JP2012523707A5

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Publication number: JP2012523707A5
Application number: JP2012504865A
Authority: JP
Filing date: 2010-04-08
Publication date: 2013-05-30
Anticipated expiration: 2030-04-08

Description

図３は、本発明の一実施形態による例示的なマスク３５０を示す。本実施の形態において、マスク３５０は、少なくとも１つのフィンガー３５２を備えることができる。マスク３５０は、随意にベース３５４を含むことができ、フィンガー３５２をベース３５４により支持することができる。マスク３５０がベース３５４を含まない場合、マスク３５０は、共に支持及び／又は保持される１つ以上のフィンガー３５２とすることができる。マスク３５０が２つ以上のフィンガー３５２を備える場合、フィンガー３５２を互いに離間させて、ギャップ又はアパーチャ３５６を規定することができる。一実施形態において、マスク３５０は、複数のフィンガー３５２を有して１つ以上のギャップ又はアパーチャを規定することができ、フィンガー３５２は、互いに均一の形状又は寸法を有することができる。さらに、ギャップ又はアパーチャ３５６が均一の形状又は寸法を有するように、フィンガー３５２を構成することができる。他の実施形態において、マスク３５０は、６１個のフィンガー３５２を有することができ、フィンガー３５２は、６０個の均一かつ矩形状のアパーチャ３５６を形成するように構成される。ただし、マスク３５０が任意数のフィンガー３５２及びアパーチャ３５６を有し得ることは、当業者に理解されるはずである。さらに、アパーチャ３５６は、均一又は非均一に関わらず、様々な形状及び寸法を有することができる。

図４は、本発明の他の実施形態による他の例示的なマスク４５０を示す。本実施形態において、マスク４５０は、少なくとも１つのフィンガー４５２を備えることができる。マスク４５０は、フィンガー４５２を支持し、マスク４５０の互いに対向する側に設けられた、第１ベース４５４ａ及び第２ベース４５４ｂを備えることもできる。必要に応じて、マスク４５０は、マスク４５０の互いに対向する側において、フィンガーの隣に設けられた第３ベース４５４ｃ及び第４ベース４５４ｄを含むこともできる。代案として、第３ベース４５４ｃ及び第４ベース４５４ｄを、追加のフィンガー４５２に置き換えることができる。マスク４５０が２つ以上のフィンガー４５２を備える場合、フィンガー４５２を互いに離間させて、１つ以上のギャップ又はアパーチャ４５６を規定することができる。一実施形態において、マスク４５０は、複数のフィンガー４５２を有することができ、フィンガー４５２は、均一の形状及び寸法を有することができる。さらに、アパーチャ４５０が均一の形状及び寸法を有するように、フィンガー４５２を構成することができる。ただし、マスク４５６が任意数のフィンガー４５２及びアパーチャ４５６を有し得ることは、当業者に理解されるはずである。さらに、アパーチャ４５６は、均一又は非均一に関わらず、様々な形状及び寸法を有することができる。

イオンビーム２０、マスク３５０、及び基板５００の各々は、個別の回転自由度及び平行移動自由度を有することができる。イオンビーム２０、マスク３５０、及び基板５００は、連帯して又は個別に、傾け、回転させ、及び／又は平行移動させることができる。本実施形態では、マスク３５０を、イオンビーム２０に対して固定配置することができる。一方、基板５００は、矢印５１０で示す高さ方向に、イオンビーム２０及び／又はマスク３５０に対して平行移動させることができる。詳細には説明しないが、他の実施形態では、基板５００を、矢印５１２で示す方向に、イオンビーム２０及び／又はマスク３５０に対して平行移動させることもできる。基板５００が高さ方向５１０に平行移動するとき、ドーパントを含む第１領域５０２及び第２領域５０４を形成することができる。第１領域５０２は、イオンビームの第１部２０ａ及び第２部２０ｂからのドーパントが注入されることから、高濃度ドープ領域とすることができる。一方、第２領域５０４は、イオンビームの第１部２０ａからのドーパント又はイオンが注入されることから、低濃度ドープ領域とすることができる。本実施形態の基板５００を図１に示す基板１００と比較すると、高濃度にドープした第１領域５０２はコンタクト領域１０２に対応し、低濃度にドープした第２領域５０４はスペーサー領域１０４に対応し得る。コンタクト領域１０２のドーパントのドーズ量がスペーサー領域１０４のドーパントのドーズ量よりも少ない他の実施形態において、高濃度にドープした第１領域５０２はスペーサー領域１０４に対応し、低濃度にドープした第２領域５０４はコンタクト領域１０２に対応し得る。

図９は、本発明の他の実施形態による他の例示的なマスク９５０を示す。明確かつ単純な説明のために、マスク９５０について、アパーチャに関して説明する場合がある。マスク９５０は、高さ方向９１０に、アパーチャ９５６ａ〜９５６ｃの複数の行９５５ａ〜９５５ｃを備えることができる。本実施形態において、マスク９５０は、３行９５５ａ〜９５５ｃを備えることができる。各行９９５ａ〜９５５ｃには、１つ以上のアパーチャ９５６ａ〜９５６ｃを設けることができる。本実施形態では、アパーチャ９５６ａ〜９５６ｃを、矩形状とすることができる。図９に示すように、本実施形態の各アパーチャ９５６ａ〜９５６ｃは、高さ方向９１０に距離ｌだけ延びる第１側部９６７ａ及び第２側部９６７ｂと、幅方向９１２に距離ｗだけ延びる第１幅部９６９ａ及び第２幅部９６９ｂとを、備えることができる。他の実施形態において、アパーチャ９５６ａ〜９５６ｃは、他の形状を有することができる。

図１２は、本発明の他の実施形態による他の例示的なマスクを示す。マスク１２５０は、複数行を備えることができ、各行は１つ以上のアパーチャを備える。本実施形態において、マスク１２５０は、高さ方向１２１０に５行１２５５ａ〜１２５５ｅを備えることができ、幅方向１２１２に沿う１つ以上のアパーチャ１２５６ａ〜１２５６ｅを、それぞれ各行１２５５ａ〜１２５５ｅに設けることができる。図１２に示すように、隣接行のアパーチャ１２５６ａ〜１２５６ｅは、互いに非均一である。例えば、隣接行のアパーチャ１２５６ａ〜１２５６ｅは、互いにその寸法及び位置に関して異なることができる。

Claims

基板処理用のマスクにおいて、
第１行に設けられた１つ以上の第１アパーチャと、
第２行に設けられた１つ以上の第２アパーチャと、を備え、
前記各行は、前記マスクの幅方向に延在し、
前記１つ以上の第１アパーチャ及び前記１つ以上の第２アパーチャは、非均一であるマスク。
請求項１に記載のマスクにおいて、
前記１つ以上の第１アパーチャ及び前記１つ以上の第２アパーチャは、異なる寸法を有するマスク。
請求項１に記載のマスクにおいて、
前記１つ以上の第１アパーチャ及び前記１つ以上の第２アパーチャは、前記マスクの高さ方向に非均一に整列しているマスク。
請求項３に記載のマスクにおいて、
前記１つ以上の第１アパーチャ及び前記１つ以上の第２アパーチャは、前記高さ方向にオーバーラップ領域を有しないマスク。
請求項３に記載のマスクにおいて、
前記１つ以上の第１アパーチャ及び前記１つ以上の第２アパーチャは、前記高さ方向にオーバーラップし、オーバーラップ領域を規定しているマスク。
請求項１に記載のマスクにおいて、
前記第１行に２つ以上の前記第１アパーチャを備えるとともに、前記第２行に２つ以上の前記第２アパーチャを備え、
前記第１行の前記２つ以上の第１アパーチャは、前記マスクの幅方向に互いに整列しているマスク。
請求項６に記載のマスクにおいて、
前記第２行の前記２以上の第２アパーチャは、前記マスクの前記幅方向に互いに整列しているマスク。
請求項７に記載のマスクにおいて、
前記２つ以上の第１アパーチャの各々と前記２つ以上の第２アパーチャの各々は、前記マスクの高さ方向に互いに不整列の関係にあるマスク。
請求項１に記載のマスクにおいて、
第３行に設けられた１つ以上の第３アパーチャをさらに備え、
前記１つ以上の第２アパーチャ及び前記１つ以上の第３アパーチャは、前記マスクの高さ方向に互いに不整列の関係にあるマスク。
基板処理装置において、
所望の種のイオンを複数含むイオンビームを生成するイオン源であって、該イオンビームは前記基板に向けて指向される、イオン源と、
前記イオン源と前記基板との間に設けられたマスクとを備え、
前記マスクは、
第１行に設けられた１つ以上の第１アパーチャと、
第２行に設けられた１つ以上の第２アパーチャとを備え、
前記各行は、前記マスクの幅方向に延在し、
前記１つ以上の第１アパーチャ及び前記１つ以上の第２アパーチャは、非均一である基板処理装置。
請求項１０に記載の装置において、
前記１つ以上の第１アパーチャ及び前記１つ以上の第２アパーチャは、異なる寸法を有する基板処理装置。
請求項１０に記載の装置において、
前記１つ以上の第１アパーチャ及び前記１つ以上の第２アパーチャは、前記マスクの高さ方向に非均一に整列している基板処理装置。
請求項１２に記載の装置において、
前記１つ以上の第１アパーチャ及び前記１つ以上の第２アパーチャは、前記高さ方向にオーバーラップして、オーバーラップ領域を規定している基板処理装置。
請求項１２に記載の装置において、
前記１つ以上の第１アパーチャ及び前記１つ以上の第２アパーチャは、前記高さ方向にオーバーラップ領域を有しない基板処理装置。
請求項１０に記載の装置において、
前記マスクは、第３行に設けられた１つ以上の第３アパーチャをさらに備え、
前記１つ以上の第２アパーチャ及び前記１つ以上の第３アパーチャは、前記マスクの高さ方向に互いに不整列の関係にある基板処理装置。
基板の処理方法において、
イオン源と前記基板との間にマスクを設けるステップであって、前記マスクは、第１行に設けられた１つ以上の第１アパーチャ、第２行に設けられた１つ以上の第２アパーチャ、及び第３行に設けられた１つ以上の第３アパーチャを備え、各行は前記マスクの幅方向に延在している、ステップと、
イオンビームを前記マスクの上部に向けて指向させて、前記イオンビームの第１部を、前記１つ以上の第１アパーチャの少なくとも一部分及び前記１つ以上の第２アパーチャの少なくとも一部分とオーバーラップさせるステップと、
前記マスク及び前記基板のうち少なくともいずれか一方を、該マスク及び該基板のうち他方に対して、平行移動させるステップと、
を含む方法。
請求項１６に記載の方法において、
前記イオンビームを前記マスクに対して固定配置するステップをさらに含む方法。
請求項１７に記載の方法において、
前記イオンビームを前記マスクの下部に向けて指向させて、前記イオンビームを、前記１つ以上の第２アパーチャの少なくとも一部分及び前記１つ以上の第３アパーチャの少なくとも一部分とオーバーラップさせるステップをさらに含む方法。
請求項１６に記載の方法において、
前記１つ以上の第１アパーチャ及び前記１つ以上の第２アパーチャを、前記マスクの高さ方向に非均一に整列させている方法。
請求項１９に記載の方法において、
前記１つ以上の第１アパーチャ及び前記１つ以上の第２アパーチャを、前記高さ方向にオーバーラップさせて、オーバーラップ領域を規定する方法。
請求項１８に記載の方法において、
イオン注入中に、前記マスクに対する前記イオンビームの位置を、前記マスクの上部から前記マスクの前記下部へ変化させる方法。
請求項１６に記載の方法において、
前記第１行の前記１つ以上の第１アパーチャを、前記第２行の前記１つ以上の第２アパーチャに対して、前記マスクの高さ方向に不整列の関係とする方法。
請求項２２に記載の方法において、
前記第１行に設けられた前記１つ以上の第１アパーチャ及び前記第２行に設けられた前記１つ以上の第２アパーチャは、前記マスクの高さ方向にオーバーラップさせて、オーバーラップ領域を規定する方法。
請求項２２に記載の方法において、
前記第１行に設けられた前記１つ以上の第１アパーチャ及び前記第２行に設けられた前記１つ以上の第２アパーチャを、オーバーラップ領域を有しないように配置する方法。