JP2012527102A - 太陽電池薄膜モジュールを製造するための方法及び装置 - Google Patents
太陽電池薄膜モジュールを製造するための方法及び装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2012527102A JP2012527102A JP2012510165A JP2012510165A JP2012527102A JP 2012527102 A JP2012527102 A JP 2012527102A JP 2012510165 A JP2012510165 A JP 2012510165A JP 2012510165 A JP2012510165 A JP 2012510165A JP 2012527102 A JP2012527102 A JP 2012527102A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- laser
- electrode layer
- module
- end region
- back electrode
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 34
- 239000010409 thin film Substances 0.000 title claims abstract description 9
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title description 2
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims abstract description 146
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 46
- 239000002346 layers by function Substances 0.000 claims abstract description 44
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 16
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims description 9
- 229910052779 Neodymium Inorganic materials 0.000 claims description 6
- QEFYFXOXNSNQGX-UHFFFAOYSA-N neodymium atom Chemical compound [Nd] QEFYFXOXNSNQGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 239000007787 solid Substances 0.000 claims description 5
- 229910052769 Ytterbium Inorganic materials 0.000 claims description 4
- NAWDYIZEMPQZHO-UHFFFAOYSA-N ytterbium Chemical compound [Yb] NAWDYIZEMPQZHO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 claims 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 abstract description 10
- 238000002679 ablation Methods 0.000 description 14
- 239000002313 adhesive film Substances 0.000 description 5
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 4
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 2
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 2
- 238000010292 electrical insulation Methods 0.000 description 2
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 2
- 239000010408 film Substances 0.000 description 2
- 229910019655 synthetic inorganic crystalline material Inorganic materials 0.000 description 2
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004831 Hot glue Substances 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KTSFMFGEAAANTF-UHFFFAOYSA-N [Cu].[Se].[Se].[In] Chemical compound [Cu].[Se].[Se].[In] KTSFMFGEAAANTF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JNDMLEXHDPKVFC-UHFFFAOYSA-N aluminum;oxygen(2-);yttrium(3+) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Y+3] JNDMLEXHDPKVFC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RPPBZEBXAAZZJH-UHFFFAOYSA-N cadmium telluride Chemical compound [Te]=[Cd] RPPBZEBXAAZZJH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 239000012777 electrically insulating material Substances 0.000 description 1
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 1
- 239000000835 fiber Substances 0.000 description 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 1
- 229910021424 microcrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002985 plastic film Substances 0.000 description 1
- 229920006255 plastic film Polymers 0.000 description 1
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 1
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004576 sand Substances 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 1
- 238000005507 spraying Methods 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N tin dioxide Chemical compound O=[Sn]=O XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001887 tin oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000012780 transparent material Substances 0.000 description 1
- QWVYNEUUYROOSZ-UHFFFAOYSA-N trioxido(oxo)vanadium;yttrium(3+) Chemical compound [Y+3].[O-][V]([O-])([O-])=O QWVYNEUUYROOSZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910019901 yttrium aluminum garnet Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
- B23K26/00—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
- B23K26/02—Positioning or observing the workpiece, e.g. with respect to the point of impact; Aligning, aiming or focusing the laser beam
- B23K26/06—Shaping the laser beam, e.g. by masks or multi-focusing
- B23K26/0604—Shaping the laser beam, e.g. by masks or multi-focusing by a combination of beams
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
- B23K26/00—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
- B23K26/08—Devices involving relative movement between laser beam and workpiece
- B23K26/082—Scanning systems, i.e. devices involving movement of the laser beam relative to the laser head
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
- B23K26/00—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
- B23K26/36—Removing material
- B23K26/362—Laser etching
- B23K26/364—Laser etching for making a groove or trench, e.g. for scribing a break initiation groove
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
- B23K26/00—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
- B23K26/36—Removing material
- B23K26/40—Removing material taking account of the properties of the material involved
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/04—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
- H01L31/042—PV modules or arrays of single PV cells
- H01L31/0445—PV modules or arrays of single PV cells including thin film solar cells, e.g. single thin film a-Si, CIS or CdTe solar cells
- H01L31/046—PV modules composed of a plurality of thin film solar cells deposited on the same substrate
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/04—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
- H01L31/042—PV modules or arrays of single PV cells
- H01L31/0445—PV modules or arrays of single PV cells including thin film solar cells, e.g. single thin film a-Si, CIS or CdTe solar cells
- H01L31/046—PV modules composed of a plurality of thin film solar cells deposited on the same substrate
- H01L31/0463—PV modules composed of a plurality of thin film solar cells deposited on the same substrate characterised by special patterning methods to connect the PV cells in a module, e.g. laser cutting of the conductive or active layers
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/04—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
- H01L31/042—PV modules or arrays of single PV cells
- H01L31/0445—PV modules or arrays of single PV cells including thin film solar cells, e.g. single thin film a-Si, CIS or CdTe solar cells
- H01L31/046—PV modules composed of a plurality of thin film solar cells deposited on the same substrate
- H01L31/0465—PV modules composed of a plurality of thin film solar cells deposited on the same substrate comprising particular structures for the electrical interconnection of adjacent PV cells in the module
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
- B23K2103/00—Materials to be soldered, welded or cut
- B23K2103/16—Composite materials, e.g. fibre reinforced
- B23K2103/166—Multilayered materials
- B23K2103/172—Multilayered materials wherein at least one of the layers is non-metallic
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
- B23K2103/00—Materials to be soldered, welded or cut
- B23K2103/50—Inorganic material, e.g. metals, not provided for in B23K2103/02 – B23K2103/26
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Sustainable Development (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Sustainable Energy (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Photovoltaic Devices (AREA)
- Laser Beam Processing (AREA)
Abstract
太陽電池薄膜モジュール（１）は基板（２）を有し、基板上には、機能層として、透明な表面電極層（３）、半導体層（４）及び裏面電極層（５）が設けられており、機能層には、直列に接続されたセル（Ｃ１、Ｃ２、Ｃ３）を形成するためのセル分割線（６、７、８）が設けられている。レーザー（２３）により端部領域（１０）において、機能層（３、４、５）の除去がなされる。機能層（３、４、５）の端部領域において、表面電極層（３）と裏面電極層（５）との間を絶縁するための絶縁分割線（１３）が、表面電極層（３）において分割線（１７）を形成するためのレーザー（２４）と、半導体層（４）及び裏面電極層（５）において分割線（１８、１９）を形成するためのレーザー（２５）とにより、形成される。モジュール（１）の端部領域（１０）における機能層（３、４、５）の除去と、絶縁分割線（１３）の形成とが、同時に１つの工程でなされる。
【選択図】図１
【選択図】図１
Description
本発明は、請求項１の前書き記載の太陽電池薄膜モジュールを製造するための方法と、この方法を実施するための装置に関する。
太陽電池薄膜モジュールの入射側とは反対側の裏面側に裏面カバーが設けられており、その裏面カバーは、接着フィルムにより、機能層の裏面側に貼り付けられている。電圧を加えた状態の機能層が周囲（フレーム、取付用支持枠など）に対し、特に湿度が高い状態において、十分に電気的に絶縁された状態にすることを確保するために、モジュールの端部で、接着フィルムは直接に基板に取り付けられ、それにより、機能層が気密に被覆される。
そのために、端部のアブレーション、すなわち、モジュールの端部領域における機能層の完全な除去がされる。端部の薄膜の除去は、機械的に、例えば、砂の吹き付けや研磨などによることも、又はレーザーによることもできる（ＤＥ ２０ ２００８ ００５ ９７０ Ｕ１、ＤＥ ２０ ２００８ ００６ １１０ Ｕ１を参照）。
しかしながら、端部のアブレーションをする際、表面電極層の外端及び裏面電極層の外端が幾つかの場所で互いに接触し、これにより短絡が生じる。したがって、表面電極層と裏面電極層との間を電気的に絶縁することを確保するために、いわゆる「アイソカット(isocut)」、すなわち、端部のアブレーションがされたモジュールの端部領域から距離をおいて、レーザーにより、機能層を通して、絶縁分割線を描くことがされている。
端部のアブレーション及びアイソカットをするためには、幾つかの工程と幾つかの設備が必要とされる。第１工程において、表面電極層を形成する設備を用いて、表面電極層に、レーザーにより、モジュールの個々のセルを直列に接続するためのセル分割線と、アイソカットのための分割線を設ける。表面電極層に半導体層を設け、セル分割線により構造化し、かつ、半導体層に裏面電極層を設けた後に、裏面電極層に、さらに別の設備により、セル分割線と隣接して、レーザーにより、アイソカットのための分割線を設ける。最後に、さらに別の設備により端部のアブレーションをする。
表面電極層及び裏面電極層のアイソカットのための分割線の形成と、端部のアブレーションとが様々な設備でされるために、様々な許容差を、様々なプロセスにおいて、例えば、ガラス板などからなるモジュールの基板の熱膨張率、個別のプロセスにおける様々な温度について、考慮しなければならない。
したがって、アイソカットは、機能層におけるモジュールの端部のアブレーションがされた領域から１ミリメートル又はそれ以上の距離でされる。さらに、半導体層及び裏面電極層のアイソカットのための分割線は、相当の幅を有していなければならず、それにより、表面電極層のアイソカットのための分割線と確実に重ね合わせられる。したがって、裏面電極層にアイソカット分割線を形成するためには、すぐに隣りの軌跡に続けるように、レーザー光線を少しずつずらしながらモジュール上を移動しなければならない。
そのようなことから、アイソカットを形成するには非常に多くの工程時間を必要とする。さらに、アブレーションがされたモジュールの端部領域から１ミリメートル又はそれ以上にアイソカットのための距離をとることから、モジュールの有用な活性面は減少し、そのためにその性能も低下する。それぞれの個別の多数の設備において不良が生じ得ることから、さらに、モジュールにおいて、しばしば性能の減少や喪失が生じることがある。
本発明が解決しようとする課題は、端部のアブレーションがされ、アイソカットが設けられたより高い性能の太陽電池薄膜モジュールを、確実かつより少ない工程時間により、製造することにある。
本発明において、これは、請求項１の方法により達成される。請求項２から請求項１３までには、本発明による方法の有利な態様が示されている。請求項１４には、本発明による方法を実施するためにより好ましい装置が記載されており、その装置について、請求項１５から請求項１９までの構成を用いて、より有用な形態をとることができる。
本発明の太陽電池薄膜モジュールは基板を有しており、その上に、機能層として、透明な表面電極層、半導体層及び裏面電極層が付着されており、それぞれの層の厚さは、数ナノメートルから数ミクロンメートルである。
基板には、電気的に絶縁性の材料が用いられ、表板１枚構成の場合には、透明な材料、例えば、ガラスなどが用いられる。表面電極層は、導電性の金属酸化物、例えば、酸化亜鉛又は酸化スズなどを用いることができる。重要なことは、単に、透明であること、導電性であること、及びレーザー光線の少なくとも数パーセントを吸収するということである。
半導体層には、シリコン、例えば、非晶質シリコン、微晶質シリコン又は多結晶質シリコンなどを用いることができるが、それ以外の半導体でもよく、例えば、カドミウム・テルル又はＣＩＧＳ、すなわち、銅−インジウム−ガリウム−セレン化物などを用いてもよい。裏面電極層は、好ましくは金属層であり、例えば、アルミニウム、銅、銀又は類似のものからなる。
表面電極層及び半導体層のコーティングは、例えば、物理的に促進される化学的気相成長法（ＰＥＣＶＤ）などにより、裏面電極層のコーティングは、好ましくは、スパッタリングによる。表面電極層、半導体層及び裏面電極層には、セル分割線が設けられ、個別のセルが形成されており、それらは直列に接続されている。
モジュールの端部領域での機能層の除去、すなわち、端部のアブレーションと、表面電極層の端部領域の絶縁分割線の形成と、半導体層及び裏面電極層の端部領域での絶縁分割線の形成、すなわち、機能層の端部領域でのアイソカットとは、本発明においては、１つの設備により、１つの同じ工程ですることができる。
すなわち、モジュールの端部領域の機能層にレーザーを当てる際、同時に、半導体層及び裏面電極層並びに表面電極層の端部領域の分割線に、アイソカットのために、レーザーが当てられる。本発明においては、好ましくは、レーザーは、光学系も含めて、端部のアブレーションと、絶縁分割線の形成、すなわち、アイソカットとをするために、１個のレーザー装置として、機械的かつ固定的に互いに連結されている。
本発明においては、３つの機能層の端部のアブレーション及びアイソカットが同時にされることから、様々な設備の許容差及び基板の温度の影響はもはや関係しない。このようにして、アイソカット及び端部のアブレーションとの間の距離を最小化すること、それにより、モジュールの性能を向上することができる。さらに、裏面電極層のアイソカットのための分割線の幅を最小化すること、さらにはゼロにまで減少することができ、それにより、モジュールの性能を更に向上させることができる。
さらに、従来の技術と比較して、本発明においては、書き入れる時間も低減することができるが、これは、表面及び裏面の接続構造において、アイソカット線を省略することができるためである。
レーザーとしては、端部のアブレーション及び表面電極層の端部領域に分割線を形成するためには、赤外線を発光し、少なくとも８００ナノメートルの波長のレーザーを用いることができるが、好ましくは、ネオジムによりドープされたイットリウムバナジン酸塩（Ｎｄ：ＹＶＯ４）からなるレーザー又はＮｄ：ＹＡＧからなるレーザー、すなわち、イットリウム−アルミニウム−ガーネットを母体結晶とするレーザーにおいて、基本振動が１０６４ナノメートルであるものが用いられる。しかし、表面電極層の端部領域に分割線を形成するときは、例えば、３倍の周波数のもの、すなわち、波長が３５５ナノメートルのネオジムによりドープされた固体レーザーを使用することもできる。半導体層及び裏面電極層の端部領域に分割線を形成するためには、好ましくは、可視光を発光するレーザー、特にネオジムによりドープされた固体レーザー、すなわち、Ｎｄ：ＹＶＯ４又はＮｄ：ＹＡＧレーザーで２倍の周波数の５３２ナノメートルの波長のものが用いられる。
ネオジムによりドープされたレーザーに代えて、基本振動において、赤外領域で発光する別のレーザー、例えば、基本波長が約１０７０ナノメートルのイッテルビウムでドープされたレーザーを用いることもできる。この場合においても、２倍又は３倍の周波数によることも、問題なく可能である。レーザーとして、特にファイバーレーザーも、用いられる。
好ましくは、Ｑスイッチを備えたパルスレーザーが、特に端部のアブレーションと、半導体層及び面電極層の端部領域における分割線の形成とに用いられる。
モジュールの端部領域における機能層の除去を確保するためには、レーザーのレーザー光線は、端部のアブレーションと、半導体層及び裏面電極層の端部領域における分割線の形成とをするためには、特に少なくとも５０ミリジュール毎平方ミリメートルの高いエネルギー密度を有しなければならない。その際、パルス幅が１００ナノ秒よりも小さいレーザーパルスを発光しなければならない。パルスの周波数は、１キロヘルツから５０キロヘルツであればよい。モジュールの端部領域の機能層の端部の除去、すなわち、端部のアブレーションは、２軸ガルバノレーザースキャナーによることができる。この場合、２軸ガルバノレーザースキャナーにより、パルス毎に焦点スポットが焦点スポットに接するように並べられ、その結果、大きな重なり損失が生じることなく、隙間なくカバーされる。高速のスキャナーの移動に当たり重なりがされるように、スキャナーによる加工がされる場所とモジュールとの間において、実質的に、より低速の相対的な移動がされる。この相対的な移動は、１センチメートル毎秒又はそれ以上でもよい。端部のアブレーションがされる領域の幅は、例えば、５ミリメートルから２０ミリメートルあればよい。端部のアブレーション及びアイソカットは、通常は直角形状をしているモジュールの全周にわたりなされる。
モジュールの端部領域で機能層の除去、すなわち、端部のアブレーションと、絶縁分割線の形成、すなわち、アイソカットの形成とをするためには、好ましくは、それぞれについて、透明な基板を通して、レーザー光線の焦点が機能層に合わせられる。
その際、アイソカットの形成において、裏面電極層に分割線を形成するためのレーザーのレーザー光線は、表面電極層に分割線を形成するためのレーザーのレーザー光線に先行するが、それは、表面電極層に分割線を形成するためのレーザー光線は、裏面電極層及び半導体層に分割線が形成されたときに初めて表面電極層に当てることができるからである。
半導体層及び裏面電極層の端部領域の分割線と、表面電極層の端部領域の分割線とは、順番に配置され、互いに重なりのあるレーザーの焦点スポットにより、レーザー装置に対するモジュールの移動の方向に形成される。
裏面電極層の除去は、レーザーの焦点スポットにある半導体層を蒸発させ、それにより、重ねられている裏面電極層を焦点スポットの領域において飛散させることによる。そして、接するように互いに並べられたレーザーの焦点スポットの裏面電極層上における重なりは、裏面電極層にエネルギーをかける際、半導体の材料が蒸発温度まで加熱される前に裏面電極層に孔が形成されない程度においてのみなされる。これは、そうでないと、蒸気が孔から逃げてしまい、半導体層に重ねられている裏面電極層を完全に除去することができなくなるからである。
半導体層及び裏面電極層の端部領域の分割線は、表面電極層の端部領域の分割線の幅よりも大きい幅を有していることが好ましい。このようにして、半導体層及び裏面電極層の端部領域の分割線の幅は、例えば、８０ミクロンメートルから１５０ミクロンメートル、好ましくは、１００ミクロンメートルから１５０ミクロンメートルあればよく、表面電極層の端部領域の分割線の幅は２０ミクロンメートルから６０ミクロンメートル、好ましくは３０ミクロンメートルから５０ミクロンメートルあればよい。それに対応する幅のレーザー光線を形成するために、半導体層及び裏面電極層の端部領域に分割線を形成するレーザーは、レーザー光線の幅を広げるレーザー光学系を有する。レーザー装置を固定して配置し、モジュールがレーザー装置に対し移動することが好ましい。モジュールを移動するための装置は、例えば、ロボットにより形成されていてもよい。ロボットは、モジュールの全周をレーザー装置に沿って一方向に移動することができるようにされることが好ましい。しかしながら、レーザー装置もまた移動することができるようにすることもできる。
添付された図面に基づいて、本発明の実施例をさらに詳細に説明する。各図面は概略図である。
図１によれば、太陽電池薄膜モジュール１は、透明基板２、例えば、ガラス板などを有しており、その基板上には、３つの機能層、すなわち、表面電極層３、半導体層４、例えば、非晶質シリコン層など、及び裏面電極層５が互いに重ねて付着されている。
モジュールは、個々の帯状のセルＣ１、Ｃ２、Ｃ３からなり、それらは、構造化に関する線６、７、８により直列に接続されている。発生した電流は、モジュールの２つの外側のセルと接触することにより、すなわち、セルＣ１と、モジュール１の反対側にあるために図示はされていないセルとを接触することにより、集めることができる。
モジュール１の端部領域１０において、機能層３、４、５は完全に取り除かれている。接着フィルム１１、例えば、ＥＶＡ若しくはＰＶＢフィルム又はそれ以外の熱溶融型の接着フィルムにより、基板２の機能層３、４、５が設けられた側に、裏面カバー１２、例えば、ガラス板又はプラスチックフィルムを付着する。このようにして、基板２は、端部領域１０において、接着剤フィルム１１により、直接、裏面カバー１２に固定的に連結され、それにより、機能層３から５までは、モジュール１において被覆され、その結果、これらの機能層は、特に湿度などの異なる気候の条件において、高い電気的な絶縁耐性において周囲から隔離される。
３つの機能層３から５までのアブレーションをするために、例えば、基本波長が１０６４ナノメートルのＮｄ：ＶＯ４からなる固体レーザーを使用する。端部領域１０にレーザーを当てると表面電極層及び裏面電極層の外端が幾つかの箇所で接合することから、アイソカット１３がされる。すなわち、絶縁分割線１３が、機能層３から５までの端部領域において、表面電極層３と裏面電極層５との間の絶縁をするために、レーザーにより設けられる。
図２においては、モジュール１の端部領域１０における機能層３から５までのアブレーションと、絶縁分割線１３の形成とは、１つの工程において、３つのレーザー２３、２４、２５（図４）によりなされる。これらの３つのレーザーは、モジュール１の端部領域の除去、すなわち、端部のアブレーションをするためにレーザー光線１４を、半導体層４及び裏面電極層５に分割線１８、１９を形成するためにレーザー光線１５を、そして、３つの機能層３から５までの端部領域において表面電極層３に分割線１７を形成するためにレーザー光線１６を、放出する。
幅が広いレーザー光線１４が、２軸ガルバノレーザースキャナー３６（図４）により端部のアブレーションをするために、機能層３から５までに当てられる一方において、レーザー光線１５は半導体層４及び裏面電極層５において分割線１８及び１９を形成するために、かつ、レーザー光線１６は表面電極層３に分割線１７を形成するために、順番に配置され、互いに重なりのある円形の焦点スポット２１、２２を、図３にみられるように形成していくが、その際、分割線１８、１９を半導体層４及び裏面電極層５のそれぞれの端部領域において形成するための焦点スポット２２は、分割線１７を表面電極層３において形成するための焦点スポット２１よりも大きな径を有する。その際、分割線１７が表面電極層３において形成されるばかりでなく、分割線１８、１９も、半導体層４及び裏面電極層５において、連続して配置される焦点スポット２１、２２の単一の軌跡により、形成される。
図４においては、レーザー２３、２４及び２５は、それぞれレーザー光線１４、１５、１６を発生させるが、図示されていない焦点調節光学系と２軸ガルバノレーザースキャナー３６が回転可能に装着された軸受けとともに、単一のレーザー装置２６において、機械的かつ固定的に互いに連結されている。その際、レーザー２３の２軸ガルバノレーザースキャナー３６により、順に配列され、互いに接触している直方形状の領域２７が形成されながら、レーザー２４、２５によるレーザー光線１６及び１５は、円形の焦点スポット２１、２２を生成する。
レーザー装置２６は固定して配置されるとともに、モジュール１は矢印２８の方向に移動する。その際、レーザー光線１５のための焦点調節光学系は、レーザー光線１５が、移動方向２８において、レーザー光線１６に先行する（図３）ように設定される。すなわち、装置２６において、レーザー光線１５のための焦点調節光学系は、移動方向２８において、レーザー光線１６のための焦点調節光学系の前方に配置されている。
図５においては、モジュール１は、固定されたレーザー装置２６に対し、図示されていないロボットのアーム２９により、例えば、吸引器３１により基板２を上方から保持するようにして、矢印３２から３５の方向に移動し、その全周にわたり一方向に移動するが、その際、分割線１８、１９を半導体層４及び裏面電極層５に形成するためのレーザー光線１５は、モジュール１の移動方向３２から３５までの移動方向において、常に、分割線１７を表面電極層３に形成するためのレーザー光線１６の前方に配置される。
１ モジュール
２ 透明基板
３ 表面電極層
４ 半導体層
５ 裏面電極層
６、７、８ セル分割線
１０ 端部領域
１１ 接着フィルム
１２ 裏面カバー
１３ アイソカット
１４、１５、１６ レーザー光線
１７、１８、１９ 分割線
２１、２２ 焦点スポット
２３、２４、２５ レーザー
２６ レーザー装置
２７ 直方形状の領域
３１ 吸引器
３２、３３、３４、３５ 移動方向
３６ ２軸ガルバノレーザースキャナー
Ｃ１、Ｃ２、Ｃ３ セル
２ 透明基板
３ 表面電極層
４ 半導体層
５ 裏面電極層
６、７、８ セル分割線
１０ 端部領域
１１ 接着フィルム
１２ 裏面カバー
１３ アイソカット
１４、１５、１６ レーザー光線
１７、１８、１９ 分割線
２１、２２ 焦点スポット
２３、２４、２５ レーザー
２６ レーザー装置
２７ 直方形状の領域
３１ 吸引器
３２、３３、３４、３５ 移動方向
３６ ２軸ガルバノレーザースキャナー
Ｃ１、Ｃ２、Ｃ３ セル
Claims (19)
- 太陽電池薄膜モジュール（１）の基板（２）には、透明な表面電極層（３）、半導体層（４）及び裏面電極層（５）が機能層として設けられており、それらの層には、直列に接続されたセル（Ｃ１、Ｃ２、Ｃ３）を形成するためのセル分割線（６、７、８）が設けられており、モジュール（１）の端部領域（１０）において、レーザー（２３）により機能層（３、４、５）の除去がされており、並びに機能層（３、４、５）の端部領域において、絶縁分割線（１３）が形成され、表面電極層（３）と裏面電極層（５）との間を絶縁するために、レーザー（２４）により表面電極層（３）に分割線（１７）が形成され、かつ、レーザー（２５）により半導体層（４）及び裏面電極層（５）に分割線（１８、１９）が形成されている、太陽電池薄膜モジュール（１）を製造する方法において、
モジュール（１）の端部領域（１０）の機能層（３、４、５）の除去と、絶縁分割線（１３）の形成とが、同時に１つの工程においてされることを特徴とする方法。 - 請求項１の方法において、
ネオジム又はイッテルビウムによりドープされた固体レーザー（２３、２４）を、赤外領域の波長において、モジュール（１）の端部領域（１０）において機能層（３、４、５）を除去するために、及び／又は、表面電極層（３）の端部領域において分割線（１７）を形成するために、用いることを特徴とする方法。 - 請求項１の方法において、
分割線（１７）を表面電極層（３）の端部領域において形成するために、ネオジム又はイッテルビウムをドープした固体レーザー（２４）を、３倍の周波数において、用いることを特徴とする方法。 - 請求項１から３までのいずれかの方法において、
分割線（１８、１９）を半導体層（４）及び裏面電極層（５）の端部領域に形成するために、ネオジム又はイッテルビウムをドープした固体レーザー（２５）を、２倍の周波数において、用いることを特徴とする方法。 - 請求項１から４までのいずれかの方法において、
前記モジュールの端部領域（１０）の機能層（３、４、５）の除去のために、並びに／又は、表面電極層（３）の端部領域並びに／若しくは半導体層（４）及び裏面電極層（５）の端部領域に分割線（１７、１８、１９）を形成するため、パルスレーザー（２３、２４、２５）を用いることを特徴とする方法。 - 請求項１から５までのいずれかの方法において、
モジュール（１）の端部領域（１０）の機能層（３、４、５）の除去は、２軸ガルバノレーザースキャナー（３６）によることを特徴とする方法。 - 請求項１から６までのいずれかの方法において、
透明基板（２）を用いるとともに、レーザー光線（１４、１５、１６）の焦点を、機能層（３、４、５）をモジュール（１）の端部領域（１０）において除去するために、かつ、絶縁分割線（１３）の機能層（３、４、５）において形成するために、基板（２）を通して、機能層（３、４、５）内に当てることを特徴とする方法。 - 請求項１から７までのいずれかの方法において、
絶縁分割線（１３）を機能層（３、４、５）の端部領域に形成するに当たり、半導体層（４）及び裏面電極層（５）に分割線（１８、１９）を形成するためのレーザー（２５）のレーザー光線（１５）が、表面電極層（３）に分割線（１７）を形成するためのレーザー（２４）のレーザー光線（１６）に先行することを特徴とする方法。 - 請求項５の方法において、
分割線（１８、１９）は、半導体層（４）及び裏面電極層（５）の端部領域において、順番に並べられ、互いに重なりのあるレーザーの焦点スポット（２１）により形成されることを特徴とする方法。 - 請求項９の方法において、
レーザーの焦点スポット（２１）の裏面電極層（５）における重なりは、分割線（１９）における裏面電極層（５）に孔が形成され、それにより、レーザー光線（１５）の効果により蒸発した半導体層（４）の半導体材料が飛散することのないようにすることを特徴とする方法。 - 請求項９の方法において、
分割線（１７、１８）は、半導体層（４）及び裏面電極層（５）において、順番に並べられ、互いに重なりのあるレーザーの焦点スポット（２２）の単一の軌跡により形成されることを特徴とする方法。 - 請求項１から１１までのいずれかの方法において、
半導体層（４）及び裏面電極層（５）の端部領域における分割線（１８、１９）は、表面電極層（３）の端部領域における分割線（１７）よりも幅が広いことを特徴とする方法。 - 請求項１２の方法において、
半導体層（４）及び裏面電極層（５）の端部領域の分割線（１８、１９）の幅は８０ミクロンメートルから１５０ミクロンメートルであり、表面電極層（３）の端部領域の分割線（１７）の幅は２０ミクロンメートルから６０ミクロンメートルであることを特徴とする方法。 - 請求項１から１３までのいずれかの方法を実施するための装置において、
レーザー（２３、２４、２５）は、光学系を含んでおり、モジュール（１）の端部領域（１０）の機能層（３、４、５）を除去するためと、機能層（３、４、５）の端部領域に絶縁分割線（１３）を形成するために、１つのレーザー装置（２６）において、固定的に互いに連結されていることを特徴とするデバイス。 - 請求項１４の装置において、
レーザー装置（２６）は、モジュール（１）の端部領域（１０）の機能層（３、４、５）の除去をするために、２軸ガルバノレーザースキャナー（３６）を有することを特徴とするデバイス。 - 請求項１４又は１５の装置において、
レーザー（２５）は、半導体層（４）及び裏面電極層（５）の端部領域に分割線（１８、１９）を形成するためのレーザー光学系で、半導体層（４）及び裏面電極層（５）に焦点を当てるレーザー光線（１５）の幅を広げるものを有することを特徴とする装置。 - 請求項１４又は１６に記載のデバイスにおいて、
レーザー（２５）のレーザー光学系により、半導体層（４）及び裏面電極層（５）の端部領域に分割線（１８、１９）を形成するために生成されるレーザー光線（１５）は、レーザー装置（２６）をモジュール（１）に対し移動方向（２８）に相対的に移動する際に、表面電極層（３）の端部領域における分割線（１７）のためのレーザー（２４）のレーザー光学系により形成されるレーザー光線（１６）の前方に配置されることを特徴とするデバイス。 - 請求項１４から１７までのいずれかの装置において、
レーザー装置（２６）は固定的に配置され、モジュール（１）を移動するための装置が設けられていることを特徴とする装置。 - 請求項１７又は１８の装置において、
モジュール（１）を移動するための装置は、モジュール（１）の全周をレーザー装置（２６）に沿いながら１方向に移動することができるようにされており、その際、半導体層（４）及び裏面電極層（５）の端部領域において分割線（１８、１９）を形成するためのレーザー光線（１５）が、モジュール（１）の移動方向（３２から３５まで）において、常に分割線（３）を形成するためのレーザー光線（１６）の前方に配置されていることを特徴とする装置。
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DE102009021273A DE102009021273A1 (de) | 2009-05-14 | 2009-05-14 | Verfahren und Vorrichtung zur Herstellung eines photovoltaischen Dünnschichtmoduls |
| DE102009021273.6 | 2009-05-14 | ||
| PCT/EP2010/002933 WO2010130439A2 (de) | 2009-05-14 | 2010-05-12 | Verfahren und vorrichtung zur herstellung eines photovoltaischen dünnschichtmoduls |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2012527102A true JP2012527102A (ja) | 2012-11-01 |
Family
ID=42979128
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2012510165A Pending JP2012527102A (ja) | 2009-05-14 | 2010-05-12 | 太陽電池薄膜モジュールを製造するための方法及び装置 |
Country Status (6)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US20120164782A1 (ja) |
| EP (1) | EP2430658A2 (ja) |
| JP (1) | JP2012527102A (ja) |
| CN (1) | CN102422420A (ja) |
| DE (1) | DE102009021273A1 (ja) |
| WO (1) | WO2010130439A2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2017117870A (ja) * | 2015-12-22 | 2017-06-29 | ソーラーフロンティア株式会社 | 太陽電池モジュール及びその製造方法 |
Families Citing this family (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20120015471A1 (en) * | 2010-07-14 | 2012-01-19 | Applied Materials, Inc. | Multiple-path laser edge delete process for thin-film solar modules |
| CN102237441B (zh) * | 2010-12-22 | 2013-04-17 | 保定天威集团有限公司 | 应用振镜激光设备实现太阳能薄膜电池组件的透光方法 |
| CN102237442B (zh) * | 2010-12-22 | 2013-06-05 | 保定天威集团有限公司 | 应用激光扫边机制作薄膜太阳能电池id的方法 |
| DE102011075328A1 (de) * | 2011-05-05 | 2012-11-08 | Interpane Entwicklungs-Und Beratungsgesellschaft Mbh | Vorrichtung und Verfahren zum Randentschichten und Kerben beschichteter Substrate |
| DE102011103481B4 (de) * | 2011-06-03 | 2017-08-17 | Leibniz-Institut für Oberflächenmodifizierung e.V. | Selektives Abtragen dünner Schichten mittels gepulster Laserstrahlung zur Dünnschichtstrukturierung |
| KR101581524B1 (ko) * | 2011-06-28 | 2015-12-30 | 쌩-고벵 글래스 프랑스 | 박막 태양광 모듈의 공칭 출력의 신속 안정화 방법 |
| CN102437205A (zh) * | 2011-12-08 | 2012-05-02 | 常州天合光能有限公司 | 具有透明前电极的太阳能电池及其组件 |
| MA37476B1 (fr) * | 2012-05-03 | 2017-11-30 | Nexcis | Gravure par laser d'un empilement de couches minces pour une connexion de cellule photovoltaïque |
| CN103413857B (zh) * | 2013-05-17 | 2015-10-28 | 南昌大学 | 晶硅异质结太阳电池的前电极及电池片串接同步制作方法 |
| CN104269449B (zh) * | 2014-10-20 | 2017-02-01 | 上海空间电源研究所 | 一种硅基薄膜太阳电池及其子电池的隔离线刻蚀方法 |
| DE102015121141B4 (de) * | 2015-12-04 | 2020-06-04 | Solibro Hi-Tech Gmbh | Dünnschichtsolarmodul |
Citations (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6189636A (ja) * | 1984-10-08 | 1986-05-07 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 光加工方法 |
| JPS6397391A (ja) * | 1986-10-13 | 1988-04-28 | Ohbayashigumi Ltd | レ−ザ−ビ−ムによるコンクリ−ト溶断方法 |
| JP2001068704A (ja) * | 1999-08-25 | 2001-03-16 | Kanegafuchi Chem Ind Co Ltd | 光電変換装置の製造方法 |
| JP2001111079A (ja) * | 1999-10-13 | 2001-04-20 | Kanegafuchi Chem Ind Co Ltd | 光電変換装置の製造方法 |
| JP2002016269A (ja) * | 2000-06-28 | 2002-01-18 | Mitsubishi Heavy Ind Ltd | 薄膜太陽電池パネルの製造方法及び製造装置 |
| JP2002261314A (ja) * | 2001-03-05 | 2002-09-13 | Kanegafuchi Chem Ind Co Ltd | 薄膜光電変換モジュールの製造方法 |
| JP2003275889A (ja) * | 2002-03-20 | 2003-09-30 | Yaskawa Electric Corp | レーザ加工装置および薄膜の加工方法 |
Family Cites Families (14)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| AU731869B2 (en) * | 1998-11-12 | 2001-04-05 | Kaneka Corporation | Solar cell module |
| US6324195B1 (en) * | 1999-01-13 | 2001-11-27 | Kaneka Corporation | Laser processing of a thin film |
| EP1061589A3 (en) * | 1999-06-14 | 2008-08-06 | Kaneka Corporation | Method of fabricating thin-film photovoltaic module |
| NL1013900C2 (nl) * | 1999-12-21 | 2001-06-25 | Akzo Nobel Nv | Werkwijze voor de vervaardiging van een zonnecelfolie met in serie geschakelde zonnecellen. |
| US20030044539A1 (en) * | 2001-02-06 | 2003-03-06 | Oswald Robert S. | Process for producing photovoltaic devices |
| TWI264121B (en) * | 2001-11-30 | 2006-10-11 | Semiconductor Energy Lab | A display device, a method of manufacturing a semiconductor device, and a method of manufacturing a display device |
| KR20030095313A (ko) * | 2002-06-07 | 2003-12-18 | 후지 샤신 필름 가부시기가이샤 | 레이저 어닐링장치 및 레이저 박막형성장치 |
| US20080105303A1 (en) * | 2003-01-03 | 2008-05-08 | Bp Corporation North America Inc. | Method and Manufacturing Thin Film Photovoltaic Modules |
| US8383982B2 (en) * | 2004-06-18 | 2013-02-26 | Electro Scientific Industries, Inc. | Methods and systems for semiconductor structure processing using multiple laser beam spots |
| DE102007015767A1 (de) * | 2007-03-30 | 2008-10-02 | Oerlikon Optics UK Ltd., Yarnton | Methode zum Laserritzen von Solarzellen |
| US20090102502A1 (en) * | 2007-10-22 | 2009-04-23 | Michel Ranjit Frei | Process testers and testing methodology for thin-film photovoltaic devices |
| WO2009126901A2 (en) * | 2008-04-11 | 2009-10-15 | Applied Materials, Inc. | Dynamic scribe alignment for laser scribing, welding or any patterning system |
| DE202008005970U1 (de) | 2008-04-30 | 2008-07-24 | 4Jet Sales + Service Gmbh | Robotergeführte Kantenisolation bei Dünnschicht-Solarzellen |
| DE202008006110U1 (de) | 2008-05-03 | 2008-10-16 | 4Jet Sales + Service Gmbh | Vorrichtung zur Randentschichtung bei großflächigen Solarzellen |
-
2009
- 2009-05-14 DE DE102009021273A patent/DE102009021273A1/de not_active Withdrawn
-
2010
- 2010-05-12 US US13/320,435 patent/US20120164782A1/en not_active Abandoned
- 2010-05-12 CN CN2010800213794A patent/CN102422420A/zh active Pending
- 2010-05-12 JP JP2012510165A patent/JP2012527102A/ja active Pending
- 2010-05-12 EP EP10722601A patent/EP2430658A2/de not_active Withdrawn
- 2010-05-12 WO PCT/EP2010/002933 patent/WO2010130439A2/de active Application Filing
Patent Citations (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6189636A (ja) * | 1984-10-08 | 1986-05-07 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 光加工方法 |
| JPS6397391A (ja) * | 1986-10-13 | 1988-04-28 | Ohbayashigumi Ltd | レ−ザ−ビ−ムによるコンクリ−ト溶断方法 |
| JP2001068704A (ja) * | 1999-08-25 | 2001-03-16 | Kanegafuchi Chem Ind Co Ltd | 光電変換装置の製造方法 |
| JP2001111079A (ja) * | 1999-10-13 | 2001-04-20 | Kanegafuchi Chem Ind Co Ltd | 光電変換装置の製造方法 |
| JP2002016269A (ja) * | 2000-06-28 | 2002-01-18 | Mitsubishi Heavy Ind Ltd | 薄膜太陽電池パネルの製造方法及び製造装置 |
| JP2002261314A (ja) * | 2001-03-05 | 2002-09-13 | Kanegafuchi Chem Ind Co Ltd | 薄膜光電変換モジュールの製造方法 |
| JP2003275889A (ja) * | 2002-03-20 | 2003-09-30 | Yaskawa Electric Corp | レーザ加工装置および薄膜の加工方法 |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2017117870A (ja) * | 2015-12-22 | 2017-06-29 | ソーラーフロンティア株式会社 | 太陽電池モジュール及びその製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| DE102009021273A1 (de) | 2010-11-18 |
| CN102422420A (zh) | 2012-04-18 |
| US20120164782A1 (en) | 2012-06-28 |
| EP2430658A2 (de) | 2012-03-21 |
| WO2010130439A3 (de) | 2011-08-11 |
| WO2010130439A2 (de) | 2010-11-18 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP2012527102A (ja) | 太陽電池薄膜モジュールを製造するための方法及び装置 | |
| JP3436858B2 (ja) | 薄膜太陽電池の製造方法 | |
| EP1020934B1 (en) | Laser processing of a thin film | |
| JP6250540B2 (ja) | レーザパターニングのための一体化された光および熱遮蔽層を有する薄膜構造およびデバイス | |
| US7964476B2 (en) | Method and apparatus for the laser scribing of ultra lightweight semiconductor devices | |
| JP4648105B2 (ja) | 太陽電池モジュール及び太陽電池モジュールの製造方法 | |
| US7883924B2 (en) | Method for producing a photovoltaic module using an IR laser | |
| JP5589221B2 (ja) | 薄膜太陽電池及び薄膜太陽電池モジュールを接触させる方法 | |
| US20160211395A1 (en) | Method for laser-structuring thin layers on a substrate in order to produce monolithically connected thin-layer solar cells, and method for producing a thin-layer solar module | |
| KR20120096052A (ko) | 레이어 스택의 층의 적어도 일부 영역을 제거하는 방법 | |
| KR20200130494A (ko) | 레이저 빔을 이용하는 반도체 기판을 위한 국소 금속화 | |
| US9899555B2 (en) | Method for producing a rear-side contact system for a silicon thin-layer solar cell | |
| EP3997739A1 (en) | Method of manufacturing a thin film photovoltaic product | |
| US20100304526A1 (en) | Method of making a photovoltaic module | |
| JP4078137B2 (ja) | レーザービームのパルス幅の設定方法 | |
| US20100243630A1 (en) | Method for patterning the zinc oxide front electrode layer of a photovoltaic module | |
| JP2000208799A (ja) | 薄膜構成体の加工方法 | |
| JP2001210851A (ja) | 集積型薄膜太陽電池 | |
| US8021911B2 (en) | Method for producing a photovoltaic module | |
| JPH0519991B2 (ja) |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20120827 |
|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20130930 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20131022 |
|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20140422 |