JP2013008697A - 照明装置 - Google Patents
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Abstract
まい、エレクトロルミネッセンス層全体が劣化してしまうことを防止する。
【解決手段】複数の島状エレクトロルミネセンス層を有する構成とする。即ち、エレクト
ロルミネッセンス層を複数に分断する。そして、複数の島状エレクトロルミネッセンス層
を共通の一対の電極で挟むことによって、一の島状エレクトロルミネッセンス層に水分が
浸透しても他の島状エレクトロルミネッセンス層には水分が浸透しなくなる。
【選択図】図3
Description
られている。
第2の電極40が順次積層されている。
ら水分91、水分92が侵入してエレクトロルミネッセンス層30の劣化が生じてしまう
ことになる。
ンス層30を介して水分が浸透してしまうので、エレクトロルミネッセンス層30全体が
劣化してしまうことになる。
になってしまう。
て、一の島状エレクトロルミネッセンス層に水分が浸透しても他の島状エレクトロルミネ
ッセンス層には水分が浸透しなくなる。
重なる島状エレクトロルミネッセンス層のみが劣化するだけに留めることができる。
になる事態を防止することができる。
エレクトロルミネッセンス層が設けられていない箇所は一対の電極同士が接触するためシ
ョートしてしまう。
絶縁層又は半導体層)を設けることが好ましい。なお、複数の島状エレクトロルミネッセ
ンス層の設けられていない領域において一対の電極の間に非導電体層が介在していればど
のような構成でもよい。
め劣化が生じやすい。
置に設けることによって、発光に寄与する部分に電界が集中することを防止することがで
きる。
合は、端部(エッジ部)を非導電体層と重なる位置に設けることによって、端部(エッジ
部)が発光に寄与しない犠牲領域となる。
は、端部(エッジ部)を非導電体層と重なる位置に設けることによって、非導電体層が第
2の電極からの電界に対する電界緩和層となる。
層と、前記複数の開口部において露出した前記第1の電極上に形成された複数の島状エレ
クトロルミネッセンス層と、前記複数の島状エレクトロルミネッセンス層を覆って形成さ
れた第2の電極と、を有し、前記複数の島状エレクトロルミネッセンス層の端部は、前記
非導電体層上に形成されていることを特徴とする光源を提供することができる。
層と、前記複数の開口部において露出した前記第1の電極上に形成された複数の島状エレ
クトロルミネッセンス層と、前記複数の島状エレクトロルミネッセンス層を覆って形成さ
れた第2の電極と、を有し、前記複数の島状エレクトロルミネッセンス層の端部は、前記
非導電体層上に形成されていることを特徴とする光源を提供することができる。
ンス層と、前記第1の電極上に形成された複数の開口部を有する非導電体層と、前記非導
電体層上及び前記複数の開口部において露出した複数の島状エレクトロルミネッセンス層
上に形成された第2の電極と、を有し、前記非導電体層は、前記複数の島状エレクトロル
ミネッセンス層の端部を覆って形成されていることを特徴とする光源を提供することがで
きる。
ンス層と、前記複数の島状エレクトロルミネッセンス層上に形成された複数の島状電極と
、前記複数の島状エレクトロルミネッセンス層と前記複数の島状電極とからなる複数の積
層構造の間に埋め込まれた非導電体層と、前記複数の島状電極上及び前記非導電体層上に
形成された第2の電極と、を有することを特徴とする光源を提供することができる。
線状の孔が設けられていると好ましい。
源と、前記光源に対向して設けられた導光板と、を有することを特徴とする装置を提供す
ることができる。なお、前記光源は、両面射出型光源であると好ましい。
表示パネルと、前記光源と前記表示パネルの間に挟まれて設けられた導光板と、を有する
ことを特徴とする装置を提供することができる。なお、前記光源は、両面射出型光源であ
ると好ましい。
が劣化してしまうことを防止することができる。
層)を設けることによって、一対の電極同士のショートを防止することができる。
ることによって、島状エレクトロルミネッセンス層内の発光に寄与する領域が劣化するこ
とを防止することができる。
当業者であれば容易に理解される。
ない。
符号を異なる図面間で共通して用い、その繰り返しの説明は省略する。
実施の形態及び図に記載された数に限定されない。
光源の作製方法の一例を図1乃至図3を用いて説明する。
部を有する非導電体層300を形成する。(図1(A)、図1(B))
ても良い。
ンス層401乃至島状エレクトロルミネッセンス層409を形成する。(図2(A)、図
2(B))
られる。
09を覆って第2の電極500を形成する。(図3(A)、図3(B))
、封止は保護膜のみで行っても良いし、保護膜と、前記保護膜上に設けられた前記保護膜
を摩擦から保護する保護フィルムと、を用いても良い。このように、第2の基板を用いず
保護膜で封止をする封止方式を膜封止と呼ぶ。膜封止を行い且つ第1の基板を可撓性の基
板とすることにより、光源を薄く且つ軽くできる。
第2の電極との間に挟むことによって、光源の劣化を防止することができる。
に複数の島状エレクトロルミネッセンス層を配置することによって、第1の電極と第2の
電極とのショートを防止することができる。
め、端部(エッジ部)は上面と側面から電圧が印加されることになるので、端部(エッジ
部)には電界が集中しやすいため劣化が生じやすい。
部)が発光に寄与しない部分になるので、発光に寄与する部分に電界が集中することを防
止することができる。
部)が犠牲領域となる。
することによって、発光に寄与する部分に電界が集中することを防止することができるた
め、発光に寄与する部分の劣化を防止することができる。
部)を非導電体層と重なる位置に設けることが好ましい。
きいこと(島状エレクトロルミネッセンス層が開口部よりも一回り大きいこと)は好まし
い。
、島状エレクトロルミネッセンス層を形成する位置が少しずれてしまっても第1の電極が
露出しないという効果も生ずることになる。
大きい方が好ましい。
、複数の島状エレクトロルミネッセンス層の段切れを防止することができるので好ましい
。
本実施の形態では、材料並びに作製方法について説明する。
とができる。
ある。
ルミニウム等)、半導体基板(シリコンウェハ等)、紙基板等がある。
方は透光性を有する。
持たせることが容易である。
可撓性を有する光源を提供することができる。
なるため、好みの形状に成型可能な光源を提供することもできる。
限定されない。
て、導電性を有するものを用いても良い。
、パラジウム、イリジウム、アルカリ金属、アルカリ土類金属等があるがこれらに限定さ
れない。
インジウム及びガリウムを含む酸化亜鉛等があるがこれらに限定されない。
アルミリチウム合金、マグネシウムリチウム合金等)を陰極に適用すると好適である。
方は透光性を有する。
び第2の基板の双方が透光性を有していると、両面から光を取り出せる光源(両面射出型
の光源)とすることができる。
することができる。(膜厚は50nm以下が好ましい。)
電極の抵抗値が上がってしまう。
属合金等としておき、エレクトロルミネッセンス層と接しない面を酸化物導電体とするこ
とにより電極の抵抗値を下げることができる。
、仕事関数及び抵抗値の両方を好適なものにすることができるので好ましい。
れらに限定されない。
酸化珪素、酸化珪素、窒化アルミニウム、酸化窒化アルミニウム、窒化酸化アルミニウム
等を用いることができるがこれらに限定されない
を用いることができるがこれらに限定されない。
亜鉛と酸素とを主成分とする)、In−Sn−Zn−O系酸化物(インジウムと錫と亜鉛
と酸素とを主成分とする)、In−Al−Zn−O系酸化物(インジウムとアルミニウム
と亜鉛と酸素とを主成分とする)、Sn−Ga−Zn−O系酸化物(錫とガリウムと亜鉛
と酸素とを主成分とする)、Al−Ga−Zn−O系酸化物(アルミニウムとガリウムと
亜鉛と酸素とを主成分とする)、Sn−Al−Zn−O系酸化物(錫とアルミニウムと亜
鉛と酸素とを主成分とする)、In−Zn−O系酸化物(インジウムと亜鉛と酸素とを主
成分とする)、Sn−Zn−O系酸化物(錫と亜鉛と酸素とを主成分とする)、Al−Z
n−O系酸化物(アルミニウムと亜鉛と酸素とを主成分とする)、In−O系酸化物(イ
ンジウム酸化物(酸化インジウム))、Sn−O系酸化物(錫酸化物(酸化錫))、Zn
−O系酸化物(亜鉛酸化物(酸化亜鉛))等の酸化物半導体を用いることができるがこれ
らに限定されない。
マニウム等よりも高い透光性を有する。したがって、非導電体層として酸化物半導体を用
いることによって光取り出し効率を向上させることができる。
を示す場合があるので、キャリア密度を低くすることが好ましい。
、更に好ましくは1×1014cm−3以下、更に好ましくは1×1012cm−3以下
)が好ましい。
れない。
ていない形態が好ましいがこれに限定されない。
ロルミネッセンス層の劣化を防止することができる。
ルミネッセンス層から電極に伝わった熱が絶縁層を介して金属に伝わり放熱することが可
能である。
状態となるのでショートの問題は起こらない。
壁が島状エレクトロルミネッセンス層の一部に接する状態とすると直接的に放熱ができる
ので好ましい。
が島状エレクトロルミネッセンス層とが接しない状態とすることも可能である。
ーボン、窒化酸化アルミニウム、窒化アルミニウム等にすることによって、放熱効果を上
昇させることができる。
0W/m・K、銅の熱伝導率が398W/m・K、金の熱伝導率が320W/m・K、ア
ルミニウムの熱伝導率が236W/m・Kであることを考慮すると、金属層を一対の絶縁
層で挟んだ積層構造とした方が好ましいといえる。
属類であればどのようなものを用いても良い。
ましいといえる。(参考までに絶縁体の熱伝導率は一般的に10W/m・K以下のものが
多い。)
導電率及び前記第2の非導電体層の熱導電率よりも高い熱導電率を有する層を挟めば良い
ということである。
挟んでも良い。
方法により変動する)である。
る場合、一対の非導電体層の間に金属層を挟んだ積層構造とすることによって背景を隠す
ことができる。
えると隣の部屋がのぞかれるので、隣の部屋をのぞかれたくない場合等に背景を隠すこと
は有効である。
すれば良い。
たが、一対の非導電体層の間に金属層を挟んだ積層構造とすることによって、金属層が四
方八方に放射されるエレクトロルミネッセンス光の一部を反射するので、反射光を利用す
ることができる。
ることにより反射効率の上昇が可能である。
して、例えば、有機化合物を含む発光層がある。
有していても良い。
レクトロルミネッセンス層とすることによって、エレクトロルミネッセンス層の輝度を向
上させることができる。
属酸化物と有機化合物との混合物等を用いることができる。
の混合物等を用いると、電圧印加時において、陰極方向にホールを注入し、陽極方向に電
子を注入することができるので好適である。
ル、酸化クロム、酸化モリブデン、酸化タングステン、酸化マンガン、酸化レニウム等の
遷移金属酸化物である。
ン化合物)、カルバゾール誘導体、芳香族炭化水素、Alq等を用いると遷移金属酸化物
と電荷移動錯体を形成するので好ましい。
るがこれらに限定されない。シール材は単なる接着剤でも良い。
化珪素、窒化アルミニウム、酸化窒化アルミニウム、窒化酸化アルミニウム等の無機化合
物を用いると水分をブロックできるので好ましいがこれらに限定されない。また、保護膜
は積層構造でも良い。
に加工する方法は、フォトリソグラフィを用いた方法、メタルマスクを用いた方法等を用
いれば良い。また、インクジェット法等を用いて直接的にパターン(複数の島状エレクト
ロルミネッセンス層)を形成しても良い。
テーパー形状について図31を用いて説明する。
極200上に開口部を有する非導電体層300が設けられている。
立った部分が下向きに広がっていく形状である。(図31(A))
立った部分が上向きに広がっていく形状である。(図31(B))
立った部分と第1の電極表面との角度が直角となるようにすることである。
島状エレクトロルミネッセンス層(又は第2の電極)の段切れを防止できる点で優れてい
る。
D))
光源の作製方法の一例を図4乃至図8を用いて説明する。
い。
、図5(B))
センス層に用いる材料等を用いることができる。
用いた成膜方法、フォトマスクを用いたフォトリソグラフィ法等を用いることができる。
後、マスク901〜909を除去する。(図6(A)、図6(B)、図6(C))
理、酸素プラズマ処理、水蒸気雰囲気での加熱処理、水プラズマ処理等により行うことが
できる。
ラズマ処理を行うとマスク901〜909の端部も同時に除去されてしまうので、マスク
901〜909が小さくなる。(図6(B))
も小さくなる。
クを、島状エレクトロルミネッセンス層を形成するために再度使用することによって、島
状エレクトロルミネッセンス層の周辺端部(全ての端部)を絶縁された領域と重なる位置
に設けることができる。
又はフォトマスクを削減できるのでコスト低減につながり好ましい。
レクトロルミネッセンス層を形成するために使用するメタルマスク又はフォトマスクと、
を別のものにしても良い。
トロルミネッセンス層409を形成する。(図7(A)、図7(B))
応した位置に設けられる。
09を覆って第2の電極500を形成する。(図8(A)、図8(B))
た表面に設けると好ましい。
部)を絶縁化した表面と重なる位置に設けることが好ましい。
ロルミネッセンス層が段差で段切れすることがなくなるので好ましい。
光源の作製方法の一例を図9乃至図11を用いて説明する。
トロルミネッセンス層401乃至島状エレクトロルミネッセンス層409を形成する。(
図9(A)、図9(B))
い。
09を覆い、且つ、島状エレクトロルミネッセンス層401乃至島状エレクトロルミネッ
センス層409にそれぞれ対応する位置に複数の開口部を有する非導電体層300を形成
する。(図10(A)、図10(B))
ンス層401乃至島状エレクトロルミネッセンス層409上に第2の電極500を形成す
る。(図11(A)、図11(B))
島状エレクトロルミネッセンス層の段切れを防止することができる。
とによって、端部(エッジ部)を非導電体層で保護することができる。
る電界を緩和することができる。
の端部)を非導電体層と重なる位置に設けることが好ましい。
、第2の電極の段切れを防止することができるので好ましい。
光源の作製方法の一例を図12乃至図15を用いて説明する。
ミネッセンス層401乃至島状エレクトロルミネッセンス層409を形成する。(図12
(A)、図12(B))
い。
09上に島状電極511乃至島状電極519を形成する。(図13(A)、図13(B)
)
けられる。
数の島状電極を形成し、前記複数の島状電極をマスクとして用いて前記エレクトロルミネ
ッセンス層をエッチングすることにより複数の島状エレクトロルミネッセンス層を形成す
る第1の方法を用いても良い。
電膜を形成し、前記導電膜上に複数のマスク(複数のレジストマスク等)を形成し、前記
複数のマスクを用いて前記導電膜をエッチングして複数の島状電極を形成するとともに前
記エレクトロルミネッセンス層をエッチングして複数のエレクトロルミネッセンス層を形
成する第2の方法を用いても良い。
ス層及び複数の島状電極の形成工程を簡略化できる。
研磨(機械研磨、CMP(Chemical Mechanical Polishin
g)等)することにより、複数の島状エレクトロルミネッセンス層と複数の島状電極と積
層構造の間に埋め込まれた非導電体層300を形成する。(図14(A)、図14(B)
)
0を形成する。(図15(A)、図15(B))
島状エレクトロルミネッセンス層の段切れを防止することができる。
できる。
状電極がバリアとなり、複数の島状エレクトロルミネッセンス層の上部がエッチングされ
てしまうことを防止することができる。
極として機能させることができる。(補助電極(1))
極として機能させることができる。(補助電極(2))
方が好ましい。なぜなら、第2の電極の面積は複数の島状電極の面積の総和よりも大きい
ので、補助電極(1)よりも補助電極(2)の方が上部電極(島状電極と第2の電極の積
層体)の抵抗値を下げることができるからである。
島状電極の端部(エッジ部)を非導電体層で覆っても良い。
島状エレクトロルミネッセンス層401乃至島状エレクトロルミネッセンス層409の
形状は、図16に示すような四角形以外に、三角形、多角形、円形、楕円形、ドーナツ形
、星形、ハート形等さまざまな形状とすることができる。
しい。
える光源となるので美しい。
ようにしても美しい。
人間の美感に訴える光源を提供することができる。
光源の電源供給構造について説明する。
置された第2のシール材702と第2の基板110とに囲まれた領域に第1のシール材7
01が充填されている。
おいて第1の電極200が露出している。
源の供給が可能となる。
(実施の形態9)
光源の電源供給構造について説明する。
領域において、発光領域の周囲に配置された第2のシール材702と第3のシール材70
3と第2の基板110とに囲まれた領域に第1のシール材701が充填されている。
小さくできる。
よって、発光領域の面積を広くすることができる。
図20〜図23に示すように、島状エレクトロルミネッセンス層を環状(円環状、多角
環状等)にしても良い。
層413を円環状にしたものである。
層413を円環状にしたときの接続部の構成を示したものである。
層423を多角環状にしたものである。
層423を多角環状にしたときの接続部の構成を示したものである。
くできるので好ましい。
複数の島状エレクトロルミネッセンス層を形成することによって、光源を自由な形状に
成型することが可能となる。
を切断すると、エレクトロルミネッセンス層の側面が露出してしまう。
なくなっていた。
決することができる。
層、黒い島状部分が側面が露出した島状エレクトロルミネッセンス層、破線部分が切断箇
所である。
ッセンス層は側面が露出して発光しなくなるが、切断箇所と重ならない島状エレクトロル
ミネッセンス層は側面が露出していないので発光が維持される。
ーカット、ダイシング装置等でカットすれば良い。
な切断道具で切断が可能であるので、誰でも簡単に成型できるため家庭、学校等で楽しむ
ことができる。
観点から好ましい。
切断を行えば良いので、切断後の形状が制約されない。
ができるので非常に好ましい。
接続部があれば切れ端も発光させることができるので光源として再利用することができる
。
くことによって、切断道具を使用しなくとも切断ができるので家庭、学校等で簡便に切断
ができる。
しい。
び第2の電極、非導電体層、保護膜等を全て貫いて形成される。
)であり、島状エレクトロルミネッセンス層及び接続部が形成されていない位置に形成さ
れている。一つの島状エレクトロルミネッセンス層に対して一つの接続部を設けておく方
が好ましい。
)であり、島状エレクトロルミネッセンス層及び接続部が形成されていない位置に形成さ
れている。このように環状の間に切り取り用の破線状の孔(ミシン目)を形成しておくこ
とによって、所望の大きさに事後的に調整できる。
部8121乃至接続部8123を設けている。図26の構成により、切断をしたとしても
全ての円環を発光させることができる。
)であり、島状エレクトロルミネッセンス層及び接続部が形成されていない位置に形成さ
れている。このように環状の間に切り取り用の破線状の孔(ミシン目)を形成しておくこ
とによって、所望の大きさに事後的に調整できる。
部8121乃至接続部8123を設けている。図28の構成により、切断をしたとしても
全ての円環を発光させることができる。
ていない位置に形成されているので、島状エレクトロルミネッセンス層の側面が切断前及
び切断後の双方で露出することがないため、光源の劣化を防止することができる。
図29は、両面射出型光源2001に対向して導光板2002を配置した装置である。
光ではない。
は面均一に光り、他方からマークが光る構成とすることができるので、実用とおしゃれを
兼ね備えた装置(又は発光パネル)を提供することができる。また、面均一な光を得るこ
とを目的とする場合は片面射出型光源としてもよい。片面射出型光源とした場合、導光板
は片面射出型光源の光が射出される側に設ける。
示パネル2003とで挟むことにより、一方の面で表示が楽しめ、他方の面ではマークが
光る装置(又は表示装置)を提供することが可能である。また、面均一な光を得ることを
目的とする場合は片面射出型光源としてもよい。片面射出型光源とした場合、導光板は片
面射出型光源の光が射出される側に設ける。
パネル、有機エレクトロルミネッセンス表示パネル、無機エレクトロルミネッセンス表示
パネル等があるがこれらに限定されない。
等は自発光方式の表示パネルである。
できる。
った場合、明るい場所で表示が見にくい場合等がある。
領域に光が透過するように自発光方式の表示パネルの有する発光素子の有する一対の電極
が透光性であることが好ましい。
28等)、記号、文字、数字、幾何学的模様等があるがこれらに限定されない。
図22、図25〜28等)等の島状エレクトロルミネッセンス層が密に並べられた構成が
好ましい。
造等)としておくことによって背景を隠せるので好ましい。
で、非導電体層を遮光性としておくことは有用である。
脂板(アクリル板等)に表面加工を施し光拡散させるもの等を用いることができるがこれ
らに限定されない。なお、導光板にはフィルム状のものも含まれる。なお、導光板200
2は必須の構成ではないので必要に応じて設ければ良い。
複数の島状エレクトロルミネッセンス層は、複数の発光色を有していても良い。(例え
ば、赤色の島状エレクトロルミネッセンス層と青色の島状エレクトロルミネッセンス層と
緑色の島状エレクトロルミネッセンス層を有する光源等)
された積層構造を有していても良い。(例えば、赤色の発光層と青色の発光層と緑色の発
光層を有する島状エレクトロルミネッセンス層等)
レクトロルミネッセンス層は異なる発光色を有する複数の発光層が積層された積層構造を
有していても良い。
で好ましい。
20 第1の電極
30 エレクトロルミネッセンス層
40 第2の電極
80 ピンホール
91 水分
92 水分
100 第1の基板
110 第2の基板
200 第1の電極
200 第1の電極
300 非導電体層
401 島状エレクトロルミネッセンス層
402 島状エレクトロルミネッセンス層
403 島状エレクトロルミネッセンス層
404 島状エレクトロルミネッセンス層
405 島状エレクトロルミネッセンス層
406 島状エレクトロルミネッセンス層
407 島状エレクトロルミネッセンス層
408 島状エレクトロルミネッセンス層
409 島状エレクトロルミネッセンス層
411 島状エレクトロルミネッセンス層
412 島状エレクトロルミネッセンス層
413 島状エレクトロルミネッセンス層
421 島状エレクトロルミネッセンス層
422 島状エレクトロルミネッセンス層
423 島状エレクトロルミネッセンス層
500 第2の電極
511 島状電極
512 島状電極
513 島状電極
514 島状電極
515 島状電極
516 島状電極
517 島状電極
518 島状電極
519 島状電極
600 保護膜
701 第1のシール材
702 第2のシール材
703 第3のシール材
901 マスク
902 マスク
903 マスク
904 マスク
905 マスク
906 マスク
907 マスク
908 マスク
909 マスク
2001 両面射出型光源
2002 導光板
2003 表示パネル
8001 破線
8002 破線
8003 破線
8004 破線
8011 破線
8012 破線
8021 破線
8022 破線
8121 接続部
8122 接続部
8123 接続部
Claims (1)
- 第1の電極と、
前記第1の電極上に形成された複数の開口部を有する非導電体層と、
前記複数の開口部において露出した前記第1の電極上に形成された複数の島状エレクトロルミネッセンス層と、
前記複数の島状エレクトロルミネッセンス層を覆って形成された第2の電極と、を有し、
前記複数の島状エレクトロルミネッセンス層の端部は、前記非導電体層上に形成されていることを特徴とする照明装置。
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---|---|---|---|
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---|---|---|---|
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Country | Link |
---|---|
US (1) | US8525407B2 (ja) |
JP (9) | JP2011029164A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2014208435A1 (ja) * | 2013-06-28 | 2014-12-31 | コニカミノルタ株式会社 | 有機エレクトロルミネッセンス素子、及びその製造方法 |
Families Citing this family (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US8169137B2 (en) * | 2009-07-14 | 2012-05-01 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light source and device using electroluminescence element |
US9781783B2 (en) | 2011-04-15 | 2017-10-03 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting device, display device, light-emitting system, and display system |
DE102012214021B4 (de) * | 2012-08-08 | 2018-05-09 | Osram Oled Gmbh | Optoelektronisches Bauelement und Verfahren zum Herstellen eines optoelektronischen Bauelementes |
EP2890929B1 (en) * | 2012-08-31 | 2017-12-20 | Philips Lighting Holding B.V. | Illumination device based on thermally conductive sheet with light diffusing particles |
WO2014080706A1 (ja) * | 2012-11-21 | 2014-05-30 | ソニー株式会社 | 有機電界発光装置および有機電界発光装置の製造方法ならびに電子機器 |
JP6073143B2 (ja) * | 2013-01-28 | 2017-02-01 | 株式会社カネカ | 有機el装置 |
JP2018156722A (ja) * | 2015-08-19 | 2018-10-04 | 株式会社カネカ | 有機elパネル |
JP6605919B2 (ja) * | 2015-11-05 | 2019-11-13 | 株式会社ジャパンディスプレイ | 表示装置の製造方法及び表示装置 |
JP6151845B1 (ja) * | 2016-12-27 | 2017-06-21 | Lumiotec株式会社 | 有機エレクトロルミネッセント素子、照明装置、ディスプレイ装置 |
KR102661270B1 (ko) * | 2018-12-28 | 2024-04-25 | 엘지디스플레이 주식회사 | 조명장치 |
Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2005332690A (ja) * | 2004-05-20 | 2005-12-02 | Canon Inc | 有機発光素子および画像表示装置 |
JP2006236744A (ja) * | 2005-02-24 | 2006-09-07 | Seiko Epson Corp | 有機el装置、有機el装置の製造方法および電子機器 |
WO2007023272A1 (en) * | 2005-08-23 | 2007-03-01 | Cambridge Display Technology Limited | Organic electronic device structures and fabrication methods |
JP2007220393A (ja) * | 2006-02-15 | 2007-08-30 | Seiko Epson Corp | 有機el装置、その製造方法およびこれを備える電子機器 |
JP2007273397A (ja) * | 2006-03-31 | 2007-10-18 | Pioneer Electronic Corp | 有機el多色ディスプレイパネル |
JP2008123738A (ja) * | 2006-11-09 | 2008-05-29 | Seiko Epson Corp | 光学装置、光学装置の製造方法および電子機器。 |
Family Cites Families (107)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2723177B2 (ja) * | 1995-03-30 | 1998-03-09 | セイコープレシジョン株式会社 | El発光装置 |
JPH08327752A (ja) | 1995-06-02 | 1996-12-13 | Citizen Watch Co Ltd | El付時計のel周り構造 |
EP0784659B1 (en) * | 1995-08-03 | 1999-12-08 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Electroluminescent device |
JP3563175B2 (ja) | 1995-10-17 | 2004-09-08 | シチズン時計株式会社 | El照明付き複合表示時計 |
JPH09166673A (ja) | 1995-12-15 | 1997-06-24 | Citizen Watch Co Ltd | El照明付き電子時計 |
JPH10172761A (ja) * | 1996-12-10 | 1998-06-26 | Tdk Corp | 有機エレクトロルミネッセンス素子およびその製造方法と有機エレクトロルミネッセンス表示装置およびその製造方法 |
JPH10213459A (ja) | 1997-01-31 | 1998-08-11 | Nippon Seiki Co Ltd | El照明式計器 |
JPH10300527A (ja) | 1997-04-25 | 1998-11-13 | Nippon Seiki Co Ltd | El照明式計器 |
GB9710344D0 (en) * | 1997-05-21 | 1997-07-16 | Cambridge Display Tech Ltd | Patterning of organic light-emitting devices |
US6307528B1 (en) * | 1997-12-08 | 2001-10-23 | Hughes Electronics Corporation | Contrast organic light-emitting display |
JPH11174164A (ja) | 1997-12-16 | 1999-07-02 | Citizen Watch Co Ltd | El照明文字板 |
JP2000009821A (ja) | 1998-06-18 | 2000-01-14 | Japan Radio Co Ltd | 表示装置 |
JP2000029410A (ja) | 1998-07-13 | 2000-01-28 | Tokai Rika Co Ltd | El照明表示装置 |
WO2000015009A1 (fr) * | 1998-09-02 | 2000-03-16 | Seiko Epson Corporation | Source lumineuse et dispositif d'affichage |
JP2000137453A (ja) | 1998-11-02 | 2000-05-16 | Citizen Watch Co Ltd | エレクトロルミネッセンス装飾品 |
JP2000262369A (ja) | 1999-03-16 | 2000-09-26 | Nagae Yoshitaka | 照明付き鏡 |
US6580094B1 (en) * | 1999-10-29 | 2003-06-17 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Electro luminescence display device |
JP2001217078A (ja) * | 2000-02-03 | 2001-08-10 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 有機発光素子及びその製造方法 |
JP2001313172A (ja) * | 2000-02-25 | 2001-11-09 | Seiko Epson Corp | 有機エレクトロルミネッセンス白色光源、及びその製造方法 |
EP1204903A4 (en) | 2000-05-30 | 2005-05-04 | Seiko Epson Corp | PORTABLE ELECTRONIC DEVICE |
JP4366880B2 (ja) | 2000-06-15 | 2009-11-18 | セイコーエプソン株式会社 | 携帯型情報機器、携帯型情報機器の制御方法、記録媒体およびプログラム |
JP2002056987A (ja) * | 2000-08-09 | 2002-02-22 | Korai Kagi Kofun Yugenkoshi | 自動放熱型有機エレクトロルミネッセンスデバイス、及びその製造方法 |
US6683410B2 (en) * | 2000-09-20 | 2004-01-27 | Samsung Sdi Co., Ltd. | Organic EL device with light absorbing piece and method for manufacturing the same |
JP2002148361A (ja) | 2000-11-09 | 2002-05-22 | Citizen Watch Co Ltd | El照明付ソーラーセル発電時計 |
JP2002329418A (ja) | 2001-05-01 | 2002-11-15 | Tasuke Iwashita | El照明内蔵鏡 |
TWI257828B (en) | 2001-05-31 | 2006-07-01 | Seiko Epson Corp | EL device, EL display, EL illumination apparatus, liquid crystal apparatus using the EL illumination apparatus and electronic apparatus |
JP3750563B2 (ja) | 2001-06-01 | 2006-03-01 | セイコーエプソン株式会社 | Elデバイス、elディスプレイ、el照明装置およびこれを用いた液晶装置、並びに電子機器 |
JP2002359068A (ja) | 2001-05-31 | 2002-12-13 | Seiko Epson Corp | Elデバイス、elディスプレイ、el照明装置およびこれを用いた液晶装置、並びに電子機器 |
JP4273694B2 (ja) | 2001-06-07 | 2009-06-03 | セイコーエプソン株式会社 | Elディスプレイ、el照明装置、およびその駆動方法、ならびに液晶装置および電子機器 |
JP2003017262A (ja) * | 2001-07-04 | 2003-01-17 | Dainippon Printing Co Ltd | 絶縁材料によってel層の成膜欠陥が被覆されたel素子とその製造方法 |
US6656611B2 (en) * | 2001-07-20 | 2003-12-02 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Structure-defining material for OLEDs |
SG176316A1 (en) | 2001-12-05 | 2011-12-29 | Semiconductor Energy Lab | Organic semiconductor element |
JP2003217868A (ja) | 2002-01-22 | 2003-07-31 | Tasuke Iwashita | El照明内蔵鏡 |
JP2003282264A (ja) * | 2002-03-27 | 2003-10-03 | Toshiba Lighting & Technology Corp | 有機エレクトロルミネッセンス光源および液晶表示装置 |
JP2003303683A (ja) | 2002-04-09 | 2003-10-24 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 発光装置 |
US7226332B2 (en) | 2002-04-30 | 2007-06-05 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light emitting device and manufacturing method thereof |
EP1388903B1 (en) | 2002-08-09 | 2016-03-16 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Organic electroluminescent device |
JP4611267B2 (ja) * | 2002-09-11 | 2011-01-12 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 発光装置の作製方法 |
JP4373653B2 (ja) * | 2002-09-12 | 2009-11-25 | 東芝モバイルディスプレイ株式会社 | 有機el表示装置 |
JP2004127705A (ja) * | 2002-10-02 | 2004-04-22 | Kansho Ho | 放熱効率を増大させることのできる有機エレクトロルミネッセンス素子およびその製作方法 |
JP2004134282A (ja) | 2002-10-11 | 2004-04-30 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 照明装置及びそれを用いた画像読取装置 |
JP4252297B2 (ja) * | 2002-12-12 | 2009-04-08 | 株式会社日立製作所 | 発光素子およびこの発光素子を用いた表示装置 |
US6975067B2 (en) * | 2002-12-19 | 2005-12-13 | 3M Innovative Properties Company | Organic electroluminescent device and encapsulation method |
JP2004207084A (ja) | 2002-12-25 | 2004-07-22 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 発光装置およびその作製方法 |
JP2004234868A (ja) | 2003-01-28 | 2004-08-19 | Matsushita Electric Works Ltd | 有機el照明素子 |
JP4244697B2 (ja) * | 2003-05-13 | 2009-03-25 | セイコーエプソン株式会社 | 表示装置及び方法 |
JP4771040B2 (ja) | 2003-09-17 | 2011-09-14 | スタンレー電気株式会社 | El照明装置 |
JP2005276667A (ja) * | 2004-03-25 | 2005-10-06 | Fuji Photo Film Co Ltd | 有機el素子およびその製造方法 |
US6992326B1 (en) * | 2004-08-03 | 2006-01-31 | Dupont Displays, Inc. | Electronic device and process for forming same |
US20060066227A1 (en) * | 2004-09-24 | 2006-03-30 | Virnich James L | Electronic device with dual display arrangement |
JP2006332036A (ja) * | 2005-04-25 | 2006-12-07 | Showa Denko Kk | 表示装置の製造方法 |
US8659008B2 (en) | 2005-07-08 | 2014-02-25 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Composite material and light emitting element, light emitting device, and electronic device using the composite material |
GB0517195D0 (en) | 2005-08-23 | 2005-09-28 | Cambridge Display Tech Ltd | Molecular electronic device structures and fabrication methods |
JP2007115629A (ja) | 2005-10-24 | 2007-05-10 | Optrex Corp | 有機el照明装置及びその製造方法 |
JP4390763B2 (ja) | 2005-11-17 | 2009-12-24 | 株式会社豊田自動織機 | 車両用小物入れ |
JP4569463B2 (ja) | 2005-12-20 | 2010-10-27 | パナソニック電工株式会社 | 有機el照明パネル用取付け装置 |
JP4561623B2 (ja) | 2005-12-20 | 2010-10-13 | パナソニック電工株式会社 | 有機elスポットライト及び有機elダウンライト |
JP4770450B2 (ja) | 2005-12-21 | 2011-09-14 | パナソニック電工株式会社 | 有機el照明装置 |
JP4792959B2 (ja) | 2005-12-22 | 2011-10-12 | パナソニック電工株式会社 | 有機el照明パネル及び有機el照明装置 |
JP2007173525A (ja) | 2005-12-22 | 2007-07-05 | Matsushita Electric Works Ltd | 有機el照明パネル及び有機el照明装置 |
JP2007173564A (ja) | 2005-12-22 | 2007-07-05 | Matsushita Electric Works Ltd | 有機el素子ユニット、およびこれを用いた有機el照明装置 |
JP4696896B2 (ja) | 2005-12-22 | 2011-06-08 | パナソニック電工株式会社 | 有機el照明パネル及び有機el照明装置 |
JP4882366B2 (ja) | 2005-12-22 | 2012-02-22 | パナソニック電工株式会社 | 有機el照明装置 |
JP5256605B2 (ja) * | 2006-01-18 | 2013-08-07 | 凸版印刷株式会社 | 有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法 |
JP2007227523A (ja) | 2006-02-22 | 2007-09-06 | Matsushita Electric Works Ltd | 有機el照明装置 |
JP2007234426A (ja) * | 2006-03-01 | 2007-09-13 | Fuji Electric Holdings Co Ltd | 有機elディスプレイの製造方法 |
JP4793075B2 (ja) | 2006-04-21 | 2011-10-12 | パナソニック電工株式会社 | 照明装置 |
JP4736926B2 (ja) | 2006-04-21 | 2011-07-27 | パナソニック電工株式会社 | El照明パネル |
KR101325577B1 (ko) * | 2006-04-28 | 2013-11-06 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기전계 발광소자 및 그 제조방법 |
US8328375B2 (en) * | 2006-09-29 | 2012-12-11 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Organic lighting device and lighting equipment |
JP2008108431A (ja) * | 2006-10-23 | 2008-05-08 | Seiko Instruments Inc | El発光素子 |
JP2008108680A (ja) * | 2006-10-27 | 2008-05-08 | Fuji Electric Holdings Co Ltd | 有機el素子の製造方法 |
JP2008117742A (ja) | 2006-11-07 | 2008-05-22 | Micro System:Kk | 円筒型有機el照明器 |
JP2008171993A (ja) * | 2007-01-11 | 2008-07-24 | Fujikura Ltd | 有機エレクトロルミネッセンス素子、光通信用光源及び照明装置 |
JP2008210676A (ja) | 2007-02-27 | 2008-09-11 | Toppan Forms Co Ltd | 電子表示パネル |
JP2008210678A (ja) | 2007-02-27 | 2008-09-11 | Toppan Forms Co Ltd | 電子表示パネル |
US8330177B2 (en) * | 2007-02-27 | 2012-12-11 | Panasonic Corporation | Display device |
JP2008279227A (ja) | 2007-05-10 | 2008-11-20 | Jiku Planning:Kk | Led照明付き宝飾箱 |
JP4905264B2 (ja) | 2007-06-15 | 2012-03-28 | 株式会社デンソーウェーブ | 手持ち操作型情報読取装置 |
JP5532557B2 (ja) | 2007-07-09 | 2014-06-25 | 大日本印刷株式会社 | ガスバリア性シート、ガスバリア性シートの製造方法、封止体、及び有機elディスプレイ |
JP2009048814A (ja) | 2007-08-16 | 2009-03-05 | Nec Lighting Ltd | 有機エレクトロルミネッセンス照明装置及びその製造方法 |
JP2009054371A (ja) * | 2007-08-24 | 2009-03-12 | Toshiba Matsushita Display Technology Co Ltd | 表示装置 |
WO2009041529A1 (ja) | 2007-09-25 | 2009-04-02 | Kabushiki Kaisha Kobe Seiko Sho | 反射膜、反射膜積層体、led、有機elディスプレイ及び有機el照明器具 |
JP5280777B2 (ja) | 2007-09-25 | 2013-09-04 | 株式会社神戸製鋼所 | 反射膜積層体 |
JP5097031B2 (ja) | 2007-10-05 | 2012-12-12 | 株式会社神戸製鋼所 | 反射膜、led、有機elディスプレイ及び有機el照明器具 |
JP5487595B2 (ja) | 2007-11-15 | 2014-05-07 | 三菱化学株式会社 | 有機電界発光素子用組成物および有機電界発光素子 |
JP2009129766A (ja) | 2007-11-26 | 2009-06-11 | Panasonic Electric Works Co Ltd | El照明装置 |
JP2009135053A (ja) * | 2007-11-30 | 2009-06-18 | Sumitomo Chemical Co Ltd | 電子デバイス、表示装置および電子デバイスの製造方法 |
JP2009158103A (ja) | 2007-12-25 | 2009-07-16 | Panasonic Electric Works Co Ltd | El照明装置 |
EP2075850A3 (en) | 2007-12-28 | 2011-08-24 | Semiconductor Energy Laboratory Co, Ltd. | Photoelectric conversion device and manufacturing method thereof |
JP5210642B2 (ja) | 2008-01-09 | 2013-06-12 | ローム株式会社 | 有機el照明装置 |
JP5499482B2 (ja) | 2008-02-07 | 2014-05-21 | 三菱化学株式会社 | 有機電界発光素子、有機elディスプレイおよび有機el照明 |
US8653508B2 (en) | 2008-02-15 | 2014-02-18 | Mitsubishi Chemical Corporation | Conjugated polymer, insolubilized polymer, organic electroluminescence element material, composition for organic electroluminescence element, polymer production process, organic electroluminescence element, organic EL display and organic EL lighting |
JP5499487B2 (ja) | 2008-02-25 | 2014-05-21 | 三菱化学株式会社 | キノリン系化合物、有機電界発光素子用材料、有機電界発光素子用組成物、有機電界発光素子、有機elディスプレイおよび有機el照明 |
JP2009231278A (ja) | 2008-02-29 | 2009-10-08 | Mitsubishi Chemicals Corp | 有機電界発光素子の製造方法、有機elディスプレイおよび有機el照明 |
JP5543692B2 (ja) | 2008-03-21 | 2014-07-09 | 株式会社東芝 | 有機エレクトロルミネッセンス素子を用いた表示装置および照明装置 |
CN101981086A (zh) | 2008-04-02 | 2011-02-23 | 三菱化学株式会社 | 高分子化合物、由该高分子化合物交联而得到的网状高分子化合物、有机场致发光元件用组合物、有机场致发光元件、有机el显示器及有机el照明 |
JP2009266814A (ja) | 2008-04-02 | 2009-11-12 | Mitsubishi Chemicals Corp | 有機電界発光素子の製造方法、有機電界発光素子、有機elディスプレイ及び有機el照明 |
JP5287455B2 (ja) | 2008-04-16 | 2013-09-11 | 三菱化学株式会社 | 正孔注入輸送層形成用組成物、正孔注入輸送層形成用組成物の製造方法、有機電界発光素子、有機elディスプレイおよび有機el照明 |
JP5444802B2 (ja) | 2008-04-18 | 2014-03-19 | 三菱化学株式会社 | 有機電界発光素子材料、有機電界発光素子用組成物、有機電界発光素子、有機elディスプレイおよび有機el照明 |
JP4533963B2 (ja) | 2008-05-01 | 2010-09-01 | フジテック・インターナショナル株式会社 | 有機el発光装置 |
JP2009272280A (ja) | 2008-05-02 | 2009-11-19 | Makoto Kita | El照明器具 |
JP5644063B2 (ja) | 2008-05-07 | 2014-12-24 | 三菱化学株式会社 | 有機電界発光素子用組成物、高分子膜、有機電界発光素子、有機elディスプレイ及び有機el照明 |
JP2009295487A (ja) | 2008-06-06 | 2009-12-17 | Rohm Co Ltd | 有機el照明装置 |
JP5108639B2 (ja) | 2008-06-06 | 2012-12-26 | ローム株式会社 | 有機el照明装置 |
US8120257B2 (en) | 2008-06-06 | 2012-02-21 | Rohm Co., Ltd. | Organic electroluminescence lighting device |
US8169137B2 (en) | 2009-07-14 | 2012-05-01 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light source and device using electroluminescence element |
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Patent Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2005332690A (ja) * | 2004-05-20 | 2005-12-02 | Canon Inc | 有機発光素子および画像表示装置 |
JP2006236744A (ja) * | 2005-02-24 | 2006-09-07 | Seiko Epson Corp | 有機el装置、有機el装置の製造方法および電子機器 |
WO2007023272A1 (en) * | 2005-08-23 | 2007-03-01 | Cambridge Display Technology Limited | Organic electronic device structures and fabrication methods |
JP2007220393A (ja) * | 2006-02-15 | 2007-08-30 | Seiko Epson Corp | 有機el装置、その製造方法およびこれを備える電子機器 |
JP2007273397A (ja) * | 2006-03-31 | 2007-10-18 | Pioneer Electronic Corp | 有機el多色ディスプレイパネル |
JP2008123738A (ja) * | 2006-11-09 | 2008-05-29 | Seiko Epson Corp | 光学装置、光学装置の製造方法および電子機器。 |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2014208435A1 (ja) * | 2013-06-28 | 2014-12-31 | コニカミノルタ株式会社 | 有機エレクトロルミネッセンス素子、及びその製造方法 |
JPWO2014208435A1 (ja) * | 2013-06-28 | 2017-02-23 | コニカミノルタ株式会社 | 有機エレクトロルミネッセンス素子、及びその製造方法 |
Also Published As
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