JP2012519216A - ジルコニウムおよびハフニウムで同時ドープされたニトリドシリケート - Google Patents
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- 229910052726 zirconium Inorganic materials 0.000 title claims description 33
- 229910052735 hafnium Inorganic materials 0.000 title claims description 30
- QCWXUUIWCKQGHC-UHFFFAOYSA-N Zirconium Chemical compound [Zr] QCWXUUIWCKQGHC-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims description 16
- VBJZVLUMGGDVMO-UHFFFAOYSA-N hafnium atom Chemical compound [Hf] VBJZVLUMGGDVMO-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims description 16
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 121
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims abstract description 45
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 28
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims abstract description 22
- 229910052744 lithium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 19
- 229910052708 sodium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 19
- 229910052788 barium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 12
- 229910052791 calcium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 12
- 229910052712 strontium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 11
- 239000011575 calcium Substances 0.000 claims description 28
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 26
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 claims description 23
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 claims description 23
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims description 22
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims description 21
- 239000011734 sodium Substances 0.000 claims description 21
- 229910052693 Europium Inorganic materials 0.000 claims description 20
- 229910052684 Cerium Inorganic materials 0.000 claims description 15
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 claims description 15
- 238000005286 illumination Methods 0.000 claims description 15
- 230000005855 radiation Effects 0.000 claims description 15
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 15
- -1 alkaline earth metal silicon nitride type compounds Chemical class 0.000 claims description 14
- GWXLDORMOJMVQZ-UHFFFAOYSA-N cerium Chemical compound [Ce] GWXLDORMOJMVQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 14
- OGPBJKLSAFTDLK-UHFFFAOYSA-N europium atom Chemical compound [Eu] OGPBJKLSAFTDLK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 14
- DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M Ilexoside XXIX Chemical compound C[C@@H]1CC[C@@]2(CC[C@@]3(C(=CC[C@H]4[C@]3(CC[C@@H]5[C@@]4(CC[C@@H](C5(C)C)OS(=O)(=O)[O-])C)C)[C@@H]2[C@]1(C)O)C)C(=O)O[C@H]6[C@@H]([C@H]([C@@H]([C@H](O6)CO)O)O)O.[Na+] DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M 0.000 claims description 13
- WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N Lithium Chemical compound [Li] WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 13
- 229910052784 alkaline earth metal Inorganic materials 0.000 claims description 13
- 230000008569 process Effects 0.000 claims description 13
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 claims description 11
- ZLMJMSJWJFRBEC-UHFFFAOYSA-N Potassium Chemical compound [K] ZLMJMSJWJFRBEC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 11
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 claims description 11
- 229910052700 potassium Inorganic materials 0.000 claims description 11
- 239000011591 potassium Substances 0.000 claims description 11
- 229910010413 TiO 2 Inorganic materials 0.000 claims description 10
- 239000007858 starting material Substances 0.000 claims description 10
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N zinc oxide Inorganic materials [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 9
- GEIAQOFPUVMAGM-UHFFFAOYSA-N ZrO Inorganic materials [Zr]=O GEIAQOFPUVMAGM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- 238000002156 mixing Methods 0.000 claims description 8
- 239000002245 particle Substances 0.000 claims description 8
- OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N Calcium Chemical compound [Ca] OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- DSAJWYNOEDNPEQ-UHFFFAOYSA-N barium atom Chemical compound [Ba] DSAJWYNOEDNPEQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 239000002105 nanoparticle Substances 0.000 claims description 6
- CIOAGBVUUVVLOB-UHFFFAOYSA-N strontium atom Chemical compound [Sr] CIOAGBVUUVVLOB-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims description 6
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims description 5
- 230000008878 coupling Effects 0.000 claims description 4
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 claims description 4
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 claims description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 claims description 4
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 claims description 4
- 229920002050 silicone resin Polymers 0.000 claims description 4
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 claims description 3
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 claims description 3
- 125000000524 functional group Chemical group 0.000 claims description 3
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 3
- 229910002601 GaN Inorganic materials 0.000 claims description 2
- JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N Gallium nitride Chemical compound [Ga]#N JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- AUCDRFABNLOFRE-UHFFFAOYSA-N alumane;indium Chemical compound [AlH3].[In] AUCDRFABNLOFRE-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 150000003109 potassium Chemical class 0.000 claims description 2
- SBIBMFFZSBJNJF-UHFFFAOYSA-N selenium;zinc Chemical compound [Se]=[Zn] SBIBMFFZSBJNJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 239000007787 solid Substances 0.000 claims description 2
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 22
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 21
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 20
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 18
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 18
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 15
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 14
- 229910052593 corundum Inorganic materials 0.000 description 14
- 239000010431 corundum Substances 0.000 description 14
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 14
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 14
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 14
- 229910016655 EuF 3 Inorganic materials 0.000 description 13
- 230000005284 excitation Effects 0.000 description 13
- 239000011230 binding agent Substances 0.000 description 11
- 238000000295 emission spectrum Methods 0.000 description 9
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 9
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 8
- 239000012190 activator Substances 0.000 description 7
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 7
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 6
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 6
- 238000000634 powder X-ray diffraction Methods 0.000 description 6
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 6
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 5
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 5
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N Ammonia Chemical compound N QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 4
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 4
- 238000001465 metallisation Methods 0.000 description 4
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 4
- 229920001296 polysiloxane Polymers 0.000 description 4
- LIVNPJMFVYWSIS-UHFFFAOYSA-N silicon monoxide Chemical compound [Si-]#[O+] LIVNPJMFVYWSIS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000003595 spectral effect Effects 0.000 description 4
- 150000001342 alkaline earth metals Chemical class 0.000 description 3
- 238000005090 crystal field Methods 0.000 description 3
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 3
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 3
- 229920003227 poly(N-vinyl carbazole) Polymers 0.000 description 3
- 230000001603 reducing effect Effects 0.000 description 3
- CIWBSHSKHKDKBQ-JLAZNSOCSA-N Ascorbic acid Chemical compound OC[C@H](O)[C@H]1OC(=O)C(O)=C1O CIWBSHSKHKDKBQ-JLAZNSOCSA-N 0.000 description 2
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052776 Thorium Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000009471 action Effects 0.000 description 2
- 229910021529 ammonia Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052790 beryllium Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 2
- 230000006835 compression Effects 0.000 description 2
- 238000007906 compression Methods 0.000 description 2
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 2
- ZYGHJZDHTFUPRJ-UHFFFAOYSA-N coumarin Chemical compound C1=CC=C2OC(=O)C=CC2=C1 ZYGHJZDHTFUPRJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000001419 dependent effect Effects 0.000 description 2
- 238000013461 design Methods 0.000 description 2
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 description 2
- 230000005281 excited state Effects 0.000 description 2
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 2
- 238000000462 isostatic pressing Methods 0.000 description 2
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052748 manganese Inorganic materials 0.000 description 2
- VNWKTOKETHGBQD-UHFFFAOYSA-N methane Chemical compound C VNWKTOKETHGBQD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000010445 mica Substances 0.000 description 2
- 229910052618 mica group Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000005424 photoluminescence Methods 0.000 description 2
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 2
- 238000010791 quenching Methods 0.000 description 2
- 230000000171 quenching effect Effects 0.000 description 2
- 229910052761 rare earth metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 2
- SQGYOTSLMSWVJD-UHFFFAOYSA-N silver(1+) nitrate Chemical compound [Ag+].[O-]N(=O)=O SQGYOTSLMSWVJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 150000003384 small molecules Chemical class 0.000 description 2
- 238000003786 synthesis reaction Methods 0.000 description 2
- POILWHVDKZOXJZ-ARJAWSKDSA-M (z)-4-oxopent-2-en-2-olate Chemical compound C\C([O-])=C\C(C)=O POILWHVDKZOXJZ-ARJAWSKDSA-M 0.000 description 1
- AZUYLZMQTIKGSC-UHFFFAOYSA-N 1-[6-[4-(5-chloro-6-methyl-1H-indazol-4-yl)-5-methyl-3-(1-methylindazol-5-yl)pyrazol-1-yl]-2-azaspiro[3.3]heptan-2-yl]prop-2-en-1-one Chemical compound ClC=1C(=C2C=NNC2=CC=1C)C=1C(=NN(C=1C)C1CC2(CN(C2)C(C=C)=O)C1)C=1C=C2C=NN(C2=CC=1)C AZUYLZMQTIKGSC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MCSXGCZMEPXKIW-UHFFFAOYSA-N 3-hydroxy-4-[(4-methyl-2-nitrophenyl)diazenyl]-N-(3-nitrophenyl)naphthalene-2-carboxamide Chemical compound Cc1ccc(N=Nc2c(O)c(cc3ccccc23)C(=O)Nc2cccc(c2)[N+]([O-])=O)c(c1)[N+]([O-])=O MCSXGCZMEPXKIW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CSDQQAQKBAQLLE-UHFFFAOYSA-N 4-(4-chlorophenyl)-4,5,6,7-tetrahydrothieno[3,2-c]pyridine Chemical compound C1=CC(Cl)=CC=C1C1C(C=CS2)=C2CCN1 CSDQQAQKBAQLLE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 101100219382 Caenorhabditis elegans cah-2 gene Proteins 0.000 description 1
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BVKZGUZCCUSVTD-UHFFFAOYSA-L Carbonate Chemical compound [O-]C([O-])=O BVKZGUZCCUSVTD-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- KRKNYBCHXYNGOX-UHFFFAOYSA-K Citrate Chemical compound [O-]C(=O)CC(O)(CC([O-])=O)C([O-])=O KRKNYBCHXYNGOX-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 1
- XZMCDFZZKTWFGF-UHFFFAOYSA-N Cyanamide Chemical compound NC#N XZMCDFZZKTWFGF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XFXPMWWXUTWYJX-UHFFFAOYSA-N Cyanide Chemical compound N#[C-] XFXPMWWXUTWYJX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000000918 Europium Chemical class 0.000 description 1
- VZCYOOQTPOCHFL-OWOJBTEDSA-N Fumaric acid Chemical compound OC(=O)\C=C\C(O)=O VZCYOOQTPOCHFL-OWOJBTEDSA-N 0.000 description 1
- WQZGKKKJIJFFOK-GASJEMHNSA-N Glucose Natural products OC[C@H]1OC(O)[C@H](O)[C@@H](O)[C@@H]1O WQZGKKKJIJFFOK-GASJEMHNSA-N 0.000 description 1
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OFOBLEOULBTSOW-UHFFFAOYSA-L Malonate Chemical compound [O-]C(=O)CC([O-])=O OFOBLEOULBTSOW-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- BPQQTUXANYXVAA-UHFFFAOYSA-N Orthosilicate Chemical compound [O-][Si]([O-])([O-])[O-] BPQQTUXANYXVAA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MUBZPKHOEPUJKR-UHFFFAOYSA-N Oxalic acid Chemical compound OC(=O)C(O)=O MUBZPKHOEPUJKR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910018557 Si O Inorganic materials 0.000 description 1
- NINIDFKCEFEMDL-UHFFFAOYSA-N Sulfur Chemical compound [S] NINIDFKCEFEMDL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000006887 Ullmann reaction Methods 0.000 description 1
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 1
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 1
- 230000004913 activation Effects 0.000 description 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000000149 argon plasma sintering Methods 0.000 description 1
- 229940072107 ascorbate Drugs 0.000 description 1
- 235000010323 ascorbic acid Nutrition 0.000 description 1
- 239000011668 ascorbic acid Substances 0.000 description 1
- WQZGKKKJIJFFOK-VFUOTHLCSA-N beta-D-glucose Chemical compound OC[C@H]1O[C@@H](O)[C@H](O)[C@@H](O)[C@@H]1O WQZGKKKJIJFFOK-VFUOTHLCSA-N 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 125000000319 biphenyl-4-yl group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C([H])C([H])=C1C1=C([H])C([H])=C([*])C([H])=C1[H] 0.000 description 1
- 238000001354 calcination Methods 0.000 description 1
- 150000004649 carbonic acid derivatives Chemical class 0.000 description 1
- 150000001768 cations Chemical class 0.000 description 1
- 229910010293 ceramic material Inorganic materials 0.000 description 1
- QCCDYNYSHILRDG-UHFFFAOYSA-K cerium(3+);trifluoride Chemical compound [F-].[F-].[F-].[Ce+3] QCCDYNYSHILRDG-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 238000012512 characterization method Methods 0.000 description 1
- 230000006690 co-activation Effects 0.000 description 1
- 239000011247 coating layer Substances 0.000 description 1
- 238000009833 condensation Methods 0.000 description 1
- 230000005494 condensation Effects 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 229960000956 coumarin Drugs 0.000 description 1
- 235000001671 coumarin Nutrition 0.000 description 1
- 238000010616 electrical installation Methods 0.000 description 1
- 238000009429 electrical wiring Methods 0.000 description 1
- 238000005401 electroluminescence Methods 0.000 description 1
- 230000009881 electrostatic interaction Effects 0.000 description 1
- 238000004049 embossing Methods 0.000 description 1
- 150000002118 epoxides Chemical class 0.000 description 1
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 1
- 150000002148 esters Chemical class 0.000 description 1
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 1
- 230000002349 favourable effect Effects 0.000 description 1
- 239000000835 fiber Substances 0.000 description 1
- 150000002222 fluorine compounds Chemical class 0.000 description 1
- 230000004907 flux Effects 0.000 description 1
- 239000008103 glucose Substances 0.000 description 1
- 230000005283 ground state Effects 0.000 description 1
- 150000004820 halides Chemical class 0.000 description 1
- 238000004770 highest occupied molecular orbital Methods 0.000 description 1
- 230000005525 hole transport Effects 0.000 description 1
- 150000004678 hydrides Chemical class 0.000 description 1
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 1
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 description 1
- 238000004768 lowest unoccupied molecular orbital Methods 0.000 description 1
- 238000004020 luminiscence type Methods 0.000 description 1
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 1
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 1
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 1
- 230000005012 migration Effects 0.000 description 1
- 238000013508 migration Methods 0.000 description 1
- 229910000510 noble metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 1
- WCPAKWJPBJAGKN-UHFFFAOYSA-N oxadiazole Chemical compound C1=CON=N1 WCPAKWJPBJAGKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000004043 oxo group Chemical group O=* 0.000 description 1
- 239000004038 photonic crystal Substances 0.000 description 1
- 229920002098 polyfluorene Polymers 0.000 description 1
- 235000019353 potassium silicate Nutrition 0.000 description 1
- 238000001556 precipitation Methods 0.000 description 1
- 230000001902 propagating effect Effects 0.000 description 1
- 150000002910 rare earth metals Chemical class 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- 150000003346 selenoethers Chemical class 0.000 description 1
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 1
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 1
- 229910001961 silver nitrate Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 1
- 239000005361 soda-lime glass Substances 0.000 description 1
- NTHWMYGWWRZVTN-UHFFFAOYSA-N sodium silicate Chemical compound [Na+].[Na+].[O-][Si]([O-])=O NTHWMYGWWRZVTN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000012798 spherical particle Substances 0.000 description 1
- 229910052717 sulfur Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011593 sulfur Substances 0.000 description 1
- 239000000725 suspension Substances 0.000 description 1
- 150000003568 thioethers Chemical class 0.000 description 1
- VZCYOOQTPOCHFL-UHFFFAOYSA-N trans-butenedioic acid Natural products OC(=O)C=CC(O)=O VZCYOOQTPOCHFL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000012780 transparent material Substances 0.000 description 1
- HPNURIVGONRLQI-UHFFFAOYSA-K trifluoroeuropium Chemical compound F[Eu](F)F HPNURIVGONRLQI-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
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Abstract
Description
高い蛍光消光温度(TQ50>>150℃)。
酸および湿気に対する高い化学安定性。
励起LEDの発光帯のスペクトル領域における高い吸収、蛍光体から環境への発光の高い抽出および高い変換効率(QE)から生じる高い光収率。
オルトケイ酸塩:
当該材料は、高い輝度および効率を有するが、最長の発光波長は、約610nmにおいてである。
これらの蛍光体は、上述の波長範囲において発光することが可能である。硫黄含有材料の最大の欠点は、大気中の酸素および湿気に対するそれらの不安定性である。共に、シリコーン結合材料を通って蛍光体に拡散することによってLEDに極めて容易に進入し、それと反応し、その間に、それは分解される。さらに、低度のドーピングのみがしばしば可能であり、高い励起密度にて飽和現象がもたらされる。
共有結合性窒化物は、それらが大きなバンドギャップを有し、ここで活性化体イオンのHOMOおよびLUMOが局所化されるため、原則的に蛍光体のためのマトリックスとして用いられ得る。高い共有結合性のために、窒化物は高い電子雲拡大効果を有し、その結果希土類元素活性化体、例えばEu2+、Ce3+の励起された4f5d配置の最も低い結晶場要素のエネルギーが、低くなる。この結果、窒化物蛍光体の長波長励起およびそれからの発光がもたらされる(Krevel et al., J. Alloys Compd. 1998, 268, 272を参照)。
驚くべきことに、(Ca,Sr,Ba)2−xSi5N8:Eux蛍光体の変換効率の経済的に重要なさらなる向上のための要求を、4価および/または1価のカチオンでの同時ドーピング(co-doping)を行う場合に満たすことができることが見出された。
Ma2-y(Ca,Sr,Ba)1-x-ySi5-zMezN8:EuxCey (I)
式中、
Ma=Li、Naおよび/またはK、
Me=Hf4+および/またはZr4+、
x=0.0015〜0.20、
y=0〜0.15
および
z<4である、
で表される化合物である。
x=0.005〜0.19およびy=0〜0.08である場合が、好ましい。
さらに、これらの同時ドーパントは、それらが窒化ケイ素中に存在する所望されない酸素(これは、輝度または効率の低下およびカラーポイントの移動をもたらす)に結合することができる点で、効率を増大させる効果を有し得る。
・窒化ケイ素、ユウロピウム、セリウム、カルシウム、ストロンチウム、バリウム、ハフニウム、ジルコニウム、リチウム、ナトリウム、カリウム含有材料から選択される少なくとも4種の出発物質を混合することによって、ハフニウム、ジルコニウム、リチウム、ナトリウムおよび/またはカリウム含有材料が同時ドープされた、Euおよび/またはCeがドープされた2−5−8アルカリ土類金属窒化ケイ素化合物を調製すること、
・Hfおよび/またはZrで同時ドープされた化合物を熱的に後処理すること
を有する、前記方法に関する。
これらは一般的に、1:1〜400:1、特に3:1〜100:1のアスペクト比(直径対粒子の厚さの比)を有する。
LEDチップに面する本発明の薄片形態の蛍光体の表面に、LEDチップによって発せられた一次放射線に関する反射低減作用を有するコーティングを設けることができる。この結果、一次放射線の後方散乱の低減がもたらされ、本発明の蛍光体素子中への後者の結合が促進される。
セラミックス蛍光体素子を、必要に応じて、LEDチップの支持体に、水ガラス溶液を用いて固定することができる。
a)窒化ケイ素、ユウロピウム、セリウム、カルシウム、ストロンチウム、バリウム、ハフニウム、ジルコニウム、リチウム、ナトリウムおよび/またはカリウム含有材料から選択される少なくとも4種の出発物質を混合することによって、ハフニウムおよび/またはジルコニウム含有材料が同時ドープされた、ユウロピウムがドープされた2−5−8アルカリ土類金属窒化ケイ素化合物を調製すること、
c)粗面を、SiO2、TiO2、Al2O3、ZnO、ZrO2および/もしくはY2O3またはそれらの混合酸化物を含むナノ粒子で、あるいは本発明の化合物を含むナノ粒子で被覆すること
を有する、前記方法に関する。
このタイプの光源の可能な形態は、当業者に知られている。それらは、種々の構造を有する発光LEDチップであり得る。
本発明の照明単位の他の好ましい態様において、光源は、エレクトロルミネセンスおよび/またはフォトルミネセンスを示す源である。光源はさらにまた、プラズマ源または放電源であり得る。
本発明はさらに、本発明の化合物の、発光ダイオードからの青色または近紫外線発光の部分的な、または完全な変換のための使用に関する。
1.同時ドープされたCa2Si5N8:Eu(2%および10%のEuを含む)の調製
例1a:参照蛍光体としてのCa2Si5N8:Eu(2%)の調製
2.8730gのCaH2(Alfa Aesar、99.8%)、0.2479gのEuF3(ChemPur、99.9%)および6.9356gのSi3N4(UBE、99.99%)を、酸素および湿気を排除してグローブボックス中で互いに密に混合し、その後、モリブデンで内側を被覆したコランダムるつぼ中に移送する。るつぼを、次にフォーミングガス(N2/H2=90/10)を流した管状炉中に移送し、炉を閉鎖した後に、1400℃にて14時間か焼する。最後に、得られた焼結ケークを粉砕し、ふるい分けし、分級する。
2.4428gのCaH2(Alfa Aesar、99.8%)、0.2477gのEuF3(ChemPur、99.9%)、0.0151gのHfF4(Alfa Aesar、99.9%)および6.9299gのSi3N4(UBE、99.99%)を、酸素および湿気を排除してグローブボックス中で互いに密に混合し、その後、モリブデンで内側を被覆したコランダムるつぼ中に移送する。るつぼを、次にフォーミングガス(N2/H2=90/10)を流した管状炉中に移送し、炉を閉鎖した後に、1400℃にて14時間か焼する。最後に、得られた焼結ケークを粉砕し、ふるい分けし、分級する。
2.4441gのCaH2(Alfa Aesar、99.8%)、0.2479gのEuF3(ChemPur、99.9%)、0.0099gのZrF4(Alfa Aesar、98%)および6.9335gのSi3N4(UBE、99.99%)を、酸素および湿気を排除してグローブボックス中で互いに密に混合し、その後、モリブデンで内側を被覆したコランダムるつぼ中に移送する。るつぼを、次にフォーミングガス(N2/H2=90/10)を流した管状炉中に移送し、炉を閉鎖した後に、1400℃にて14時間か焼する。最後に、得られた焼結ケークを粉砕し、ふるい分けし、分級する。
2.1342gのCaH2(Alfa Aesar、99.8%)、1.1772gのEuF3(ChemPur、99.9%)および6.5858gのSi3N4(UBE、99.99%)を、酸素および湿気を排除してグローブボックス中で互いに密に混合し、その後、モリブデンで内側を被覆したコランダムるつぼ中に移送する。るつぼを、次にフォーミングガス(N2/H2=90/10)を流した管状炉中に移送し、炉を閉鎖した後に、1400℃にて14時間か焼する。最後に、得られた焼結ケークを粉砕し、ふるい分けし、分級する。
2.1302gのCaH2(Alfa Aesar、99.8%)、1.1762gのEuF3(ChemPur、99.9%)、0.0143gのHfF4(Alfa Aesar、99.9%)および6.5807gのSi3N4(UBE、99.99%)を、酸素および湿気を排除してグローブボックス中で互いに密に混合し、その後、モリブデンで内側を被覆したコランダムるつぼ中に移送する。るつぼを、次にフォーミングガス(N2/H2=90/10)を流した管状炉中に移送し、炉を閉鎖した後に、1400℃にて14時間か焼する。最後に、得られた焼結ケークを粉砕し、ふるい分けし、分級する。
2.1312gのCaH2(Alfa Aesar、99.8%)、1.1768gのEuF3(ChemPur、99.9%)、0.0094gのZrF4(Alfa Aesar、99.9%)および6.5839gのSi3N4(UBE、99.99%)を、酸素および湿気を排除してグローブボックス中で互いに密に混合し、その後、モリブデンで内側を被覆したコランダムるつぼ中に移送する。るつぼを、次にフォーミングガス(N2/H2=90/10)を流した管状炉中に移送し、炉を閉鎖した後に、1400℃にて14時間か焼する。最後に、得られた焼結ケークを粉砕し、ふるい分けし、分級する。
例2a:参照蛍光体としてのSr2Si5N8:Eu(2%)の調製
4.4164gのSr3N2、0.1942gのEuF3(ChemPur、99.9%)および5.4337gのSi3N4(UBE、99.99%)を、酸素および湿気を排除してグローブボックス中で互いに密に混合し、その後、モリブデンで内側を被覆したコランダムるつぼ中に移送する。るつぼを、次にフォーミングガス(N2/H2=90/10)を流した管状炉中に移送し、炉を閉鎖した後に、1400℃にて14時間か焼する。最後に、得られた焼結ケークを粉砕し、ふるい分けし、分級する。
4.4100gのSr3N2、0.1942gのEuF3(ChemPur、99.9%)、0.0118gのHfF4(Alfa Aesar、99.9%)および5.4314gのSi3N4(UBE、99.99%)を、酸素および湿気を排除してグローブボックス中で互いに密に混合し、その後、モリブデンで内側を被覆したコランダムるつぼ中に移送する。るつぼを、次にフォーミングガス(N2/H2=90/10)を流した管状炉中に移送し、炉を閉鎖した後に、1400℃にて14時間か焼する。最後に、得られた焼結ケークを粉砕し、ふるい分けし、分級する。
4.4118gのSr3N2、0.1942gのEuF3(ChemPur、99.9%)、0.0078gのZrF4(Alfa Aesar、99.9%)および5.4336gのSi3N4(UBE、99.99%)を、酸素および湿気を排除してグローブボックス中で互いに密に混合し、その後、モリブデンで内側を被覆したコランダムるつぼ中に移送する。るつぼを、次にフォーミングガス(N2/H2=90/10)を流した管状炉中に移送し、炉を閉鎖した後に、1400℃にて14時間か焼する。最後に、得られた焼結ケークを粉砕し、ふるい分けし、分級する。
例3a:参照蛍光体としてのBa2Si5N8:Eu(2%)の調製
5.4472gのBa3N2、0.1584gのEuF3(ChemPur、99.9%)および4.4305gのSi3N4(UBE、99.99%)を、酸素および湿気を排除してグローブボックス中で互いに密に混合し、その後、モリブデンで内側を被覆したコランダムるつぼ中に移送する。るつぼを、次にフォーミングガス(N2/H2=90/10)を流した管状炉中に移送し、炉を閉鎖した後に、1400℃にて14時間か焼する。最後に、得られた焼結ケークを粉砕し、ふるい分けし、分級する。
5.4408gのBa3N2、0.1584gのEuF3(ChemPur、99.9%)、0.0096gのHfF4(Alfa Aesar、99.9%)および4.4298gのSi3N4(UBE、99.99%)を、酸素および湿気を排除してグローブボックス中で互いに密に混合し、その後、モリブデンで内側を被覆したコランダムるつぼ中に移送する。るつぼを、次にフォーミングガス(N2/H2=90/10)を流した管状炉中に移送し、炉を閉鎖した後に、1400℃にて14時間か焼する。最後に、得られた焼結ケークを粉砕し、ふるい分けし、分級する。
5.4426gのBa3N2、0.1584gのEuF3(ChemPur、99.9%)、0.0063gのZrF4(Alfa Aesar、99.9%)および4.4313gのSi3N4(UBE、99.99%)を、酸素および湿気を排除してグローブボックス中で互いに密に混合し、その後、モリブデンで内側を被覆したコランダムるつぼ中に移送する。るつぼを、次にフォーミングガス(N2/H2=90/10)を流した管状炉中に移送し、炉を閉鎖した後に、1400℃にて14時間か焼する。最後に、得られた焼結ケークを粉砕し、ふるい分けし、分級する。
0.81469gのCaH2(Alfa Aesar、99.8%)、0.9288gのNaH(95%、Sigma Aldrich)、0.2479gのEuF3(ChemPur、99.9%)、0.0099gのZrF4(Alfa Aesar、98%)および6.9335gのSi3N4(UBE、99.99%)を、酸素および湿気を排除してグローブボックス中で互いに密に混合し、その後、モリブデンで内側を被覆したコランダムるつぼ中に移送する。るつぼを、次にフォーミングガス(N2/H2=90/10)を流した管状炉中に移送し、炉を閉鎖した後に、1400℃にて14時間か焼する。最後に、得られた焼結ケークを粉砕し、ふるい分けし、分級する。
0.7897gのCaH2(Alfa Aesar、99.8%)、0.9146gのNaH(95%、Sigma Aldrich)、0.2479gのEuF3(ChemPur、99.9%)、0.1169gのCeF3(ChemPur、99.9%)、0.0099gのZrF4(Alfa Aesar、98%)および6.9335gのSi3N4(UBE、99.99%)を、酸素および湿気を排除してグローブボックス中で互いに密に混合し、その後、モリブデンで内側を被覆したコランダムるつぼ中に移送する。るつぼを、次にフォーミングガス(N2/H2=90/10)を流した管状炉中に移送し、炉を閉鎖した後に、1400℃にて14時間か焼する。最後に、得られた焼結ケークを粉砕し、ふるい分けし、分級する。
本発明を、多数の作業例を参照して以下にさらに詳細に説明し、ここで:
図1は、450nmの励起波長におけるCa1.98Si5N8:Eu0.02および同時ドープされた蛍光体の発光スペクトルを示す。ここで、
a)は、同時ドープされていない蛍光体を示し、
b)は、0.1%のZrで同時ドープされたCa1.98Si5N8:Eu0.02を示し、
c)は、0.1%のHfで同時ドープされたCa1.98Si5N8:Eu0.02を示す。
a)は、同時ドープされていない蛍光体を示し、
b)は、0.1%のZrで同時ドープされたSr1.98Si5N8:Eu0.02を示し、
c)は、0.1%のHfで同時ドープされたSr1.98Si5N8:Eu0.02を示す。
図6は、a)同時ドープされていない蛍光体、b)0.1%のZrで同時ドープされたCa1.98Si5N8:Eu0.02、c)0.1%のHfで同時ドープされたCa1.98Si5N8:Eu0.02のX線粉末回折パターンを示す。
図8は、a)同時ドープされていない蛍光体、b)0.1%のZrで同時ドープされたBa1.98Si5N8:Eu0.02、c)0.1%のHfで同時ドープされたBa1.98Si5N8:Eu0.02のX線粉末回折パターンを示す。
Claims (18)
- ハフニウム、ジルコニウム、リチウム、ナトリウムおよび/またはカリウムを同時ドーパントとして付加的に含む、ユウロピウムおよび/またはセリウムドーピングを有する2−5−8アルカリ土類金属窒化ケイ素型の化合物。
- 式I
Ma2-y(Ca,Sr,Ba)1-x-ySi5-zMezN8:EuxCey (I)
式中、
Ma=Li、Naおよび/またはK、
Me=Hf4+および/またはZr4+、
x=0.0015〜0.20および
y=0〜0.15、
z<4である、
で表されることを特徴とする、請求項1に記載の化合物。 - z<1、好ましくはz<0.1、より好ましくはz=0.0002〜0.02であることを特徴とする、請求項1または2に記載の化合物。
- 窒化ケイ素、ユウロピウム、セリウムおよびカルシウムおよび/またはストロンチウムおよび/またはバリウム含有出発物質を、少なくとも1種のハフニウム、ジルコニウム、リチウム、ナトリウムおよび/またはカリウム含有同時ドーパントと、固体拡散法によって混合し、その後熱的に後処理することによって得られる、請求項1〜3のいずれか一項に記載の化合物。
- 請求項1〜4のいずれか一項に記載の化合物の調製のための方法であって、以下のプロセス段階:
a)窒化ケイ素、ユウロピウム、セリウム、カルシウム、ストロンチウム、バリウム、ハフニウム、ジルコニウム、リチウム、ナトリウムおよび/またはカリウム含有材料から選択される少なくとも4種の出発物質を混合することによって、ハフニウム、ジルコニウム、リチウム、ナトリウムおよび/またはカリウム含有材料が同時ドープされ、ユウロピウムおよび/またはセリウムがドープされた2−5−8アルカリ土類金属窒化ケイ素化合物を調製すること、
b)同時ドープされた化合物を熱的に後処理すること
を有する、前記方法。 - SiO2、TiO2、Al2O3、ZnO、ZrO2および/もしくはY2O3またはそれらの混合酸化物を含むナノ粒子、ならびに/あるいはユウロピウム、セリウム、ハフニウム、ジルコニウム、リチウム、ナトリウムおよび/もしくはカリウムの系列からのドーパントを有する、または有しない請求項1〜4のいずれか一項に記載の化合物を含む粒子を担持する粗面を有することを特徴とする、請求項1〜4のいずれか一項に記載の化合物を含む成形体。
- SiO2、TiO2、Al2O3、ZnO、ZrO2および/もしくはY2O3またはそれらの混合酸化物、ならびに/あるいは活性化体ユウロピウムを有しない請求項1〜4のいずれか一項に記載の化合物からなる連続的表面コーティングを有することを特徴とする、請求項1〜4のいずれか一項に記載の化合物を含む成形体。
- SiO2、TiO2、Al2O3、ZnO、ZrO2および/もしくはY2O3またはそれらの混合酸化物、ならびに/あるいはユウロピウム、セリウム、ハフニウム、ジルコニウム、リチウム、ナトリウムおよび/もしくはカリウムの系列からのドーパントを有する、または有しない請求項1〜4のいずれか一項に記載の化合物からなる多孔性の表面コーティングを有することを特徴とする、請求項1〜4のいずれか一項に記載の化合物を含む成形体。
- 表面が、好ましくはエポキシまたはシリコーン樹脂からなる、環境への化学的または物理的結合を促進する官能基を担持することを特徴とする、請求項1〜4のいずれか一項に記載の化合物を含む成形体。
- 請求項6〜9のいずれか一項に記載の成形体の製造のための方法であって、以下のプロセス段階:
a)窒化ケイ素、ユウロピウム、セリウム、カルシウム、ストロンチウム、バリウム、ハフニウム、ジルコニウム、リチウム、ナトリウムおよび/またはカリウム含有材料から選択される少なくとも4種の出発物質を混合することによって、ハフニウムおよび/またはジルコニウム含有材料が同時ドープされ、2−5−8ユウロピウムドープアルカリ土類金属窒化ケイ素化合物を調製すること、
b)同時ドープされた化合物を熱的に後処理し、粗面を有する成形体を形成すること、
c)粗面を、SiO2、TiO2、Al2O3、ZnO、ZrO2および/もしくはY2O3またはその混合酸化物を含むナノ粒子で、あるいはドーパントを有する、または有しない請求項1〜4のいずれか一項に記載の化合物を含むナノ粒子で被覆すること
を有する、前記方法。 - 発光極大が250nm〜530nm、好ましくは390nm〜480nmの範囲内にある少なくとも1つの一次光源を有し、ここでこの放射線が、請求項1〜10のいずれか一項に記載の化合物または成形体によって、より長い波長の放射線に部分的にまたは完全に変換される、照明単位。
- 光源が、特に式IniGajAlkNで表され、式中0≦i、0≦j、0≦kであり、i+j+k=1である発光性窒化インジウムアルミニウムガリウムまたはZnO、TCO(透明な導電性酸化物)、ZnSeもしくはSiCをベースとする発光化合物であることを特徴とする、請求項11に記載の照明単位。
- 光源が有機発光配置またはプラズマもしくは放電ランプであることを特徴とする、請求項11に記載の照明単位。
- 蛍光体が一次光源上に直接、および/またはそこから離れて配置されていることを特徴とする、請求項11〜13のいずれか一項に記載の照明単位。
- 蛍光体と一次光源との間の光結合が、光伝導配置によって達成されることを特徴とする、請求項11〜14のいずれか一項に記載の照明単位。
- 請求項1〜4のいずれか一項に記載の少なくとも1種の化合物の、蛍光体または、発光ダイオードからの青色もしくは紫外線発光を部分的に、もしくは完全に変換するための変換蛍光体としての使用。
- 請求項1〜4のいずれか一項に記載の少なくとも1種の化合物の、一次放射線を特定のカラーポイントに、カラーオンデマンド概念に従って変換するための変換蛍光体としての使用。
- 請求項6〜9のいずれか一項に記載の成形体の、蛍光体素子としての使用。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE102009010705.3 | 2009-02-27 | ||
DE102009010705A DE102009010705A1 (de) | 2009-02-27 | 2009-02-27 | Co-dotierte 2-5-8 Nitride |
PCT/EP2010/000592 WO2010097157A1 (de) | 2009-02-27 | 2010-02-01 | Mit zirkonium und hafnium co-dotierte nitridosilikate |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2012519216A true JP2012519216A (ja) | 2012-08-23 |
Family
ID=42062329
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2011551427A Pending JP2012519216A (ja) | 2009-02-27 | 2010-02-01 | ジルコニウムおよびハフニウムで同時ドープされたニトリドシリケート |
Country Status (9)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US9028716B2 (ja) |
EP (1) | EP2401342B1 (ja) |
JP (1) | JP2012519216A (ja) |
KR (1) | KR20110126725A (ja) |
CN (1) | CN102333844B (ja) |
DE (1) | DE102009010705A1 (ja) |
SG (1) | SG173767A1 (ja) |
TW (1) | TWI464240B (ja) |
WO (1) | WO2010097157A1 (ja) |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2016507605A (ja) * | 2012-12-21 | 2016-03-10 | メルク パテント ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツングMerck Patent Gesellschaft mit beschraenkter Haftung | 蛍光体 |
JP2017055093A (ja) * | 2015-09-11 | 2017-03-16 | 株式会社東芝 | 半導体発光装置 |
JP2018503980A (ja) * | 2014-12-24 | 2018-02-08 | コーニンクレッカ フィリップス エヌ ヴェKoninklijke Philips N.V. | 蛍光体変換led |
JP2018109123A (ja) * | 2017-01-05 | 2018-07-12 | 太平洋セメント株式会社 | 蛍光体の製造法 |
Families Citing this family (33)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2011111293A1 (ja) * | 2010-03-10 | 2011-09-15 | パナソニック株式会社 | Led封止樹脂体、led装置およびled装置の製造方法 |
SG185404A1 (en) * | 2010-05-14 | 2012-12-28 | Lightscape Materials Inc | Carbonitride based phosphors and light emitting devices using the same |
DE102010041236A1 (de) * | 2010-09-23 | 2012-03-29 | Osram Ag | Optoelektronisches Halbleiterbauelement |
US8329484B2 (en) * | 2010-11-02 | 2012-12-11 | Tsmc Solid State Lighting Ltd. | Phosphor with Ce3+/Ce3+, Li+ doped luminescent materials |
KR101772588B1 (ko) | 2011-08-22 | 2017-09-13 | 한국전자통신연구원 | 클리어 컴파운드 에폭시로 몰딩한 mit 소자 및 그것을 포함하는 화재 감지 장치 |
JP6083049B2 (ja) * | 2012-02-09 | 2017-02-22 | デンカ株式会社 | 蛍光体及び発光装置 |
DE102012101920A1 (de) * | 2012-03-07 | 2013-09-12 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Optoelektronisches Bauelement |
US9938460B2 (en) * | 2012-04-02 | 2018-04-10 | National Taiwan University | Phosphor, light emitting apparatus and method of forming phosphor |
CN103375708B (zh) * | 2012-04-26 | 2015-10-28 | 展晶科技(深圳)有限公司 | 发光二极管灯源装置 |
DE102012213467B4 (de) * | 2012-07-31 | 2023-12-07 | Coretronic Corporation | Vorrichtung zum bereitstellen elektromagnetischer strahlung |
TWI448538B (zh) | 2012-10-23 | 2014-08-11 | Ind Tech Res Inst | 螢光材料與紫外光發光裝置 |
CN104870604A (zh) * | 2012-12-21 | 2015-08-26 | 默克专利有限公司 | 发光物质 |
JP5783302B2 (ja) | 2013-07-03 | 2015-09-24 | 日亜化学工業株式会社 | フッ化物蛍光体及びそれを用いた発光装置並びに蛍光体の製造方法 |
CN104232087A (zh) * | 2014-08-11 | 2014-12-24 | 北京大学工学院包头研究院 | 一种荧光材料及其制备方法和应用 |
CN104371712A (zh) * | 2014-11-03 | 2015-02-25 | 天津理工大学 | 一种钙基氮化物红色荧光粉的常压制备方法 |
CN105062480B (zh) * | 2015-08-21 | 2017-06-27 | 佛山市南海区联合广东新光源产业创新中心 | 多波长激发的高性能红色荧光粉及其制备方法 |
US10711192B2 (en) | 2016-08-12 | 2020-07-14 | Osram Oled Gmbh | Lighting device |
US10644206B2 (en) | 2016-08-12 | 2020-05-05 | Osram Oled Gmbh | Lighting device |
CN109642155B (zh) | 2016-08-12 | 2023-04-07 | 欧司朗光电半导体有限公司 | 照明设备 |
WO2018087304A1 (de) | 2016-11-11 | 2018-05-17 | Osram Gmbh | Leuchtstoff, beleuchtungsvorrichtung und verwendung einer beleuchtungsvorrichtung |
DE102016121692A1 (de) * | 2016-08-12 | 2018-02-15 | Osram Gmbh | Leuchtstoff und Verfahren zur Herstellung eines Leuchtstoffs |
JP7050774B2 (ja) | 2016-11-11 | 2022-04-08 | オスラム オプト セミコンダクターズ ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング | 蛍光体、照明装置および照明装置の使用 |
WO2019029849A1 (de) | 2016-11-11 | 2019-02-14 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Dimmbare lichtquelle |
TWI629339B (zh) * | 2017-06-16 | 2018-07-11 | 信源陶磁股份有限公司 | 製備氮化物螢光體的方法 |
KR102359594B1 (ko) * | 2017-09-19 | 2022-02-07 | 엘지디스플레이 주식회사 | 복합 무기 발광 재료, 발광 필름, 이를 포함하는 엘이디 패키지, 발광다이오드 및 발광장치 |
US10720554B2 (en) * | 2017-09-20 | 2020-07-21 | General Electric Company | Green-emitting phosphors and devices thereof |
DE102018205464A1 (de) | 2017-11-10 | 2019-05-16 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Beleuchtungsvorrichtung und verwendung einer beleuchtungsvorrichtung |
CN109370587B (zh) * | 2018-09-06 | 2019-10-29 | 旭宇光电(深圳)股份有限公司 | 氮化物近红外荧光材料、含有氮化物近红外荧光材料的发光装置 |
CN110893339A (zh) * | 2018-09-12 | 2020-03-20 | 华东理工大学 | 一种钼基耐硫甲烷化催化剂及其制备方法与应用 |
EP3943445A1 (en) * | 2020-07-21 | 2022-01-26 | Karlsruher Institut für Technologie | Bulk materials of doped multinary nitrides and nitridosilicates, their production method and uses |
CN115772403B (zh) * | 2022-12-06 | 2023-09-29 | 广州医科大学 | 一类铬铥共掺杂蓝紫光转窄谱近红外荧光材料及其制备与应用 |
CN116042218A (zh) * | 2023-01-19 | 2023-05-02 | 威海市泓淋电力技术股份有限公司 | 一种Bi3+和Pr3+共掺杂锗酸盐LiYGeO4光激励发光材料及其制备方法 |
CN117801820A (zh) * | 2023-12-28 | 2024-04-02 | 广州珠江光电新材料有限公司 | 一种红色长余辉材料及其制备方法 |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2004182780A (ja) * | 2002-11-29 | 2004-07-02 | Nichia Chem Ind Ltd | 窒化物蛍光体及びそれを用いた発光装置 |
US20070040502A1 (en) * | 2004-04-20 | 2007-02-22 | Gelcore Llc | High CRI LED lamps utilizing single phosphor |
WO2008017353A1 (de) * | 2006-08-11 | 2008-02-14 | Merck Patent Gmbh | Led-konversionsleuchtstoffe in form von keramischen körpern |
WO2008122332A1 (de) * | 2007-04-04 | 2008-10-16 | Merck Patent Gmbh | Verfahren zur herstellung von leuchtstoffen bestehend aus orthosilikaten für pcleds |
Family Cites Families (14)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4019884A (en) | 1976-01-22 | 1977-04-26 | Corning Glass Works | Method for providing porous broad-band antireflective surface layers on chemically-durable borosilicate glasses |
JP3242561B2 (ja) | 1995-09-14 | 2001-12-25 | メルク・ジヤパン株式会社 | 薄片状酸化アルミニウム、真珠光沢顔料及びその製造方法 |
EP1104799A1 (en) | 1999-11-30 | 2001-06-06 | Patent-Treuhand-Gesellschaft für elektrische Glühlampen mbH | Red emitting luminescent material |
US6700322B1 (en) | 2000-01-27 | 2004-03-02 | General Electric Company | Light source with organic layer and photoluminescent layer |
DE50210518D1 (de) | 2001-09-21 | 2007-08-30 | Merck Patent Gmbh | Neuartiges hybrid-sol zur herstellung abriebfester sio 2 antireflexschichten |
KR100961342B1 (ko) | 2002-03-22 | 2010-06-04 | 니치아 카가쿠 고교 가부시키가이샤 | 질화물 형광체와 그 제조 방법 및 발광 장치 |
US7511411B2 (en) * | 2002-11-08 | 2009-03-31 | Nichia Corporation | Light emitting device, phosphor, and method for preparing phosphor |
JP3837588B2 (ja) * | 2003-11-26 | 2006-10-25 | 独立行政法人物質・材料研究機構 | 蛍光体と蛍光体を用いた発光器具 |
DE10360546A1 (de) | 2003-12-22 | 2005-07-14 | Patent-Treuhand-Gesellschaft für elektrische Glühlampen mbH | Leuchtstoff und Lichtquelle mit derartigem Leuchtstoff |
US7229573B2 (en) | 2004-04-20 | 2007-06-12 | Gelcore, Llc | Ce3+ and Eu2+ doped phosphors for light generation |
JP5081370B2 (ja) | 2004-08-31 | 2012-11-28 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置 |
US7579765B2 (en) | 2006-10-06 | 2009-08-25 | Nemoto & Company, Ltd. | Orange-emitting phosphor |
DE102006054330A1 (de) | 2006-11-17 | 2008-05-21 | Merck Patent Gmbh | Leuchtstoffplättchen für LEDs aus strukturierten Folien |
DE102006054331A1 (de) | 2006-11-17 | 2008-05-21 | Merck Patent Gmbh | Leuchtstoffkörper basierend auf plättchenförmigen Substraten |
-
2009
- 2009-02-27 DE DE102009010705A patent/DE102009010705A1/de not_active Withdrawn
-
2010
- 2010-02-01 EP EP10703006.6A patent/EP2401342B1/de not_active Not-in-force
- 2010-02-01 US US13/203,288 patent/US9028716B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2010-02-01 JP JP2011551427A patent/JP2012519216A/ja active Pending
- 2010-02-01 SG SG2011059805A patent/SG173767A1/en unknown
- 2010-02-01 KR KR1020117022592A patent/KR20110126725A/ko not_active Application Discontinuation
- 2010-02-01 WO PCT/EP2010/000592 patent/WO2010097157A1/de active Application Filing
- 2010-02-01 CN CN2010800093824A patent/CN102333844B/zh not_active Expired - Fee Related
- 2010-02-26 TW TW099105745A patent/TWI464240B/zh not_active IP Right Cessation
Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2004182780A (ja) * | 2002-11-29 | 2004-07-02 | Nichia Chem Ind Ltd | 窒化物蛍光体及びそれを用いた発光装置 |
US20070040502A1 (en) * | 2004-04-20 | 2007-02-22 | Gelcore Llc | High CRI LED lamps utilizing single phosphor |
WO2008017353A1 (de) * | 2006-08-11 | 2008-02-14 | Merck Patent Gmbh | Led-konversionsleuchtstoffe in form von keramischen körpern |
WO2008122332A1 (de) * | 2007-04-04 | 2008-10-16 | Merck Patent Gmbh | Verfahren zur herstellung von leuchtstoffen bestehend aus orthosilikaten für pcleds |
Non-Patent Citations (1)
Title |
---|
JPN5012009713; LI Y Q: 'LUMINESCENCE PROPERTIES OF CE<3+>-ACTIVATED ALKALINE EARTH SILICON NITRIDE 以下備考' JOURNAL OF LUMINESCENCE V116 N1-2, 20060101, P107-116 * |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2016507605A (ja) * | 2012-12-21 | 2016-03-10 | メルク パテント ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツングMerck Patent Gesellschaft mit beschraenkter Haftung | 蛍光体 |
JP2018503980A (ja) * | 2014-12-24 | 2018-02-08 | コーニンクレッカ フィリップス エヌ ヴェKoninklijke Philips N.V. | 蛍光体変換led |
JP2017055093A (ja) * | 2015-09-11 | 2017-03-16 | 株式会社東芝 | 半導体発光装置 |
JP2018109123A (ja) * | 2017-01-05 | 2018-07-12 | 太平洋セメント株式会社 | 蛍光体の製造法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20110304261A1 (en) | 2011-12-15 |
WO2010097157A1 (de) | 2010-09-02 |
SG173767A1 (en) | 2011-09-29 |
DE102009010705A1 (de) | 2010-09-02 |
KR20110126725A (ko) | 2011-11-23 |
CN102333844A (zh) | 2012-01-25 |
TW201038718A (en) | 2010-11-01 |
EP2401342A1 (de) | 2012-01-04 |
TWI464240B (zh) | 2014-12-11 |
CN102333844B (zh) | 2013-07-31 |
US9028716B2 (en) | 2015-05-12 |
EP2401342B1 (de) | 2013-06-12 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20130131 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20140530 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20140617 |
|
A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20140916 |
|
A602 | Written permission of extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602 Effective date: 20140924 |
|
A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20141017 |
|
RD13 | Notification of appointment of power of sub attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7433 Effective date: 20141017 |
|
A602 | Written permission of extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602 Effective date: 20141024 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A821 Effective date: 20141017 |
|
A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20141117 |
|
A602 | Written permission of extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602 Effective date: 20141125 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20141217 |
|
RD14 | Notification of resignation of power of sub attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7434 Effective date: 20150416 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20150609 |