JP2013016841A - エピタキシコーティングされたシリコンウェーハ及びエピタキシコーティングされたシリコンウェーハの製造法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】エピタキシコーティングされたシリコンウェーハの製造法において、少なくとも前面が研磨された複数のシリコンウェーハを用意し、かつ引き続き、用意したシリコンウェーハのそれぞれ1つをエピタキシリアクタ中のサセプタに載置し、第一の工程では水素雰囲気下でのみ前処理し、かつ第二の工程では水素雰囲気に1.5〜5slmの流量でエッチング剤を添加して前処理し、その際、水素流量は双方の工程において1〜100slmであり、引き続きその研磨された前面上でエピタキシコーティングし、かつエピタキシリアクタから取り出すという手法により個々にそれぞれエピタキシリアクタ中でコーティングすることを特徴とする方法。
【選択図】図4
Description
US2008/0182397A1には、ガス分配I/Oのための2つの範囲が規定されている:第一に、エピタキシコーティングの間にはI/O=0.2〜1.0の範囲であり、かつ第二に、エッチングステップ(基板前処理)の間には1.0〜6.0のI/Oである。
グラインディング、洗浄及びエッチングステップの後、シリコンウェーハの表面の平滑化が剥離研磨により行われる。シングルサイドポリッシング(SSP)の場合、シリコンウェーハの裏面が処理中に、セメントにより、真空により、又は接着により支持プレート上に保持される。ダブルサイドポリッシング(DSP)の場合、シリコンウェーハは薄い歯付きディスクに緩く係合され、研磨布でカバーされた上方の研磨プレートと下方の研磨プレートとの間に自由浮遊して、前面及び裏面が同時に研磨される。
水素雰囲気中での前処理は、水素流量1〜100slm(標準リットル毎分、standard liter per minute)、特に有利には40〜60slmで行われる。
エッチング剤を添加した前処理の間、エッチング剤の流量は1.5〜5slmである。
堆積されたエピタキシャル層の厚さは有利には0.5〜5μmである。
図1は、凹状に研磨されたシリコンウェーハの直径に対する、該シリコンウェーハの厚さのプロフィールを示す("ラインスキャン")。
図4は、エピタキシコーティングされたシリコンウェーハの厚さをラインスキャンで示す。
エッジ除外領域2mmに関して0.3μmの全体的平坦度GBIRが得られる。
Claims (20)
- エピタキシコーティングされたシリコンウェーハの製造法において、少なくとも前面が研磨された複数のシリコンウェーハを用意し、かつ引き続き、用意したシリコンウェーハのそれぞれ1つをエピタキシリアクタ中のサセプタに載置し、第一の工程では水素雰囲気下でのみ前処理し、かつ第二の工程では水素雰囲気に1.5〜5slmの流量でエッチング剤を添加して前処理し、その際、水素流量は双方の工程において1〜100slmであり、引き続きその研磨された前面上でエピタキシコーティングし、かつエピタキシリアクタから取り出すという手法により個々にそれぞれエピタキシリアクタ中でコーティングすることを特徴とする方法。
- 2つの前処理工程をそれぞれ950〜1200℃の温度範囲内で行う、請求項1記載の方法。
- 水素雰囲気に添加するエッチング剤が塩化水素である、請求項1又は2記載の方法。
- 水素流量が、双方の前処理工程において40〜60slmである、請求項1から3までのいずれか1項記載の方法。
- 前処理の継続時間が、双方の前処理工程において10〜120sである、請求項1から4までのいずれか1項記載の方法。
- 前処理の継続時間が、双方の前処理工程において20〜60sである、請求項1から5までのいずれか1項記載の方法。
- 用意されるシリコンウェーハが、単結晶シリコン材料からなるウェーハ、SOI(シリコン・オン・インシュレーター)ウェーハ、歪みシリコン層を有するシリコンウェーハ("ストレインド・シリコン")又はsSOI(ストレインド・シリコン・オン・インシュレーター)ウェーハである、請求項1から6までのいずれか1項記載の方法。
- エピタキシコーティングされたシリコンウェーハの製造法において、少なくとも前面が研磨された複数のシリコンウェーハを用意し、かつ引き続き、用意したシリコンウェーハのそれぞれ1つをエピタキシリアクタのリアクタチャンバ中のサセプタに載置し、その際、インジェクタによりリアクタチャンバ中に導入されるガス流を、バルブを用いて、リアクタチャンバの外部領域及び内部領域へ、内部領域中のガス流がシリコンウェーハの中心の周囲の範囲に作用しかつ外部領域中のガス流がシリコンウェーハの縁範囲に作用するように分配することができ、その際、シリコンウェーハを、第一の工程では1〜100slmの水素流量での水素雰囲気下でのみ前処理し、かつ第二の工程では水素雰囲気に1.5〜5slmの流量でエッチング剤を添加して前処理し、その際、水素流量は第二の工程においても1〜100slmであり、かつ、内部領域及び外部領域へのエッチング剤の分配はI/O=0〜0.75であり、かつ引き続きその研磨された前面上でエピタキシコーティングし、かつエピタキシリアクタから取り出すという手法により個々にそれぞれエピタキシリアクタ中でコーティングすることを特徴とする方法。
- 2つの前処理工程をそれぞれ950〜1200℃の温度範囲内で行う、請求項8記載の方法。
- 水素雰囲気に添加するエッチング剤が塩化水素である、請求項8又は9記載の方法。
- 水素流量が、双方の前処理工程において40〜60slmである、請求項8から10までのいずれか1項記載の方法。
- 前処理の継続時間が、双方の前処理工程において10〜120sである、請求項8から11までのいずれか1項記載の方法。
- 前処理の継続時間が、双方の前処理工程において20〜60sである、請求項8から12までのいずれか1項記載の方法。
- 前面及び裏面を有するシリコンウェーハにおいて、該シリコンウェーハの少なくとも前面が研磨されており、かつ該シリコンウェーハの少なくとも前面上にエピタキシャル層が施与されており、かつ、エッジ除外領域2mmに関して0.02〜0.06μmの全体的平坦度GBIRを有することを特徴とするシリコンウェーハ。
- 前面及び裏面を有するシリコンウェーハにおいて、該シリコンウェーハの少なくとも前面が研磨されており、かつ該シリコンウェーハの少なくとも前面上にエピタキシャル層が施与されており、かつ、エッジ除外領域1mmに関して0.04〜0.08μmの全体的平坦度を有することを特徴とするシリコンウェーハ。
- エッジ除外領域2mmで、かつ、26×8mm2のサイズを有するセグメントの領域格子の部分範囲に関して、0.02μm以上でかつ0.05μm以下のSBIRmaxとして表される局所的平坦度を有する、請求項14記載のシリコンウェーハ。
- エッジ除外領域1mmで、かつ、26×8mm2のサイズを有するセグメントの領域格子の部分範囲に関して、0.04μm以上でかつ0.07μm以下のSBIRmaxとして表される局所的平坦度を有する、請求項15記載のシリコンウェーハ。
- シリコンウェーハが、単結晶シリコン材料からなるウェーハ、SOIウェーハ、歪みシリコン層を有するシリコンウェーハ又はエピタキシシャル層を備えたsSOIウェーハである、請求項14から17までのいずれか1項記載のシリコンウェーハ。
- さらに、0.5%〜2%のエピタキシャル層の層厚の均等性により特徴付けられる、請求項14から18までのいずれか1項記載のシリコンウェーハ。
- 1.0%〜1.5%のエピタキシャル層の層厚の均等性により特徴付けられる、請求項19記載のシリコンウェーハ。
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Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2020524909A (ja) * | 2017-06-21 | 2020-08-20 | ジルトロニック アクチエンゲゼルシャフトSiltronic AG | 半導体ウェハを処理するための方法、制御システムおよびプラント、ならびに半導体ウェハ |
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Families Citing this family (14)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE102009022224B4 (de) * | 2009-05-20 | 2012-09-13 | Siltronic Ag | Verfahren zur Herstellung von epitaxierten Siliciumscheiben |
JP2013055231A (ja) * | 2011-09-05 | 2013-03-21 | Shin Etsu Handotai Co Ltd | エピタキシャルウェーハの製造方法 |
US9343379B2 (en) * | 2011-10-14 | 2016-05-17 | Sunedison Semiconductor Limited | Method to delineate crystal related defects |
US9543381B2 (en) | 2014-09-11 | 2017-01-10 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Ltd. | Semiconductor structure and manufacturing method of the same |
CN107532327B (zh) * | 2015-05-11 | 2019-12-17 | 住友电气工业株式会社 | 碳化硅单晶衬底、碳化硅半导体器件以及制造碳化硅半导体器件的方法 |
CN105671631B (zh) * | 2016-02-05 | 2020-08-11 | 浙江金瑞泓科技股份有限公司 | 一种原位清洗200mm-300mm外延设备基座背面的方法 |
CN107400921A (zh) * | 2017-07-27 | 2017-11-28 | 上海晶盟硅材料有限公司 | 外延设备保养方法 |
CN109518271A (zh) * | 2017-09-18 | 2019-03-26 | 上海新昇半导体科技有限公司 | 一种SiC外延表面的预处理及外延生长方法 |
CN110189991A (zh) * | 2019-04-30 | 2019-08-30 | 上海新昇半导体科技有限公司 | 一种外延片的制造方法 |
CN112201568A (zh) * | 2020-10-28 | 2021-01-08 | 西安奕斯伟硅片技术有限公司 | 一种用于硅片的外延生长的方法和设备 |
CN113345798B (zh) * | 2021-06-01 | 2022-07-12 | 中科汇通(内蒙古)投资控股有限公司 | 一种SiC基片外延制备GaN的方法 |
CN115537918A (zh) * | 2022-10-10 | 2022-12-30 | 中环领先半导体材料有限公司 | 一种改善111衬底外延表面粗糙度的工艺方法 |
CN115747962A (zh) * | 2022-12-07 | 2023-03-07 | 西安奕斯伟材料科技有限公司 | 晶圆的外延生长方法及设备 |
CN118136497A (zh) * | 2024-05-08 | 2024-06-04 | 西安奕斯伟材料科技股份有限公司 | 外延硅晶圆及其制造方法 |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2002043230A (ja) * | 2000-07-25 | 2002-02-08 | Mitsubishi Materials Silicon Corp | 半導体ウェーハおよびその製造方法 |
JP2007088469A (ja) * | 2005-09-22 | 2007-04-05 | Siltronic Ag | エピタキシャルシリコンウェハおよびエピタキシャルシリコンウェハの製造方法 |
JP2007084428A (ja) * | 2005-09-22 | 2007-04-05 | Siltronic Ag | エピタキシャルシリコンウェハおよびエピタキシャルシリコンウェハの製造方法 |
Family Cites Families (14)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP0272531B1 (en) | 1986-12-08 | 1991-07-31 | Sumitomo Electric Industries Limited | Surface grinding machine |
DE4119531A1 (de) * | 1991-06-13 | 1992-12-17 | Wacker Chemitronic | Epitaxierte halbleiterscheiben mit sauerstoffarmer zone einstellbarer ausdehnung und verfahren zu ihrer herstellung |
JPH0615565A (ja) | 1991-12-18 | 1994-01-25 | Shin Etsu Handotai Co Ltd | ウエーハ自動ラッピング装置 |
DE4224395A1 (de) * | 1992-07-23 | 1994-01-27 | Wacker Chemitronic | Halbleiterscheiben mit definiert geschliffener Verformung und Verfahren zu ihrer Herstellung |
DE19938340C1 (de) * | 1999-08-13 | 2001-02-15 | Wacker Siltronic Halbleitermat | Verfahren zur Herstellung einer epitaxierten Halbleiterscheibe |
DE19960823B4 (de) * | 1999-12-16 | 2007-04-12 | Siltronic Ag | Verfahren zur Herstellung einer epitaxierten Halbleiterscheibe und deren Verwendung |
DE10025871A1 (de) | 2000-05-25 | 2001-12-06 | Wacker Siltronic Halbleitermat | Epitaxierte Halbleiterscheibe und Verfahren zu ihrer Herstellung |
US6774040B2 (en) | 2002-09-12 | 2004-08-10 | Applied Materials, Inc. | Apparatus and method for surface finishing a silicon film |
US7195934B2 (en) * | 2005-07-11 | 2007-03-27 | Applied Materials, Inc. | Method and system for deposition tuning in an epitaxial film growth apparatus |
DE102005045337B4 (de) * | 2005-09-22 | 2008-08-21 | Siltronic Ag | Epitaxierte Siliciumscheibe und Verfahren zur Herstellung von epitaxierten Siliciumscheiben |
US7651948B2 (en) * | 2006-06-30 | 2010-01-26 | Applied Materials, Inc. | Pre-cleaning of substrates in epitaxy chambers |
JP5023900B2 (ja) * | 2006-09-05 | 2012-09-12 | 株式会社Sumco | エピタキシャルシリコンウェーハ |
DE102006055038B4 (de) * | 2006-11-22 | 2012-12-27 | Siltronic Ag | Epitaxierte Halbleiterscheibe sowie Vorrichtung und Verfahren zur Herstellung einer epitaxierten Halbleiterscheibe |
US9064960B2 (en) * | 2007-01-31 | 2015-06-23 | Applied Materials, Inc. | Selective epitaxy process control |
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Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2002043230A (ja) * | 2000-07-25 | 2002-02-08 | Mitsubishi Materials Silicon Corp | 半導体ウェーハおよびその製造方法 |
JP2007088469A (ja) * | 2005-09-22 | 2007-04-05 | Siltronic Ag | エピタキシャルシリコンウェハおよびエピタキシャルシリコンウェハの製造方法 |
JP2007084428A (ja) * | 2005-09-22 | 2007-04-05 | Siltronic Ag | エピタキシャルシリコンウェハおよびエピタキシャルシリコンウェハの製造方法 |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US10961638B2 (en) | 2015-12-17 | 2021-03-30 | Siltronic Ag | Method for epitaxially coating semiconductor wafers, and semiconductor wafer |
JP2020524909A (ja) * | 2017-06-21 | 2020-08-20 | ジルトロニック アクチエンゲゼルシャフトSiltronic AG | 半導体ウェハを処理するための方法、制御システムおよびプラント、ならびに半導体ウェハ |
US11658022B2 (en) | 2017-06-21 | 2023-05-23 | Siltronic Ag | Method, control system, and system for machining a semiconductor wafer, and semiconductor wafer |
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