-07-02 | 日東電工株式会社 | 両面セパレータ付き封止用シート、及び、半導体装置の製造方法 |
JP2015126133A (ja) * | 2013-12-26 | 2015-07-06 | 日東電工株式会社 | 両面セパレータ付き封止用シート、及び、半導体装置の製造方法 |
WO2016072236A1 (ja) * | 2014-11-07 | 2016-05-12 | 日東電工株式会社 | 樹脂組成物、半導体装置の製造方法及び半導体装置 |
JP2020009806A (ja) * | 2018-07-03 | 2020-01-16 | 日東電工株式会社 | 封止用シートおよび電子素子装置の製造方法 |
JP7166090B2 (ja) | 2018-07-03 | 2022-11-07 | 日東電工株式会社 | 封止用シートおよび電子素子装置の製造方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP6051630B2 (ja) | 2016-12-27 |
KR101939839B1 (ko) | 2019-01-17 |
TW201318121A (zh) | 2013-05-01 |
TWI539564B (zh) | 2016-06-21 |
KR20130009653A (ko) | 2013-01-23 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP6051630B2 (ja) | 半導体パッケージ | |
JP5413522B1 (ja) | 樹脂組成物 | |
JP5234229B1 (ja) | 樹脂組成物 | |
JP6123169B2 (ja) | 樹脂組成物 | |
JP6069887B2 (ja) | 樹脂組成物 | |
KR101489175B1 (ko) | 수지 조성물 | |
JP6595336B2 (ja) | 樹脂組成物 | |
JP6123177B2 (ja) | 樹脂組成物 | |
JP2014028880A (ja) | 樹脂組成物 | |
JP6119441B2 (ja) | 樹脂組成物 | |
JP6534986B2 (ja) | 樹脂組成物 | |
JP2016084413A (ja) | 樹脂組成物 | |
JP2014015608A (ja) | 樹脂組成物 | |
JP6489148B2 (ja) | 樹脂組成物 | |
JP2014036172A (ja) | 樹脂組成物 | |
JP5918943B2 (ja) | 半導体パッケージの製造方法 | |
JP2011246406A (ja) | 有機けい素化合物 | |
JP2016136645A (ja) | 樹脂組成物 | |
JP2015181193A (ja) | 半導体パッケージの製造方法 | |
JP5234231B1 (ja) | 樹脂組成物 | |
JP2019116630A (ja) | 樹脂組成物 | |
JP2019011481A (ja) | 樹脂組成物 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20150529 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20160415 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20160524 |
|
RD02 | Notification of acceptance of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7422 Effective date: 20160701 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20160719 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20161101 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20161114 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 6051630 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |