JP2012525316A - Umg−si材料精製のためのプロセス管理 - Google Patents
Umg−si材料精製のためのプロセス管理 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2012525316A JP2012525316A JP2012508494A JP2012508494A JP2012525316A JP 2012525316 A JP2012525316 A JP 2012525316A JP 2012508494 A JP2012508494 A JP 2012508494A JP 2012508494 A JP2012508494 A JP 2012508494A JP 2012525316 A JP2012525316 A JP 2012525316A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- ingot
- silicon
- concentration
- trimming line
- resistivity
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Images
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B35/00—Apparatus not otherwise provided for, specially adapted for the growth, production or after-treatment of single crystals or of a homogeneous polycrystalline material with defined structure
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C01—INORGANIC CHEMISTRY
- C01B—NON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
- C01B33/00—Silicon; Compounds thereof
- C01B33/02—Silicon
- C01B33/037—Purification
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B11/00—Single-crystal growth by normal freezing or freezing under temperature gradient, e.g. Bridgman-Stockbarger method
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B11/00—Single-crystal growth by normal freezing or freezing under temperature gradient, e.g. Bridgman-Stockbarger method
- C30B11/002—Crucibles or containers for supporting the melt
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B11/00—Single-crystal growth by normal freezing or freezing under temperature gradient, e.g. Bridgman-Stockbarger method
- C30B11/003—Heating or cooling of the melt or the crystallised material
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B29/00—Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape
- C30B29/02—Elements
- C30B29/06—Silicon
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B35/00—Apparatus not otherwise provided for, specially adapted for the growth, production or after-treatment of single crystals or of a homogeneous polycrystalline material with defined structure
- C30B35/007—Apparatus for preparing, pre-treating the source material to be used for crystal growth
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N27/00—Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means
- G01N27/02—Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means by investigating impedance
- G01N27/04—Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means by investigating impedance by investigating resistance
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- General Health & Medical Sciences (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Biochemistry (AREA)
- Electrochemistry (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Immunology (AREA)
- Pathology (AREA)
- Silicon Compounds (AREA)
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
- Investigating Or Analysing Materials By Optical Means (AREA)
- Investigating Or Analyzing Materials By The Use Of Electric Means (AREA)
- Investigating Materials By The Use Of Optical Means Adapted For Particular Applications (AREA)
Abstract
Description
本発明は、概して、シリコン処理の分野に関し、特にアップグレードされた冶金級シリコンの精製に関する。
太陽光発電(PV)産業は、急速に成長しており、集積回路(IC)用途としてのより従来の使用を超えるシリコンの消費量増加に関与している。今日、太陽電池産業におけるシリコンのニーズは、IC産業におけるシリコンのニーズに匹敵し始めている。現在の製造技術では、集積回路(IC)および太陽電池産業の両方とも、出発材料として、純化かつ精製されたシリコン原料を必要としている。
従って、最適な不純物管理を提供するUMG材料精製プロセスに対するニーズが生じている。本方法は、有用かつ十分に純粋なUMG-Si材料を犠牲にすることなく不純物を正しく除去するように費用効果が高くなければならない。さらに、所望の不純物濃度閾値を満たすUMG-Siを産生するために、UMG-Siインゴット中の不純物濃度プロファイルをより正確に特定し、不純物除去用のトリミングラインを規定するというニーズがある。またさらに、UMG-Siインゴット中の不均一な不純物濃度を除去するための改善された方法に対するニーズがある。
以下の説明は、限定の意味で取られるべきでなく、本開示の一般的な原理を説明する目的のためのものである。本開示の範囲は、請求の範囲を参照することで判断されるべきである。アルミニウム富化UMGシリコンの精製を参照して説明しているが、当業者は本明細書で考察する原理を任意のアップグレードされた冶金級材料に対して適用できるであろう。
[本発明1001]
溶融UMG-Siの方向性凝固を実施して、シリコンインゴットを形成する工程;
該シリコンインゴットを複数のブリックに分割する工程;
該複数のブリックのそれぞれについて抵抗率プロファイルをマッピングする工程;
該抵抗率マップに基づいて、濃縮された不純物を除去するためのトリミングラインを該複数のブリックのそれぞれについて算出する工程;および
該トリミングラインに沿って該複数のブリックをそれぞれトリミングする工程
を含む、UMG-Si精製のための方法。
[本発明1002]
トリミングラインを算出する前記工程が、閾値不純物濃度に基づいて該トリミングラインを算出することをさらに含む、本発明1001の方法。
[本発明1003]
トリミングラインを算出する前記工程が、閾値ボロン濃度に基づいて該トリミングラインを算出することをさらに含む、本発明1001の方法。
[本発明1004]
トリミングラインを算出する前記工程が、閾値リン濃度に基づいて該トリミングラインを算出することをさらに含む、本発明1001の方法。
[本発明1005]
トリミングラインを算出する前記工程が、閾値アルミニウム濃度に基づいて該トリミングラインを算出することをさらに含む、本発明1001の方法。
[本発明1006]
トリミングラインを算出する前記工程が、前記シリコンインゴットのP/N転換に基づいて該トリミングラインを算出することをさらに含む、本発明1001の方法。
[本発明1007]
方向性凝固を実施する前記工程が、前記シリコンインゴットの上部および片側に不純物を濃縮する双方向性凝固炉を使用する、本発明1001の方法。
[本発明1008]
抵抗率プロファイルをマッピングする前記工程が、抵抗率プロファイルを3D凝固界面としてマッピングすることをさらに含む、本発明1001の方法。
[本発明1009]
シリコンインゴットを複数のブリックに分割する前記工程が、シリコンインゴットを18キログラム未満の複数のブリックに分割することをさらに含む、本発明1001の方法。
Claims (9)
- 溶融UMG-Siの方向性凝固を実施して、シリコンインゴットを形成する工程;
該シリコンインゴットを複数のブリックに分割する工程;
該複数のブリックのそれぞれについて抵抗率プロファイルをマッピングする工程;
該抵抗率マップに基づいて、濃縮された不純物を除去するためのトリミングラインを該複数のブリックのそれぞれについて算出する工程;および
該トリミングラインに沿って該複数のブリックをそれぞれトリミングする工程
を含む、UMG-Si精製のための方法。 - トリミングラインを算出する前記工程が、閾値不純物濃度に基づいて該トリミングラインを算出することをさらに含む、請求項1記載の方法。
- トリミングラインを算出する前記工程が、閾値ボロン濃度に基づいて該トリミングラインを算出することをさらに含む、請求項1記載の方法。
- トリミングラインを算出する前記工程が、閾値リン濃度に基づいて該トリミングラインを算出することをさらに含む、請求項1記載の方法。
- トリミングラインを算出する前記工程が、閾値アルミニウム濃度に基づいて該トリミングラインを算出することをさらに含む、請求項1記載の方法。
- トリミングラインを算出する前記工程が、前記シリコンインゴットのP/N転換に基づいて該トリミングラインを算出することをさらに含む、請求項1記載の方法。
- 方向性凝固を実施する前記工程が、前記シリコンインゴットの上部および片側に不純物を濃縮する双方向性凝固炉を使用する、請求項1記載の方法。
- 抵抗率プロファイルをマッピングする前記工程が、抵抗率プロファイルを3D凝固界面としてマッピングすることをさらに含む、請求項1記載の方法。
- シリコンインゴットを複数のブリックに分割する前記工程が、シリコンインゴットを18キログラム未満の複数のブリックに分割することをさらに含む、請求項1記載の方法。
Applications Claiming Priority (5)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US17385309P | 2009-04-29 | 2009-04-29 | |
US61/173,853 | 2009-04-29 | ||
US26039109P | 2009-11-11 | 2009-11-11 | |
US61/260,391 | 2009-11-11 | ||
PCT/US2010/023798 WO2010126639A1 (en) | 2009-04-29 | 2010-02-10 | Process control for umg-si material purification |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2012525316A true JP2012525316A (ja) | 2012-10-22 |
JP5511945B2 JP5511945B2 (ja) | 2014-06-04 |
Family
ID=43032490
Family Applications (2)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2012508494A Expired - Fee Related JP5511945B2 (ja) | 2009-04-29 | 2010-02-10 | Umg−si材料精製のためのプロセス管理 |
JP2012508755A Pending JP2012525322A (ja) | 2009-04-29 | 2010-04-29 | Umg−si原料の品質管理プロセス |
Family Applications After (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2012508755A Pending JP2012525322A (ja) | 2009-04-29 | 2010-04-29 | Umg−si原料の品質管理プロセス |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20100310445A1 (ja) |
EP (2) | EP2467329A4 (ja) |
JP (2) | JP5511945B2 (ja) |
KR (2) | KR20120014011A (ja) |
CN (2) | CN102498062A (ja) |
WO (1) | WO2010126639A1 (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US8547121B2 (en) | 2009-04-29 | 2013-10-01 | Silicor Materials Inc. | Quality control process for UMG-SI feedstock |
JP2014529181A (ja) * | 2011-07-27 | 2014-10-30 | コミサリア ア レネルジー アトミック エ オ ゼネルジー アルテルナティブCommissariat Al’Energie Atomique Et Aux Energiesalternatives | 補償シリコンサンプルのドーパント含有量の特定 |
Families Citing this family (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN102498062A (zh) * | 2009-04-29 | 2012-06-13 | 卡利太阳能有限公司 | 升级冶金级硅材料提纯的过程控制 |
TW201224227A (en) * | 2010-12-07 | 2012-06-16 | Eversol Corp | Process for increasing quality of silicon brick doped by recycled silicon material |
US20130034229A1 (en) | 2011-08-05 | 2013-02-07 | Apple Inc. | System and method for wireless data protection |
JP5833256B2 (ja) * | 2012-12-10 | 2015-12-16 | 昭和電工株式会社 | ケイ素含有アルミニウム合金鋳塊の製造方法 |
US20150314367A1 (en) * | 2012-12-10 | 2015-11-05 | Showa Denko K.K. | Method of producing silicon-containing aluminum alloy ingot |
CN104502416A (zh) * | 2014-12-04 | 2015-04-08 | 青岛隆盛晶硅科技有限公司 | 一种测试硅锭提纯工艺出成率的方法 |
CN104891500B (zh) * | 2015-05-29 | 2016-12-07 | 昆明理工大学 | 一种去除冶金级硅中硼的方法 |
CN106637399A (zh) * | 2017-03-24 | 2017-05-10 | 晶科能源有限公司 | 一种多晶硅铸锭热场 |
CN110687167A (zh) * | 2019-10-17 | 2020-01-14 | 赛维Ldk太阳能高科技(新余)有限公司 | 一种硅料的检测方法 |
Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0971497A (ja) * | 1995-09-05 | 1997-03-18 | Sharp Corp | 多結晶半導体の製造方法 |
JP2006335582A (ja) * | 2005-05-31 | 2006-12-14 | Daiichi Kiden:Kk | 結晶シリコン製造装置とその製造方法 |
JP2007008789A (ja) * | 2005-07-04 | 2007-01-18 | Sharp Corp | シリコンの再利用方法ならびにその方法により製造したシリコンおよびシリコンインゴット |
JP2007516928A (ja) * | 2003-12-29 | 2007-06-28 | エルケム アクシエセルスカプ | 太陽電池用のシリコン供給原料 |
WO2009003183A1 (en) * | 2007-06-27 | 2008-12-31 | Calisolar, Inc. | Method and system for controlling resistivity in ingots made of compensated feedstock silicon |
Family Cites Families (21)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3008887A (en) * | 1958-10-08 | 1961-11-14 | Du Pont | Purification process |
US4124410A (en) * | 1977-11-21 | 1978-11-07 | Union Carbide Corporation | Silicon solar cells with low-cost substrates |
US5585734A (en) * | 1990-07-09 | 1996-12-17 | Interuniversitair Micro Elektronica Centrum Vzw | Method for determining the resistance and carrier profile of a semiconductor element using a scanning proximity microscope |
US5814148A (en) * | 1996-02-01 | 1998-09-29 | Memc Electronic Materials, Inc. | Method for preparing molten silicon melt from polycrystalline silicon charge |
US6011810A (en) * | 1996-04-23 | 2000-01-04 | The Regents Of The University Of California | Doping of germanium and silicon crystals with non-hydrogenic acceptors for far infrared lasers |
CN1280456C (zh) * | 2000-11-03 | 2006-10-18 | Memc电子材料有限公司 | 生产低缺陷密度硅的方法 |
DE10056726A1 (de) * | 2000-11-15 | 2002-05-23 | Solar Gmbh Deutsche | Multikristallines Silicium mit einem geringen Anteil an aktiven Korngrenzen |
FR2827592B1 (fr) * | 2001-07-23 | 2003-08-22 | Invensil | Silicium metallurgique de haute purete et procede d'elaboration |
US6942730B2 (en) * | 2001-11-02 | 2005-09-13 | H. C. Materials Corporation | Hybrid stockbarger zone-leveling melting method for directed crystallization and growth of single crystals of lead magnesium niobate-lead titanate (PMN-PT) solid solutions and related piezocrystals |
US7141114B2 (en) * | 2004-06-30 | 2006-11-28 | Rec Silicon Inc | Process for producing a crystalline silicon ingot |
JP4993874B2 (ja) * | 2005-05-06 | 2012-08-08 | 京セラ株式会社 | シリコンインゴット用の鋳型 |
US20080178793A1 (en) * | 2007-01-31 | 2008-07-31 | Calisolar, Inc. | Method and system for forming a higher purity semiconductor ingot using low purity semiconductor feedstock |
US20080197454A1 (en) * | 2007-02-16 | 2008-08-21 | Calisolar, Inc. | Method and system for removing impurities from low-grade crystalline silicon wafers |
US20090039478A1 (en) * | 2007-03-10 | 2009-02-12 | Bucher Charles E | Method For Utilizing Heavily Doped Silicon Feedstock To Produce Substrates For Photovoltaic Applications By Dopant Compensation During Crystal Growth |
CN101131371B (zh) * | 2007-10-08 | 2010-06-02 | 苏州阿特斯阳光电力科技有限公司 | 一种精炼冶金硅的杂质含量检测分析方法 |
FR2929755B1 (fr) * | 2008-04-03 | 2011-04-22 | Commissariat Energie Atomique | Procede de traitement d'un substrat semi-conducteur par activation thermique d'elements legers |
US20090289390A1 (en) * | 2008-05-23 | 2009-11-26 | Rec Silicon, Inc. | Direct silicon or reactive metal casting |
CN101353167A (zh) * | 2008-08-08 | 2009-01-28 | 贵阳高新阳光科技有限公司 | 一种超纯冶金硅的制备方法 |
CN102498062A (zh) * | 2009-04-29 | 2012-06-13 | 卡利太阳能有限公司 | 升级冶金级硅材料提纯的过程控制 |
US8547121B2 (en) * | 2009-04-29 | 2013-10-01 | Silicor Materials Inc. | Quality control process for UMG-SI feedstock |
CA2673621A1 (en) * | 2009-07-21 | 2009-12-11 | Silicium Becancour Inc. | A method for evaluating umg silicon compensation |
-
2010
- 2010-02-10 CN CN201080018680XA patent/CN102498062A/zh active Pending
- 2010-02-10 JP JP2012508494A patent/JP5511945B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2010-02-10 WO PCT/US2010/023798 patent/WO2010126639A1/en active Application Filing
- 2010-02-10 EP EP10770085.8A patent/EP2467329A4/en not_active Withdrawn
- 2010-02-10 KR KR1020117028356A patent/KR20120014011A/ko not_active Application Discontinuation
- 2010-02-10 US US12/703,727 patent/US20100310445A1/en not_active Abandoned
- 2010-04-29 KR KR1020117028355A patent/KR20120013413A/ko not_active Application Discontinuation
- 2010-04-29 EP EP10770387.8A patent/EP2425454A4/en not_active Withdrawn
- 2010-04-29 CN CN201080018681.4A patent/CN102598272B/zh not_active Expired - Fee Related
- 2010-04-29 JP JP2012508755A patent/JP2012525322A/ja active Pending
Patent Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0971497A (ja) * | 1995-09-05 | 1997-03-18 | Sharp Corp | 多結晶半導体の製造方法 |
JP2007516928A (ja) * | 2003-12-29 | 2007-06-28 | エルケム アクシエセルスカプ | 太陽電池用のシリコン供給原料 |
JP2006335582A (ja) * | 2005-05-31 | 2006-12-14 | Daiichi Kiden:Kk | 結晶シリコン製造装置とその製造方法 |
JP2007008789A (ja) * | 2005-07-04 | 2007-01-18 | Sharp Corp | シリコンの再利用方法ならびにその方法により製造したシリコンおよびシリコンインゴット |
WO2009003183A1 (en) * | 2007-06-27 | 2008-12-31 | Calisolar, Inc. | Method and system for controlling resistivity in ingots made of compensated feedstock silicon |
JP2010531805A (ja) * | 2007-06-27 | 2010-09-30 | カリソーラー インク | 補償シリコン原料から製造されたインゴットの抵抗率を制御する方法およびシステム |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US8547121B2 (en) | 2009-04-29 | 2013-10-01 | Silicor Materials Inc. | Quality control process for UMG-SI feedstock |
JP2014529181A (ja) * | 2011-07-27 | 2014-10-30 | コミサリア ア レネルジー アトミック エ オ ゼネルジー アルテルナティブCommissariat Al’Energie Atomique Et Aux Energiesalternatives | 補償シリコンサンプルのドーパント含有量の特定 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
EP2467329A1 (en) | 2012-06-27 |
CN102598272B (zh) | 2015-08-26 |
KR20120014011A (ko) | 2012-02-15 |
WO2010126639A8 (en) | 2011-11-03 |
EP2425454A1 (en) | 2012-03-07 |
CN102498062A (zh) | 2012-06-13 |
JP2012525322A (ja) | 2012-10-22 |
EP2467329A4 (en) | 2014-06-25 |
EP2425454A4 (en) | 2014-07-23 |
US20100310445A1 (en) | 2010-12-09 |
KR20120013413A (ko) | 2012-02-14 |
JP5511945B2 (ja) | 2014-06-04 |
CN102598272A (zh) | 2012-07-18 |
WO2010126639A1 (en) | 2010-11-04 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5511945B2 (ja) | Umg−si材料精製のためのプロセス管理 | |
TWI534307B (zh) | 製造矽晶鑄錠之方法 | |
CN102289235B (zh) | 基于顶侧分开控制多晶硅铸锭炉的加热控制***及方法 | |
Arnberg et al. | State-of-the-art growth of silicon for PV applications | |
CN101918314A (zh) | 控制由补偿硅原料制成的硅锭中电阻率的方法和*** | |
BRPI0417807B1 (pt) | Método para a produção de material de alimentação de silício para produzir lingotes de silício multicristalinos ou zona flutuante, solidificados direcionalmente por Czochralski, material de alimentação de silício,e, lingote de silício, ou lâmina ou fita de silício para produzir pastilhas para células solares | |
CN102337582A (zh) | 制造硅晶铸锭的方法 | |
CN102776560B (zh) | 多晶硅锭及其制备方法和多晶硅片 | |
US7601618B2 (en) | Method for producing semi-conditioning material wafers by moulding and directional crystallization | |
CN101133194B (zh) | 浮法硅晶片的制作工艺和设备 | |
CN101597787B (zh) | 在氮气下铸造氮浓度可控的掺氮单晶硅的方法 | |
CN101591807A (zh) | 掺氮的定向凝固铸造单晶硅及其制备方法 | |
CN101597788B (zh) | 在氮气下融化多晶硅制备掺氮铸造单晶硅的方法 | |
CN105951172A (zh) | N型/p型单晶硅晶锭的制造方法 | |
CN101220507A (zh) | 一种用于太阳能电池的硅晶片的制备方法 | |
JP5201446B2 (ja) | ターゲット材およびその製造方法 | |
US8547121B2 (en) | Quality control process for UMG-SI feedstock | |
CN103132133A (zh) | 用于生产硅锭的方法 | |
WO2010127184A1 (en) | Quality control process for umg-si feedstock | |
CN104499046B (zh) | 一种多晶硅锭制备方法 | |
JP3247842B2 (ja) | 太陽電池用シリコンの鋳造方法 | |
WO2013051940A1 (en) | Method for producing silicon mono-crystals and multi-crystalline silicon ingots | |
CN111270302B (zh) | 一种高品质半导体硅材料耗材生长方法 | |
CN105579623B (zh) | 制造具有均匀磷浓度的硅锭的方法 | |
JP6095060B2 (ja) | Si多結晶インゴットの製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20130130 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20140116 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20140224 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20140325 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5511945 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
S531 | Written request for registration of change of domicile |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |